JP2001302613A - ３−スルホベンズアミド誘導体化合物およびドーパント剤 - Google Patents
３−スルホベンズアミド誘導体化合物およびドーパント剤Info
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- JP2001302613A JP2001302613A JP2000120746A JP2000120746A JP2001302613A JP 2001302613 A JP2001302613 A JP 2001302613A JP 2000120746 A JP2000120746 A JP 2000120746A JP 2000120746 A JP2000120746 A JP 2000120746A JP 2001302613 A JP2001302613 A JP 2001302613A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、導電性高分子物質が
本来有する導電性を損なうことなく、含水率を低減させ
る新規ドーパント材料を提供すること、およびその化合
物よりなるドーパント剤の提供すること。 【解決手段】 下記式で表されるベンゼンスルホ
ン酸誘導体化合物、およびそれよりなるドーピング剤。 【化１】 式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、水素原子または炭素数２
０以下の炭化水素基であり、Ｒ1〜Ｒ3の少なくとも一つ
は炭化水素基である。Ｒ1とＲ2またはＲ2とＲ3は、互い
に結合して炭化水素環を形成していてもよい。
本来有する導電性を損なうことなく、含水率を低減させ
る新規ドーパント材料を提供すること、およびその化合
物よりなるドーパント剤の提供すること。 【解決手段】 下記式で表されるベンゼンスルホ
ン酸誘導体化合物、およびそれよりなるドーピング剤。 【化１】 式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、水素原子または炭素数２
０以下の炭化水素基であり、Ｒ1〜Ｒ3の少なくとも一つ
は炭化水素基である。Ｒ1とＲ2またはＲ2とＲ3は、互い
に結合して炭化水素環を形成していてもよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規な３−スルホ
ベンズアミド誘導体化合物およびそれよりなるドーパン
ト剤に関する。
ベンズアミド誘導体化合物およびそれよりなるドーパン
ト剤に関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】近年、エレクトロニクスの発展に
ともなって、新しいエレクトロニクス材料が開発されて
いる。特に機能性有機材料の分野においてめざましい技
術革新が進み、導電性材料に限ってみても、ポリアセチ
レン、ポリパラフェニレン、ポリピロール、ポリアニリ
ンなどの電子共役系高分子物質に、電子受容性化合物を
ドーパントとしてドープした導電性高分子材料が開発さ
れ、例えば、キャパシタ電極材料、電池電極材料、帯電
防止材料等として既に実用化されいる例もある。
ともなって、新しいエレクトロニクス材料が開発されて
いる。特に機能性有機材料の分野においてめざましい技
術革新が進み、導電性材料に限ってみても、ポリアセチ
レン、ポリパラフェニレン、ポリピロール、ポリアニリ
ンなどの電子共役系高分子物質に、電子受容性化合物を
ドーパントとしてドープした導電性高分子材料が開発さ
れ、例えば、キャパシタ電極材料、電池電極材料、帯電
防止材料等として既に実用化されいる例もある。
【０００３】しかしながら、これら導電性高分子物質の
実用性を拡大するには、電気伝導度の更なる向上を図る
と共に、耐熱性や耐湿性といった環境安定性、機械的強
度や寸法安定性といった加工性の付与が大きな課題とな
っている。
実用性を拡大するには、電気伝導度の更なる向上を図る
と共に、耐熱性や耐湿性といった環境安定性、機械的強
度や寸法安定性といった加工性の付与が大きな課題とな
っている。
【０００４】これら実用化に向けた課題に対し、本発明
者らは特願平１０−３２３２７９において、π共役系高
分子化合物に高導電性と高環境安定性を付与するドーパ
ント剤としてｍ−スルホベンズアミド類を提供した。
者らは特願平１０−３２３２７９において、π共役系高
分子化合物に高導電性と高環境安定性を付与するドーパ
ント剤としてｍ−スルホベンズアミド類を提供した。
【０００５】一方、機能材料 １９９８年１月号 Vol.
