JPH1084506A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH1084506A JPH1084506A JP8237430A JP23743096A JPH1084506A JP H1084506 A JPH1084506 A JP H1084506A JP 8237430 A JP8237430 A JP 8237430A JP 23743096 A JP23743096 A JP 23743096A JP H1084506 A JPH1084506 A JP H1084506A
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
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Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 全画素読み出し方式の固体撮像装置では、通
常のインターレース走査を行うモニタに供給する場合
は、撮像信号を一旦メモリに入力した後、インターレー
ス走査に合うようにメモリ上で並べ替えるなどの処理が
必要であった。 【解決手段】 CCD固体撮像素子10において、垂直
CCD13を3層電極6層駆動構成とする。そして、タ
イミングジェネレータ17において、全画素読み出しモ
ードでは、1相目の垂直転送クロックφOV1と4相目
の垂直転送クロックφEV1、2相目の垂直転送クロッ
クφOV2と5相目の垂直転送クロックφEV2、3相
目の垂直転送クロックφOV3と6相目の垂直転送クロ
ックφEV3を同一位相のクロックとして出力し、2画
素混合読み出しモードでは、1相目〜3相目の垂直転送
クロックφOV1〜φOV3と4相目〜6相目の垂直転
送クロックφEV1〜φEV3とを異なる位相のクロッ
クとして出力する。
常のインターレース走査を行うモニタに供給する場合
は、撮像信号を一旦メモリに入力した後、インターレー
ス走査に合うようにメモリ上で並べ替えるなどの処理が
必要であった。 【解決手段】 CCD固体撮像素子10において、垂直
CCD13を3層電極6層駆動構成とする。そして、タ
イミングジェネレータ17において、全画素読み出しモ
ードでは、1相目の垂直転送クロックφOV1と4相目
の垂直転送クロックφEV1、2相目の垂直転送クロッ
クφOV2と5相目の垂直転送クロックφEV2、3相
目の垂直転送クロックφOV3と6相目の垂直転送クロ
ックφEV3を同一位相のクロックとして出力し、2画
素混合読み出しモードでは、1相目〜3相目の垂直転送
クロックφOV1〜φOV3と4相目〜6相目の垂直転
送クロックφEV1〜φEV3とを異なる位相のクロッ
クとして出力する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像装置に関
し、特に同一時刻に全画素の信号電荷を垂直転送部に読
み出し、当該垂直転送部中で混合することなく独立に読
み出すことが可能ないわゆる全画素読み出し方式の固体
撮像装置に関する。
し、特に同一時刻に全画素の信号電荷を垂直転送部に読
み出し、当該垂直転送部中で混合することなく独立に読
み出すことが可能ないわゆる全画素読み出し方式の固体
撮像装置に関する。
【0002】
【従来の技術】電子スチルカメラやファクトリーオート
メーション(FA)分野において、最近、高解像度要望
として全画素読み出し方式の固体撮像装置が画像入力デ
バイスとして使われるようになってきている。この全画
素読み出し方式の固体撮像装置では、通常、各画素にお
いて1/30秒間信号電荷を蓄積し、しかる後全画素の
信号電荷を3層電極3相駆動の垂直転送部に同時に読み
出した後、当該垂直転送部中で混合することなく独立に
順次垂直転送し、さらに水平転送を行う構成となってい
る。
メーション(FA)分野において、最近、高解像度要望
として全画素読み出し方式の固体撮像装置が画像入力デ
バイスとして使われるようになってきている。この全画
素読み出し方式の固体撮像装置では、通常、各画素にお
いて1/30秒間信号電荷を蓄積し、しかる後全画素の
信号電荷を3層電極3相駆動の垂直転送部に同時に読み
出した後、当該垂直転送部中で混合することなく独立に
順次垂直転送し、さらに水平転送を行う構成となってい
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、フレー
ムレート30枚の全画素読み出し方式の固体撮像装置で
は、525本の撮像信号が順次出力されるため、通常の
インターレース走査を行うモニタにそのまま供給すると
モニタ上の表示画像に歪みが生じることになる。したが
って、525本の撮像信号をインターレース走査方式の
モニタに供給する場合は、撮像信号を一旦メモリに入力
した後、インターレース走査に合うようにメモリ上で並
べ替えるなどの処理が必要であり、システム的に複雑に
なるという問題があった。
ムレート30枚の全画素読み出し方式の固体撮像装置で
は、525本の撮像信号が順次出力されるため、通常の
インターレース走査を行うモニタにそのまま供給すると
モニタ上の表示画像に歪みが生じることになる。したが
って、525本の撮像信号をインターレース走査方式の
モニタに供給する場合は、撮像信号を一旦メモリに入力
した後、インターレース走査に合うようにメモリ上で並
べ替えるなどの処理が必要であり、システム的に複雑に
なるという問題があった。
【0004】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、垂直解像度の高いス
チル画像を得ることができるとともに、インターレース
走査方式のモニタにメモリを介さずに画像を映し出すこ
