JPH11106367A - ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)類の製造方法 - Google Patents

ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)類の製造方法

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JPH11106367A
JPH11106367A JP10198189A JP19818998A JPH11106367A JP H11106367 A JPH11106367 A JP H11106367A JP 10198189 A JP10198189 A JP 10198189A JP 19818998 A JP19818998 A JP 19818998A JP H11106367 A JPH11106367 A JP H11106367A
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JP
Japan
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bis
hydroxyphenyl
amino
catalyst
nitro
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Application number
JP10198189A
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English (en)
Inventor
Junichiro Tomaru
淳一郎 都丸
Kenji Kunikata
賢治 国方
Masaki Fujimoto
昌樹 藤本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Kayaku Co Ltd
Original Assignee
Nippon Kayaku Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)
類を高収率、高純度で製造する方法を提供する。 【解決手段】ビス(3−ニトロ−4−ヒドロキシフェニ
ル)類を触媒の存在下、ヒドラジン類で還元することを
特徴とするビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニ
ル)類の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ビス(3−アミノ
−4−ヒドロキシフェニル)類の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェ
ニル)類、特に2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロ
キシフェニル)ヘキサフロロプロパンは耐熱性ポリマー
等の原料として重要な化合物である。ビス(3−アミノ
−4−ヒドロキシフェニル)類の製造方法としては、次
の方法があるが、その方法については下記のような問題
点がある。特開平6−211752号によるとビス(3
−ニトロ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフロロプロ
パンをパラジウム−カーボンを触媒として、水素加圧下
で接触水素還元している。この方法による場合、反応液
中の2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニ
ル)ヘキサフロロプロパンの純度は97%であり、触媒
を濾過後、水あけして晶析して黒灰色の生成物を得てい
る。これをさらに酢酸エチルおよびn−ヘキサン系の混
合液により再結晶して2,2−ビス(3−アミノ−4−
ヒドロキシフェニル)ヘキサフロロプロパンを製造して
いる。この方法では、高温、高圧の水素で接触還元を行
うので耐圧の反応装置(オートクレーブ)等を必要と
し、経済的または反応操作上有利な方法とは言い難い。
得られた粗製品も除去しにくい着色成分を含有する等、
後処理が困難という問題がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のビス
(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)類の製造方法
は反応条件が厳しく、使用設備が高価な上、操作が煩雑
で、経済性および操作性の面から問題があり、また着色
