JPH11122943A - 多重インバータ装置及びその制御方法 - Google Patents
多重インバータ装置及びその制御方法Info
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Abstract
電圧出力を得ると共に、負荷側への高調波を低減するこ
と、また電源系統の高調波電流を低減することができる
経済的な多重インバータ装置を得る。 【解決手段】複数の2次巻線を持つ入力変圧器と、単位
インバータセルを複数個n段直列接続して各相を構成
し、前記入力変圧器と組合せて多相負荷に電力を供給す
る多重インバータ装置において、前記入力変圧器は3n
組の3相巻線を2次側に有し、n段目の各相の単位イン
バータセルには各相で位相がずれた前記変圧器の2次巻
線を接続して構成した多重インバータ装置。
Description
力を得るインバータ装置に係り、特に単位インバータを
複数個使用して高電圧出力を得るようにした多重インバ
ータ装置及びその制御方法に関する。
変速運転による省エネルギー化のニーズは多くある。特
に既設の高圧モータ、例えば3kV系、6kV系、海外
では4.2kV系や2.4kV系へそのまま適用できる
高圧の駆動装置が必要とされている。
電気学会技術報告「多重電力変換器とその応用技術」
(1995年7月発行)の3章に記述されているよう
に、複数変圧器の2次巻線を直列に接続して構成する方
法が一般的である。
インバータ装置の例を図28に示す。これは交流を直流
に変換する整流器110と、リアクトル121とコンデ
ンサ122からなる直流平滑回路120と、直流を任意
の周波数の交流に変換するインバータ回路130、13
1と、変圧器140、141と負荷150とから構成さ
れている。
し、この直流電圧に複数個のインバータ回路130、1
31を設け、出力変圧器140、141の2次側巻線を
直列接続して所望の高電圧を得るように構成したもので
ある。
ータ回路130、131内の出力周波数を決定する発信
器(OSC)163と、その信号をインバータ回路13
0、131内の半導体素子に分配する分配器(RIN
G)164と、増幅器165と、電圧制御回路(AV
R)166と、整流器110のゲート信号位相を決定す
る位相器(PHC)167と、整流器110の入力交流
電圧を検出し位相器167に与える電圧検出用変圧器1
42と、出力変圧器140、141の出力交流電圧を検
出する電圧検出用変圧器143と、電圧検出用変圧器1
43で検出した電圧を逆流防止用ダイオード144を介
して比較器145の一方の入力端子に与え、比較器14
5の他方の入力端子に速度指令器162からの指令を入
力し、比較器145により求められる偏差が電圧制御回
路166に与えられるように構成されている。
ータ回路130、131を出力変圧器140、141で
合成し、高電圧を得るように構成したものであり、これ
以外の構成で、図28と同一部分には同一符号を付して
その説明を省略する。
圧に複数個のインバータ回路を設け、出力変圧器の2次
側巻線を直列に接続して所望の高電圧を得るように構成
したものである。
ンバータ回路130、131の出力にそれぞれ出力変圧
器140,141が必要であり、このため据付け面積が
大きくなる。さらに出力変圧器140,141を低周波
からの使用に耐えるようにするには、通常の固定周波数
の変圧器より外形が大きくなるという欠点がある。
クランプ式3レベルインバータが開発され実用化されて
いる。これは、交流電源11を整流器12で直流に変換
し、コンデンサ13、14で平滑後、例えばゲートター
ンオフサイリスタ(GTO)からなる自己消弧半導体素
子S1〜S4と、ダイオードD1〜D6で構成された回
路を3組用いた3レベルインバータ回路で得られる交流
出力を負荷電動機16に供給するものである。なお、
P、Nは制御母線、Cは中性点電位を示している。
力電圧に相当する回路電圧となるため、半導体素子の直
列構成が必要になること、絶縁電圧耐力が高くなること
により装置が大型化するため経済的な問題がある。
従来の装置においては、次のような問題点が存在する。
高圧変換器を構成する際の技術的課題として以下が挙げ
られる。
バータ回路を構成すると出力変圧器が必要となり、経済
的でない。
タ回路を構成すると出力変圧器は削除できるが、直列構
成用半導体素子を選別する必要があること、ゲート制御
が複雑になること、回路電圧が高電圧になることから装
置の信頼性に難がある。
チング周波数で出力側の高調波成分が決まるため、高調
波低減には自ずと限界があった。
の1つでも故障すると装置の運転継続は不可能になり、
運転継続を要求されるシステムでは問題となる。
めなされたもので、出力変圧器を必要とせず、これによ
り小型で高電圧出力を得ると共に、負荷側への高調波を
低減すること、また電源系統の高調波電流を低減するこ
とができる経済的な多重インバータ装置及び制御方法を
提供することを目的とする。
め、請求項1に対応する発明は、複数の2次巻線を持つ
入力変圧器と、単位インバータセルを複数個n段直列接
続して各相を構成し、前記入力変圧器と組合せて多相負
荷に電力を供給する多重インバータ装置において、前記
入力変圧器は3n組の3相巻線を2次側に有し、n段目
の各相の単位インバータセルには各相で位相がずれた前
記変圧器の2次巻線を接続して構成したことを特徴とす
る多重インバータ装置である。
する発明は、3n組の複数の3相2次巻線を持つ入力変
圧器と、少なくとも1個の3相インバータと、複数個の
単相インバータセルとを具備し、前記単相インバータセ
ルは複数個(n−1)段直列接続して各相を構成し、前
記3相インバータの各同一相へ接続して多相負荷に電力
を供給することを特徴とする多重インバータ装置であ
る。
れば、2次多巻線を持つ変圧器と単位インバータセルを
組合せることにより、出力変圧器を必要とせず、これに
より小型で高電圧出力を得ると共に、負荷側への高調波
を低減すること、また電源系統の高調波電流を低減する
ことができる経済的な多重インバータ装置がえられる。
する発明は、前記入力変圧器は各相の単位インバータセ
ル直列数n個に対してn個設け、それぞれの変圧器はπ
/3n位相がずれた3組の3相巻線を2次側に有し、各
相のn段目の単位インバータセルには各相で位相がずれ
