JPH1098091A - 半導体ウエハ用担体 - Google Patents
半導体ウエハ用担体Info
- Publication number
- JPH1098091A JPH1098091A JP19727397A JP19727397A JPH1098091A JP H1098091 A JPH1098091 A JP H1098091A JP 19727397 A JP19727397 A JP 19727397A JP 19727397 A JP19727397 A JP 19727397A JP H1098091 A JPH1098091 A JP H1098091A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- carrier
- rear side
- front side
- edge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S294/00—Handling: hand and hoist-line implements
- Y10S294/902—Gripping element
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/141—Associated with semiconductor wafer handling includes means for gripping wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Packaging Frangible Articles (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 少なくとも２００℃以上の温度での半導体ウ
エハの処理の間中、半導体ウエハ、特にシリコン半導体
ウエハの損傷または汚染の危険を減少する。 【解決手段】 平らな前方側５および平らな後方側６お
よび円環状縁部４を有する半導体ウエハ用担体１におい
て、該担体が半導体ウエハ２が実質上水平の状態になり
かつ担体が半導体ウエハの前方側５および後方側６と接
触しないように半導体ウエハの縁部が支持される少なく
とも３つの突起３を有し、そして該突起が半導体ウエハ
の縁部が半導体ウエハの前方側と後方側との間の中心に
おいて仮想中心面の下に専ら支持されるように形作られ
ることを特徴とする半導体ウエハ用担体。
エハの処理の間中、半導体ウエハ、特にシリコン半導体
ウエハの損傷または汚染の危険を減少する。 【解決手段】 平らな前方側５および平らな後方側６お
よび円環状縁部４を有する半導体ウエハ用担体１におい
て、該担体が半導体ウエハ２が実質上水平の状態になり
かつ担体が半導体ウエハの前方側５および後方側６と接
触しないように半導体ウエハの縁部が支持される少なく
とも３つの突起３を有し、そして該突起が半導体ウエハ
の縁部が半導体ウエハの前方側と後方側との間の中心に
おいて仮想中心面の下に専ら支持されるように形作られ
ることを特徴とする半導体ウエハ用担体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウエハ用担体
およびその使用に関する。
およびその使用に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハは多数の部片において製造
されかつ電子部品を形成するために処理される。製造方
法はまた少なくとも２００°Ｃの温度での半導体ウエハ
の処理、例えば純粋な熱処理または堆積ガスの熱分解に
よる処理された半導体ウエハの表面上の層の堆積からな
る。かかる処理は半導体ウエハが所望しない異物、ドー
パントまたはその後者の除去が不可能または実質的な追
加の費用によつてののみ可能である粒子によつて汚染さ
れないことを厳密に保証しなければならない。
されかつ電子部品を形成するために処理される。製造方
法はまた少なくとも２００°Ｃの温度での半導体ウエハ
の処理、例えば純粋な熱処理または堆積ガスの熱分解に
よる処理された半導体ウエハの表面上の層の堆積からな
る。かかる処理は半導体ウエハが所望しない異物、ドー
パントまたはその後者の除去が不可能または実質的な追
加の費用によつてののみ可能である粒子によつて汚染さ
れないことを厳密に保証しなければならない。
【０００３】処理ステーシヨン、例えば半導体ウエハが
少なくとも２００°Ｃの温度で連続して処理されるＣＶ
Ｄ反応炉がある。半導体ウエハはコンベヤベルト上に置
かれかつ該コンベヤベルトによつて処理ステーシヨンに
搬送される。半導体ウエハとコンベヤベルトとの間の相
対的運動およびコンベヤベルトとの半導体ウエハの直接
接触は半導体ウエハが損傷されかつ半導体材料中に拡散
する異金属により汚染される危険を増大する。
少なくとも２００°Ｃの温度で連続して処理されるＣＶ
Ｄ反応炉がある。半導体ウエハはコンベヤベルト上に置
かれかつ該コンベヤベルトによつて処理ステーシヨンに
搬送される。半導体ウエハとコンベヤベルトとの間の相
対的運動およびコンベヤベルトとの半導体ウエハの直接
接触は半導体ウエハが損傷されかつ半導体材料中に拡散
する異金属により汚染される危険を増大する。
【０００４】
【発明が解決すべき課題】半導体ウエハが被覆されるな
らば、成長層が半導体ウエハと半導体がその上に載って
いる支持面との間に堅固な接合を発生する危険がある。
その場合に同時に半導体ウエハを損傷または汚染するこ
となしに支持面から付着している半導体ウエハを取り外
すのは困難である。