18 No.1 p.83によるとポリピロールは水分を可逆的に
吸脱着することで寸法が変化することが示されおり、寸
法安定性の向上は実用化に向けた課題といえる。
18 No.1 p.83によるとポリピロールは水分を可逆的に
吸脱着することで寸法が変化することが示されおり、寸
法安定性の向上は実用化に向けた課題といえる。
【０００６】寸法安定性は導電性高分子材料の含水量と
密接な関係があることが前記参考文献で示されており、
導電性高分子材料の含水量を低減させることが、寸法安
定性を向上させるための有用な方策といえる。
密接な関係があることが前記参考文献で示されており、
導電性高分子材料の含水量を低減させることが、寸法安
定性を向上させるための有用な方策といえる。
【０００７】そこで本発明者らは、導電性高分子物質が
本来有する導電性を損なうことなく、含水率を低減させ
るドーパント材料を提供すべく鋭意研究を進めた結果、
本発明に到達した。
本来有する導電性を損なうことなく、含水率を低減させ
るドーパント材料を提供すべく鋭意研究を進めた結果、
本発明に到達した。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、導電性高分
子物質が本来有する導電性を損なうことなく、含水率を
低減させる新規ドーパント材料を提供することを目的と
し、またその化合物よりなるドーパント剤の提供を目的
とする。
子物質が本来有する導電性を損なうことなく、含水率を
低減させる新規ドーパント材料を提供することを目的と
し、またその化合物よりなるドーパント剤の提供を目的
とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記式（１）
で表される３−スルホベンズアミド誘導体化合物を提供
する。
で表される３−スルホベンズアミド誘導体化合物を提供
する。
【化２】 （式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、互いに同一でも異なっ
てもよく、水素原子または炭素数２０以下の炭化水素基
である。ただし、Ｒ1〜Ｒ3の少なくとも一つは、炭素数
１〜２０の炭化水素基である。Ｒ1とＲ2またはＲ2とＲ3
が互いに結合して炭化水素環を形成していてもよい。）
てもよく、水素原子または炭素数２０以下の炭化水素基
である。ただし、Ｒ1〜Ｒ3の少なくとも一つは、炭素数
１〜２０の炭化水素基である。Ｒ1とＲ2またはＲ2とＲ3
が互いに結合して炭化水素環を形成していてもよい。）
【００１０】また本発明は、前記式（１）で表される３
−スルホベンズアミド誘導体化合物からなるドーパント
剤を提供する。
−スルホベンズアミド誘導体化合物からなるドーパント
剤を提供する。
【００１１】
【発明実施の具体的形態】本発明は、下記式（１）で表
される３−スルホベンズアミド誘導体化合物を提供する
ものである。
される３−スルホベンズアミド誘導体化合物を提供する
ものである。
【化３】 式（１）中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、互いに同一でも異
なってもよく、水素原子または炭素数２０以下の炭化水
素基である。ただし、Ｒ1〜Ｒ3の少なくとも一つは、炭
素数１〜２０の炭化水素基である。
なってもよく、水素原子または炭素数２０以下の炭化水
素基である。ただし、Ｒ1〜Ｒ3の少なくとも一つは、炭
素数１〜２０の炭化水素基である。
【００１２】炭化水素基としては、炭素数１〜２０のア
ルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数６〜
２０アリール基を挙げることができる。これらの基は置
換基を有していてもよい。炭化水素基の具体的例として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などの
アルキル基、ビニル基、アルリル基、cis-1,3−ブタジ
エン基などのアルケニル基、フェニル基、トリル基、キ
シレニル基などのアリール基を挙げることができる。こ
れらのうちで好ましいのは、メチル基、エチル基、ブチ
ル基またはフェニル基などである。
ルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数６〜
２０アリール基を挙げることができる。これらの基は置
換基を有していてもよい。炭化水素基の具体的例として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などの
アルキル基、ビニル基、アルリル基、cis-1,3−ブタジ
エン基などのアルケニル基、フェニル基、トリル基、キ
シレニル基などのアリール基を挙げることができる。こ
れらのうちで好ましいのは、メチル基、エチル基、ブチ
ル基またはフェニル基などである。
【００１３】また、Ｒ1とＲ2またはＲ2とＲ3が互いに結
合して炭化水素環を形成していてもよい。互いに結合し
て形成する炭化水素環は、芳香族炭化水素環、脂環式炭
化水素環などである。
合して炭化水素環を形成していてもよい。互いに結合し
て形成する炭化水素環は、芳香族炭化水素環、脂環式炭
化水素環などである。
【００１４】前記式（１）で表される化合物の具体的例
として、６−メチル−３−スルホベンズアミド、４−ブ
チル−３−スルホベンズアミド、４−フェニル−３−ス
ルホベンズアミド、４−tertブチル−３−スルホベンズ
アミド、５−メチル−３−スルホベンズアミド、４−エ
チル−３−スルホベンズアミド、６−ブチル−３−スル
ホベンズアミド、などを挙げることができる。
として、６−メチル−３−スルホベンズアミド、４−ブ
チル−３−スルホベンズアミド、４−フェニル−３−ス
ルホベンズアミド、４−tertブチル−３−スルホベンズ
アミド、５−メチル−３−スルホベンズアミド、４−エ
チル−３−スルホベンズアミド、６−ブチル−３−スル
ホベンズアミド、などを挙げることができる。
【００１５】また、Ｒ1とＲ2またはＲ2とＲ3が互いに結
合して炭化水素環を形成している化合物の具体例として
下記に示す化合物のような３−スルホ−１−ナフトエア
ミド、４−スルホ−２−ナフトエアミドおよび４−スル
ホテトラリン−２−カルボキサミドを例示することがで
きる。
合して炭化水素環を形成している化合物の具体例として
下記に示す化合物のような３−スルホ−１−ナフトエア
ミド、４−スルホ−２−ナフトエアミドおよび４−スル
ホテトラリン−２−カルボキサミドを例示することがで
きる。
【化４】
【００１６】前記式（１）で表される３−スルホベンズ
アミド類は、それに対応するベンズアミド類を硫酸、発
煙硫酸、三酸化硫黄、三酸化硫黄−ピリジン錯体、アミ
ド硫酸等の適当なスルホン化剤と接触さてスルホン化す
る方法、あるいは３−スルホ安息香酸をアミド化する方
法等の合成ルートに従って製造することができる。
アミド類は、それに対応するベンズアミド類を硫酸、発
煙硫酸、三酸化硫黄、三酸化硫黄−ピリジン錯体、アミ
ド硫酸等の適当なスルホン化剤と接触さてスルホン化す
る方法、あるいは３−スルホ安息香酸をアミド化する方
法等の合成ルートに従って製造することができる。
【００１７】前記のスルホン化反応を用いた合成反応に
際して、反応条件は特に限定されるものではない。例え
ば、原料を構成するベンズアミド類とスルホン化剤との
反応の比率は、通常１：１〜１：２００（モル比）の範
囲で行われる。また、反応溶媒は必ずしも必要としない
が、、使用する場合には、原料であるベンズアミド類お
よびスルホン化剤を溶解し、かつ溶媒自体がスルホン化
されないものであればよく、例えばジクロロエタン、四
塩化炭素、ジオキサン等を挙げることができる。
際して、反応条件は特に限定されるものではない。例え
ば、原料を構成するベンズアミド類とスルホン化剤との
反応の比率は、通常１：１〜１：２００（モル比）の範
囲で行われる。また、反応溶媒は必ずしも必要としない
が、、使用する場合には、原料であるベンズアミド類お
よびスルホン化剤を溶解し、かつ溶媒自体がスルホン化
されないものであればよく、例えばジクロロエタン、四
塩化炭素、ジオキサン等を挙げることができる。
【００１８】反応温度は適当な反応速度を示し、急激な
発熱による副反応の進行が避けられ、さらに原料である
ベンズアミド類および生成物である３−スルホベンズア
ミド類が分解しない温度であれば、特に限定されず、通
