JPH11102654A - 元素分析方法及び元素分析装置 - Google Patents

元素分析方法及び元素分析装置

Info

Publication number
JPH11102654A
JPH11102654A JP9262388A JP26238897A JPH11102654A JP H11102654 A JPH11102654 A JP H11102654A JP 9262388 A JP9262388 A JP 9262388A JP 26238897 A JP26238897 A JP 26238897A JP H11102654 A JPH11102654 A JP H11102654A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
electron beam
emitted
secondary ions
lens
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9262388A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuya Sakai
哲哉 酒井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP9262388A priority Critical patent/JPH11102654A/ja
Publication of JPH11102654A publication Critical patent/JPH11102654A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
  • Electron Tubes For Measurement (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高い空間分解能で元素分析を行うことがで
き、軽元素の分析が可能な元素分析装置を実現する。 【解決手段】 筐体6に電子銃8が備えられ、筐体6の
内部で、電子銃8から発せられる電子ビームの進行方向
に、コンデンサーレンズ1、試料ホルダー7、対物レン
ズ2、中間レンズ3、投影レンズ4及び蛍光板5がこの
順番で電子銃8側から並べられている。試料ホルダー7
に試料が取り付けられ、試料ホルダー7の試料の近傍に
第1円筒レンズ10が配置される。第1円筒レンズ10
及びイオンエネルギーアナライザー11などで質量分析
部9が構成されている。電子銃8から発せられた電子ビ
ームがコンデンサーレンズ1により収束されて試料ホル
ダー7の試料に照射される。これにより、試料ホルダー
7の試料から放出された2次イオンが第1円筒レンズ1
0から質量分析部9に取り込まれ、その2次イオンが質
量分析部9で分析される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、元素分析方法及び
元素分析装置に関し、特に、電子ビームを試料に照射し
て試料の元素分析を行う元素分析方法及び元素分析装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の元素分析装置としては、例えば特
開昭60−138832号公報に示されるものが挙げら
れる。図4は、特開昭60−138832号公報に示さ
れる、元素分析装置としての二次イオン質量分析計を示
す概略構成図である。
【0003】図4に示されるように、従来の二次イオン
質量分析計では、イオン源117から発せられるイオン
ビームの進行方向に質量分離器118が配置されてい
る。イオン源117から発せられて質量分離器118を
通過したイオンビームの進行方向には筐体123が配置
されている。筐体123の内部では、第1レンズ11
9、ディフレクター120及び第2レンズ121がこの
順番で質量分離器118側から順に並べられている。第
1レンズ119、ディフレクター120及び第2レンズ
121を通過して筐体123の外部に出射するイオンビ
ームの進行方向には試料122が配置されている。そし
て、試料122にイオンビームが照射されることで試料
122から放出される二次イオンを四重極質量分析計へ
導くためのイオン導出系124が筐体123の内部にさ
らに備えられている。
【0004】イオン導出系124は、第1円筒レンズ1
10、イオンエネルギーアナライザー111及び第2円
筒レンズ112で構成されている。第1円筒レンズ11
0は、試料122から放出された二次イオンをイオンエ
ネルギーアナライザー111へ導くものである。第2円
筒レンズ112は、イオンエネルギーアナライザー11
1を通過した二次イオンを、筐体123の外部に備えら
れた四重極質量分析計の四重極部113へ導くものであ
る。四重極部113を通過した二次イオンの進行方向に
は荷電粒子検出部114が配置されている。
【0005】上述した二次イオン質量分析計では、イオ
ン源117の引き出し電極の極性を、二次イオン質量分
析を行う場合と逆に設定することによって、イオン源1
17から電子ビームが放射されるようにする。そして、
イオン源117から電子ビームを発生させて、その電子
ビームを質量分離器118、第1レンズ119、ディフ
レクター120及び第2レンズ121を通して試料12
2に照射させる。試料122に電子ビームが照射される
ことにより、試料122から二次電子が放出される。試
料122から放出された二次電子は、第1円筒レンズ1
10、イオンエネルギーアナライザー111、第2円筒
レンズ112及び四重極部113を通過した後に荷電粒
子検出部114に到達し、その二次電子が荷電粒子検出
部114で検出される。これにより、試料122の表面
の状態を観察することができる。
【0006】上記の二次イオン質量分析計での元素分析
方法の他には、試料に電子ビームを照射した際に試料か
ら放出される特性X線を半導体検出器などで検出する、
いわゆるエネルギー分散型特性X線分析(EDX)また
は、波長分散型特性X線分析(WDS)といった方法に
よって元素分析が行われている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
元素分析装置としての二次イオン質量分析計では、質量
分析を行う際にプローブとしての一次イオンビームを十
分に収束させることができず、微小領域における元素分