らば、成長層が半導体ウエハと半導体がその上に載って
いる支持面との間に堅固な接合を発生する危険がある。
その場合に同時に半導体ウエハを損傷または汚染するこ
となしに支持面から付着している半導体ウエハを取り外
すのは困難である。
【０００５】本発明の目的は、少なくとも２００°Ｃの
温度での半導体ウエハの処理の間中、半導体ウエハ、と
くにシリコン半導体ウエハの損傷または汚染の危険を減
少することにある。
温度での半導体ウエハの処理の間中、半導体ウエハ、と
くにシリコン半導体ウエハの損傷または汚染の危険を減
少することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は平らな前方側お
よび平らな後方側および円環状縁部を有する半導体ウエ
ハ用担体において、該担体が半導体ウエハが実質上水平
の状態になりかつ担体が半導体ウエハの前方側および後
方側と接触しないように半導体ウエハの縁部が支持され
る少なくとも３つの突起を有し、そして該突起が半導体
ウエハの縁部が半導体ウエハの前方側と後方側との間の
中心において仮想中心面の下に専ら支持されるように形
作られることを特徴とする半導体ウエハ用担体に関す
る。
よび平らな後方側および円環状縁部を有する半導体ウエ
ハ用担体において、該担体が半導体ウエハが実質上水平
の状態になりかつ担体が半導体ウエハの前方側および後
方側と接触しないように半導体ウエハの縁部が支持され
る少なくとも３つの突起を有し、そして該突起が半導体
ウエハの縁部が半導体ウエハの前方側と後方側との間の
中心において仮想中心面の下に専ら支持されるように形
作られることを特徴とする半導体ウエハ用担体に関す
る。
【０００７】担体は半導体ウエハを所定位置に固定しか
つ汚染された支持面との半導体ウエハの直接接触を阻止
する。半導体ウエハがコーテイング後担体に付着し続け
るという危険は担体の形状によつて実質上減少される。
つ汚染された支持面との半導体ウエハの直接接触を阻止
する。半導体ウエハがコーテイング後担体に付着し続け
るという危険は担体の形状によつて実質上減少される。
【０００８】本発明を以下で図面を参照してより詳細に
説明する。
説明する。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１から推測されるように、担体
１の形状は板の形状と同じである。半導体ウエハ２の円
環状縁部４は担体１に設けられる突起３に載置する。半
導体ウエハを安定位置に水平に保持するために、担体は
互いに間隔を置いた少なくとも３つの位置に突起３を持
たねばならない。担体１の表面は半導体ウエハの縁部４
が載置するリングの形状にビード（突起）を形成するよ
うに作られるのが好ましい。ビードは半導体ウエハがそ
の上に支持されかつ半導体ウエハの後方側へのガス搬送
を阻止し得るとくに大きな区域を与える。
１の形状は板の形状と同じである。半導体ウエハ２の円
環状縁部４は担体１に設けられる突起３に載置する。半
導体ウエハを安定位置に水平に保持するために、担体は
互いに間隔を置いた少なくとも３つの位置に突起３を持
たねばならない。担体１の表面は半導体ウエハの縁部４
が載置するリングの形状にビード（突起）を形成するよ
うに作られるのが好ましい。ビードは半導体ウエハがそ
の上に支持されかつ半導体ウエハの後方側へのガス搬送
を阻止し得るとくに大きな区域を与える。
【００１０】半導体ウエハは通常互いに平行に配置され
かつ円環状縁部によつて隣接される２つの平らな側面を
有する。本発明に関連して、その側面は担体から上方に
向いている半導体ウエハの前方側として説明される。対
応して、半導体ウエハの後方側は下方に向いている反対
側面である。
かつ円環状縁部によつて隣接される２つの平らな側面を
有する。本発明に関連して、その側面は担体から上方に
向いている半導体ウエハの前方側として説明される。対
応して、半導体ウエハの後方側は下方に向いている反対
側面である。
【００１１】担体１は半導体ウエハの前方側５とまたは
後方側６と接触しない。突起３は半導体ウエハが担体上
にそれにより載置する支持点が専ら半導体ウエハの縁部
にかつはっきり言えば、半導体ウエハの前方側５と後方
側６との間の中心に置かれる仮想中心面７の下に置かれ
るように形作られる（図２）。半導体ウエハの前方側５
はこの方法において反応装置内でコーテイングが担体の
存在により前方側の縁部で損なわれる恐れなしに被覆さ
れ得る。
後方側６と接触しない。突起３は半導体ウエハが担体上
にそれにより載置する支持点が専ら半導体ウエハの縁部
にかつはっきり言えば、半導体ウエハの前方側５と後方
側６との間の中心に置かれる仮想中心面７の下に置かれ
るように形作られる（図２）。半導体ウエハの前方側５
はこの方法において反応装置内でコーテイングが担体の
存在により前方側の縁部で損なわれる恐れなしに被覆さ
れ得る。
【００１２】半導体ウエハの縁部４が専ら仮想面８の下
に支持されるような方法において担体の突起を形成する
のがとくに好ましい。平面８は平行でありかつ中心面７
に対してずれており、半導体ウエハの後方側６からのそ
の距離は半導体ウエハの中心面７と後方側６との間に存
在する距離ｄの多くても８０％である。これは、半導体
ウエハが該半導体ウエハの前方側のコーテイングの間中
成長層によつて担体に接合されているのが阻止される場
合に、とくに好都合である。
に支持されるような方法において担体の突起を形成する
のがとくに好ましい。平面８は平行でありかつ中心面７
に対してずれており、半導体ウエハの後方側６からのそ
の距離は半導体ウエハの中心面７と後方側６との間に存
