JPH1098195A - 表示用薄膜半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 表示用薄膜半導体装置に含まれる駆動回路の
特性改善及び製造効率改善を図る。 【解決手段】 先ず成膜工程を行ない、ウエハ１の表面
に非単結晶性の半導体薄膜を全面的に成膜する。次に照
射工程を行ない、予め所定の幅Ｗで帯状に整形されたレ
ーザビーム７を各境界Ｘ，Ｙに沿って順次選択的にステ
ップ照射し、少くとも各境界Ｘ，Ｙに隣接する各区画２
内の周辺領域５に属する半導体薄膜を非単結晶性から多
結晶性に転換する。第一加工工程を行ない、周辺領域５
に属する半導体薄膜を加工して回路素子用の薄膜トラン
ジスタを集積形成し駆動回路６を設ける。第二加工工程
を行ない、中央領域３に属する半導体薄膜を加工してス
イッチング素子用の薄膜トランジスタを集積形成すると
ともに、これらに接続する画素電極を集積形成して画素
アレイ４を設ける。最後に切断工程を行ない、各境界
Ｘ，Ｙに沿ってウエハ１を切断し各区画２に形成した表
示用薄膜半導体装置８を個々に分離する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は絶縁基板上に成膜さ
れた半導体薄膜を活性層とする薄膜トランジスタが集積
的に形成された表示用薄膜半導体装置の製造方法に関す
る。より詳しくは、絶縁基板上に半導体薄膜を成膜した
後その結晶化を目的として行なわれるレーザビーム照射
技術（レーザアニール）に関する。

【０００２】

【従来の技術】表示用薄膜半導体装置はアクティブマト
リクス型の液晶ディスプレイ等に用いられており、現在
盛んに開発が行なわれている。薄膜トランジスタの活性
層として用いられる半導体薄膜には多結晶シリコン（ポ
リシリコン）と非晶質シリコン（アモルファスシリコ
ン）とがある。ポリシリコン薄膜トランジスタは小型で
高精細のカラー液晶ディスプレイを作成することができ
る。透明な基板上に薄膜トランジスタを集積形成する
為、従来の半導体技術では電極や抵抗材料としてのみ活
用されていたポリシリコンを活性層として用いており、
高密度設計が可能な高性能の薄膜トランジスタを実現で
きる。同時に、従来は外付けのＩＣを用いていた駆動回
路部を、表示部（画素アレイ）と同一基板上に同一プロ
セスで形成することが可能になる。アモルファスシリコ
ントランジスタでは実現できなかった高精細且つ駆動回
路一体型の液晶ディスプレイを実現できる。ポリシリコ
ンは移動度が大きく薄膜トランジスタの電流駆動能力を
高くできるので、高速駆動が必要な駆動回路部の水平走
査回路及び垂直走査回路を画素トランジスタと同一基板
上に同時に作り込むことができる。従って、基板から外
部に取り出す信号線の本数を大幅に削減することができ
る。ポリシリコントランジスタに対して従来のＬＳＩの
微細加工技術が応用でき、画素ピッチの極微細化が可能
になり高精細化が容易である。更に、薄膜トランジスタ
のサイズを小さくすることができる為、画素ピッチの微
細化により液晶ディスプレイを高精細化しても、大きな
開口率を確保することができる。この為透過率が高くな
り、明るい液晶ディスプレイが得られる。以上のように
優れた特性を有するポリシリコン薄膜トランジスタを集
積形成した表示用薄膜半導体装置は小型高精細な特徴を
活かして様々な用途に応用範囲を広げている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】表示用薄膜半導体装置
の製造工程を効率化し且つ低温プロセス化する方法の一
貫として、レーザビームを用いたレーザアニールが開発
されている。これは、絶縁基板上に成膜されたアモルフ
ァスシリコンやポリシリコン等非単結晶性の半導体薄膜
にレーザビームを照射して局部的に加熱溶融した後、そ
の冷却過程で半導体薄膜を結晶化するものである。この
結晶化した半導体薄膜を活性層（チャネル領域）として
薄膜トランジスタを集積形成する。結晶化した半導体薄
膜はキャリアの移動度が高くなる為薄膜トランジスタを
高性能化できる。レーザビームの照射方法としては、例
えば小面積のレーザスポットを二次元的にスキャニング
して基板全面を照射する方法がある。又、レーザビーム
をライン状に整形して一次元方向に部分的に重ねながら
スキャニングする方法もある。更には、大面積のレーザ
ビームスポットを少くとも１チップ以上の大きさにし
て、ステップアンドリピードでレーザビームを照射する
方法がある。ところで、周辺駆動回路に形成される薄膜
トランジスタと画素アレイ部に形成される薄膜トランジ
スタを比較した場合、後者よりも前者をより高性能化す
る必要がある。しかしながら、従来のレーザビーム照射
方式ではこの点の配慮が不十分であり解決すべき課題と
なっていた。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁体からな
る平面基板（ウエハ）の表面に沿って縦横の境界により
互いに隔てられた複数の区画を規定し、各区画内の中央
領域に画素アレイを形成し周辺領域に駆動回路を形成す
る表示用薄膜半導体装置の製造方法である。先ず成膜工
程を行ない、該平面基板の表面に非単結晶性の半導体薄
膜を全面的に成膜する。次に照射工程を行ない、予め所
定の幅で帯状に整形されたレーザビームを各境界に沿っ
て順次選択的に照射し、少くとも各境界に隣接する各区
画内の周辺領域に属する半導体薄膜を非単結晶性から多
結晶性に転換する。続いて第一加工工程を行ない、該周
辺領域に属する半導体薄膜を加工して回路素子用の薄膜
トランジスタを集積形成し駆動回路を設ける。更に第二
加工工程を行ない、該中央領域に属する半導体薄膜を加
工してスイッチング素子用の薄膜トランジスタを集積形
成するとともに、これらに接続する画素電極を集積形成
して画素アレイを設ける。尚、第一加工工程と第二加工
工程は同時に行なわれるプロセスを含んでいる。最後に
切断工程を行ない、各境界に沿って平面基板を切断し各
区画に形成した表示用薄膜半導体装置を個々に分離す
る。