とが可能な全画素読み出し方式の固体撮像装置を提供す
ることにある。
であり、その目的とするところは、垂直解像度の高いス
チル画像を得ることができるとともに、インターレース
走査方式のモニタにメモリを介さずに画像を映し出すこ
とが可能な全画素読み出し方式の固体撮像装置を提供す
ることにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明による固体撮像装
置は、行列状に配列されて光電変換を行う複数のセンサ
部と、この複数のセンサ部から読み出された信号電荷を
垂直転送する3層電極6相駆動の垂直転送部と、この垂
直転送部から移された信号電荷を水平転送する水平転送
部とを具備する固体撮像素子と、垂直転送部の駆動に際
し、複数のセンサ部から読み出された信号電荷を垂直転
送部中で混合することなく独立に垂直転送する全画素読
み出しモードと、複数のセンサ部から読み出された信号
電荷を垂直転送部中で隣り合う2画素分について混合し
て垂直転送する2画素混合読み出しモードとを選択的に
採り得る駆動系とを備えた構成となっている。
置は、行列状に配列されて光電変換を行う複数のセンサ
部と、この複数のセンサ部から読み出された信号電荷を
垂直転送する3層電極6相駆動の垂直転送部と、この垂
直転送部から移された信号電荷を水平転送する水平転送
部とを具備する固体撮像素子と、垂直転送部の駆動に際
し、複数のセンサ部から読み出された信号電荷を垂直転
送部中で混合することなく独立に垂直転送する全画素読
み出しモードと、複数のセンサ部から読み出された信号
電荷を垂直転送部中で隣り合う2画素分について混合し
て垂直転送する2画素混合読み出しモードとを選択的に
採り得る駆動系とを備えた構成となっている。
【0006】上記構成の固体撮像装置において、垂直転
送部が3層電極6相駆動構成であることから、6相のク
ロックを2相ずつ同一位相とすることで、実質的に3層
電極3相駆動にて全画素読み出しを実現できる。この全
画素読み出しモードでは、垂直解像度のスチル画像が得
られる。一方、6相のクロックタイミングに工夫を凝ら
すことで、3層電極6相駆動にて2画素混合読み出しを
実現できる。この2画素混合読み出しモードでは、イン
ターレース走査を行うモニタにメモリを介さずに画像を
映し出すことができる。
送部が3層電極6相駆動構成であることから、6相のク
ロックを2相ずつ同一位相とすることで、実質的に3層
電極3相駆動にて全画素読み出しを実現できる。この全
画素読み出しモードでは、垂直解像度のスチル画像が得
られる。一方、6相のクロックタイミングに工夫を凝ら
すことで、3層電極6相駆動にて2画素混合読み出しを
実現できる。この2画素混合読み出しモードでは、イン
ターレース走査を行うモニタにメモリを介さずに画像を
映し出すことができる。
【0007】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、本実施形態
では、インターライン転送(IT)方式のCCD固体撮
像素子に適用した場合を例に採って説明するものとす
る。
て図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、本実施形態
では、インターライン転送(IT)方式のCCD固体撮
像素子に適用した場合を例に採って説明するものとす
る。
【0008】図1は、本発明の一実施形態を示す概略構
成図である。図1において、行(垂直)方向および列
(水平)方向にマトリクス状に配列され、入射光をその
光量に応じた電荷量の信号電荷に変換して蓄積する複数
のセンサ部(画素)11と、これらセンサ部11の垂直
列ごとに設けられ、各センサ部11から読み出しゲート
部12によって読み出された信号電荷を垂直転送する複
数本の垂直CCD13とによって撮像エリア14が構成
されている。
成図である。図1において、行(垂直)方向および列
(水平)方向にマトリクス状に配列され、入射光をその
光量に応じた電荷量の信号電荷に変換して蓄積する複数
のセンサ部(画素)11と、これらセンサ部11の垂直
列ごとに設けられ、各センサ部11から読み出しゲート
部12によって読み出された信号電荷を垂直転送する複
数本の垂直CCD13とによって撮像エリア14が構成
されている。
【0009】この撮像エリア14において、センサ部1
1は例えばPN接合のフォトダイオードから構成されて
いる。そして、受光面上には、例えば図2に示す補色市
松配列の色フィルタが画素単位で配されている。センサ
部11に蓄積された信号電荷は、読み出しゲート部12
に後述する読み出しパルスXSGが印加されることによ
って垂直CCD13に読み出される。垂直CCD13
は、3層電極6相(φOV1〜φOV3,φEV1〜φ
EV3)駆動の構成となっており、各センサ部11から
読み出された信号電荷を水平ブランキング期間の一部に
て1走査線(1ライン)に相当する部分ずつ順に垂直方
向に転送する。
1は例えばPN接合のフォトダイオードから構成されて
いる。そして、受光面上には、例えば図2に示す補色市
松配列の色フィルタが画素単位で配されている。センサ
部11に蓄積された信号電荷は、読み出しゲート部12
に後述する読み出しパルスXSGが印加されることによ
って垂直CCD13に読み出される。垂直CCD13
は、3層電極6相(φOV1〜φOV3,φEV1〜φ
EV3)駆動の構成となっており、各センサ部11から
読み出された信号電荷を水平ブランキング期間の一部に
て1走査線(1ライン)に相当する部分ずつ順に垂直方
向に転送する。
【0010】ここで、垂直CCD13において、2相目
(φOV2)および5相目(φEV2)の各転送電極
は、読み出しゲート部12のゲート電極を兼ねている。
このことから、6相の垂直転送クロックφOV1〜φO
V3,φEV1〜φEV3のうちの、2相目,5相目の
