JPH11106484A - チオフェン構造を有する共重合体およびその製造方法 - Google Patents
チオフェン構造を有する共重合体およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH11106484A JPH11106484A JP26731097A JP26731097A JPH11106484A JP H11106484 A JPH11106484 A JP H11106484A JP 26731097 A JP26731097 A JP 26731097A JP 26731097 A JP26731097 A JP 26731097A JP H11106484 A JPH11106484 A JP H11106484A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thiophene
- copolymer
- general formula
- formula
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 導電材料として好適に使用しうるようなチオ
フェン構造を有する共重合体およびその製造方法を提供
する。 【解決手段】 下記一般式［１］で表される構成単位
と、下記一般式［２］で表される構成単位とからなるこ
とを特徴とするチオフェン構造を有する共重合体。 【化１】 ｎは１〜３の整数を示し、R1〜R6は、互いに同一でも異
なっていてもよく、水素原子または炭素原子数１〜12の
直鎖状、環状、分岐状のアルキル基である。
フェン構造を有する共重合体およびその製造方法を提供
する。 【解決手段】 下記一般式［１］で表される構成単位
と、下記一般式［２］で表される構成単位とからなるこ
とを特徴とするチオフェン構造を有する共重合体。 【化１】 ｎは１〜３の整数を示し、R1〜R6は、互いに同一でも異
なっていてもよく、水素原子または炭素原子数１〜12の
直鎖状、環状、分岐状のアルキル基である。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、チオフェン構造を有する
共重合体およびその製造方法に関し、さらに詳しくは導
電性高分子として好適に使用しうる共重合体およびその
製造方法に関する。
共重合体およびその製造方法に関し、さらに詳しくは導
電性高分子として好適に使用しうる共重合体およびその
製造方法に関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】近年、エレクトロニクスの発展に
ともなって、新しいエレクトロニクス材料が開発されて
いる。特に、機能性有機材料の分野においてめざましい
技術革新が進み、導電性高分子に限ってみてもポリアセ
チレン、ポリパラフェニレン、ポリピロール、ポリチオ
フェン、ポリアニリンなどの電子共役系高分子に、電子
供与性あるいは電子受容性化合物をドーパントとして添
加した導電性化合物が開発され、一部実用化されてい
る。
ともなって、新しいエレクトロニクス材料が開発されて
いる。特に、機能性有機材料の分野においてめざましい
技術革新が進み、導電性高分子に限ってみてもポリアセ
チレン、ポリパラフェニレン、ポリピロール、ポリチオ
フェン、ポリアニリンなどの電子共役系高分子に、電子
供与性あるいは電子受容性化合物をドーパントとして添
加した導電性化合物が開発され、一部実用化されてい
る。
【０００３】ところで、固体電解コンデンサには、タン
タル、アルミニウムなどを陽極とし、この陽極表面に、
タンタル、アルミニウムなどの酸化被膜を誘電体として
有し、二酸化マンガンやテトラシアノキノジメタン（Ｔ
ＣＮＱ）錯塩を陰極とするものが開発されている。しか
しながら、二酸化マンガンを陰極とする固体電解コンデ
ンサでは、二酸化マンガンの誘電率が小さいために高周
波領域でのインピーダンスが大きくなったり、またＴＣ
ＮＱ錯塩を陰極とする固体電解コンデンサでは、ＴＣＮ
Ｑ錯塩が熱分解しやすいために耐熱性が劣るなどの問題
点があった。
タル、アルミニウムなどを陽極とし、この陽極表面に、
タンタル、アルミニウムなどの酸化被膜を誘電体として
有し、二酸化マンガンやテトラシアノキノジメタン（Ｔ
ＣＮＱ）錯塩を陰極とするものが開発されている。しか
しながら、二酸化マンガンを陰極とする固体電解コンデ
ンサでは、二酸化マンガンの誘電率が小さいために高周
波領域でのインピーダンスが大きくなったり、またＴＣ
ＮＱ錯塩を陰極とする固体電解コンデンサでは、ＴＣＮ
Ｑ錯塩が熱分解しやすいために耐熱性が劣るなどの問題
点があった。
【０００４】これに対し、前述したポリピロール、ポリ
アニリンなどの導電性化合物を陰極として用いる場合に
は、これらの導電性化合物は、二酸化マンガンよりも高
誘電性で、かつＴＣＮＱ錯塩よりも耐熱性に優れている
という特性を有している。
アニリンなどの導電性化合物を陰極として用いる場合に
は、これらの導電性化合物は、二酸化マンガンよりも高