成分等の不純物除去のために特殊な精製を必要とし、収
率が低い等の問題点を有する。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者は、従来の方法
の問題点を解決すべく鋭意研究を行なった結果、ビス
(3−ニトロ−4−ヒドロキシフェニル)類を触媒の存
在下、ヒドラジン類で還元することにより温和な反応条
件下、高純度、高収率でビス(3−アミノ−4−ヒドロ
キシフェニル)類が得られることを見出し、本発明に到
達したものである。
【0005】即ち、本発明は、 (1)ビス(3−ニトロ−4−ヒドロキシフェニル)類
を触媒の存在下、ヒドラジン類で還元すること特徴とす
るビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)類の製
造方法 (2)ビス(3−ニトロ−4−ヒドロキシフェニル)類
が式
【0006】
【化3】
【0007】(式(1)中、Xはメチレン、置換アルキ
レン、アラルキレン、オキシ、チオ、スルホキシド、ス
ルホン、カルボニル、アミノまたはフェニル基間の直接
結合を表し、R1 およびR2 は、水素原子、低級アルキ
ル基、低級アルコキシ基、水酸基、アシル基、アルキル
オキシカルボニル基、カルバモイル基、アシルオキシ基
またはハロゲン原子を表し、R1 およびR2 は同じであ
ってもよい。)で表される化合物であり、ビス(3−ア
ミノ−4−ヒドロキシフェニル)類が式
【0008】
【化4】
【0009】(式(2)中、X、R1 およびR2 は式
(4)におけるのと同様の意味を表す。)で表される化
合物である前項(1)および(2)に記載の製造方法 (3)Xが置換アルキレンである前項(2)に記載のビ
ス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)類の製造方
法 (4)置換アルキレンが1,1,1,3,3,3−ヘキ
サフロロプロピレンである前項(3)に記載のビス(3
−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)類の製造方法 (5)触媒が鉄塩と活性炭を組み合わせたものである前
項(1)に記載のビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフ
ェニル)類の製造方法 (6)触媒がニッケル触媒又は貴金属触媒である前項
(1)に記載のビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェ
ニル)類の製造方法 (7)貴金属触媒が支持体物質に分散された白金及び/
又はパラジウム触媒である前項(6)に記載のビス(3
−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)類の製造方法 (8)還元反応を炭素数1〜4の低級脂肪族アルコール
類、低級ジオール類、環式エーテル類または非環式エー
テル類中で行う前項(1)ないし(7)のいずれか一項
に記載のビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)
類の製造方法 (9)反応温度が0℃〜120℃である前項(1)ない
し(8)のいずれか一項に記載のビス(3−アミノ−4
−ヒドロキシフェニル)類の製造方法 に関する。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明の製造方法を詳細に
説明する。本発明の製造方法で原料として用いられる式
(1)で表されるビス(3−ニトロ−4−ヒドロキシフ
ェニル)類としては例えば、ビス(3−ニトロ−4−ヒ
ドロキシフェニル)メタン類、2,2−ビス(3−ニト
ロ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン類、2,2−ビ
ス(3−ニトロ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフロ
ロプロパン類、3,3−ビス(3−ニトロ−4−ヒドロ
キシフェニル)ペンタン類、2,2’−ジニトロ−4,
4’−ベンジリデンビスフェノール類、ビス(3−ニト
ロ−4−ヒドロキシフェニル)エーテル類、ビス(3−
ニトロ−4−ヒドロキシフェニル)スルフィド類、ビス
(3−ニトロ−4−ヒドロキシフェニル)スルホン類、
ビス(3−ニトロ−4−ヒドロキシフェニル)スルホキ
シド類、ビス(3−ニトロ−4−ヒドロキシフェニル)
ケトン類、ビス(3−ニトロ−4−ヒドロキシフェニ
ル)アミン類、3,3’−ジニトロビフェノール類等が
