JPH11121691A - パワー半導体モジュール - Google Patents

パワー半導体モジュール

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JPH11121691A
JPH11121691A JP22956198A JP22956198A JPH11121691A JP H11121691 A JPH11121691 A JP H11121691A JP 22956198 A JP22956198 A JP 22956198A JP 22956198 A JP22956198 A JP 22956198A JP H11121691 A JPH11121691 A JP H11121691A
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JP
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power semiconductor
semiconductor module
sub
housing
cooling
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JP22956198A
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Peter Etter
エッター ペーター
Alexander Dr Stuck
シュトゥック アレクサンダー
Raymond Zehringer
ツェーリンガー レイモント
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ABB Research Ltd Sweden
Original Assignee
ABB RES Ltd
ABB Research Ltd Sweden
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】一体化したヒートシンクを有するサブモジュー
ルから構成されるパワー半導体モジュールを得ること。 【解決手段】サブモジュール２は、各々その上部６ａに
はんだ付けされた少なくとも１つの半導体チップ３を有
する基板６を含み、その下部６ｂはヒートシンク７と一
緒にシールされる。このヒートシンク７は、ナブ、リブ
などの形状で、AlSiC, CuSiC, AlSi, Al又はCuから作ら
れた冷却体７ａを有している。冷却構造７b は、基板６
と共に直接シールすることもできる。サブモジュール２
とモジュール化したヒートシンク７を有するパワー半導
体モジュールは、増大した信頼性と長寿命、コンパクト
な設計及び高電力密度によって、特徴づけられる。パワ
ー半導体モジュール１のモジュール構造２, 7 は、他の
素子、例えば制御エレクトロニクス１２、プリント回路
板１３及びバスバー１６の一体化と両立する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パワーエレクトロ
ニクスの分野に関する。特に、本発明は、請求項のプリ
アンブルにおいて記載された複数のサブモジュールを有
するパワー半導体に関する
【０００２】
【従来の技術】産業、輸送及びその他の業務用のパワー
半導体が、多くの半導体要素、例えばＧＴＯｓ(ゲート
ターンオフサイリスタ)、ＭＣＴｓ（ＭＯＳ制御型サイ
リスタ）、パワーダイオード、ＩＧＢＴｓ（絶縁型ゲー
トバイポーラトランジスタ）、或いは、ＭＯＳＦＥＴｓ
（ＭＯＳ制御型電界効果トランジスタ）からモジューラ
ベースでしばしば構成される。特に、ＭＯＳ制御型半導
体チップは、比較的小さな能動的に制御可能な表面及び
スイッチング能力だけを有してせいぞうすることができ
る。これは、例えば、１２００Ａのモジュールに対し
て、一般には、２０個のＩＧＢＴが並列に接続されてパ
ワー半導体モジュールを形成することができるためであ
る。このようなモジュールの例は、EP-A1-0 597 144及
びT.Stockmeier他による"Reliable 1200 Amp 2500 V IG
BT Modules for Traction Application", IEEE IGBT Pr
opulsion Drives Colloquium, London, April 1995の記
事に開示されている。
【０００３】パワー半導体からの熱損失の消散は、熱に
よる負荷の変更抵抗に関し、及びパワー半導体モジュー
ルの冷却システムに関してかなりの要求を行う。特に、
牽引駆動用のハイパワーモジュールにおいて、熱の問題
は、長期間の信頼性について実質的な制限を与える。今
日の従来技術における主な故障のメカニズムの一つは、
半導体チップ基板と熱を発散するベースプレート或いは
ヒートシンク間のはんだ層の疲労及び分離である。結果
的に、チップはオーバヒートし、ボンディングワイヤは
外れるようになり、最後には全体のパワー半導体モジュ
ールが壊れる。はんだの疲労及び分離は、多くの負荷変
動後に観察され、特定の温度条件ばかりでなくヒートシ
ンクの効率に非常に依存する。したがって、ヒートシン
クの構造及び形状を最適にすることは、そのために用い
られる材料と同様にかなり重要なことである。
【０００４】ファイルレファレンス196 47 597.2のドイ
ツ特許出願は、優先権主張して発行されていないが、窒
化アルミニウム（ＡｌＮ）から作られた共通のセラミッ
ク基板上に互いに隣り合って配列された多くのサブモジ
ュールを、及び熱を発散する銅（Ｃｕ）のベースプレー
トを用いる後者を冷却するステップを開示している熱機
械的ストレスを減少するために、炭化珪素アルミニウム
（aluminum siliconcarbide (AlSiC)）や炭化珪素銅（c
opper silicon carbide (CuSiC)）の複合材料から作ら
れた中間プレートが導入され、この中間プレートは、Ａ
ｌＮと銅の熱膨張係数間の平均熱膨張係数を有してい
る。この設計の欠点は、中間プレートが第２のはんだ層
を必要とし、熱抵抗が増大することである。ハイパワー
半導体モジュール用の特別な液体冷却装置は、優先権を
伴って発行されなかったファイルレファレンス196 47 5
97.2を有するドイツ特許出願に開示されている。アルミ
ニウム（Ａｌ）または銅（Ｃｕ）から作られた従来の冷