在する距離ｄの多くても８０％である。これは、半導体
ウエハが該半導体ウエハの前方側のコーテイングの間中
成長層によつて担体に接合されているのが阻止される場
合に、とくに好都合である。
【００１３】図３に示される本発明の展開によれば、半
導体ウエハと担体が接触する点への堆積ガスの搬送はガ
ードリング９によつて困難にされる。ガードリング９は
水平半導体ウエハのまわりに縁部４から一定距離に延び
る。ガス搬送を効果的に制限するために、ガードリング
の高さｈは少なくとも該ガードリングが半導体ウエハの
前方側５が置かれる平面に対して上方に延びるように選
ばれるべきである。
導体ウエハと担体が接触する点への堆積ガスの搬送はガ
ードリング９によつて困難にされる。ガードリング９は
水平半導体ウエハのまわりに縁部４から一定距離に延び
る。ガス搬送を効果的に制限するために、ガードリング
の高さｈは少なくとも該ガードリングが半導体ウエハの
前方側５が置かれる平面に対して上方に延びるように選
ばれるべきである。
【００１４】図示実施例において、ガードリングは担体
に取り外し可能に接合されかつ半導体ウエハが好ましく
は半導体ウエハの縁部にのみ作用する把持工具を使用し
て担体に配置されるかまたは担体から持ち上げられる前
に除去され得る。ガードリングはまた該ガードリングが
縁部を被覆しかつその方法において縁部の望ましくない
コーテイングを阻止するような方法において形成され得
る。
に取り外し可能に接合されかつ半導体ウエハが好ましく
は半導体ウエハの縁部にのみ作用する把持工具を使用し
て担体に配置されるかまたは担体から持ち上げられる前
に除去され得る。ガードリングはまた該ガードリングが
縁部を被覆しかつその方法において縁部の望ましくない
コーテイングを阻止するような方法において形成され得
る。
【００１５】ガードリング９および担体１が取り外し不
能に接合されるならば、把持工具が担体の突起３上に半
導体ウエハを配置し得ることを保証する必要がある。こ
れは、例えば、半導体ウエハを配置または除去するとき
必要な空間を把持工具に付与する凹所（図示せず）をリ
ングに設けることによりなされ得る。
能に接合されるならば、把持工具が担体の突起３上に半
導体ウエハを配置し得ることを保証する必要がある。こ
れは、例えば、半導体ウエハを配置または除去するとき
必要な空間を把持工具に付与する凹所（図示せず）をリ
ングに設けることによりなされ得る。
【００１６】図１において、担体１は連続基部１０を有
する板の形状を有する。連続基部は、例えば、堆積ガス
が半導体ウエハの後方側６に達しかつ後方側が同時に被
覆されるのを阻止する。半導体ウエハの後方側および前
方側が同一方法で処理されるならば、担体にリングの形
状を付与しかつ図１においてのみ示される中央開口１１
が担体の基部１０に設けられる。
する板の形状を有する。連続基部は、例えば、堆積ガス
が半導体ウエハの後方側６に達しかつ後方側が同時に被
覆されるのを阻止する。半導体ウエハの後方側および前
方側が同一方法で処理されるならば、担体にリングの形
状を付与しかつ図１においてのみ示される中央開口１１
が担体の基部１０に設けられる。
【００１７】記載された担体は好ましくは少なくとも２
００°Ｃの温度での半導体ウエハの処理に使用される。
シリコン半導体ウエハの処理のために、担体は好ましく
はガラス、石英ガラス、セラミツクまたはシリコンから
作られる。任意に、担体は支持面からまたは半導体ウエ
ハに拡散しかつそれを汚染し得るような担体からの汚染
物質がほとんど不可能であるように拡散禁止層で追加的
に被覆されている。
００°Ｃの温度での半導体ウエハの処理に使用される。
シリコン半導体ウエハの処理のために、担体は好ましく
はガラス、石英ガラス、セラミツクまたはシリコンから
作られる。任意に、担体は支持面からまたは半導体ウエ
ハに拡散しかつそれを汚染し得るような担体からの汚染
物質がほとんど不可能であるように拡散禁止層で追加的
に被覆されている。
【００１８】処理の前に、半導体ウエハは把持工具を使
用して担体上に置かれる。担体はこれを半導体ウエハと
ともに、処理ステーシヨンに搬送するコンベヤベルト上
にすでに配置されているかも知れない。半導体ウエハで
負荷された複数の担体はまたトレー内で他方が一方の上
に積み重ねられそして半導体ウエハが共同で処理され
る。担体および半導体ウエハは常に半導体ウエハの処理
の間中ユニツトを形成する。それゆえ規則的な間隔で使
用される担体を清掃しかつそれを堆積された層から自由
にするのが適切である。
用して担体上に置かれる。担体はこれを半導体ウエハと
ともに、処理ステーシヨンに搬送するコンベヤベルト上
にすでに配置されているかも知れない。半導体ウエハで
負荷された複数の担体はまたトレー内で他方が一方の上
に積み重ねられそして半導体ウエハが共同で処理され
る。担体および半導体ウエハは常に半導体ウエハの処理
の間中ユニツトを形成する。それゆえ規則的な間隔で使
用される担体を清掃しかつそれを堆積された層から自由
にするのが適切である。
【００１９】以下に本発明の好ましい実施形態を列挙す
る。 （１）平らな前方側および平らな後方側および円環状縁
部を有する半導体ウエハ用担体において、該担体が半導
体ウエハが実質上水平の状態になりかつ担体が半導体ウ
エハの前方側および後方側と接触しないように半導体ウ
エハの縁部が支持される少なくとも３つの突起を有し、
そして該突起が半導体ウエハの縁部が半導体ウエハの前
方側と後方側との間の中心において仮想中心面の下に専
ら支持されるように形作られることを特徴とする半導体
