JPH11109316A

JPH11109316A - 液晶表示装置の製造方法

Info

Publication number: JPH11109316A
Application number: JP9272853A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Kamata; 豪鎌田; Yoji Nagase; 洋二長瀬
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1997-10-06
Filing date: 1997-10-06
Publication date: 1999-04-23
Anticipated expiration: 2017-10-06
Also published as: JP3886612B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ＩＰＳ型液晶表示装置において、液晶分子の
配向方向を配向膜のラビング方向に揃えることができ
て、表示品質が高い液晶表示装置の製造方法を提供す
る。【解決手段】液晶を封入したパネル１の一部領域を、
液晶のアイソトロピック相−ネマティック相の相転移温
度異常に加熱し、パネル１を移動させて相転移領域を走
査する。加熱によりネマティック相からアイソトロピッ
ク相に相転移した液晶は、再度ネマティック相に相転移
する際に、配向膜のラビング方向に配向する。加熱領域
を走査することにより、液晶分子は先に配向した液晶分
子の配向方向に倣って配向し、パネル全体の液晶の配向
方向が均一化される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶分子の配列状
態を画素毎に制御する１組の電極を一方の透明基板上に
設けたＩＰＳ（In-Plane Switching）型の液晶表示装置
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置は、薄くて軽量であるとと
もに低電圧で駆動できて消費電力が少ないという長所が
あり、近年、パーソナルコンピュータのディスプレイや
テレビ等に広く使用されるようになった。一般的なＴＮ
（Twisted Nematic ）型液晶表示装置は、２枚の透明ガ
ラス基板の間に液晶を封入した構造を有している。それ
らのガラス基板の相互に対向する２つの面（対向面）の
うち、一方の面側にはブラックマトリクス、カラーフィ
ルタ、対向電極及び配向膜等が形成され、また他方の面
側にはアクティブマトリクス回路、画素電極及び配向膜
等が形成されている。更に各ガラス基板の対向面と反対
側の面には、それぞれ偏光板が貼り付けられている。こ
れらの２枚の偏光板は、例えば偏光板の偏光軸が互いに
直交するように配置され、これによれば、電界をかけな
い状態では光を透過し、電界を印加した状態では遮光す
るモード、すなわちノーマリーホワイトモードとなる。
また、２枚の偏光板の偏光軸が平行な場合には、電界を
かけない状態では光を遮光し、電界を印加した状態では
透過するモード、すなわちノーマリーブラックモードと
なる。

【０００３】しかし、ＴＮ型液晶表示パネルでは、ＣＲ
Ｔに比べて視角特性が劣り、画面を見る角度によってコ
ントラストが変化してしまうという欠点がある。近年、
ＴＮ型液晶表示パネルに比べて視角特性が優れた液晶表
示装置として、ＩＰＳ型の液晶表示装置が開発されてい
る（特開平７−１９１３３６号公報及び特開平９−５７
６３号公報等）。ＩＰＳ型液晶表示装置は、一方の透明
基板側にＴＦＴ（Thin Film Transistor）、画素電極及
びコモン電極（対向電極）等が形成され、他方の透明基
板側にはカラーフィルタ等が形成されている。以下、Ｔ
ＦＴが形成された基板をＴＦＴ基板、カラーフィルタが
形成された基板をＣＦ基板という。

【０００４】図１０はＩＰＳ型液晶表示装置を示す断面
図、図１１は同じくそのＩＰＳ型液晶表示装置のＴＦＴ
基板５０を示す平面図である。なお、図１０は図１１の
Ｂ−Ｂ線に対応する位置における断面を示す。このＩＰ
Ｓ型液晶表示装置は、相互に対向して配置されたＴＦＴ
基板５０及びＣＦ基板６０と、これらの基板５０，６０
間の間隔を一定に維持するための球形スペーサ７３と、
基板５０，６０間に封入された液晶７４と、基板５０，
６０の外面に配置された１対の偏光板（図示せず）とに
より構成されている。