却ハウジングに代えて、冷却面の全体或いは少なくとも
一部に、炭化珪素の複合体（AlSiC, CuSiC）、或いは半
導体チップにマッチした熱膨張係数を有する他の材料か
らなる冷却ハウジングが提案されている。熱伝達を増進
するために、冷却面から内方に突出し、各サブモジュー
ルの下のピン群に結合されることができるセラミックピ
ンが追加的に設けられる。冷却ハウジングにおける仕切
りは、熱を生じるサブモジュールがある領域に冷却剤の
流れを集中するように働く。この配列は良好な冷却性能
と熱機械的ストレスの減少を達成するけれども、これは
複合体のハウジングに対する高い製造コストによって相
殺される。これに加えて、パワー半導体モジュールのフ
レキシビリティやモジュール性は、ハウジング当たりの
モジュールの数が予め決められてしまい、サブモジュー
ルが個別に取り替えられないということによって制限さ
れる。
【０００５】最後に、DE 196 45 636は、パワーモジュ
ール用の一体化された設計を開示しており、そこにパワ
ー半導体、駆動エレクトロニクス、バスバー及びヒート
シンクが共通のハウジング本体に収容されている。この
パワーモジュールは、全くモジュールでなく、代わりに
パワー半導体が一体のブロック基板とヒートシング間の
大きな領域、及び駆動エレクトロニクスを横切って埋設
され、実際上モノリシック構造を形成している。
【０００６】
【発明の概要】したがって、本発明の目的は、多くのサ
ブモジュールおよび改善されたヒートシンク設計を有す
る新規なパワー半導体モジュールを提供することであ
り、非常に高い熱負荷に耐えるという能力によって、長
期間の高い信頼性によって及び改善されたモジュール性
によって特徴づけられる。この目的は、本発明の請求項
１の特徴よって達成される。本発明の特徴は、一体化さ
れたヒートシンクを有するサブモジュールからパワー半
導体モジュールを特別に構成することである。この場
合、サブモジュールは、基板上面に一体化して取り付け
られた少なくとも１つの半導体チップを有する１つの基
板を有しており、ヒートシンクはその下側に一緒にシー
ルされている。
【０００７】第１の例示的実施形態は、サブモジュール
を有するパワー半導体モジュールによって示され、AlSi
Cプレート形状の冷却体、及びAlSiCまたはアルミニウム
から作られたスタッド又はリブ形状の冷却構造を有する
ヒートシンク上に与えられる。第２の例示的実施形態
は、好ましくは小さなスタッド形状の冷却構造がサブモ
ジュールの基板の下側に直接与えられているパワー半導
体モジュールによって表わされる。他の例示的実施形態
は、プラスチックハウジングの上部に取り付けられたサ
ブモジュールを有するプラスチックハウジングの使用に
関し、その内部には、冷却素子がパワーモジュールにお
ける制御エレクトロニクス及び/又はサブバーの一体化
と同様に、水などで冷却される。
【０００８】他の実施形態は従属項から生じる。本発明
によるパワー半導体モジュールの１つの利点は、特に基
板とヒートシンク間の鏡界面の熱負荷変動抵抗に著しい
改善のため、その向上した信頼性とサービス寿命であ
る。本発明によるパワー半導体モジュールの他の利点
は、ヒートシンク構造のモジュール性によって与えら
る。これは、故障したサブモジュールが容易に取り替え
られること、及び冷却ハウジングをスイッチング能力に
依存して必要とされる多くのサブモジュールに適用する
ことが簡単なことによって与えられる。他の利点は、一
体化された制御エレクトロニクスおよび一体化されたサ
ブバー接続を有するパワーモジュールと共に達成される
コンパクト設計である。
【０００９】更に、本発明の利点は、一体化されたヒー
トシンクを有するサブモジュールが標準パーツとして製
造され、テストされるという事実においてもわかること
ができ、それによって材料の損失及びコストの低減を可
能にする。
【００１０】
【発明の実施の形態】全図面をとおして、同じ参照番号
は、同じか或いは対応するパーツを示す。図１は、本発
明の主題に相当する、パワー半導体モジュール１の好適
な実施形態を示す。サブモジュール２は、はんだ層４お
よび銅又はアルミニウムから作られた金属化された領域
５を介してＡｌＮ基板６の上部６ａに接続される少なく
とも１つの半導体チップ３を有する。基板６は、その下
側６ｂと共にシールされた、そしてAlSiCプレート状の
冷却体７ａ及びAlSiCまたはアルミニウムから作られた
小さなナブ或いはリブ形状の冷却構造７bを有するヒー
トシンク７を有する。多くのサブモジュール２は結合さ
れて、パワー半導体モジュール１を形成する。この目的
のために、それらは、プラスチックハウジング８の一方
の上部８a上の窪み９に配列され、それらのヒートシン
ク７はハウジングの下側８b方向に向けられている。こ
のプラスチックハウジング８aは、ヒートシンク７とオ
リフィス（図示されず）を介して供給され、排出される
冷却媒体１０を包囲している。ハウジングの上部８a
で、Oリング、厚いグルー接合などの形状のシール１１
がサブモジュール２のエッジ領域に設けられる。好まし
くは、シール１１は、ハウジングの上部８aと冷却体７a
の間に配置される。
【００１１】このようなヒートシンクの設計は、熱負荷
に耐えるように、その優れた能力によって特徴づけられ
る。熱機械的ストレスは、サブモジュール２に対する材
料の選択によってもっぱら減少される。何故ならば、半
導体材料３、ＡｌＮセラミックおよびAlSiCのヒートシ
ンクの膨張係数は、互いに非常によく一致させられるか
らである。もし、冷却構造がアルミニウムからなってい
るならば、冷却体７aとの接触面積ができるだけ小さい
ナブやリブ７bを選択することによって、膨張係数の大
きな増加が補償される。原理的には、上部から底部へ増
加するアルミニウムの濃度を有する、したがって、増加
する膨張係数を有するヒートシンク７を設けることも可
能であり、冷却体７aには、大きな領域上に延び、そし
て純粋なアルミニウムから作られている冷却構造７bが
備えられている。最後に、サブモジュール２又はヒート
シンク７及びプラスチックハウジング間の膨張係数の非
常に大きな違いは、フレキシブルな、或いは弾性のシー
ル１１によって補償される。
【００１２】更に、本発明によって、ヒートシンクを基
板６と共に直接シールすることは、はんだ層を除去する