ウエハ用担体。 （２）前記担体の前記突起が前記半導体ウエハの縁部が
中心面に対して平行なずれた方法にある仮想面の下に専
ら支持されるように形作られそして前記半導体ウエハの
後方側からのその距離が前記中心面と前記半導体ウエハ
の後方側との間に存在する器よりのほぼ８０％であるこ
とを特徴とする前記（１）に記載の半導体ウエハ用担
体。 （３）ガードリングが縁部から一定の距離において水平
に配置された半導体ウエハの縁部のまわりに配置される
ことを特徴とする前記（１）または（２）に記載の半導
体ウエハ用担体。 （４）前記担体が、ガラス、石英ガラス、セラミツクお
よびシリコンからなるグループから選ばれる材料から構
成されることを特徴とする前記（１）ないし（３）のい
ずれか１項に記載の半導体ウエハ用担体。 （５）前記担体が汚染物質の拡散を禁止する保護層によ
つて被覆されることを特徴とする前記（１）ないし
（４）のいずれか１項に記載の半導体ウエハ用担体。 （６）前記担体の表面がリングの形のビーズを形成する
ように積み重ねられることを特徴とする前記（１）ない
し（５）のいずれか１項に記載の半導体ウエハ用担体。 （７）前記担体が中央孔を有するリングとして形成され
かつ前記孔が半導体ウエハの後方側への自由なアクセス
を可能にすることを特徴とする前記（１）ないし（６）
のいずれか１項に記載の半導体ウエハ用担体。 （８）前記担体が連続基部を有する板として形成されか
つ基部が半導体ウエハの後方側を完全に被覆することを
特徴とする前記（１）ないし（７）のいずれか１項に記
載の半導体ウエハ用担体。 （９）少なくとも２００°Ｃの温度において半導体ウエ
ハの処理のために使用される前記（１）ないし（８）の
いずれか１項に記載の担体。
る。 （１）平らな前方側および平らな後方側および円環状縁
部を有する半導体ウエハ用担体において、該担体が半導
体ウエハが実質上水平の状態になりかつ担体が半導体ウ
エハの前方側および後方側と接触しないように半導体ウ
エハの縁部が支持される少なくとも３つの突起を有し、
そして該突起が半導体ウエハの縁部が半導体ウエハの前
方側と後方側との間の中心において仮想中心面の下に専
ら支持されるように形作られることを特徴とする半導体
ウエハ用担体。 （２）前記担体の前記突起が前記半導体ウエハの縁部が
中心面に対して平行なずれた方法にある仮想面の下に専
ら支持されるように形作られそして前記半導体ウエハの
後方側からのその距離が前記中心面と前記半導体ウエハ
の後方側との間に存在する器よりのほぼ８０％であるこ
とを特徴とする前記（１）に記載の半導体ウエハ用担
体。 （３）ガードリングが縁部から一定の距離において水平
に配置された半導体ウエハの縁部のまわりに配置される
ことを特徴とする前記（１）または（２）に記載の半導
体ウエハ用担体。 （４）前記担体が、ガラス、石英ガラス、セラミツクお
よびシリコンからなるグループから選ばれる材料から構
成されることを特徴とする前記（１）ないし（３）のい
ずれか１項に記載の半導体ウエハ用担体。 （５）前記担体が汚染物質の拡散を禁止する保護層によ
つて被覆されることを特徴とする前記（１）ないし
（４）のいずれか１項に記載の半導体ウエハ用担体。 （６）前記担体の表面がリングの形のビーズを形成する
ように積み重ねられることを特徴とする前記（１）ない
し（５）のいずれか１項に記載の半導体ウエハ用担体。 （７）前記担体が中央孔を有するリングとして形成され
かつ前記孔が半導体ウエハの後方側への自由なアクセス
を可能にすることを特徴とする前記（１）ないし（６）
のいずれか１項に記載の半導体ウエハ用担体。 （８）前記担体が連続基部を有する板として形成されか
つ基部が半導体ウエハの後方側を完全に被覆することを
特徴とする前記（１）ないし（７）のいずれか１項に記
載の半導体ウエハ用担体。 （９）少なくとも２００°Ｃの温度において半導体ウエ
ハの処理のために使用される前記（１）ないし（８）の
いずれか１項に記載の担体。
【００２０】
【発明の効果】叙上のごとく、本発明は、平らな前方側
および平らな後方側および円環状縁部を有する半導体ウ
エハ用担体において、該担体が半導体ウエハが実質上水
平の状態になりかつ担体が半導体ウエハの前方側および
後方側と接触しないように半導体ウエハの縁部が支持さ
れる少なくとも３つの突起を有し、そして該突起が半導
体ウエハの縁部が半導体ウエハの前方側と後方側との間
の中心において仮想中心面の下に専ら支持されるように
形作られる構成としたので、少なくとも２００°Ｃの温
度での半導体ウエハの処理の間中、半導体ウエハ、とく
にシリコン半導体ウエハの損傷または汚染の危険を減少
する半導体ウエハ用担体を提供することができる。
および平らな後方側および円環状縁部を有する半導体ウ
エハ用担体において、該担体が半導体ウエハが実質上水
平の状態になりかつ担体が半導体ウエハの前方側および
後方側と接触しないように半導体ウエハの縁部が支持さ
れる少なくとも３つの突起を有し、そして該突起が半導
体ウエハの縁部が半導体ウエハの前方側と後方側との間
の中心において仮想中心面の下に専ら支持されるように
形作られる構成としたので、少なくとも２００°Ｃの温
度での半導体ウエハの処理の間中、半導体ウエハ、とく
にシリコン半導体ウエハの損傷または汚染の危険を減少
する半導体ウエハ用担体を提供することができる。
【図１】本発明の実施例による担体および該担体上に載
置する半導体ウエハを略示する断面図である。
置する半導体ウエハを略示する断面図である。
【図２】図１の拡大部分図である。
【図３】本発明の展開による図２の担体を示す拡大部分
図である。