常０〜１５０℃で行われる。このような、反応条件を採
用することによって、高い収率で、３−スルホベンズア
ミド類を合成することができる。
発熱による副反応の進行が避けられ、さらに原料である
ベンズアミド類および生成物である３−スルホベンズア
ミド類が分解しない温度であれば、特に限定されず、通
常０〜１５０℃で行われる。このような、反応条件を採
用することによって、高い収率で、３−スルホベンズア
ミド類を合成することができる。
【００１９】本発明に係わるベンゼンスルホン酸誘導体
化合物は、電子共役系高分子物質をドーピングするドー
パント剤として作用し、長期間に亘って導電性を発現す
る導電性高分子材料を与える。電子共役系高分子物質と
しては、電子共役系の分子構造を有する高分子化合物で
あればいずれも使用することができ、例えば、一般式
（２）で示されるピロール系、（３）で示されるチオフ
ェン系、（４）で示されるアニリン系の少なくとも１つ
を繰り返し単位として構成された共役系高分子を挙げる
ことができる。
化合物は、電子共役系高分子物質をドーピングするドー
パント剤として作用し、長期間に亘って導電性を発現す
る導電性高分子材料を与える。電子共役系高分子物質と
しては、電子共役系の分子構造を有する高分子化合物で
あればいずれも使用することができ、例えば、一般式
（２）で示されるピロール系、（３）で示されるチオフ
ェン系、（４）で示されるアニリン系の少なくとも１つ
を繰り返し単位として構成された共役系高分子を挙げる
ことができる。
【００２０】
【化５】 式中Ｒ4およびＲ5は互いに同一でも異なってもよく、水
素原子または炭素原子数１〜２０の直鎖状、環状、分岐
状のアルキル基またはアルコキシ基である。
素原子または炭素原子数１〜２０の直鎖状、環状、分岐
状のアルキル基またはアルコキシ基である。
【００２１】
【化６】 式中Ｒ6およびＲ7は互いに同一でも異なってもよく、水
素原子または炭素原子数１〜２０の直鎖状、環状、分岐
状のアルキル基またはアルコキシ基である。
素原子または炭素原子数１〜２０の直鎖状、環状、分岐
状のアルキル基またはアルコキシ基である。
【００２２】
【化７】 式中Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10およびＲ11は互いに同一でも異なっ
てもよく、水素原子または炭素原子数１〜２０の直鎖
状、環状、分岐状のアルキル基またはアルコキシ基であ
る。
てもよく、水素原子または炭素原子数１〜２０の直鎖
状、環状、分岐状のアルキル基またはアルコキシ基であ
る。
【００２３】アルキル基の好ましい例として、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基などの炭素数１〜
８の直鎖状アルキル基を例示することができる。アルコ
キシ基の好ましい例としては、メトキシ基、エトキシ
基、ブトキシ基などの炭素数１〜８の直鎖状アルコキシ
基を例示することができる。
基、エチル基、プロピル基、ブチル基などの炭素数１〜
８の直鎖状アルキル基を例示することができる。アルコ
キシ基の好ましい例としては、メトキシ基、エトキシ
基、ブトキシ基などの炭素数１〜８の直鎖状アルコキシ
基を例示することができる。
【００２４】さらに、上記一般式（２）、（３）および
（４）のいずれか１つを繰り返し単位として構成される
共役高分子化合物の使用が好ましく、特に、一般式
（２）を繰り返し単位として構成されるポリピロール系
の共役高分子の使用が好ましい。
（４）のいずれか１つを繰り返し単位として構成される
共役高分子化合物の使用が好ましく、特に、一般式
（２）を繰り返し単位として構成されるポリピロール系
の共役高分子の使用が好ましい。
【００２５】本発明の前記式（１）で表される３−スル
ホベンズアミド誘導体化合物は、電子共役系高分子物質
などのドーパント剤として好適である。
ホベンズアミド誘導体化合物は、電子共役系高分子物質
などのドーパント剤として好適である。
【００２６】電子共役系高分子物質にベンゼンスルホン
酸誘導体化合物をドーピングする方法としては、ベンゼ
ンスルホン酸誘導体化合物の溶液に浸漬する方法、ベン
ゼンスルホン酸誘導体化合物を支持電解質に用いて電解
