CN110211914A - 一种半导体制品的承载方法、传输方法、制造方法及其用途 - Google Patents
一种半导体制品的承载方法、传输方法、制造方法及其用途 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110211914A CN110211914A CN201910626896.7A CN201910626896A CN110211914A CN 110211914 A CN110211914 A CN 110211914A CN 201910626896 A CN201910626896 A CN 201910626896A CN 110211914 A CN110211914 A CN 110211914A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- semiconductor article
- load bearing
- bearing component
- plane
- transmission
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 173
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title claims abstract description 99
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 64
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 14
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- QFUKUPZJJSMEGE-UHFFFAOYSA-N 5-(hydroxymethyl)-1-(3-methylbutyl)pyrrole-2-carbaldehyde Chemical group CC(C)CCN1C(CO)=CC=C1C=O QFUKUPZJJSMEGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N azane;chromium Chemical compound N.[Cr] SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本发明公开了一种半导体制品的承载方法、传输方法、制造方法及其用途，该承载方法具体为：将半导体制品水平放置于承载部件之上时，使半导体制品的边缘与承载部件具有的斜面抵接，并利用承载部件的斜面支撑半导体制品，使半导体制品的下表面悬空。因此，本发明仅仅与半导体制品的边缘相接触，可实现半导体制品的表面无接触承载，从而降低半导体制品在放置过程中表面被污染或划伤的风险。
Description
技术领域
本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及半导体制品的承载方法和传输方法，尤其应用于对表面特性有严苛要求的半导体制品的传输与制造过程。
背景技术
半导体制品是在半导体晶片上经过一系列工艺制程后得到的产品，而在半导体制品的制造过程中，例如晶圆加工、显示面板制造和太阳能电池制造，往往需要传输机构来将半导体制品从一个工序移动到另一个工序，。而目前，传输机构的传输方式是将半导体制品放置在传输机构的传送面上进行传输，由于半导体制品有一面必然与传输机构的传输平面相接触，这样便存在半导体制品与该传输平面相接触的一面被污染或被划伤的风险。而对于如异质结太阳电池、液晶显示面板等半导体制品，其产品性能主要由其表面特性决定，一旦出现表面被污染，被划伤的情况，将严重影响半导体制品的表面特性，造成半导体制品因性能不达标而报废，从而降低半导体制品的良品率和生产效率，使半导体制品的生产成本大幅增加。
因此，亟待一种新的半导体制品的传输方案，能够有效提高制造对表面特性有严苛要求的半导体制品的良品率。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于：提供一种半导体制品的传输方法，能够在传输过程中，避免传输机构与半导体制品进行面接触，从而降低半导体制品表面被污染或被划伤的风险，尤其对于对表面特性有严苛要求的半导体制品而言，能够有效地提高良品率和生产效率。
为实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案：
一种半导体制品的承载方法，其包括：将半导体制品水平放置于承载部件之上时，使所述半导体制品的边缘与所述承载部件具有的斜面抵接，并利用所述承载部件的斜面支撑所述半导体制品，使所述半导体制品的下表面悬空。
根据一种具体的实施方式，本发明的半导体制品的承载方法中，将所述承载部件设置为：其斜面具有所述半导体制品的边缘的轮廓相适应的形状。从而在与半导体制品的边缘相抵接时，能够提高其承载半导体制品的稳定性，降低半导体制品的晃动几率。
进一步地，将所述承载部件设置为：具有多个斜面，且至少有两个斜面相对设置；其中，所述斜面为平面或曲面。或者，将所述承载部件设置为：具有一个斜面，且所述斜面为非封闭的曲面。