図である。
１ 担体 ２ 半導体ウエハ ３ 突起 ４ 円環状縁部 ５ 半導体ウエハの前方側 ６ 半導体ウエハの後方側 ７ 中心面 ８ 仮想面 ９ ガードリング １０ 基部 １１ 中央開口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ベルント・サウター ドイツ連邦共和国 エメルティング，ゴエ ルシュトラーセ ５ (72)発明者 ディエター・ザイフェルト ドイツ連邦共和国 ノイオエティング，ジ トルングスシュトラーセ 12
Claims (2)
- 【請求項１】 平らな前方側および平らな後方側および
円環状縁部を有する半導体ウエハ用担体において、該担
体が半導体ウエハが実質上水平の状態になりかつ担体が
半導体ウエハの前方側および後方側と接触しないように
半導体ウエハの縁部が支持される少なくとも３つの突起
を有し、そして該突起が半導体ウエハの縁部が半導体ウ
エハの前方側と後方側との間の中心において仮想中心面
の下に専ら支持されるように形作られることを特徴とす
る半導体ウエハ用担体。 - 【請求項２】 少なくとも２００°Ｃの温度において半
導体ウエハの処理に使用される請求項１に記載の担体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19630932A DE19630932A1 (de) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | Träger für eine Halbleiterscheibe und Verwendung des Trägers |
| DE196-30-932-8 | 1996-07-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1098091A true JPH1098091A (ja) | 1998-04-14 |
| JP2923525B2 JP2923525B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=7801399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19727397A Expired - Fee Related JP2923525B2 (ja) | 1996-07-31 | 1997-07-23 | 半導体ウエハ用担体 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5911461A (ja) |
| EP (1) | EP0822589B1 (ja) |
| JP (1) | JP2923525B2 (ja) |
| KR (1) | KR100275281B1 (ja) |
| CN (1) | CN1067488C (ja) |
| BR (1) | BR9704140A (ja) |
| DE (2) | DE19630932A1 (ja) |
| SG (1) | SG60095A1 (ja) |
| TW (1) | TW365040B (ja) |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6383890B2 (en) | 1997-12-26 | 2002-05-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer bonding method, apparatus and vacuum chuck |
| TW410415B (en) * | 1998-05-15 | 2000-11-01 | Tokyo Electron Ltd | Substrate carrying equipment and substrate processing equipment |
| US6318957B1 (en) * | 1998-07-10 | 2001-11-20 | Asm America, Inc. | Method for handling of wafers with minimal contact |
| US6262388B1 (en) | 1998-12-21 | 2001-07-17 | Micron Electronics, Inc. | Laser marking station with enclosure and method of operation |
| US6417484B1 (en) * | 1998-12-21 | 2002-07-09 | Micron Electronics, Inc. | Laser marking system for dice carried in trays and method of operation |
| NL1011487C2 (nl) * | 1999-03-08 | 2000-09-18 | Koninkl Philips Electronics Nv | Werkwijze en inrichting voor het roteren van een wafer. |
| US6343905B1 (en) | 1999-12-17 | 2002-02-05 | Nanometrics Incorporated | Edge gripped substrate lift mechanism |
| NL1013989C2 (nl) | 1999-12-29 | 2001-07-02 | Asm Int | Werkwijze en inrichting voor het behandelen van een wafer. |
