DE10360573A1 - Leistungshalbleitermodul - Google Patents

Leistungshalbleitermodul Download PDF

Info

Publication number
DE10360573A1
DE10360573A1 DE2003160573 DE10360573A DE10360573A1 DE 10360573 A1 DE10360573 A1 DE 10360573A1 DE 2003160573 DE2003160573 DE 2003160573 DE 10360573 A DE10360573 A DE 10360573A DE 10360573 A1 DE10360573 A1 DE 10360573A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
power semiconductor
semiconductor module
module according
heat storage
elements
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE2003160573
Other languages
English (en)
Other versions
DE10360573B4 (de
Inventor
Elmar Krause
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
EUPEC GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by EUPEC GmbH filed Critical EUPEC GmbH
Priority to DE2003160573 priority Critical patent/DE10360573B4/de
Publication of DE10360573A1 publication Critical patent/DE10360573A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10360573B4 publication Critical patent/DE10360573B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/71Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/72Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/003Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301Thyristor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1306Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3011Impedance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul (1) mit wenigstens zwei Halbleiterelementen (2a, 2b) und wenigstens einem Wärmespeicher (3a, 3b), wobei wenigstens einer der Wärmespeicher (3a, 3b) ausschließlich mit einem der Halbleiterelemente (2a, 2b) in thermischem Kontakt steht.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul mit wenigstens zwei Halbleiterelementen.
  • Derartige elektronische Leistungshalbleitermodule werden beispielsweise dann eingesetzt, wenn hohe Ströme zu steuern, zu regeln oder zu schalten sind. Dabei kann es wenigstens in bestimmten Betriebsphasen zu einer erhöhten Verlustleistung in den Halbleiterelementen kommen, die in Form von Wärme von dem Halbleiterelement abgeführt werden muss.
  • Ein typisches Anwendungsbeispiel für ein derartiges Leistungshalbleitermodul sind Ansteuereinheiten für Elektromotore. Hier entstehen insbesondere in der Anlaufphase über einen bestimmten Zeitraum besonders hohe Verlustleistungen, so dass auch die von den Halbleiterelementen abzuführende Wärme in diesem Zeitraum besonders hoch ist.
  • Ein derartiges Leistungshalbleitermodul ist aus der DE 100 22 341 A1 bekannt. Dieses bekannte Leistungshalbleitermodul weist zwei elektrisch antiparallel geschaltete Halbleiterelemente und mindestens einen Kühlkörper auf, wobei die beiden Halbleiterelemente über eine Druckkontaktierung zwischen mindestens zwei leitende Schienen eingespannt sind.
  • Ein Nachteil des hier beschriebenen elektronischen Leistungshalbleitermoduls ist die mangelnde Flexibilität des Modulaufbaus in Folge der für die Kühlung mehrerer Halbleiterelemente gemeinsam genutzter Komponenten.
  • Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Leistungshalbleitermodul der eingangs genannten Art vorzustellen, dessen Halbleiterelemente auf einfache und wirt schaftliche Weise flexibel angeordnet und hinsichtlich ihrer Kühlung individuell optimiert werden können.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. Ausgestaltungen und Weiterbildungen des Erfindungsgedankens sind Gegenstand von Unteransprüchen.
  • Ein erfindungsgemäßes Leistungshalbleitermodul weist wenigstens zwei Paare aus jeweils einem Halbleiterelement und einem Wärmespeicher auf, wobei der Wärmespeicher eines Paares mit dem Halbleiterelement desselben Paares und nur mit diesem Halbleiterelement in thermischem Kontakt steht.
  • Das bedeutet, dass ein Wärmespeicher genau einem der Halbleiterelemente in dem Sinn zugeordnet ist, dass es von diesem Halbleiterelement abgegebene Wärme aufnimmt. Daher ist es erforderlich, dass jeder Wärmespeicher mit dem ihm zugeordneten Halbleiterelement in thermisch leitendem Kontakt steht.