という利点がある。シーリングは、基板６とヒートシン
グ７間に非常に高い機械的安定性、高い熱的安定性、お
よび高い負荷変動抵抗を有する接続を形成し、この不安
定な鏡界面における疲労と分離という深刻な問題を解決
する。動作において、これは、過剰な熱機械的ストレス
に曝されるはんだ接続によって生じる短絡回路、爆発等
の危険性をかなり減少する。更に、半導体チップ３と冷
却水１０間の熱抵抗へのはんだ層の貢献が除去され、そ
れによって、一般に１k/kw即ち５％から７％の熱抵抗の
減少を達成する。図２は、本発明によるパワー半導体モ
ジュール１の変形を示す。図１と違って、冷却体７aの
ない冷却構造７bが設けられる。この冷却構造７bは、基
板６と共に直接シールされ、好ましくは、AlSiCまたは
アルミニウムから構成される多くのナブ、リブ等を有す
る。高い膨張係数を有するアルミニウムの場合であって
も、例えば、ミリオーダーの小さな直径を有するナブ７
aは、基板６とナブ７a間の鏡界面に僅かな熱機械的スト
レスを呈するだけである。前述のように、シール１１
は、Ｏリング、厚いのり接合等を有するが、しかしハウ
ジング上部８aと大きく選択されたセラミック基板６間
に配置される。
【００１３】図３は、図１又は図２に示された、８つの
サブモジュール２を有するパワー半導体モジュール１の
平面図を示す。半導体チップ３は、導体トラック、接
続、端子、ボンディング接続等（図示せず）によってつ
ながれている。前に説明したように、セラミック基板６
は、ハウジングの上部又はプレーと８aにおける窪み９
に挿入されており、したがって、一様なモジューラ設計
であり、一体化された冷却を有する上部で、柔軟なパワ
ー半導体モジュール１を形成する。特に、サブモジュー
ル２は、今まで通常ケースであった共通のヒートシンク
１１に接続されていず、またシール１１は容易に取り外
したり、取り付けたり、または差し込んだりすることが
できるので、サブモジュール２は非常に容易にそれぞれ
取り替え可能である。更に、ハウジング、即ち窪み９又
はサブモジュール２の大きさは、パワー半導体モジュー
ル１から要求されるスイッチング能力にしたがって、非
常に容易に一致させることができる。
【００１４】本発明は、またサブモジュールとパワー半
導体モジュールの他の実施形態を有し、それらの幾つか
が以下に詳細に説明される。サブモジュール２の集団
は、少なくともパワー半導体要素、例えば、サイリス
タ、ＧＴＯ、ＭＣＴ、パワーダイオード、ＩＧＢＴ又は
ＭＯＳＦＥＴを有する。モジュール２は他の回路要素を
含むこともできる。しかしながら、サブモジュール２は
モジュール性とフレキシビリティの利点を維持するため
に、幾つかの要素のみを含むべきである。サブモジュー
ル２の十分な機能性と試験の可能性を補償するが、サブ
モジュール２のパワーを増大するために多くの素子を適
合するのを避ける最小の集団を有することが特に望まし
い。例えば、集団がパワー半導体ダイオード、と共に１
つ以上のＩＧＢＴｓを有するのが理想であり、コレクタ
とカソード、エミッタとアノードが互いに電気的に接続
される。
【００１５】各々のサブモジュール２は、十分な熱伝導
性の電気的絶縁材料、例えば絶縁セラミックからなる１
つの基板６を有している。その熱膨張率は、半導体チッ
プ３の熱膨張率、このましくは１０ｐｐｍ/ｋと一致さ
れるべきである。ＡｌＮセラミックスに加えて、酸化ア
ルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、炭化珪素（ＳｉＣ）或いはダ
イアモンドから作られたセラミックスも特に適してい
る。メタライズされた領域５は、銅から構成されること
ができ、じゅうらいのほうほう、たとえばＤＣＢ（Dire
ct Copper Bonding）を用いて基板の上部６ａに適用さ
れる。アルミニウムから作られタメタライズサレタ領域
５は、それが自動的に不導体化され、したがって非常に
長期間の安定性があるという利点を有する。メタライズ
された領域５に代えて、例えば、チタンを含むはんだで
はんだ付けする銀を用いることも可能である。
【００１６】半導体チップ３と基板６間のはんだ層４に
代えて、良好な電気的および熱的コンタクトを保証する
他のあらゆる一体化した接続或いは取り付けも考えられ
る。特に、サブモジュール２が圧力取り付けおよび圧接
されることも可能である。ヒートシンク７は、良好な熱
伝導性を有する鋳造することができる材料からなる。冷
却体７ａは基板６に一致した膨張係数を有する材料から
作られなければならないが、冷却構造は同様な材料から
作られることができる。金属／セラミックの複合材料、
特に炭化珪素（ＳｉＣ）、例えばＡｌＳｉＣ又はＣｕＳ
ｉＣは理想の選択である。これは金属／セラミックの複
合材料（ＡｌＳｉＣ又はＣｕＳｉＣ）から作られた冷却
体７ａと同じ複合材料又は関連した金属（Ａｌ,Ｃｕ）
から作られた冷却構造７ｂとの優れた組み合わせを行う
ことを可能にする。ヒートシンク７は、金属/セラミッ
ク複合体の製造から公知の圧力浸透又は毛細管法を用い
てセラミック基板６へ直接入れられる。この方法におい
て、セラミック６は、ＳｉＣから作られた空の型に配置
され、この空の型は液状のアルミニウム又は銅と共に浸
透される。この浸透中に、強固な接合が金属とセラミッ
クの間に形成される。
【００１７】特に、Ａｌ、Ｃｕ又は他の金属合金をセラ
ミック基板６に直接適用するために、同じカースト技術
が図２に示されたヒートシンク構造のために用いること
もできる。これは、セラミック６と金属ナブ７ｂ間に非
常に良好な熱伝導性を有する非常に強い、永久的な接続
を形成する。金属ナブ７ｂを基板６の下側６ｂか冷却体
７ａに適用し、また単一動作において、同様な形式のメ
タライズされた領域５を基板６の上部６ａに適用するこ
とは特に好都合である。冷却構造７ｂは、熱の伝達領域
のサイズを増加するように働く。十分低い膨張係数を有
する材料、例えばＡｌＳｉＣ又はＣｕＳｉＣに対して、
冷却構造は基板６又は冷却体７ａを有する所望の形状お
よび大きな接触面積を有することができる。高い膨張係
数、例えば１０ｐｐｍ/ｋで、特にアルミニウム又は銅
のような金属の場合、小さなナブ又は短いリブのような
小さな表面積を有する冷却構造が好ましい。しかし、図
１に示されたような冷却体７ａの場合、冷却構造は完全
に省略されても良い。