| US6331023B1 (en) * | 2000-01-14 | 2001-12-18 | Asm America, Inc. | Gridded substrate transport spatula |
| DE10024858C2 (de) * | 2000-05-19 | 2002-06-06 | Infineon Technologies Ag | Halteeinrichtung für einen Wafer |
| DE10027931C1 (de) | 2000-05-31 | 2002-01-10 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur rückseitigen elektrischen Kontaktierung eines Halbleitersubstrats während seiner Bearbeitung |
| US6528760B1 (en) | 2000-07-14 | 2003-03-04 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method using rotational indexing for laser marking IC packages carried in trays |
| US6631935B1 (en) | 2000-08-04 | 2003-10-14 | Tru-Si Technologies, Inc. | Detection and handling of semiconductor wafer and wafer-like objects |
| DE10052724B4 (de) * | 2000-10-24 | 2012-08-02 | Pac Tech-Packaging Technologies Gmbh | Behandlungseinrichtung für Wafer |
| DE10104052A1 (de) * | 2001-01-31 | 2002-08-22 | Fraunhofer Ges Forschung | Auflage für Halbleitersubstrate bei Einseiten-Plasma-Prozessen |
| US6491083B2 (en) | 2001-02-06 | 2002-12-10 | Anadigics, Inc. | Wafer demount receptacle for separation of thinned wafer from mounting carrier |
| US7169685B2 (en) | 2002-02-25 | 2007-01-30 | Micron Technology, Inc. | Wafer back side coating to balance stress from passivation layer on front of wafer and be used as die attach adhesive |
| US6883250B1 (en) * | 2003-11-04 | 2005-04-26 | Asm America, Inc. | Non-contact cool-down station for wafers |
| TWI234839B (en) * | 2004-03-25 | 2005-06-21 | Walsin Lihhwa Corp | Method for fixing wafer to carry out manufacturing process |
| JP4895635B2 (ja) * | 2006-02-20 | 2012-03-14 | セイコーインスツル株式会社 | 搬送装置 |
| US20100098519A1 (en) * | 2008-10-17 | 2010-04-22 | Memc Electronic Materials, Inc. | Support for a semiconductor wafer in a high temperature environment |
| US8500182B2 (en) * | 2010-06-17 | 2013-08-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Vacuum wafer carriers for strengthening thin wafers |
| KR101580946B1 (ko) | 2012-06-11 | 2015-12-30 | 김경동 | 실내 설치용 후드 캡 |
| US10242848B2 (en) * | 2014-12-12 | 2019-03-26 | Lam Research Corporation | Carrier ring structure and chamber systems including the same |
| DE102015223807A1 (de) * | 2015-12-01 | 2017-06-01 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit epitaktischer Schicht in einer Abscheidekammer, Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit epitaktischer Schicht und Halbleiterscheibe mit epitaktischer Schicht |