酸化重合する方法、ベンゼンスルホン酸誘導体化合物の
遷移金属塩を用い化学酸化重合する方法等の一般的に用
いられる方法が使用できる。
酸誘導体化合物をドーピングする方法としては、ベンゼ
ンスルホン酸誘導体化合物の溶液に浸漬する方法、ベン
ゼンスルホン酸誘導体化合物を支持電解質に用いて電解
酸化重合する方法、ベンゼンスルホン酸誘導体化合物の
遷移金属塩を用い化学酸化重合する方法等の一般的に用
いられる方法が使用できる。
【００２７】浸漬法によるドーピングでは、ベンゼンス
ルホン酸誘導体化合物を溶解する際の溶媒としては、溶
解力のある溶媒であればいずれをも使用することがで
き、例えば、水、アセトニトリル、ニトロベンゼン等を
使用することができる。
ルホン酸誘導体化合物を溶解する際の溶媒としては、溶
解力のある溶媒であればいずれをも使用することがで
き、例えば、水、アセトニトリル、ニトロベンゼン等を
使用することができる。
【００２８】電解酸化重合法では、支持電解質としてベ
ンゼンスルホン酸誘導体化合物と繰り返し単位を構成し
うる単量体とからなる溶液に所定の電流あるいは電位を
印加することでドーピングされる。繰り返し単位を構成
しうる単量体としては、例えば、ピロール、チオフェ
ン、アニリン、trans-1,2-ジ（2-チエニル）エチレン、
trans-1,2-ジ（２−チエニル）ブタジエン等が挙げられ
る。
ンゼンスルホン酸誘導体化合物と繰り返し単位を構成し
うる単量体とからなる溶液に所定の電流あるいは電位を
印加することでドーピングされる。繰り返し単位を構成
しうる単量体としては、例えば、ピロール、チオフェ
ン、アニリン、trans-1,2-ジ（2-チエニル）エチレン、
trans-1,2-ジ（２−チエニル）ブタジエン等が挙げられ
る。
【００２９】重合反応に使用される溶媒としては、ベン
ゼンスルホン酸誘導体化合物を溶解し、かつ繰り返し単
位を構成しうる単量体を溶解するものであればよく、例
えば、水、ジメチルフォルムアミド、アセトニトリル、
プロピレンカーボネート等が挙げられる。電解酸化重合
は、−１００〜１５０℃の温度範囲、好ましくは０〜５
０℃の温度範囲で行うことが可能であり、定電流電解
法、定電位電解法のいずれの方法であってもよい。ま
た、電解酸化重合は、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰
囲気下で行うことが望ましい。
ゼンスルホン酸誘導体化合物を溶解し、かつ繰り返し単
位を構成しうる単量体を溶解するものであればよく、例
えば、水、ジメチルフォルムアミド、アセトニトリル、
プロピレンカーボネート等が挙げられる。電解酸化重合
は、−１００〜１５０℃の温度範囲、好ましくは０〜５
０℃の温度範囲で行うことが可能であり、定電流電解
法、定電位電解法のいずれの方法であってもよい。ま
た、電解酸化重合は、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰
囲気下で行うことが望ましい。
【００３０】化学酸化重合法でのドーピングでは、ベン
ゼンスルホン酸誘導体化合物の共役塩基を配位子とする
遷移金属錯体と、電子共役系の分子構造を有する高分子
化合物を形成する繰り返し単位を持った単量体とを溶媒
中で接触させることで、重合と共にドーピングが行われ
る。遷移金属錯体を構成する中心金属としては、例えば
鉄、コバルト、ルテニウム等を挙げることができ、これ
らの中でも特に鉄が好ましい。遷移金属錯体は、通常単
量体１モルに対して１〜１０モルの量で使用される。
ゼンスルホン酸誘導体化合物の共役塩基を配位子とする
遷移金属錯体と、電子共役系の分子構造を有する高分子
化合物を形成する繰り返し単位を持った単量体とを溶媒
中で接触させることで、重合と共にドーピングが行われ
る。遷移金属錯体を構成する中心金属としては、例えば
鉄、コバルト、ルテニウム等を挙げることができ、これ
らの中でも特に鉄が好ましい。遷移金属錯体は、通常単
量体１モルに対して１〜１０モルの量で使用される。
【００３１】繰り返し単位を構成しうる単量体として
は、前述した、ピロール、チオフェン、アニリン、tran
s-1,2-ジ（2-チエニル）エチレン、trans-1,2-ジ（2-チ