た2次巻線を接続して構成したことを特徴とする請求項
1に記載の多重インバータ装置である。
する発明は、前記3相インバータ及び各相で直列接続さ
れた(n−1)段目の単相インバータセルには、π/3
n位相がずれた変圧器の2次巻線を接続して構成したこ
とを特徴とする請求項2に記載の多重インバータ装置で
ある。
する発明は、前記入力変圧器は複数m個とし、それぞれ
は3n組の3相巻線を2次側に有し、各相のn段目の単
位インバータセルには各相で位相がずれた2次巻線を接
続して構成したことを特徴とする請求項1または請求項
2に記載の多重インバータ装置である。
する発明は、前記入力変圧器は複数m個で各入力変圧器
は同−2次巻線で構成し、n組の単位インバータセルで
各相を構成したことを特徴とする請求項1または2に記
載の多重インバータ装置である。
する発明は、各相のn段目の単位インバータセルには同
一位相の入力変圧器2次巻線を接続して構成したことを
特徴とする請求項1または2に記載の多重インバータ装
置である。
する発明は、前記入力変圧器は複数m個とし、前記各入
力変圧器の1次側は6m相構成となるよう巻線位相をず
らし、各入力変圧器の2次側はそれぞれ3n組の3相巻
線を有し、各相のn段目の単位インバータセルには各相
で位相がずれた2次巻線を接続して構成したことを特徴
とする請求項1または2に記載の多重インバータ装置で
ある。
する発明は、前記入力変圧器は複数m個とし、該各入力
変圧器の1次側は6m相構成となるよう巻線位相をずら
し、該各入力変圧器の2次側はそれぞれ3n組の3相巻
線を有し、各相のn段目の単位インバータセルには各相
で同一位相の2次巻線を接続して構成したことを特徴と
する請求項1または2に記載の多重インバータ装置であ
る。
応する発明は、前記入力変圧器は複数m個とし、該各入
力変圧器の各2次巻線には所定のリアクタンスを持た
せ、単位インバータに所定の負荷電流が流れている状態
ではその入力電流が断続しないようにしたことを特徴と
する請求項1〜請求項5のいずれかに記載の多重インバ
ータ装置である。
応する発明は、前記入力変圧器の1次側または2次側の
各3相巻線の少なくとも一方に、電路を遮断できる開閉
器を具備したことを特徴とする請求項1〜請求項5のい
ずれかに多重インバータ装置である。
応する発明は、前記単位インバータセルは交流を直流に
変換する整流器と直流を任意の周波数に変換する単相イ
ンバータ回路から構成されたことを特徴とする請求項1
または請求項2に記載の多重インバータ装置である。
応する発明は、前記単位インバータセル内に有する整流
器は、ダイオードブリッジ回路で構成されたことを特徴
とする請求項1または2に記載の多重インバータ装置で
ある。
応する発明は、少なくとも1台の単位インバータセル内
の整流器は、ゲート制御極を持つ半導体素子で構成され
たことを特徴とする請求項1または2に記載の多重イン
バー夕装置である。
応する発明は、少なくとも1台の単位インバータセル内
の整流器は、ゲート制御極を持つ自己消弧型の半導体素
子で構成されたことを特徴とする請求項1または2に記
載の多重インバータ装置である。
応する発明は、前記単位インバータセル内のインバータ
回路素子は、自己消弧型半導体素子で構成されたことを
特徴とする請求項1または2に記載の多重インバータ装
置である。
応する発明は、前記単位インバータセル内のインバータ
回路素子は、ゲート電流駆動型の自己消弧型半導体素子
で構成されたことを特徴とする請求項1または2に記載
の多重インバータ装置である。
応する発明は、前記単位インバータセル内のインバータ
回路素子は、ゲート電圧駆動型の自已消弧型半導体素子
で構成されたことを特徴とする請求項1または2に記載
の多重インバータ装置である。
応する発明は、前記複数の単位インバータセルの少なく
とも1台のインバータ回路は、PWM制御及びPAM制
御のいずれでも運転できる機能を有し、残りの他の単位
インパー夕はPAM制御機能またはPWM制御機能のみ
を有することを特徴とする請求項1または2に記載の多
重インバータ装置である。
応する発明は、前記単位インバータセルは、その出力を
バイパスする開閉器を備えたことを特徴とする請求項1
または2に記載の多重インバータ装置である。
応する発明は、前記単位インバータセルの出力をバイパ
スする開閉器として、半導体素子を使用し、単位インバ
ータセルの出力間に逆並列に接続したことを特徴とする
請求項20に記載の多重インバータ装置である。
応する発明は、前記単位インバータセルの出力をバイパ
スする半導体素子として、自己消弧型半導体素子を使用
したことを特徴とする請求項21に記載の多重インパー
夕装置である。
応する発明は、前記単位インバータセルの出力をバイパ
スする開閉器として、ダイオードをブリッジ接続し、そ
の直流出力に短絡用制御極付き半導体素子を接続したこ
とを特徴とする請求項20に記載の多重インバータ装置
である。
応する発明は、前記短絡用制御極付き半導体素子と直列
に可飽和リアクトルを接続したことを特徴とする請求項
23に記載の多重インバータ装置である。
応する発明は、前記単位インバータセルの出力をバイパ
スする開閉器として、ダイオードと制御極付き半導体素
子を用いてプリッジ接続し、その直流出力を短絡するよ
うにしたことを特徴とする請求項20に記載の多重イン
バータ装置である。
る発明によれば、2次多巻線を持つ変圧器と単位インバ
ータセルを組合せることにより、出力変圧器を必要とせ
ず、これにより小型で高電圧出力を得ると共に、負荷側
への高調波を低減すること、また電源系統の高調波電流
を低減することができる経済的な多重インバータ装置が
えられる。
応する発明は、前記負荷へ供給する出力電圧が低い時に
は、少なくとも1段の単位インバータセルを零電圧出力
にするように制御したことを特徴とする請求項1または
請求項2に記載の多重インバータ装置の制御方法であ
る。
応する発明は、前記負荷へ供給する出力電圧が低い時に
は、少なくとも1段の単位インバータセルの出力部のバ
イパス開閉器を動作させるように制御したことを特徴と
する請求項1または請求項2に多重インバータ装置の制
御方法である。
応する発明は、ある単位インバータセルが故障した場合
には、当該インバータセル出力部のバイパス開閉器を動
作させると共に、故障インバータセルと同一段の他の相
