JPH1112312A - オレフィン重合体製造用触媒およびオレフィン重合体の製造方法 - Google Patents

オレフィン重合体製造用触媒およびオレフィン重合体の製造方法

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JPH1112312A
JPH1112312A JP16854897A JP16854897A JPH1112312A JP H1112312 A JPH1112312 A JP H1112312A JP 16854897 A JP16854897 A JP 16854897A JP 16854897 A JP16854897 A JP 16854897A JP H1112312 A JPH1112312 A JP H1112312A
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俊幸 金子
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統 吉田
Morihiko Sato
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 加工性に優れたオレフィン重合体を良好な形
状で、生産性よく製造する。 【解決手段】 (a)周期表4族の遷移金属を含む遷移
金属化合物、(b)有機金属化合物、(c)特定のケイ
素化合物で修飾された無機担体に、イオン性化合物が化
学的に担持された固体触媒成分からなる触媒を用いてオ
レフィンを重合する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、加工性に優れ、組
成分布の狭い、形状の良好なオレフィン重合体の製造に
適したオレフィン重合体製造用触媒および該オレフィン
重合体製造用触媒を使用したオレフィン重合体の製造方
法に関する。
【0002】
【従来の技術】カミンスキーらは、メタロセンとメチル
アルミノキサンを用いた触媒が、プロピレンを含むオレ
フィン重合体を製造する際に高い活性を示すことを特開
昭58−19309号公報などに開示している。また、
メタロセンおよびメチルアルミノキサンのいずれか一方
または両方の触媒成分をシリカなどの無機酸化物担体に
担持した触媒を用いて、オレフィンの懸濁重合または気
相重合を行う試みが、特開昭63−51407号公報等
に開示されている。しかし、上記公報で開示されている
触媒系において、工業的に有用な物性を示すポリマーを
製造するためには、従来のチーグラー・ナッタ触媒で用
いられる有機アルミニウム化合物に比べて高価なメチル
アルミノキサンを大量に用いる必要がある。このため、
コストの問題やポリマー中に大量のアルミニウムが残存
する問題等があった。近年、イオン性メタロセン触媒に
有機アルミニウム化合物を添加することで、プロピレン
を含めたオレフィンの重合に高活性を示す触媒が、特開
平3−124706号公報、特開平3−207704号
公報に開示された。上記特許において、主触媒であるイ
オン性メタロセン触媒は、メタロセン化合物の塩化物を
メチルリチウムあるいはメチルマグネシウムクロライド
などのメチル化試薬を用いてメタロセン化合物のメチル
誘導体にし、さらにこのメチル誘導体とイオン化イオン
性化合物との反応により製造されることが開示されてい
る。上記特許で示されるメタロセン化合物のメチル誘導
体やイオン性メタロセン触媒は不安定である場合が多
く、技術的に高度で複雑な多段階の工程を経なければ合
成することができない。このため、触媒の純度、調製に
関する再現性、保管、重合容器への移送の際の失活など
多くの問題があった。また、上記イオン性メタロセン化
合物をシリカなどの無機酸化物担体に担持した触媒を用
いて、懸濁重合または気相重合において、オレフィンの
重合を行う試みが特開平3−234709公報に開示さ
れている。しかし、上記特許に記載されている触媒系
は、活性が十分でなく、メタロセン化合物のメチル誘導
体やイオン性メタロセン触媒等の不安定な化合物を製造
する工程を含むため、技術的に高度で複雑な多段階の工
程を経なければ合成することができない。一方、ハロゲ
ン化メタロセン化合物を有機金属化合物で処理せしめた
反応物と、その反応物と反応して安定アニオンとなる化
合物とを接触せしめてなる触媒を用いてプロピレンの重
合を行う試みが、WO92/01723公報に開示され
ている。上記特許に記載されている触媒系では、ハロゲ
ン化メタロセンと有機アルミニウムとの反応物を使用す
ることを特徴としているため、前記のイオン性メタロセ
ン触媒に比べて安定性が向上している。また、触媒成分
を担体へ担持することによって、担持触媒として使用す
る方法についても記載されている。しかし、触媒成分
は、均一に溶解してから固体触媒に含浸する含浸法によ
り担持されているため、該担持触媒中の触媒成分は重合
中に担体から剥がれ落ち易く、結果的にポリマー形状が
悪化する原因となる。特に、スラリー重合や溶液重合の
際に顕著に現れることが予想される。特開平8−291
202号公報では、メタロセン化合物と有機金属化合物
の反応物と反応して安定アニオンとなるイオン性化合物
のカチオン成分を化学的に固定化し、溶液中での助触媒
成分の剥離を防止することによって、ポリマー性状の良
好なポリマーを得ている。しかしながら、この触媒系に
おいても生産性の向上のためには、さらに固体触媒あた
りの活性を向上させる必要がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記課題を
解決するためになされたものであり、気相重合あるいは
懸濁重合において、加工性に優れたオレフィン重合体を
良好な形状で、生産性よく製造するための触媒を提供す
ることにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに鋭意検討した結果、遷移金属化合物、有機金属化合
物およびイオン性化合物が化学的に担持されてなる固体
触媒成分を使用することにより、上記課題を解決するに
至った。
【0005】すなわち本発明は、(a)周期表4族の遷
移金属を含む遷移金属化合物、(b)有機金属化合物、
(c)表面水酸基を有する無機担体(c−1)を特定の
ケイ素化合物(c−2)で処理してなる固体成分に、必
要に応じてプロトン酸(c−3)を接触させた後に、イ
オン性化合物(c−4)を作用させてなる固体触媒成分
を接触させることにより得られるオレフィン重合体製造
用触媒、および該オレフィン重合体製造用触媒を使用し
たオレフィン重合体の製造方法に関する。
【0006】以下に本発明を詳細に説明する。
【0007】本発明において用いられる(a)周期表4
族の遷移金属を含む遷移金属化合物としては、例えば下
記一般式(3)
【0008】
【化10】
【0009】または下記一般式(4)
【0010】
【化11】
【0011】[式中、M3はチタン原子、ジルコニウム
原子またはハフニウム原子であり、Yは各々独立して水
素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜24のアルキル基、
または炭素数6〜24のアリール基、アリールアルキル
基もしくはアルキルアリール基であり、R4,R5は各々
独立して下記一般式(5)、(6)、(7)または
(8)
【0012】
【化12】
【0013】(式中、R9は各々独立して水素原子、炭
素数1〜24のアルキル基、または炭素数6〜24のア
リール基、アリールアルキル基もしくはアルキルアリー
ル基である。)で表される配位子であり、該配位子はM
3と一緒にサンドイッチ構造を形成し、R6,R7は各々
独立して下記一般式(9)、(10)、(11)または
(12)
【0014】
【化13】
【0015】(式中、R10は各々独立して水素原子、炭
素数1〜24のアルキル基、または炭素数6〜24のア
リール基、アリールアルキル基もしくはアルキルアリー
ル基である。)で表される配位子であり、該配位子はM
3と一緒にサンドイッチ構造を形成し、R8は下記一般式
(13)または(14)
【0016】
【化14】
【0017】(式中、R11は各々独立して水素原子、炭
素数1〜24のアルキル基、または炭素数6〜24のア
リール基、アリールアルキル基もしくはアルキルアリー
ル基であり、M4は珪素原子、ゲルマニウム原子または
錫原子である。)で表され、R6およびR7を架橋するよ