エニル）ブタジエン等を使用することができる。反応で
使用される溶媒は、上記遷移金属錯体ならびに単量体を
溶解するものであればよく、例えば、水、ジメチルフォ
ルムアミド、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、プ
ロピレンカーボネート等を挙げることができる。重合温
度は０〜５０℃が好ましく、反応時間は１〜４８時間が
好ましい。また、重合は窒素やアルゴン等の不活性ガス
雰囲気下で行われることが望ましい。
は、前述した、ピロール、チオフェン、アニリン、tran
s-1,2-ジ（2-チエニル）エチレン、trans-1,2-ジ（2-チ
エニル）ブタジエン等を使用することができる。反応で
使用される溶媒は、上記遷移金属錯体ならびに単量体を
溶解するものであればよく、例えば、水、ジメチルフォ
ルムアミド、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、プ
ロピレンカーボネート等を挙げることができる。重合温
度は０〜５０℃が好ましく、反応時間は１〜４８時間が
好ましい。また、重合は窒素やアルゴン等の不活性ガス
雰囲気下で行われることが望ましい。
【００３２】また導電性高分子材料中に含有される式
（１）で表されるベンゼンスルホン酸誘導体化合物の含
有量は、その導電性高分子材料（電子共役系高分子物質
とドーパント剤であるベンゼンスルホン酸誘導体化合物
の合計量）に対して５〜９５重量％、特に３０〜７０重
量％が好ましい。
（１）で表されるベンゼンスルホン酸誘導体化合物の含
有量は、その導電性高分子材料（電子共役系高分子物質
とドーパント剤であるベンゼンスルホン酸誘導体化合物
の合計量）に対して５〜９５重量％、特に３０〜７０重
量％が好ましい。
【００３３】
【実施例】以下、本発明を実施例によって具体的に説明
するが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるもので
はない。
するが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるもので
はない。
【００３４】（実施例１）２００ｍｌの３口フラスコに
発煙硫酸（三酸化硫黄３０ｗｔ％過剰品）１８ｍｌを入
れた。発煙硫酸を攪拌しながら、４−ベンズアミド１
６．４ｇを室温でゆっくりと加えた後、７０℃で１時間
攪拌を継続し、その後、１晩、反応液を放置した。反応
液を氷３７ｇ中に投入し、未反応の発煙硫酸を加水分解
した。この反応液を放置したところ白色粉末が析出した
ので、グラスフィルターによりろ別した。ろ別によって
得た白色固体をアセトン１００ｍｌ中に投入し、攪拌洗
浄を行なった。これをろ別したのち、固形分を室温下で
２４時間真空乾燥を行ない、４−ブチル−３−スルホベ
ンズアミド１３．６８ｇを得た。収率は５７．４％であ
った。
発煙硫酸（三酸化硫黄３０ｗｔ％過剰品）１８ｍｌを入
れた。発煙硫酸を攪拌しながら、４−ベンズアミド１
６．４ｇを室温でゆっくりと加えた後、７０℃で１時間
攪拌を継続し、その後、１晩、反応液を放置した。反応
液を氷３７ｇ中に投入し、未反応の発煙硫酸を加水分解
した。この反応液を放置したところ白色粉末が析出した
ので、グラスフィルターによりろ別した。ろ別によって
得た白色固体をアセトン１００ｍｌ中に投入し、攪拌洗
浄を行なった。これをろ別したのち、固形分を室温下で
２４時間真空乾燥を行ない、４−ブチル−３−スルホベ
ンズアミド１３．６８ｇを得た。収率は５７．４％であ
った。
【００３５】得られた化合物の同定はＦＤ−マススペク
トル（ｍ／ｚ=２５７）、1H-NMRで行った。分析結果
は、次の通りであった。1 H-NMR(D2O)分析結果δ(PPM) 0.94(3H,t)、1.40(2H,m)、1.64(2H,m)、3.06(2H,t)、7.
49(1H,d)、7.85(1H,d)、8.28(1H,s)
トル（ｍ／ｚ=２５７）、1H-NMRで行った。分析結果
は、次の通りであった。1 H-NMR(D2O)分析結果δ(PPM) 0.94(3H,t)、1.40(2H,m)、1.64(2H,m)、3.06(2H,t)、7.