の単位インバータセルのバイパス開閉器も動作するよう
に制御したことを特徴とする請求項1または請求項2に
記載の多重インバータ装置の制御方法である。
応する発明は、ある単位インバータセルが故障した場合
には、当該インバータセル出力部のバイパス開閉器を動
作させると共に、故障インバータセルと同一段の他の相
の単位インバータセルの出力電圧を零電圧制御すること
を特徴とする請求項1または請求項2に記載の多重イン
バータ装置の制御方法である。
応する発明は、前記バイパス開閉器が動作または零電圧
出力制御している単位インバータを除く他の単位インバ
ータセルは、インバータ回路のPWM動作周波数を通常
時と変えること特徴とする請求項26〜29のいずれか
に記載の多重インバータ装置の制御方法である。
応する発明は、前記インバータのPWM周波数を高くす
るように制御したことを特徴とする請求項30に記載の
多重インバータ装置の制御方法である。
応する発明は、前記多相負荷への供給出力電圧を開閉器
により切替えることができるように構成したことを特徴
とする請求項1または請求項2に記載の多重インバータ
装置である。
応する発明は、出力電圧を6kV系と3kV系、また
4.2kV系と2.4kV系で切替え可能な構成とした
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の多重
インバータ装置である。
応する発明は、前記単位インバータセルn段の任意の段
の各相の位置から出力を取り出せるような構成とし、出
力電圧を切替えることができるように構成したことを特
徴とする請求項1または請求項2に記載の多重インバー
タ装置である。
応する発明は、各相を構成するn段の単位インバータの
少なくとも1段の各相に電力回生機能を具備したことを
特徴とする請求項1または請求項2に記載の多重インバ
ータ装置である。
応する発明は、負荷側からの回生がある場合には、電力
回生機能の回路をPWM制御して電源に回生するように
制御したことを特徴とする請求項1または請求項2に記
載の多重インバータ装置の制御方法である。
応する発明は、前記入力変圧器の1次または2側の開閉
器は、単位インバータセルが故障した際には、その故障
信号により開放動作、また保守する際に手動開放動作さ
せることを特徴とする請求項11に記載の多重インバー
タ装置の制御方法である。
応する発明は、少なくとも1台の単位インバータセル
は、PAM制御により、他の単位インバータセルはPW
M制御によりそれぞれ出力電圧を制御し、それぞれの各
相電圧を直列合成して多相負荷に電力を供給するように
構成したことを特徴とする請求項19に記載の多重イン
バータ装置の制御方法である。
応する発明は、少なくとも1台の単相インバータは、P
AM制御により、他の3相インバータ及び単相インバー
タはPWM制御によりそれぞれ出力電圧を制御し、それ
ぞれの各相電圧を直列合成して多相負荷に電力を供給す
るように構成したことを特徴とした請求項19に記載の
多重インバータ装置の制御方法である。
応する発明は、前記3相インバータはPAM制御によ
り、少なくとも1台の単相インバータはPWM制御によ
りそれぞれ出力電圧を制御し、それぞれの各相電圧を直
列合成して多相負荷に電力を供給するように構成したこ
とを特徴とした請求項2に記載の多重インバータ装置の
制御方法である。
応する発明は、PWM制御位相は各相のn段の単位イン
バータが相互に重ならないように制御して、それぞれの
各相電圧を直列合成して多相負荷に電力を供給するよう
に制御したことを特徴とする請求項1または請求項2に
記載の多重インバータ装置の制御方法である。
応する発明は、各相のn段の単位インバータの基本波位
相は相互にπ/3nだけ位相をずらして制御し、それぞ
れの各相電圧を直列合成して多相負荷に電力を供給する
ように制御したことを特徴とする請求項1または請求項
2に記載の多重インバータ装置の制御方法である。
応する発明は、任意の単位インバータセルにはPWM制
御により電流値を制御する機能を有し、多重インバータ
装置の起動時にはこれを動作させて各相の単位インバー
タセルに電流を流し、予め設定された直流電圧値まで充
電後に交流電源を投入するように制御したことを特徴と
する請求項1または請求項2に記載の多重インバータ装
置の制御方法である。
応する発明は、前記入力変圧器を複数m個設けた場合に
は、3n個の単位インパー夕を3n/m個に分割し、こ
れを1組として1台の入力変圧器と結合して1セットを
構成し、mセット配置することを特徴とする請求項1に
記載の多重インバータ装置である。
応する発明は、前記入力変圧器が偶数個ある場合には、
2個単位にそれぞれのセットを互いに背中合わせおよび
一直線上に列盤配置したことを特徴とする請求項44に
記載の多重インバータ装置である。
応する発明は、前記入力変圧器が偶数個ある場合には、
2個単位にそれぞれのセットを互いに向かい合せて配置
することを特徴とする請求項44に記載の多重インバー
タ装置である。
応する発明は、ゲート制御極を持つ自己消弧型の半導体
素子で構成された整流器は、PWM制御を行う制御回路
を持つことを特徴とする請求項15に記載の多重インバ
ータ装置である。
応する発明は、ゲート制御極を持つ自已消弧型の半導体
素子で構成された整流器は、PWM制御により進み力率
制御が可能な制御回路を持つことを特徴とする請求項1
5に記載の多重インバータ装置である。
応する発明は、前記入力変圧器の2次巻線を構成する際
に、3n組の3相2次巻線はそれぞれの%インピーダン
スを揃えるように結線し、各相の単位インバータセルに
は位相がずれた2次巻線を接続して構成したことを特徴
とする請求項1に記載の多重インバータ装置である。
応する発明は、前記入力変圧器の2次巻線を構成する際
に、3n組の3相2次巻線はそれぞれの%インピーダン
スを揃えために、3相鉄心の異なる位置に巻かれた各相
巻線で3相結線を構成し、各相の単位インバータセルに
は位相がずれた2次巻線を接続して構成したことを特徴
とする請求項1に記載の多重インバータ装置である。
応する発明は、故障インバータセルと異なる段の他の相
の単位インバータセルの出力のバイパス開閉器を動作、
または出力電圧を零電圧制御することを特徴とする請求
項28または請求項29記載の多重インバータ装置の制