挙げられる。式(1)のXの具体例としては、メチレ
ン、2,2−プロピレン、1,1,1,3,3,3−ヘ
キサフロロプロピレン、3,3−ペンチリデン、ベンジ
リデン、オキシ、チオ、スルホキシド、スルホン、カル
ボニル、アミノ、メチルアミノ、エチルアミノ、アニリ
ノ、フェニル基間の直接結合等が挙げられる。また、式
(1)のR1 またはR2 で表されるアルキル基の具体例
としては、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピ
ル、n−ブチル、イソブチル、tert−ブチル、n−
ペンチル、イソペンチル、n−ヘキシル、n−ヘプチ
ル、n−オクチル、2−エチルヘキシル、2−エチルデ
シル、n−デシル、n−ドデシル等が挙げられ、また、
アルコキシ基の具体例としては、メトキシ、エトキシ、
n−プロポキシ、イソプロポキシ、n−ブトキシ、イソ
ブトキシ、tert−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキ
シルオキシ、オクチルオキシ、2−エチルヘキシルオキ
シ、デシルオキシ、ドデシルオキシ等が挙げられ、ま
た、アシル基の具体例としては、アセチル、プロパノイ
ル、ブタノイル、ペンタノイル、ヘキサノイル、ヘプタ
ノイル、オクタノイル等が挙げられ、また、アルキルオ
キシカルボニル基の具体例としては、メチルカルボキシ
レ−ト、エチルカルボキシレ−ト、プロピルカルボキシ
レート、ブチルカルボキシレート、ペンチルカルボキシ
レート、ヘキシルカルボキシレ−ト、2−エチルヘキシ
ルカルボキシレ−ト等が挙げられ、また、カルバモイル
基の具体例としてはカルボキサミド、カルボン酸ジメチ
ルアミド、カルボン酸ジエチルアミド、カルボン酸メチ
ルアミド、カルボン酸エチルアミド等が挙げられ、ま
た、アシルオキシ基の具体例としては、アセトキシ、プ
ロピオニルオキシ、ブチリルオキシ基等が挙げられる。
また、ハロゲン原子の具体例としてはフッ素、塩素、臭
素、ヨウ素が挙げられる。
【0011】式(1)の化合物の具体例を挙げると、ビ
ス(3−ニトロ−4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビ
ス(3−ニトロ−4−ヒドロキシ−5−エトキシフェニ
ル)メタン、ビス(3−ニトロ−4−ヒドロキシ−5−
アセトキシフェニル)メタン、ビス(3−ニトロ−4−
ヒドロキシ−5−(N,N−ジエチルアミド)フェニ
ル)メタン、ビス(3−ニトロ−4−ヒドロキシ−6−
フロロフェニル)メタン、2,2−ビス(3−ニトロ−
4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフロロプロパン、2,
2−ビス(3−ニトロ−4−ヒドロキシ−5−メチルフ
ェニル)ヘキサフロロプロパン、2,2−ビス(3−ニ
トロ−4−ヒドロキシ−5−ヒドロキシフェニル)ヘキ
サフロロプロパン、2,2−ビス(3−ニトロ−4−ヒ
ドロキシ−6−プロパノイルフェニル)ヘキサフロロプ
ロパン、2,2−ビス(3−ニトロ−4−ヒドロキシ−
5−ブチルカルボキシフェニル)ヘキサフロロプロパ
ン、2,2−ビス(3−ニトロ−4−ヒドロキシ−6−
クロロフェニル)ヘキサフロロプロパン、3,3−ビス
(3−ニトロ−4−ヒドロキシフェニル)ペンタン、
3,3−ビス(3−ニトロ−4−ヒドロキシ−5−イソ
プロピルフェニル)ペンタン、3,3−ビス(3−ニト
ロ−4−ヒドロキシ−5−クロロフェニル)ペンタン、
2,2’−ジニトロ−4,4’−ベンジリデン−ビスフ
ェノール、、2,2’−ジニトロ−4,4’−ベンジリ
デン−6,6’−ジメチルビスフェノール、2,2’−
ジニトロ−4,4’−ベンジリデン−6,6’−ジクロ
ロビスフェノール、ビス(3−ニトロ−4−ヒドロキシ
フェニル)エーテル、ビス(3−ニトロ−4−ヒドロキ
シ−5−メチルフェニル)エーテル、ビス(3−ニトロ
−4−ヒドロキシ−5−ブチルカルボキシフェニル)エ
ーテル、ビス(3−ニトロ−4−ヒドロキシ−6−クロ
ロフェニル)エーテル、ビス(3−ニトロ−4−ヒドロ
キシフェニル)スルフィド、ビス(3−ニトロ−4−ヒ
ドロキシ−5−メチルフェニル)スルフィド、ビス(3
−ニトロ−4−ヒドロキシ−6−プロパノイルフェニ
ル)スルフィド、ビス(3−ニトロ−4−ヒドロキシ−
5−ブロモフェニル)スルフィド、ビス(3−ニトロ−
4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3−ニトロ
−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)スルホン、ビ