根据一种具体的实施方式，本发明的半导体制品的承载方法中，将所述斜面设置为：具有一层或多层硬质薄膜材料，或具有一层或多层包覆性涂层。
基于统一发明构思，本发明还提供一种半导体制品的传输方法，其包括以下步骤：
S1：将若干个承载部件安装在传输机构上；
S2：利用本发明的半导体制品的承载方法，将半导体制品水平放置于承载部件之上；
S3：利用所述传输机构带动所述承载部件沿传输方向移动，实现所述半导体制品的传输。
根据一种具体的实施方式，本发明的半导体制品的传输方法中，所述传输机构采用链传动方式带动所述承载部件移动；其中，利用骨架链将所述承载部件安装在所述传输机构的传动链上，并在传动链的传动路径上设置限位装置，以减小所述承载部件在传动路径上的晃动。
根据一种具体的实施方式，本发明的半导体制品的传输方法中，将所述半导体制品放置在所述承载部件后，检测所述半导体制品的倾斜度，并判断检测到的倾斜度是否超过设定的阈值，若超过，则停止所述传输机构的运行，并进行报警。
基于统一发明构思，本发明的半导体制品的传输方法能够用于晶圆、显示面板和太阳能电池的传输或制造的用途。
基于统一发明构思，本发明还提供一种半导体制品的制造方法，其采用本发明的半导体制品的传输方法，将半导体制品从一个工序移动到另一个工序。
与现有技术相比，本发明的有益效果：
1、本发明半导体制品的承载方法，将半导体制品水平放置于承载部件之上时，使半导体制品的边缘与承载部件具有的斜面抵接，并利用承载部件的斜面支撑半导体制品，使半导体制品的下表面悬空。因此，本发明仅仅与半导体制品的边缘相接触，可实现半导体制品的表面无接触承载，从而降低半导体制品在放置过程中表面被污染或划伤的风险。
2、本发明的半导体制品的承载方法中，将承载部件设置为其斜面具有与半导体制品的边缘的轮廓相适应的形状。因此，在承载部件的斜面与半导体制品的边缘相抵接时，由于形状相适配接触更充分，能够提高承载半导体制品的稳定性，降低半导体制品的晃动几率。
3、本发明的半导体制品的承载方法中，将承载部件设置为具有两个相对设置的斜面，由于具有两个相对设置的斜面，能够不仅能更好地支撑半导体制品，还能方便半导体制品的取放。而且，根据半导体制品的形状，设置斜面的形状，如显示面板、太阳能电池具有直边，则将斜面设置为平面，如晶圆，则将斜面设置为曲面。尤其，针对晶圆的承载，将承载部件设置为具有一个斜面，且该斜面为非封闭的曲面，由于该非封闭的曲面需要具有π弧度以上，能够提供更大的接触面积，从而保证承载部件承载晶圆的实用性。
4、本发明的半导体制品的承载方法中，将承载部件的斜面设置为将具有一层或多层硬质薄膜材料，或具有一层或多层包覆性涂层。由于斜面具有硬质薄膜结构或包覆性涂层，能够增加斜面的硬度，从而减少承载部件与半导体制品频繁接触而破坏斜面的情况发生。
5、本发明的半导体制品的传输方法中，由于在传输过程中采用本发明的承载方法，承载部件与半导体制品的边缘相接触，同时承载部件在传输机构的带动下移动，可实现半导体制品的表面无接触传输，从而降低半导体制品在传输过程中表面被污染或划伤的风险。
6、本发明的半导体制品的传输方法中，传输机构采用链传动方式带动承载部件移动；而且，利用骨架链将承载部件安装在传输机构的传动链上，并在传动链的传动路径上设置限位装置，以减小承载部件在传动路径上的晃动。从而保证半导体制品在传输过程中的稳定性，减少半导体制品磕碰损坏的情况发生。
7、本发明的半导体制品的传输方法中，在将半导体制品放置在传输机构上的承载部件后，检测半导体制品的倾斜度，并判断检测到的倾斜度是否超过设定的阈值，若超过，则停止传输机构的运行，并进行报警，从而避免由于半导体制品的放置不符合水平要求，造成半导体制品在后续传输过程中发生偏移，进而发生半导体制品磕碰损坏的情况。
8、本发明的半导体制品的制造方法中，由于采用本发明的传输方法，将半导体制品从一个工序移动到另一个工序，可实现半导体制品的表面无接触传输，从而降低半导体制品在传输过程中表面被污染或划伤的风险，提高制造半导体制品的良品率和生产效率，并降低半导体制品的生产成本。
附图说明
图1为本发明承载部件的第一种实施结构示意图；
图2为图1所示承载部件放置半导体制品的结构示意图；
图3为本发明承载部件的第二种实施结构示意图；
图4为本发明承载部件的第三种实施结构示意图；
图5为本发明承载部件的第四种实施结构示意图；
图6为本发明承载部件的第五种实施结构示意图；
图7为图6所示承载部件放置半导体制品的结构示意图；
图8为本发明承载部件的第六种实施结构示意图；
图9为本发明承载部件的第七种实施结构示意图；
图10为本发明传输机构的结构示意图；
图11为本发明传输机构的一种实施结构示意图；
图12为本发明倾斜度检测原理的示意图。
附图标记列表
100-承载部件，110-承载部件的斜面，100a-第一构件，100b-第二构件，110a-第一斜面， 110b-第二斜面，110c-第三斜面，100A-第一承载部件，100B-第二承载部件，100C-第三承载部件，200-半导体制品，200A-第一半导体制品，200B-第二半导体制品，200C-第三半导体制品，300-传输机构，310a，310b-驱动轮，320a、320b-传动链，330a，330b-限位装置，400- 倾斜度检测装置，500-安装支架。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