御方法である。
図面を参照して説明する。
応する実施形態を示す回路図であるが、商用交流電源1
と、開閉器2と、3n組の3相の2次巻線3P及び1組
の1次巻線3Sを持つ入力変圧器3と、U、V、Wの各
相を構成するために各相にn(ここでは3)段設けられ
た単位インバータセル4U1〜4U3、4V1〜4V
3、4W1〜4W3とから構成される。
3Sは互いに電気角で20度ずれた18相構成の巻線を
3組設けられており、その1組単位に各相を構成する単
位インバータの同一段に接続される。
段目をバイパスした場合にも18相構成を崩すことな
く、入力電流の高調波成分は同一になる。
デルタ結線による千鳥構成のものを示しているが、スタ
ー結線による千鳥構成とすることもできる。また、以上
述べた第1の実施形態によれば、複数の2次巻線3Sを
持つ入力変圧器3と単位インバータセル4U1〜4U
3、4V1〜4V3、4W1〜4W3を組合せることに
より、次のような作用効果が得られる。
8、図29の140、141)が不要となり、これによ
り小型で高電圧出力を得ることができる。
4V1〜4V3、4W1〜4W3を使用しているので、
従来のように直列構成用半導体素子を選別する必要がな
く、ゲート制御が簡単で、回路電圧が低電圧になること
から装置の信頼性が向上する。
3、4V1〜4V3、4W1〜4W3を使用しているの
で、従来の問題である半導体素子を直列接続する構成で
は半導体のPWMスイッチング周波数で出力側の高調波
成分が決まるため、高調波低減には自ずと限界があると
いう点を改善できる。
3、4V1〜4V3、4W1〜4W3を使用しているの
で、従来の問題であった主回路を構成する多数の半導体
素子の1つでも故障すると装置の運転継続は不可能にな
ることは改善される。
4に対応する実施形態を示す回路図で、請求項1と同一
符号は同一の要素を示す。図1と異なるところは、1組
の3相インバータ41と複数の単相の単位インバータセ
ル4U2、4U3、4V2、4V3、4W2、4W3か
ら構成されることである。
次巻線3Sを持つ入力変圧器3を備え、単相インバータ
セル4U2、4U3、4V2、4V3、4W2、4W3
は複数個(n−1)段直列接続して各相を構成し、3相
インバータ41の各同一相へ接続して多相負荷5に電力
を供給するものである。
を示したもので、これは例えばIGBTなどの自已消弧
型半導体素子Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6をブ
リッジ接続し、各半導体素子Q1〜Q6にダイオードD
1〜D6がそれぞれ並列に接続され、これにより3相イ
ンバータ回路104を構成し、この出力側には端子10
5U,105V,105Wが接続されている。3相イン
バータ回路104の入力側に直流電源103が接続され
るようになっている。3相インバータ回路の動作はよく
知られているので省略する。
れた(n−1)段目の単相インバータセルには、π/3
n位相がずれた変圧器3の2次巻線3Sを接続して構成
されている。
態と同様な効果が得られるが、この実施形態では特に単
位インバータ数を低減すること、入力変圧器3の巻線数
を低減することができ小型化が可能である。
する実施形態を示す回路図である。これは概略、入力変
圧器は各相の単位インバータセル4U1〜4U3、4V
1〜4V3、4W1〜4W3の直列数n(ここでは3)
個に対して、31、32、33と3個設けたものであ
る。
位相がずれた3組の3相巻線31S、32S、33Sを
2次側に有し、各相のn段目の単位インバータセル4U
1〜4U3、4V1〜4V3、4W1〜4W3には各相
で位相がずれた2次巻線31S〜33Sを接続して構成
したものである。
て3個(31、32、33)設け、それぞれの変圧器は
π/(3×3)位相がずれた3組の3相巻線を2次側に
有し、各相のn段目の単位インバータセルには各相で位
相がずれた2次巻線を接続して構成したものである。こ
のように入力変圧器31.32、33を分離することに
より、2次巻線の個数は変圧器1個で製造する場合より
大幅に減るので、各巻線間のインピーダンスのパラツキ
を小さく抑えることができる利点がある。したがって、
入力電流の高調波成分は各相で大きくばらつくことはな
くなる。
に対応する実施形態で、入力変圧器をm個設けてそれぞ
れの変圧器の2次巻線は3n組みの3相巻線を有する構
成としている。そして、各相のn段目の単位インバータ
セル4U1〜4U2、4U、4V1〜4V2、4V、4
W1〜4W2、4Wには各相で位相がずれた2次巻線を
接続して構成したものである。
全く同一の巻線構成であるが、1次巻線31P,32P
を例えばY構成とΔ構成にすることでもよい。
する実施形態で有り、各相のn段目の単位インバータセ
ルには同一位相の入力変圧器31,32の2次巻線31
S,32Sを接続して構成したものである。
セット用意することにより、設計や製造の簡素化が図れ
る。このことは図3の場合各相1段づつ変圧器とセット
とし、3セットで構成することで簡素化が図れることに
なる。
する実施形態であり、入力変圧器31,32の1次側3
1P,32Pは12相構成となるよう巻線位相をY、Δ
でずらし、2次側はそれぞれ3n組の3相巻線を有し、
各相のn段目の単位インバータセル4U1〜4U2、4
U、4V1〜4V2、4V、4W1〜4W2、4Wには
各相で位相がずれた2次巻線を接続して構成したことを
特徴とする。
い。
する実施形態で有り、図7と異なるところは、各相のn
段目の単位インバータセル4U1〜4U4、4V1〜4
V4、4W1〜4W4には各相で同一位相の2次巻線を
接続して構成したものである。
明するための図で有り、図9(a)は変圧器のリアクタ
ンスがほとんどゼロに近い時の単位インバータセルの入
力電流を示す図である。図9(b)は変圧器のリアクタ
ンスを電流が断続しないように適切な値としたものであ
る。一般に変圧器の%インピーダンスは10〜20%で
あれば容易に製作可能である。
調波成分は大幅に改善できる。
対応する実施形態であり、入力変圧器3の1次側または
2次側の各3相巻線の少なくとも一方に、電路を遮断で
きる開閉器2c〜2kを具備し、単位インバータセル4
U1,4U2a,4U3a、4V1,4V2a,4V3
a、4W1,4W2a,4W3aが故障した際、又は保