【０００５】ＴＦＴ基板５０は以下のように構成されて
いる。すなわち、ガラス基板５１上には、図１１に示す
ように、ゲートバスライン５３及びコモンバスライン５
２が相互に平行に形成されている。また、ガラス電極５
１上には、ゲートバスライン５３及びコモンバスライン
５２に直交して複数本のドレインバスライン５５が形成
されている。これらのゲートバスライン５３、コモンバ
スライン５２及びドレインバスライン５５に囲まれた領
域が画素領域であり、各画素領域には複数本のコモン電
極５２ａ及び画素電極５６が相互に平行に形成されてい
る。各画素領域毎に、コモン電極５２ａの一端側は接続
線５２ｂにより接続され、画素電極５６の一端側はソー
ス電極５７ｂにより接続され、画素電極５６の他端側は
接続線５６ａに接続されている。

【０００６】ゲートバスライン５３、コモンバスライン
５２及びコモン電極５２ａは、透明絶縁膜５４に覆われ
ており、この絶縁膜５４上にドレインバスライン５５及
び画素電極５６が形成されている。また、絶縁膜５４上
には、ソース電極５７ｂ及びドレイン電極５７ａがゲー
トバスライン５３を挟んで形成されている。このソース
電極５７ｂは画素電極５６に接続され、ドレイン電極５
７ａはドレインバスライン５５に接続されている。ま
た、ソース電極５７ｂ及びドレイン電極５７ａとゲート
バスライン５３との間にはシリコン活性層（図示せず）
が形成されており、これらのソース電極５７ｂ、ドレイ
ン電極５７ａ、ゲートバスライン１３及びシリコン活性
層とによりＴＦＴ５７が構成される。

【０００７】また、基板５１上には、これらのドレイン
バスライン５５、画素電極５６、ドレイン電極５７ｂ及
びソース電極５７ａを覆うようにして配向膜５８が形成
され、この配向膜５８の表面はラビング処理が施されて
いる。一方、ＣＦ基板６０は以下のように構成されてい
る。すなわち、ガラス基板６１の一方の面側には、各画
素領域毎に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）又は青（Ｂ）のカラー
フィルタ６２が形成されており、これらのカラーフィル
タ６２は配向膜６３に覆われている。

【０００８】このように構成されたＩＰＳ型液晶表示装
置において、電圧を印加しない状態では液晶分子は配向
膜のラビング方向に沿って配向している。一般的に、Ｉ
ＰＳ型液晶表示装置では、配向膜のラビング方向（図１
１中に矢印で示す）は画素電極５６に対し約１５°の角
度で傾いており、従って、図１２（ａ）に上面図、図１
２（ｂ）に側面図を示すように、液晶分子７５の長軸は
画素電極５６の長手方向（図１２（ａ）中に矢印で示
す）に対し約１５°傾いた方向にホモジェニアス配向し
ている。この場合、一対の偏光板の偏光軸が交差してい
るとすると、光は偏光板により遮光されて黒表示とな
る。

【０００９】画素電極５６とコモン電極５２ａとの間に
電圧を印加すると、ＴＦＴ基板５０側の液晶分子７５は
電界の方向に配向する。このため、図１３（ａ）に上面
図、図１３（ｂ）に側面図を示すように、液晶分子７５
はＴＦＴ基板５０側からＣＦ基板６０側に徐々に捩じれ
たように配向する。これにより、光は一対の偏光板を透
過する。画素電極５６とコモン電極５２ａとの間に印加
する電圧を変化させることにより、液晶表示装置を透過
する光量を制御することができる。

【００１０】ＩＰＳ型液晶表示装置においては、ＴＮ型
液晶表示装置と異なり、液晶分子７５が基板面に対し常
に平行であり、光の抜けが殆どなくコントラストが高い
ため、視角特性が優れている。ところで、液晶表示装置
の製造工程において、ＴＦＴ基板とＣＦ基板とに間に液
晶を注入する際に、液晶分子は、配向膜のラビング方向
ではなく、液晶の流れる方向に配向する。このため、基
板間に液晶を充填した後、加熱炉内で液晶をネマティッ
ク相からアイソトロピック相への転移温度以上に加熱
し、その後自然冷却してネマティック相に戻す熱処理が
施される。この熱処理により、液晶分子７５の配向方向
が配向膜５８，６３のラビング方向に揃えられる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＩＰＳ型液晶表示装置では、熱処理後も液晶分子の配向
方向がラビング方向と異なる部分が発生しやすく、その
結果、電圧無印加時に黒表示となるべきところに光抜け
が生じることがある。これにより、液晶表示装置のコン
トラストが低下するとともにざらついた表示になり、表
示品質が劣化する。