うに作用しており、mは1〜5の整数である。]で表さ
れる周期表4族の遷移金属化合物、または、下記一般式
(15)、(16)、(17)または(18)
【0018】
【化15】
【0019】[式中、M5は各々独立してチタン原子、
ジルコニウム原子またはハフニウム原子であり、Zは各
々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜24の
アルキル基、または炭素数6〜24のアリール基、アリ
ールアルキル基もしくはアルキルアリール基であり、L
はルイス塩基であり、pは0≦p≦3であり、JR13
q-1,JR13 q-2はヘテロ原子配位子であり、Jは配位数
が3である15族元素または配位数が2である16族元
素であり、R13は各々独立して水素原子、ハロゲン原
子、炭素数1〜24のアルキル基もしくはアルコキシ
基、または炭素数6〜24のアリール基、アリールオキ
シ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、ア
ルキルアリール基もしくはアルキルアリールオキシ基で
あり、qは元素Jの配位数であり、R12は下記一般式
(19)、(20)、(21)または(22)
【0020】
【化16】
【0021】(式中、R16は各々独立して水素原子、炭
素数1〜24のアルキル基、または炭素数6〜24のア
リール基、アリールアルキル基もしくはアルキルアリー
ル基である。)で表される配位子であり、R14は下記一
般式(23)、(24)、(25)または(26)
【0022】
【化17】
【0023】(式中、R17は各々独立して水素原子、炭
素数1〜24のアルキル基、または炭素数6〜24のア
リール基、アリールアルキル基もしくはアルキルアリー
ル基である。)で表され、M5に配位する配位子であ
り、R15は下記一般式(27)または (28)
【0024】
【化18】
【0025】(式中、R18は各々独立して水素原子、炭
素数1〜24のアルキル基、または炭素数6〜24のア
リール基、アリールアルキル基もしくはアルキルアリー
ル基であり、M6は珪素原子、ゲルマニウム原子または
錫原子である。)で表され、R14およびJR13 q-2を架
橋するように作用しており、rは1〜5の整数であ
る。]で表される周期表4族の遷移金属化合物が挙げら
れる。
【0026】前記一般式(3)または(4)で表される
化合物として、具体的に、ビス(シクロペンタジエニ
ル)チタニウムジクロライド、ビス(シクロペンタジエ
ニル)ジルコニウムジクロライド、ビス(シクロペンタ
ジエニル)ハフニウムジクロライド、ビス(メチルシク
ロペンタジエニル)チタニウムジクロライド、ビス(メ
チルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライ
ド、ビス(メチルシクロペンタジエニル)ハフニウムジ
クロライド、ビス(ブチルシクロペンタジエニル)チタ
ニウムジクロライド、ビス(ブチルシクロペンタジエニ
ル)ジルコニウムジクロライド、ビス(ブチルシクロペ
ンタジエニル)ハフニウムジクロライド、ビス(ペンタ
メチルシクロペンタジエニル)チタニウムジクロライ
ド、ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコ
ニウムジクロライド、ビス(ペンタメチルシクロペンタ
ジエニル)ハフニウムジクロライド、ビス(インデニ
ル)チタニウムジクロライド、ビス(インデニル)ジル
コニウムジクロライド、ビス(インデニル)ハフニウム
ジクロライド、メチレンビス(シクロペンタジエニル)
チタニウムジクロライド、メチレンビス(シクロペンタ
ジエニル)ジルコニウムジクロライド、メチレンビス
(シクロペンタジエニル)ハフニウムジクロライド、メ
チレンビス(メチルシクロペンタジエニル)チタニウム
ジクロライド、メチレンビス(メチルシクロペンタジエ
ニル)ジルコニウムジクロライド、メチレンビス(メチ
ルシクロペンタジエニル)ハフニウムジクロライド、メ
チレンビス(ブチルシクロペンタジエニル)チタニウム
ジクロライド、メチレンビス(ブチルシクロペンタジエ
ニル)ジルコニウムジクロライド、メチレンビス(ブチ
ルシクロペンタジエニル)ハフニウムジクロライド、メ
チレンビス(テトラメチルシクロペンタジエニル)チタ
ニウムジクロライド、メチレンビス(テトラメチルシク
ロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、メチレ
ンビス(テトラメチルシクロペンタジエニル)ハフニウ
ムジクロライド、エチレンビス(インデニル)チタニウ
ムジクロライド、エチレンビス(インデニル)ジルコニ
ウムジクロライド、エチレンビス(インデニル)ハフニ
ウムジクロライド、エチレンビス(テトラヒドロインデ
ニル)チタニウムジクロライド、エチレンビス(テトラ
ヒドロインデニル)ジルコニウムジクロライド、エチレ
ンビス(テトラヒドロインデニル)ハフニウムジクロラ
イド、エチレンビス(2−メチル−1−インデニル)チ
タニウムジクロライド、エチレンビス(2−メチル−1
−インデニル)ジルコニウムジクロライド、エチレンビ
ス(2−メチル−1−インデニル)ハフニウムジクロラ
イド、イソプロピリデン(シクロペンタジエニル−9−
フルオレニル)チタニウムジクロライド、イソプロピリ
デン(シクロペンタジエニル−9−フルオレニル)ジル
コニウムジクロライド、イソプロピリデン(シクロペン
タジエニル−9−フルオレニル)ハフニウムジクロライ
ド、イソプロピリデン(シクロペンタジエニル−2,7
−ジメチル−9−フルオレニル)チタニウムジクロライ
ド、イソプロピリデン(シクロペンタジエニル−2,7
−ジメチル−9−フルオレニル)ジルコニウムジクロラ
イド、イソプロピリデン(シクロペンタジエニル−2,
7−ジメチル−9−フルオレニル)ハフニウムジクロラ
イド、イソプロピリデン(シクロペンタジエニル−2,
7−ジ−t−ブチル−9−フルオレニル)チタニウムジ
クロライド、イソプロピリデン(シクロペンタジエニル
−2,7−ジ−t−ブチル−9−フルオレニル)ジルコ
ニウムジクロライド、イソプロピリデン(シクロペンタ
ジエニル−2,7−ジ−t−ブチル−9−フルオレニ
ル)ハフニウムジクロライド、ジフェニルメチレン(シ
クロペンタジエニル−9−フルオレニル)チタニウムジ
クロライド、ジフェニルメチレン(シクロペンタジエニ
ル−9−フルオレニル)ジルコニウムジクロライド、ジ
フェニルメチレン(シクロペンタジエニル−9−フルオ
レニル)ハフニウムジクロライド、ジフェニルメチレン
(シクロペンタジエニル−2,7−ジメチル−9−フル
オレニル)チタニウムジクロライド、ジフェニルメチレ
ン(シクロペンタジエニル−2,7−ジメチル−9−フ
ルオレニル)ジルコニウムジクロライド、ジフェニルメ
チレン(シクロペンタジエニル−2,7−ジメチル−9
−フルオレニル)ハフニウムジクロライド、ジフェニル
メチレン(シクロペンタジエニル−2,7−ジ−t−ブ
チル−9−フルオレニル)チタニウムジクロライド、ジ
フェニルメチレン(シクロペンタジエニル−2,7−ジ
−t−ブチル−9−フルオレニル)ジルコニウムジクロ
ライド、ジフェニルメチレン(シクロペンタジエニル−
2,7−ジ−t−ブチル−9−フルオレニル)ハフニウ
ムジクロライド、ジメチルシランジイルビス(シクロペ
ンタジエニル)チタニウムジクロライド、ジメチルシラ
ンジイルビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジ
クロライド、ジメチルシランジイルビス(シクロペンタ
ジエニル)ハフニウムジクロライド、ジメチルシランジ
イルビス(メチルシクロペンタジエニル)チタニウムジ
クロライド、ジメチルシランジイルビス(メチルシクロ
ペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、ジメチル
シランジイルビス(メチルシクロペンタジエニル)ハフ
ニウムジクロライド、ジメチルシランジイルビス(ブチ
ルシクロペンタジエニル)チタニウムジクロライド、ジ
メチルシランジイルビス(ブチルシクロペンタジエニ
ル)ジルコニウムジクロライド、ジメチルシランジイル
ビス(ブチルシクロペンタジエニル)ハフニウムジクロ
ライド、ジメチルシランジイルビス(2,4,5−トリ
メチルシクロペンタジエニル)チタニウムジクロライ
ド、ジメチルシランジイルビス(2,4−ジメチルシク