守時に対応する主電源を開放できるように構成したもの
である。
2、13、16、18に対応する実施形態を示すもの
で、単位インバータセルは交流を直流に変換するダイオ
ード整流器102と、平滑用コンダンサ103と、直流
を任意の周波数に変換する単相インバータ回路104と
から構成されたものである。整流器にダイオードを使用
した場合には、コンデンサ103への突入電流防止のた
め所定時間抵抗Rを介して初期充電し、その後スイッチ
SWをオンしておく。請求項16では、単相インバータ
回路104の素子としてGTOやトランジスタなどの自
己消弧型の半導体素子を、請求項18ではIGBTなど
の電圧駆動型の自己消弧素子を使用するものである。
に対応する実施形態を示すもので、交流を直流に変換す
る整流器102にサイリスタやGTOなどのゲート制御
極付きの半導体素子を使用するものである。この場合に
は、図10にある直流コンデンサ103を初期充電する
回路106は省略することが出来る。
5、47、48に対応する実施形態を示すもので、少な
くとも1台の単位インバータセル内の整流器は、ゲート
制御極を持つ自已消弧型の半導体素子(IGBTやGT
Oなど)で構成されたもので、PWM制御することによ
り力率1制御だけでなく、特に進み制御も可能としたも
のある。図13では、電流高調波低減のため入力部にリ
アクトルを設けている例を示す。リアクトルを設けず入
力変圧器のリアクタンスでリアクトルを兼ねることも前
述の通り可能である。
に対応する実施形態を示すのもで、インバータ回路10
4の素子にGTOなどの電流駆動の自已消弧型半導体素
子を使用したものである。 <第14の実施形態>図15は請求項18に対応する実
施形態を示すのもで、インバータ回路104の素子にI
GBTなどの電圧駆動の自己消弧型半導体素子Q1〜Q
4を使用したものである。さらに、図15は請求項20
に対応する実施形態を示したのもでもあり、単位インバ
ータセルのインバータ回路の出力部には、その出力をバ
イパスする開閉器104aを備えたものである。
(b)は請求項19に対応する実施形態の出力波形を示
すもので、請求項12において、複数の単位インバータ
セルの少なくとも1台のインバータ回路は、PWM制御
により出力電圧を制御し、残りの他の単位インバータは
PAM制御するものである。
〜25に対応する実施形態を示すのもで、図17(a)
はサイリス夕を逆並列に接続したもの、図17(b)は
GTOなどの自已消弧型素子を逆並列に接続したもの、
図17(c)は整流器としてダイオードをブリッジ接続
し、その直流出力に短絡用制御極付き半導体素子S1を
接続したもので、その半導体素子と直列に可飽和リアク
トルL1を接続して電流の立上がりを抑えるようにした
ものである。図17(d)は請求項25に対応する実施
形態であり、単位インバータセルの出力をバイパスする
開閉器として、ダイオードD1,D2と制御極付き半導
体素子S1,S2を用いてブリッジ接続し、その直流出
力を短絡するように構成したものである。
に対応する制御方法の実施形態であり、例えば図1の第
3段目のU,V,W相(4U3,4V3,4W3)の単
位インバータセルのインバータ回路(図10のQ1〜Q
4)へのゲート信号位相を示す図である。このような位
相のゲート信号を与えることにより単位インバータの出
力電圧は零電圧になり、多重インバータ装置としての出
力電圧は低い電圧を得ることが出来る。破線は通常のP
AM運転時の動作波形を示す。
は、図17に示すバイパス回路を動作させて単位インバ
ータセルの出力を短絡することにより、出力電圧を零と
するように制御するものである。この時単位インバータ
セルのインバータ回路の素子へのゲート信号は停止して
おく。
0、31に対応する制御方法の実施形態であり、請求項
26〜29のように制御する際、多重インバータ装置と
しては出力電圧の高調波成分が増加することが有り得る
ので、運転中の他の段(図1では他の2段)のPWM動
作周波数を増加させる(図1の例ではPWM周波数を
1.5倍へ上げる)ことにより、高調波成分を増加させ
ることなく負荷へ供給することができる。このためバイ
パス指令信号または出力電圧零指令により運転中の単位
インバータセルのPWM周波数を切替えるようにする。
2、33に対応する実施形態であり、多重インバータ装
置の各相の単位インバータセル間に出力電圧を切替えら
れる開閉器401〜406を設け、多相負荷への供給電
圧を切替えることができるように構成したものである。
高圧電動機としては、日本国内では6kV系、3kV系
が、米国内では4.2kVと2.4kV系が一般であ
り、負荷に応じて切替える用途も有り得る。
に対応する実施形態であり、多重インバータ装置の各相
の単位インバータセル間に出力端子U1,V1,W1ま
たU2,V2,W2を設け、多相負荷への供給電圧を切
替えることができるように構成したものである。
5、36に対応する実施形態であり、各相の任意の段の
単位インバータセルの整流器に逆並列に回生用コンバー
タを設けたものである。負荷からの回生量が多いシステ
ムでは、全ての単位インバータセルに回生回路を設けて
おき、回生量に応じて任意の単位インバータを回生制御
するようにすることも容易に考えられる。回生用コンパ
ータとして自己消弧型半導体素子を使用することにより
PWM動作させることも容易であり、回生電力を細かく
制御することが可能となる。
に対応する実施形態であり、単位インバータセルの故障
検出と保護動作回路を設けられ、単位インバータセル4
U1〜4W3が故障した際、又は保守時にその単位イン
バータに相当するn段目の各単位インバータに対応する
入力変圧器の1次側または2次側の各3相巻線の少なく
とも一方に設けられた開閉器2c〜2kを少なくとも1
台以上開放するように制御するものである。 <第24の実施形態>請求項38、39に対応する実施
形態の出力電圧波形は図16に示したものであり、請求
項1または2の装置において、少なくとも1台の単位イ
ンバータセルはPAM制御により、他の単位インバータ
セルはPWM制御によりそれぞれの出力電圧を制御し、
それぞれの各相電圧を直列合成して多相負荷に電力を供
給するように構成した多重インパー夕装置の制御方法で
ある。
項2の装置において、3相インバータセルはPAM制御
により、他の単位インバータセルはPWM制御によりそ