  • Ein Wärmespeicher ist also exklusiv immer nur einem, jedoch nicht zwei oder mehreren Halbleiterelementen zugeordnet, während einem Halbleiterelement durchaus mehrere Wärmespeicher zugeordnet sein können.
  • Unter einem Wärmespeicher versteht man eine Vorrichtung, die Wärme schnell aufnimmt, zwischenspeichert und anschließend langsam wieder abgibt. Hierin besteht auch der Unterschied zu einem Kühlkörper, dessen Zweck darin besteht, die aufgenommene Wärme schnell wieder abzugeben. Kühlkörper werden in Bereichen eingesetzt, in denen es darauf ankommt, kontinuierlich anfallende Wärme ebenso kontinuierlich wieder abzugeben. Im Gegensatz dazu werden Wärmespeicher dann verwendet, wenn ein zu kühlendes Element kurzzeitig, d.h. in einem beschränkten Zeitraum, überdurchschnittlich viel Abwärme produziert.
  • Das Wesensmerkmal eines Kühlkörpers besteht darin, eine möglichst große Oberfläche bereitzustellen, um die aufgenommene Wärme so schnell wie möglich abzuleiten. Ein Wärmespeicher hingegen muss ein hohes Wärmespeichervermögen, also eine hohe Wärmekapazität aufweisen. Die Wärmekapazität eines Körpers aus einem bestimmten Material steigt proportional zu dessen Masse, d.h. ein guter Wärmespeicher zeichnet sich durch große Masse aus.
  • Bei den in einem erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermodul verwendeten Halbleiterelementen handelt es sich typischerweise um Dioden, Thyristoren, IGBTs, GTOs, IGCTs oder MOSFETs. Die Halbleiterelemente können beispielsweise als Halbleiterzelle, bevorzugt als Scheibenzelle, ausgebildet sein.
  • Die Verwendung von zwei oder mehreren Halbleiterelementen in einem Leistungshalbleitermodul kann sich aus dessen Anwendung ergeben. Ein Beispiel hierfür ist ein Halbbrücken-Leistungshalbleitermodul zur Ansteuerung eines Elektromotors. Ebenso sind auch Vollbrücken- oder Mehrphasen-Leistungshalbleitermodule denkbar.
  • Die Halbleiterelemente eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls können prinzipiell beliebig verschaltet sein. In bevorzugten Ausführungsformen sind dabei zwei oder mehrere Halbleiterelemente parallel oder antiparallel geschaltet.
  • Dadurch, dass ein Wärmespeicher exklusiv mit nur einem der Halbleiterelemente in thermisch leitendem Kontakt steht, ist es möglich, den Wärmespeicher hinsichtlich seines Wärmespeichervermögens, seiner Wärmeleitfähigkeit, seiner geometrischen Form, sowie hinsichtlich seiner Positionierung und Ausrichtung innerhalb des elektronischen Leistungshalbleitermoduls individuell anzupassen.
  • Bei bevorzugten Ausführungsformen ist ein Wärmespeicher quader- oder zylinderförmig ausgebildet. Verschiedene Wärmespeicher eines Leistungshalbleitermoduls können erfindungsgemäß unterschiedliche Höhen, Längen, Breiten bzw. Durchmesser aufweisen.
  • Da ein in einem erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermodul verwendetes Halbleiterelement einerseits in gutem thermischen Kontakt mit einem ihm zugeordneten Wärmespeicher stehen muss und andererseits wegen der vorkommenden hohen Ströme eine mit ausreichendem Querschnitt ausgelegte elektrische Kontaktierung benötigt, ist es vorteilhaft, den Wärmespeicher elektrisch leitend mit dem ihm zugeordneten Halbleiterelement zu kontaktieren. Der Wärmespeicher übernimmt damit zusätzlich zur Funktion der Wärmespeicherung auch die Funktion der elektrischen Kontaktierung des elektronischen Leistungshalbleitermoduls.
  • Üblicherweise ist ein in einem erfindungsgemäßen elektronischen Leistungshalbleitermodul verwendetes Halbleiterelement mit wenigstens zwei Lastanschlüssen versehen. Meist ist zumindest einer dieser Lastanschlüsse mit einem Anschlusskontakt zur äußeren Kontaktierung des elektrischen Leistungshalbleitermoduls elektrisch leitend verbunden.