ス(3−ニトロ−4−ヒドロキシ−6−プロパノイルフ
ェニル)スルホン、ビス(3−ニトロ−4−ヒドロキシ
−6−メチルフェニル)ケトン、ビス(3−ニトロ−4
−ヒドロキシ−5−エトキシフェニル)ケトン、ビス
(3−ニトロ−4−ヒドロキシ−5−イソプロピルフェ
ニル)ケトン、ビス(3−ニトロ−4−ヒドロキシ−6
−メチルフェニル)ケトン、ビス(3−ニトロ−4−ヒ
ドロキシフェニル)アミン、ビス(3−ニトロ−4−ヒ
ドロキシ−5−メチルフェニル)アミン、ビス(3−ニ
トロ−4−ヒドロキシ−5−メトキシフェニル)アミ
ン、N,N−ジ(3−ニトロ−4−ヒドロキシフェニ
ル)アニリン、3,3’−ジニトロ−4,4’−ジヒド
ロキシジフェニル、3,3’−ジニトロ−4,4’−ジ
ヒドロキシ−5,5’−ジメチルジフェニル、3,3’
−ジニトロ−4,4’−ジヒドロキシ−5,5’−ジク
ロロジフェニル等が挙げられるが、これに限定されるも
のではない。
【0012】本発明において還元剤として用いられるヒ
ドラジン類としては、例えばヒドラジン、ヒドラジン一
水和物、メチルヒドラジン、または、ヒドラジニウム
塩、例えば、ヒドラジニウムクロライドおよびヒドラジ
ニウムサルフェート等が挙げられる。これらの還元剤
は、溶液、例えば、水溶液、アルコール溶液、エーテル
溶液として用いることが出来る。好ましくは60〜80
重量%のヒドラジン一水和物の水溶液を用いるのがよ
い。ヒドラジン類は、ビス(3−ニトロ−4−ヒドロキ
シフェニル)類1モル当たり2.0〜20.0モル、好
ましくは2.5〜10.0モル、より好ましくは3.0
〜5.0モル使用される。
【0013】本発明において用いる触媒としては、例え
ば鉄塩と活性炭を組み合わせたものやニッケル触媒や貴
金属触媒等が挙げられる。鉄塩としては、ハロゲン化鉄
が好ましく、例えば塩化第一鉄、塩化第二鉄、臭化第一
鉄、臭化第二鉄の水和物および無水物等が挙げられる。
使用量はビス(3−ニトロ−4−ヒドロキシフェニル)
類の1モルに対し0.01〜0.5モル、好ましくは
0.02〜0.1モルである。また併用する活性炭は、
含水物でも乾燥品でも良く、ビス(3−ニトロ−4−ヒ
ドロキシフェニル)類の100重量部に対し1〜100
重量部、好ましくは5〜10重量部用いられる。
【0014】本発明に用いうるニッケル触媒としては、
担体に担持したものか、ラネ−ニッケルが用いられる。
好ましくはラネ−ニッケルが用いられる。ラネ−ニッケ
ル対原料であるジニトロ芳香族化合物の重量比について
は、ビス(3−ニトロ−4−ヒドロキシフェニル類基準
で0.1〜50.0重量%、好ましくは1.0〜10.
0重量%のラネ−ニッケルを使用するのが好ましい。
【0015】本発明に用いうる貴金属触媒としては、白
金、パラジウム、ルテニウム挙げられる。白金、パラジ
ウム、ルテニウム等は活性炭、シリカゲル、アルミナ、
硫酸バリウム、炭酸カルシウム、多孔質珪藻土、ジルコ
ニア、酸化マグネシウム等の支持体上に分散させて使用
してもよく、特に好ましくは活性炭および/またはアル
ミナおよび/またはシリカゲルに分散され、担持され
る。好ましくは支持体物質基準で0.1〜20.0重量
%、特に好ましくは1.0〜5.0重量%のパラジウム
を活性炭に担持させたパラジウム触媒を使用するのがよ
い。また、酸化物で使用することも出来、酸化白金、酸
化パラジウムを使用しうる具体例として挙げる事ができ
る。貴金属対原料のジニトロ芳香族化合物の重量比につ
いては、ビス(3−ニトロ−4−ヒドロキシフェニル)
類基準で0.01〜20.0重量%、好ましくは0.0
1〜5.0重量%、最も好ましくは0.05〜0.5重
量%の貴金属を使用するのがよい。触媒は新触媒でもよ
く、回収リサイクルした触媒でもよい。
【0016】本発明の製造方法において還元反応は、通
常は溶媒中で行うことが出来る。用いうる有機溶媒とし
ては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノ
ール等の炭素数1〜4の低級脂肪族アルコール類、エチ
レングリコール、プロピレングリコール、ジエチレング
リコール等の低級ジオール類、ジオキサン、テトラヒド
ロフラン等の環式エーテル類またはエチレングリコール
エーテル等の非環式エーテル類等、およびこれら有機溶
媒と水との混合溶媒等が挙げられる。特に好ましい溶媒
としてはメタノール、イソプロパノール、テトラヒドロ
フラン等が挙げられる。溶媒を使用する時の使用量はビ
ス(3−ニトロ−4−ヒドロキシフェニル)類1重量部
に対して0.1〜20.0容量部であり好ましくは0.