誘電性で、かつＴＣＮＱ錯塩よりも耐熱性に優れている
という特性を有している。
【０００５】このため、これらの導電性化合物を陰極と
して使用した固体電解コンデンサについて多くの提案が
なされている。たとえば、特開昭６０−３７１１４号公
報には、ドーパントがドープされた複素五員環化合物重
合体を固体電解質とする固体電解コンデンサが開示され
ている。また、特開平６−２９１５９号公報には、ポリ
アニリンを固体電解質とする固体電解コンデンサが開示
されている。
して使用した固体電解コンデンサについて多くの提案が
なされている。たとえば、特開昭６０−３７１１４号公
報には、ドーパントがドープされた複素五員環化合物重
合体を固体電解質とする固体電解コンデンサが開示され
ている。また、特開平６−２９１５９号公報には、ポリ
アニリンを固体電解質とする固体電解コンデンサが開示
されている。
【０００６】しかしながら、固体電解コンデンサを含む
情報電子機器用素子には高性能・高密度化が求められて
いるため、固体電解コンデンサには、さらに高周波領域
まで良好な特性を有し、しかも耐熱性に優れていること
が望まれている。
情報電子機器用素子には高性能・高密度化が求められて
いるため、固体電解コンデンサには、さらに高周波領域
まで良好な特性を有し、しかも耐熱性に優れていること
が望まれている。
【０００７】
【発明の目的】本発明は、上記の問題点に鑑みなされた
もので、導電材料として好適に使用しうるようなチオフ
ェン構造を有する共重合体およびその製造方法を提供す
ることを目的としている。
もので、導電材料として好適に使用しうるようなチオフ
ェン構造を有する共重合体およびその製造方法を提供す
ることを目的としている。
【０００８】
【発明の概要】本発明に係るチオフェン構造を有する共
重合体は、下記一般式［１］で表される構成単位と、下
記一般式［２］で表される構成単位とからなることを特
徴としている。
重合体は、下記一般式［１］で表される構成単位と、下
記一般式［２］で表される構成単位とからなることを特
徴としている。
【０００９】
【化３】
【００１０】（式中、ｎは１〜３の整数を示し、Ｒ1〜
Ｒ6は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子
または炭素原子数１〜１２の直鎖状、環状、分岐状のア
ルキル基である。） 本発明に係るチオフェン構造を有する共重合体の製造方
法は、下記一般式［３］で表されるtrans-ビニレン基を
介して２個のチオフェン環が結合した化合物と、下記一
般式［４］で表されるチオフェン化合物とを、遷移金属
塩化物触媒の存在下に、液相で共重合させることを特徴
としている。
Ｒ6は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子
または炭素原子数１〜１２の直鎖状、環状、分岐状のア
ルキル基である。） 本発明に係るチオフェン構造を有する共重合体の製造方
法は、下記一般式［３］で表されるtrans-ビニレン基を
介して２個のチオフェン環が結合した化合物と、下記一
般式［４］で表されるチオフェン化合物とを、遷移金属
塩化物触媒の存在下に、液相で共重合させることを特徴
としている。
【００１１】
【化４】
【００１２】（式中、ｎは１〜３の整数を示し、Ｒ1〜
Ｒ6は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子
または炭素原子数１〜１２の直鎖状、環状、分岐状のア
ルキル基である。） また、本発明に係るチオフェン構造を有する共重合体の
製造方法は、上記一般式［３］で表されるtrans-ビニレ
ン基を介して２個のチオフェン環が結合した化合物と、
上記一般式［４］で表されるチオフェン化合物とを、支
持電解質の存在下に、電解重合により共重合させること
を特徴としている。
Ｒ6は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子
または炭素原子数１〜１２の直鎖状、環状、分岐状のア
ルキル基である。） また、本発明に係るチオフェン構造を有する共重合体の
製造方法は、上記一般式［３］で表されるtrans-ビニレ
ン基を介して２個のチオフェン環が結合した化合物と、
上記一般式［４］で表されるチオフェン化合物とを、支
持電解質の存在下に、電解重合により共重合させること
を特徴としている。
【００１３】 〔発明の詳細な説明〕以下本発明に係るチオフェン構造
を有する共重合体および該共重合体の製造方法について
具体的に説明する。
を有する共重合体および該共重合体の製造方法について
具体的に説明する。
【００１４】［チオフェン構造を有する共重合体］本発
明に係るチオフェン構造を有する共重合体は、下記一般
式［１］で表される構成単位と下記一般式［２］で表さ
れる構成単位とからなるランダム共重合体である。
明に係るチオフェン構造を有する共重合体は、下記一般
式［１］で表される構成単位と下記一般式［２］で表さ
れる構成単位とからなるランダム共重合体である。
【００１５】
【化５】