垂直転送クロックφOV2,φEV2には、読み出しゲ
ート部12に印加される読み出しパルスXSGが重畳さ
れる。これにより、2相目,5相目の垂直転送クロック
φOV2,φEV2は3値をとり、その3値目のパルス
が読み出しパルスXSGとなる。
(φOV2)および5相目(φEV2)の各転送電極
は、読み出しゲート部12のゲート電極を兼ねている。
このことから、6相の垂直転送クロックφOV1〜φO
V3,φEV1〜φEV3のうちの、2相目,5相目の
垂直転送クロックφOV2,φEV2には、読み出しゲ
ート部12に印加される読み出しパルスXSGが重畳さ
れる。これにより、2相目,5相目の垂直転送クロック
φOV2,φEV2は3値をとり、その3値目のパルス
が読み出しパルスXSGとなる。
【0011】撮像エリア14の図面上の下側には、水平
CCD15が配されている。この水平CCD15には、
複数本の垂直CCD13から1ラインに相当する信号電
荷が順次転送される。水平CCD15は、例えば2相の
水平転送クロックφH1,φH2によって転送駆動さ
れ、複数本の垂直CCD13から移された1ライン分の
信号電荷を、水平ブランキング期間後の水平走査期間に
おいて順次水平方向に転送する。
CCD15が配されている。この水平CCD15には、
複数本の垂直CCD13から1ラインに相当する信号電
荷が順次転送される。水平CCD15は、例えば2相の
水平転送クロックφH1,φH2によって転送駆動さ
れ、複数本の垂直CCD13から移された1ライン分の
信号電荷を、水平ブランキング期間後の水平走査期間に
おいて順次水平方向に転送する。
【0012】水平CCD15の転送先の端部には、例え
ばフローティング・ディフュージョン・アンプ構成の電
荷電圧変換部16が設けられている。この電荷電圧変換
部16は、水平CCD15によって水平転送されてきた
信号電荷を順次電圧信号に変換して出力する。この電圧
信号は、被写体からの光の入射量に応じたCCD出力O
UTとして導出される。以上により、インターライン転
送方式のCCD固体撮像素子10が構成されている。
ばフローティング・ディフュージョン・アンプ構成の電
荷電圧変換部16が設けられている。この電荷電圧変換
部16は、水平CCD15によって水平転送されてきた
信号電荷を順次電圧信号に変換して出力する。この電圧
信号は、被写体からの光の入射量に応じたCCD出力O
UTとして導出される。以上により、インターライン転
送方式のCCD固体撮像素子10が構成されている。
【0013】このCCD固体撮像素子10を駆動するた
めの6相の垂直転送クロックφOV1〜φOV3,φE
V1〜φEV3および2相の水平転送クロックφH1,
φH2を含む各種のタイミング信号は、駆動系を構成す
るタイミングジェネレータ17において生成される。こ
のタイミングジェネレータ17は、外部から与えられる
モード信号に応じて全画素読み出しモードと、垂直方向
において隣り合う2画素の信号電荷を垂直CCD13中
で混合して読み出す2画素混合読み出しモードとを採
り、6相の垂直転送クロックφOV1〜φOV3,φE
V1〜φEV3については、各動作モードに応じてクロ
ックタイミングを切り替える構成となっている。
めの6相の垂直転送クロックφOV1〜φOV3,φE
V1〜φEV3および2相の水平転送クロックφH1,
φH2を含む各種のタイミング信号は、駆動系を構成す
るタイミングジェネレータ17において生成される。こ
のタイミングジェネレータ17は、外部から与えられる
モード信号に応じて全画素読み出しモードと、垂直方向
において隣り合う2画素の信号電荷を垂直CCD13中
で混合して読み出す2画素混合読み出しモードとを採
り、6相の垂直転送クロックφOV1〜φOV3,φE
V1〜φEV3については、各動作モードに応じてクロ
ックタイミングを切り替える構成となっている。
【0014】すなわち、全画素読み出しモードでは、図
3のタイミングチャートに示すように、1相目の垂直転
送クロックφOV1と4相目の垂直転送クロックφEV
1、2相目の垂直転送クロックφOV2と5相目の垂直
転送クロックφEV2、3相目の垂直転送クロックφO
V3と6相目の垂直転送クロックφEV3をそれぞれ同
一位相のクロックとして出力する。一方、2画素混合読
み出しモードでは、図4のタイミングチャートに示すよ
うに、1相目〜3相目の垂直転送クロックφOV1〜φ
OV3と4相目〜6相目の垂直転送クロックφEV1〜
φEV3とを異なる位相のクロックとして出力する。
3のタイミングチャートに示すように、1相目の垂直転
送クロックφOV1と4相目の垂直転送クロックφEV
1、2相目の垂直転送クロックφOV2と5相目の垂直
転送クロックφEV2、3相目の垂直転送クロックφO
V3と6相目の垂直転送クロックφEV3をそれぞれ同
一位相のクロックとして出力する。一方、2画素混合読
み出しモードでは、図4のタイミングチャートに示すよ
うに、1相目〜3相目の垂直転送クロックφOV1〜φ
OV3と4相目〜6相目の垂直転送クロックφEV1〜
φEV3とを異なる位相のクロックとして出力する。
【0015】図5は、単位画素の具体的な構成の一例を
示す平面パターン図であり、図6にそのX‐X′矢視断
面を示す。先ず、垂直CCD13は、N型基板21上に
P型ウェル22を介して形成されたN型不純物からなる
転送チャネル23と、この転送チャネル23の上方にそ
の転送方向に繰り返して配列された単位画素につき3相
の転送電極24-1〜24-3とから構成されている。
示す平面パターン図であり、図6にそのX‐X′矢視断
面を示す。先ず、垂直CCD13は、N型基板21上に
P型ウェル22を介して形成されたN型不純物からなる
転送チャネル23と、この転送チャネル23の上方にそ