5〜5.0容量部である。前記有機溶媒と水との混合溶
媒中の水の含有率は1.0〜99.0容量%であり、好
ましくは5.0〜50.0容量%である。
【0017】本発明の製造方法においては、温度0℃〜
120℃、好ましくは10℃〜100℃、特に好ましく
は40〜70℃で還元反応が行われる。
【0018】本発明による反応の操作方法としてはビス
(3−ニトロ−4−ヒドロキシフェニル)類を、メタノ
ール等の低級脂肪族アルコール類に溶解するか、又は分
散状態のまま攪拌し、所定量の触媒と混合する。続いて
所定の温度とし、所定量のヒドラジン類、例えば60重
量%ヒドラジン一水和物の水溶液を徐々に滴下して加え
る。または、予め所定量のヒドラジン類を加え、所定の
内部温度とし、続いてビス(3−ニトロ−4−ヒドロキ
シフェニル)類を反応溶剤に溶解、あるいは、分散さ
せ、または粉末で連続的にあるいは断続的に仕込んで反
応させる。還元剤、またはビス(3−ニトロ−4−ヒド
ロキシフェニル)類は、触媒量、反応温度等により変わ
るが通常5分〜12時間かけて加える。還元剤、または
ビス(3−ニトロ−4−ヒドロキシフェニル)類の添加
後、反応混合物は、さらに、所望とあらば、5分間〜4
8時間、好ましくは30分〜12時間攪拌する。
【0019】酸化に鋭敏な生成物の場合には、反応は、
好ましくは、保護気体雰囲気下、例えば、窒素雰囲気下
で行われる。
【0020】酸化により着色しやすい生成物の場合に
は、必要により予め反応液中にハイドロサルファイド、
硫化ソーダ、ハイドロキノン、メトキノン等の酸化防止
剤を添加しても良い。添加量としてはビス(3−ニトロ
−4−ヒドロキシフェニル)類1重量部に対して0.0
01〜0.5重量部、好ましくは0.01〜0.1重量
部である。
【0021】反応終了後、反応液から触媒を濾過または
沈降により分離した後、反応液を濃縮し又は濃縮せずに
貧溶媒を添加もしくは貧溶媒中に投入して、結晶を析出
させ濾過して目的物を得る。濃縮する場合、ビス(3−
アミノ−4−ヒドロキシフェニル)類1重量部に対し
0.3−2.5倍(w/v)程度になるように濃縮し、
次いで熱時貧溶媒を加えて結晶を析出させた後、ゆっく
り冷却して結晶を成長させてもよい。貧溶媒添加を室温
下に行っても良い。結晶の採取は結晶を析出させた後に
濾過する。ここで使用する貧溶媒としては、例えば水や
炭化水素系有機溶媒があげられる。炭化水素系有機溶媒
としては、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族
炭化水素類、n−ヘキサン、シクロヘキサン、n−ヘプ
タンまたはn−オクタン等の脂肪族炭化水素類があげら
れる。これらの溶媒は混合溶媒として使用しても良い。
また、触媒を濾過により除去した反応液より溶媒を留去
し、濃縮液から粗製品を回収しても良い。また、必要に
応じて、該粗製品を精製工程に供することも出来る。精
製は、例えば炭素数1〜4の低級脂肪族アルコール類
(具体例;メタノール、エタノール、n−プロピルアル
コール、イソプロピルアルコール、n−ブチルアルコー
ル等)、またはこれら各低級脂肪族アルコール類の混合
溶媒等を使用した再結晶法により行われる。または低級
カルボン酸エステル類(具体例;酢酸メチル、酢酸エチ
ル、酢酸プロピル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸
エチル、プロピオン酸プロピル等)、またはこれら各カ
ルボン酸エステル類の混合溶媒等を使用する。低級脂肪
族アルコール類をで使用する場合、好ましいものはメタ
ノールまたはイソプロピルアルコールであり、特に好ま
しくはイソプロピルアルコールである。低級カルボン酸
エステル類を使用する場合、好ましいものは酢酸エチル
またはプロピオン酸エチルであり、特に好ましいものは
酢酸エチルである。前記低級脂肪族アルコール類または
低級カルボン酸エステル類等の使用量は、ビス(3−ア
ミノ−4−ヒドロキシフェニル)類1重量部に対して
0.1〜50.0容量部、好ましくは0.1〜10.0
容量部、特に好ましくは0.5〜2.0容量部である。
必要により加温、完溶した後に徐冷しながら晶析させる
方法、または、上記の貧溶媒中に投入して、結晶を析出
させ濾過して回収する方法、さらには該粗製品を上記の
溶媒中で分散状で攪拌後、濾過する方法等により高純度
のビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)類を得
ることが出来る。低級脂肪族アルコール類または低級カ
ルボン酸エステル類、および炭化水素系有機溶媒または
それらと水との混合溶媒を用いる場合の使用量は粗ビス
(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)類1重量部に
対して0.5〜30.0容量部であり、好ましくは1.