れぞれの出力電圧を制御し、それぞれの各相電圧を直列
合成して多相負荷に電力を供給するように構成した多重
インバータ装置の制御方法である。
1、42に対応する実施形態を図1の回路を基にU相の
PWM制御を示したものであり、各相の単位インバータ
セルの出力基本波位相は、相互にπ/3nだけずらして
制御すると共に、同一相の各段のPWMスイッチング位
相が重ならないように制御したものである。V,W相は
図22の波形からそれぞれ位相が120゜ずれた波形と
なることは言うまでもない。
5に示すように本発明の多重インバータ装置を起動する
際の制御に関し、任意の単位インバータセルにはPWM
制御により電流値を制御する機能を有し、多重インバー
タ装置の起動時にはこれを動作させて各相の単位インバ
ータセルに電流を流し、予め設定された直流電圧値まで
充電後に交流電源を投入し運転するように制御した多重
インバータ装置である。
検出器269により検出して速度フィードバックを行
い、トルク指令に応じ滑り周波数となるようにインバー
タ周波数を制御するものである。
を併せ持つことが多い。この場合のすべり周波数と電流
とを共に制御するので安定性がよく、急激な加減速や負
荷変動に耐えられる。また速度フィードバックを取って
いるので、回転速度の精度は向上する。
御増幅器266の出力をすべり周波数と電流の指令に変
換し、それぞれのループでインバータ周波数fと、周波
数指令と、電動機一次端子電圧V1指令に変換する。周
波数指令と、電動機一次端子電圧V1以後のPWM制御
回路を備えている。また、急激な加減速を行うので、順
変換部には、電力回生付加回路を用いている。この方式
は、閉ループ制御を行う必要があるので、単独運転に用
いられ、定出力特性、直巻き特性や回転速度に無関係に
最大トルクを発生させることが可能である。この構成
は、速度設定器260、比較器261、速度制御増幅器
262、電流パターン発生器263、電流検出器26
4、比較器265、電流制御増幅器266、PWM制御
回路267、すべり周波数パターン発生器271、比較
器272、速度検出器270から構成されている。
4、45、46に対応する実施形態を示したもので装置
の真上からみた図であり、請求項1の装置において、入
力変圧器を複数m個設けた場合には、3n個の単位イン
バータを3n/m個に分割し、これを1組として1台の
入力変圧器と結合して1セットを構成し、mセット配置
するものである。すなわち図5、図6に示した実施形態
を配置する際に、入力変圧器31と変換装置41の組合
せをーセットとして図のように構成することにより、同
一設計により設計や製造の経済的効果が期待できる。ま
た、分離することにより絶縁耐圧も低減することができ
るので装置の小型が可能となる。入力変圧器が偶数個あ
る場合には、図26(a)によう1こ背中合わせに配置
する方法、(b)のように2個単位にそれぞれのセット
を互いに向かい合せて配置する方法、(c)のように中
央から左右対称に配置する方法などがあり、配置性、保
守性や運転操作性の向上など目的に応じて他の方法も考
えられる。
9、50、51に対応する実施形態であり、変圧器の2
次巻線を構成する際に、3n組の3相2次巻線はそれぞ
れの%インピーダンスを揃えために、3相鉄心の異なる
位置に巻かれた各相巻線で3相結線を構成したものであ
る。一般に変圧器は内側と外側の巻線では結合度が異な
るため、インピーダンスも変わる。図27で通常はu
l、v5、w3の同一位置で3相結線を行なうが、図の
ような位置から3相巻線の結線を組むことにより変圧器
の%インピーダンスを揃えることが可能で各単位インバ
ータセルの入力電流は均等化でき電源側の各相電流や高
調波成分はバランスさせることができる。
を持つ変圧器と単位インバータセルを組合せることによ
り、出力変圧器を必要とせず、これにより小型で高電圧
出力を得ると共に、負荷側への高調波を低減すること、
また電源系統の高調波電流を低減することができる経済
的な多重インバータ装置及びその制御方法を提供するこ
とができる。
を説明するための回路図。
を説明するための回路図。
を説明するためのインバータの回路図。
を説明するための回路図。
を説明するための回路図。
を説明するための回路図。
を説明するための回路図。
を説明するための回路図。
を説明するための信号波形図。
態を説明するための回路図。
形態を説明するためのインバータの回路図。
形態を説明するためのインバータの回路図。
形態を説明するためのインバータの回路図。
形態を説明するためのインバータの回路図。
形態を説明するためのインバータの回路図。
形態を説明するための信号波形図。
形態を説明するためのインバータの回路図。
形態を説明するための信号波形図。
形態を説明するための図。
形態を説明するための回路図。
形態を説明するための回路図。
形態を説明するためのインバータの回路図。
形態を説明するための回路図。
形態を説明するための信号波形図。
形態を説明するための回路図。
形態を説明するための図。
形態を説明するための変圧器の概略図。
するための回路図。
するための回路図。
するためのインバータの回路図。
位インバータセル 5…多相負荷 41…3相インバータ Q1〜Q6…自己消弧型半導体素子 D1〜D6…ダイオード 31,32,33…入力変圧器 31P,32P,33P…一次巻線 31S,32S,33S…二次巻線
Claims (51)
- 【請求項1】 複数の2次巻線を持つ入力変圧器と、単
位インバータセルを複数個n段直列接続して各相を構成
し、前記入力変圧器と組合せて多相負荷に電力を供給す
る多重インバータ装置において、 前記入力変圧器は3n組の3相巻線を2次側に有し、n
段目の各相の単位インバータセルには各相で位相がずれ
た前記変圧器の2次巻線を接続して構成したことを特徴
とする多重インバータ装置。 - 【請求項2】 3n組の複数の3相2次巻線を持つ入力
変圧器と、少なくとも1個の3相インバータと、複数個
の単相インバータセルとを具備し、前記単相インバータ
セルは複数個(n−1)段直列接続して各相を構成し、
前記3相インバータの各同一相へ接続して多相負荷に電
力を供給することを特徴とする多重インバータ装置。 - 【請求項3】 前記入力変圧器は各相の単位インバータ