の転送方向に繰り返して配列された単位画素につき3相
の転送電極24-1〜24-3とから構成されている。
【0016】これらの転送電極24-1〜24-3におい
て、1相目(4相目)の転送電極24-1は1層目のポリ
シリコン(図中、一点鎖線で示す)によって形成され、
2相目(5相目)の転送電極24-2は2層目のポリシリ
コン(図中、二点鎖線で示す)によって形成され、3相
目(6相目)の転送電極24-3は3層目のポリシリコン
(図中、破線で示す)によって形成されている。
て、1相目(4相目)の転送電極24-1は1層目のポリ
シリコン(図中、一点鎖線で示す)によって形成され、
2相目(5相目)の転送電極24-2は2層目のポリシリ
コン(図中、二点鎖線で示す)によって形成され、3相
目(6相目)の転送電極24-3は3層目のポリシリコン
(図中、破線で示す)によって形成されている。
【0017】そして、図2に示すように、垂直転送クロ
ックφEV1,φEV2,φEV3を伝送するバスライ
ン25,26,27には、転送電極24-1,24-3,2
4-2が1ラインおきに接続され、垂直転送クロックφO
V1,φOV2,φOV3を伝送するバスライン28,
29,30には、バスライン25,26,27に接続さ
れていない転送電極24-1,24-3,24-2が同様に1
ラインおきに接続されている。
ックφEV1,φEV2,φEV3を伝送するバスライ
ン25,26,27には、転送電極24-1,24-3,2
4-2が1ラインおきに接続され、垂直転送クロックφO
V1,φOV2,φOV3を伝送するバスライン28,
29,30には、バスライン25,26,27に接続さ
れていない転送電極24-1,24-3,24-2が同様に1
ラインおきに接続されている。
【0018】次に、上記構成の補色市松配列のIT型全
画素読み出し方式のCCD固体撮像素子10のモード別
の信号電荷の読み出しおよび垂直転送の動作について説
明する。
画素読み出し方式のCCD固体撮像素子10のモード別
の信号電荷の読み出しおよび垂直転送の動作について説
明する。
【0019】先ず、全画素読み出しモードでの信号電荷
の読み出しおよび垂直転送の動作について、図3のタイ
ミングチャートに基づいて図7の模式図を参照しつつ説
明する。Aフィールドにおいて、時点t11で読み出し
パルスXSGが発生すると、この読み出しパルスXSG
が高レベル(以下、“H”レベルと称する)の2相目,
5相目の垂直転送クロックφOV2,φEV2に重畳さ
れて各行の読み出しゲート部12に印加される。これに
より、全てのセンサ部11から信号電荷が垂直CCD1
3に読み出される。
の読み出しおよび垂直転送の動作について、図3のタイ
ミングチャートに基づいて図7の模式図を参照しつつ説
明する。Aフィールドにおいて、時点t11で読み出し
パルスXSGが発生すると、この読み出しパルスXSG
が高レベル(以下、“H”レベルと称する)の2相目,
5相目の垂直転送クロックφOV2,φEV2に重畳さ
れて各行の読み出しゲート部12に印加される。これに
より、全てのセンサ部11から信号電荷が垂直CCD1
3に読み出される。
【0020】このとき、2相目,5相目の垂直転送クロ
ックφOV2,φEV2と共に、3相目,6相目の垂直
転送クロックφOV3,φEV3も“H”レベルにある
ことから、各行の転送電極24-3,24-2の下のポテン
シャルが深い状態にある。したがって、全画素から読み
出された信号電荷は、各ラインの転送電極24-3,24
-2の下に蓄積される。
ックφOV2,φEV2と共に、3相目,6相目の垂直
転送クロックφOV3,φEV3も“H”レベルにある
ことから、各行の転送電極24-3,24-2の下のポテン
シャルが深い状態にある。したがって、全画素から読み
出された信号電荷は、各ラインの転送電極24-3,24
-2の下に蓄積される。
【0021】次に、3相目,6相目の垂直転送クロック
φOV3,φEV3が低レベル(以下、“L”レベルと
称する)に遷移した後、時点t12でそれまで“L”レ
ベルにあった1相目,4相目の垂直転送クロックφOV
1,φEV1が“H”レベルに遷移すると、3相目,6
相目の垂直転送クロックφOV3,φEV3が印加され
る転送電極24-3の下のポテンシャルが浅くなった後、
1相目,4相目の垂直転送クロックφOV1,φEV1
が印加される転送電極24-1の下のポテンシャルが深く
なるため、転送電極24-3,24-2の下の信号電荷は転
送電極24-2,24-1の下に移動する。
φOV3,φEV3が低レベル(以下、“L”レベルと
称する)に遷移した後、時点t12でそれまで“L”レ
ベルにあった1相目,4相目の垂直転送クロックφOV
1,φEV1が“H”レベルに遷移すると、3相目,6
相目の垂直転送クロックφOV3,φEV3が印加され
る転送電極24-3の下のポテンシャルが浅くなった後、
1相目,4相目の垂直転送クロックφOV1,φEV1
が印加される転送電極24-1の下のポテンシャルが深く
なるため、転送電極24-3,24-2の下の信号電荷は転
送電極24-2,24-1の下に移動する。
【0022】次に、2相目,5相目の垂直転送クロック
φOV2,φEV2が“L”レベルに遷移した後、時点
t13で3相目,6相目の垂直転送クロックφOV3,
φEV3が“H”レベルに遷移すると、2相目,5相目
の垂直転送クロックφOV2,φEV2が印加される転
送電極24-2の下のポテンシャルが浅くなった後、3相
目,6相目の垂直転送クロックφOV3,φEV3が印
加される転送電極24-3の下のポテンシャルが深くなる
ため、転送電極24-2,24-1の下の信号電荷は転送電
極24-1,24-3の下に移動する。
φOV2,φEV2が“L”レベルに遷移した後、時点
t13で3相目,6相目の垂直転送クロックφOV3,