【００１２】本発明の目的は、ＩＰＳ型液晶表示装置に
おいて、液晶分子の配向方向を配向膜のラビング方向に
揃えることができて、表示品質が高い液晶表示装置の製
造方法を提供することである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記した課題は、相互に
平行に配置された画素電極及びコモン電極を有する第１
の透明基板と、該第１の透明基板に対向配置された第２
の透明基板との間に液晶を封入して液晶パネルとする工
程と、前記液晶パネルの一部領域を、前記液晶のアイソ
トロピック相−ネマティック相の相転移温度以上に加熱
し、加熱領域を走査する工程とを有することを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法により解決する。

【００１４】以下、本発明の作用について説明する。本
願発明者等は、従来のＩＰＳ型液晶表示装置において、
液晶分子の配向方向が熱処理後も配向膜のラビング方向
に揃わない原因を追求した結果、以下のことが判明し
た。すなわち、液晶パネル全体を加熱した後に冷却する
従来方法では、アイソトロピック相からネマティック相
への液晶の相転移がパネル全体でほぼ同時に発生する。
このため、液晶分子はある領域では配向膜のラビング方
向に配向するが、他の領域では例えばスペーサの表面に
沿って配向し、これら配向方向が異なる領域が液晶パネ
ルの全面に亘って混在する状態となり、配向異常が発生
する。

【００１５】そこで、本発明においては、液晶パネルの
全体を同時に加熱するのではなく、一部領域を加熱し、
加熱領域を走査する。加熱によりネマティック相からア
イソトロピック相に変化した液晶は、再度ネマティック
相に相転移する際に、配向膜のラビング方向に配向す
る。加熱領域を走査することにより、アイソトロピック
相からネマティック相に相転移する領域も移動するが、
液晶分子は先に配向した液晶分子の配向方向に倣って配
向するという性質があるため、後から相転移する液晶の
分子も先の液晶分子の配向方向に配向する。これによ
り、パネル全体に亘って液晶分子の配向方向が均一にな
り、配向異常が抑制され、表示品質が良好な液晶表示装
置が得られる。

【００１６】また、図１４（ａ）に側面図、図１４
（ｂ）に平面図を示すように、スペーサ７３が近接して
配置されていると、スペーサ７３間の領域ではスペーサ
７３の表面に沿って液晶分子７５が配向し、本来の配向
方向と異なってしまうことがある。本願発明者等は、ス
ペーサの密度と配向異常との関係を調べた。その結果、
スペーサの密度（平均密度：以下、同じ）が５０個／ｍ
ｍ²を超える場合はスペーサ間の平均距離が短くなり、
配向異常が発生しやすくなることが判明した。従って、
第１及び第２の透明基板間に配置するスペーサの密度は
５０個／ｍｍ²以下とすることが好ましい。

【００１７】更に、液晶がアイソトロピック相からネマ
ティック相に相転移する際に外部電界が加わると、電界
に沿って液晶が配向し、配向異常の原因となる。特に、
ＩＰＳ型液晶表示装置では、第２の透明基板側に電極を
有しないため、電界の影響を受けやすい。このため、第
２の透明基板の外面に透明導電膜を形成したり、又は第
２の透明基板を覆う導電層を有する部材を配置して外部
電界の影響を遮断することが好ましい。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、添付の図面を参照して説明する。図１〜図７は本発
明の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を示す図であ
る。なお、図１は熱処理前の液晶パネル１の断面図、図
２は同じくその液晶パネル１のＴＦＴ基板１０を示す平
面図であり、図１は図２のＡ−Ａ線に対応する位置にお
ける断面を示す。

【００１９】まず、図１に示すように、液晶パネル１を
構成するＴＦＴ基板（第１の透明基板）１０及びＣＦ基
板（第２の透明基板）２０を形成する。ＴＦＴ基板１０
は以下のようにして形成する。すなわち、ガラス基板１
１上に導電膜を形成し、この導電膜をパターニングし
て、図２に示すように、コモンバスライン１２、コモン
電極１２ａ及びゲートバスライン１３を形成する。この
場合、コモンバスライン１２及びゲートバスライン１３
は相互に平行に形成し、コモン電極１２ａはコモンバス
ライン１２から垂直方向に複数本が平行に延び出すよう
に形成する。コモン電極１２ａの先端側は接続線１２ｂ
により相互に接続しておく。