49(1H,d)、7.85(1H,d)、8.28(1H,s)
【００３６】（実施例２）原料として２−メチルベンズ
アミドを用い、実施例１と同様にスルホン化反応を行
い、相当する５−メチル−３−スルホベンズアミドを得
た。
アミドを用い、実施例１と同様にスルホン化反応を行
い、相当する５−メチル−３−スルホベンズアミドを得
た。
【００３７】（実施例３）実施例１で得た４−ブチル−
３−スルホベンズアミド５．１３６４ｇとピロール１．
３４ｇを純水２００ｍｌに溶解し電解酸化重合反応液を
調整した。この反応液に窒素ガスを約１５分バブリング
し窒素置換した後、４ｃｍ四方のステレンス３０４の２
枚（間隔１ｃｍ）を浸漬し作用極および対極とした。
３−スルホベンズアミド５．１３６４ｇとピロール１．
３４ｇを純水２００ｍｌに溶解し電解酸化重合反応液を
調整した。この反応液に窒素ガスを約１５分バブリング
し窒素置換した後、４ｃｍ四方のステレンス３０４の２
枚（間隔１ｃｍ）を浸漬し作用極および対極とした。
【００３８】浸漬した２枚のステレンス電極を用い定電
流（１．２５ｍＡ／ｃｍ2）で４０分間流し、電解酸化
重合を行った。電極上に生成したポリピロールフィルム
は純水、アセトンで洗浄した後、電極から剥離し、真空
中で１２時間乾燥した。得られたフィルムの電気伝導度
を四探針法で測定した結果、１１０Ｓ／ｃｍの電気伝導
度が得られた。
流（１．２５ｍＡ／ｃｍ2）で４０分間流し、電解酸化
重合を行った。電極上に生成したポリピロールフィルム
は純水、アセトンで洗浄した後、電極から剥離し、真空
中で１２時間乾燥した。得られたフィルムの電気伝導度
を四探針法で測定した結果、１１０Ｓ／ｃｍの電気伝導
度が得られた。
【００３９】得られたフィルムの元素分析（Heraeus社
製 CHN-O-Rapid）を行なったころ、Ｃ＝５８．８ｗｔ
％、Ｈ＝５．４ｗｔ％、Ｎ＝１１．１ｗｔ％の結果が得
られた。分析値を基に重合体中のピロール、４−ブチル
−３−スルホベンズアミドおよび水の組成を算出した結
果、重合体中の水含量として１．１ｗｔ％の値を得た。
製 CHN-O-Rapid）を行なったころ、Ｃ＝５８．８ｗｔ
％、Ｈ＝５．４ｗｔ％、Ｎ＝１１．１ｗｔ％の結果が得
られた。分析値を基に重合体中のピロール、４−ブチル
−３−スルホベンズアミドおよび水の組成を算出した結
果、重合体中の水含量として１．１ｗｔ％の値を得た。
【００４０】（実施例４）実施例２で得た５−メチル−
３−スルホベンズアミドを用い、実施例３と同様の操作
を繰り返しポリピロールフィルムを作成した。四探針法
で測定した電気伝導度は８２S/cmであった。また、水分
含量を算出したところ、２．５ｗｔ％の値を得た。
３−スルホベンズアミドを用い、実施例３と同様の操作
を繰り返しポリピロールフィルムを作成した。四探針法
で測定した電気伝導度は８２S/cmであった。また、水分
含量を算出したところ、２．５ｗｔ％の値を得た。
【００４１】
【発明の効果】本発明に係わる新規な３−スルホベンズ
アミド誘導体化合物は、それを導電性高分子物質のドー
ピング剤として使用することができる。ドーピング後に
得られた導電性高分子材料は、高い伝導度と低い水分含
量を兼ね備えた材料である。従って、得られた導電性高
分子材料は、キャパシタ電極材料、電池電極材料等とし
て利用することができる。
アミド誘導体化合物は、それを導電性高分子物質のドー
ピング剤として使用することができる。ドーピング後に
得られた導電性高分子材料は、高い伝導度と低い水分含
量を兼ね備えた材料である。従って、得られた導電性高
分子材料は、キャパシタ電極材料、電池電極材料等とし
て利用することができる。
Claims (5)
- 【請求項１】 下記式（１）で表されることを特徴とす
る３−スルホベンズアミド誘導体化合物。 【化１】 （式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、互いに同一でも異なっ
てもよく、水素原子または炭素数２０以下の炭化水素基
である。ただし、Ｒ1〜Ｒ3の少なくとも一つは、炭素数
１〜２０の炭化水素基である。Ｒ1とＲ2またはＲ2とＲ3
が互いに結合して炭化水素環を形成していてもよい。） - 【請求項２】 前記式（１）においてＲ1、Ｒ2およびＲ
3が水素原子、メチル基、エチル基、ブチル基またはフ
ェニル基のいずれかであることを特徴とする請求項１記
載の３−スルホベンズアミド誘導体化合物。 - 【請求項３】 前記式（１）で表される化合物が、６−
メチル−３−スルホベンズアミド、４−ブチル−３−ス
ルホベンズアミド、４−フェニル−３−スルホベンズア
ミド、４−tertブチル−３−スルホベンズアミド、５−
メチル−３−スルホベンズアミド、４−エチル−３−ス
ルホベンズアミド、６−ブチル−３−スルホベンズアミ
ド、３−スルホ−１−ナフトエアミド、または４−スル
ホ−２−ナフトエアミドであることを特徴とする請求項