【０００５】好ましくは、前記照射工程は一本の境界に
両側から隣接する区画に含まれる両側の周辺領域を一度
に照射する為に十分な幅を有するレーザビームを用い
る。又、好ましくは前記照射工程は縦横両方の境界に沿
ってレーザビームを照射し少くとも各区画の互いに直交
する二辺に沿って縦横に配置した周辺領域に属する半導
体薄膜を非単結晶性から多結晶性に転換する。更に、好
ましくは前記照射工程は各区画に含まれる中央領域に対
し面状に整形したレーザビームを一括照射する工程を含
み、該中央領域に属する半導体薄膜も非単結晶性から多
結晶性に転換する。或いは、前記照射工程は各区画に含
まれる中央領域に対し線状に整形したレーザビームを部
分的に重ねながらスキャン照射する工程を含み、該中央
領域に属する半導体薄膜も非単結晶性から多結晶性に転
換してもよい。前記照射工程は平面基板を４００℃〜８
００℃の温度範囲で加熱しながらレーザビームを照射し
てもよい。

【０００６】本発明によれば、所定の幅で帯状に整形さ
れたレーザビームを各境界に沿って照射し、境界に隣接
する区画内の周辺領域に属する半導体薄膜を選択的に非
単結晶性から多結晶性に転換している。この後、周辺領
域に属する半導体薄膜を加工して回路素子用の薄膜トラ
ンジスタを集積形成し駆動回路を設ける。このように予
め駆動回路が形成される周辺領域にレーザビームを選択
的に照射することで、周辺領域に属する半導体薄膜を最
適な条件で結晶化処理することが可能になり、駆動回路
を構成する薄膜トランジスタを高性能化できる。又、周
辺領域とは別の条件で中央領域にレーザビームを照射す
ることができ、画素スイッチング素子用の薄膜トランジ
スタについても所望の条件で半導体薄膜を結晶化可能で
ある。このように、駆動回路の属する周辺領域と画素ア
レイの属する中央領域とでレーザビームの照射条件を別
々に設定でき、レーザアニールを領域毎に最適化すると
ともに、効率化も可能になる。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の最良
な実施形態を詳細に説明する。図１は本発明にかかる表
示用薄膜半導体装置の製造方法の概要を示す模式的な平
面図である。図示するように、本製造方法は、絶縁体か
らなる平面基板（例えば、ガラス板のウエハ１）の表面
に沿って横縦の境界Ｘ，Ｙにより互いに隔てられた複数
の区画２を規定し、各区画２内の中央領域３に画素アレ
イ４を形成し、周辺領域５に駆動回路６を形成するもの
である。先ず最初に成膜工程を行ない、ウエハ１の表面
に非単結晶性の半導体薄膜を全面的に成膜する。次に照
射工程を行ない、予め所定の幅Ｗで帯状に整形されたレ
ーザビーム７を各境界に沿って順次選択的に照射する。
図示の状態では、一番左側に位置する縦の境界Ｙに沿っ
てレーザビーム７が照射されている。これにより、境界
Ｙに隣接する各区画２内の周辺領域５に属する半導体薄
膜を非単結晶性から多結晶性に転換する。この後第一加
工工程を行ない、周辺領域５に属する半導体薄膜を加工
して回路素子用の薄膜トランジスタを集積形成し駆動回
路６を設ける。更に第二加工工程を行ない、中央領域３
に属する半導体薄膜を加工してスイッチング素子用の薄
膜トランジスタを集積形成するとともに、これらに接続
する画素電極を集積形成して画素アレイ４を設ける。
尚、第一加工工程と第二加工工程では薄膜トランジスタ
の集積形成が同時に行なわれる。最後に、横縦の境界
Ｘ，Ｙに沿ってウエハ１を切断し各区画２に形成した表
示用薄膜半導体装置８を個々に分離する。