【００１６】式中、ｎは１〜３の整数を示す。Ｒ1〜Ｒ6
は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子また
は炭素原子数１〜１２の直鎖状、環状または分岐状のア
ルキル基である。
は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子また
は炭素原子数１〜１２の直鎖状、環状または分岐状のア
ルキル基である。
【００１７】このような共重合体の数平均分子量は、２
７６〜１００００００、好ましくは２７６〜５００００
０、さらに好ましくは２７６〜１０００００であること
が望ましい。
７６〜１００００００、好ましくは２７６〜５００００
０、さらに好ましくは２７６〜１０００００であること
が望ましい。
【００１８】本発明に係る共重合体では、上記一般式
［１］で表される構成単位の割合が、１〜９９モル％、
好ましくは５〜９５モル％、さらに好ましくは３０〜７
０モル％であり、上記一般式［２］で表される構成単位
の割合が、９９〜１モル％、好ましくは９５〜５モル
％、さらに好ましくは７０〜３０モル％であることが望
ましい。
［１］で表される構成単位の割合が、１〜９９モル％、
好ましくは５〜９５モル％、さらに好ましくは３０〜７
０モル％であり、上記一般式［２］で表される構成単位
の割合が、９９〜１モル％、好ましくは９５〜５モル
％、さらに好ましくは７０〜３０モル％であることが望
ましい。
【００１９】このような共重合体は、テトラフルオロホ
ウ酸イオン、過塩素酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イ
オン、ヘキサフルオロひ素酸イオン、硫酸イオン、硫酸
水素イオン、トリフルオロ酢酸イオン、p-トルエンスル
ホン酸イオンなどの陰イオン（ドーパント）をドーピン
グすると、半導体としての性質を示すようになる。
ウ酸イオン、過塩素酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イ
オン、ヘキサフルオロひ素酸イオン、硫酸イオン、硫酸
水素イオン、トリフルオロ酢酸イオン、p-トルエンスル
ホン酸イオンなどの陰イオン（ドーパント）をドーピン
グすると、半導体としての性質を示すようになる。
【００２０】［チオフェン構造を有する共重合体の製造
方法］このようなチオフェン構造を有する共重合体は、
上記一般式［３］で表されるtrans-ビニレン基を介して
２個のチオフェン環が結合した化合物と、下記一般式
［４］で表されるチオフェン化合物とを、遷移金属塩化
物触媒の存在下に、液相で共重合させることによって製
造することができる。
方法］このようなチオフェン構造を有する共重合体は、
上記一般式［３］で表されるtrans-ビニレン基を介して
２個のチオフェン環が結合した化合物と、下記一般式
［４］で表されるチオフェン化合物とを、遷移金属塩化
物触媒の存在下に、液相で共重合させることによって製
造することができる。
【００２１】
【化６】
【００２２】式中、ｎは１〜３の整数を示し、Ｒ1〜Ｒ6
は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子また
は炭素原子数１〜１２の直鎖状、環状、分岐状のアルキ
ル基である。
は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子また
は炭素原子数１〜１２の直鎖状、環状、分岐状のアルキ
ル基である。
【００２３】一般式［３］で表されるtrans-ビニレン基
を介して２個のチオフェン環が結合した化合物として
は、trans-1,2-ジ(2-チエニル)エチレン、trans-1,2-ジ
(2-チエニル)ブタジエン、trans-1,2-ジ(2-チエニル)ヘ
キサトリエンなどが挙げられる。
を介して２個のチオフェン環が結合した化合物として
は、trans-1,2-ジ(2-チエニル)エチレン、trans-1,2-ジ
(2-チエニル)ブタジエン、trans-1,2-ジ(2-チエニル)ヘ
キサトリエンなどが挙げられる。
【００２４】一般式［４］で表されるチオフェン化合物
としては、チオフェン、3-メチルチオフェン、3,4-ジメ
チルチオフェン、3-ドデシルチオフェンなどが挙げられ
る。上記製造方法では、上記一般式［３］で表される化
合物、上記一般式［４］で表されるチオフェン化合物お
よび遷移金属塩化物触媒が反応溶媒に溶解した溶液中で
重合が行われる。
としては、チオフェン、3-メチルチオフェン、3,4-ジメ
チルチオフェン、3-ドデシルチオフェンなどが挙げられ
る。上記製造方法では、上記一般式［３］で表される化
合物、上記一般式［４］で表されるチオフェン化合物お
よび遷移金属塩化物触媒が反応溶媒に溶解した溶液中で
重合が行われる。
【００２５】上記製造方法で使用される反応溶媒として
は、上記一般式［３］で表される化合物、上記一般式
［４］で表されるチオフェン化合物および遷移金属塩化
物触媒が溶解するものであれば、特に限定されず、たと