析が困難であるという問題点がある。
【0008】また、EDS及びWDSといった元素分析
方法では、軽元素から放出される特性X線のエネルギー
が小さいので、軽元素の分析が不可能であるという問題
点がある。
【0009】本発明の目的は、高い空間分解能で試料の
微小領域の元素分析を行うことができ、かつ、軽元素の
分析が可能な元素分析方法及び元素分析装置を提供する
ことにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の元素分析方法は、電子ビームを発生する段階
と、該電子ビームを収束させて該電子ビームを試料に照
射する段階と、前記試料に電子ビームを照射させること
で前記試料から放出される二次イオンを検出して該二次
イオンの質量分析を行う段階とを有する。
【0011】上記の発明では、発生させられた電子ビー
ムが収束されて試料に照射され、照射された試料から二
次イオンが放出される。そして、試料から放出された二
次イオンが検出されると共に、その二次イオンが質量分
析される。プローブとしての電子ビームを収束させて、
プローブ径を10nm程度に小さくすることができるの
で、試料にイオンビームを照射する場合よりも、高い空
間分解能で元素分析を行うことができる。また、エネル
ギー分散型及び波長分散型の特性X線分析で不可能であ
った軽元素の分析を行うことができる。
【0012】なお、前記試料から放出された二次イオン
の高周波電界中の振動現象を利用して該二次イオンの質
量分析を行うことが好ましい。
【0013】なお、発生させられた電子ビームを走査す
る段階と、前記試料から放出される二次電子を検出する
段階と、検出された二次電子の像を表示する段階とをさ
らに有することが好ましい。
【0014】また、本発明の元素分析装置は、電子ビー
ムを発生する発生手段と、該発生手段から発せられた電
子ビームを収束させると共に該電子ビームを試料に照射
させる収束手段と、該収束手段により前記試料に電子ビ
ームを照射させることで前記試料から放出される二次イ
オンを検出して該二次イオンの質量分析を行う質量分析
手段とを有する。
【0015】上記の発明では、前述したのと同様に、発
生手段から発せられた電子ビームが試料に照射されるこ
とにより試料から二次イオンが放出され、その二次イオ
ンが質量分析手段により検出されると共に、その二次イ
オンが質量分析手段で質量分析される。
【0016】なお、前記質量分析手段が、前記試料から
放出された二次イオンの高周波電界中の振動現象を利用
して該二次イオンの質量分析を行う四重極質量分析計で
あることが好ましい。
【0017】なお、前記発生手段から発せられた電子ビ
ームを走査する走査電極と、前記試料から放出される二
次電子を検出する検出手段と、該検出手段で検出された
二次電子の像を表示する表示手段とをさらに有すること
が好ましい。
【0018】上記の走査電極、検出手段及び表示手段を
有することにより、発生手段から発せられた電子ビーム
を走査電極で走査させつつ試料に電子ビームを照射し、
試料から放出される二次電子を検出手段で検出すると共
に、検出手段で検出された二次電子の像が表示装置で表
示される。
【0019】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
【0020】(第1の実施の形態)図1は、本発明の第
1の実施形態の元素分析装置を示す概略構成図である。
【0021】本実施形態の元素分析装置では、図1に示
すように、円筒状の筐体6の一方の底面に、電子ビーム
を発生する発生手段である電子銃8が備えられている。
電子銃8からは、筐体6の内部で筐体6の他方の底面に
向けて電子ビームが出射される。筐体6の内部には、電
子銃8から発せられた電子ビームの進行方向に沿って、
収束手段であるコンデンサーレンズ1、試料ホルダー
7、対物レンズ2、中間レンズ3、投影レンズ4及び蛍
光板5がこの順番で電子銃8側から並べられている。
【0022】試料ホルダー7は筐体6の内壁から突出し
ていて、試料ホルダー7の先端部に、元素分析が行われ
る試料(不図示)が取り付けられる。その試料ホルダー
7の先端部の試料に、電子銃8からの電子ビームが照射
される。また、試料ホルダー7の試料の近傍には、一対
の円筒レンズから成る第1円筒レンズ10が配置されて
いる。第1円筒レンズ10の、試料ホルダー7側と反対
側には、イオンエネルギーアナライザー11が配置され
ており、第1円筒レンズ10及びイオンエネルギーアナ
ライザー11などから質量分析部9が構成されている。
質量分析部9は、試料ホルダー7の先端部に取り付けら
れた試料から放出される二次イオンを検出し、その試料
の質量分析を行うものである。
【0023】図2は、図1に示される質量分析部9を示
す概略構成図である。図2に示すように、質量分析部9
は、試料ホルダー7の先端部の近傍の第1円筒レンズ1
0、イオンエネルギーアナライザー11、第2円筒レン
ズ12、四重極質量分析計の四重極部13及び、荷電粒
子検出部14で構成されている。第1円筒レンズ10
は、試料ホルダー7の先端の試料から放出された二次イ
オンをイオンエネルギーアナライザー11へ導くもので
ある。第1円筒レンズ10により導かれてイオンエネル
ギーアナライザー11を通過した二次イオンの進行方向
に、一対の円筒レンズから成る第2円筒レンズ12と、
四重極部13と、荷電粒子検出部14とがこの順番でイ
オンエネルギーアナライザー11側から順に並べられて
いる。
【0024】第2円筒レンズ12は、イオンエネルギー
アナライザー11を通過した二次イオンを四重極部13
へ導くものである。四重極部13を有する四重極質量分
析計は、四重極部13を通過する二次イオンの高周波電
界中の振動現象を利用して、その二次イオンの質量分析
を行うものである。
【0025】次に、上述した元素分析装置の動作につい
て説明する。電子銃8から発せられた電子ビームは、コ
ンデンサーレンズ1によって収束されて、試料ホルダー
7の先端部に取り付けられた試料に照射される。試料ホ
ルダー7の試料に照射された電子ビームは、その試料を
透過して、対物レンズ2、中間レンズ3及び投影レンズ
4を通過した後に、蛍光板5に照射される。これによ
り、蛍光板5の表面に、試料ホルダー7の試料の像が結
ばれる。
【0026】蛍光板5の表面の像で確認して試料ホルダ
ー7の試料の、分析を行いたい箇所を特定した後、その