【００２０】次に、基板１１上の全面に透明絶縁膜１４
を形成し、ＴＦＴ１７の活性層となる部分にシリコン層
（図示せず）を形成する。そして、このシリコン層上に
ゲート絶縁膜（図示せず）を形成する。その後、基板１
１上の全面に導電膜を形成し、この導電膜をパターニン
グして、ドレインバスライン１５、画素電極１６、ドレ
イン電極１７ａ及びソース電極１７ｂを形成する。この
場合、ドレインバスライン１５は、コモンバスライン１
２及びゲートバスライン１３に垂直に交差するように形
成する。また、画素電極１６はコモン電極１２ａに平行
に形成し、一端側はソース電極１７ｂに接続し、他端側
は接続線１６ａに接続しておく。更に、ドレイン電極１
７ａはドレインバスライン１５に接続しておく。

【００２１】次に、基板１１上の全面にポリイミド等か
らなる配向膜１８を形成し、この配向膜１８の表面をラ
ビング処理する。この場合、ラビング方向（図２に矢印
で示す）は、画素電極１６に対し約５〜３０°の角度と
なるようにする。これにより、ＴＦＴ基板１０が完成す
る。一方、ＣＦ基板２０を以下のように形成する。

【００２２】まず、ガラス基板２１の一方の面上に、各
画素領域に対応させて、Ｒ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタ２
２を形成する。その後、これらのカラーフィルタ２２を
被覆するように配向膜２３を形成し、配向膜２３の表面
をラビング処理する。この場合、配向膜２３のラビング
方向は、配向膜１８のラビング方向と同じになるように
する。これにより、ＣＦ基板２０が完成する。

【００２３】次に、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０とを
対向させて配置し、両者の間に液晶を封入して液晶パネ
ル１を形成する。液晶の封入方法としては、ディップ注
入法及び滴下注入法がある。ディップ注入法において
は、図３に示すように、ＴＦＴ基板１０（又は、ＣＦ基
板２０）の縁部に沿って熱硬化性樹脂又は紫外線硬化樹
脂からなるシール材３１を塗布する。このとき、シール
材３１を閉じた線状に塗布するのではなく、後工程で基
板１０，２０間に液晶を注入するための液晶注入口３２
として、シール材３１を塗布しない部分を設けておく。

【００２４】その後、ＴＦＴ基板１０上に直径が約４〜
５μｍの球状（又は円柱状）のスペーサ３３（図１参
照）を５０個／ｍｍ²以下の密度で散布する。そして、
ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０とを、配向膜１８，２３
が形成された面を対向させて貼合わせる。次に、加熱又
は紫外線照射により、シール材３１を硬化させる。これ
により、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０とを貼合わせて
なる空パネルが得られる。

【００２５】次に、図４に示すように、真空チャンバ
（図示せず）内に液晶３４が入った容器３５と空パネル
１ａとを配置し、チャンバ内を十分に排気した後、空パ
ネル１ａの液晶注入口３２を液晶３４中に浸漬する。そ
して、チャンバ内を大気圧に戻す。そうすると、圧力差
により液晶３４が空パネル１ａ内に注入される。パネル
１ａ内に液晶３４が十分充填された後、液晶注入口３２
に封止材として紫外線硬化型樹脂を充填し、紫外線を照
射して硬化させる。これにより、ＴＦＴ基板１０及びＣ
Ｆ基板２０とを貼合わせてなる液晶パネル１（図１参
照）が得られる。

【００２６】一方、滴下注入法においては、図５に示す
ように、ＴＦＴ基板１０（又は、ＣＦ基板２０）の縁部
に沿って枠状にシール材３１を塗布した後、ＴＦＴ基板
１０上に液晶３４を所定量滴下し、スペーサ３３（図１
参照）を５０個／ｍｍ²以下の密度で散布する。そし
て、ＴＦＴ基板１０上にＣＦ基板２０を重ね合わせ、液
晶３４を基板１０，２０間に拡散させる。その後、紫外
線を照射してシール材３１を硬化させる。これにより、
ＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０とを貼合わせてなる液
晶パネル１が得られる（図１参照）。