  • In besonders vorteilhafter Weise ist dann der Wärmespeicher zwischen dem Halbleiterelement und dem Anschlusskontakt angeordnet und mit diesem elektrisch leitend verbunden. Die in dem Halbleiterelement anfallende Wärme kann so in Folge der thermischen Kontaktierung zum Wärmespeicher hin abgeleitet werden.
  • Häufig ist es auch sinnvoll oder erforderlich, dass zwei oder mehrere der Halbleiterelemente eines Leistungshalbleitermoduls einen gemeinsamen elektrischen Kontakt aufweisen. Ein derartiger gemeinsamer elektrischer Kontakt muss daher eine bestimmte minimale Stromtragfähigkeit aufweisen, da sich die Ströme der einzelnen, elektrisch miteinander kontaktierten Halbleiterelemente addieren. Des Weiteren kann ein Teil der in den miteinander verbundenen Halbleiterelementen anfallen den Wärme in dem gemeinsamen elektrischen Kontakt gespeichert oder über diesen abgeleitet werden.
  • Als Materialien für einen derartigen gemeinsamen elektrischen Kontakt eignen sich daher im Besonderen Materialien mit hohem Wärmespeichervermögen, d.h. mit hoher spezifischer Wärmekapazität bei gleichzeitig guter thermischer und elektrischer Leitfähigkeit.
  • Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist der gemeinsame elektrische Kontakt als Stromschiene ausgebildet. Besonders bevorzugt ist der gemeinsame elektrische Kontakt als Gehäuseelement, beispielsweise als Gehäuseboden, als Gehäusedeckel, oder Seitenwand ausgebildet.
  • Um die in einem Wärmespeicher oder die in einem gemeinsamen elektrischen Kontakt gespeicherte Wärme ausreichend gut abzuführen, kann der Wärmespeicher bzw. der gemeinsame elektrische Kontakt zusätzlich mit einem herkömmlichen Kühlkörper versehen werden. Eine entsprechend gute thermische Kontaktierung des Kühlkörpers mit dem Wärmespeicher ist dabei anzustreben.
  • Als Materialien für einen Wärmespeicher bzw. einen gemeinsamen elektrischen Kontakt eignen sich insbesondere Kupfer, Aluminium oder eine Legierung eines dieser Elemente mit einem oder mehreren anderen Metallen.
  • Für eine gute thermische bzw. elektrische Kontaktierung von zwei oder mehreren der oben genannten Komponenten, also Halbleiterelementen, Wärmespeichern, Anschlusskontakten oder gemeinsamer elektrischer Kontakte besteht entweder die Möglichkeit, diese dauerhaft miteinander zu verbinden, beispielsweise durch Schweißen oder Löten, oder diese durch eine von außen wirkende Kraft aneinander zu pressen.
  • Module der zuletzt genannten Art werden auch als DK-Module bezeichnet (DK = Druckkontaktierung). Zu deren Realisierung ist eine Spannvorrichtung vorgesehen. Diese kann beispielsweise aus einer Platte bestehen, die die miteinander zu kontaktierenden Elemente mittels zweier oder mehrerer Schrauben gegen einen Grundkörper presst, der beispielsweise aus einem gemeinsamen elektrischen Kontakt oder dem Boden, dem Deckel bzw. der Seitenwand eines Gehäuses gebildet sein kann.
  • Bei bestimmten Ausführungsformen der Spannvorrichtung kann es erforderlich sein, zwischen bestimmte der miteinander in thermischen Kontakt zu bringenden Elemente einen Isolator – beispielsweise in Form einer Isolierschicht – einzufügen, um einen Kurzschluss des Halbleiterelements zu vermeiden.
  • Derartige Isolatoren müssen einerseits eine ausreichende elektrische Isolierung bieten und andererseits eine gute Wärmeübertragung zulassen. Hierfür eignen sich beispielsweise Keramikscheiben oder Isolierfolien.
  • Generell ist es für alle thermisch und elektrisch gut leitenden Kontaktierungen vorteilhaft, wenn die miteinander in Kontakt stehenden Komponenten möglichst große Kontaktflächen aufweisen.
  • Um eine möglichst hohe Isolierfestigkeit zu erreichen, ist es sinnvoll, die Module mit einer geeigneten Vergussmasse zu vergießen.
  • Ausführungsbeispiele eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls sind in den Zeichnungen dargestellt und werden im Folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