えば、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジクロロメ
タン、トルエンなどが挙げられる。特に、本発明では、
クロロホルムを使用することが望ましい。このような反
応溶媒は、重合時の上記一般式［３］で表される化合物
および上記一般式［４］で表されるチオフェン化合物の
濃度が０.０１〜０.５モル／ｌ、好ましくは０.０５〜
０.２モル／ｌとなる量で使用される。
は、上記一般式［３］で表される化合物、上記一般式
［４］で表されるチオフェン化合物および遷移金属塩化
物触媒が溶解するものであれば、特に限定されず、たと
えば、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジクロロメ
タン、トルエンなどが挙げられる。特に、本発明では、
クロロホルムを使用することが望ましい。このような反
応溶媒は、重合時の上記一般式［３］で表される化合物
および上記一般式［４］で表されるチオフェン化合物の
濃度が０.０１〜０.５モル／ｌ、好ましくは０.０５〜
０.２モル／ｌとなる量で使用される。
【００２６】遷移金属塩化物触媒としては、鉄、アルミ
ニウム、スズ、マンガン、銅、クロム、タングステン、
チタン、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、白金
などの塩化物が挙げられる。これらのうち、特に鉄の塩
化物が好ましい。これらの遷移金属塩化物は、上記一般
式［３］で表される化合物および上記一般式［４］で表
されるチオフェン化合物１モルに対して、通常２〜６モ
ル、好ましくは２〜４モルの量で使用されることが望ま
しい。
ニウム、スズ、マンガン、銅、クロム、タングステン、
チタン、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、白金
などの塩化物が挙げられる。これらのうち、特に鉄の塩
化物が好ましい。これらの遷移金属塩化物は、上記一般
式［３］で表される化合物および上記一般式［４］で表
されるチオフェン化合物１モルに対して、通常２〜６モ
ル、好ましくは２〜４モルの量で使用されることが望ま
しい。
【００２７】液相での共重合反応は、通常、攪拌条件下
に、０〜５０℃、好ましくは０〜３０℃の重合温度で、
１〜４８時間、好ましくは３〜２４時間行うことが望ま
しい。このときの重合雰囲気は、不活性ガス雰囲気下、
好ましくはアルゴンガス雰囲気下であることが望まし
い。
に、０〜５０℃、好ましくは０〜３０℃の重合温度で、
１〜４８時間、好ましくは３〜２４時間行うことが望ま
しい。このときの重合雰囲気は、不活性ガス雰囲気下、
好ましくはアルゴンガス雰囲気下であることが望まし
い。
【００２８】共重合体は、反応液中に着色した沈殿物と
して得られる。このような沈殿物の着色は、触媒である
遷移金属塩化物が、重合体中にドープされるために起こ
る。沈殿した共重合体は、濾過などによって回収された
のち、アセトン、水などで洗浄され、減圧乾燥される。
また、洗浄の際に、ヒドラジンなどの還元剤を用いて、
ドープされた触媒成分の除去を行ってもよい。このよう
にして、チオフェン構造を有する共重合体が得られる。
して得られる。このような沈殿物の着色は、触媒である
遷移金属塩化物が、重合体中にドープされるために起こ
る。沈殿した共重合体は、濾過などによって回収された
のち、アセトン、水などで洗浄され、減圧乾燥される。
また、洗浄の際に、ヒドラジンなどの還元剤を用いて、
ドープされた触媒成分の除去を行ってもよい。このよう
にして、チオフェン構造を有する共重合体が得られる。
【００２９】また、本発明に係るチオフェン構造を有す
る共重合体は、支持電解質の存在下に、上記一般式
［３］で表される化合物と上記一般式［４］で表される
チオフェン化合物とを電解重合させることによって得る
こともできる。
る共重合体は、支持電解質の存在下に、上記一般式
［３］で表される化合物と上記一般式［４］で表される
チオフェン化合物とを電解重合させることによって得る
こともできる。
【００３０】支持電解質としては、テトラフルオロホウ
酸テトラメチルアンモニム、テトラフルオロホウ酸テト
ラエチルアンモニム、テトラフルオロホウ酸テトラn-ブ
チルアンモニム、テトラフルオロホウ酸リチウム、過塩
素酸テトラメチルアンモニウム、過塩素酸テトラエチル
アンモニウム、過塩素酸テトラn-ブチルアンモニウム、
過塩素酸リチウム、ヘキサフルオロリン酸テトラメチル
アンモニウム、ヘキサフルオロリン酸テトラn-ブチルア
ンモニウム、ヘキサフルオロリン酸ナトリウム、ヘキサ
フルオロひ素酸テトラn-ブチルアンモニウム、ヘキサフ
ルオロひ素酸ナトリウム、硫酸、硫酸水素テトラメチル
アンモニウム、硫酸水素テトラn-ブチルアンモニウム、
トリフルオロ酢酸ナトリウム、p-トルエンスルホン酸テ
トラメチルアンモニウム、p-トルエンスルホン酸テトラ
n-ブチルアンモニウムなどが挙げられる。
酸テトラメチルアンモニム、テトラフルオロホウ酸テト