【００２７】このようにして、ディップ注入法又は滴下
注入法によりＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０との間に液
晶３４を封入して液晶パネル１を形成した後、図６に示
すように、ＣＦ基板２０の外側にＩＴＯ（インジウム酸
化スズ）を蒸着して透明導電体膜２６を形成する。な
お、透明導電体膜２６は、液晶注入以前の工程でＣＦ基
板２０側に形成しておいてもよい。

【００２８】次に、液晶分子を配向膜１８，２３のラビ
ング方向に配向させる熱処理を行う。図７は熱処理を示
す模式図である。この図７に示すように、液晶パネル１
を水平方向に数ｃｍ／分程度の速度で移動させながら、
温風吹出口４１から温風を吹き出して液晶パネル１の一
部（直線状の領域）を液晶３４のアイソトロピック相−
ネマティック相の相転移温度以上（例えば、８０〜９０
℃）に加熱し、その後、冷風吹出口４２から冷風（室
温）を吹き出して加熱後の領域を冷却する。

【００２９】図８は熱処理工程における液晶パネル１を
示す模式図である。この図８において、３４ａは加熱前
の液晶であり、この液晶はネマティック相である。３４
ｂは温風により温度がネマティック相→アイソトロピッ
ク相の相転移温度に到達した液晶であり、３４ｃはアイ
ソトロピック相に転移した液晶である。３４ｄはアイソ
トロピック相→ネマティック相の相転移温度まで冷却し
た液晶であり、３４ｅは相転移温度以下に冷却した液晶
である。液晶パネル１の移動に伴って最初にアイソトロ
ピック相に転移した液晶は、ネマティック相に転移する
際に、配向膜１８，２３のラビング方向に配向する。液
晶パネル１の移動に伴ってアイソトロピック相→ネマテ
ィック相の相転移領域も移動するが、液晶分子は先に配
向した液晶分子の配向方向に倣って配向する性質がある
ため、スペーサ３３の近傍でもスペーサ３３の表面に配
向することが回避され、配向膜１８，２３のラビング方
向に配向する。

【００３０】このようにして、液晶パネル１全体を熱処
理した後、液晶パネル１の両側に偏光板を配置する。こ
れにより、本発明に液晶表示装置が完成する。本実施の
形態においては、上述の如く、アイソトロピック相から
ネマティック相への相転移が発生する領域を狭い領域に
限定し、相転移領域を徐々に移動させるので、最初にア
イソトロピック相からネマティック相に相転移した液晶
の分子が配向膜のラビング方向に配向すると、その後相
転移する液晶の分子も同一方向に配向する。そして、パ
ネル全体に亘って相転移が徐々に進行するので、液晶分
子の配向方向がパネル全体で均一化される。これによ
り、配向異常による表示品質の劣化を回避できる。

【００３１】また、本実施の形態においては、ＣＦ基板
２０の外面に透明導電膜２６を形成するので、熱処理時
に外部からの電界の影響により液晶分子が異常配向する
おそれがない。なお、透明導電膜２０は熱処理後に除去
してもよい。また、透明導電膜２６を形成する替わり
に、ＣＦ基板２０を覆う導電層を有する部材を配置し、
熱処理を行ってもよい。この場合も、上述の実施例と同
様の効果が得られる。

【００３２】更に、本実施の形態においては、冷風によ
り加熱後の液晶パネル１を冷却するので、製造マージン
が増加するという利点もある。なお、処理能力を考慮
し、温風吹出口を数段設置してもよい。また、液晶パネ
ル１を固定し、温風吹出口４１及び冷風吹出口４２を移
動させるようにしてもよい。更に、温風を吹き付けるの
ではなく、ヒータにより液晶パネル１を部分的に加熱す
るようにしてもよく、加熱手段はこれに限定されるもの
ではない。

【００３３】更にまた、本実施の形態においては、スペ
ーサの密度を５０個／ｍｍ²以下としたので、スペーサ
の表面に沿って液晶分子が配向することが少なく、上記
の効果と相俟って、配向異常を防止する効果が極めて大
きい。図９は、横軸にスペーサ散布密度をとり、縦軸に
欠陥数をとって、ＩＰＳ型液晶表示装置におけるスペー
サ散布密度と欠陥数との関係を調べた結果を示す図であ
る。この図９に示すように、スペーサ散布密度（平均密
度）を５０個／ｍｍ²以下とすることにより、欠陥数を
著しく低減できる。これは、スペーサ間の距離が大きく
なるため、スペーサ間の液晶分子がスペーサの表面では
なく、配向膜のラビング方向に配向するためであると考
えられる。