φEV3が“H”レベルに遷移すると、2相目,5相目
の垂直転送クロックφOV2,φEV2が印加される転
送電極24-2の下のポテンシャルが浅くなった後、3相
目,6相目の垂直転送クロックφOV3,φEV3が印
加される転送電極24-3の下のポテンシャルが深くなる
ため、転送電極24-2,24-1の下の信号電荷は転送電
極24-1,24-3の下に移動する。
【0023】次に、1相目,4相目の垂直転送クロック
φOV1,φEV1が“L”レベルに遷移した後、時点
t14で2相目,5相目の垂直転送クロックφOV2,
φEV2が“H”レベルに遷移すると、1相目,4相目
の垂直転送クロックφOV1,φEV1が印加される転
送電極24-1の下のポテンシャルが浅くなった後、2相
目,5相目の垂直転送クロックφOV2,φEV2が印
加される転送電極24-2の下のポテンシャルが深くなる
ため、転送電極24-1,24-3の下の信号電荷は転送電
極24-3,24-2の下に移動する。
φOV1,φEV1が“L”レベルに遷移した後、時点
t14で2相目,5相目の垂直転送クロックφOV2,
φEV2が“H”レベルに遷移すると、1相目,4相目
の垂直転送クロックφOV1,φEV1が印加される転
送電極24-1の下のポテンシャルが浅くなった後、2相
目,5相目の垂直転送クロックφOV2,φEV2が印
加される転送電極24-2の下のポテンシャルが深くなる
ため、転送電極24-1,24-3の下の信号電荷は転送電
極24-3,24-2の下に移動する。
【0024】以上の一連の動作により、同一時刻に全画
素から読み出された信号電荷が、1ライン(1行)分だ
けシフトされたことになる。そして、このラインシフト
により、信号電荷は1ライン分ずつ水平CCD15に転
送される。Bフィールドの場合にも、Aフィールドの場
合と全く同様の動作により、全画素の信号電荷が独立に
読み出されることになる。
素から読み出された信号電荷が、1ライン(1行)分だ
けシフトされたことになる。そして、このラインシフト
により、信号電荷は1ライン分ずつ水平CCD15に転
送される。Bフィールドの場合にも、Aフィールドの場
合と全く同様の動作により、全画素の信号電荷が独立に
読み出されることになる。
【0025】上述したように、1チャネル出力の全画素
読み出し方式CCD固体撮像装置10において、垂直C
CD13の駆動に6相(φOV1〜φOV3,φEV1
〜φEV3)駆動方式を採用した場合であっても、1相
目の垂直転送クロックφOV1と4相目の垂直転送クロ
ックφEV1、2相目の垂直転送クロックφOV2と5
相目の垂直転送クロックφEV2、3相目の垂直転送ク
ロックφOV3と6相目の垂直転送クロックφEV3を
同一位相のクロックとしたことで、全画素から読み出し
た信号電荷を垂直CCD13中で混合することなく、実
質的に3相駆動にて垂直転送することができる。これに
より、30フレーム/秒で全画素の信号電荷を独立に読
み出すことが可能となる。
読み出し方式CCD固体撮像装置10において、垂直C
CD13の駆動に6相(φOV1〜φOV3,φEV1
〜φEV3)駆動方式を採用した場合であっても、1相
目の垂直転送クロックφOV1と4相目の垂直転送クロ
ックφEV1、2相目の垂直転送クロックφOV2と5
相目の垂直転送クロックφEV2、3相目の垂直転送ク
ロックφOV3と6相目の垂直転送クロックφEV3を
同一位相のクロックとしたことで、全画素から読み出し
た信号電荷を垂直CCD13中で混合することなく、実
質的に3相駆動にて垂直転送することができる。これに
より、30フレーム/秒で全画素の信号電荷を独立に読
み出すことが可能となる。
【0026】続いて、2画素混合読み出しモードでの信
号電荷の読み出しおよび垂直転送の動作について、図4
のタイミングチャートに基づいて図8および図9の模式
図を参照しつつ説明する。
号電荷の読み出しおよび垂直転送の動作について、図4
のタイミングチャートに基づいて図8および図9の模式
図を参照しつつ説明する。
【0027】先ず、Aフィールドについて図8の模式図
を参照して説明するに、時点t31で読み出しパルスX
SGが発生すると、この読み出しパルスXSGが“H”
レベルの2相目,5相目の垂直転送クロックφOV2,
φEV2に重畳されて各行の読み出しゲート部12に印
加される。これにより、全てのセンサ部11から信号電
荷が垂直CCD13に読み出される。
を参照して説明するに、時点t31で読み出しパルスX
SGが発生すると、この読み出しパルスXSGが“H”
レベルの2相目,5相目の垂直転送クロックφOV2,
φEV2に重畳されて各行の読み出しゲート部12に印
加される。これにより、全てのセンサ部11から信号電
荷が垂直CCD13に読み出される。
【0028】このとき、2相目,5相目の垂直転送クロ
ックφOV2,φEV2と共に、3相目,6相目の垂直
転送クロックφOV3,φEV3も“H”レベルにある
ことから、各行の転送電極24-3,24-2の下のポテン
シャルが深い状態にある。したがって、全画素から読み
出された信号電荷は、各ラインの転送電極24-3,24
-2の下に蓄積される。
ックφOV2,φEV2と共に、3相目,6相目の垂直
転送クロックφOV3,φEV3も“H”レベルにある
ことから、各行の転送電極24-3,24-2の下のポテン
シャルが深い状態にある。したがって、全画素から読み
出された信号電荷は、各ラインの転送電極24-3,24
-2の下に蓄積される。
【0029】次に、時点32でそれまで“L”レベルに
あった1相目の垂直転送クロックφOV1が“H”レベ
ルに遷移すると、この1相目の垂直転送クロックφOV
1が印加される転送電極24-1の下のポテンシャルが深
くなる。これにより、当該転送電極24-1を挟む前後の
転送電極24-3,24-2の下に蓄積されていた垂直方向