セル直列数n個に対してn個設け、それぞれの変圧器は
π/3n位相がずれた3組の3相巻線を2次側に有し、
各相のn段目の単位インバータセルには各相で位相がず
れた2次巻線を接続して構成したことを特徴とする請求
項1に記載の多重インバータ装置。 - 【請求項4】 前記3相インバータ及び各相で直列接続
された(n−1)段目の単相インバータセルには、π/
3n位相がずれた変圧器の2次巻線を接続して構成した
ことを特徴とする請求項2に記載の多重インバータ装
置。 - 【請求項5】 前記入力変圧器は複数m個とし、それぞ
れは3n組の3相巻線を2次側に有し、各相のn段目の
単位インバータセルには各相で位相がずれた2次巻線を
接続して構成したことを特徴とする請求項1または請求
項2に記載の多重インバータ装置。 - 【請求項6】 前記入力変圧器は複数m個で各入力変圧
器は同−2次巻線で構成し、n組の単位インバータセル
で各相を構成したことを特徴とする請求項1または2に
記載の多重インバータ装置。 - 【請求項7】 各相のn段目の単位インバータセルには
同一位相の入力変圧器2次巻線を接続して構成したこと
を特徴とする請求項1または2に記載の多重インバータ
装置。 - 【請求項8】 前記入力変圧器は複数m個とし、前記各
入力変圧器の1次側は6m相構成となるよう巻線位相を
ずらし、各入力変圧器の2次側はそれぞれ3n組の3相
巻線を有し、各相のn段目の単位インバータセルには各
相で位相がずれた2次巻線を接続して構成したことを特
徴とする請求項1または2に記載の多重インバータ装
置。 - 【請求項9】 前記入力変圧器は複数m個とし、該各入
力変圧器の1次側は6m相構成となるよう巻線位相をず
らし、該各入力変圧器の2次側はそれぞれ3n組の3相
巻線を有し、各相のn段目の単位インバータセルには各
相で同一位相の2次巻線を接続して構成したことを特徴
とする請求項1または2に記載の多重インバータ装置。 - 【請求項10】 前記入力変圧器は複数m個とし、該各
入力変圧器の各2次巻線には所定のリアクタンスを持た
せ、単位インバータに所定の負荷電流が流れている状態
ではその入力電流が断続しないようにしたことを特徴と
する請求項1〜請求項5のいずれかに記載の多重インバ
ータ装置。 - 【請求項11】 前記入力変圧器の1次側または2次側
の各3相巻線の少なくとも一方に、電路を遮断できる開
閉器を具備したことを特徴とする請求項1〜請求項5の
いずれかに多重インバータ装置。 - 【請求項12】 前記単位インバータセルは交流を直流
に変換する整流器と直流を任意の周波数に変換する単相
インバータ回路から構成されたことを特徴とする請求項
1または請求項2に記載の多重インバータ装置。 - 【請求項13】 前記単位インバータセル内に有する整
流器は、ダイオードブリッジ回路で構成されたことを特
徴とする請求項1または2に記載の多重インバータ装
置。 - 【請求項14】 少なくとも1台の単位インバータセル
内の整流器は、ゲート制御極を持つ半導体素子で構成さ
れたことを特徴とする請求項1または2に記載の多重イ
ンバー夕装置。 - 【請求項15】 少なくとも1台の単位インバータセル
内の整流器は、ゲート制御極を持つ自己消弧型の半導体
素子で構成されたことを特徴とする請求項1または2に
記載の多重インバータ装置。 - 【請求項16】 前記単位インバータセル内のインバー
タ回路素子は、自己消弧型半導体素子で構成されたこと
を特徴とする請求項1または2に記載の多重インバータ
装置。 - 【請求項17】 前記単位インバータセル内のインバー
タ回路素子は、ゲート電流駆動型の自己消弧型半導体素
子で構成されたことを特徴とする請求項1または2に記
載の多重インバータ装置。 - 【請求項18】 前記単位インバータセル内のインバー
タ回路素子は、ゲート電圧駆動型の自已消弧型半導体素
子で構成されたことを特徴とする請求項1または2に記
載の多重インバータ装置。 - 【請求項19】 前記複数の単位インバータセルの少な
くとも1台のインバータ回路は、PWM制御及びPAM
制御のいずれでも運転できる機能を有し、残りの他の単
位インパー夕はPAM制御機能またはPWM制御機能の
みを有することを特徴とする請求項1または2に記載の
多重インバータ装置。 - 【請求項20】 前記単位インバータセルは、その出力
をバイパスする開閉器を備えたことを特徴とする請求項
1または2に記載の多重インバータ装置。 - 【請求項21】 前記単位インバータセルの出力をバイ
パスする開閉器として、半導体素子を使用し、単位イン
バータセルの出力間に逆並列に接続したことを特徴とす
る請求項20に記載の多重インバータ装置。 - 【請求項22】 前記単位インバータセルの出力をバイ
パスする半導体素子として、自己消弧型半導体素子を使
用したことを特徴とする請求項21に記載の多重インパ
ー夕装置。 - 【請求項23】 前記単位インバータセルの出力をバイ
パスする開閉器として、ダイオードをブリッジ接続し、
その直流出力に短絡用制御極付き半導体素子を接続した
ことを特徴とする請求項20に記載の多重インバータ装
置。 - 【請求項24】 前記短絡用制御極付き半導体素子と直
列に可飽和リアクトルを接続したことを特徴とする請求
項23に記載の多重インバータ装置。 - 【請求項25】 前記単位インバータセルの出力をバイ
パスする開閉器として、ダイオードと制御極付き半導体
素子を用いてプリッジ接続し、その直流出力を短絡する
ようにしたことを特徴とする請求項20に記載の多重イ
ンバータ装置。 - 【請求項26】 前記負荷へ供給する出力電圧が低い時
には、少なくとも1段の単位インバータセルを零電圧出
力にするように制御したことを特徴とする請求項1また
は請求項2に記載の多重インバータ装置の制御方法。 - 【請求項27】 前記負荷へ供給する出力電圧が低い時
には、少なくとも1段の単位インバータセルの出力部の
バイパス開閉器を動作させるように制御したことを特徴
とする請求項1または請求項2に多重インバータ装置の
制御方法。 - 【請求項28】 ある単位インバータセルが故障した場
合には、当該インバータセル出力部のバイパス開閉器を
動作させると共に、故障インバータセルと同一段の他の
相の単位インバータセルのバイパス開閉器も動作するよ
うに制御したことを特徴とする請求項1または請求項2