ロペンタジエニル)チタニウムジクロライド、ジメチル
シランジイルビス(3−メチルシクロペンタジエニル)
チタニウムジクロライド、ジメチルシランジイルビス
(4−t−ブチル−2−メチルシクロペンタジエニル)
チタニウムジクロライド、ジメチルシランジイルビス
(テトラメチルシクロペンタジエニル)チタニウムジク
ロライド、ジメチルシランジイルビス(インデニル)チ
タニウムジクロライド、ジメチルシランジイルビス(2
−メチル−1−インデニル)チタニウムジクロライド、
ジメチルシランジイルビス(テトラヒドロインデニル)
チタニウムジクロライド、ジメチルシランジイル(シク
ロペンタジエニル−9−フルオレニル)チタニウムジク
ロライド、ジメチルシランジイル(シクロペンタジエニ
ル−2,7−ジメチル−9−フルオレニル)チタニウム
ジクロライド、ジメチルシランジイル(シクロペンタジ
エニル−2,7−ジ−t−ブチル−9−フルオレニル)
チタニウムジクロライド、ジメチルシランジイルビス
(2,4,5−トリメチルシクロペンタジエニル)ジル
コニウムジクロライド、ジメチルシランジイルビス
(2,4−ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウ
ムジクロライド、ジメチルシランジイルビス(3−メチ
ルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、
ジメチルシランジイルビス(4−t−ブチル−2−メチ
ルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、
ジメチルシランジイルビス(テトラメチルシクロペンタ
ジエニル)ジルコニウムジクロライド、ジメチルシラン
ジイルビス(インデニル)ジルコニウムジクロライド、
ジメチルシランジイルビス(2−メチル−1−インデニ
ル)ジルコニウムジクロライド、ジメチルシランジイル
ビス(テトラヒドロインデニル)ジルコニウムジクロラ
イド、ジメチルシランジイル(シクロペンタジエニル−
9−フルオレニル)ジルコニウムジクロライド、ジメチ
ルシランジイル(シクロペンタジエニル−2,7−ジメ
チル−9−フルオレニル)ジルコニウムジクロライド、
ジメチルシランジイル(シクロペンタジエニル−2,7
−ジ−t−ブチル−9−フルオレニル)ジルコニウムジ
クロライド、ジメチルシランジイルビス(2,4,5−
トリメチルシクロペンタジエニル)ハフニウムジクロラ
イド、ジメチルシランジイルビス(2,4−ジメチルシ
クロペンタジエニル)ハフニウムジクロライド、ジメチ
ルシランジイルビス(3−メチルシクロペンタジエニ
ル)ハフニウムジクロライド、ジメチルシランジイルビ
ス (4−t−ブチル−2−メチルシクロペンタジエニ
ル)ハフニウムジクロライド、ジメチルシランジイルビ
ス(テトラメチルシクロペンタジエニル)ハフニウムジ
クロライド、ジメチルシランジイルビス(インデニル)
ハフニウムジクロライド、ジメチルシランジイルビス
(2−メチル−1−インデニル)ハフニウムジクロライ
ド、ジメチルシランジイルビス(テトラヒドロインデニ
ル)ハフニウムジクロライド、ジメチルシランジイル
(シクロペンタジエニル−9−フルオレニル)ハフニウ
ムジクロライド、ジメチルシランジイル(シクロペンタ
ジエニル−2,7−ジメチル−9−フルオレニル)ハフ
ニウムジクロライド、ジメチルシランジイル(シクロペ
ンタジエニル−2,7−ジ−t−ブチル−9−フルオレ
ニル)ハフニウムジクロライド、ジエチルシランジイル
ビス(2,4,5−トリメチルシクロペンタジエニル)
チタニウムジクロライド、ジエチルシランジイルビス
(2,4−ジメチルシクロペンタジエニル)チタニウム
ジクロライド、ジエチルシランジイルビス(3−メチル
シクロペンタジエニル)チタニウムジクロライド、ジエ
チルシランジイルビス(4−t−ブチル−2−メチルシ
クロペンタジエニル)チタニウムジクロライド、ジエチ
ルシランジイルビス(テトラメチルシクロペンタジエニ
ル)チタニウムジクロライド、ジエチルシランジイルビ
ス(インデニル)チタニウムジクロライド、ジエチルシ
ランジイルビス(2−メチル−1−インデニル)チタニ
ウムジクロライド、ジエチルシランジイルビス(テトラ
ヒドロインデニル)チタニウムジクロライド、ジエチル
シランジイル(シクロペンタジエニル−9−フルオレニ
ル)チタニウムジクロライド、ジエチルシランジイル
(シクロペンタジエニル−2,7−ジメチル−9−フル
オレニル)チタニウムジクロライド、ジエチルシランジ
イル(シクロペンタジエニル−2,7−ジ−t−ブチル
−9−フルオレニル)チタニウムジクロライド、ジエチ
ルシランジイルビス(2,4,5−トリメチルシクロペ
ンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、ジエチルシ
ランジイルビス(2,4−ジメチルシクロペンタジエニ
ル)ジルコニウムジクロライド、ジエチルシランジイル
ビス(3−メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム
ジクロライド、ジエチルシランジイルビス(4−t−ブ
チル−2−メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム
ジクロライド、ジエチルシランジイルビス(テトラメチ
ルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、
ジエチルシランジイルビス(インデニル)ジルコニウム
ジクロライド、ジエチルシランジイルビス(2−メチル
−1−インデニル)ジルコニウムジクロライド、ジエチ
ルシランジイルビス(テトラヒドロインデニル)ジルコ
ニウムジクロライド、ジエチルシランジイル(シクロペ
ンタジエニル−9−フルオレニル)ジルコニウムジクロ
ライド、ジエチルシランジイル(シクロペンタジエニル
−2,7−ジメチル−9−フルオレニル)ジルコニウム
ジクロライド、ジエチルシランジイル(シクロペンタジ
エニル−2,7−ジ−t−ブチル−9−フルオレニル)
ジルコニウムジクロライド、ジエチルシランジイルビス
(2,4,5−トリメチルシクロペンタジエニル)ハフ
ニウムジクロライド、ジエチルシランジイルビス(3−
メチルシクロペンタジエニル)ハフニウムジクロライ
ド、ジエチルシランジイルビス(4−t−ブチル−2−
メチルシクロペンタジエニル)ハフニウムジクロライ
ド、ジエチルシランジイルビス(テトラメチルシクロペ
ンタジエニル)ハフニウムジクロライド、ジエチルシラ
ンジイルビス(インデニル)ハフニウムジクロライド、
ジエチルシランジイルビス(2−メチル−1−インデニ
ル)ハフニウムジクロライド、ジエチルシランジイルビ
ス(テトラヒドロインデニル)ハフニウムジクロライ
ド、ジエチルシランジイル(シクロペンタジエニル−9
−フルオレニル)ハフニウムジクロライド、ジエチルシ
ランジイル(シクロペンタジエニル−2,7−ジメチル
−9−フルオレニル)ハフニウムジクロライド、ジエチ
ルシランジイル(シクロペンタジエニル−2,7−ジ−
t−ブチル−9−フルオレニル)ハフニウムジクロライ
ド、ジフェニルシランジイルビス(2,4,5−トリメ
チルシクロペンタジエニル)チタニウムジクロライド、
ジフェニルシランジイルビス (2,4−ジメチルシク
ロペンタジエニル)チタニウムジクロライド、ジフェニ
ルシランジイルビス(3−メチルシクロペンタジエニ
ル)チタニウムジクロライド、ジフェニルシランジイル
ビス(4−t−ブチル−2−メチルシクロペンタジエニ
ル)チタニウムジクロライド、ジフェニルシランジイル
ビス(テトラメチルシクロペンタジエニル)チタニウム
ジクロライド、ジフェニルシランジイルビス(インデニ
ル)チタニウムジクロライド、ジフェニルシランジイル
ビス(2−メチル−1−インデニル)チタニウムジクロ
ライド、ジフェニルシランジイルビス(テトラヒドロイ
ンデニル)チタニウムジクロライド、ジフェニルシラン
ジイル(シクロペンタジエニル−9−フルオレニル)チ
タニウムジクロライド、ジフェニルシランジイル(シク
ロペンタジエニル−2,7−ジメチル−9−フルオレニ
ル)チタニウムジクロライド、ジフェニルシランジイル
(シクロペンタジエニル−2,7−ジ−t−ブチル−9
−フルオレニル)チタニウムジクロライド、ジフェニル
シランジイルビス(2,4,5−トリメチルシクロペン
タジエニル)ジルコニウムジクロライド、ジフェニルシ
ランジイルビス(2,4−ジメチルシクロペンタジエニ