で隣り合う2画素(以下、垂直2画素と称する)分の信
号電荷が混合され、垂直2画素分の転送電極24-3,2
4-2,24-1,24-3,24-2の下に蓄積されることに
なる。
あった1相目の垂直転送クロックφOV1が“H”レベ
ルに遷移すると、この1相目の垂直転送クロックφOV
1が印加される転送電極24-1の下のポテンシャルが深
くなる。これにより、当該転送電極24-1を挟む前後の
転送電極24-3,24-2の下に蓄積されていた垂直方向
で隣り合う2画素(以下、垂直2画素と称する)分の信
号電荷が混合され、垂直2画素分の転送電極24-3,2
4-2,24-1,24-3,24-2の下に蓄積されることに
なる。
【0030】次に、6相目の垂直転送クロックφEV3
が“L”レベルに遷移した後、時点t33でそれまで
“L”レベルにあった4相目の垂直転送クロックφEV
1が“H”レベルに遷移すると、6相目の垂直転送クロ
ックφEV3が印加される転送電極24-3の下のポテン
シャルが浅くなった後、4相目の垂直転送クロックφE
V1が印加される転送電極24-1の下のポテンシャルが
深くなるため、転送電極24-3,24-2,24-1,24
-3,24-2の下の2画素分の信号電荷は、転送電極24
-2,24-1,24-3,24-2,24-1の下に移動する。
が“L”レベルに遷移した後、時点t33でそれまで
“L”レベルにあった4相目の垂直転送クロックφEV
1が“H”レベルに遷移すると、6相目の垂直転送クロ
ックφEV3が印加される転送電極24-3の下のポテン
シャルが浅くなった後、4相目の垂直転送クロックφE
V1が印加される転送電極24-1の下のポテンシャルが
深くなるため、転送電極24-3,24-2,24-1,24
-3,24-2の下の2画素分の信号電荷は、転送電極24
-2,24-1,24-3,24-2,24-1の下に移動する。
【0031】次に、5相目の垂直転送クロックφEV2
が“L”レベルに遷移した後、時点t34で6相目の垂
直転送クロックφEV3が“H”レベルに遷移すると、
5相目の垂直転送クロックφEV2が印加される転送電
極24-2の下のポテンシャルが浅くなった後、6相目の
垂直転送クロックφEV3が印加される転送電極24-3
の下のポテンシャルが深くなるため、転送電極24-2,
24-1,24-3,24-2,24-1の下の2画素分の信号
電荷は、転送電極24-1,24-3,24-2,24-1,2
4-3の下に移動する。
が“L”レベルに遷移した後、時点t34で6相目の垂
直転送クロックφEV3が“H”レベルに遷移すると、
5相目の垂直転送クロックφEV2が印加される転送電
極24-2の下のポテンシャルが浅くなった後、6相目の
垂直転送クロックφEV3が印加される転送電極24-3
の下のポテンシャルが深くなるため、転送電極24-2,
24-1,24-3,24-2,24-1の下の2画素分の信号
電荷は、転送電極24-1,24-3,24-2,24-1,2
4-3の下に移動する。
【0032】次に、1相目の垂直転送クロックφOV1
が“L”レベルに遷移した後、時点t35で5相目の垂
直転送クロックφEV2が“H”レベルに遷移すると、
1相目の垂直転送クロックφOV1が印加される転送電
極24-1の下のポテンシャルが浅くなった後、5相目の
垂直転送クロックφEV2が印加される転送電極24-2
の下のポテンシャルが深くなるため、転送電極24-1,
24-3,24-2,24-1,24-3の下の2画素分の信号
電荷は、転送電極24-3,24-2,24-1,24-3,2
4-2の下に移動する。
が“L”レベルに遷移した後、時点t35で5相目の垂
直転送クロックφEV2が“H”レベルに遷移すると、
1相目の垂直転送クロックφOV1が印加される転送電
極24-1の下のポテンシャルが浅くなった後、5相目の
垂直転送クロックφEV2が印加される転送電極24-2
の下のポテンシャルが深くなるため、転送電極24-1,
24-3,24-2,24-1,24-3の下の2画素分の信号
電荷は、転送電極24-3,24-2,24-1,24-3,2
4-2の下に移動する。
【0033】次に、3相目の垂直転送クロックφOV3
が“L”レベルに遷移した後、時点t36で1相目の垂
直転送クロックφOV1が“H”レベルに遷移すると、
3相目の垂直転送クロックφOV3が印加される転送電
極24-3の下のポテンシャルが浅くなった後、1相目の
垂直転送クロックφOV1が印加される転送電極24-1
の下のポテンシャルが深くなるため、転送電極24-3,
24-2,24-1,24-3,24-2の下の2画素分の信号
電荷は、転送電極24-2,24-1,24-3,24-2,2
4-1の下に移動する。
が“L”レベルに遷移した後、時点t36で1相目の垂
直転送クロックφOV1が“H”レベルに遷移すると、
3相目の垂直転送クロックφOV3が印加される転送電
極24-3の下のポテンシャルが浅くなった後、1相目の
垂直転送クロックφOV1が印加される転送電極24-1
の下のポテンシャルが深くなるため、転送電極24-3,
24-2,24-1,24-3,24-2の下の2画素分の信号
電荷は、転送電極24-2,24-1,24-3,24-2,2
4-1の下に移動する。
【0034】次に、2相目の垂直転送クロックφOV2
が“L”レベルに遷移した後、時点t37で3相目の垂
直転送クロックφOV3が“H”レベルに遷移すると、
2相目の垂直転送クロックφOV2が印加される転送電
極24-2の下のポテンシャルが浅くなった後、3相目の
垂直転送クロックφOV3が印加される転送電極24-3
の下のポテンシャルが深くなるため、転送電極24-2,
24-1,24-3,24-2,24-1の下の2画素分の信号
電荷は、転送電極24-1,24-3,24-2,24-1,2