【００３４】上記の実施の形態に示した方法により実際
にＩＰＳ型液晶表示パネルを製造し、連続駆動試験を行
った。その結果、１０００時間経過した後も配向状態の
劣化が見られなかった。

【００３５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
液晶パネルの一部領域を液晶のアイソトロピック相−ネ
マティック相の相転移温度以上に加熱し、加熱領域を走
査するので、アイソトロピック相からネマティック相へ
の相転移が狭い領域で起こり、最初に配向した液晶分子
の配向方向に倣ってパネル全体の液晶分子が配向する。
これにより、表示品質が良好な液晶表示装置が得られ
る。

【００３６】また、第２の透明基板上に導電膜を形成し
たり、導電層を有する板状部材を配置することにより、
外部電界の影響を回避でき、配向異常をより確実に回避
できる。更に、スペーサの平均密度を５０個／ｍｍ²以
下とすることにより、スペーサによる配向異常を回避で
きて、上述の効果と相俟って、ＩＰＳ型液晶表示装置の
表示品質をより一層向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の液晶表示装置の製造方法
を示す図であり、熱処理前の液晶パネルの断面を示す。

【図２】本発明の実施の形態の液晶表示装置の製造方法
を示す図であり、熱処理前の液晶パネルのＴＦＴ基板を
示す。

【図３】ディップ注入法による液晶の封入方法を示す図
（その１）である。

【図４】ディップ注入法による液晶の封入方法を示す図
（その２）である。

【図５】滴下注入法による液晶の封入方法を示す図であ
る。

【図６】本発明の実施の形態の液晶表示装置の製造方法
を示す図であり、ＣＦ基板上に透明導電膜を形成した液
晶パネルを示す。

【図７】本発明の実施の形態の液晶表示装置の製造方法
を示す図であり、熱処理工程を示す図である。

【図８】熱処理工程における液晶パネルの状態を示す模
式図である。

【図９】ＩＰＳ型液晶表示装置におけるスペーサ散布密
度と欠陥数との関係を調べた結果を示す図である。

【図１０】ＩＰＳ型液晶表示装置を示す断面図である。

【図１１】同じくそのＩＰＳ型液晶表示装置のＴＦＴ基
板を示す平面図である。

【図１２】電圧無印加時の液晶分子の状態を示す模式図
である。

【図１３】電圧印加時の液晶分子の状態を示す模式図で
ある。

【図１４】スペーサによる配向異常の発生を示す模式図
である。

【符号の説明】１液晶パネル１０，５０ＴＦＴ基板１１，２１，５１，６１ガラス基板１２，５２コモンバスライン１２ａ，５２ａコモン電極１３，５３ゲートバスライン１４，５４透明絶縁膜１５，５５ドレインバスライン１６，５６画素電極１７，５７ＴＦＴ１８，２３，５８，６３配向膜２０，６０ＣＦ基板２２，６２カラーフィルタ２６透明導電膜３１シール材３３，７３スペーサ３４，７４液晶

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】相互に平行に配置された画素電極及びコ
モン電極を有する第１の透明基板と、該第１の透明基板
に対向配置された第２の透明基板との間に液晶を封入し
て液晶パネルとする工程と、前記液晶パネルの一部領域を、前記液晶のアイソトロピ
ック相−ネマティック相の相転移温度以上に加熱し、加
熱領域を走査する工程とを有することを特徴とする液晶
表示装置の製造方法。
【請求項２】前記加熱領域を走査する工程において、
加熱後の領域を冷却手段により冷却することを特徴とす
る請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】前記第２の透明基板は、前記第１の透明
基板に対向する面と反対側の面上に透明導電膜を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造
方法。
【請求項４】前記加熱領域を走査する工程において、
前記第２の透明基板上を覆う導電層を有する部材を配置
することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の
製造方法。
【請求項５】前記第１及び第２の透明基板の間に、両
者の間の間隔を一定に維持するためのスペーサを５０個
／ｍｍ²以下の平均密度で配置することを特徴とする請
求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。