  • 1 ein erfindungsgemäßes Leistungshalbleitermodul mit zwei antiparallel geschalteten Halbleiterelementen, von denen jedes mit einem Wärmespeicher elektrisch und thermisch kontaktiert ist, im Querschnitt,
  • 2 ein erfindungsgemäßes Leistungshalbleitermodul gemäß 1, jedoch mit unterschiedlich dimensionierten Wärmespeichern im Querschnitt.
  • Das in 1 dargestellte Leistungshalbleitermodul 1 ist als DK-Modul aufgebaut und zeigt eine Halbbrücke mit zwei antiparallel geschalteten Halbleiterelementen 2a, 2b. Beide Halbleiterelemente 2a, 2b liegen flächig auf einem gemeinsamen elektrischen Kontakt 6 auf, der das Unterteil 6 des Gehäuses des Leistungshalbleitermoduls 1 bildet. Das Gehäuseunterteil 6 besteht wegen der guten thermischen und elektrischen Eigenschaften beispielsweise aus Kupfer.
  • Auf der dem Gehäuseunterteil 6 abgewandten Seite der Halbleiterelemente 2a, 2b ist jeweils ein Wärmespeicher 3a, 3b angeordnet, so dass je einer der Wärmespeicher 3a, 3b und je eines der Halbleiterelemente 2a, 2b Paare (2a, 3a) bzw. (2b, 3b) bilden. Das Halbleiterelement 2a, 2b und der Wärmespeicher 3a, 3b eines Paares stehen in thermisch und elektrisch gut leitendem Kontakt.
  • Um diesen guten thermischen und elektrischer Kontakt zu gewährleisten, wird die Abfolge aus dem Halbleiterelement 2a, 2b, dem Wärmespeicher 3a, 3b, der Isolierschicht 5a, 5b und der internen Kontaktfläche 10b, 11b des mehrfach gewinkelten Anschlusskontaktes 10, 11 mittels einer Spannvorrichtung 7, 8 an das Gehäuseunterteil 6 gepresst.
  • Die Isolierschichten 5a, 5b verhindern, dass die Halbleiterelemente 2a, 2b durch die Spannvorrichtung 7, 8 kurzgeschlossen werden.
  • Die Spannvorrichtung selbst setzt sich aus einer Flachfeder 7a, 8a sowie Schrauben 7b, 7c, 8b, 8c zusammen. Anstelle der Flachfeder 7a, 8a kann auch eine Platte oder ein Bügel eingesetzt werden. Die Spannvorrichtung 8a, 8b, 8c für das rechts angeordnete Halbleiterelement 2b weist zusätzlich eine Tellerfeder 9 auf, die zwischen der Flachfeder 8a und der Isolierung 5b angeordnet ist.
  • Die Anschlusskontakte 10, 11 sind mehrfach gewinkelt und weisen externe Kontaktflächen 10a, 11a zur externen sowie interne Kontaktflächen 10b, llb zur internen Kontaktierung auf. Sowohl die externen 10a, 11a als auch die internen 10b, 11b Kontaktflächen sind zur Erzielung eines möglichst geringen elektrischen wie thermischen Übergangswiderstandes großflächig ausgestaltet.
  • Ein Teil der in den Halbleiterelementen 2a, 2b anfallenden Wärme kann auf das Gehäuseunterteil 6 abgeführt werden.
  • Das in 1 vorgestellte, erfindungsgemäße DK-Modul weist somit sowohl einen sehr geringen thermischen Übergangswiderstand (Rthjc) als auch eine sehr geringe transiente Thermische Impedanz (Zthjc) auf.
  • Eine Abwandlung des erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls nach 1 zeigt 2. Im Unterschied dazu sind hier die Wärmespeicher 3a, 3b unterschiedlich dimensioniert. Beide Wärmespeicher 3a, 3b sind quaderförmig ausgebildet, weisen dieselbe Grundfläche, jedoch unterschiedliche Höhen auf.
  • Die bei dem Halbleiterelement 2b auftretende maximale Verlustleistung ist höher als die bei dem Halbleiterelement 2a. Daher erfordert auch der dem Halbleiterelement 2b zugeordnete Wärmespeicher 3b eine höhere Wärmekapazität als der dem Halbleiterelement 2a zugeordnete Wärmespeicher 3a und besitzt daher eine größere Bauform als dieser.
  • Grundsätzlich können die Abmessungen der einzelnen Wärmespeicher 3a, 3b beliebig sein. Wesentlich ist, dass ihre Wärmeka pazität eines Wärmespeichers individuell an das ihm zugeordnete Halbleiterelement 2a, 2b angepasst ist.
  • 1
    Leistungshalbleitermodul
    2a,2b
    Halbleiterelement
    3a,3b
    Wärmespeicher
    5a,5b
    Isolierschicht
    6
    Gemeinsamer elektrischer Kontakt
    7a,8a
    Flachfeder
    7b,7c,8b,8c
    Schrauben
    9
    Tellerfeder
    10,11
    Anschlusskontakte
    10a,11a
    externe Kontaktfläche des Anschlusskontaktes
    10b,llb
    interne Kontaktfläche des Anschlusskontaktes