4-3の下に移動する。
が“L”レベルに遷移した後、時点t37で3相目の垂
直転送クロックφOV3が“H”レベルに遷移すると、
2相目の垂直転送クロックφOV2が印加される転送電
極24-2の下のポテンシャルが浅くなった後、3相目の
垂直転送クロックφOV3が印加される転送電極24-3
の下のポテンシャルが深くなるため、転送電極24-2,
24-1,24-3,24-2,24-1の下の2画素分の信号
電荷は、転送電極24-1,24-3,24-2,24-1,2
4-3の下に移動する。
【0035】次に、4相目の垂直転送クロックφEV1
が“L”レベルに遷移した後、時点t38で2相目の垂
直転送クロックφOV2が“H”レベルに遷移すると、
4相目の垂直転送クロックφEV1が印加される転送電
極24-1の下のポテンシャルが浅くなった後、2相目の
垂直転送クロックφOV2が印加される転送電極24-2
の下のポテンシャルが深くなるため、転送電極24-1,
24-3,24-2,24-1,24-3の下の2画素分の信号
電荷は、転送電極24-3,24-2,24-1,24-3,2
4-2の下に移動する。
が“L”レベルに遷移した後、時点t38で2相目の垂
直転送クロックφOV2が“H”レベルに遷移すると、
4相目の垂直転送クロックφEV1が印加される転送電
極24-1の下のポテンシャルが浅くなった後、2相目の
垂直転送クロックφOV2が印加される転送電極24-2
の下のポテンシャルが深くなるため、転送電極24-1,
24-3,24-2,24-1,24-3の下の2画素分の信号
電荷は、転送電極24-3,24-2,24-1,24-3,2
4-2の下に移動する。
【0036】以上の一連の動作により、同一時刻に全画
素から読み出された信号電荷が垂直CCD13中で2画
素混合された後、1ライン分だけシフトされたことにな
る。なお、2画素混合読み出しの場合には、1ラインは
2行分に相当する。そして、このラインシフトにより、
2画素分の信号電荷は1ラインずつ水平CCD15に転
送される。
素から読み出された信号電荷が垂直CCD13中で2画
素混合された後、1ライン分だけシフトされたことにな
る。なお、2画素混合読み出しの場合には、1ラインは
2行分に相当する。そして、このラインシフトにより、
2画素分の信号電荷は1ラインずつ水平CCD15に転
送される。
【0037】続いて、Bフィールドについて図9の模式
図を参照して説明するに、時点t41で読み出しパルス
XSGが発生すると、この読み出しパルスXSGが
“H”レベルの2相目,5相目の垂直転送クロックφO
V2,φEV2に重畳されて各行の読み出しゲート部1
2に印加される。これにより、全てのセンサ部11から
信号電荷が垂直CCD13に読み出される。
図を参照して説明するに、時点t41で読み出しパルス
XSGが発生すると、この読み出しパルスXSGが
“H”レベルの2相目,5相目の垂直転送クロックφO
V2,φEV2に重畳されて各行の読み出しゲート部1
2に印加される。これにより、全てのセンサ部11から
信号電荷が垂直CCD13に読み出される。
【0038】このとき、2相目,5相目の垂直転送クロ
ックφOV2,φEV2と共に、3相目,6相目の垂直
転送クロックφOV3,φEV3も“H”レベルにある
ことから、各行の転送電極24-3,24-2の下のポテン
シャルが深い状態にある。したがって、全画素から読み
出された信号電荷は、各ラインの転送電極24-3,24
-2の下に蓄積される。
ックφOV2,φEV2と共に、3相目,6相目の垂直
転送クロックφOV3,φEV3も“H”レベルにある
ことから、各行の転送電極24-3,24-2の下のポテン
シャルが深い状態にある。したがって、全画素から読み
出された信号電荷は、各ラインの転送電極24-3,24
-2の下に蓄積される。
【0039】次に、時点42でそれまで“L”レベルに
あった4相目の垂直転送クロックφEV1が“H”レベ
ルに遷移すると、この4相目の垂直転送クロックφEV
1が印加される転送電極24-1の下のポテンシャルが深
くなる。これにより、当該転送電極24-1を挟む前後の
転送電極24-3,24-2の下に蓄積されていた垂直2画
素の信号電荷が混合され、垂直2画素分の転送電極24
-3,24-2,24-1,24-3,24-2の下に蓄積される
ことになる。このときの垂直2画素は、Aフィールドの
場合と組み合わせが異なる。
あった4相目の垂直転送クロックφEV1が“H”レベ
ルに遷移すると、この4相目の垂直転送クロックφEV
1が印加される転送電極24-1の下のポテンシャルが深
くなる。これにより、当該転送電極24-1を挟む前後の
転送電極24-3,24-2の下に蓄積されていた垂直2画
素の信号電荷が混合され、垂直2画素分の転送電極24
-3,24-2,24-1,24-3,24-2の下に蓄積される
ことになる。このときの垂直2画素は、Aフィールドの
場合と組み合わせが異なる。
【0040】次に、3相目の垂直転送クロックφOV3
が“L”レベルに遷移した後、時点t43でそれまで
“L”レベルにあった1相目の垂直転送クロックφOV
1が“H”レベルに遷移すると、3相目の垂直転送クロ
ックφOV3が印加される転送電極24-3の下のポテン
シャルが浅くなった後、1相目の垂直転送クロックφO
V1が印加される転送電極24-1の下のポテンシャルが
深くなるため、転送電極24-3,24-2,24-1,24
-3,24-2の下の2画素分の信号電荷は、転送電極24
-2,24-1,24-3,24-2,24-1の下に移動する。
が“L”レベルに遷移した後、時点t43でそれまで
“L”レベルにあった1相目の垂直転送クロックφOV
1が“H”レベルに遷移すると、3相目の垂直転送クロ
ックφOV3が印加される転送電極24-3の下のポテン