ル)ジルコニウムジクロライド、ジフェニルシランジイ
ルビス(3−メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウ
ムジクロライド、ジフェニルシランジイルビス(4−t
−ブチル−2−メチルシクロペンタジエニル)ジルコニ
ウムジクロライド、ジフェニルシランジイルビス(テト
ラメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロラ
イド、ジフェニルシランジイルビス(インデニル)ジル
コニウムジクロライド、ジフェニルシランジイルビス
(2−メチル−1−インデニル)ジルコニウムジクロラ
イド、ジフェニルシランジイルビス(テトラヒドロイン
デニル)ジルコニウムジクロライド、ジフェニルシラン
ジイル(シクロペンタジエニル−9−フルオレニル)ジ
ルコニウムジクロライド、ジフェニルシランジイル(シ
クロペンタジエニル−2,7−ジメチル−9−フルオレ
ニル)ジルコニウムジクロライド、ジフェニルシランジ
イル(シクロペンタジエニル−2,7−ジ−t−ブチル
−9−フルオレニル)ジルコニウムジクロライド、ジフ
ェニルシランジイルビス(2,4,5−トリメチルシク
ロペンタジエニル)ハフニウムジクロライド、ジフェニ
ルシランジイルビス(3−メチルシクロペンタジエニ
ル)ハフニウムジクロライド、ジフェニルシランジイル
ビス(4−t−ブチル−2−メチルシクロペンタジエニ
ル)ハフニウムジクロライド、ジフェニルシランジイル
ビス(テトラメチルシクロペンタジエニル)ハフニウム
ジクロライド、ジフェニルシランジイルビス(インデニ
ル)ハフニウムジクロライド、ジフェニルシランジイル
ビス(2−メチル−1−インデニル)ハフニウムジクロ
ライド、ジフェニルシランジイルビス(テトラヒドロイ
ンデニル)ハフニウムジクロライド、ジフェニルシラン
ジイル(シクロペンタジエニル−9−フルオレニル)ハ
フニウムジクロライド、ジフェニルシランジイル(シク
ロペンタジエニル−2,7−ジメチル−9−フルオレニ
ル)ハフニウムジクロライド、ジフェニルシランジイル
(シクロペンタジエニル−2,7−ジ−t−ブチル−9
−フルオレニル)ハフニウムジクロライド等のジクロル
体および上記4族遷移金属化合物のジメチル体、ジエチ
ル体、ジヒドロ体、ジフェニル体、ジベンジル体等を例
示することができる。
【0027】前記一般式(15)、(16)、(17)
または(18)で表される化合物として、具体的に、ペ
ンタメチルシクロペンタジエニル−ジ−t−ブチルホス
フィノチタニウムジクロライド、ペンタメチルシクロペ
ンタジエニル−ジ−t−ブチルアミドチタニウムジクロ
ライド、ペンタメチルシクロペンタジエニル−n−ブト
キシドチタニウムジクロライド、ペンタメチルシクロペ
ンタジエニル−ジ−t−ブチルホスフィノジルコニウム
ジクロライド、ペンタメチルシクロペンタジエニル−ジ
−t−ブチルアミドジルコニウムジクロライド、ペンタ
メチルシクロペンタジエニル−n−ブトキシドジルコニ
ウムジクロライド、ペンタメチルシクロペンタジエニル
−ジ−t−ブチルホスフィノハフニウムジクロライド、
ペンタメチルシクロペンタジエニル−ジ−t−ブチルア
ミドハフニウムジクロライド、ペンタメチルシクロペン
タジエニル−n−ブトキシドハフニウムジクロライド、
(t−ブチルアミド)ジメチル(テトラメチル−η5−
シクロペンタジエニル)シランチタニウムジクロライ
ド、(t−ブチルアミド)(t−ブチル−η5−シクロ
ペンタジエニル)ジメチルシランチタニウムジクロライ
ド、(t−ブチルアミド)ジメチル(トリメチルシリル
−η5−シクロペンタジエニル)シランチタニウムジク
ロライド、ジメチル(フェニルアミド)(テトラメチル
−η5−シクロペンタジエニル)シランチタニウムジク
ロライド、(t−ブチルアミド)メチルフェニル(テト
ラメチル−η5−シクロペンタジエニル)シランチタニ
ウムジクロライド、(p−n−ブチルフェニルアミド)
ジメチル(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニ
ル)シランチタニウムジクロライド、ジメチル(p−メ
トキシフェニルアミド)(テトラメチル−η5−シクロ
ペンタジエニル)シランチタニウムジクロライド、(t
−ブチル−η5−シクロペンタジエニル)(2,5−ジ
−t−ブチル−フェニルアミド)ジメチルシランチタニ
ウムジクロライド、(t−ブチルアミド)ジメチル(η
5−インデニル)シランチタニウムジクロライド、(シ
クロヘキシルアミド)ジメチル(テトラメチル−η5−
シクロペンタジエニル)シランチタニウムジクロライ
ド、(シクロヘキシルアミド)ジメチル(フルオレニ
ル)シランチタニウムジクロライド、(シクロドデシル
アミド)ジメチル(テトラメチル−η5−シクロペンタ
ジエニル)シランチタニウムジクロライド、(t−ブチ
ルアミド)ジメチル(テトラメチル−η5−シクロペン
タジエニル)シランジルコニウムジクロライド、(t−
ブチルアミド)(t−ブチル−η5−シクロペンタジエ
ニル)ジメチルシランジルコニウムジクロライド、(t
−ブチルアミド)ジメチル(トリメチルシリル−η5−
シクロペンタジエニル)シランジルコニウムジクロライ
ド、ジメチル(フェニルアミド)(テトラメチル−η5
−シクロペンタジエニル)シランジルコニウムジクロラ
イド、(t−ブチルアミド)メチルフェニル(テトラメ
チル−η5−シクロペンタジエニル)シランジルコニウ
ムジクロライド、(p−n−ブチルフェニルアミド)ジ
メチル(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)
シランジルコニウムジクロライド、ジメチル(p−メト
キシフェニルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペ
ンタジエニル)シランジルコニウムジクロライド、(t
−ブチル−η5−シクロペンタジエニル)(2,5−ジ
−t−ブチル−フェニルアミド)ジメチルシランジルコ
ニウムジクロライド、(t−ブチルアミド)ジメチル
(η5−インデニル)シランジルコニウムジクロライ
ド、(シクロヘキシルアミド)ジメチル(テトラメチル
−η5−シクロペンタジエニル)シランジルコニウムジ
クロライド、(シクロヘキシルアミド)ジメチル(フル
オレニル)シランジルコニウムジクロライド、(シクロ
ドデシルアミド)ジメチル(テトラメチル−η5−シク
ロペンタジエニル)シランジルコニウムジクロライド、
(t−ブチルアミド)ジメチル(テトラメチル−η5−
シクロペンタジエニル)シランハフニウムジクロライ
ド、(t−ブチルアミド)(t−ブチル−η5−シクロ
ペンタジエニル)ジメチルシランハフニウムジクロライ
ド、(t−ブチルアミド)ジメチル(トリメチルシリル
−η5−シクロペンタジエニル)シランハフニウムジク
ロライド、ジメチル(フェニルアミド)(テトラメチル
−η5−シクロペンタジエニル)シランハフニウムジク
ロライド、(t−ブチルアミド)メチルフェニル(テト
ラメチル−η5−シクロペンタジエニル)シランハフニ
ウムジクロライド、(p−n−ブチルフェニルアミド)
ジメチル(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニ
ル)シランハフニウムジクロライド、ジメチル(p−メ
トキシフェニルアミド)(テトラメチル−η5−シクロ
ペンタジエニル)シランハフニウムジクロライド、(t
−ブチル−η5−シクロペンタジエニル)(2,5−ジ
−t−ブチル−フェニルアミド)ジメチルシランハフニ
ウムジクロライド、(t−ブチルアミド)ジメチル(η
5−インデニル)シランハフニウムジクロライド、(シ
クロヘキシルアミド)ジメチル(テトラメチル−η5−
シクロペンタジエニル)シランハフニウムジクロライ
ド、(シクロヘキシルアミド)ジメチル(フルオレニ
ル)シランハフニウムジクロライド、(シクロドデシル
アミド)ジメチル(テトラメチル−η5−シクロペンタ
ジエニル)シランハフニウムジクロライド等のジクロル
体および上記4族遷移金属化合物のジメチル体、ジエチ
ル体、ジヒドロ体、ジフェニル体、ジベンジル体等を例
示することができる。
【0028】本発明において用いられる(b)有機金属
化合物としては、例えば下記一般式(29) M719 n (29) [式中、M7は周期表1族、2族、3族、SnまたはZ
nの元素である。R19は各々独立して水素原子、炭素数