【００１８】AlSiCに代わるものとして、新たに開発さ
れた金属AlSiを用いることもできる。AlSiは、宇宙旅行
に関する応用のために、ＥＵプロジェクトの一部として
近年開発されたものである。AlSiは、基板６にマッチし
た熱膨張係数を持ち、いろいろな形状に非常に容易にダ
イカストされることができ、費用に対して効率の良い製
造のための可能性を有しており、したがって、ここに意
図された出願に非常に適している。プラスチックに加え
て、ハウジング８は他の誘電体又は金属から構成するこ
ともできる。利点としては、機械的に、化学的に安定し
ており、不燃性で、水をとうさず、そして広い温度範
囲、例えば-４０℃と１５０℃間にわたって容易に結合
可能である。ハウジングの形状は、大部分変えることが
できる。特に、ハウジング８は、水や冷却媒体の流れを
向ける手段、例えば壁や冷却チャネルなどを有すること
ができる。冷却構造は７ｂは、図１や図２に示されるハ
ウジング基体まで広げることが可能である。結果的に生
じた冷却チャネルは、水の低い流速で非常に効率の良い
熱交換によって特徴付けられる。シール１１には、いろ
いろな熱膨張に対してバッファとして働く追加のゴムリ
ングが設けられる。
【００１９】パワー半導体モジュール１のために設けら
れた冷却媒体９は、水とは別に、他の液体或いはガスで
あっても良い。ガス又は空位冷却の場合、ハウジング基
体６ｂは、なくても良く、サブモジュール２を配列する
ために大きな自由度がある。特に、それらは両側に突出
するヒートシンクを有するプレーと６ａ上に取り付けら
れることができる。本発明によるパワー半導体もジュー
ル１は、共通の冷却構造を有する共通の複合板上に、例
えば、多くのサブモジュール２を有する従来の半導体も
ジュールと組み合わされることもできる。他の例示的実
施形態が図４-図６に示される。図４は、制御エレクト
ロニクス１２、導体トラック又はプリント回路板１３、
及びプリント板１３をサブモジュール２へ電気的に接続
するためのコンタクト１４を有するパワー半導体１を示
す。このコンタクト１４は、プッシュオンコンタクト
（push-on contacts）又はプッシュオンピン(push-on p
ins)であるのが好ましい。それらは、窪みを通過するボ
ンディングワイヤであっても良い。制御エレクトロニク
ス１２、プリント回路板１３及びサブモジュール２は、
共通のハウジング８に一体化される。ハウジング８は、
プラスチックで構成されるのが好ましい。制御エレクト
ロニクス１２は、プリント回路板１３上に配列されるこ
とができるように設計される。プリント回路板１３は、
ハウジングに組み込まれるか、ハウジングにシールされ
るか、或いは他の誘電体絶縁されるように取り付けら選
れる。プリント回路板の数は、その適用性に依存する。
例えば、３つのプリント回路板１３は、１つのフェーズ
パスに対して必要とされ、特に、プラスとマイナスの供
給に対してそれぞれ１つとフェーズに対して１つが必要
とされる。
【００２０】図５は、パワー半導体モジュール１の他の
好適な実施形態を示す。この場合、前述のように、２つ
のパワー半導体モジュール１は、それらがハウジングの
下側８ｂ（図４参照）に関して互いに鏡映するように配
列される。このハウジングの下面８ｂは、前に分離した
モジュール１が両側で作用する共通のヒートシンクを有
し、共通のハウジングに収容されるように省略される。
このパワー半導体モジュール１の１つの利点は、パワー
を２倍にすることが極めて容易なことである。他の利点
は、そのコンパクト性、簡単なヒートシンク構造および
簡単な冷却剤の供給である。全体の結論は、パワー密度
がかなり増加することである。このミラー像の対称的な
パワー半導体モジュール１の１つの可能な応用例は、２
段電圧コンバータ用の多くのフェーズパスが並列に接続
されているときである。並列接続は、個々のモジュール
１間か、或いは１つのモジュール１内のどれかで果たさ
れる。理想的には、４つのフェーズパスが１つのパワー
半導体モジュール１において組み合わされる。そして、
これらは、一体化されたブレーキングチョッパを有する
コンバータのハーフブリッジ又はツーポイントコンバー
タのためのフェーズパスを形成するのに適している。
【００２１】最後に、図６は、プリント回路板１３と接
触するためのバスバー１６がハウジング８に配列される
こともできることを示す。コンタクトは、スライドする
コンタクト１５を用いて、バスバー１６とプリント回路
板１３間に行われるのが好ましい。バスバー１６をパワ
ー半導体モジュール１に一体化することによって、大き
なパワーユニットを形成するために、多くのパワー半導
体モジュール１の組立体が更に単純化される。導入部に
置いて述べた利点に加えて、本発明によるパワー半導体
モジュール１は更に利点を有する。一体化されたヒート
シンクを有するサブモジュール２の増加した冷却効率と
動作の信頼性は、パワー半導体モジュール１を牽引駆動
におけるハイパワー応用に特に適したものにする。ヒー
トシンク７は、金属/セラミックの複合材料から比較的
容易に、しかも安く作られる。特に、複合物から作られ
る大きな冷却プレートや複雑な冷却ハウジングを作る必
要がない。最後に、パワー半導体モジュール１のモジュ
ールか構造２,７は、他の素子、特に制御エレクトロニ
クス１２、プリント回路板１３及びバスバー１６の一体
化と特に両立する。
【００２２】結局、本発明は、実際上モノリシックに一
体化されるサブモジュール２とモジュール化したヒート
シンクを有するパワー半導体モジュール１を提供し、著
しく改善された熱負荷変動抵抗と長期の信頼性、コンパ
クトな設計および高電力密度によって特徴づけられる。
【００２３】本発明のいろいろな変更や変形が、上述の
教示に照らして明らかに可能である。したがって、請求
項の範囲内で、本発明はここに特に開示されたもの以外
にも実施されることが理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施態様による、サブモジュー
ル用の一体化されたヒートシンクを有するパワー半導体
モジュールの断面図を示す。
【図２】本発明の第２の実施態様による、サブモジュー
ル用の一体化されたヒートシンクを有するパワー半導体
モジュールの断面図を示す。
【図３】８つのサブモジュールを有する、図１又は図２
に示されたパワー半導体モジュールの平面図を示す。