Claims (15)

  1. Leistungshalbleitermodul mit wenigstens zwei Paaren aus jeweils einem Halbleiterelement (2a, 2b) und einem Wärmespeicher (3a, 3b), wobei der Wärmespeicher (3a, 3b) eines Paares mit dem Halbleiterelement (2a, 2b) desselben Paares und nur mit diesem Halbleiterelement (2a, 2b) in thermischem Kontakt steht.
  2. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, bei dem wenigstens einer der Wärmespeicher (3a) elektrisch leitend das ihm zugeordnete Halbleiterelement (2a) kontaktiert.
  3. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1 oder 2, bei dem wenigstens eines der Halbleiterelemente (3a, 2b) mit einem Anschlusskontakt (10, 11) elektrisch leitend verbunden ist.
  4. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 3, bei dem einer der Wärmespeicher (3a, 3b) zwischen dem wenigstens einen Halbleiterelement (2a, 2b) und dem Anschlusskontakt (10, 11) angeordnet ist und diese elektrisch leitend verbindet.
  5. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem wenigstens zwei der Halbleiterelemente (2a, 2b) einen gemeinsamen elektrischen Kontakt (6) aufweisen.
  6. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 5, bei dem der gemeinsame elektrische Kontakt (6) als Stromschiene oder als Gehäuseelement (6) ausgebildet ist.
  7. Leistungshalbleitermodul nach einem der Ansprüche 5 oder 6, bei dem der gemeinsame elektrische Kontakt (6) als Boden, Deckel oder Seitenwand eines Gehäuses ausgebildet ist.
  8. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem wenigstens einer der Wärmespeicher (3a, 3b) aus Kupfer, Aluminium oder einer Legierung eines dieser Elemente mit einem oder mehreren anderen Metallen gebildet ist.
  9. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche mit einer Spannvorrichtung (7) zur thermischen und/oder elektrischen Kontaktierung wenigstens eines der Halbleiterelemente (2a, 2b).
  10. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 9, bei dem die Spannvorrichtung (7) Schrauben (7b, 7c, 8b, 8c) aufweist, die eine Flachfeder, eine Platte oder einen Bügel mit einem mechanisch stabilen Element verschrauben.
  11. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem wenigstens zwei der Halbleiterelemente (2a, 2b) elektrisch parallel oder elektrisch antiparallel geschaltet sind.
  12. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Wärmespeicherkapazität der mit einem Halbleiterelement (2a, 2b) in thermischem Kontakt stehenden Wärmespeicher (3a, 3b) an das Halbleiterelement (2a, 2b) angepasst ist.
  13. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem wenigstens eines der Halbleiterelemente (2a, 2b) als Halbleiterzelle oder als Scheibenzelle ausgebildet ist.
  14. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, das als Halb- oder Vollbrücke oder als Mehrphasensystem ausgebildet ist.
  15. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche mit einem Gehäuse, dessen Innenraum mittels einer Vergussmasse vergossen ist.
DE2003160573 2003-12-22 2003-12-22 Leistungshalbleitermodul Expired - Lifetime DE10360573B4 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2003160573 DE10360573B4 (de) 2003-12-22 2003-12-22 Leistungshalbleitermodul