| DE102018113400A1 (de) * | 2018-06-06 | 2019-12-12 | Aixtron Se | CVD Reaktor mit Tragring zum Substrathandhaben |
| CN110211914A (zh) * | 2019-07-11 | 2019-09-06 | 中威新能源(成都)有限公司 | 一种半导体制品的承载方法、传输方法、制造方法及其用途 |
| KR102142236B1 (ko) | 2020-01-10 | 2020-08-06 | (주)제이쓰리 | 초평탄화 형상제어 웨이퍼 가공장치 |
| KR102304948B1 (ko) | 2020-01-13 | 2021-09-24 | (주)제이쓰리 | 반도체 웨이퍼 형상을 제어하는 웨이퍼 가공용 헤드 장치 |
| KR102321016B1 (ko) | 2020-01-13 | 2021-11-03 | (주)제이쓰리 | 반도체 웨이퍼 형상을 제어하는 웨이퍼 가공기술 |
| KR102611669B1 (ko) | 2022-03-24 | 2023-12-07 | 박태업 | 건물 덕트용 환기장치 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3469686A (en) * | 1967-02-08 | 1969-09-30 | Monsanto Co | Retaining trays for semiconductor wafers and the like |
| US4228902A (en) * | 1979-02-21 | 1980-10-21 | Kasper Instruments, Inc. | Carrier for semiconductive wafers |
| JPS6099538A (ja) * | 1983-11-01 | 1985-06-03 | 横河・ヒュ−レット・パッカ−ド株式会社 | ピンチヤツク |
| US5061144A (en) * | 1988-11-30 | 1991-10-29 | Tokyo Electron Limited | Resist process apparatus |
| IT220658Z2 (it) * | 1990-10-30 | 1993-10-08 | Marelli Autronica | Elemento di sopporto per il sostegno di circuiti ibridi in un forno di rifusione |
| US5445486A (en) * | 1992-03-29 | 1995-08-29 | Tokyo Electron Sagami Limited | Substrate transferring apparatus |
| JPH06204316A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Mitsubishi Electric Corp | 耐熱ロボットハンド |
| US5401692A (en) * | 1993-06-15 | 1995-03-28 | Texas Instruments Incorporated | Method for minimizing particle generation on a wafer surface during high pressure oxidation of silicon |
| FR2715503B1 (fr) * | 1994-01-26 | 1996-04-05 | Commissariat Energie Atomique | Substrat pour composants intégrés comportant une couche mince et son procédé de réalisation. |
| JPH081493A (ja) * | 1994-06-17 | 1996-01-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウェーハ面取部の鏡面研磨方法および鏡面研磨装置 |
| KR0135802B1 (ko) * | 1994-07-11 | 1998-04-29 | 김광호 | 웨이퍼 운반장치 및 운반장치 제조방법 |
| US5669644A (en) * | 1995-11-13 | 1997-09-23 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Wafer transfer plate |
-
1996
- 1996-07-31 DE DE19630932A patent/DE19630932A1/de not_active Withdrawn
-
1997
- 1997-05-28 CN CN97112352A patent/CN1067488C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1997-06-24 US US08/881,560 patent/US5911461A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-07-23 JP JP19727397A patent/JP2923525B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-07-24 DE DE59700461T patent/DE59700461D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-07-24 EP EP97112713A patent/EP0822589B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-07-25 SG SG1997002635A patent/SG60095A1/en unknown