【図４】一体化された制御エレクトロニクスを有するパ
ワー半導体モジュールの断面図を示す。
【図５】図４に示された２つのパワー半導体モジュール
のミラー像の対称形配列の断面図を示す。
【図６】一体化したバスバーを有するパワー半導体モジ
ュールの単純化した断面図を示す。
【符号の説明】
１ パワー半導体モジュール ２ サブモジュール ３ 半導体チップ ４ はんだ層 ５ メタライズ領域 ６ セラミック基板 ６ａ セラミック基板の上部 ６ｂ セラミック基板の下部 ７ ヒートシンク ７ａ 冷却体 ７ｂ 冷却構造（ナブ、リブ等） ８ ハウジング ８ａ ハウジングの上部、プレート ８ｂ ハウジングの下部 ９ 窪み １０ 冷却水、冷却媒体 １１ シール １２ 制御エレクトロニクス １３ 導体トラック、プリント回路板 １４ コンタクト、プッシュオンコンタクト、プッシュ
オンピン １５ スライドするコンタクト １６ バスバー

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板（６）の上部（６ａ）上に一体化して
    取り付けられた少なくとも１つの半導体チップ（３）を
    各々が有する複数のサブモジュールを有するパワー半導
    体モジュールであって、前記基板（６）は、電気的に絶
    縁しており、良好な熱伝導率を有し、且つ前記半導体チ
    ップ（３）にマッチした膨張係数を有していて、 ａ）１つのサブモジュール（２）は、良好な熱伝導率を
    有する材料で作られたヒートシンク（７）を有する１つ
    の基板（６）を有し、且つ ｂ）前記ヒートシンク（７）は、前記基板（６）の下側
    （６ｂ）と共にシールされていることを特徴とするパワ
    ー半導体モジュール。
  2. 【請求項２】前記ヒートシンク（７）は、冷却体（７
    ａ）と冷却構造（７ｂ）を有することを特徴とする請求
    項１に記載のパワー半導体モジュール。
  3. 【請求項３】前記冷却構造（７ｂ）は、前記基板（６）
    と共に直接シールされ、且つナブ又はリブを有すること
    を特徴とする請求項１に記載のパワー半導体モジュー
    ル。
  4. 【請求項４】ａ）前記冷却体（７ａ）は、前記基板
    （６）にマッチした膨張係数を有する材料から構成さ
    れ、及び／又は ｂ）前記冷却構造（７ｂ）は、前記基板（６）にマッチ
    した膨張係数を有する材料から構成され、或いは金属か
    ら構成されていることを特徴とする請求項２又は請求項
    ３のいずれか１つに記載のパワー半導体モジュール。
  5. 【請求項５】ａ）前記基板（６）は、絶縁セラミックか
    ら構成され、 ｂ）前記冷却体（７ａ）は、金属／セラミックの複合体
    材料、特に炭化珪素から構成され、且つ ｃ）前記冷却構造（７ｂ）は、同じ複合材料または関連
    金属から構成されていることを特徴とする請求項４に記
    載のパワー半導体モジュール。
  6. 【請求項６】ａ）前記サブモジュール（２）は、共通の
    プレート又はハウジングの上部（８ａ）にある窪み
    （９）に互いに隣り合って配列され、 ｂ）前記ヒートシンク（７）は、同じ側に向けられ、特
    にハウジングの下側（８ｂ）に向けられていることを特
    徴とする請求項２乃至請求項５のいずれか１つに記載の
    パワー半導体モジュール。
  7. 【請求項７】ａ）前記パワー半導体モジュール（１）
    は、前記ヒートシンク（７）と冷却媒体（１０）を囲む
    ためのハウジングを有し、且つ ｂ）前記冷却媒体（１０）は、液体、特に水、またはガ
    スであることを特徴とする請求項６に記載のパワー半導
    体モジュール。
  8. 【請求項８】ａ）前記ハウジングの上部（８ａ）は、サ
    ブモジュール（２）の端の領域において、Ｏリング形状
    のシール（１１）、厚いのり接合等を有し、且つ ｂ）前記ハウジング（８）は、冷却媒体の流れを方向づ
    ける手段を有することを特徴とする請求項７に記載のパ
    ワー半導体モジュール。
  9. 【請求項９】ａ）前記サブモジュール（２）は、半導体
    チップ（３）、特にパワーダイオードを有するＩＧＢＴ
    の最小の個数を有し、 ｂ）前記サブモジュール（６）は、ＡｌＮ,Ａｌ２Ｏ３,
    ＳｉＣ又はダイアモンドセラミックから構成され、 ｃ）前記冷却体（７ａ）は、ＡｌＳｉＣ,ＣｕＳｉＣ又
    はＡｌＳｉから構成され、及び/又は前記冷却構造は
    （７ｂ）は、ＡｌＳｉＣ,ＣｕＳｉＣ,ＡｌＳｉ,Ａｌ又
    はＣｕから構成され、且つ ｄ）前記ハウジング（８）は、誘電体、特にプラスチッ
    クから構成され、または金属から構成されることを特徴
    とする請求項４乃至請求項８のいずれか１つに記載のパ
    ワー半導体モジュール。
  10. 【請求項１０】ａ）前記パワー半導体モジュール（１）
    は、プリント回路板（１３）をサブモジュール（２）へ
    電気的に接続するための、制御エレクトロニクス（１
    ２）、プリント回路板（１３）及びコンタクト（１４）
    を有し、 ｂ）前記制御エレクトロニクス（１２）、前記プリント
    回路板（１３）及びサブモジュール（２）は、共通ハウ
    ジング（８）内に一体化され、且つ ｃ）サブバー（１６）は、前記プリント回路板（１３）
    と接触するためのバスバーが、特に前記ハウジング
    （８）に更に配列されることを特徴とする請求項１乃至
    請求項９のいずれか１つに記載のパワー半導体モジュー
    ル。
  11. 【請求項１１】請求項１乃至請求項１０のいずれか１つ
    に記載された２つのパワー半導体モジュール（１）は、
    互いにミラー像として配列され、共通のヒートシンク
    （７）を有し、且つ共通のハウジング（８）に収容され
    ることを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれか
    １つに記載のパワー半導体モジュール。
  12. 【請求項１２】サブモジュール（２）の数は、前記パワ
    ー半導体モジュール（１）によって必要とされるスイッ
    チング能力に基づいて選択されることを特徴とする請求
    項１乃至請求項１１のいずれか１つに記載のパワー半導