ラエチルアンモニム、テトラフルオロホウ酸テトラn-ブ
チルアンモニム、テトラフルオロホウ酸リチウム、過塩
素酸テトラメチルアンモニウム、過塩素酸テトラエチル
アンモニウム、過塩素酸テトラn-ブチルアンモニウム、
過塩素酸リチウム、ヘキサフルオロリン酸テトラメチル
アンモニウム、ヘキサフルオロリン酸テトラn-ブチルア
ンモニウム、ヘキサフルオロリン酸ナトリウム、ヘキサ
フルオロひ素酸テトラn-ブチルアンモニウム、ヘキサフ
ルオロひ素酸ナトリウム、硫酸、硫酸水素テトラメチル
アンモニウム、硫酸水素テトラn-ブチルアンモニウム、
トリフルオロ酢酸ナトリウム、p-トルエンスルホン酸テ
トラメチルアンモニウム、p-トルエンスルホン酸テトラ
n-ブチルアンモニウムなどが挙げられる。
【００３１】このような電解重合は、通常、上記一般式
［３］で表される化合物と上記一般式［４］で表される
チオフェン化合物と支持電解質とを極性溶媒に溶解した
溶液に、２枚の電極を入れ、不活性ガス雰囲気下、電極
間に電圧を印加することによって行われる。
［３］で表される化合物と上記一般式［４］で表される
チオフェン化合物と支持電解質とを極性溶媒に溶解した
溶液に、２枚の電極を入れ、不活性ガス雰囲気下、電極
間に電圧を印加することによって行われる。
【００３２】電解重合で使用される極性溶媒としては、
特に限定されず、水、アセトニトリル、ニトロベンゼ
ン、クロロホルム、テトラヒドロフランなどを用いるこ
とができる。このうち、特にアセトニトリルが好まし
い。不活性ガス雰囲気としては、窒素、アルゴン雰囲気
が好ましい。
特に限定されず、水、アセトニトリル、ニトロベンゼ
ン、クロロホルム、テトラヒドロフランなどを用いるこ
とができる。このうち、特にアセトニトリルが好まし
い。不活性ガス雰囲気としては、窒素、アルゴン雰囲気
が好ましい。
【００３３】電極材料としては、金、白金、ＩＴＯ、オ
ーステナイト系ステンレス、フェライト系ステンレスな
どを用いることができる。電解重合は、−１００〜１５
０℃の温度範囲で行うことが可能であり、定電流電解、
定電位電解のいずれの方法であっても行うことができ
る。
ーステナイト系ステンレス、フェライト系ステンレスな
どを用いることができる。電解重合は、−１００〜１５
０℃の温度範囲で行うことが可能であり、定電流電解、
定電位電解のいずれの方法であっても行うことができ
る。
【００３４】共重合体は、電極面上に膜として形成され
る。この膜厚は、印加した電気量により調整することが
できる。電極面上に形成された共重合体には、前記支持
電解質の陰イオンがドーピングされている。このような
共重合体に、電解時と逆の電圧を印加することによっ
て、共重合体にドーピングされている陰イオンを分離し
てもよい。
る。この膜厚は、印加した電気量により調整することが
できる。電極面上に形成された共重合体には、前記支持
電解質の陰イオンがドーピングされている。このような
共重合体に、電解時と逆の電圧を印加することによっ
て、共重合体にドーピングされている陰イオンを分離し
てもよい。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、固体電解コンデンサの
陰極導電材として好適に用いることが可能なチオフェン
構造を有する共重合体を得ることができる。このような
共重合体からなる陰極導電材を含む固体電解コンデンサ
は、共振周波数におけるインピーダンスが小さく、高周
波特性が良好であり、しかも高温での特性低下が少な
い。
陰極導電材として好適に用いることが可能なチオフェン
構造を有する共重合体を得ることができる。このような
共重合体からなる陰極導電材を含む固体電解コンデンサ
は、共振周波数におけるインピーダンスが小さく、高周
波特性が良好であり、しかも高温での特性低下が少な
い。
【００３６】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれら実施例により何ら限定されるも
のではない。
するが、本発明はこれら実施例により何ら限定されるも
のではない。
【００３７】
【実施例１】窒素置換されたフラスコに、無水塩化鉄
（III）１.７２ｇをクロロホルム１８ｍｌに溶解した触
媒溶液を入れ、trans-1,2-ジ(2-チエニル)エチレン３５
７ｍｇとチオフェン６７ｍｇとをクロロホルム９ｍｌに
溶解した液を滴下したのち、２４時間反応させた。得ら
れた沈殿を濾過し、アセトンと水で洗浄し、減圧乾燥を
行った。得られた生成物の色は黒色であった。
（III）１.７２ｇをクロロホルム１８ｍｌに溶解した触
媒溶液を入れ、trans-1,2-ジ(2-チエニル)エチレン３５
７ｍｇとチオフェン６７ｍｇとをクロロホルム９ｍｌに
溶解した液を滴下したのち、２４時間反応させた。得ら
れた沈殿を濾過し、アセトンと水で洗浄し、減圧乾燥を
行った。得られた生成物の色は黒色であった。
【００３８】
【実施例２】窒素置換されたフラスコに、無水塩化鉄
（III）２.０８ｇをクロロホルム２１ｍｌに溶解した触