１記載の３−スルホベンズアミド酸誘導体化合物。 - 【請求項４】 前記式（１）で表される３−スルホベン
ズアミド誘導体化合物からなることを特徴とするドーパ
ント剤。 - 【請求項５】 前記式（１）で表される化合物が、６−
メチル−３−スルホベンズアミド、４−ブチル−３−ス
ルホベンズアミド、４−フェニル−３−スルホベンズア
ミド、４−tertブチル−３−スルホベンズアミド、５−
メチル−３−スルホベンズアミド、４−エチル−３−ス
ルホベンズアミド、６−ブチル−３−スルホベンズアミ
ド、３−スルホ−１−ナフトエアミド、または４−スル
ホ−２−ナフトエアミドであることを特徴とする請求項
４記載のドーパント剤。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000120746A JP2001302613A (ja) | 2000-04-21 | 2000-04-21 | ３−スルホベンズアミド誘導体化合物およびドーパント剤 |
| PCT/JP2000/008080 WO2001036382A1 (fr) | 1999-11-16 | 2000-11-16 | Procede de fabrication d'un derive d'acide benzenesulfonique, dopant, materiau polymere conducteur et condensateur electrolytique solide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000120746A JP2001302613A (ja) | 2000-04-21 | 2000-04-21 | ３−スルホベンズアミド誘導体化合物およびドーパント剤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001302613A true JP2001302613A (ja) | 2001-10-31 |
Family
ID=18631505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000120746A Pending JP2001302613A (ja) | 1999-11-16 | 2000-04-21 | ３−スルホベンズアミド誘導体化合物およびドーパント剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001302613A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003081936A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-19 | Mitsui Chemicals Inc | メタニル酸誘導体およびドーパント剤 |
| CN100381949C (zh) * | 2003-08-28 | 2008-04-16 | 东海橡胶工业株式会社 | 导电性聚合物和使用其的半导电性组合物以及静电照相机器用半导电性部件 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5098548A (ja) * | 1973-12-28 | 1975-08-05 | ||
| JPH11158139A (ja) * | 1997-11-26 | 1999-06-15 | Konishi Kagaku Kogyo Kk | スルホアニリニウムイソフタル酸ジエステルの製造方法 |
| JP2000150312A (ja) * | 1998-11-13 | 2000-05-30 | Mitsui Chemicals Inc | 導電性高分子材料および固体電解コンデンサ |
| JP2000204278A (ja) * | 1998-11-13 | 2000-07-25 | Mitsui Chemicals Inc | 導電性高分子材料および固体電解コンデンサ |
| JP2001302937A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-10-31 | Mitsui Chemicals Inc | 導電性高分子材料および固体電解コンデンサ |
| JP4321692B2 (ja) * | 1998-11-13 | 2009-08-26 | 三井化学株式会社 | ベンゼンスルホン酸誘導体化合物およびドーパント剤 |
-
2000
- 2000-04-21 JP JP2000120746A patent/JP2001302613A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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