    体モジュール。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10360573A1 (de) * 2003-12-22 2005-07-28 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH Leistungshalbleitermodul
WO2005098943A1 (en) * 2004-04-06 2005-10-20 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Semiconductor element mounting substrate, semiconductor module, and electric vehicle
JP2009206191A (ja) * 2008-02-26 2009-09-10 Sumitomo Electric Ind Ltd パワーモジュール
US7638910B2 (en) 2005-01-28 2009-12-29 Mitsubishi Electric Corporation Electric rotating machine
JP2011151981A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Mitsubishi Electric Corp 車載用電力変換装置
JP2012157161A (ja) * 2011-01-26 2012-08-16 Mitsubishi Electric Corp 電力変換装置
KR101215125B1 (ko) 2008-05-08 2012-12-24 도요타 지도샤（주） 반도체 장치
JP2017017133A (ja) * 2015-06-30 2017-01-19 昭和電工株式会社 液冷式冷却装置
US9646912B2 (en) 2013-09-10 2017-05-09 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and semiconductor module having cooling fins

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10006215A1 (de) 2000-02-11 2001-08-16 Abb Semiconductors Ag Baden Kühlvorrichtung für ein Hochleistungs-Halbleitermodul
DE10027688A1 (de) * 2000-05-27 2001-12-06 Daimler Chrysler Ag Verfahren zum Ertüchtigen einer unstrukturierten Bodenplatte eines elektronischen Bauelements für den Einsatz bei einer Flüssigkühlung und elektronisches Bauelement mit einer nach diesem Verfahren hergestellten Bodenplatte
EP1315205A4 (en) * 2000-08-09 2009-04-01 Mitsubishi Materials Corp POWER MODULE AND POWER MODULE WITH COOLING BODY
DE10062108B4 (de) * 2000-12-13 2010-04-15 Infineon Technologies Ag Leistungsmodul mit verbessertem transienten Wärmewiderstand
FR2827424B1 (fr) * 2001-07-13 2005-02-18 Thales Sa Composant electronique encapsule comportant un dispositif electronique de puissance et procede de fabrication
KR20040058095A (ko) * 2001-12-13 2004-07-03 소니 가부시끼 가이샤 냉각 장치, 전자기기 장치 및 냉각 장치의 제조 방법
JP4133170B2 (ja) 2002-09-27 2008-08-13 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 アルミニウム−セラミックス接合体
EP1403923A1 (en) * 2002-09-27 2004-03-31 Abb Research Ltd. Press pack power semiconductor module
FR2853808B1 (fr) * 2003-04-09 2006-09-15 Alstom Module de commutation de puissance et ondulateur equipe de ce module
DE10340681B4 (de) * 2003-09-04 2006-09-28 M.Pore Gmbh Verfahren zur Herstellung einer stoffschlüssigen, wärmeleitenden Verbindung zwischen einer offenporigen Schaumstruktur und einem nichtporösen Grundkörper für Wärmeübertrager, insbesonderer Kühlkörper
DE102004018471B4 (de) * 2004-04-16 2009-04-16 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleiterschaltung und Verfahren zum Herstellen einer Leistungshalbleiterschaltung
DE102004018469B3 (de) 2004-04-16 2005-10-06 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH Leistungshalbleiterschaltung