0〜10.0容量部であり、特に好ましくは3.0〜
5.0容量部である。混合溶媒中における貧溶媒である
炭化水素系有機溶媒、水の混合比率は好ましくは5.0
〜95.0容量%であり、特に好ましくは10.0〜6
0.0容量%である。必要により精製手段として蒸留に
よることも可能である。目的物の純度は液体クロマトグ
ラフィーにより容易に測定できる。
【0022】
【実施例】次に実施例によって本発明を更に具体的に説
明するが、本発明がこれらの具体例にのみ限定されるも
のではない。
【0023】実施例1 温度計、ジムロート冷却器および攪拌機を備えた100
cc四つ口フラスコに、2,2−ビス(3−ニトロ−4
−ヒドロキシフェニル)ヘキサフロロプロパン15.0
g、メタノール50.0ccを加え、撹拌し、E196
R/W5%Pd(商品名、5%パラジウム−カーボン触
媒、デグサジャパン(株)製)0.23g(ドライ換
算)を加える。加熱、液温60℃〜65℃に保ち、60
%ヒドラジン一水和物の水溶液11.8gを20分かけ
て滴下、その間発熱があるので必要により冷却する。ヒ
ドラジン水溶液の仕込み終了後、70℃で30分間攪拌
を継続した。その後、室温まで徐冷し、触媒を濾別した
後、反応液からメタノ−ル、水を留去し、粗2,2−ビ
ス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフロ
ロプロパンを得た。(粗収量12.6g、粗収率98
%、液体クロマト分析値98.3%(面積%))
【0024】温度計、ジムロート冷却器および攪拌機を
備えた100cc四つ口フラスコに、上記で得られた粗
2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)
ヘキサフロロプロパン12.6g、イソプロピルアルコ
ール50.0ccを加え、還流状態で溶解するまで加熱
し、均一溶液とした後、系内からイソプロピルアルコー
ル40ccを留去、結晶析出させた。さらに還流状態で
15分間攪拌し、トルエン30ccを徐々に加え、15
分間還流温度で攪拌を続けた。その後、室温まで徐冷、
更に氷水冷却下0〜5 ℃で30分間攪拌した。十分に結
晶を析出させた後、結晶を濾過し、冷却しておいたイソ
プロピルアルコール(10容量%)およびトルエン(9
0容量%)の混合溶液50ccで結晶を十分に洗浄した
後、十分に乾燥した。高純度の白色結晶を得た。(精製
収率89.9%、収量11.6g、液体クロマト分析値
99.9%(面積%))
【0025】実施例2 温度計、ジムロート冷却器および攪拌機を備えた200
0cc四つ口フラスコに、2,2−ビス(3−ニトロ−
4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフロロプロパン40
0.0g、メタノール1200ccを加えて撹拌し、前
記E196R/W5%Pd9.0g(ドライ換算)を加
えた。攪拌しながら加熱、液温60℃〜65℃に保ちな
がら、60%ヒドラジン一水和物の水溶液313.2g
を4時間かけて滴下した。ヒドラジンの仕込み終了後、
30分間攪拌を継続し、室温まで徐冷し、触媒を濾別し
た後、反応液を濃縮し、粗2,2−ビス(3−アミノ−
4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフロロプロパンを得
た。(粗収量336.8g、粗収率98%、液体クロマ
ト分析値97.9%(面積%))
【0026】実施例1と同様にイソプロピルアルコ−ル
とトルエンの混合溶媒により精製シ、高純度の白色結晶
を得た。(精製収率89.3%、収量306.9g、液
体クロマト分析値99.9%(面積%))
【0027】実施例3 温度計、ジムロート冷却器および攪拌機を備えた500
cc四つ口フラスコに、2,2−ビス(3−ニトロ−4
−ヒドロキシフェニル)ヘキサフロロプロパン100.