【０００８】好ましくは、レーザビーム７は一本の境界
（図示の状態では一本の縦境界Ｙ）に両側から隣接する
区画２に含まれる両側の周辺領域を一度に照射する為に
十分な幅Ｗを有する。これにより、左側の区画２では周
辺領域の右辺がレーザ照射を受け、右側の区画２では周
辺領域５の左辺がレーザビームの照射を受ける。このよ
うなレーザ照射方法は、一個の区画２において周辺領域
５の左辺及び右辺に駆動回路６を形成する場合に好適で
ある。例えば、周辺領域５の右辺及び左辺に一対の垂直
走査回路を設ける場合である。又、前記照射工程は、横
縦両方の境界Ｘ，Ｙに沿ってレーザビーム７を照射する
ことで、少くとも各区画２の互いに直交する二辺に沿っ
て横縦に配置した周辺領域５に属する半導体薄膜を非単
結晶性から多結晶性に転換することができる。例えば、
縦の境界Ｙに沿ってレーザビーム７を照射した場合に
は、前述したように周辺領域５の左辺及び／又は右辺の
結晶化が行なえ、横の境界Ｘに沿ってレーザビーム７を
照射した場合には、周辺領域５の上辺及び／又は下辺に
属する半導体薄膜をレーザ照射可能である。周辺領域５
の上辺及び／又は下辺には駆動回路６のうち水平走査回
路等が形成される。尚、レーザビーム７を縦方向と横方
向で切り換える場合には、例えばステージに載置したウ
エハ１を９０°回転すればよい。このように、本発明で
は縦横の境界に沿って帯状に形成されたレーザビーム７
を照射することで、所望の条件（レーザビームエネルギ
ーやレーザビーム照射時間）を最適化でき、駆動回路６
に含まれる薄膜トランジスタを選択的に高性能化でき
る。

【０００９】前記照射工程では、各区画２の周辺領域５
とは別の条件で、各区画２に含まれる中央領域３に対し
レーザビームを照射することができる。例えば、中央領
域３の形状に合わせて面状に整形したレーザビームを各
区画２毎にステップ照射することで、個々の中央領域３
に属する半導体薄膜をワンショットで一括的に非単結晶
性から多結晶性に転換することができる。或いは、各区
画２に含まれる中央領域３に対し線状に整形したレーザ
ビームを部分的に重ねながらスキャン照射することで、
中央領域３に属する半導体薄膜を非単結晶性から多結晶
性に転換することができる。このように、周辺領域５と
別の条件で中央領域３をレーザ照射できる為、画素スイ
ッチング素子用の薄膜トランジスタに適した半導体薄膜
の結晶化処理が行なえる。