1〜24のアルキル基もしくはアルコキシ基、または炭
素数6〜24のアリール基、アリールオキシ基、アリー
ルアルキル基、アリールアルコキシ基、アルキルアリー
ル基もしくはアルキルアリールオキシ基であり、少なく
とも1つのR19は水素原子、炭素数1〜24のアルキル
基、または炭素数6〜24のアリール基、アリールアル
キル基もしくはアルキルアリール基である。nはM7
酸化数に等しい。]で表される有機金属化合物が挙げら
れる。
【0029】前記一般式(29)で表される化合物とし
て、具体的に、トリメチルアルミニウム、トリエチルア
ルミニウム、トリイソプロピルアルミニウム、トリ−n
−プロピルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウ
ム、トリ−n−ブチルアルミニウム、トリアミルアルミ
ニウム、ジメチルアルミニウムエトキサイド、ジエチル
アルミニウムエトキサイド、ジイソプロピルアルミニウ
ムエトキサイド、ジ−n−プロピルアルミニウムエトキ
サイド、ジイソブチルアルミニウムエトキサイド、ジ−
n−ブチルアルミニウムエトキサイド、ジメチルアルミ
ニウムハイドライド、ジエチルアルミニウムハイドライ
ド、ジイソプロピルアルミニウムハイドライド、ジ−n
−プロピルアルミニウムハイドライド、ジイソブチルア
ルミニウムハイドライド、ジ−n−ブチルアルミニウム
ハイドライドなどの有機アルミニウム化合物、メチルリ
チウム、ブチルリチウムなどの有機リチウム化合物、ジ
ブチルマグネシウムなどの有機マグネシウム化合物等を
例示することができるが、これらに限定されるものでは
ない。これらの有機金属化合物において、好ましくは有
機アルミニウム化合物である。
【0030】さらに、本発明において用いられる(c)
イオン性化合物が化学的に担持されてなる固体触媒成分
は、下記成分の接触生成物であることを特徴としてい
る。
【0031】(c−1)表面水酸基を有する無機担体と
(c−2)下記一般式(1)で示されるケイ素化合物と
の接触生成物に、 R1 s2 tSiX1 4-s-t (1) [式中、R1は各々独立して炭素数6〜20のアリール
基、アルキルアリール基もしくはアラルキル基であり、
その芳香環上の水素原子の少なくとも1つが15族また
は16族の元素からなるルイス塩基官能基で置換されて
いる。R2は炭素数1〜20のアルキル基もしくはアル
ケニル基、または炭素数6〜20のアリール基、アルキ
ルアリール基もしくはアラルキル基である。X1は各々
独立してハロゲン原子である。sは2または3、tは0
または1であり、s+tは2または3である。] (c−4)一般式(2)で示されるイオン性化合物を作
用させる。
【0032】 [M11 u][M23 4] (2) [式中、M1は周期表1族、2族、8族、9族、10
族、11族または12族から選ばれる金属の陽イオンで
あり、L1はルイス塩基またはシクロペンタジエニル基
であり、uは0≦u≦2であり、M2はホウ素原子、ア
ルミニウム原子またはガリウム原子であり、R3は各々
独立して炭素数6〜20のハロゲン置換アリール基であ
る。]また、(c−1)表面水酸基を有する無機担体と
(c−2)下記一般式(1)で示されるケイ素化合物と
の接触生成物に、 R1 s2 tSiX1 4-s-t (1) [式中、R1は各々独立して炭素数6〜20のアリール
基、アルキルアリール基もしくはアラルキル基であり、
その芳香環上の水素原子の少なくとも1つが15族また
は16族の元素からなるルイス塩基官能基で置換されて
いる。R2は炭素数1〜20のアルキル基もしくはアル
ケニル基、または炭素数6〜20のアリール基、アルキ
ルアリール基もしくはアラルキル基である。X1は各々
独立してハロゲン原子または炭素数1〜20のアルコキ
シ基である。sは2または3、tは0または1であり、
s+tは2または3である。] (c−3)プロトン酸を接触させた後、(c−4)一般
式(2)で示されるイオン性化合物を作用させる。
【0033】 [M11 u][M23 4] (2) [式中、M1は周期表1族、2族、8族、9族、10
族、11族または12族から選ばれる金属の陽イオンで
あり、L1はルイス塩基またはシクロペンタジエニル基
であり、uは0≦u≦2であり、M2はホウ素原子、ア
ルミニウム原子またはガリウム原子であり、R3は各々
独立して炭素数6〜20のハロゲン置換アリール基であ
る。]である。
【0034】本発明の固体触媒成分(c)の調製に用い
られる担体成分である表面水酸基を有する無機担体(c
−1)としては、アルミナ、シリカ、シリカ−アルミ
ナ、シリカ−マグネシア等の無機酸化物、粘土鉱物また
は無機ハロゲン化物が用いられる。この無機酸化物は、
通常不純物としてK2CO3、BaSO4等のアルカリ金
属やアルカリ土金属の炭酸塩や硫酸塩などの塩類が含ま
れている。上記の無機酸化物は、これらの不純物を含ん
だ状態で使用してもよいが、予めこれらの不純物を除去
する操作を施して使用するのが好ましい。また、これら
の無機担体は、その種類および製造方法により性質を異
にするが、本発明においては比表面積10〜1000m
2/g、特に50〜800m2/g、細孔容積0.1〜3
ml/gのものがイオン性化合物を多く固定化すること
ができるので好ましい。また、無機担体の粒径は、生成
するポリマーの粒径に影響を与えるため、重合時の微粉
末や異常に成長した粒子となることを避けるために、平
均粒径が1〜300μmであることが好ましい。特に好
ましくは2〜150μmであり、生成するポリマー粒子
に与える影響をさらに改良することができる。これらの
無機酸化物、粘土鉱物または無機ハロゲン化物は、必要
に応じて水分等の揮発性の不純物を除去するために、1
00〜1200℃で減圧下または気体流通下で熱処理し
て用いられる。
【0035】固体触媒成分(c)を調製するに際して用
いられる特定のケイ素化合物(c−2)は、下記一般式
(1)で示される。
【0036】R1 s2 tSiX1 4-s-t (1) [式中、R1は各々独立して炭素数6〜20のアリール
基、アルキルアリール基もしくはアラルキル基であり、
その芳香環上の水素原子の少なくとも1つが15族また
は16族の元素からなるルイス塩基官能基で置換されて
いる。R2は炭素数1〜20のアルキル基もしくはアル
ケニル基、または炭素数6〜20のアリール基、アルキ
ルアリール基もしくはアラルキル基である。X1は各々
独立してハロゲン原子または炭素数1〜20のアルコキ
シ基である。sは2または3、tは0または1であり、
s+tは2または3である。] 化合物(1)の具体例としては、ビス(p−ジメチルア
ミノフェニル)ジメトキシシラン、ビス(p−ジメチル
アミノフェニル)ジクロロシラン、ビス(p−ジメチル
アミノフェニル)メチルメトキシシラン、ビス(p−ジ
メチルアミノフェニル)エチルメトキシシラン、ビス
(p−ジメチルアミノフェニル)フェニルメトキシシラ
ン、ビス(p−ジメチルアミノフェニル)フェニルクロ
ロシシラン、トリス(p−ジメチルアミノフェニル)メ
トキシシラン、トリス(p−ジメチルアミノフェニル)
クロロシラン、ビス(p−ジエチルアミノフェニル)ジ
メトキシシラン、ビス(p−ジエチルアミノフェニル)
ジクロロシラン、ビス(p−ジエチルアミノフェニル)
エチルメトキシシラン、ビス(p−ジエチルアミノフェ
ニル)エチルメトキシシラン、ビス(p−ジエチルアミ
ノフェニル)フェニルメトキシシラン、ビス(p−ジエ
チルアミノフェニル)フェニルクロロシシラン、トリス
(p−ジエチルアミノフェニル)メトキシシラン、トリ
ス(p−ジエチルアミノフェニル)クロロシラン、ビス
(3−メチル−4−ジメチルアミノフェニル)ジメトキ
シシラン、ビス(3−メチル−4−ジメチルアミノフェ
ニル)ジクロロシラン、ビス(p−ジメチルアミノベン
ジル)ジメトキシシラン、ビス(p−ジメチルアミノベ
ンジル)メチルメトキシシラン、ビス(p−ジメチルア
ミノベンジル)ジクロロシラン等が挙げられるが、これ
らに限定されるものではない。
【0037】表面水酸基を有する無機担体(c−1)お
よび特定のケイ素化合物(c−2)の接触生成物に、必
要に応じて作用させるプロトン酸(c−3)の例とし
て、塩化水素、フッ化水素、臭化水素、ヨウ化水素、硫
酸等が例示されるが、これらに限定されるものではな
い。
【0038】上記(c−1)、(c−2)および必要に
応じて(c−3)の接触生成物に作用させるイオン性化