に記載の多重インバータ装置の制御方法。 - 【請求項29】 ある単位インバータセルが故障した場
合には、当該インバータセル出力部のバイパス開閉器を
動作させると共に、故障インバータセルと同一段の他の
相の単位インバータセルの出力電圧を零電圧制御するこ
とを特徴とする請求項1または請求項2に記載の多重イ
ンバータ装置の制御方法。 - 【請求項30】 前記バイパス開閉器が動作または零電
圧出力制御している単位インバータを除く他の単位イン
バータセルは、インバータ回路のPWM動作周波数を通
常時と変えること特徴とする請求項26〜29のいずれ
かに記載の多重インバータ装置の制御方法。 - 【請求項31】 前記インバータのPWM周波数を高く
するように制御したことを特徴とする請求項30に記載
の多重インバータ装置の制御方法。 - 【請求項32】 前記多相負荷への供給出力電圧を開閉
器により切替えることができるように構成したことを特
徴とする請求項1または請求項2に記載の多重インバー
タ装置。 - 【請求項33】 出力電圧を6kV系と3kV系、また
4.2kV系と2.4kV系で切替え可能な構成とした
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の多重
インバータ装置。 - 【請求項34】 前記単位インバータセルn段の任意の
段の各相の位置から出力を取り出せるような構成とし、
出力電圧を切替えることができるように構成したことを
特徴とする請求項1または請求項2に記載の多重インバ
ータ装置。 - 【請求項35】 各相を構成するn段の単位インバータ
の少なくとも1段の各相に電力回生機能を具備したこと
を特徴とする請求項1または請求項2に記載の多重イン
バータ装置。 - 【請求項36】 負荷側からの回生がある場合には、電
力回生機能の回路をPWM制御して電源に回生するよう
に制御したことを特徴とする請求項1または請求項2に
記載の多重インバータ装置の制御方法。 - 【請求項37】 前記入力変圧器の1次または2側の開
閉器は、単位インバータセルが故障した際には、その故
障信号により開放動作、また保守する際に手動開放動作
させることを特徴とする請求項11に記載の多重インバ
ータ装置の制御方法。 - 【請求項38】 少なくとも1台の単位インバータセル
は、PAM制御により、他の単位インバータセルはPW
M制御によりそれぞれ出力電圧を制御し、それぞれの各
相電圧を直列合成して多相負荷に電力を供給するように
構成したことを特徴とする請求項19に記載の多重イン
バータ装置の制御方法。 - 【請求項39】 少なくとも1台の単相インバータは、
PAM制御により、他の3相インバータ及び単相インバ
ータはPWM制御によりそれぞれ出力電圧を制御し、そ
れぞれの各相電圧を直列合成して多相負荷に電力を供給
するように構成したことを特徴とした請求項19に記載
の多重インバータ装置の制御方法。 - 【請求項40】 前記3相インバータはPAM制御によ
り、少なくとも1台の単相インバータはPWM制御によ
りそれぞれ出力電圧を制御し、それぞれの各相電圧を直
列合成して多相負荷に電力を供給するように構成したこ
とを特徴とした請求項2に記載の多重インバータ装置の
制御方法。 - 【請求項41】 PWM制御位相は各相のn段の単位イ
ンバータが相互に重ならないように制御して、それぞれ
の各相電圧を直列合成して多相負荷に電力を供給するよ
うに制御したことを特徴とする請求項1または請求項2
に記載の多重インバータ装置の制御方法。 - 【請求項42】 各相のn段の単位インバータの基本波
位相は相互にπ/3nだけ位相をずらして制御し、それ
ぞれの各相電圧を直列合成して多相負荷に電力を供給す
るように制御したことを特徴とする請求項1または請求
項2に記載の多重インバータ装置の制御方法。 - 【請求項43】 任意の単位インバータセルにはPWM
制御により電流値を制御する機能を有し、多重インバー
タ装置の起動時にはこれを動作させて各相の単位インバ
ータセルに電流を流し、予め設定された直流電圧値まで
充電後に交流電源を投入するように制御したことを特徴
とする請求項1または請求項2に記載の多重インバータ
装置の制御方法。 - 【請求項44】 前記入力変圧器を複数m個設けた場合
には、3n個の単位インパー夕を3n/m個に分割し、
これを1組として1台の入力変圧器と結合して1セット
を構成し、mセット配置することを特徴とする請求項1
に記載の多重インバータ装置。 - 【請求項45】 前記入力変圧器が偶数個ある場合に
は、2個単位にそれぞれのセットを互いに背中合わせお
よび一直線上に列盤配置したことを特徴とする請求項4
4に記載の多重インバータ装置。 - 【請求項46】 前記入力変圧器が偶数個ある場合に
は、2個単位にそれぞれのセットを互いに向かい合せて
配置することを特徴とする請求項44に記載の多重イン
バータ装置。 - 【請求項47】 ゲート制御極を持つ自己消弧型の半導
体素子で構成された整流器は、PWM制御を行う制御回
路を持つことを特徴とする請求項15に記載の多重イン
バータ装置。 - 【請求項48】 ゲート制御極を持つ自已消弧型の半導
体素子で構成された整流器は、PWM制御により進み力
率制御が可能な制御回路を持つことを特徴とする請求項
15に記載の多重インバータ装置。 - 【請求項49】 前記入力変圧器の2次巻線を構成する
際に、3n組の3相2次巻線はそれぞれの%インピーダ
ンスを揃えるように結線し、各相の単位インバータセル
には位相がずれた2次巻線を接続して構成したことを特
徴とする請求項1に記載の多重インバータ装置。 - 【請求項50】 前記入力変圧器の2次巻線を構成する
際に、3n組の3相2次巻線はそれぞれの%インピーダ
ンスを揃えために、3相鉄心の異なる位置に巻かれた各
相巻線で3相結線を構成し、各相の単位インバータセル
には位相がずれた2次巻線を接続して構成したことを特
徴とする請求項1に記載の多重インバータ装置。 - 【請求項51】 故障インバータセルと異なる段の他の
相の単位インバータセルの出力のバイパス開閉器を動
作、または出力電圧を零電圧制御することを特徴とする
請求項28または請求項29記載の多重インバータ装置
の制御方法。
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