【００１０】場合によっては、上記照射工程は基板を加
熱しながら行なうことができる。基板加熱を併用するこ
とで、レーザビームのエネルギーを節約することが可能
になる。例えば、周辺領域５に対してレーザビームを照
射する場合、ウエハ１を４００℃〜８００℃の温度範囲
で加熱する。これにより、結晶化が進んだ高性能な半導
体薄膜を得ることができる。一方、中央領域３に対して
レーザビームを照射する場合には、例えばウエハ１を２
００℃〜５００℃の温度範囲で加熱する。この場合、加
熱温度が低い為周辺領域に比べれば中央領域の半導体薄
膜の結晶性が多少劣ることになるが、画素スイッチング
素子用の薄膜トランジスタとしては動作上問題はない。
周辺領域の照射に比べ中央領域の照射では基板加熱温度
を低めに設定することで、工程の負荷が少なくなる。但
し、上述した基板加熱条件は単に一例に過ぎず、本発明
の範囲を限定するものではない。場合によっては、周辺
領域及び中央領域とで同一の加熱条件を採用してもよ
い。

【００１１】図２は、区画２の中央領域３に対して線状
（ライン状）に整形したレーザビームを部分的に重ねな
がらスキャン照射する工程を模式的に表わしている。こ
のレーザアニールでは、区画２の中央領域に対して例え
ば縦方向（Ｙ方向）に沿ってライン状に形成されたレー
ザビーム７ａのパルスを間欠照射する。レーザ光源とし
ては例えば波長が３８０nmのエキシマレーザを用いるこ
とができる。この時同時に、照射領域を部分的に重ねな
がらレーザビーム７ａを区画２に対して相対的に横方向
（Ｘ方向）に移動させている。図示の例では、固定され
たレーザビーム７ａの照射領域に対し区画２を−Ｘ方向
にステップ移動させている。このように、レーザビーム
７ａをオーバラップさせることにより半導体薄膜の結晶
化が比較的均一に行なえる。オーバラップの割合いは例
えば９０％に設定される。又、ライン状に整形されたレ
ーザビーム７ａの幅は例えば０．３mm程度に設定され
る。

【００１２】図３は、本発明に従って製造された表示用
薄膜半導体装置８を駆動基板として組み立てたアクティ
ブマトリクス型表示ディスプレイの一例を示している。
本表示ディスプレイは薄膜半導体装置（駆動基板）８と
対向基板１２と両者の間に保持された電気光学物質１３
とを備えたパネル構造を有する。電気光学物質１３とし
ては液晶材料が広く用いられている。駆動基板２は画素
アレイ４と駆動回路とが集積形成されており、モノリシ
ック構造を採用できる。即ち、中央領域の画素アレイ４
に加え周辺領域の駆動回路を一体的に内蔵することがで
きる。駆動回路は垂直走査回路１５と水平走査回路１６
とに分かれている。駆動基板の周辺部上端には外部接続
用の端子部１７が形成されている。端子部１７は配線１
８を介して垂直走査回路１５及び水平走査回路１６に接
続している。一方、対向基板１２の内表面には対向電極
（図示せず）が全面的に形成されている。画素アレイ４
には行状のゲートライン１９と列状の信号ライン２０が
形成されている。ゲートライン１９は垂直走査回路１５
に接続し、信号ライン２０は水平走査回路１６に接続す
る。両ラインの交差部には画素電極２１とこれを駆動す
るスイッチング素子として薄膜トランジスタ２２が集積
形成されている。勿論、垂直走査回路１５及び水平走査
回路１６にも回路素子として薄膜トランジスタが集積形
成されている。