合物(c−4)は、下記一般式(2)で示されるもので
ある。
【0039】 [M11 u][M23 4] (2) [式中、M1は周期表1族、2族、8族、9族、10
族、11族または12族から選ばれる金属の陽イオンで
あり、L1はルイス塩基またはシクロペンタジエニル基
であり、uは0≦u≦2であり、M2はホウ素原子、ア
ルミニウム原子またはガリウム原子であり、R3は各々
独立して炭素数6〜20のハロゲン置換アリール基であ
る。] 一般式(2)で表されるイオン性化合物としては、リチ
ウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
リチウムテトラキスフェニルボレート、リチウムテトラ
キス(p−トリル)ボレート、リチウムテトラキス(m
−トリル)ボレート、リチウムテトラキス(2,4−ジ
メチルフェニル)ボレート、リチウムテトラキス(3,
5−ジメチルフェニル)ボレート、リチウムテトラフル
オロボレート、リチウムテトラキス(3,4,5−トリ
フルオロフェニルフェニル)ボレート、リチウムテトラ
キス(3,5−ジ(t−ブチル)フェニル)ボレート、
リチウムテトラキス(3,5−ジ(トリフルオロメチ
ル)フェニル)ボレート、リチウムテトラキス(ペンタ
フルオロフェニル)アルミネート、リチウムテトラキス
フェニルアルミネート、リチウムテトラキス(p−トリ
ル)アルミネート、リチウムテトラキス(m−トリル)
アルミネート、リチウムテトラキス(2,4−ジメチル
フェニル)アルミネート、リチウムテトラキス(3,5
−ジメチルフェニル)アルミネート、リチウムテトラフ
ルオロアルミネート、リチウムテトラキス(3,4,5
−トリフルオロフェニルフェニル)アルミネート、リチ
ウムテトラキス(3,5−ジ(t−ブチル)フェニル)
アルミネート、リチウムテトラキス(3,5−ジ(トリ
フルオロメチル)フェニル)アルミネート等のリチウム
塩またはそのエ−テル錯体を挙げることができるが、こ
れらに限定されるものではない。
【0040】固体触媒成分(c)の調製における反応に
おいて、表面水酸基を有する無機担体(c−1)と一般
式(1)で示される特定のケイ素化合物(c−2)との
反応では、ケイ素化合物がSi−O−Si結合を介して
固体表面に化学的に担持され、これにプロトン酸(c−
3)を作用させることによって、ケイ素化合物の置換基
のアニリン部位がプロトン酸塩となる。さらに、13族
金属のアニオン化合物の金属塩であるイオン性化合物
(c−4)を作用させることで、13族金属のアニオン
化合物が固体表面に固定化された固体触媒成分を得るこ
とができる。この各々の反応が十分進行するための時間
と温度であれば反応条件は特に限定されない。これらの
反応に際して用いられる適当な溶媒としては、トルエ
ン、ヘキサン等の有機溶媒や塩化メチレン等の含ハロゲ
ン溶媒が挙げられる。
【0041】本発明のオレフィン重合体製造用触媒にお
いて、周期表4族の遷移金属を含む遷移金属化合物
(a)、有機金属化合物(b)、イオン性化合物が化学
的に担持されてなる固体触媒成分(c)を反応させる方
法は、固体触媒成分(c)と遷移金属化合物(a)が反
応し得る条件であれば特に限定されない。具体的には、
固体触媒成分(c)に遷移金属化合物(a)を添加する
方法、遷移金属化合物(a)に固体触媒成分(c)を添
加する方法、固体触媒成分(c)と有機金属化合物
(b)の混合物に遷移金属化合物(a)を添加する方
法、遷移金属化合物(a)と有機金属化合物(b)の混
合物に固体触媒成分(c)を添加する方法、固体触媒成
分(c)と有機金属化合物(b)の混合物に遷移金属化
合物(a)と有機金属化合物(b)の混合物を添加する
方法、遷移金属化合物(a)と有機金属化合物(b)の
混合物に固体触媒成分(c)と有機金属化合物(b)の
混合物を添加する方法、または固体触媒成分(c)と遷
移金属化合物(a)と有機金属化合物(b)を同時に混
合する方法を例示することができる。反応条件は、溶媒
中またはボールミル等の粉砕混合機中で、固体触媒成分
(c)、遷移金属化合物(a)および有機金属化合物
(b)が十分に反応するための時間と温度であれば特に
限定されない。適当な溶媒としては、トルエン、ヘキサ
ン等の有機溶媒や塩化メチレン等の含ハロゲン溶媒が用
いられる。固体触媒成分(c)と遷移金属化合物(a)
との反応、および固体触媒成分(c)、遷移金属化合物
(a)および有機金属化合物(b)との反応における反
応温度は、遷移金属化合物が分解しない温度であれば特
に限定されないが、好ましくは−100〜280℃の範
囲である。特に好ましい反応温度は−80〜130℃の
範囲であり、反応を制御できるとともに、反応を十分に
進行させることが可能となる。また必要に応じて、各反
応操作において副生する成分を除去してもよい。副生す
る化合物の除去方法としては、副生する化合物が可溶な
溶媒を用いた洗浄、副生する化合物が揮発成分の場合に
は減圧条件下での精製等が挙げられる。
【0042】本発明に用いる遷移金属化合物(a)およ
び固体触媒成分(c)のmol比は特に限定はないが、
固体触媒成分(c)中のアニオン成分に対する遷移金属
化合物(a)のmol比として0.01〜1000が好
ましい。上記範囲内にあるときにオレフィン重合体製造
用触媒として高活性である。特に好ましくは固体触媒成
分(c)に対する遷移金属化合物(a)の比が0.2〜
500であり、オレフィン重合体の生産性が高くなると
ともに、製造したオレフィン重合体中の灰分を低く抑え
ることが可能となる。
【0043】また、ここで用いられる有機金属化合物
(b)の量は特に限定はないが、遷移金属化合物(a)
に対する有機金属化合物(b)のmol比は0.1〜1
000が好ましい。有機金属化合物の量が上記範囲内に
あるときには不純物で触媒が失活することを予防するこ
とが可能である。さらに好ましくは1〜800である
が、特に好ましくは50〜600の範囲であり、過剰な
灰分を生ずることなくオレフィン重合体を製造すること
が可能となる。
【0044】本発明においては、上記のような各成分の
存在下にオレフィンを予備重合してもよい。予備重合
は、遷移金属化合物(a)、固体触媒成分(c)および
必要に応じて有機金属化合物(b)を無溶媒下あるいは
不活性炭化水素溶媒中にて接触させ、オレフィンを導入
することによって行うことができる。一般的に、この接
触処理は−50〜100℃、好ましくは−20〜60
℃、より好ましくは0〜50℃の温度範囲で、常圧下ま
たは加圧下にて実施することができ、気相中で処理する
場合には流動状況下で、液相中で処理する場合には撹拌
状況下で十分接触させることが好ましい。予備重合に用
いられるオレフィンとしては、重合時に用いられるオレ
フィンの中から選ぶことができるが、特に好ましくはエ
チレンである。予備重合において、オレフィン重合体は
オレフィン重合体製造用触媒1gに対して0.1〜10
0gの量で重合されることが好ましい。
【0045】本発明においては、さらに前記方法で調製
したオレフィン重合体製造用触媒の存在下、α−オレフ
ィンおよび/または環状オレフィンを溶液状態、懸濁状
態または気相状態で、−60〜280℃の温度、0.5
〜2000barの圧力下で、重合または共重合するこ
とによりオレフィン重合体を製造することができる。
【0046】本発明のオレフィン重合体の製造に用られ
るオレフィンは、エチレン、プロピレン、1−ブテン、
4−メチル−1−ペンテン、1−ヘキセン等のα−オレ
フィン、ブタジエン、1,4−ヘキサジエン等の共役お
よび非共役ジエン、シクロペンテン、ノルボルネン等の
環状オレフィン、スチレン、ビニルシクロヘキサン等で
あり、これら2種以上の混合成分を重合することもでき
る。
【0047】本発明におけるオレフィンの重合は液相で
も気相でも行えるが、仮に重合を液相で行う場合の溶媒
としては、一般に用いられる有機溶剤であればいずれで
もよく、具体的にはベンゼン、トルエン、キシレン、ペ
ンタン、ヘキサン、炭素数7以上の高沸点炭化水素溶
媒、塩化メチレン等およびこれらの混合物であり、オレ
フィン自身を溶媒として用いることもできる。
【0048】
【実施例】以下実施例により本発明をさらに詳細に説明
するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるもので
はない。
【0049】実施例中に記載の溶融指数(MI)および
低荷重MI(2.16kg荷重)と高荷重MI(21.