箇所に、電子銃8からの電子ビームを細く絞って照射す
る。ここで、電子銃8での電子ビームの加速電圧を、試
料ホルダー7の試料に格子欠陥が入り始める加速電圧以
上の値に設定する。例えば、試料ホルダー7の試料の材
質がSiであれば、電子ビームの加速電圧が160kV
以上で試料に格子欠陥が入り始める。これにより、試料
ホルダー7の試料から二次イオンが放出される。
【0027】上記のように、試料ホルダー7の試料に電
子ビームが照射されることにより、その試料から二次イ
オンが放出され、放出された二次イオンが第1円筒レン
ズ10から質量分析部9に取り込まれる。質量分析部9
に取り込まれた二次イオンは、第1円筒レンズ10、イ
オンエネルギーアナライザー11、第2円筒レンズ12
及び四重極部13を通過した後に、荷電粒子検出器14
に照射される。これにより、荷電粒子検出器14で二次
イオンが検出される。イオンエネルギーアナライザー1
1、四重極質量分析装置及び荷電粒子検出器14のそれ
ぞれで検出された二次イオンの情報は、マルチチャンネ
ルアナライザー(不図示)などを用いることでマススペ
クトルのデータとして得られる。
【0028】以上で説明したように、本実施形態の元素
分析装置では、電子ビームを試料に照射することにより
試料から二次イオンを放出させ、その二次イオンを検出
して質量分析を行う。従って、従来の元素分析装置によ
うにイオンビームを試料に照射させるのではなく、プロ
ーブとして電子ビームを用いて試料に電子ビームを照射
させるので、イオンビームよりも高い空間分解能で元素
分析を行うことができる。電子ビームを収束させること
でプローブ径を1nm程度まで小さくすることができ
る。また、エネルギー分散型特性X線分析及び波長分散
型特性X線分析で不可能であった軽元素の分析を行うこ
とができる。
【0029】(第2の実施の形態)図3は、本発明の第
2の実施形態の元素分析装置を示す概略構成図である。
本実施形態の元素分析装置では、第1の実施形態と比較
して、試料から放出された二次電子の像をCRT(ブラ
ウン管)に表示する点が異なっている。図3では、第1
の実施形態と同一の構成部品に同一の符号を付してあ
る。以下では、第1の実施形態と異なる点を中心に説明
する。
【0030】本実施形態の元素分析装置では、図3に示
すように、円筒状の筐体36の一方の底面に、発生手段
である電子銃8が備えられている。電子銃8からは、筐
体36の内部で筐体36の他方の底面に向けて電子ビー
ムが出射される。筐体36の内部には、電子銃8から発
せられた電子ビームの進行方向に沿って、収束手段であ
るコンデンサーレンズ1、走査電極としての走査コイル
16及び、試料ホルダー7がこの順番で電子銃8側から
並べられている。
【0031】走査コイル16は、電子銃8から発せられ
た電子ビームを走査するものである。試料ホルダー7は
筐体36の内壁から突出していて、試料ホルダー7の先
端部に、元素分析が行われる試料(不図示)が取り付け
られる。その試料ホルダー7の先端部の試料に、電子銃
8からの電子ビームが照射される。
【0032】また、筐体36の内部で試料ホルダー7の
先端部の近傍には、検出手段としての二次電子検出器1
5が配置されている。二次電子検出器15によって、試
料ホルダー7の試料から放出される二次電子が検出され
る。さらに、本実施形態の元素分析装置には、表示手段
としてのCRT(不図示)が備えられている。そのCR
Tには、二次電子検出器15からの信号を基に、二次電
子検出部15で検出された二次電子の像が表示される。
そして、第1の実施形態と同様に、試料ホルダー7の試
料から放出される二次イオンを検出して、その二次イオ
ンの質量分析を行う質量分析部9が元素分析装置に備え
られている。
【0033】このような元素分析装置では、電子銃8か
ら発せられた電子ビームを走査コイル16によって走査
させつつ試料ホルダー7の試料に電子ビームを照射し、
その試料から放出される二次電子を二次電子検出器15
で検出すると共に、二次電子検出器15で検出された二
次電子の像がCRTに表示される。
【0034】以上で説明したように本実施形態の元素分
析装置では、走査コイル16及び二次電子検出部15
と、試料から放出された二次電子を表示するCRTとが
備えられたことにより、第1の実施形態で用いられた対
物レンズ2、中間レンズ3、投影レンズ4及び蛍光板5
が不要となる。従って、元素分析装置を簡略化すると共
に小型化することができ、元素分析装置によって占有さ
れる床面積の低減を図ることができる。
【0035】また、第1の実施形態と同様に、電子ビー
ムを試料に照射することにより試料から二次イオンを放
出させ、その二次イオンを検出して質量分析を行うの
で、軽元素の分析を行うことができる。また、従来の元
素分析装置にようにイオンビームを試料に照射させるの
ではなく、プローブとして電子ビームを用いて電子ビー
ムを試料に照射させるので、イオンビームよりも高い空
間分解能で元素分析を行うことができる。電子ビームを
収束させることでプローブ径を1nm程度まで小さくす
ることができる。
【0036】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、試料に電
子ビームを照射させることによって試料から二次イオン
を放出させ、放出された二次イオンを質量分析すること
で元素分析を行うので、イオンビームを試料に照射する
場合よりも高い空間分解能で元素分析を行うことができ
るという効果がある。また、エネルギー分散型及び波長
分散型の特性X線分析で不可能であった軽元素の分析を
行うことができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態の元素分析装置を示す
概略構成図である。
【図2】図1に示される質量分析部を示す概略構成図で
ある。
【図3】本発明の第2の実施形態の元素分析装置を示す
概略構成図である。
【図4】従来の技術による元素分析装置を示す概略構成
図である。
【符号の説明】
1 コンデンサーレンズ 2 対物レンズ 3 中間レンズ 4 投影レンズ 5 蛍光板 6、36 筐体 7 試料ホルダー 8 電子銃 9 質量分析部 10 第1円筒レンズ 11 イオンエネルギーアナライザー 12 第2円筒レンズ 13 四重極部 14 荷電粒子検出部 15 二次電子検出部 16 走査コイル