【００１３】最後に、図４は図１に示した表示用薄膜半
導体装置８の具体的な構成例を示している。尚、図では
理解を容易にする為画素アレイに形成された１個の薄膜
トランジスタ２２及びこれと対応する画素電極２１のみ
を示してある。周辺の駆動回路に形成される薄膜トラン
ジスタも画素スイッチング用の薄膜トランジスタ２２と
同様な構成となっている。石英製のウエハ１などからな
る絶縁基板の上に、バッファ層３１を設ける。このバッ
ファ層３１はウエハ１に含まれるリチウム、ナトリウ
ム、ボロン、アルミニウム、カリウム等の不純物の拡散
を防止する機能を有する。このバッファ層３１は例えば
ＳｉＮ膜又はＳｉＮとＳiＯ₂の複合膜からなる。バッフ
ァ層３１の上に非晶質シリコン又はポリシリコンからな
る半導体薄膜３２を成膜する。この半導体薄膜３２は例
えばＣＶＤ法により成膜される。その膜厚は薄膜トラン
ジスタ２２の閾値電圧を最適化する為１００nm以下に設
定する。半導体薄膜３２の結晶性を考慮するとできるだ
け薄くすることが好ましい。完成状態における膜厚とプ
ロセス中における膜厚の減少を考慮すると、半導体薄膜
３２は５０nm以下の膜厚で成膜することが好ましい。こ
の半導体薄膜３２に対して本発明に従ってエキシマレー
ザビーム等を照射し結晶成長を行なう。このようにして
結晶化した半導体薄膜３２を薄膜トランジスタ２２の素
子領域毎に分離する為、フォトレジスト法及びエッチン
グ法によりアイランド状にパタニングする。この後、フ
ォトレジストを剥離し、アンモニアと過酸化水素水の混
合液で洗浄する。続いて、ＣＶＤ法によりＳiＯ₂を堆積
し、ゲート絶縁膜３３を形成する。このＣＶＤ法には何
種類かあって、一つは常圧ＣＶＤである。大気圧下でＳ
ｉＨ₄ガスとＯ₂ガスを４００℃程度で反応させ、ＳiＯ₂
を堆積する。二つは減圧ＣＶＤで、０.１Torr〜５Torr
の真空下ＳｉＨ₄ ガス又はＳｉＨ₂Ｃｌ₂ガスとＮ₂Ｏ又
はＯ₂ ガスを４００℃〜８００℃の間の温度で反応させ
る方法である。この減圧ＣＶＤ法で成膜されたシリコン
酸化膜は比較的高品質でありＨＴＯと呼ばれる。更に、
半導体薄膜３２とゲート絶縁膜３３との間の界面を改質
する為、ゲート絶縁膜３３の成膜温度よりも高い温度で
熱処理する。窒素雰囲気下又はアルゴン雰囲気下でこの
熱アニールを行なうことにより、半導体薄膜３２の表面
が熱酸化され、１０nm程度の膜厚のシリコン酸化膜が形
成できる。尚、この熱アニールは酸素雰囲気下中で行な
い、熱酸化を促進させてもよい。この熱酸化はゲート絶
縁膜３３をＣＶＤ法で成膜する前に行なってもよい。

【００１４】次に、ゲート絶縁膜３３を形成した後、ゲ
ート電極となる材料をＣＶＤ法又はスパッタ法で成長さ
せる。膜厚は２００nm〜４００nm程度に設定し、ゲート
材料としては低抵抗ポリシリコンやＡｌ，Ｍｏ，Ｗ等の
金属（Ｍｅｔａｌ）又は金属シリサイドが使われる。薄
膜トランジスタ２２の高性能化を考えると、シリサイド
と金属の二層構造が理想的である。この後、成膜された
ゲート材料をフォトレジスト法及びエッチング法でパタ
ニングし、ゲート電極３４に加工する。続いて、ゲート
電極３４をマスクとしてイオン注入法により不純物を半
導体薄膜３２に注入する。Ｎチャネル型の薄膜トランジ
スタ２２を形成する場合には不純物として砒素又は燐を
用いる。Ｐチャネル型の薄膜トランジスタ２２を形成す
る場合には不純物としてボロンを使う。このイオン注入
により薄膜トランジスタ２２のソース領域Ｓ及びドレイ
ン領域Ｄが形成される。次に、半導体薄膜３２に注入さ
れた不純物を活性化する。熱処理、ランプ光による瞬時
アニール又はレーザ照射により活性化が行なわれる。

【００１５】続いて、ＳｉＯ₂ 又はＰＳＧをＣＶＤ法で
形成し、層間絶縁膜３５を設ける。この層間絶縁膜３５
にエッチングでソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄに連通
するコンタクトホールを開口する。層間絶縁膜３５の上
にアルミニウム（Ａｌ）等の金属をスパッタ法で成膜
し、フォトレジスト法とエッチング法により配線電極３
６に加工する。一方の配線電極３６はコンタクトホール
を介してソース領域Ｓに電気接続し、他方の配線電極３
６は同じくコンタクトホールを介してドレイン領域Ｄに
電気接続する。これらの配線電極３６を被覆するように
プラズマＣＶＤ法でＳｉＮ等からなる絶縁膜３７を形成
する。この状態で４００℃程度の熱処理を行ない、コン
タクト部の接触状態を改善するとともに、半導体薄膜３
２を水素化する。この水素化処理により層間絶縁膜３５
やその上の絶縁膜３７に含有されていた水素が多結晶シ
リコン等からなる半導体薄膜３２に導入され、その膜質
を改善できる。以上のようにして、薄膜トランジスタ２
２が完成する。この後、画素アレイ部に対しては表面平
坦化の為にアクリル樹脂等からなる平坦化膜３８を形成
する。この平坦化膜３８にコンタクトホールを開口した
後、ＩＴＯ等からなる透明導電膜を成膜する。フォトレ
ジスト法及びエッチング法によりこの透明導電膜をパタ
ニングし画素電極２１に加工する。この画素電極２１は
平坦化膜３８に開口したコンタクトホールを介してドレ
イン領域Ｄ側の配線電極３６に電気接続する。