6kg荷重)との比(N値)は、ASTM D1238
条件Eに準ずる方法にて測定を行った。
【0050】重合操作、反応および溶媒精製は、すべて
不活性ガス雰囲気下で行った。また、反応に用いた溶媒
等は、すべて予め公知の方法で精製、乾燥、脱酸素を行
ったものを用いた。
【0051】実施例1 [固体触媒成分Aの合成]200mlのシュレンクに、
シリカ(ダビソン948、200℃、5時間減圧焼成)
5.0g、トルエン100mlおよびビス(p−N,N
−ジメチルアミノフェニル)ジメトキシシラン2.0g
を加え、110℃で16時間撹拌した。反応終了後、ト
ルエンで4回洗浄した。得られたシラン化合物で修飾し
たシリカ中の炭素含量は7.0wt%であった。
【0052】このシラン化合物で修飾したシリカをエー
テル(100ml)に懸濁させ、塩化水素ガスを室温で
30分間吹き込んだ後ヘキサンにて洗浄し、減圧乾燥さ
せた。これをさらに塩化メチレン(60ml)に懸濁さ
せた後、リチウムテトラキス(ペンタフルオロフェニ
ル)ボレート1.2gの塩化メチレン(50ml)溶液
を加えた後、室温で一晩撹拌した。塩化メチレンで3回
洗浄した後、真空乾燥して固体触媒成分Aを得た。
【0053】[エチレンのヘキサンスラリー重合]予め
乾燥し、乾燥窒素でパージした2lのオートクレーブ
に、ヘキサン500ml、トリイソブチルアルミニウム
(0.25mmol)、エチレンビスインデニルジルコ
ニウムジクロライド(0.0005mmol)および上
記のように合成した固体触媒成分A(12.0mg)を
添加してからエチレンを導入し、エチレンで内圧を4k
gG/cm2に保ったまま、80℃で30分間重合を行
った。オートクレーブを冷却し、得られたポリエチレン
を濾過した後に減圧下で乾燥した。得られたポリエチレ
ンは53.3gであり、嵩密度は0.20g/cm3
あった。オートクレーブの内壁にポリマーは認められな
かった。
【0054】実施例2 [固体触媒成分Aを用いたエチレンのヘキサンスラリー
重合]実施例1にて調製した固体触媒成分Aを22.5
mg用いた以外は、実施例1と同様の条件下にてエチレ
ンスラリー重合を実施した。得られたポリエチレンは7
3.0gであり、MIは0.02g/10分であった。
嵩密度は0.18g/cm3であった。オートクレーブ
の内壁にポリマーは認められなかった。
【0055】実施例3 [固体触媒成分Aを用いたエチレンのトルエンスラリー
重合]実施例1にて調製した固体触媒成分Aを11.2
mg用い、ヘキサンに代えて溶媒にトルエンを用いた以
外は、実施例1と同様の条件下にてエチレンスラリー重
合を実施した。得られたポリエチレンは66.8gであ
り、MIは2.4g/10分であり、N値は35であっ
た。オートクレーブの内壁にポリマーは認められなかっ
た。
【0056】実施例4 [固体触媒成分Aを用いた固体触媒の調製]50mlシ
ュレンクに、実施例1において調製した固体触媒成分A
(155.8mg)をヘキサン(15ml)に懸濁させ
た後、エチレンビスインデニルジルコニウムジクロライ
ド(0.0025mmol)およびトリイソブチルアル
ミニウム(2.5mmol)を接触させたトルエン溶液
(5ml)を加え、5分間反応させた後に減圧乾燥して
固体触媒を得た。
【0057】[固体触媒を用いたエチレンの気相重合]
内容積2lのステンレススチール製電磁撹拌式オートク
レーブ内を十分窒素で置換し、分散媒として食塩150
gを入れ、内温を75℃とした。上記のように調製した
固体触媒をオートクレーブに挿入した後、直ちにエチレ
ンガスを導入し、内圧が8kg/cm2Gとなるように
連続的にエチレンガスを加えながら80℃で30分間重
合を行った。重合後冷却し、未反応ガスを追い出して生
成ポリマーと食塩の混合物を取り出した。この混合物を
純水で洗浄し、食塩を除去した後に乾燥した。その結
果、嵩密度0.25g/cm3のポリマーが32.7g
得られた。
【0058】比較例1 [固体触媒成分Bの合成]実施例1での固体触媒成分A
の合成において、シリカの修飾に用いたビス(p−N,
N−ジメチルアミノフェニル)ジメトキシシランの代わ
りに(p−N,N−ジメチルアミノフェニル)トリメト
キシシランを用いた以外は、実施例1と同様の方法によ
り固体触媒成分Bを調製した。
【0059】[固体触媒成分Bを用いたエチレンのヘキ
サンスラリー重合]固体触媒成分Aに代えて上記のよう
に調製した固体触媒成分Bを9.2mg用いた以外は、
実施例1と同様の条件下にてエチレンスラリー重合を実
施した。得られたポリエチレンは28.1gであり、嵩
密度は0.23g/cm3であった。オートクレーブの
内壁にポリマーは認められなかった。
【0060】比較例2 [固体触媒成分Bを用いたエチレンのヘキサンスラリー
重合]比較例1にて調製した固体触媒成分Bを36.9
mg用いた以外は、実施例1と同様の条件下にてエチレ
ンスラリー重合を実施した。得られたポリエチレンは5
4.2gであり、MIは0.003g/10分であり、
N値は488であった。嵩密度は0.15g/cm3
あった。オートクレーブの内壁にポリマーは認められな
かった。
【0061】比較例3 [固体触媒成分Bを用いた固体触媒の調製およびエチレ
ンの気相重合]固体触媒成分Bを237.5mg用いた
以外は、実施例4と同様の処方により固体触媒の調製お
よびエチレンの気相重合を実施した。その結果、嵩密度
0.25g/cm3のポリマーが26.8g得られた。
【0062】
【発明の効果】本発明によれば、特定のケイ素化合物で
処理した無機担体に、イオン性化合物が化学的に担持さ
れてなる固体触媒成分と遷移金属化合物および有機金属
化合物からなる触媒を使用することにより、優れた物性
を有するオレフィン重合体を生産性よく、重合反応器を
汚すことなく製造することができる。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】(a)周期表4族の遷移金属を含む遷移金
    属化合物、(b)有機金属化合物、(c)イオン性化合
    物が化学的に担持されてなる固体触媒成分からなるオレ
    フィン重合体製造用触媒。 (c−1)表面水酸基を有する無機担体と (c−2)下記一般式(1)で示されるケイ素化合物と
    の接触生成物に、 R1 s2 tSiX1 4-s-t (1) [式中、R1は各々独立して炭素数6〜20のアリール
    基、アルキルアリール基もしくはアラルキル基であり、
    その芳香環上の水素原子の少なくとも1つが15族また
    は16族の元素からなるルイス塩基官能基で置換されて
    いる。R2は炭素数1〜20のアルキル基もしくはアル
    ケニル基、または炭素数6〜20のアリール基、アルキ
    ルアリール基もしくはアラルキル基である。X1は各々
    独立してハロゲン原子である。sは2または3、tは0
    または1であり、s+tは2または3である。] (c−4)一般式(2)で示されるイオン性化合物を作
    用させる。 [M11 u][M23 4] (2) [式中、M1は周期表1族、2族、8族、9族、10
    族、11族または12族から選ばれる金属の陽イオンで
    あり、L1はルイス塩基またはシクロペンタジエニル基
    であり、uは0≦u≦2であり、M2はホウ素原子、ア
    ルミニウム原子またはガリウム原子であり、R3は各々
    独立して炭素数6〜20のハロゲン置換アリール基であ
    る。]
  2. 【請求項2】(a)周期表4族の遷移金属を含む遷移金
    属化合物、(b)有機金属化合物、(c)イオン性化合
    物が化学的に担持されてなる固体触媒成分からなるオレ
    フィン重合体製造用触媒。 (c−1)表面水酸基を有する無機担体と (c−2)下記一般式(1)で示されるケイ素化合物と
    の接触生成物に、 R1 s2 tSiX1 4-s-t (1) [式中、R1は各々独立して炭素数6〜20のアリール
    基、アルキルアリール基 もしくはアラルキル基であり、その芳香環上の水素原子
    の少なくとも1つが15族または16族の元素からなる