DE102006006175A1 (de) 2006-02-10 2007-08-23 Ecpe Engineering Center For Power Electronics Gmbh Leistungselektronikanordnung
DE102006009978B4 (de) * 2006-03-03 2008-12-18 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleitermodul
CN101443904B (zh) * 2006-03-13 2010-11-10 株式会社丰田自动织机 功率模块用基体
JP2007305962A (ja) * 2006-05-12 2007-11-22 Honda Motor Co Ltd パワー半導体モジュール
US7755185B2 (en) * 2006-09-29 2010-07-13 Infineon Technologies Ag Arrangement for cooling a power semiconductor module
JP4293246B2 (ja) * 2007-02-19 2009-07-08 株式会社日立製作所 電力変換装置
US7911806B2 (en) 2007-09-28 2011-03-22 Hitachi, Ltd Method and apparatus for reducing EMI emissions from a power inverter
US7916480B2 (en) 2007-12-19 2011-03-29 GM Global Technology Operations LLC Busbar assembly with integrated cooling
US7898807B2 (en) * 2009-03-09 2011-03-01 General Electric Company Methods for making millichannel substrate, and cooling device and apparatus using the substrate
US20100314072A1 (en) * 2009-06-11 2010-12-16 Hsing-Chung Lee Base plate with tailored interface
CN101916747B (zh) * 2010-08-23 2012-05-23 上海中科深江电动车辆有限公司 电动汽车控制器用igbt散热结构及相关部件
CN103988295B (zh) * 2011-12-21 2016-08-17 南京皓赛米电力科技有限公司 用于高功率电子元件封装含微通道的引线框架焊盘及封装结构和工艺
DE112012006007T5 (de) * 2012-03-09 2014-11-20 Mitsubishi Electric Corp. Halbleitermodul
JP2014099547A (ja) * 2012-11-15 2014-05-29 Mitsubishi Electric Corp 電力半導体モジュールおよびその製造方法
EP2966934B1 (de) 2014-07-08 2016-09-14 Eberspächer catem GmbH & Co. KG Steuervorrichtung für eine elektrische Heizvorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE102016106681A1 (de) 2016-04-12 2017-10-12 First Sensor Lewicki GmbH Elektronische Baugruppe
DE102016004508A1 (de) 2016-04-13 2017-10-19 Audi Ag Leiterplatte und Kraftfahrzeug
DE102016125348B4 (de) * 2016-12-22 2020-06-25 Rogers Germany Gmbh Trägersubstrat für elektrische Bauteile und Verfahren zur Herstellung eines Trägersubstrats
CN108511429A (zh) * 2018-05-02 2018-09-07 欣旺达电子股份有限公司 提高igbt模块散热性能的结构
WO2021013956A1 (en) * 2019-07-25 2021-01-28 Abb Power Grids Switzerland Ag Power semiconductor module and method of forming the same
EP3869549A1 (en) 2020-02-24 2021-08-25 Volvo Car Corporation Modular power supply
CN111397269A (zh) * 2020-04-01 2020-07-10 陈志明 一种移动式无压缩机电子冷柜
DE102021001968A1 (de) * 2021-04-15 2022-10-20 3-5 Power Electronics GmbH Gehäustes Halbleiterbauteil
EP4227995A1 (en) * 2022-02-09 2023-08-16 Hitachi Energy Switzerland AG Power electronics module and method for its manufacturing
US20240162117A1 (en) * 2022-11-14 2024-05-16 Semiconductor Components Industries, Llc Power electronics package with dual-single side cooling water jacket

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5347426A (en) * 1988-09-13 1994-09-13 Pechiney Recherche Electronic device including a passive electronic component