【００１６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
所定の幅で帯状に整形されたレーザビームを区画の境界
に沿ってステップ照射し、境界に隣接する区画内の周辺
領域に属する半導体薄膜を非単結晶性から多結晶性に効
率よく転換している。この為、周辺領域に属する半導体
薄膜を加工して高性能な回路素子用の半導体薄膜を集積
形成でき、表示用薄膜半導体装置の駆動回路を設けるこ
とが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる表示用薄膜半導体装置の製造方
法を示す模式的な平面図である。

【図２】本発明にかかる表示用薄膜半導体装置の製造方
法で行なわれる照射工程の一例を示す模式図である。

【図３】本発明に従って製造された表示用薄膜半導体装
置を駆動基板として用いたアクティブマトリクス型液晶
ディスプレイの一例を示す斜視図である。

【図４】本発明に従って製造された表示用薄膜半導体装
置の具体的な構成例を示す模式的な部分断面図である。

【符号の説明】

１…ウエハ、２…区画、３…中央領域、４…画素アレ
イ、５…周辺領域、６…駆動回路、７…レーザビーム、
８…表示用薄膜半導体装置、１５…垂直走査回路、１６
…水平走査回路、２１…画素電極、２２…薄膜トランジ
スタ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁体からなる平面基板の表面に沿って
   縦横の境界により互いに隔てられた複数の区画を規定
   し、各区画内の中央領域に画素アレイを形成し周辺領域
   に駆動回路を形成する表示用薄膜半導体装置の製造方法
   であって、 該平面基板の表面に非単結晶性の半導体薄膜を全面的に
   成膜する成膜工程と、 予め所定の幅で帯状に整形されたレーザビームを各境界
   に沿って順次選択的に照射し、少くとも各境界に隣接す
   る各区画内の周辺領域に属する半導体薄膜を非単結晶性
   から多結晶性に転換する照射工程と、 該周辺領域に属する半導体薄膜を加工して回路素子用の
   薄膜トランジスタを集積形成し駆動回路を設ける第一加
   工工程と、 該中央領域に属する半導体薄膜を加工してスイッチング
   素子用の薄膜トランジスタを集積形成するとともにこれ
   らに接続する画素電極を集積形成して画素アレイを設け
   る第二加工工程と、 該境界に沿って平面基板を切断し各区画に形成した表示
   用薄膜半導体装置を個々に分離する切断工程とを行なう
   ことを特徴とする表示用薄膜半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 前記照射工程は、一本の境界に両側から
   隣接する区画に含まれる両側の周辺領域を一度に照射す
   る為に十分な幅を有するレーザビームを用いることを特
   徴とする請求項１記載の表示用薄膜半導体装置の製造方
   法。
3. 【請求項３】 前記照射工程は、縦横両方の境界に沿っ
   てレーザビームを照射し少くとも各区画の互いに直交す
   る二辺に沿って縦横に配置した周辺領域に属する半導体
   薄膜を非単結晶性から多結晶性に転換することを特徴と
   する請求項１記載の表示用薄膜半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記照射工程は、各区画に含まれる中央
   領域に対し面状に整形したレーザビームを一括照射する
   工程を含み該中央領域に属する半導体薄膜も非単結晶性
   から多結晶性に転換することを特徴とする請求項１記載
   の表示用薄膜半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記照射工程は、各区画に含まれる中央
   領域に対し線状に整形したレーザビームを部分的に重ね
   ながらスキャン照射する工程を含み、該中央領域に属す
   る半導体薄膜も非単結晶性から多結晶性に転換すること
   を特徴とする請求項１記載の表示用薄膜半導体装置の製
   造方法。
6. 【請求項６】 前記照射工程は、平面基板を４００℃〜
   ８００℃の温度範囲で加熱しながらレーザビームを照射
   することを特徴とする請求項１記載の表示用薄膜半導体
   装置の製造方法。