媒溶液を入れ、trans-1,2-ジ(2-チエニル)エチレン４３
１ｍｇと3-ドデシルチオフェン０.２５ｇとをクロロホ
ルム１１ｍｌに溶解した液を滴下したのち、２４時間反
応させた。得られた沈殿を濾過し、アセトンと水で洗浄
し、減圧乾燥を行った。得られた生成物の色は黒色であ
った。
（III）２.０８ｇをクロロホルム２１ｍｌに溶解した触
媒溶液を入れ、trans-1,2-ジ(2-チエニル)エチレン４３
１ｍｇと3-ドデシルチオフェン０.２５ｇとをクロロホ
ルム１１ｍｌに溶解した液を滴下したのち、２４時間反
応させた。得られた沈殿を濾過し、アセトンと水で洗浄
し、減圧乾燥を行った。得られた生成物の色は黒色であ
った。
Claims (3)
- 【請求項１】下記一般式［１］で表される構成単位と、
下記一般式［２］で表される構成単位とからなることを
特徴とするチオフェン構造を有する共重合体。 【化１】 （式中、ｎは１〜３の整数を示し、Ｒ1〜Ｒ6は、互いに
同一でも異なっていてもよく、水素原子または炭素原子
数１〜１２の直鎖状、環状、分岐状のアルキル基であ
る。） - 【請求項２】下記一般式［３］で表されるtrans-ビニレ
ン基を介して２個のチオフェン環が結合した化合物と、 下記一般式［４］で表されるチオフェン化合物とを、 遷移金属塩化物触媒の存在下に、液相で共重合させるこ
とを特徴とするチオフェン構造を有する共重合体の製造
方法。 【化２】 （式中、ｎは１〜３の整数を示し、Ｒ1〜Ｒ6は、互いに
同一でも異なっていてもよく、水素原子または炭素原子
数１〜１２の直鎖状、環状、分岐状のアルキル基であ
る。） - 【請求項３】上記一般式［３］で表されるtrans-ビニレ
ン基を介して２個のチオフェン環が結合した化合物と、 上記一般式［４］で表されるチオフェン化合物とを、 支持電解質の存在下に、電解重合により共重合させるこ
とを特徴とするチオフェン構造を有する共重合体の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26731097A JPH11106484A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | チオフェン構造を有する共重合体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26731097A JPH11106484A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | チオフェン構造を有する共重合体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11106484A true JPH11106484A (ja) | 1999-04-20 |
Family
ID=17443057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26731097A Pending JPH11106484A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | チオフェン構造を有する共重合体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11106484A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7131730B2 (en) | 2003-02-12 | 2006-11-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination optical system and projection display optical system |
| JP2008037975A (ja) * | 2006-08-04 | 2008-02-21 | Takemoto Oil & Fat Co Ltd | 導電性高分子の製造方法及び導電性高分子 |
| US7871714B2 (en) | 2002-12-25 | 2011-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Polymer, electroluminescent device, and light emitting device |
| KR101200437B1 (ko) * | 2010-05-18 | 2012-11-12 | 광주과학기술원 | 티오펜 단위와 티에닐렌비닐렌 단위를 갖는 폴리머, 이를 포함하는 유기전계효과트랜지스터, 및 유기태양전지 |
-
1997
- 1997-09-30 JP JP26731097A patent/JPH11106484A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7871714B2 (en) | 2002-12-25 | 2011-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Polymer, electroluminescent device, and light emitting device |