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電子ビームを発生する段階と、該電子ビ
    ームを収束させて該電子ビームを試料に照射する段階
    と、前記試料に電子ビームを照射させることで前記試料
    から放出される二次イオンを検出して該二次イオンの質
    量分析を行う段階とを有する元素分析方法。
  2. 【請求項2】 前記試料から放出された二次イオンの高
    周波電界中の振動現象を利用して該二次イオンの質量分
    析を行う請求項1に記載の元素分析方法。
  3. 【請求項3】 発生させられた電子ビームを走査する段
    階と、前記試料から放出される二次電子を検出する段階
    と、検出された二次電子の像を表示する段階とをさらに
    有する請求項1または2に記載の元素分析方法。
  4. 【請求項4】 電子ビームを発生する発生手段と、該発
    生手段から発せられた電子ビームを収束させると共に該
    電子ビームを試料に照射させる収束手段と、該収束手段
    により前記試料に電子ビームを照射させることで前記試
    料から放出される二次イオンを検出して該二次イオンの
    質量分析を行う質量分析手段とを有する元素分析装置。
  5. 【請求項5】 前記質量分析手段が、前記試料から放出
    された二次イオンの高周波電界中の振動現象を利用して
    該二次イオンの質量分析を行う四重極質量分析計である
    請求項4に記載の元素分析装置。
  6. 【請求項6】 前記発生手段から発せられた電子ビーム
    を走査する走査電極と、前記試料から放出される二次電
    子を検出する検出手段と、該検出手段で検出された二次
    電子の像を表示する表示手段とをさらに有する請求項4
    または5に記載の元素分析装置。
JP9262388A 1997-09-26 1997-09-26 元素分析方法及び元素分析装置 Pending JPH11102654A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9262388A JPH11102654A (ja) 1997-09-26 1997-09-26 元素分析方法及び元素分析装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9262388A JPH11102654A (ja) 1997-09-26 1997-09-26 元素分析方法及び元素分析装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11102654A true JPH11102654A (ja) 1999-04-13