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2003160573 DE10360573B4 (de) 2003-12-22 2003-12-22 Leistungshalbleitermodul

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10360573A1 true DE10360573A1 (de) 2005-07-28
DE10360573B4 DE10360573B4 (de) 2008-02-14

Family

ID=34706426

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2003160573 Expired - Lifetime DE10360573B4 (de) 2003-12-22 2003-12-22 Leistungshalbleitermodul

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE10360573B4 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005050534B4 (de) * 2005-10-21 2008-08-07 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul
DE102005047566C5 (de) * 2005-10-05 2011-06-09 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anordnung mit einem Leistungshalbleiterbauelement und mit einem Gehäuse sowie Herstellungsverfahren hierzu

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11121691A (ja) * 1997-08-16 1999-04-30 Abb Res Ltd パワー半導体モジュール

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10022341B4 (de) * 2000-05-08 2005-03-31 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG Elektronisches Leistungsmodul

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11121691A (ja) * 1997-08-16 1999-04-30 Abb Res Ltd パワー半導体モジュール

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 11121691 AA

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005047566C5 (de) * 2005-10-05 2011-06-09 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anordnung mit einem Leistungshalbleiterbauelement und mit einem Gehäuse sowie Herstellungsverfahren hierzu
DE102005050534B4 (de) * 2005-10-21 2008-08-07 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul

Also Published As

Publication number Publication date
DE10360573B4 (de) 2008-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102011104928B4 (de) Kühlungsaufbau eines Kondensators und Umrichter damit
DE69401137T2 (de) Kühlungsanordnung für elektrische Leistungsbauteile
DE4421319A1 (de) Niederinduktives Leistungshalbleitermodul
DE102008061489A1 (de) Stromrichtermodul mit gekühlter Verschienung
EP1083599B1 (de) Leistungshalbleitermodul
EP2254228A1 (de) Leistungselektronisches Schaltmodul sowie System mit solchen Schaltmodulen
DE102005046063B3 (de) Leistungshalbleitermodul mit Überstromschutzeinrichtung
EP1281303B1 (de) Elektronisches leistungsmodul
EP1642334B1 (de) Elektronisches leistungsmodul mit gummidichtung und entsprechendes herstellungsverfahren
WO2003032390A2 (de) Anordnung mit leistungshalbleiterbauelementen zur leistungssteuerung hoher ströme und anwendung der anordnung
EP3874917B1 (de) Hochstromschaltung
EP1768182B1 (de) Leistungshalbleitermodul mit Überstromschutzeinrichtung
WO2006063539A1 (de) Halbleiterschaltmodul
CH617535A5 (de)
DE10360573B4 (de) Leistungshalbleitermodul
DE102019110716B3 (de) Leistungshalbleitermodul mit Leistungshalbleiterschaltern
EP3181284A1 (de) Stromrichterschaltung
DE102010051572B4 (de) Halbleiterbauelementevorrichtung und Photovoltaik-Anlage
DE102020216305B4 (de) Elektrische Schaltvorrichtung
DE102009024384B4 (de) Leistungshalbleitermodul in gestapelter Bauweise
DE10236525A1 (de) Ventilbautelement-Satz in Zweigpaar-Konfiguration für einen elektrischen Wechselrichter
EP3799704A1 (de) Leistungshalbleitermodul
EP4042480A1 (de) Schneller elektronischer schalter
DE102019120972B4 (de) Anordnung zur Leistungsregelung
DE102006045696B3 (de) Elektronisches Leistungsmodul

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 81669 MUENCHEN, DE

8364 No opposition during term of opposition
R071 Expiry of right