0g、メタノール300cc、展開したNDT−90
(商品名、ラネーニッケル触媒、川研ファインケミカル
(株)製)5.0gを加えて攪拌し、60℃まで加熱し
て2,2−ビス(3−ニトロ−4−ヒドロキシフェニ
ル)ヘキサフロロプロパンを完溶した。液温60℃〜6
5℃に保ち、60%ヒドラジン一水和物の水溶液78.
3gを1時間かけて滴下した。ヒドラジン水溶液の仕込
み終了後30分間攪拌を継続し、室温まで徐冷後、触媒
を濾別した後、反応液を濃縮し粗2,2−ビス(3−ア
ミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフロロプロパン
を得た。(粗収量82.5g、粗収率96.0%、液体
クロマト分析値96.5%(面積%))
【0028】実施例1と同様にイソプロピルアルコ−ル
とトルエンの混合溶媒により精製し、高純度の白色結晶
を得た。(精製収率85.5%、収量73.5g、液体
クロマト分析値99.9%(面積%))
【0029】
【発明の効果】本発明の製造方法においては、還元剤と
してヒドラジン類を使用することにより、ビス(3−ア
ミノ−4−ヒドロキシフェニル)類、特に耐熱性ポリマ
ー等の原料、特に電子材料用の耐熱性ポリマー等の原料
として有用2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシ
フェニル)ヘキサフロロプロパンを簡便な操作で高収率
および高純度で得ることができる。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI C07C 237/30 C07C 237/30 315/04 315/04 317/36 317/36 317/46 317/46 319/20 319/20 323/37 323/37 323/62 323/62 // C07B 61/00 300 C07B 61/00 300

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ビス(3−ニトロ−4−ヒドロキシフェニ
    ル)類を触媒の存在下、ヒドラジン類で還元することを
    特徴とするビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニ
    ル)類の製造方法。
  2. 【請求項2】ビス(3−ニトロ−4−ヒドロキシフェニ
    ル)類が式 【化1】 (式(1)中、Xはメチレン、置換アルキレン、アラル
    キレン、オキシ、チオ、スルホキシド、スルホン、カル
    ボニル、アミノまたはフェニル基間の直接結合を表し、
    R1 およびR2 は、水素原子、アルキル基、アルコキシ
    基、水酸基、アシル基、アルキルオキシカルボニル基、
    カルバモイル基、アシルオキシ基またはハロゲン原子を
    表し、R1 およびR2 は同じであってもよい。)で表さ
    れる化合物であり、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシ
    フェニル)類が式 【化2】 (式(2)中、X、R1 およびR2 は式(1)における
    のと同じ意味を表す。)で表される化合物である請求項
    1に記載のビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニ
    ル)類の製造方法。
  3. 【請求項3】Xが置換アルキレンである請求項2に記載
    のビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)類の製
    造方法。
  4. 【請求項4】置換アルキレンが1,1,1,3,3,3
    −ヘキサフロロプロピレンである請求項3に記載のビス
    (3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)類の製造方
    法。
  5. 【請求項5】触媒が鉄塩と活性炭とを組み合わせたもの
    である請求項1に記載のビス(3−アミノ−4−ヒドロ
    キシフェニル)類の製造方法。
  6. 【請求項6】触媒がニッケル触媒又は貴金属触媒である
    請求項1に記載のビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフ
    ェニル)類の製造方法。
  7. 【請求項7】貴金属触媒が支持体物質に分散された白金
    及び/又はパラジウム触媒である請求項6に記載のビス
    (3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)類の製造方
    法。
  8. 【請求項8】還元反応を炭素数1〜4の低級脂肪族アル
    コール類、低級ジオール類、環式エーテル類または非環
    式エーテル類中で行う請求項1ないし7のいずれか一項
    に記載のビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)
    類の製造方法。
  9. 【請求項9】反応温度が0℃〜120℃である請求項1
    ないし8のいずれか一項に記載のビス(3−アミノ−4
    −ヒドロキシフェニル)類の製造方法。
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