Family

ID=17375078

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9262388A Pending JPH11102654A (ja) 1997-09-26 1997-09-26 元素分析方法及び元素分析装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11102654A (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS543593A (en) * 1977-06-10 1979-01-11 Hitachi Ltd Solid surface analyzer
JPS6381251A (ja) * 1986-09-25 1988-04-12 Toshiba Corp 表面構造解析法
WO1997019343A1 (fr) * 1995-11-21 1997-05-29 Advantest Corporation Procede et appareil pour analyser des impuretes de surface, sur une toute petite zone

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS543593A (en) * 1977-06-10 1979-01-11 Hitachi Ltd Solid surface analyzer
JPS6381251A (ja) * 1986-09-25 1988-04-12 Toshiba Corp 表面構造解析法
WO1997019343A1 (fr) * 1995-11-21 1997-05-29 Advantest Corporation Procede et appareil pour analyser des impuretes de surface, sur une toute petite zone

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7960697B2 (en) Electron beam apparatus
JP3724949B2 (ja) 基板検査装置およびこれを備えた基板検査システム並びに基板検査方法
US5008537A (en) Composite apparatus with secondary ion mass spectrometry instrument and scanning electron microscope
JP2019035744A (ja) 透過型荷電粒子顕微鏡における回折パターン検出
US7645988B2 (en) Substrate inspection method, method of manufacturing semiconductor device, and substrate inspection apparatus
JPH05160212A (ja) 集束イオンビームによる集積回路の動作解析方法とその装置
JPH0935679A (ja) 走査電子顕微鏡
US7855362B1 (en) Contamination pinning for auger analysis
JPH11102654A (ja) 元素分析方法及び元素分析装置
US4219730A (en) Charge-particle energy analyzer
JPH03138850A (ja) 2次イオン質量分析装置
JP3342580B2 (ja) 荷電粒子ビーム装置
JP4146103B2 (ja) 電界放射型電子銃を備えた電子ビーム装置
JPH11354072A (ja) レーザイオン化中性粒子質量分析装置および分析方法
JP4110042B2 (ja) 基板検査装置、基板検査方法および半導体装置の製造方法
JP2000215841A (ja) 化学分析用複合放出電子顕微鏡装置
JPS5811569B2 (ja) デンシブンコウソウチ
JPH0723878B2 (ja) X線光電子分光装置
JP3814968B2 (ja) 検査装置
JPH04233149A (ja) 試料面分析装置
JPH0547933B2 (ja)
JPH04112445A (ja) 電子分光分折装置
JP2001255290A (ja) 固体物質の表面分析方法
JP3101141B2 (ja) 電子ビーム装置
JP2005292013A (ja) 表面分析装置