本发明半导体制品的承载方法是：通过承载部件来放置半导体制品，在将半导体制品水平放置于承载部件之上时，使半导体制品的边缘与承载部件具有的斜面抵接，并利用承载部件的斜面支撑半导体制品，使半导体制品的下表面悬空。由于承载部件仅仅与半导体制品的边缘相接触，因而可实现半导体制品的表面无接触承载，并降低半导体制品在放置过程中表面被污染或划伤的风险。
而且，本发明的半导体制品的承载方法中，将承载部件设置为其斜面具有半导体制品的边缘的轮廓相适应的形状。因此，在承载部件的斜面与半导体制品的边缘相抵接时，由于形状相适配其接触更充分，能够提高承载半导体制品的稳定性，降低半导体制品的晃动几率。
如图1、4、5、6和8所示，将承载部件100设置为具有第一斜面110a和第二斜面110b，且第一斜面110a、第二斜面110b相对设置，由于承载部件100具有两个相对设置的斜面，放置半导体制品时，能够更好地支撑半导体制品。
同时，由于图1和图6中，承载部件100是在其主体结构上形成第一斜面110a和第二斜面110b，如图2和7所示，当半导体制品放置在承载部件上时，能够与第一斜面110a、第二斜面110b和底面构成通道，抓取机构能够沿该通道伸至半导体制品的底部，吸取并抬升半导体制品200，从而方便半导体制品的取放。
具体的，如图1所示，半导体制品200可以为显示面板和太阳能电池，由于显示面板和太阳能电池通常具有直边，因此，将第一斜面110a、第二斜面110b设置为平面，同时，如图3所示，承载部件100增加一个斜面100c，进一步增加提高承载半导体制品的稳定性。另外，如图4和5所示，承载部件100由第一构件100a和第二构件100b构成，在第一构件100a上形成有第一斜面110a，在第二构件100b上形成有第二斜面110b，具体的形状结构不限于图4 和图5所示，第一构件和第二构件的形状可以是具有斜面的任意形状，如梯形等。
具体的，如图6和图7所示，半导体制品200为晶圆，由于晶圆的外形轮廓为圆形，因此，将第一斜面110a、第二斜面110b设置为具有圆台的一部分侧面的曲面形状，且第一斜面110a、第二斜面110b沿水平方向上的半径从上往下逐渐减小，如图7所示，半导体制品200的半径小于第一斜面110a、第二斜面110b的最大半径，大于第一斜面110a、第二斜面110b的最小半径。
如图8所示，承载部件100由第一构件100a和第二构件100b构成，在第一构件100a上形成有第一斜面110a，在第二构件100b上形成有第二斜面110b。其工作原理与图6所示的承载部件100一致，仅仅是将承载部件100制作成两个独立的部分。
如图9所示，针对晶圆的承载与放置，将承载部件100设置为具有一个斜面110，且将斜面110设置为具有圆台的一部分侧面的曲面形状，同时，斜面110位非封闭的曲面，且斜面110需要具有π弧度以上，才能够维持晶圆的稳定，同时，由于斜面110需要具有π弧度以上，从而能够提供更大的接触面积，进而保证承载部件承载晶圆的实用性。
本发明的半导体制品的承载方法中，将斜面设置为具有一层或多层硬质薄膜材料，或具有一层或多层包覆性涂层。由于斜面具有硬质薄膜结构或包覆性涂层结构，能够增加斜面的硬度，提高承载部件的耐用性，从而减少承载部件与半导体制品频繁接触而破坏斜面的情况发生。
具体的，本发明的承载部件主体结构可以采用高强度塑料、树脂、不锈钢、铝合金等制成，同时，采用化学气相沉积、物理气相沉积和磁控溅镀等方式，将硬质薄膜材料分一层或多层设置在承载部件的斜面上，硬质薄膜材料可以采用氮化铬、金刚石薄膜，以及三元化合物BC4N，B12C2.88Si0.35和Si3N2.2C2.16等现有材料。而包覆性涂层采用电子束物理气相沉积、真空镀膜、离子镀膜和溅射镀膜及等离子喷涂等方式将一种金属或合金包覆在基体金属表面并通过后处理使包覆材料与基体表面紧密结合。
如图10所示，本发明还提供一种半导体制品的传输方法，其包括以下步骤：
S1：将第一承载部件100A、第二承载部件100B和第三承载部件100C安装在传输机构 300上。具体的，需要将承载部件固定安装在传输机构的传输部件上，避免承载部件与传输部件的相对移动。传输机构可以采用现有的带式传输设备或链式传输设备。
S2：将半导体制品水平放置于承载部件之上；具体的，在将第一半导体制品200A，第二半导体制品200B，第三半导体制品200C依次水平放置于第一承载部件100A、第二承载部件 100B和第三承载部件100C之上，在放置时，使半导体制品的边缘与承载部件具有的斜面抵接，并利用承载部件的斜面支撑半导体制品，使半导体制品的下表面悬空。
S3：利用传输机构300带动第一承载部件100A、第二承载部件100B和第三承载部件100C 沿传输方向移动，实现第一半导体制品200A，第二半导体制品200B，第三半导体制品200C 的传输。
如图11所示，本发明的半导体制品的传输方法中，传输机构300采用链传动方式带动承载部件100移动，并采用如图4所示的承载部件。
而且，利用骨架链将第一构件110a、第二构件110b分别安装在传输机构300的传动链 320a、320b上，而且，第一构件110a与第二构件110b的位置严格对齐，为了方便传输自动化控制，将各个承载部件等间距地设置在传动链上。具体的，传动链320a、320b可采用是传动用短节距滚子链、传动用双节距滚子链、传动用齿形链和无级变速链等。而且驱动轮310a、 310b采用同轴双齿，驱动轮的驱动方式采用联动轴同步传动、同步电机驱动传动和滑轨同步传动等。同时，在传动链320a、320b上的传动路径上设置限位装置330a，330b，以减小在第一构件110a、第二构件110b在其传动路径上的晃动。