    ルイス塩基官能基で置換されている。R2は炭素数1〜
    20のアルキル基もしくはアルケニル基、または炭素数
    6〜20のアリール基、アルキルアリール基もしくはア
    ラルキル基である。X1は各々独立してハロゲン原子ま
    たは炭素数1〜20のアルコキシ基である。sは2また
    は3、tは0または1であり、s+tは2または3であ
    る。] (c−3)プロトン酸を接触させた後、 (c−4)一般式(2)で示されるイオン性化合物を作
    用させる。 [M11 u][M23 4] (2) [式中、M1は周期表1族、2族、8族、9族、10
    族、11族または12族から選ばれる金属の陽イオンで
    あり、L1はルイス塩基またはシクロペンタジエニル基
    であり、uは0≦u≦2であり、M2はホウ素原子、ア
    ルミニウム原子またはガリウム原子であり、R3は各々
    独立して炭素数6〜20のハロゲン置換アリール基であ
    る。]
  3. 【請求項3】周期表4族の遷移金属を含む遷移金属化合
    物(a)が、下記一般式(3) 【化1】 または下記一般式(4) 【化2】 [式中、M3はチタン原子、ジルコニウム原子またはハ
    フニウム原子であり、Yは各々独立して水素原子、ハロ
    ゲン原子、炭素数1〜24のアルキル基、または炭素数
    6〜24のアリール基、アリールアルキル基もしくはア
    ルキルアリール基であり、R4,R5は各々独立して下記
    一般式(5)、(6)、(7)または (8) 【化3】 (式中、R9は各々独立して水素原子、炭素数1〜24
    のアルキル基、または炭素数6〜24のアリール基、ア
    リールアルキル基もしくはアルキルアリール基であ
    る。)で表される配位子であり、該配位子はM3と一緒
    にサンドイッチ構造を形成し、R6,R7は各々独立して
    下記一般式(9)、(10)、(11)または(12) 【化4】 (式中、R10は各々独立して水素原子、炭素数1〜24
    のアルキル基、または炭素数6〜24のアリール基、ア
    リールアルキル基もしくはアルキルアリール基であ
    る。)で表される配位子であり、該配位子はM3と一緒
    にサンドイッチ構造を形成し、R8は下記一般式(1
    3)または(14) 【化5】 (式中、R11は各々独立して水素原子、炭素数1〜24
    のアルキル基、または炭素数6〜24のアリール基、ア
    リールアルキル基もしくはアルキルアリール基であり、
    4は珪素原子、ゲルマニウム原子または錫原子であ
    る。)で表され、R6およびR7を架橋するように作用し
    ており、mは1〜5の整数である。]で表される周期表
    4族の遷移金属化合物であることを特徴とする請求項1
    または2に記載のオレフィン重合体製造用触媒。
  4. 【請求項4】周期表4族の遷移金属を含む遷移金属化合
    物(a)が、下記一般式(15)、(16)、(17)
    または(18) 【化6】 [式中、M5は各々独立してチタン原子、ジルコニウム
    原子またはハフニウム原子であり、Zは各々独立して水
    素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜24のアルキル基、
    または炭素数6〜24のアリール基、アリールアルキル
    基もしくはアルキルアリール基であり、Lはルイス塩基
    であり、pは0≦p≦3であり、JR13 q-1,JR13 q-2
    はヘテロ原子配位子であり、Jは配位数が3である15
    族元素または配位数が2である16族元素であり、R13
    は各々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜2
    4のアルキル基もしくはアルコキシ基、または炭素数6
    〜24のアリール基、アリールオキシ基、アリールアル
    キル基、アリールアルコキシ基、アルキルアリール基も
    しくはアルキルアリールオキシ基であり、qは元素Jの
    配位数であり、R12は下記一般式(19)、(20)、
    (21)または(22) 【化7】 (式中、R16は各々独立して水素原子、炭素数1〜24
    のアルキル基、または炭素数6〜24のアリール基、ア
    リールアルキル基もしくはアルキルアリール基であ
    る。)で表される配位子であり、R14は下記一般式(2
    3)、(24)、(25)または(26) 【化8】 (式中、R17は各々独立して水素原子、炭素数1〜24
    のアルキル基、または炭素数6〜24のアリール基、ア
    リールアルキル基もしくはアルキルアリール基であ
    る。)で表され、M5に配位する配位子であり、R15
    下記一般式(27)または (28) 【化9】 (式中、R18は各々独立して水素原子、炭素数1〜24
    のアルキル基、または炭素数6〜24のアリール基、ア
    リールアルキル基もしくはアルキルアリール基であり、
    6は珪素原子、ゲルマニウム原子または錫原子であ
    る。)で表され、R14およびJR13 q-2を架橋するよう
    に作用しており、rは1〜5の整数である。]で表され
    る周期表4族の遷移金属化合物であることを特徴とする
    請求項1または2に記載のオレフィン重合体製造用触
    媒。
  5. 【請求項5】有機金属化合物(b)が、下記一般式(2
    9) M719 n (29) [式中、M7は周期表1族、2族、3族、SnまたはZ
    nの元素である。R19は各々独立して水素原子、炭素数
    1〜24のアルキル基もしくはアルコキシ基、または炭
    素数6〜24のアリール基、アリールオキシ基、アリー
    ルアルキル基、アリールアルコキシ基、アルキルアリー
    ル基もしくはアルキルアリールオキシ基であり、少なく
    とも1つのR19は水素原子、炭素数1〜24のアルキル
    基、または炭素数6〜24のアリール基、アリールアル
    キル基もしくはアルキルアリール基である。nはM7
    酸化数に等しい。]で表される有機金属化合物であるこ
    とを特徴とする請求項1〜4に記載のオレフィン重合体
    製造用触媒。
  6. 【請求項6】請求項1〜5に記載のオレフィン重合体製
    造用触媒の存在下、α−オレフィンおよび/または環状
    オレフィンを溶液状態、懸濁状態または気相状態で、−
    60〜280℃の温度、0.5〜2000barの圧力
    下で重合または共重合することを特徴とするオレフィン
    重合体の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0584888A2 (fr) * 1989-06-07 1994-03-02 ONET Société Anonyme Appareil autonome de nettoyage automatique de sol par exécution de missions programmées et utilisant un système de positionnement
FR2695342A1 (fr) * 1989-06-07 1994-03-11 Onet Appareil autonome de nettoyage automatique du sol par exécution de missions programmées et utilisant un système de positionnement.
WO2009074316A3 (en) * 2007-12-11 2009-11-19 Total Petrochemicals Research Feluy Activating supports based on phosphonium complexes

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