| US7131730B2 (en) | 2003-02-12 | 2006-11-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination optical system and projection display optical system |
| US7264358B2 (en) | 2003-02-12 | 2007-09-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination optical system and projection display optical system |
| JP2008037975A (ja) * | 2006-08-04 | 2008-02-21 | Takemoto Oil & Fat Co Ltd | 導電性高分子の製造方法及び導電性高分子 |
| KR101200437B1 (ko) * | 2010-05-18 | 2012-11-12 | 광주과학기술원 | 티오펜 단위와 티에닐렌비닐렌 단위를 갖는 폴리머, 이를 포함하는 유기전계효과트랜지스터, 및 유기태양전지 |
| US8466239B2 (en) | 2010-05-18 | 2013-06-18 | Gwangju Institute Of Science And Technology | Polymer containing thiophene unit and thienylenevinylene unit, and organic field effect transistor and organic solar cell containing the polymer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100817701B1 (ko) | 치환된 티에노티오펜 단량체 및 전도성 중합체 | |
| US4986886A (en) | Polymerization of thiophene and its derivatives | |
| KR100736194B1 (ko) | 펜타플루오로설파닐 치환된 티에노티오펜 단량체 및 전도성중합체 | |
| US6617462B1 (en) | Bithienylnaphthalene-and bis(3,4-ethylenedioxythienyl)naphthalene-based monomers and polymers | |
| US6197921B1 (en) | Polymers of 1-(bithien-2-yl)-4-aminobenzene | |
| JPH11106484A (ja) | チオフェン構造を有する共重合体およびその製造方法 | |
| JPH0794538B2 (ja) | 新規な重合体およびその製造方法 | |
| JPH07694B2 (ja) | 有機半導体及びその製造方法 | |
| JPH0138411B2 (ja) | ||
| JPH026767B2 (ja) | ||
| JPH11106485A (ja) | 導電材料および該電極材料を用いた固体電解コンデンサ | |
| JP2922521B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPS6411209B2 (ja) | ||
| JPH11209461A (ja) | チオフェン構造を有する重合体、該重合体を含む組成物、該重合体の製造方法および導電材料 | |
| Tanaka et al. | The preparation of poly (3-methoxy-2, 5-thiophenediyl) with iron (III) chloride and its properties. | |
| JPH0211614B2 (ja) | ||
| JPH0138805B2 (ja) | ||
| JP3103138B2 (ja) | 可溶性ポリフェニレン系重合体 | |
| JP3720603B2 (ja) | 導電性高分子材料および固体電解コンデンサ | |
| JPH0275625A (ja) | 導電性重合体 | |
| JPH0273826A (ja) | 導電性重合体の製造方法 | |
| JP2001302937A (ja) | 導電性高分子材料および固体電解コンデンサ | |
| JP3180358B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2001139805A (ja) | 導電性高分子材料並びに固体電解コンデンサ | |
| JP2001302613A (ja) | ３−スルホベンズアミド誘導体化合物およびドーパント剤 |