本发明的半导体制品的传输方法中，可根据需要传输的半导体制品，设计承载部件的尺寸，以及根据需要传输的距离，来确定选择传动链的类型和长度。承载部件的形状设计根据具体要求，进行设计，如出于方便加工的考虑，或出于承载稳定性的考虑。
在实施时，倾斜度检测装置400通过一个安装支架500设置于传输机构300之上，当半导体制品200放置在承载部件100之上后，利用倾斜度检测装置400检测半导体制品200的倾斜度，并判断检测到的倾斜度是否超过设定的阈值，若超过，则停止传输机构300的运行，并进行报警。从而避免由于半导体制品的放置不符合水平要求，造成半导体制品在后续传输过程中发生偏移，进而发生半导体制品磕碰损坏的情况。
具体的，如图12所示，由于不共线的三个点可以确定一个平面，因此，倾斜度检测装置 400可配置三个红外线距离传感器，分别测量半导体制品200上的A点、B点和C点至红外线距离传感器所设置位置的距离，同时，由于红外线距离传感器均设置在同一水平高度，便可根据A点、B点和C点的距离，计算出该半导体制品200上表面的倾斜度。
在实施时，可采用工控机来处理各个距离测量模块检测到的数据，并计算出半导体制品上表面的倾斜度，同时，工控机具有工业设备控制的功能，能够根据半导体制品的放置是否符合水平要求，控制传输机构的驱动电机的启动。上述计算倾斜度的方式属于现有技术，此处不再赘述。
综上所述，本发明的半导体制品的传输方法能够用于晶圆、显示面板和太阳能电池的传输或制造。由于本发明可实现半导体制品的表面无接触传输，从而降低晶圆、显示面板和太阳能电池在传输过程中表面被污染或划伤的风险，提高制造晶圆、显示面板和太阳能电池的良品率和生产效率，并降低半导体制品的生产成本。
同理，在半导体制品的制造过程中，采用本发明的半导体制品的传输方法，将半导体制品从一个工序移动到另一个工序。由于本发明可实现半导体制品的表面无接触传输，从而降低半导体制品在传输过程中表面被污染或划伤的风险，提高制造半导体制品的良品率和生产效率，并降低半导体制品的生产成本。
Claims (10)
1.一种半导体制品的承载方法，其特征在于，包括：将半导体制品水平放置于承载部件之上时，使所述半导体制品的边缘与所述承载部件具有的斜面抵接，并利用所述承载部件的斜面支撑所述半导体制品，使所述半导体制品的下表面悬空。
2.如权利要求1所述的半导体制品的承载方法，其特征在于，将所述承载部件设置为：其斜面具有所述半导体制品的边缘的轮廓相适应的形状。
3.如权利要求2所述的半导体制品的承载方法，其特征在于，将所述承载部件设置为：具有多个斜面，且至少有两个斜面相对设置；其中，所述斜面为平面或曲面。
4.如权利要求2所述的半导体制品的承载方法，其特征在于，将所述承载部件设置为：具有一个斜面，且所述斜面为非封闭的曲面。
5.如权利要求1～4任一项所述的半导体制品的承载方法，其特征在于，将所述斜面设置为：具有一层或多层硬质薄膜材料，或具有一层或多层包覆性涂层。
6.一种半导体制品的传输方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：将若干个承载部件安装在传输机构上；
S2：利用如权利要求1～5任一项所述的半导体制品的承载方法，将半导体制品水平放置于承载部件之上；
S3：利用所述传输机构带动所述承载部件沿传输方向移动，实现所述半导体制品的传输。
7.如权利要求6所述的半导体制品的传输方法，其特征在于，所述传输机构采用链传动方式带动所述承载部件移动；其中，利用骨架链将所述承载部件安装在所述传输机构的传动链上，并在传动链的传动路径上设置限位装置，以减小所述承载部件在传动路径上的晃动。
8.如权利要求6或7所述的半导体制品的传输方法，其特征在于，将所述半导体制品放置在所述承载部件后，检测所述半导体制品的倾斜度，并判断检测到的倾斜度是否超过设定的阈值，若超过，则停止所述传输机构的运行，并进行报警。
9.如权利要求6～8任一项所述的半导体制品的传输方法用于晶圆、显示面板和太阳能电池的传输或制造的用途。
10.一种半导体制品的制造方法，其特征在于，采用如权利要求6～8任一项所述的半导体制品的传输方法，将半导体制品从一个工序移动到另一个工序。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910626896.7A CN110211914A (zh) | 2019-07-11 | 2019-07-11 | 一种半导体制品的承载方法、传输方法、制造方法及其用途 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910626896.7A CN110211914A (zh) | 2019-07-11 | 2019-07-11 | 一种半导体制品的承载方法、传输方法、制造方法及其用途 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110211914A true CN110211914A (zh) | 2019-09-06 |
Family
ID=67797341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910626896.7A Pending CN110211914A (zh) | 2019-07-11 | 2019-07-11 | 一种半导体制品的承载方法、传输方法、制造方法及其用途 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110211914A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111312644A (zh) * | 2020-02-26 | 2020-06-19 | 厦门通富微电子有限公司 | 晶圆自动对位装置以及刻蚀机 |
| CN111403549A (zh) * | 2020-03-20 | 2020-07-10 | 晋能光伏技术有限责任公司 | 一种适用于异质结电池非晶硅沉积的pecvd载板结构 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1172346A (zh) * | 1996-07-31 | 1998-02-04 | 瓦克硅电子半导体材料股份公司 | 用于半导体晶片的托座及其应用 |
| JPH11145265A (ja) * | 1997-11-11 | 1999-05-28 | Nissin Electric Co Ltd | 静電チャック |
| JP2000012652A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-14 | Sony Corp | 半導体ウェハ搬送装置 |
| US20020130061A1 (en) * | 2000-11-02 | 2002-09-19 | Hengst Richard R. | Apparatus and method of making a slip free wafer boat |
| KR20070069990A (ko) * | 2005-12-28 | 2007-07-03 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 제조 장비의 웨이퍼 이송 감시 장치 |
| CN103594403A (zh) * | 2012-08-15 | 2014-02-19 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 片盒传输装置及具有其的半导体设备 |
| DE102013208301A1 (de) * | 2013-05-06 | 2014-10-16 | Siltronic Ag | Anordnung umfassend eine Halbleiterscheibe und eine stufenförmige Auflage zum Unterstützen der Halbleiterscheibe |
| CN209544304U (zh) * | 2019-07-11 | 2019-10-25 | 中威新能源(成都)有限公司 | 一种半导体制品的承载部件及传输装置 |
-
2019
- 2019-07-11 CN CN201910626896.7A patent/CN110211914A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1172346A (zh) * | 1996-07-31 | 1998-02-04 | 瓦克硅电子半导体材料股份公司 | 用于半导体晶片的托座及其应用 |
| JPH11145265A (ja) * | 1997-11-11 | 1999-05-28 | Nissin Electric Co Ltd | 静電チャック |
| JP2000012652A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-14 | Sony Corp | 半導体ウェハ搬送装置 |
| US20020130061A1 (en) * | 2000-11-02 | 2002-09-19 | Hengst Richard R. | Apparatus and method of making a slip free wafer boat |
| KR20070069990A (ko) * | 2005-12-28 | 2007-07-03 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 제조 장비의 웨이퍼 이송 감시 장치 |
| CN103594403A (zh) * | 2012-08-15 | 2014-02-19 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 片盒传输装置及具有其的半导体设备 |
| DE102013208301A1 (de) * | 2013-05-06 | 2014-10-16 | Siltronic Ag | Anordnung umfassend eine Halbleiterscheibe und eine stufenförmige Auflage zum Unterstützen der Halbleiterscheibe |
| CN209544304U (zh) * | 2019-07-11 | 2019-10-25 | 中威新能源(成都)有限公司 | 一种半导体制品的承载部件及传输装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111312644A (zh) * | 2020-02-26 | 2020-06-19 | 厦门通富微电子有限公司 | 晶圆自动对位装置以及刻蚀机 |
| CN111403549A (zh) * | 2020-03-20 | 2020-07-10 | 晋能光伏技术有限责任公司 | 一种适用于异质结电池非晶硅沉积的pecvd载板结构 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110211914A (zh) | 一种半导体制品的承载方法、传输方法、制造方法及其用途 | |
| EP3412794B1 (en) | Coating device with moving target and coating method | |
| CN104570419B (zh) | 吸附式载台及其吸附方法 | |
| Jung et al. | Influence of dc magnetron sputtering parameters on surface morphology of indium tin oxide thin films | |
| US11344932B2 (en) | Device and system for cleaning glass substrates with different dimensions | |
| CN100517517C (zh) | 一种柔性复合透明导电膜及其制备方法 | |
| JP2010523818A (ja) | 非平面的形状の表面に材料を成膜する方法 | |
| CN209544304U (zh) | 一种半导体制品的承载部件及传输装置 | |
| CN106611729A (zh) | 一种用于片材的自动翻片装置、方法及太阳能电池生产线 | |
| CN106544637A (zh) | 磁控溅射镀膜设备 | |
| US9704610B2 (en) | Manganese tin oxide based transparent conducting oxide and transparent conductive film and method for fabricating transparent conductive film using the same | |
| CN106435498A (zh) | 一种磁控溅射靶挡板机构 | |
| CN106011765A (zh) | 一种磁控溅射真空镀膜设备 | |
| CN104746031A (zh) | 一种溅射系统 | |
| CN201908045U (zh) | 可异地加工的单银低辐射镀膜玻璃 | |
| WO2010090504A4 (en) | Apparatus for vacuum coating | |
| CN204720433U (zh) | 卡环、承载装置及半导体加工设备 | |
| US8409407B2 (en) | Methods for high-rate sputtering of a compound semiconductor on large area substrates | |
| CN104746002A (zh) | 一种遮挡盘传输装置、反应腔室及等离子体加工设备 | |
| CN202430125U (zh) | 增强保护型可钢化低辐射镀膜玻璃 | |
| Lim et al. | Effects of SiO 2 interlayer on electrical properties of Al-doped ZnO films under bending stress | |
| CN105097606B (zh) | 一种遮挡盘及反应腔室 | |
| US20110132756A1 (en) | Sputtering device | |
| CN105948032A (zh) | 一种刻蚀多层石墨烯的方法 | |
| CN202181352U (zh) | 连续沉积系统 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20240117 Address after: 610200 within phase 6 of Industrial Development Zone of Southwest Airport Economic Development Zone, Shuangliu District, Chengdu City, Sichuan Province Applicant after: TONGWEI SOLAR (CHENGDU) Co.,Ltd. Address before: 610000 in Shuangliu Southwest Airport Economic Development Zone, Chengdu, Sichuan Applicant before: Zhongwei New Energy (Chengdu) Co.,Ltd. |
|
| TA01 | Transfer of patent application right |