US5227338A (en) * 1990-04-30 1993-07-13 International Business Machines Corporation Three-dimensional memory card structure with internal direct chip attachment
US5097387A (en) * 1990-06-27 1992-03-17 Digital Equipment Corporation Circuit chip package employing low melting point solder for heat transfer
JP2777464B2 (ja) * 1990-07-18 1998-07-16 株式会社日立製作所 電子装置と、これを用いたエンジンの点火装置
JP2838625B2 (ja) * 1992-09-08 1998-12-16 株式会社日立製作所 半導体モジュール
EP0597144A1 (de) * 1992-11-12 1994-05-18 IXYS Semiconductor GmbH Hybride leistungselektronische Anordnung
US5349498A (en) * 1992-12-23 1994-09-20 Hughes Aircraft Company Integral extended surface cooling of power modules
DE4338706A1 (de) * 1993-08-24 1995-05-04 Schulz Harder Juergen Mehrschicht-Substrat
DE9320574U1 (de) * 1993-12-22 1994-09-22 Siemens Nixdorf Informationssysteme AG, 33106 Paderborn Anordnung zum Verbessern des Wärmeüberganges zwischen einem elektrischen Bauelement und einer Wärmesenke
JP2918191B2 (ja) * 1994-04-11 1999-07-12 同和鉱業株式会社 金属−セラミックス複合部材の製造方法
US5705848A (en) * 1995-11-24 1998-01-06 Asea Brown Boveri Ag Power semiconductor module having a plurality of submodules

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10360573B4 (de) * 2003-12-22 2008-02-14 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleitermodul
DE10360573A1 (de) * 2003-12-22 2005-07-28 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH Leistungshalbleitermodul
WO2005098943A1 (en) * 2004-04-06 2005-10-20 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Semiconductor element mounting substrate, semiconductor module, and electric vehicle
US7638910B2 (en) 2005-01-28 2009-12-29 Mitsubishi Electric Corporation Electric rotating machine
JP2009206191A (ja) * 2008-02-26 2009-09-10 Sumitomo Electric Ind Ltd パワーモジュール
KR101215125B1 (ko) 2008-05-08 2012-12-24 도요타 지도샤（주） 반도체 장치
US8384211B2 (en) 2008-05-08 2013-02-26 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Semiconductor apparatus with improved efficiency of thermal radiation
US8686601B2 (en) 2010-01-22 2014-04-01 Mitsubishi Electric Corporation Power conversion apparatus for vehicle use
JP2011151981A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Mitsubishi Electric Corp 車載用電力変換装置
JP2012157161A (ja) * 2011-01-26 2012-08-16 Mitsubishi Electric Corp 電力変換装置
US9646912B2 (en) 2013-09-10 2017-05-09 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and semiconductor module having cooling fins
US9935034B2 (en) 2013-09-10 2018-04-03 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and semiconductor module having cooling fins
JP2017017133A (ja) * 2015-06-30 2017-01-19 昭和電工株式会社 液冷式冷却装置

Also Published As

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DE19735531A1 (de) 1999-02-18
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