- 1997-07-25 KR KR1019970035081A patent/KR100275281B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-07-30 BR BR9704140A patent/BR9704140A/pt active Search and Examination
- 1997-07-30 TW TW086110910A patent/TW365040B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2923525B2 (ja) | 1999-07-26 |
| SG60095A1 (en) | 1999-02-22 |
| EP0822589B1 (de) | 1999-09-22 |
| EP0822589A1 (de) | 1998-02-04 |
| KR100275281B1 (ko) | 2000-12-15 |
| CN1172346A (zh) | 1998-02-04 |
| BR9704140A (pt) | 1999-01-26 |
| KR19990011830A (ko) | 1999-02-18 |
| TW365040B (en) | 1999-07-21 |
| US5911461A (en) | 1999-06-15 |
| DE59700461D1 (de) | 1999-10-28 |
| DE19630932A1 (de) | 1998-02-05 |
| CN1067488C (zh) | 2001-06-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH1098091A (ja) | 半導体ウエハ用担体 | |
| EP1224691B1 (en) | Device and method for handling substrates by means of a self-levelling vacuum system in epitaxial induction reactors | |
| KR100376643B1 (ko) | 반도체 기판을 처리하기 위한 웨이퍼 캐리어 및 반도체 장치 | |
| KR0153250B1 (ko) | 종형 열처리 장치 | |
| KR100274768B1 (ko) | 기판지지척을위하웨이퍼스페이싱마스크및그제조방법 | |
| US5611865A (en) | Alignment of a shadow frame and large flat substrates on a heated support | |
| KR101144825B1 (ko) | 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 및 실리콘 에피택셜 웨이퍼 | |
| JPH10150096A (ja) | ワークピースの縁部をシールドする装置 | |
| US20080025835A1 (en) | Bernoulli wand | |
| TW202022933A (zh) | 晶圓分割裝置 | |
| US5431737A (en) | Interchangeable CVD chuck surface | |
| WO2001031700A1 (fr) | Porte-plaquette et dispositif de croissance epitaxiale | |
| JPS59228932A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP4298331B2 (ja) | 異物除去用ウェーハ及びサセプタのクリーニング方法 | |
| JPH08195353A (ja) | 半導体製造装置のボートカバー | |
| JPH07142561A (ja) | ウエハの保持装置 | |
| JP2006032427A (ja) | 基板処理装置及び静電チャックのクリーニング方法 | |
| JPH10242122A (ja) | ドライエッチング装置およびドライエッチング方法 | |
| JPH09283450A (ja) | 気相成長装置 | |
| CN110670049A (zh) | 一种气相沉积方法及装置 | |
| JPS6220347A (ja) | 処理装置 | |
| JPH01161712A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH1053489A (ja) | エピタキシャル成長炉用サセプタ及びエピタキシャル成長炉 | |
| JPH08243466A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH02159049A (ja) | 半導体基板搬送機構 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |