JPH1092582A

JPH1092582A - 有機電界発光デバイス及びその製造方法

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Publication number: JPH1092582A
Application number: JP24486897A
Authority: JP
Inventors: Homer Antoniadis; ホーマー・アントニアディス; Daniel B Roitman; ダニエル・ビー・ロイトマン; William R Shiang; ウイリアム・アール・シャイアン; Edmund P Woo; エドモンド・ピー・ウー; Weishi Wu; ウエイシ・ウ
Original assignee: Dow Chemical Co; Hewlett Packard Co
Current assignee: Dow Chemical Co; HP Inc
Priority date: 1996-08-27
Filing date: 1997-08-27
Publication date: 1998-04-10
Anticipated expiration: 2017-08-27
Also published as: US5948552A; EP0827366A2; JP4478221B2; EP0827366A3; JP2010157750A

Abstract

(57)【要約】【課題】有効寿命と光出力が高温度に晒されても損な
われない、経済的で、信頼性の高い、耐久性のある、商
業上実用的な有機電界発光デバイスを提供する。【解決手段】基板２０３；電子輸送・発光層２０９；
及びこの基板と電子輸送・発光層の間にサンドイッチさ
れた層であって、一般式（Ｉ）の少なくとも１つの化合
物を含むポリ（アリールアミン）から成る正孔伝達層２
０５；を含んで成る。【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、概して、電界発光
（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ）デバイスに
関し、より詳細には、有機活性層に隣接する改良型陽極
構造を有する有機電界発光デバイスに関する。

【０００２】

【技術背景】多くの種類の電子製品に使える多目的視覚
ディスプレイに対する要求は、ますます増大している。
発光ダイオード（“ＬＥＤ”）及び液晶ディスプレイ
（“ＬＣＤ”）は、多くの有用な用途を見出してきた
が、全ての場合を満たすものとはなっていない。比較的
最近発明されたもので且つ大いに有望視されている視覚
ディスプレイは、有機電界発光デバイスである。電界発
光デバイスは、基本的には、一対の電極の間に置かれた
電界発光物質から成る。電位が電極間に印加されると、
電界発光物質が可視光を放射する。典型的には、電極の
１つは半透明であり、それを通して光を放射させるので
ある。

【０００３】図１は、当分野で知られている種類の代表
的電界発光デバイスを図解したものである。ガラス基板
１０１は、半透明陽極１０３で被覆する。半透明の正孔
輸送層１０５が陽極の一部を覆い、且つ電子輸送層１０
７が正孔輸送層を覆って、２層間に界面１０９を形成す
る。陰極１１１は、電子輸送層を覆う。ある種のデバイ
スでは、正孔輸送層は、僅かに異なった組成を有する２
つのサブ層（ｓｕｂｌａｙｅｒ）から成り、その１つの
サブ層が陽極に隣接した下方領域１１３を形成し、他の
サブ層が電子輸送層と隣接した上方領域１１５を形成す
る。陽極、正孔輸送層、電子輸送層及び陰極の厚さは、
それぞれ、１０〜５００ｎｍ（１００−５０００Å）の
オーダーである。

【０００４】動作時、電源１１７からの電力が陽極と陰
極に印加され、陽極を陰極に関して正にバイアスさせ
る。これによって、正電荷の領域（“正孔”）が、正孔
輸送層を通して陽極から電子輸送層へ移動し、且つ電子
が、電子輸送層を通して陰極から正孔輸送層へ移動す
る。正孔と電子は、２層間の界面１１５で結合して、可
視光を放射する。その光は、矢印１１９で表示されたよ
うに、正孔輸送層、陽極及び基板を通してデバイスの外
へ伝播する。

【０００５】ある種の有機材料は、正孔及び電子輸送層
を組立てるのに特によく適することが見出されている。
該材料から組立てられた電界発光デバイスは、有機電界
発光デバイスと呼ばれる。典型的な有機電界発光デバイ
スの陽極は、酸化インジウムスズ（“ＩＴＯ”）から作
る。次いで、正孔輸送層は、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ
−Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−１，１′−ビフ
ェニル−４，４′−ジアミン（“ＴＰＤ”）の蒸着（ｖ
ａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成する。
次に、電子輸送層は、これも蒸着によって、アルミニウ
ム・トリス−８−ヒドロキシキノリン（Ａｌｑ_３）から
形成する。最後に、陰極は、マグネシウム（Ｍｇ）と銀
（Ａｇ）の熱蒸着（ｔｈｅｒｍａｌｅｖａｐｏｒａｔ
ｉｏｎ）によって形成する。多くの各種化合物並びに構
造上の変種も、有機電界発光デバイスにおける種々の層
及び領域として用いられてきた。そのような各種デバイ
ス並びにそれらがそこから作られる特定化合物の諸例
は、次の参考文献に見られる：ＵＳＰ４，３５６，４２
９（Ｔａｎｇ）１９８２年１０月２６日発行；ＵＳＰ
４，５３９，５０７（ＶａｎＳｌｙｋｅ等）１９８５年
９月３日発行；ＵＳＰ４，８８５，２１１（Ｔａｎｇ
等）１９８９年１２月５日発行；ＵＳＰ５，０４７，６
８７（ＶａｎＳｌｙｋｅ）１９９１年９月１０日発行；
ＵＳＰ５，０５９，８６２（ＶａｎＳｌｙｋｅ等）１９
９１年１０月２２日発行；及びＵＳＰ５，０６１，５６
１（ＶａｎＳｌｙｋｅ等）１９９１年１０月２９日発
行。さらに、Ｔａｎｇ等の“Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎ
ｅｓｃｅｎｃｅｏｆＤｏｐｅｄＯｒｇａｎｉｃ
ＴｈｉｎＦｉｌｍｓ”，ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＡＰ
ＰＬＩＥＤＰＨＹＳＩＣＳｎｏ．６５（９），１９
８９年５月１日，ｐ．３６１０〜３６１６も参照。

【０００６】ポリ〔２−メトキシ−５−（２′−エチル
−ヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン〕
（“ＭＥＨ−ＰＰＶ”）に基づくフレキシブルＬＥＤの
陽極として導電性高分子を用いることが報告されてい
る。この種のＬＥＤは、電界発光層を形成するのに、陽
極上にＭＥＨ−ＰＰＶをスピンキャスティングして組立
てる。該ＬＥＤにおいて、ＩＴＯ陽極の代わりとしてか
又はそれに追加して、ポリアニリン（“ＰＡＮＩ”）の
導電性膜を用いることは、以下の文献によって開示され
ている：Ｙａｎｇ等の“ＥｎｈａｎｃｅｄＰｅｒｆｏ
ｒｍａｎｃｅｏｆＰｏｌｙｍｅｒＬｉｇｈｔ−Ｅｍ
ｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅｓＵｓｉｎｇＨｉｇｈ−Ｓ
ｕｒｆａｃｅＡｒｅａＰｏｌｙａｎｉｌｉｎｅＮ
ｅｔｗｏｒｋＥｌｅｃｔｒｏｄｅｓ”，ＪＯＵＲＮＡ
ＬＯＦＡＰＰＬＩＥＤＰＨＹＳＩＣＳ，１９９５
年１月１５日，ｐ．６９４〜６９８；Ｃａｏ等の“Ｓｏ
ｌｕｔｉｎ−ＣａｓｔＦｉｌｍｓｏｆＰｏｌｙａ
ｎｉｌｉｎｅ：Ｏｐｔｉｃａｌ−ＱｕａｌｉｔｙＴｒ
ａｎｓｐａｒｅｎｔＥｌｅｃｔｒｏｄｅｓ”，ＡＰＰ
ＬＩＥＤＰＨＹＳＩＣＳＬＥＴＴＥＲＳ６０（２
２），１９９２年６月１日，ｐ．２７１１〜２７１３；
及びＹａｎｇ等の“Ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅａｓａ
ＴｒａｎｓｐａｒｅｎｔＥｌｅｃｔｒｏｄｅｆｏｒ
ＰｏｌｙｍｅｒＬｉｇｈｔ−ＥｍｉｔｔｉｎｇＤ
ｉｏｄｅｓ：ＬｏｗｅｒＯｐｅｒａｔｉｎｇＶｏｌ
ｔａｇｅａｎｄＨｉｇｈｅｒＥｆｆｉｃｉｅｎｃ
ｙ”，ＡＰＰＬＩＥＤＰＨＹＳＩＣＳＬＥＴＴＥＲ
Ｓ６４（１０），１９９４年３月７日，ｐ．１２４５
〜１２４７。前述のＬＥＤにＰＡＮＩを使うことについ
ての報告されている利点には、機械的強度、駆動電圧の
低下、効率の向上及びフレキシブル基板への適応性が含
まれる。

【０００７】有機電界発光デバイスに関連して浮上する
問題は、連続して駆動される時の有効寿命が極めて短い
ことである。典型的に、該デバイスは、全ての輝度が消
えるまでに３０時間未満の有効寿命をもっている。この
問題を克服して比較的十分な有効寿命を有する有機電界
発光デバイスを実現するために、多くの試みがなされて
きた。例えば、正孔輸送層としてある種の芳香族アミン
を用いることが、Ａｄａｃｈｉ等によって“Ｍｏｌｅｃ
ｕｌａｒＤｅｓｉｇｎｏｆＨｏｌｅＴｒａｎｓ
ｐｏｒｔＭａｔｅｒｉａｌｓｆｏｒＯｂｔａｉｎ
ｉｎｇＨｉｇｈＤｕｒａｂｉｌｉｔｙｉｎＯｒ
ｇａｎｉｃＥｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ
Ｄｉｏｄｅｓ”，ＡＰＰＬＩＥＤＰＨＹＳＩＣＳＬ
ＥＴＴＥＲＳｎｏ．６６（２０），１９９５年５月１
５日，ｐ．２６７９〜２６８１に提示されている。正孔
輸送層を組立てるのに使われてきた多くの芳香族第三ア
ミンは、次のような参考文献：ＵＳＰ４，８８５，２１
１（Ｔａｎｇ等）カラム１４及びＵＳＰ５，０５９，８
６２（ＶａｎＳｌｙｋｅ等）カラム９に開示されてい
る。Ａｄａｃｈｉ等は、ある種の該アミンから作った正
孔輸送層を有するデバイスに関して数時間から他のもの
に関して５００時間程度までの範囲にある有効寿命を報
告している。Ａｄａｃｈｉ等は、陽極及び正孔輸送層間
で最小のエネルギー障壁を生成するところの、それらの
アミンから組立てられた正孔輸送層を有するデバイスが
最長の有効寿命を有することを示唆している。

【０００８】正孔輸送層にアミンを使うことによって有
機電界発光デバイスの有効寿命を延ばすための別の提案
は、ＵＳＰ５，３７４，４８９（Ｉｍａｉ等）１９９４
年１２月２０日発行に挙げられている。Ｉｍａｉ等は、
正孔輸送層に４，４′，４″−トリ（Ｎ−フェノチアジ
ニル）トリフェニルアミン（略して“ＴＰＴＴＡ”）又
は４，４′，４″−トリ（Ｎ−フェノキサジニル）トリ
フェニルアミン（“ＴＰＯＴＡ”）を用いることを提案
している。正孔輸送層にＴＰＴＴＡを用いた場合（実施
例１）は、半減期が３８５時間となり、ＴＰＯＴＡを用
いた場合（実施例２）は、３７０時間の半減期を生じ
た。比較として、正孔輸送層にＴＰＤを用いた場合、半
減期は僅かに１３１時間に終わった。比較的好結果は、
２つの異なるアミンを使い、その１つを正孔輸送層の２
つの領域の各々に使うことによって得られた。実施例３
では、発光層に隣接した正孔輸送層の上方領域にＴＰＴ
ＴＡを用い、そして陽極に隣接した下方領域には、４，
４′，４″−トリス〔Ｎ−ｅ−メチルフェニル）−Ｎ−
フェニルアミノ〕−トリフェニルアミン（“ＭＴＤＡＴ
Ａ”）のような星形構造を有する分子であるところの、
“スターバースト（ｓｔａｒｂｕｒｓｔ）”分子で特
色付けられる第二アミンを用いた。半減期５５０時間と
なった。実施例４は、上方領域としてＴＰＯＴＡを用い
た以外は類似しており、５３０時間の半減期となった。

【０００９】ＵＳＰ５，３０６，５７２（Ｏｈａｓｈｉ
等）１９９４年４月２６日発行では、有機電界発光デバ
イスの幾つかの層の間の界面に注意が集中された。１実
施例では、陽極層の非平坦性を減じて層間の付着性を改
善するため、層の１つをシラン−カップリング剤で処理
することにより陽極と正孔輸送層間に“界面”層を生成
させることが提案された。シラン−カップリング剤は、
一般式Ｘ−Ｓｉ（ＯＲ）_３によって表される化合物であ
（ここで、Ｒは加水分解型基、Ｘはアミノ、ビニル、エ
ポキシ又はメルカプト基のような有機物質と反応できる
官能基又はハロゲンである。種々のシラン−カップリン
グ剤を用いて組立てられたデバイスは、シラン−カップ
リング剤を省いたデバイスでは１０時間であるのに比
べ、５，０００〜８，０００時間の間の有効寿命を有す
るとクレームされている。１５，０００時間を超える有
効寿命は、シラン−カップリング剤の使用に先立ち、陽
極上に水素化微結晶シリコン膜を形成することがクレー
ムされている。この研究の再現性は不確かであり、且つ
製造における該技術の実施費用は所望値よりも高くなる
ことがある。

【００１０】本出願の譲受人の一人に譲渡された、米国
特許出願番号０８／５０８，０２０において、本出願の
発明者は、大幅に改善された寿命を得るためにその陽極
構造に導電性型のＰＡＮＩ膜を使用する有機電界発光デ
バイスを開示した。この有機電界発光デバイスは、陽極
と正孔輸送層の間に樟脳（ｃａｍｐｈｏｒ）−スルホン
酸をドープしたポリアニリンのような導電性高分子の薄
フィルムを包含したものである。代替実施例では、導電
性高分子自体が陽極として作用した。１０００時間のオ
ーダーの有効寿命が実現された。しかし、他の多くの既
知の有機電界発光デバイスと同様、自動車のダッシュボ
ードに取り付けられた電界発光デバイスが、例えば、そ
の車を太陽の下に駐車した時に受ける可能性がある範囲
の温度に、電界発光デバイスを晒すと、その光出力と有
効寿命は事実上減少した。

【００１１】

【発明の目的】前文から、その有効寿命と光出力が高温
度に晒されても損なわれない、経済的で、信頼性の高
い、耐久性のある、商業上実用的な有機電界発光デバイ
スを求める要求が存在することが分かるであろう。本発
明は、この要求に応えることができる有機電界発光デバ
イスとその製造方法を提供することを目的とする。

【００１２】

【発明の概要】本発明は、基板、電子輸送・発光層、及
びその基板と電子輸送・発光層の間にサンドイッチされ
た正孔伝達層から成る有機電界発光デバイスを提供する
ものである。正孔伝達層は、式（Ｉ）の少なくとも１つ
の化合物を含むポリ（アリールアミン）、即ち、式
（Ｉ）の少なくとも１つの化合物を含むポリ（アリール
アミン）の層、から成る。式（Ｉ）中：Ｒは、各存在に
おいて独立に、Ｃ_１〜２４のヒドロカルビル、ヒドロカ
ルボキシル、ヒドロチオカルボキシ、ヒドロアリールカ
ルボキシ、又はヒドロチオアリールカルボキシ；Ａｒ_１
及びＡｒ_２は、各存在において独立に、Ｃ_１〜２４のヒ
ドロカルビル、ヒドロカルボキシル、ヒドロチオカルボ
キシ、ヒドロアリールカルボキシ、又はヒドロチオアリ
ールカルボキシの１つ以上と任意に置換されたＣ
_６〜１８のアリールの部分；Ａは、各存在において独立
に、水素又はハロゲン；ｘは、各存在において独立に、
０と１の間の正の数；ｎは、０から４までの整数；ｍ
は、約５から約１０００までの数である。

【００１３】

【化３】

【００１４】電界発光デバイスは、さらに、第一導電層
を含む基板から成ってよく、また、電子輸送及び発光層
から成ってもよい。第一導電層は半透明である。ポリ
（アリールアミン）の層は、正孔輸送層を形成し、且つ
第一導電層と電子輸送・発光層の間にサンドイッチされ
る。電界発光デバイスはまた、電子輸送・発光層に隣接
していて且つ正孔輸送層から離れている第二導電層を包
含してもよい。

【００１５】電子輸送・発光層は、構造式（０）で表さ
れる金属キレートオキシノイド化合物であってよい。式
０において、Ｍｅは金属、ｎは０と３の間の整数、Ｘ
は、各存在で独立に、少なくとも２つの縮合芳香環を有
し、そのうちの少なくとも１つがアゾール又はアジン環
であるところの核を完成する原子を表す。好ましくは、
電子輸送・発光層は、アルミニウム・トリス−８−ヒド
ロキシキノリン（“Ａｌｑ_３”）であり、これは、任意
に、蛍光染料を含んでいてよい。

【００１６】

【化４】

【００１７】電界発光デバイスは、ポリ（アリールアミ
ン）層と電子輸送・発光層間に挟まれた芳香族第三アミ
ンから成る層を含んでいてもよい。芳香族第三アミン
は、少なくとも２つの第三アミン分子を含んでいてよ
く、且つ第三アミンの窒素原子に結合して、芳香環又は
少なくとも２つの縮合芳香環を含む芳香族の部分を含ん
でもよい。好ましい芳香族第三アミンは、Ｎ，Ｎ′−ジ
フェニル−Ｎ−Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−
１，１′−ビフェニル−４，４′−ジアミン（“ＴＰ
Ｄ”）である。

【００１８】本発明は、有機電界発光デバイスを製造す
る方法をも提供するものである。該方法においては、半
透明導電層、上述した少なくとも１つの式（Ｉ）の化合
物を含むポリ（アリールアミン）の溶液、電子輸送・発
光物質、及び導電性物質が供給される。デバイス構造
は、ポリ（アリールアミン）の層をその溶液から半透明
導電層上にコーティングして正孔輸送層を形成し、電子
輸送・発光物質の層をポリ（アリールアミン）層の上に
デポジットさせ、そして導電性物質の層を電子輸送・発
光物質の層の上にデポジットさせることにより、半透明
導電層上に形成する。

【００１９】芳香族第三アミンをさらに供給させてよ
い。芳香族第三アミンは、少なくとも２つの第三アミン
分子を含んでいてよく、且つ第三アミンの窒素原子に結
合して、芳香環又は少なくとも２つの縮合芳香環を含む
芳香族部分を含んでもよい。デバイス構造は、芳香族第
三アミンの層をポリ（アリールアミン）層の上にデポジ
ットさせて低分子の正孔輸送層を生成することにより形
成され、そして電子輸送・発光物質の層は、芳香族第三
アミンの層の上にデポジットさせてよい。Ｎ，Ｎ′−ジ
フェニル−Ｎ−Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−
１，１′−ビフェニル−４，４′−ジアミン（“ＴＰ
Ｄ”）は、好ましくは、芳香族第三アミンとして与えら
れる。

【００２０】デバイス構造は、電子輸送・発光物質の層
をデポジットさせる以前に、基板とポリ（アリールアミ
ン）の層とを補助的にアニーリングして形成してよい。

【００２１】構造式（０）で表される金属キレートオキ
シノイド化合物は、電子輸送・発光物質として与えてよ
い：

【００２２】式０において、Ｍｅは金属、ｎは０と３の
間の整数、Ｘは、各存在で独立に、少なくとも２つの縮
合芳香環を有し、そのうちの少なくとも１つがアゾール
又はアジン環であるところの核を完成する原子を表す。
金属キレートオキシノイド化合物は、好ましくは、アル
ミニウム・トリス−８−ヒドロキシキノリン（“Ａｌｑ
_３”）を含む。

【００２３】最後に、電子輸送・発光物質の層をデポジ
ットさせるステップは、電子輸送・発光物質を蛍光染料
でドーピングするステップを包含してよい。

【００２４】〔発明の詳細な説明〕本発明は、第一の実施例において
は、正孔輸送高分子から成る正孔輸送層を含み、第二の
実施例においては、陽極と低分子正孔輸送層間に挟まれ
た正孔輸送高分子の薄層を含む有機電界発光デバイスを
提供するものである。その他の構造的配置では、僅か数
時間の寿命又はその他の諸欠点をもつ有機電界発光デバ
イスになってしまう。本発明による有機電界発光デバイ
スは、製作が簡単で且つ経済的であり、且つ高温度にお
いても長い有効寿命を保つものである。

【００２５】ここで図２を参照して説明すると、本発明
による有機電界発光デバイス２００は、基板２０３上の
半透明陽極２０１；その陽極に隣接した、正孔輸送高分
子から成る正孔輸送層２０５；その正孔輸送層に隣接し
た電子輸送・発光層２０９；及び電子輸送・発光層に隣
接した陰極２１１から構成される。陰極は、任意で、保
護層２１５を使って保護してよい。

【００２６】電力が印加されると、陽極を陰極に関して
正にバイアスし、正孔輸送層２０５と電子輸送・発光層
２０９間の界面２１３で光が放射される。

【００２７】その有効寿命及び温度の許容範囲を拡張す
るため、本発明による電界発光デバイス２００は、正孔
輸送層２０５として新規の正孔輸送高分子を用いてい
る。正孔輸送高分子は、正孔伝達を実現するアリールア
ミン分子を本質的に含む、電荷輸送基の鎖から構成され
るものである。正孔輸送高分子の構成繰返し単位は、純
粋なアリールアミン基である。構成繰返し単位は、輸送
電荷に対するアリールアミンの作用にマイナスに影響す
ることがあるその他のサブ単位は何ら含まない。例え
ば、構成繰返し単位は、架橋基を含まない。正孔輸送高
分子はまた、幾つかの通常使える溶剤に可溶性である。
このため、溶液から薄フィルムを形成するための既知技
術を使って正孔輸送高分子を薄層にデポジットさせるこ
とが可能となる。これらのコーティング技術には、スピ
ンコーティング、スプレーコーティング、ディップコー
ティング、ローラコーティング、ドローバー（ｄｒａｗ
−ｂａｒ）コーティング及びその他の方法がある。最後
に、正孔輸送高分子は１００℃を上回るガラス転移温度
を有しており、その結果、電界発光デバイスの予定され
た温度作動範囲にわたってその完全な形状が保持される
ことになる。

【００２８】好ましくは、正孔輸送高分子は、ポリ（ア
リールアミン）組成から成る。以下に、ポリ（アリール
アミン）組成をより詳細に説明する。１実施例では、正
孔輸送層２０５は、ＰＰＰＤＡと呼ばれる特殊なポリ
（アリールアミン）から成る。別の実施例では、正孔輸
送層は、ＭＰＰＤＡと呼ばれる異なる特殊ポリ（アリー
ルアミン）から成る。さらに別の実施例では、正孔輸送
層は、ＰＰＰＤＡ−ＭｅＯと呼ばれる別の異なる特殊ポ
リ（アリールアミン）から成る。これらの化合物とそれ
らの製作法を以下により詳細に説明する。

【００２９】全ての実施例において、基板２０３は、好
ましくは、ガラス片であり、半透明陽極２０１は、好ま
しくは、酸化インジウムスズ（“ＩＴＯ”）から成り、
陰極２１１は、好ましくは、マグネシウム又はその他約
５ｅＶ未満の仕事関数を有するある種の金属から成る。
任意の保護層２１５は、例えば、アルミニウム、銀、又
は金から成る。あるいは、任意の保護層は、ＳｉＯ_２、
ＳｉＮ_ｘ又は絶縁性高分子のような絶縁体の層であって
もよい。

【００３０】電子輸送・発光層２０９は、好ましくは、
構造式（０）で表される金属キレートオキシノイド化合
物から成る。ここで、Ｍｅは金属、ｎは０と３の間の整
数、Ｘは、各存在で独立に、少なくとも２つの縮合芳香
環を有し、そのうちの少なくとも１つがアゾール又はア
ジン環であるところの核を完成する原子を表す。該化合
物の実例リストは、上記したＵＳＰ５，０８９，８６２
に掲載されている。好ましくは、電子輸送・発光層２０
９は、金属キレートオキシンから成る。最も好ましく
は、電子輸送・発光層２０９は、緑色の光を発するアル
ミニウム・トリス−８−ヒドロキシキノリン（“Ａｌｑ
_３”）から成る。もし、電界発光デバイスが緑色以外の
色の光を発することになる場合、別の材料を電子輸送・
発光層に用いてよい。別の材料は、電子輸送・発光層の
電子輸送・発光特性をもたらすよう用いてよい。該デバ
イスの発光効率は、キナクリドンのような適当な蛍光染
料で電子輸送・発光層２０９をドーピングすることによ
り向上することができる。

【００３１】

【化５】

【００３２】図３は、図２で説明した実施例とはある点
で類似している実施例を説明するものである。便宜のた
め、図２の構成要素と類似の、図３に示した電界発光デ
バイス２２０の構成要素は、同一符号で示し、以後さら
に説明しない。図３に示した実施例では、別の低分子正
孔輸送層２０７が設けられ、且つ高分子層２０５が陽極
２０１とその低分子正孔輸送層２０７の間に挿入され
る。この実施例では、上述の正孔輸送高分子が高分子層
２０５として用いられる。特に、高分子層２０５は、Ｐ
ＰＰＤＡ、ＭＰＰＤＡ又はＰＰＰＤＡ−ＭｅＯから成っ
てよい。

【００３３】低分子正孔輸送層２０７は、少なくとも２
つの第三アミン分子を含み且つ、第三アミンの窒素原子
に結合して、少なくとも１つの芳香環又は少なくとも２
つの縮合芳香環を含む芳香族部分を含んでいる第三アミ
ンから成る。該化合物の実例のリストは、上述したＵＳ
Ｐ５，０８９，８６２に掲載されている。これらは、Ｔ
ＰＤと同様の電気化学的特性並びに正孔輸送特性を有す
るアリールアミンであり、低分子正孔輸送層として用い
るのに適している。低分子正孔輸送層２０７は、好まし
くは、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ−Ｎ′−ビス（３−メ
チルフェニル）−１，１′−ビフェニル−４，４′−ジ
アミン（“ＴＰＤ”）から成る。

【００３４】本発明による有機電界発光デバイスは、本
発明による第一の方法において、正孔輸送高分子の層を
溶液から基板にコーティングして正孔輸送層を形成し；
その正孔輸送層の上に真空中で電子輸送・発光層を蒸着
し；そしてその電子輸送層の上に真空中で導電性陰極を
熱蒸着することを含む諸処理によって製作する。もし製
作中のデバイスが図２及び図３に示した実施例の何れか
と同様である場合、その基板は、正孔輸送高分子の層を
スピンコーティングする以前にＩＴＯのような半透明の
導電性陽極材料で既に被覆されている。

【００３５】この方法の変形では、適当な蛍光染料を電
子輸送・発光層２０９の材料と共にデポジットさせて、
デバイスの発光効率を高めてよい。

【００３６】この方法の別の変形では、陰極層２１１の
デポジットに続いて高温の乾燥窒素雰囲気でデバイスを
ポスト・アニーリングするステップが補助的に含まれ
る。

【００３７】もし製作中のデバイスが図３に示す別の低
分子正孔輸送層２０７を含む場合、本発明の方法は、さ
らに、低分子正孔輸送層を真空中で正孔輸送層２０５の
上に蒸着するステップも包含する。その後、真空中で低
分子正孔輸送層の上に電子輸送層を蒸着する。

【００３８】上述の電界発光デバイス２００及び２２０
において、正孔輸送高分子は、下式（Ｉ）に該当する１
つ以上の化合物を含む任意のポリ（アリールアミン）組
成である。好ましくは、正孔輸送高分子は、下式（Ｉ）
に該当する化合物の特定の形の、ＰＰＰＤＡ、ＭＰＰＤ
Ａ、又はＰＰＰＤＡ−ＭｅＯである。

【００３９】式（Ｉ）に該当する化合物において、Ｒ
は、好ましくは、各存在において独立に、Ｃ_１〜１２ヒ
ドロカルビル、Ｃ_１〜１２アルコキシ、Ｃ_１〜１２チオ
アルコキシ、Ｃ_１〜１２アリールオキシ、Ｃ_１〜１２チ
オアリールオキシの部分、又はＣ_１〜１２アルコキシ、
Ｃ_１〜１２チオアルコキシ、Ｃ_１〜１２アリールオキシ
及びＣ_１〜１２チオアリールオキシの部分と任意に置換
されるＣ_１〜１２ヒドロカルビルの部分である。より好
ましくは、Ｒは、各存在において独立に、Ｃ_１〜５アル
コキシ、Ｃ_１〜５チオアルコキシ、又はＣ_１〜６ヒドロ
カルビルである。最も好ましくは、Ｒは、各存在におい
て独立に、メチル又はメトキシである。好ましくは、Ａ
ｒ_１及びＡｒ_２は、各存在において独立に、Ｃ_１〜１２
ヒドロカルビル、Ｃ_１〜１２アルコキシ、Ｃ_１〜１２チ
オアルコキシ、Ｃ_１〜１２アリールオキシ及びＣ
_１〜１２チオアリールオキシ部分と任意に置換されたＣ
_６〜１８芳香族ラジカルである。より好ましくは、Ａｒ
_１及びＡｒ_２は、各存在において独立に、Ｃ_１〜５アル
コキシル又はＣ_１〜６アルキルと任意に置換されたフェ
ニル、ナフチル又はビフェニル基である。さらにより好
ましくは、Ａｒ_１及びＡｒ_２は、各存在において独立
に、アニソール、メトキシナフタレン、メトキシビフェ
ニル、フェニル又はトルエンから誘導される。最も好ま
しくは、Ａｒ_１は、フェニルで、Ａｒ_２は、各存在にお
いて独立に、４−メトキシフェニル又はフェニルであ
る。好ましくは、Ａは、各存在において独立に、水素、
塩素、又は臭素である。好ましくは、ｘは、０と１の間
の正の数である。好ましくは、ｎは、０から４までの整
数である。より好ましくは、ｎは、０から１までの数で
ある。最も好ましくは、ｎは、０の数である。最後に、
ｍは、約５から約５００までの数である。より好ましく
は、ｍは、約５から約１００までの数である。

【００４０】

【化６】

【００４１】ＰＰＰＤＡでは、ｘ＝１、ｎ＝０、Ａｒ_１
＝１，４−フェニレン、Ａｒ_２＝フェニル、及びｍ＝５
〜５００である。

【００４２】ＭＰＰＤＡでは、ｘ＝１、ｎ＝０、Ａｒ_１
＝１，３−フェニレン、Ａｒ_２＝フェニル、及びｍ＝５
〜５００である。

【００４３】ＰＰＰＤＡ−ＭｅＯでは、ｘ＝１、ｎ＝
０、Ａｒ_１＝１，４−フェニレン、Ａｒ_２＝４−メトキ
シフェニル、及びｍ＝５〜５００である。

【００４４】本発明の電界発光デバイスにおいて正孔輸
送高分子として好ましく用いられるポリ（アリールアミ
ン）は、希釈溶液又は固体状態において強いホトルミネ
センスを示す。該材料が、約３００〜約７００ｎｍの波
長の光に露出されると、その材料は、約４００〜約８０
０ｎｍの範囲内の波長の光を放射する。より好ましく
は、該材料が約３００〜約４００ｎｍの波長の光を吸収
して、約４００〜約６５０ｎｍの範囲内の波長の光を放
射する。これらのポリ（アリールアミン）は、通常の有
機溶剤に容易に溶ける。それらは、在来の技術によって
フィルム又はコーティングに加工することができる。こ
れらのポリ（アリールアミン）は、好ましくは、＋０．
１ボルト以上の、より好ましくは＋０．４ボルト以上
の、且つ好ましくは＋１．０ボルト以下の、より好まし
くは＋０．７ボルト以下の酸化ポテンシャルを有するも
のである。

【００４５】本発明による電界発光デバイスにおいて正
孔輸送高分子として好ましく用いられるポリ（アリール
アミン）は、好ましくは、約２５０ドルトン以上の、よ
り好ましくは、約５００ドルトン以上の、さらにより好
ましくは、約１，０００ドルトン以上の；好ましくは、
約１，０００，０００ドルトン以下の、より好ましく
は、約５００，０００ドルトン以下の、そして最も好ま
しくは、約５０，０００ドルトン以下の平均分子量の重
さを有する。分子量は、ポリスチレンの標準値を使うゲ
ル・パーミエーション・クロマトグラフィーに従って決
定する。

【００４６】好ましくは、ポリ（アリールアミン）は、
５以下の、より好ましくは４以下の、さらにより好まし
くは３以下の、最も好ましくは２．５以下の多分散性
（Ｍ_ｗ／Ｍ_ｎ）を示す。

【００４７】ポリ（アリールアミン）の調製に有用な単
量体は、好ましくは、２つのアミノ部分から成り、ここ
で各アミノ部分は３つのアリール部分に結合され、且つ
２つのハロ部分は、任意に、単量体に結合されるもので
ある。好ましくは、ポリ（アリールアミン）は、約５〜
約１０００の単量体から成る。好ましくは、本発明のポ
リ（アリールアミン）の調製に有用な単量体は、式（Ｉ
Ｉ）及び（ＩＩＩ）に図解されるものである。

【００４８】

【化７】

【００４９】ここで、Ａ、Ａｒ_１、Ａｒ_２、Ｒ及びｎ
は、上文で定義された通りである。好ましい単量体は、
ジハロゲン化Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラアリール−
１，４−フェニレンジアミンである。該ハロゲン化単量
体は、例えば、式（ＩＩ）又は（ＩＩＩ）の該当単量体
を十分生成できる程の反応条件下で１つ以上のジアリー
ルアミンをハロ芳香族化合物と接触させることによって
作製してよい。この目的に有用なジアリールジアミンを
式（ＩＶ）及び（Ｖ）に示す。

【００５０】

【化８】

【００５１】ここで、Ａ、Ａｒ_１、Ａｒ_２、Ｒ及びｎ
は、上文で定義された通りである。該ジアリールジアミ
ンは、Ｎ，Ｎ′−ジアリール−１，４−フェニレンジア
ミン又はＮ，Ｎ′−ジアリール−１，４−フェニレンジ
アミンのような化合物であってよい。

【００５２】ジアリールジアミンは、１つ以上の単量体
が調製されるような条件下でハロ芳香族化合物と接触さ
せる。好ましくは、ジアリールジアミンのハロ芳香族化
合物との接触処理は、ＳＹＮＴＨＥＳＩＳ，ｐ．３８３
（１９８７）に記載のＧａｕｔｈｉｅｒとＦｒｅｃｈｅ
ｔの手順に従うか、又はＧｕｒａｍ、Ｒｅｎｎｅｌｓ及
びＢｕｃｈｗａｌｄのＡＮＧＥＷＡＮＤＴＥＣＨＥＭ
ＩＥＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬＥＤＩＴＩＯＮ
ＩＮＥＮＧＬＩＳＨ，Ｖｏｌ．３４，ｐ．１３４８
（１９９５）記載の手順に従って実施する。ジアリール
ジアミンとハロ芳香族化合物とを銅粉末と炭酸カリウム
の存在下で接触させ加熱する。あるいは、接触処理は、
ナトリウム・ｔ−ブトキシドとパラジウム化合物及びト
リ−ｏ−トリルホスフィンから成る触媒との存在下にお
いて実施する。好ましくは、銅粉末と炭酸カリウムが開
始材料として用いられる場合、ヨード芳香族化合物を用
いてよい。好ましくは、ナトリウム・ｔ−ブトキシドと
パラジウム化合物及びトリ−ｏ−トリルホスフィンから
成る触媒とが開始材料として用いられる場合、ブロモ芳
香族化合物を用いてもよい。

【００５３】ハロ芳香族化合物は、式（ＶＩ）：Ａ−Ａｒ_１−Ｂ（ＶＩ）の化合物を含み、ここで、ＡとＢは、各存在において独
立に、水素又はハロゲンであり、Ａｒ_１は上文で定義し
た通りである。好ましくは、Ａは、各存在において独立
に、水素、塩素又は臭素であり、Ｂは、各存在において
独立に、臭素又はヨウ素である。使用するハロ芳香族化
合物の量は、反応混合物に存在するジアリールアミンの
アミン窒素原子を十分に置換できる程の量である。好ま
しくは、ジアリールアミンは、約１：１０以下のモル比
で、より好ましくは約１：５以下のモル比で、さらに好
ましくは約１：３以下のモル比で、ハロ芳香族化合物と
接触させる。

【００５４】単量体を作製するための反応物は、その反
応が単量体を生成するのに十分な速度で進行する温度ま
で加熱する。好ましくは、反応温度は、約１００℃以
上、より好ましくは約１２０℃以上、さらに好ましくは
約１５０℃以上である。好ましくは、反応温度は、約３
００℃以下、より好ましくは約２５０℃以下、さらに好
ましくは約２００℃以下である。反応時間は、反応温
度、触媒の量及び反応物の濃度に依存する。反応時間
は、好ましくは約５時間以上、より好ましくは約１０時
間以上、さらに好ましくは約２０時間以上である。反応
時間は、好ましくは約５０時間以下、より好ましくは約
４０時間以下、最も好ましくは約３０時間以下である。

【００５５】このプロセスに使用する溶媒の量は、広範
囲にわたって変化してよい。一般には、できるだけ少量
を用いるのが望ましい。好ましくは、ジアリールアミン
のモル当り約１リットル以下の溶媒を用い、より好まし
くは約０．５リットル以下を用い、最も好ましくは約
０．１リットル以下を用いる。使用溶媒量の下限は、実
地に、即ち、溶液の取扱い簡便性及び溶媒における反応
物と生成物の可溶性によって決められる。

【００５６】本発明による電界発光デバイスの正孔輸送
高分子として好ましく用いられるポリ（アリールアミ
ン）は、触媒量の二価ニッケル塩、少なくとも化学量論
的量の亜鉛粉末、三置換ホスフィン及び、極性溶媒と芳
香族炭化水素又はエーテルから成る任意の共溶媒との中
での結合反応を加速できる一定量の化合物の存在下で、
実行されるハロゲン化結合反応（重合反応）によって作
製してよい。ニッケル（ゼロ価）触媒は、リガンドとし
て作用できる材料及び、任意の、反応を加速できる材料
の存在下で、二価ニッケル塩を還元剤と接触させること
により、その位置で調製する。

【００５７】本発明による電界発光デバイスの正孔輸送
高分子として好ましく用いられるポリ（アリールアミ
ン）は、好ましくは、ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＰＯＬＹ
ＭＥＲＳＣＩＥＮＣＥ，ＰａｒｔＡ，Ｐｏｌｙｍｅｒ
ＣｈｅｍｉｓｔｒｙＥｄｉｔｉｏｎ，Ｖｏｌ．２
８，ｐ．３６７（１９９０）に記載されているＣｏｌｏ
ｎ等の手順、及びその関連部分が、Ｃｏｌｏｎ等のＪＯ
ＵＲＮＡＬＯＦＯＲＧＡＮＩＣＣＨＥＭＩＳＴＲ
Ｙ，Ｖｏｌ．５１，ｐ．２６２７（１９８６）の手順に
従うニッケル触媒の存在下で、単量体を接触させて調製
する。

【００５８】重合反応は、好ましくは、極性溶媒、好ま
しくはジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド、Ｎ−シクロヘキシルピロリジノン又はＮ−メチ
ルピロリジノン中で行われる。約５０容積％までの非ア
ミド共溶媒を用いてよい。好ましい共溶媒は、芳香族炭
化水素及びエーテル、例えば、テトロヒドロフランであ
る。その処理は、好ましくは、酸素と水分のない所で行
う：何故なら、酸素の存在は触媒に好ましくなく、また
十分な量の水の存在はその処理を定刻より早く終了させ
るからである。より好ましくは、該反応は、窒素又はア
ルゴンのような不活性雰囲気下で実施する。

【００５９】触媒は、好ましくは、二価ニッケル塩から
作る。ニッケル塩は、反応条件下でゼロ価状態に変換で
きる任意のニッケル塩であってよい。好ましいニッケル
塩は、ハロゲン化ニッケルであり、塩化ニッケルと臭化
ニッケルが最も好ましい。二価ニッケル塩は、存在する
単量体の量をベースとして、好ましくは約０．０１モル
％以上、より好ましくは約０．１モル％以上、最も好ま
しくは約１．０モル％以上の量が存在する。存在する二
価ニッケル塩の量は、存在する単量体の量をベースとし
て、好ましくは約３０モル％以下、より好ましくは約１
５モル％以下である。

【００６０】ニッケル触媒型の重合反応は、二価ニッケ
ルイオンをゼロ価状態に還元できる材料の存在下で行わ
れる。適当な材料としては、ニッケルより遙に容易に酸
化される金属はどれも含まれる。好ましい金属は、亜
鉛、マグネシウム、カルシウム及びリチウムである。好
ましい還元剤は、粉末状の亜鉛である。反応を通じてニ
ッケル種をゼロ価状態に維持するためには、ニッケルの
量をベースとして少なくとも化学量論的量の還元剤が必
要である。好ましくは、還元剤は、使用単量体の量をベ
ースとして、約１５０モル％以上、より好ましくは約２
００モル％以上、最も好ましくは約２５０モル％以上の
量が存在する。好ましくは、還元剤は、単量体の量をベ
ースとして、約５００モル％以下、より好ましくは約４
００モル％以下、最も好ましくは約３００モル％以下の
量が存在する。

【００６１】重合反応は、リガンドとして作用できる材
料の存在下で行われる。好ましいリガンドは、トリヒド
ロカルビルホスフィンである。より好ましいリガンド
は、トリアリール又はトリアルキルホスフィンであり、
トリフェニルホスフィンが最も好ましい。リガンドとし
て作用できる化合物は、単量体の量をベースとして、好
ましくは約１０モル％以上、より好ましくは約２０モル
％以上の量が存在する。リガンドとして作用できる化合
物は、単量体の量をベースとして、好ましくは、約１０
０モル％以下、より好ましくは約５０モル％以下、最も
好ましくは約４０モル％以下の量が存在する。

【００６２】重合反応は、その反応が妥当な速度で進行
する任意の温度で実行してよい。好ましくは、反応は、
約２５℃以上の、より好ましくは約５０℃以上の、最も
好ましくは約７０℃以上の温度で行う。約２５℃を下回
ると、反応速度は、容認できない程低下する。好ましく
は、反応は、約２００℃以下、より好ましくは約１５０
℃以下、そして最も好ましくは約１２５℃以下で行う。
実質的に約２００℃を超える高温は、触媒の劣化を招来
する虞れがある。反応時間は、反応温度、触媒の量及び
反応物の濃度によって決まる。反応時間は、好ましくは
約１時間以上、より好ましくは約１０時間以上である。
反応時間は、好ましくは約１００時間以下、より好まし
くは約７２時間以下、最も好ましくは約４８時間以下で
ある。このプロセスに使用する溶媒の量は、広範囲に渡
って変化してよい。一般に、できるだけ少量を用いるの
が望ましい。好ましくは、単量体のモル当り約１０リッ
トル以下の溶媒を用い、より好ましくは約５リットル以
下を用い、最も好ましくは約２リットル以下を用いる。
使用溶媒量の下限は、実地に、即ち、溶液の取扱い簡便
性及び溶媒における反応物と生成物の可溶性によって決
められるものである。

【００６３】本発明による電界発光デバイスの正孔輸送
高分子として好ましく用いられるポリ（アリールアミ
ン）は、Ｉｏｙｄａ等，ＢＵＬＬＥＴＩＮＯＦＴＨ
ＥＣＨＥＭＩＣＡＬＳＯＣＩＥＴＹＯＦＪＡＰ
ＡＮ，Ｖｏｌ．６３，ｐ．８０（１９９０）に開示され
ているプロセスで作製してよい。この方法は、上述の方
法と類似している。詳細には、触媒は、ハロゲン化ニッ
ケル・ビス−トリフェニルホスフィン錯体として導入さ
れる二価ニッケル塩である。反応は、種々の極性溶媒で
行ってよい。これらの溶媒は、アセトン、ジメチルホル
ムアミド、テトラヒドロフラン及びアセトニトリルを含
む。反応は、約１０モル％のヨウ化テトラエチルアンモ
ニウムのような有機可溶性ヨウ化物の添加で加速され
る。反応は、約１〜２４時間、約２０〜１００℃の温度
で行う。

【００６４】あるいは、本発明による電界発光デバイス
の正孔輸送高分子として好ましく用いられるポリ（アリ
ールアミン）は、Ｙａｍａｍｏｔｏ，ＰＲＯＧＲＥＳＳ
ＩＮＰＯＬＹＭＥＲＳＣＩＥＮＣＥ，Ｖｏｌ．１
７，ｐ．１１５３（１９９２）によって開示されたプロ
セスを使って作製してもよい。この方法は、上述の方法
と類似している。このプロセスでは、単量体を、ニッケ
ル（１，５−シクロオクタジエン）錯体の形のニッケル
触媒の少なくとも化学量論的量及び、テトロヒドロフラ
ンのような不活性溶媒中でのリガンドとしての１，５−
シクロオクタジエンの少なくとも化学量論的量と接触さ
せる。反応は、好ましくは、約２日間以上、約７０℃以
上で行う。

【００６５】本発明による電界発光デバイスの正孔輸送
高分子として好ましく用いられるポリ（アリールアミ
ン）の別の製法は、Ｍｉｙａｕｒａ等，ＳＹＮＴＨＥＴ
ＩＣＣＯＭＭＵＮＩＣＡＴＩＯＮ，Ｖｏｌ．１１，ｐ．
５１３（１９８１）、及びＷａｌｌｏｗ等，ＡＭＥＲＩ
ＣＡＮＣＨＥＭＩＣＡＬＳＯＣＩＥＴＹ，ＰＯＬＹ
ＭＥＲＰＲＥ−ＰＲＩＮＴ，Ｖｏｌ．３４（１），
ｐ．１００９（１９９３）で開示されたプロセスであ
る。このプロセスでは、単量体上のハロゲンを、対応す
るリシオ（ｌｉｔｈｉｏ）−又はグリニヤル部分に変換
する。前述のプロセスは、当分野でよく知られている：
例えば、Ｍａｒｃｈ，ＡＤＶＡＮＣＥＤＯＲＧＡＮＩ
ＣＣＨＥＭＩＳＴＲＹ，２ｄＥｄ．，ｐｐ．４０８
〜４１４（ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉｌｌ，１９７７）参照。
リシオ−又はグリニヤル誘導体は、トリアルキルホウ酸
と反応して対応するホウ酸を生成する：Ｍ．Ｒｅｈａｌ
ｉｎ等，ＭＡＫＲＯＭＯＬＥＣＵＬＡＩＲＥＣＨＥＭ
ＩＥ，Ｖｏｌ．１９１，ｐｐ．１９９１〜２００３（１
９９０）に記載。得られるホウ酸誘導体は、触媒量のテ
トラキス（トリフェニルホスフィン）−パラジウム
（０）及び水性塩基の存在下で、本発明のポリ（アリー
ルアミン）が作製されるような条件下で、接触させる。

【００６６】テトラキス（トリフェニルホスフィン）−
パラジウム（０）は、可溶性パラジウム塩、例えば、酢
酸パラジウム又は塩化パラジウム、及び少なくとも４モ
ル当量のトリフェニルホスフィンを付加して、その位置
で生成してよい。触媒は、所望の反応を促進し且つ妥当
な反応速度を助長するのに十分な量が存在する。好まし
くは、触媒は、存在する単量体の量を基として、約０．
０１モル％以上、より好ましくは約０．１モル％以上、
そして最も好ましくは約１．０モル％以上の量が存在す
る。テトラキス（トリフェニルホスフィン）−パラジウ
ム（０）は、単量体の量をベースとして、好ましくは約
２０モル％以下、より好ましくは約１０モル％以下、そ
して最も好ましくは約５モル％以下の量が存在する。

【００６７】上記の反応物は、その反応物と反応しない
か又は触媒を不活性にする溶媒中で接触させる。好まし
い溶媒には、芳香族炭化水素、低級アルカノール、脂肪
性エーテル及びＮ，Ｎ−ジアルキルアミドがあり、トル
エンとエタノールがより好ましいものである。

【００６８】Ｍｉｙａｕｒａ等で開示されたようなプロ
セスは、酸素があると触媒に害を及ぼすため、好ましく
は、酸素のないところで実施する。より好ましくは、こ
の反応は、窒素又はアルゴンのような不活性雰囲気中で
行う。

【００６９】上記の反応は、その反応が妥当な速度で進
行する任意の温度で行うことができる。好ましくは、反
応は、約５０℃以上、より好ましくは約７０℃以上、最
も好ましくは約８０℃以上の温度で行う。約５０℃を下
回ると、反応速度は、容認できないほど低下する。好ま
しくは、反応は、約１５０℃以下、より好ましくは約１
３０℃以下、最も好ましくは約１００℃以下の温度で行
う。実質的に約１５０℃を超える高温度は、触媒の劣化
を招来する虞れがある。反応時間は、反応温度、触媒の
量及び反応物の濃度によって決まる。反応時間は、好ま
しくは約１０時間以上であり、より好ましくは約２０時
間以上である。反応時間は、好ましくは約１００時間以
下、より好ましくは約５０時間以下、最も好ましくは約
２０時間以下である。このプロセスに使用する溶媒の量
は、広範囲にわたって変化してよい。一般に、できるだ
け少量を用いるのが望ましい。好ましくは、ジアリール
ジアミンのモル当り約１００リットル以下、より好まし
くは約７５リットル以下、最も好ましくは約５０リット
ル以下の溶媒を使う。使用溶媒量の下限は、実地に、即
ち、溶液の取扱い簡便性及び溶媒における反応物と生成
物の可溶性によって決められる。

【００７０】上記作製法の何れからも生成されるポリ
（アリールアミン）は、在来技術を使って再生される；
好ましい技術には、非溶媒を使う濾過と沈殿が含まれ
る。

【００７１】ポリ（アリールアミン）は、ピンホール及
び欠陥の無い優れた層を形成する。そのような層は、ス
ピンコーティング、スプレーコーティング、ディップコ
ーティング、ローラコーティング、及びドローバーコー
ティングを含む、当分野で周知の方法で作製することが
できる。このコーティングは、ある組成物を基板に塗布
し、その塗布した組成物を薄層が形成されるような条件
に晒して作製する。例えば、基板に塗布した組成物は、
通常の有機溶媒に溶かしたポリ（アリールアミン）であ
ってよい。好ましい溶媒は、脂肪族炭化水素、塩素化炭
化水素、芳香族炭化水素、ケトン、エーテル及びその類
である。好ましくは、その溶液は、約０．５〜約１０重
量％のポリ（アリールアミン）を含有する。薄層に関し
ては、その組成が重量で約０．５〜約５．０％のポリ
（アリールアミン）を含有していることが望まれる。次
いで、所望の方法を使ってこの組成物を適当な基板に塗
布する。得られる薄層は、好ましくは、実質的に厚みが
均一で且つ実質的にピンホールが無いものである。

【００７２】〔模範的な正孔輸送高分子の作製実施例〕
以下の諸実施例は、説明の目的のためにのみ包含される
ものであって、本発明の特許請求の範囲を制限するもの
ではない。別途指定しない限り、全ての部及び％は重量
による。

【００７３】実施例１：ＰＰＰＤＡ−ＭｅＯの作製（ａ）単量体：Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ−
（４−メトキシフェニル）−１，４−フェニレンジアミ
ン、ＰＰＰＤＡ−ＭｅＯの作製用開始単量体、の作製：
Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−１，４−フェニレンジアミン
（４６．３ｇ，０．１８ｍｏｌ）、４−ヨードフェニル
−メチルエーテル（１００．０ｇ，０．４３ｍｏｌ）、
銅ブロンズ粉末（２８ｇ，０．４４ｍｏｌ）、炭酸カリ
ウム（１６６ｇ，１．２ｍｏｌ）、１８−クラウン−６
−エーテル（７．９ｇ，０．０３ｍｏｌ）及び１，２−
ジクロロ−ベンゼン（４００ｍｌ）を、機械的攪拌器を
備えた反応器に入れ、窒素注入口とコンデンサーを付加
する。その混合物を１８０℃で９０時間加熱し、反応で
生じた水を低速の窒素流で除去する。２４時間後、熱い
反応混合物をベッドを通して濾過し、且つ減圧下で濃縮
して暗褐色のビスコース液を作る。この液体は、シリカ
ゲルのベッドを通してヘキサンで浸出させ、ある程度脱
色させる。アセトンからの２回の再結晶化により、黄褐
色の単量体結晶５５．７ｇ（６６％）を生ずる。

【００７４】（ｂ）単量体：Ｎ，Ｎ′−ジ−（４−ブロ
モジフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ジ−（４−メトキシフェニ
ル）−１，４−フェニレンジアミン、ＰＰＰＤＡ−Ｍｅ
Ｏの作製用開始単量体、の作製：Ｎ−ブロモスクシンイ
ミド（１９．０ｇ，０．１１ｍｏｌ）とジメチルホルム
アミド（ＤＭＦ）（１５０ｍｌ）との溶液を、ＤＭＦ
（１５０ｍｌ）中のＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−
ジ−（４−メトキシフェニル）−１，４−フェニレンジ
アミン（２５．０ｇ，０．０５３ｍｏｌ）の攪拌溶液に
加える。その反応混合物を１リットルのトルエンに加え
て６０℃まで加熱する。その加温溶液を６０℃の水（４
×１０００ｍｌ）で洗浄する。トルエン溶液は、無水Ｍ
ｇＳＯ_４上で乾燥させ、シリカゲルのベッドを通して濾
過し、次いで、減圧下で濃縮させる。トルエン／ヘキサ
ンからの粗生成物の２回の再結晶化により、乾燥後、黄
褐色の単量体（２１．６ｇ，６５％）を生ずる。

【００７５】（ｃ）ＰＰＰＤＡ−ＭｅＯを作製するため
のＮ，Ｎ′−ジ−（４−ブロモジフェニル）−Ｎ，Ｎ′
−ジ−（４−メトキシフェニル）−１，４−フェニレン
ジアミンの重合：重合反応器に、Ｎ，Ｎ′−ジ−（４−
ブロモジフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ジ−（４−メトキシフ
ェニル）−１，４−フェニレンジアミン（６．３ｇ，１
０ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（１．３５ｇ，
５ｍｍｏｌ）、亜鉛粉末（２．０ｇ，３０ｍｍｏｌ）及
び塩化ニッケル−２，２′−ビピリジン錯体（ＮｉＣｌ
_２−Ｂｉｐｙ）（０．１ｇ，０．４５ｍｍｏｌ）を充填
する。反応器を〜０．２ｍｍＨｇまで排気し、次いで窒
素でパージする。このサイクルを７回繰返す。２０ｍｌ
の無水ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を、シリンジ
を用いて、反応器に加える。反応混合物を２５０ｒｐｍ
の攪拌速度で８０℃まで加熱する。数分後、反応混合物
は、灰色から茶色がかった赤色に変わり、時間とともに
暗色になる。１時間後、緑色のケーキが現れ、混合操作
が困難になる。固形のケーキを溶解するため、２５ｍｌ
のＤＭＡｃと４０ｍｌのトルエンを反応器に加える。反
応物を８０℃で１８時間攪拌する。その反応混合物を５
００ｍｌのアセトンに加えて、生成物を十分に沈殿させ
る。その沈殿物を捕集しアセトン（３×１５０ｍｌ）で
洗浄する。沈殿物を３００ｍｌのクロロベンゼンに溶か
し、次いでフィルター補助のベッドを通して濾過する。
クロロベンゼン溶液を３００ｍｌの水性の３Ｎ−ＨＣｌ
と水（２×３００ｍｌ）で洗浄する。次いで、１００ｍ
ｌの水と５０ｍｌのエチレンジアミンを入れたフラスコ
に、そのクロロベンゼンの混合物を加える。その混合物
を６０℃で２時間攪拌する。クロロベンゼン混合物の水
層を除去し、クロロベンゼン混合物のトルエン層を水
（２×３００ｍｌ）で洗浄する。クロロベンゼン混合物
を〜５０ｍｌの容積まで濃縮し、次いで、３００ｍｌの
アセトン中に徐々に加える。高分子が、黄色の沈殿物と
して生成される。黄色の沈殿物を捕集し、アセトン（２
×２００ｍｌ）で洗浄し、その後、乾燥して、４．４ｇ
（９４％）の黄色粉末を作る。

【００７６】（ｄ）ＰＰＰＤＡ−ＭｅＯを作製するため
のＮ，Ｎ′−ジ−（４−ブロモジフェニル）−Ｎ，Ｎ′
−ジ−（４−メトキシフェニル）−１，４−フェニレン
ジアミンの重合の代替法：Ｎ，Ｎ′−ジ−（４−ブロモ
ジフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ジ−（４−メトキシフェニ
ル）−１，４−フェニレンジアミン（６．３ｇ，１０ｍ
ｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（１．３５ｇ，５ｍ
ｍｏｌ）、亜鉛粉末（２．０ｇ，３０ｍｍｏｌ）、Ｎｉ
Ｃｌ_２−Ｂｉｐｙ（０．０８６ｇ，０．３ｍｍｏｌ）、
及びＮ−メチルピロリジノン（２０ｍｌ）を使って、上
記実施例を繰返す。重合は、約６時間後に終了する。高
分子のケーキをトルエン（２００ｍｌ）に溶かし、生ず
る反応混合物は、ベッドを通して濾過し無機塩を取り除
く。濾過したトルエン溶液を約５０ｍｌの容積まで減ら
し、次いで、約８００ｍｌのアセトン中に注いで所望の
高分子を沈殿させる。固形物を濾過によって捕集し，６
０℃の真空オーブンで一晩乾燥し、トルエン中でのその
固有の粘性が０．０８ｄｌ／ｇである黄色の高分子３．
４７ｇを得る。

【００７７】（ｅ）ＰＰＰＤＡ−ＭｅＯを作製するため
のＮ，Ｎ′−ジ−（４−ブロモジフェニル）−Ｎ，Ｎ′
−ジ−（４−メトキシフェニル）−１，４−フェニレン
ジアミンの重合の代替法：Ｎ，Ｎ′−ジ−（４−ブロモ
ジフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ジ−（４−メトキシフェニ
ル）−１，４−フェニレンジアミン（３．１５ｇ，５ｍ
ｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（０．６６ｇ，２５
ｍｍｏｌ）、亜鉛粉末（１．００ｇ，１５ｍｍｏｌ）、
ＮｉＣｌ_２−Ｂｉｐｙ（０．０５ｇ，０．１７ｍｍｏ
ｌ）、及びＮ−クロロヘキシルピロリジノン（１１ｍ
ｌ）を使って、上記実施例を繰返す。重合は、９０℃で
２５時間実施し、上記と同一の手順で高分子生成物
（２．０ｇ，固有粘性０．０９ｄｌ／ｇ）を分離する。

【００７８】実施例２：ＭＰＰＤＡの作製（ａ）単量体：Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ−
（３−クロロフェニル）−１，４−フェニレンジアミ
ン、ＭＰＰＤＡの作製用開始単量体、の作製：実施例１
の手順に従い、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−１，４−フェニ
レンジアミン（１３．０ｇ，０．０５ｍｏｌ）、３−ヨ
ードクロロベンゼン（３１．０ｇ，０．１３ｍｏｌ）、
銅ブロンズ粉末（７．５ｇ，０．１３ｍｏｌ）、１８−
クラウン−６−エーテル（２．４０ｇ，０．０９ｍｏ
ｌ）、粉末炭酸カリウム（５０．１４ｇ，０．３６ｍｏ
ｌ）、及び１，２−ジクロロ−ベンゼン（１２０ｍｌ）
を、１９０℃で２０時間加熱する。加熱反応混合物をベ
ッドを通して濾過し、トルエン（５０ｍｌ）で洗浄す
る。真空下で結合濾液からトルエンを除去し、得られる
暗褐色のオイルをシリカゲルカラム（５×２５ｃｍ，溶
離液としてヘキサン中の５％ＣＨ_２Ｃｌ_２）搭載のクロ
マトグラフで分離して、放置すると凝固する淡黄色粘性
のオイル７．４ｇ（３１％）を得る。メタノール−アセ
トンからの再結晶化により、４．６ｇ（１９％）の単量
体生成物が白色フレーク（融点１２４℃〜１２７℃）と
して生ずる。

【００７９】（ｂ）単量体生成物：Ｎ，Ｎ′−ジフェニ
ル−Ｎ，Ｎ′−ジ−（３−クロロフェニル）−１，４−
フェニレンジアミンの作製：酢酸パラジウム（１８０ｍ
ｇ，０．８ｍｍｏｌ）とトリ−ｏ−トリホスフィン（５
３６ｍｇ，１．７ｍｍｏｌ）とトルエン（４０ｍｌ）の
混合物を、均一の黄色の溶液ができるまで室温で３０分
間攪拌する。Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−１，４−フェニレ
ンジアミン（５．２ｇ，２０ｍｍｏｌ）、３−ブロモク
ロロベンゼン（９．６ｇ，５０ｍｍｏｌ）、ナトリウム
・ｔ−ブトキシド（５．４ｇ，５６ｍｍｏｌ）及びさら
にトルエン（１２０ｍｌ）を反応容器の中の上記混合物
に加える。窒素を徐々にパージしながら、反応容器をオ
イルバス中に置き、攪拌反応物を加熱して１４時間環流
する。反応混合物を室温まで冷やし、塩酸（６ｍｌ）で
処理し、ベッドを通して濾過する。減圧下でロータベー
パ（ｒｏｔａｖａｐｏｒ）上の溶媒を除去すれば、暗褐
色の粘性オイルが生ずる。シリカゲルカラム（５×２５
ｃｍ，溶離液としてヘキサン中の１０％トルエン）での
フラッシュクロマトグラフィーにより、室温で放置する
と凝固する淡黄色オイルを得る。メタノール／アセトン
からの再結晶化により、７．３ｇ（７６％）の生成物が
白色フレーク（融点１２５℃〜１２７℃）として生ず
る。

【００８０】（ｃ）ＭＰＰＤＡの作製のためのＮ，Ｎ′
−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ−（３−クロロフェニル）
−１，４−フェニレンジアミンの重合：Ｎ，Ｎ′−ジフ
ェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ−（３−クロロフェニル）−１，
４−フェニレンジアミン（１．２ｇ，２．５ｍｍｏ
ｌ）、トリフェニルホスフィン（３２７．５ｇ，１．２
５ｍｍｏｌ）、亜鉛粉末（４９０ｍｇ，７．５ｍｍｏ
ｌ）及びＮｉＣｌ_２−Ｂｉｐｙ（２１．５ｍｇ，０．０
７５ｍｍｏｌ）を、乾燥した反応器に入れる。反応器を
−３ｍｍ／Ｈｇまで排気し、次いで、窒素を充填する。
このサイクルを５回繰り返す。３．５ｍｌのＮ−メチル
ピロリジノンを反応器に加え、そして３回反応器を排気
し且つ窒素充填する。反応混合物を攪拌し、７０℃のオ
イルバスで２０時間加熱する。このようにして作った高
分子のケーキを高温のクロロベンゼン（４０ｍｌ）で溶
解する。その溶液を濾過して約１０ｍｌまで濃縮する。
アセトン（１００ｍｌ）をその溶液に加えて高分子を白
色粉末として沈殿させる。アセトンで洗浄し、６０℃の
真空オーブンで一晩乾燥すれば、０．７８ｇ（７６％）
の高分子生成物を得る。

【００８１】（ｄ）ＭＰＰＤＡの作製のためのＮ，Ｎ′
−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ−（３−クロロフェニル）
−１，４−フェニレンジアミンの重合：全ての固体試薬
の量を１０倍に増やして実施例（ｃ）を繰り返す。Ｎ−
シクロヘキシル−ピロリジノン（１３ｍｌ）とＮ−メチ
ルピロリジノン（２３ｍｌ）を溶媒として使う。重合
は、７０℃で８時間及び９０℃で１０時間行う。高分子
の収量は８．７ｇ（８５％）である。

【００８２】（ｅ）ＭＰＰＤＡの作製のためのＮ，Ｎ′
−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ−（３−クロロフェニル）
−１，４−フェニレンジアミンの重合：溶媒がＮ−シク
ロヘキシル−ピロリジノンとＮ−メチルピロリジノン
（全量４ｍｌ）の１：１の混合物である以外は実施例
（ｃ）を繰り返す。重合は、７０℃で１０時間進行させ
る。分離生成物（９１０ｍｇ，８８％）は、ＣＨ_２Ｃｌ
_２において０．１３ｄｌ／ｇの固有粘性を有す。

【００８３】実施例３：ＰＰＰＤＡの作製（ａ）ＰＰＰＤＡ作製用単量体：Ｎ，Ｎ′−ジフェニル
−Ｎ，Ｎ′−ジ−（４−クロロフェニル）−１，４−フ
ェニレンジアミンの作製：酢酸パラジウム（２７０ｍ
ｇ，１．２ｍｍｏｌ）とトリ−ｏ−トリルホスフィン
（８０４ｍｇ，２．６ｍｍｏｌ）とトルエン（２０ｍ
ｌ）の混合物を、均一の黄色の溶液ができるまで室温で
３０分間攪拌する。この溶液に、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル
−１，４−フェニレンジアミン（７．８ｇ，３０ｍｍｏ
ｌ）、４−ブロモクロロベンゼン（１８．９ｇ，９９ｍ
ｍｏｌ）、第三ブトキシドナトリウム（８．１ｇ，８４
ｍｍｏｌ）及びさらにトルエン（２５０ｍｌ）を加え
る。窒素を徐々にパージしながら、反応容器をオイルバ
ス中に置き、攪拌反応物を加熱して１２時間環流する。
反応混合物を室温まで冷やし、塩酸（９ｍｌ）で処理
し、濾過支援のベッドを通して濾過する。減圧下でロー
タベーパ上の溶媒を除去すれば、暗褐色の粘性オイルが
生ずる。シリカゲルカラム（５×２５ｃｍ，溶離液とし
て５０％ベンゼン／ヘキサン）でのフラッシュクロマト
グラフィーにより、淡黄色の固形物を得る。ベンゼン／
ヘキサンからの再結晶化により、約１１．９ｇ（８２
％）の生成物が白色フレークとして生ずる。

【００８４】（ｂ）Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−
ジ−（４−クロロフェニル）−１，４−フェニレンジア
ミンの作製：オーバーヘッド・スターラー、窒素注入口
及び還流コンデンサーを備えた１リットルの３ネック丸
底フラスコに、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−１，４−フェニ
レンジアミン（１３．０ｇ，０．０５ｍｏｌ）、４−ヨ
ードクロロベンゼン（３１．０ｇ，０．１３ｍｏｌ）、
銅ブロンズ粉末（１２．７ｇ，０．２０ｍｏｌ）、１８
−クラウン−６−エーテル（２．６ｇ，０．１０ｍｏ
ｌ）、粉末炭酸カリウム（５０．１ｇ，０．３６ｍｏ
ｌ）、及び１，２−ジクロロ−ベンゼン（１２０ｍｌ）
を入れる。コンデンサーを通して窒素を徐々にパージし
ながら、反応容器をオイルバス中に置き、攪拌反応物を
２００℃で２０時間加熱する。加熱反応混合物を濾過支
援のベッドを通して濾過し、トルエン（５０ｍｌ）で洗
浄し、その濾液を減圧下でロータベーパ上で濃縮する。
溶媒の残分をＫｕｇｅｌｒｏｈｒ装置を使ってさらに除
去して暗褐色の粘性オイルを生ずる。シリカゲルカラム
（５×２５ｃｍ，溶離液としてヘキサン中の５％ＣＨ_２
Ｃｌ_２）でのフラッシュクロマトグラフィーにより、
９．６ｇの灰白色固形物を得る。粗生成物をさらにトル
エンとアセトンで洗浄して、オフホワイトの粉末物質
６．１ｇ（２５％）を生ずる。

【００８５】（ｃ）ＰＰＰＤＡの作製のためのＮ，Ｎ′
−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ−（４−クロロフェニル）
−１，４−フェニレンジアミンの重合：機械的スターラ
ー、窒素注入／真空排気口、及びゴム隔膜を備えた、乾
燥した反応器に、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ
−（４−クロロフェニル）−１，４−フェニレンジアミ
ン（１２ｇ，２５．０ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフ
ィン（３．３ｇ，１２．６ｍｍｏｌ）、亜鉛粉末（４．
９ｇ，７５ｍｍｏｌ）及びＮｉＣｌ_２−Ｂｉｐｙ（０．
２２ｇ，０．７５ｍｍｏｌ）を入れる。反応器を〜３ｍ
ｍ／Ｈｇまで排気し、次いで窒素でパージする。このサ
イクルを５回繰り返す。シリンジを使って４５ｍｌのＮ
−シクロヘキシルピロリジノンと２７ｍｌのＮ−メチル
ピロリジノンを反応器に加える。３回、反応器を排気し
且つ窒素でパージする。反応混合物を３００ｒｐｍの速
さで攪拌しながら７０℃のオイルバスで加熱する。灰色
の不均一な混合物が、徐々に、赤褐色の液体に変わり、
時間の経過につれ益々粘性になる。攪拌を、７０℃で１
０時間及び９０℃で１０時間継続する。反応の終点で、
暗緑褐色の粘性物質が観察されるであろう。粗生成物を
加熱クロロベンゼン（３００ｍｌ）で溶解し、短いアル
ミナカラムを通して亜鉛の粉塵を除去する。濾液をロー
ターベーパ上で〜１００ｍｌまで濃縮し、その溶液を、
再度、アルミナカラムに通してＴＨＦで溶離する。溶液
の容積を〜１００ｍｌまで減らし、アセトン（５００ｍ
ｌ）を使って高分子を沈殿させる。その生成物を濾過に
より捕集し、アセトンで洗浄し、６０℃の真空オーブン
中で一晩乾燥して、９．５３ｇ（９３％）の淡黄色粉末
を得る。

【００８６】〔電界発光デバイスの実施例〕実施例１（従来技術）シート抵抗１５Ω／□を有する酸化インジウムスズ被覆
ガラスから成る半透明陽極を水ベースの洗剤で、続いて
アセトンとイソプロピルアルコールのリンスで洗浄し
た。次いで、真空蒸着により、６００Åの厚さのＴＰＤ
正孔輸送層を、５Å／ｓｅｃの速度で、その陽極上にデ
ポジットした。ＴＰＤは、タングステンフィラメントで
加熱されるアルミナ製るつぼを備えたＲＡＤＡＫＩＩ
型真空蒸発器により蒸着させた。これも６００Åの厚さ
をもつＡｌｑ_３の電子輸送・発光層も、５Å／ｓｅｃの
速度で、ＴＰＤ層の上面上にデポジットした。Ａｌｑ_３
もＲＡＤＡＫＩＩ型真空蒸発器により蒸発させた。最
後に、１０００ÅのＭｇから成る陰極をＡｌｑ_３層の上
面上にデポジットし、続いて１０００ÅのＡｇの保護層
をデポジットした。

【００８７】Ｎ_２リッチのドライボックス中で、得られ
た有機電界発光デバイスに４０ｍＡ／ｃｍ^２の直流定電
流をかけて作動させた時、その初期出力輝度は１２００
ｃｄ／ｍ^２であり、陽極と陰極間の電圧は５．２Ｖであ
った。しかし、該デバイスが示した信頼性は不十分であ
った。５時間未満の連続作動中に、突発的異常故障が発
生し、デバイスは発光を停止した。

【００８８】別のサンプルの熱抵抗特性のテストは、先
ず、電流及び輝度特性を試験し、次いで、同サンプルを
８０℃で２４時間ポストアニーリングし、そして再度、
電流及び輝度特性を試験して行った。ポストアニーリン
グ後に測定した諸特性は、ポストアニーリング前に測定
したそれらより著しく劣っており、同サンプルの熱抵抗
特性が不良であることを示した。

【００８９】実施例２ＴＰＤの真空蒸着に先立ち、ＩＴＯ／ガラス基板上で正
孔輸送高分子層を回転（スピン）させた以外は、実施例
１を繰り返して、図３に示すデバイス構造を作り出し
た。正孔輸送高分子層は、５５０ÅのＰＰＰＤＡ−Ｍｅ
Ｏであった。

【００９０】Ｎ_２リッチのドライボックス中で、得られ
た有機電界発光デバイスに４０ｍＡ／ｃｍ^２の直流定電
流をかけて作動させた時、その初期出力輝度は約９９０
ｃｄ／ｍ^２であり、陽極と陰極間の電圧は８Ｖであっ
た。該デバイスは信頼性が改善されたことを示した−約
１００時間の連続作動で突発的異常故障は起きなかっ
た。しかし、デバイスの輝度は、初期値の約４分の１
（Ｌ／Ｌ_０＝０．２５）、即ち約２４０ｃｄ／ｍ^２まで
低下した。さらに、１１０時間のストレス印加後、突発
的に故障した。この実施例の熱抵抗特性はテストしなか
った。

【００９１】実施例３ＴＰＤ層の蒸着を省いた以外は、実施例２を繰り返し
た。このようにして、デバイスは、図３に示した構造を
もった。また、Ａｌｑ_３層のデポジットに先立ち、ＩＴ
Ｏ／ＰＰＰＤＡ−ＭｅＯ基板を９０℃で１０分間アニー
リングして残留溶媒を取り除いた。

【００９２】Ｎ_２リッチのドライボックス中で、得られ
た有機電界発光デバイスに４０ｍＡ／ｃｍ^２の直流定電
流をかけて作動させた時、その初期出力輝度は約１００
ｃｄ／ｍ^２であり、陽極と陰極間の電圧は１０．５Ｖで
あった。該デバイスの効率は低く、且つ不均一放射がデ
バイスの活性領域から観察された。連続動作では、デバ
イスの寿命は極めて制限され、その輝度は急速に減少し
た。

【００９３】実施例４高分子層が１０００ÅのＰＰＰＤＡである以外は、実施
例２を繰り返した。

【００９４】Ｎ_２リッチのドライボックス中で、得られ
た有機電界発光デバイスに４０ｍＡ／ｃｍ^２の直流定電
流をかけて作動させた時、その初期出力輝度は約１２３
０ｃｄ／ｍ^２であり、陽極と陰極間の電圧は８．２Ｖで
あった。該デバイスは信頼性が改善されたことを示した
−約１００時間の連続作動で突発的異常故障は起きず、
デバイスの輝度は、初期値の３分の１（Ｌ／Ｌ_０＝０．
３５）、即ち約４３０ｃｄ／ｍ^２まで低下した。同時
に、デバイスを横切る電圧は、約１４．７Ｖ（Ｖ／Ｖ_０
＝１．８）まで上昇した。

【００９５】実施例５高分子層が１１００ÅのＭＰＰＤＡであること以外は、
実施例４を繰り返した。Ｎ_２リッチのドライボックス中
で、得られた有機電界発光デバイスに４０ｍＡ／ｃｍ^２
の直流定電流をかけて作動させた時、その初期出力輝度
は約１２８０ｃｄ／ｍ^２であり、陽極と陰極間の電圧は
８．８Ｖであった。該デバイスの信頼性は、実施例４の
それと類似したものであった。

【００９６】実施例６ＴＰＤ層の蒸発を省いた以外は、実施例４を繰り返し
た。その結果、デバイスは、図３に示した構造となっ
た。さらに、Ａｌｑ_３層のデポジットに先立ち、基板／
ＩＴＯ／ＰＰＰＤＡ構造を１２０℃で１０分間アニーリ
ングして残留溶媒を取り除いた。

【００９７】Ｎ_２リッチのドライボックス中で、得られ
た有機電界発光デバイスに４０ｍＡ／ｃｍ^２の直流定電
流をかけて作動させた時、その初期出力輝度は約４００
ｃｄ／ｍ^２であり、陽極と陰極間の電圧は８Ｖであっ
た。該デバイスは比較的低効率を呈したが、実施例４に
記述したそれに関しては信頼性が改善されたことを示し
た。約１００時間の連続作動で突発的異常故障は起き
ず、デバイスの輝度は、初期値の僅かに６０％（Ｌ／Ｌ
_０＝０．６０）、即ち約２４０ｃｄ／ｍ^２まで低下した
にすぎない。同時に、デバイス両端の電圧は、約１２Ｖ
（Ｖ／Ｖ_０＝１．５）まで上昇した。従って、ＴＰＤ層
を除くとデバイスの効率は３ｃｄ／Ａから１ｃｄ／Ａに
低下するが、デバイスの安定度は向上すると、我々は結
論するものである。

【００９８】実施例７高分子層がＭＰＰＤＡであった以外は、実施例６を繰り
返した。Ａｌｑ_３層のデポジットに先立ち、基板／ＩＴ
Ｏ／ＰＰＰＤＡ構造を１２０℃で１０分間アニーリング
して残留溶媒を取り除いた。

【００９９】Ｎ_２リッチのドライボックス中で、得られ
た有機電界発光デバイスに４０ｍＡ／ｃｍ^２の直流定電
流をかけて作動させた時、その初期出力輝度は約８５０
ｃｄ／ｍ^２であり、陽極と陰極間の電圧は８．５Ｖであ
った。約１００時間の連続作動で突発的異常故障は起き
なかった。しかし、デバイスの輝度は、初期値の３０％
（Ｌ／Ｌ_０＝０．３０）、即ち約２５５ｃｄ／ｍ^２まで
低下した。同時に、デバイスを横切る電圧は、約１４．
５Ｖ（Ｖ／Ｖ_０＝１．７）まで上昇した。このことは、
ＭＰＰＤＡの高分子を用いて作ったデバイスは、ＰＰＰ
ＤＡの高分子を用いて作ったデバイスより安定度が低い
ことを暗示している。

【０１００】実施例８陰極層のデポジット後、完成したデバイスを乾燥Ｎ_２雰
囲気で８０℃で２４時間ポストアニーリングした以外
は、実施例６を繰り返した。

【０１０１】Ｎ_２リッチのドライボックス中で、得られ
た有機電界発光デバイスに４０ｍＡ／ｃｍ^２の直流定電
流をかけて作動させた時、その初期出力輝度は約４３０
ｃｄ／ｍ^２であり、陽極と陰極間の電圧は１１Ｖであっ
た。約１００時間の連続作動で突発的異常故障は起き
ず、デバイスの輝度は、初期値の７３％（Ｌ／Ｌ_０＝
０．７３）、即ち約３１４ｃｄ／ｍ^２まで低下した。同
時に、デバイスを横切る電圧は、約１４．８Ｖ（Ｖ／Ｖ
_０＝１．３５）まで上昇した。

【０１０２】このことは、ポストアニーリングは、デバ
イスの動作電圧を上昇させるが、デバイスの効率に影響
せず、且つ定電流ストレス中はデバイスをさらに安定に
することを示している。さらに、これは、ＩＴＯ／ＰＰ
ＰＤＡ／Ａｌｑ_３／Ｍｇ／Ａｇの層から成る図３に示し
たデバイス構造は、高い熱抵抗を有することも示してい
る。

【０１０３】実施例９Ａｇ層をデポジットした後、完成したデバイスを乾燥Ｎ
_２雰囲気で８０℃で２４時間ポストアニーリングした以
外は、実施例７を繰り返した。

【０１０４】Ｎ_２リッチのドライボックス中で、得られ
た有機電界発光デバイスに４０ｍＡ／ｃｍ^２の直流定電
流をかけて作動させた時、その初期出力輝度は約８５０
ｃｄ／ｍ^２であり、陽極と陰極間の電圧は９．１Ｖであ
った。約３０時間の連続作動で突発的異常故障は起きな
かった。しかし、デバイスの輝度は、初期値の１２％
（Ｌ／Ｌ_０＝０．１２）、即ち約１００ｃｄ／ｍ^２まで
低下した。同時に、デバイスを横切る電圧は、約１０．
７Ｖ（Ｖ／Ｖ_０〜１．２）まで上昇した。このことは、
ＭＰＰＤＡを用いて作ったデバイスは、ポストアニーリ
ングの結果として動作電圧の一層低い上昇を示すが、そ
れらは、ＰＰＰＤＡの高分子を用いて作ったデバイスよ
り安定度がさらに低いことを示している。これはまた、
ＭＰＰＤＡの高分子を用いて作ったデバイス構造は、低
い熱抵抗を有することも示している。

【０１０５】実施例１０図２に示した構造を有し且つ高分子としてＰＰＰＤＡを
用いるデバイスは、定電流ストレス下での高安定度と、
８０℃でのアニーリングで損なわれなかったデバイス効
率とを有するとは言え、該デバイスの総合効率は、幾分
か低い（〜１ｃｄ／Ａ）。この実施例では、Ａｌｑ_３層
を高効率の蛍光染料でドーピングすることにより、実施
例６で記述したデバイスを改良する。低濃度（０．２〜
０．５ｗｔ％）のキナクリドン（ＱＣＤ）を共蒸着（ｃ
ｏｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）でＡｌｑ_３層に取り込む。
従って、デバイス構造は、ＩＴＯ／ＰＰＰＤＡ／Ａｌｑ
_３：ＱＣＤ／Ｍｇ／Ａｇとなった。

【０１０６】Ｎ_２リッチのドライボックス中で、得られ
た有機電界発光デバイスに４０ｍＡ／ｃｍ^２の直流定電
流をかけて作動させた時、その初期出力輝度は約１５２
０ｃｄ／ｍ^２であり、陽極と陰極間の電圧は８Ｖであっ
た。このデバイスの効率は、Ａｌｑ_３がドープされなか
ったデバイスでは１．０ｃｄ／Ａであったのに比べ、
３．８ｃｄ／Ａであった。

【０１０７】実施例１１クロロベンゼンでの３％溶液からのスピンコーティング
により、ＩＴＯ−ガラス（２０Ω／□シート抵抗）上に
ＰＰＰＤＡのフィルム（約８００Å厚）を形成して、電
界発光デバイスを構成した。このフィルムは、正孔輸送
高分子として機能する。発光高分子、ポリ（９，９−二
置換フッ素−２，７−ジイル）の２％トルエン溶液を、
スピンコーティングによって正孔輸送層の上面上に塗布
して、約１０００Å厚の層を作った。次いで、カルシウ
ム金属を熱蒸発によって発光層の上面にデポジットし、
陰極として作用させる。デバイスに順方向バイアスをか
けると、陽極と陰極間の電圧が約９Ｖの時に青色光が観
察された。１３０ｃｄ／ｍ^２という光出力が、電圧１６
Ｖ、及び電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^２で観測された。正孔
輸送層のない類似デバイスでは、約１１Ｖの電圧で認識
可能な光を生じ、その光出力は、電圧１４Ｖ及び電流密
度１０ｍＡ／ｃｍ^２で約３ｃｄ／ｍ^２であった。このこ
とは、正孔輸送層を用いる本発明に基づく電界発光デバ
イスの構造で達成し得る改良点を例証するものである。

【０１０８】本開示では、本発明の例証となる実施例を
説明しているとは言え、本発明は説明された実施例に厳
密に制限されるものではなく、且つ特許請求の範囲で限
定した本発明の範囲内で種々の変更をなし得るものであ
ると理解すべきである。

【０１０９】以上のように、本発明は、〔１〕基板；電
子輸送・発光層；及び前記基板と前記電子輸送・発光層
の間にサンドイッチされた層であって、下記一般式
（Ｉ）の少なくとも１つの化合物を含むポリ（アリール
アミン）から成る正孔伝達層；を含んで成る有機電界発
光デバイスに関し、以下のような実施態様を有する。

【０１１０】

【化９】（式中：Ｒは、各存在において独立に、Ｃ_１〜２４ヒド
ロカルビル、ヒドロカルボキシル、ヒドロチオカルボキ
シ、ヒドロアリールカルボキシ、又はヒドロチオアリー
ルカルボキシであり；Ａｒ_１及びＡｒ_２は、各存在にお
いて独立に、１つ以上のＣ_１〜２４ヒドロカルビル、ヒ
ドロカルボキシル、ヒドロチオカルボキシ、ヒドロアリ
ールカルボキシ、又はヒドロチオアリールカルボキシと
任意に置換されたＣ_６〜１８アリール部分であり；Ａ
は、各存在において独立に、水素又はハロゲンであり；
ｘは、各存在において独立に、０と１の間の正の数であ
り；ｎは、０から４までの整数であり；ｍは、約５から
約１０００までの数である。）

【０１１１】〔２〕基板が、半透明である第一導電層を
包含し；正孔輸送層が、前記第一半透明導電層と前記電
子輸送・発光層との間にサンドイッチされ；且つ有機電
界発光デバイスが、電子輸送・発光層に隣接していて且
つ正孔輸送層から離れている第二導電層をさらに包含す
る；ことを特徴とする〔１〕記載の有機電界発光デバイ
ス。

【０１１２】〔３〕電子輸送・発光層が、構造式（０）
で表される金属キレートオキシノイド化合物を包含する
〔２〕記載の有機電界発光デバイス。

【０１１３】

【化１０】（式中：Ｍｅは金属を表し、ｎは０と３の間の整数であ
り、Ｘは、各存在で独立に、少なくとも２つの縮合芳香
環を有していて、そのうちの少なくとも１つがアゾール
又はアジン環であるところの核を完成する原子を表
す。）

【０１１４】〔４〕電子輸送・発光層が、アルミニウム
・トリス−８−ヒドロキシキノリン（“Ａｌｑ_３”）を
包含する〔３〕記載の有機電界発光デバイス。

【０１１５】〔５〕電子輸送・発光層が、蛍光染料を包
含する〔３〕記載の有機電界発光デバイス。

【０１１６】〔６〕第二導電層が、５ｅＶ未満の仕事関
数をもつ金属を包含する〔２〕記載の有機電界発光デバ
イス。

【０１１７】〔７〕さらに、ポリ（アリールアミン）層
と電子輸送・発光層間に挟まれた芳香族第三アミンの層
から成り、該芳香族第三アミンが、少なくとも２つの第
三アミン分子を含有し且つ、第三アミンの窒素原子に結
合して（ａ）芳香環及び（ｂ）少なくとも２つの縮合芳
香環の１つを含む芳香族部分を包含することを特徴とす
る〔２〕記載の有機電界発光デバイス。

【０１１８】〔８〕芳香族第三アミンが、Ｎ，Ｎ′−ジ
フェニル−Ｎ−Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−
１，１′−ビフェニル−４，４′−ジアミン（“ＴＰ
Ｄ”）を含む〔７〕記載の有機電界発光デバイス。

【０１１９】

〔９〕電子輸送・発光層が、発光性高分子
から成る〔２〕記載の有機電界発光デバイス。

【０１２０】〔１０〕ｘ＝１、ｎ＝０、Ａｒ_１＝１，４
−フェニレン、Ａｒ_２＝フェニル、及びｍ＝５乃至１０
００であることを特徴とする〔１〕又は〔２〕記載の有
機電界発光デバイス。

【０１２１】〔１１〕ｘ＝１、ｎ＝０、Ａｒ_１＝１，３
−フェニレン、Ａｒ_２＝フェニル、及びｍ＝５乃至１０
００であることを特徴とする〔１〕又は〔２〕記載の有
機電界発光デバイス。

【０１２２】〔１２〕ｘ＝１、ｎ＝０、Ａｒ_１＝１，４
−フェニレン、Ａｒ_２＝４−メトキシフェニル、及びｍ
＝５乃至１０００であることを特徴とする〔１〕又は
〔２〕記載の有機電界発光デバイス。

【０１２３】〔１３〕Ｒが、各存在において独立に、Ｃ
_１〜Ｃ_１２のアルコキシル、チオアルコキシ、アリール
オキシ、又はチオアリールオキシの部分と任意に置換さ
れたＣ_１〜Ｃ_１２のヒドロカルビル、アルコキシル、チ
オアルコキシ、アリールオキシ、又はチオアリールオキ
シの部分であり；Ａｒ_１及びＡｒ_２が、各存在において
独立に、Ｃ_１〜Ｃ_１２のヒドロカルビル、アルコキシ
ル、チオアルコキシ、アリールオキシ、又はチオアリー
ルオキシの部分と任意に置換されたＣ_６〜Ｃ_１２の芳香
族化合物であり；Ａが、各存在において独立に、水素、
塩素、及び臭素であり；ｍが、約５から約５００までの
数である；ことを特徴とする〔１〕記載の有機電界発光
デバイス。

【０１２４】〔１４〕Ｒが、各存在において独立に、Ｃ
_１〜Ｃ_５のアルコキシ、チオアルコキシ又はＣ_１〜Ｃ_６
のヒドロカルビルであり；Ａｒ_１及びＡｒ_２が、各存在
において独立に、Ｃ_１〜Ｃ_５のアルコキシ及びＣ_１〜Ｃ
_６のヒドロカルビルと任意に置換されたフェニル、ナフ
チル又はビフェニルであり；Ａが、各存在において独立
に、水素、塩素、及び臭素であり；ｎが、０から１まで
の数であり；ｍが、約５から約１００までの数である；
ことを特徴とする〔１〕の有機電界発光デバイス。

【０１２５】〔１５〕Ｒが、各存在において独立に、メ
チル又はメトキシであり；Ａｒ_１及びＡｒ_２が、各存在
において独立に、アニソール、メトキシナフタレン、メ
トキシビフェニル、又はフェニル又はトルエンであり；
Ａが、各存在において独立に、水素、塩素、及び臭素で
あり；ｍが、約５から約１００までの数である；ことを
特徴とする〔１〕記載の有機電界発光デバイス。

【０１２６】〔１６〕Ａｒ_１が、各存在において独立
に、ベンジルであり；Ａｒ_２が、各存在において独立
に、アニソール又はフェニルから誘導され；Ａが、各存
在において独立に、水素、塩素、及び臭素であり；ｎ
が、０の数であり；ｍが、約５から約１００までの数で
ある；ことを特徴とする請求項１記載の有機電界発光デ
バイス。

【０１２７】また、本発明は、〔１７〕有機電界発光デ
バイスを製造する方法において、半透明の導電層を有す
る基板；下記の一般式（Ｉ）の少なくとも１つの化合物
を含むポリ（アリールアミン）の溶液；及び電子輸送・
発光物質、及び導電性物質；を供給するステップと：下
記処理；前記溶液からポリ（アリールアミン）の層を半
透明の導電層上にコーティングすること、電子輸送・発
光物質の層をポリ（アリールアミン）の層の上にデポジ
ットさせること、及び導電性物質の層を電子輸送・発光
物質の層の上にデポジットさせることによって半透明導
電層の上にデバイス構造を形成するステップと：を含ん
で成る方法に関し、以下のような実施態様を有する。

【０１２８】

【化１１】（式中：Ｒは、各存在において独立に、Ｃ_１〜２４ヒド
ロカルビル、ヒドロカルボキシル、ヒドロチオカルボキ
シ、ヒドロアリールカルボキシ、又はヒドロチオアリー
ルカルボキシであり；Ａｒ_１及びＡｒ_２は、各存在にお
いて独立に、１つ以上のＣ_１〜２４ヒドロカルビル、ヒ
ドロカルボキシル、ヒドロチオカルボキシ、ヒドロアリ
ールカルボキシ、又はヒドロチオアリールカルボキシと
任意に置換されたＣ_６〜１８アリールの部分であり；Ａ
は、各存在において独立に、水素又はハロゲンであり；
ｘは、各存在において独立に、０と１の中の１つの整数
であり；ｎは、０から４までの整数であり；ｍは、約５
から約１０００までの数である）

【０１２９】〔１８〕前記の供給するステップにおい
て、少なくとも２つの第三アミン分子を含有し且つ、第
三アミンの窒素原子に結合して（ａ）芳香環又は（ｂ）
少なくとも２つの縮合芳香環の１つを含む芳香族部分を
含む芳香族第三アミンをさらに供給し；前記の形成する
ステップが、前記芳香族第三アミンの層をポリ（アリー
ルアミン）の層の上にデポジットさせて低分子の正孔輸
送層を形成するステップをさらに包含し；前記の電子輸
送・発光物質の層をデポジットさせるステップにおい
て、電子輸送・発光物質の層を前記芳香族第三アミンの
層の上にデポジットする；ことを特徴とする〔１７〕記
載の方法。

【０１３０】〔１９〕少なくとも２つの第三アミン分子
を含有し且つ、第三アミンの窒素原子に結合して（ａ）
芳香環又は（ｂ）少なくとも２つの縮合芳香環の１つを
含む芳香族部分を含む芳香族第三アミンをさらに供給
し；前記の形成するステップが、前記芳香族第三アミン
の層をポリ（アリールアミン）の層の上にデポジットさ
せて低分子の正孔輸送層を形成するステップをさらに包
含し；前記の電子輸送・発光物質の層をデポジットさせ
るステップにおいて、電子輸送・発光物質の層を前記芳
香族第三アミンの層の上にデポジットする；ことを特徴
とする〔１８〕記載の方法。

【０１３１】〔２０〕前記の芳香族第三アミンを供給す
るステップにおいて、芳香族第三アミンが、Ｎ，Ｎ′−
ジフェニル−Ｎ−Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−
１，１′−ビフェニル−４，４′−ジアミン（“ＴＰ
Ｄ”）を包含することを特徴とする〔１９〕記載の方
法。

【０１３２】〔２１〕さらに、デバイス構造をポストア
ニーリングするステップを含む〔１７〕記載の方法。

【０１３３】〔２２〕導電層の上にデバイス構造を形成
するステップにおいて、電子輸送・発光物質の層をデポ
ジットさせるステップに先立ち、基板とポリ（アリール
アミン）層とをアニーリングするステップをさらに包含
する〔１７〕記載の方法。

【０１３４】〔２３〕電子輸送・発光物質を供給するス
テップにおいて、構造式（０）で表される金属キレート
オキシノイド化合物を供給することを特徴とする〔１
７〕記載の方法。

【０１３５】

【化１２】（式中：Ｍｅは金属を表し、ｎは０と３の間の整数であ
り、Ｘは、各存在で独立に、少なくとも２つの縮合芳香
環を有していて、そのうちの少なくとも１つがアゾール
又はアジン環であるところの原子を表す。）

【０１３６】〔２４〕金属キレートオキシノイド化合物
が、アルミニウム・トリス−８−ヒドロキシキノリン
（“Ａｌｑ_３”）を包含する〔２３〕記載の方法。

【０１３７】〔２５〕前記方法が、さらに、蛍光染料を
供給するステップを包含し；且つ電子輸送・発光物質の
層をデポジットさせるステップが、電子輸送・発光物質
を該蛍光染料でドーピングするステップを包含する〔１
７〕記載の方法。

【０１３８】以上詳述したように、本発明によれば、そ
の有効寿命と光出力が高温度に晒されても損なわれな
い、経済的で、信頼性の高い、耐久性のある、商業上実
用的な有機電界発光デバイスを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の電界発光デバイスを模式的に示す。

【図２】本発明による電界発光デバイスの第一実施例を
模式的に示す。

【図３】本発明による電界発光デバイスの第二実施例を
模式的に示す。

【符号の説明】

１０１ガラス基板１０３，２０１半透明陽極１０５，２０５正孔輸送層１０７電子輸送層１０９，２１３界面１１１，２１１陰極１１３下方領域１１５上方領域１１７電源１１９光２００，２２０本発明による有機電界発光デバイス２０３基板２０７低分子正孔輸送層２０９電子輸送・発光層２１５保護層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者ホーマー・アントニアディスアメリカ合衆国カリフォルニア州マウンテン・ビューラッセン・アベニュー 284 (72)発明者ダニエル・ビー・ロイトマンアメリカ合衆国カリフォルニア州メンロ・パークカレッジ・アベニュー 700 (72)発明者ウイリアム・アール・シャイアンアメリカ合衆国ミシガン州サンフォードフランシス・ショアーズ 4408 (72)発明者エドモンド・ピー・ウーアメリカ合衆国ミシガン州ミッドランドメイフィールド・レーン 300 (72)発明者ウエイシ・ウアメリカ合衆国ミシガン州ミッドランドタイラー・ストリート 5413

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板；電子輸送・発光層；及び前記基板
と前記電子輸送・発光層の間にサンドイッチされた層で
あって、一般式（Ｉ）の少なくとも１つの化合物を含む
ポリ（アリールアミン）から成る正孔伝達層；を含んで
成る有機電界発光デバイス。【化１】（式中：Ｒは、各存在において独立に、Ｃ_１〜２４ヒド
ロカルビル、ヒドロカルボキシル、ヒドロチオカルボキ
シ、ヒドロアリールカルボキシ、又はヒドロチオアリー
ルカルボキシであり；Ａｒ_１及びＡｒ_２は、各存在にお
いて独立に、１つ以上のＣ_１〜２４ヒドロカルビル、ヒ
ドロカルボキシル、ヒドロチオカルボキシ、ヒドロアリ
ールカルボキシ、又はヒドロチオアリールカルボキシと
任意に置換されたＣ_６〜１８アリール部分であり；Ａ
は、各存在において独立に、水素又はハロゲンであり；
ｘは、各存在において独立に、０と１の間の正の数であ
り；ｎは、０から４までの整数であり；ｍは、約５から
約１０００までの数である。）
【請求項２】有機電界発光デバイスを製造する方法に
おいて、半透明の導電層を有する基板；一般式（Ｉ）の少なくと
も１つの化合物を含むポリ（アリールアミン）の溶液；【化２】（式中：Ｒは、各存在において独立に、Ｃ_１〜２４ヒド
ロカルビル、ヒドロカルボキシル、ヒドロチオカルボキ
シ、ヒドロアリールカルボキシ、又はヒドロチオアリー
ルカルボキシであり；Ａｒ_１及びＡｒ_２は、各存在にお
いて独立に、１つ以上のＣ_１〜２４ヒドロカルビル、ヒ
ドロカルボキシル、ヒドロチオカルボキシ、ヒドロアリ
ールカルボキシ、又はヒドロチオアリールカルボキシと
任意に置換されたＣ_６〜１８アリールの部分であり；Ａ
は、各存在において独立に、水素又はハロゲンであり；
ｘは、各存在において独立に、０と１の中の１つの整数
であり；ｎは、０から４までの整数であり；ｍは、約５
から約１０００までの数である）電子輸送・発光物質、
及び導電性物質；を供給するステップと：下記処理；前
記溶液からポリ（アリールアミン）の層を半透明の導電
層上にコーティングすること、電子輸送・発光物質の層をポリ（アリールアミン）の層
の上にデポジットさせること、及び導電性物質の層を電
子輸送・発光物質の層の上にデポジットさせることによ
って半透明導電層の上にデバイス構造を形成するステッ
プと：を含んで成る有機電界発光デバイスの製造方法。