シャルが浅くなった後、1相目の垂直転送クロックφO
V1が印加される転送電極24-1の下のポテンシャルが
深くなるため、転送電極24-3,24-2,24-1,24
-3,24-2の下の2画素分の信号電荷は、転送電極24
-2,24-1,24-3,24-2,24-1の下に移動する。
【0041】次に、2相目の垂直転送クロックφOV2
が“L”レベルに遷移した後、時点t44で3相目の垂
直転送クロックφOV3が“H”レベルに遷移すると、
2相目の垂直転送クロックφOV2が印加される転送電
極24-2の下のポテンシャルが浅くなった後、3相目の
垂直転送クロックφOV3が印加される転送電極24-3
の下のポテンシャルが深くなるため、転送電極24-2,
24-1,24-3,24-2,24-1の下の2画素分の信号
電荷は、転送電極24-1,24-3,24-2,24-1,2
4-3の下に移動する。
が“L”レベルに遷移した後、時点t44で3相目の垂
直転送クロックφOV3が“H”レベルに遷移すると、
2相目の垂直転送クロックφOV2が印加される転送電
極24-2の下のポテンシャルが浅くなった後、3相目の
垂直転送クロックφOV3が印加される転送電極24-3
の下のポテンシャルが深くなるため、転送電極24-2,
24-1,24-3,24-2,24-1の下の2画素分の信号
電荷は、転送電極24-1,24-3,24-2,24-1,2
4-3の下に移動する。
【0042】次に、4相目の垂直転送クロックφEV1
が“L”レベルに遷移した後、時点t45で2相目の垂
直転送クロックφOV2が“H”レベルに遷移すると、
4相目の垂直転送クロックφEV1が印加される転送電
極24-1の下のポテンシャルが浅くなった後、2相目の
垂直転送クロックφOV2が印加される転送電極24-2
の下のポテンシャルが深くなるため、転送電極24-1,
24-3,24-2,24-1,24-3の下の2画素分の信号
電荷は、転送電極24-3,24-2,24-1,24-3,2
4-2の下に移動する。
が“L”レベルに遷移した後、時点t45で2相目の垂
直転送クロックφOV2が“H”レベルに遷移すると、
4相目の垂直転送クロックφEV1が印加される転送電
極24-1の下のポテンシャルが浅くなった後、2相目の
垂直転送クロックφOV2が印加される転送電極24-2
の下のポテンシャルが深くなるため、転送電極24-1,
24-3,24-2,24-1,24-3の下の2画素分の信号
電荷は、転送電極24-3,24-2,24-1,24-3,2
4-2の下に移動する。
【0043】次に、6相目の垂直転送クロックφEV3
が“L”レベルに遷移した後、時点t46で4相目の垂
直転送クロックφEV1が“H”レベルに遷移すると、
6相目の垂直転送クロックφEV3が印加される転送電
極24-3の下のポテンシャルが浅くなった後、4相目の
垂直転送クロックφEV1が印加される転送電極24-1
の下のポテンシャルが深くなるため、転送電極24-3,
24-2,24-1,24-3,24-2の下の2画素分の信号
電荷は、転送電極24-2,24-1,24-3,24-2,2
4-1の下に移動する。
が“L”レベルに遷移した後、時点t46で4相目の垂
直転送クロックφEV1が“H”レベルに遷移すると、
6相目の垂直転送クロックφEV3が印加される転送電
極24-3の下のポテンシャルが浅くなった後、4相目の
垂直転送クロックφEV1が印加される転送電極24-1
の下のポテンシャルが深くなるため、転送電極24-3,
24-2,24-1,24-3,24-2の下の2画素分の信号
電荷は、転送電極24-2,24-1,24-3,24-2,2
4-1の下に移動する。
【0044】次に、5相目の垂直転送クロックφEV2
が“L”レベルに遷移した後、時点t47で6相目の垂
直転送クロックφEV3が“H”レベルに遷移すると、
5相目の垂直転送クロックφEV2が印加される転送電
極24-2の下のポテンシャルが浅くなった後、6相目の
垂直転送クロックφEV3が印加される転送電極24-3
の下のポテンシャルが深くなるため、転送電極24-2,
24-1,24-3,24-2,24-1の下の2画素分の信号
電荷は、転送電極24-1,24-3,24-2,24-1,2
4-3の下に移動する。
が“L”レベルに遷移した後、時点t47で6相目の垂
直転送クロックφEV3が“H”レベルに遷移すると、
5相目の垂直転送クロックφEV2が印加される転送電
極24-2の下のポテンシャルが浅くなった後、6相目の
垂直転送クロックφEV3が印加される転送電極24-3
の下のポテンシャルが深くなるため、転送電極24-2,
24-1,24-3,24-2,24-1の下の2画素分の信号
電荷は、転送電極24-1,24-3,24-2,24-1,2
4-3の下に移動する。
【0045】次に、1相目の垂直転送クロックφOV1
が“L”レベルに遷移した後、時点t48で5相目の垂
直転送クロックφEV2が“H”レベルに遷移すると、
1相目の垂直転送クロックφOV1が印加される転送電
極24-1の下のポテンシャルが浅くなった後、5相目の
垂直転送クロックφEV2が印加される転送電極24-2
の下のポテンシャルが深くなるため、転送電極24-1,
24-3,24-2,24-1,24-3の下の2画素分の信号
電荷は、転送電極24-3,24-2,24-1,24-3,2
4-2の下に移動する。
が“L”レベルに遷移した後、時点t48で5相目の垂
直転送クロックφEV2が“H”レベルに遷移すると、
1相目の垂直転送クロックφOV1が印加される転送電
極24-1の下のポテンシャルが浅くなった後、5相目の
垂直転送クロックφEV2が印加される転送電極24-2
の下のポテンシャルが深くなるため、転送電極24-1,
24-3,24-2,24-1,24-3の下の2画素分の信号
電荷は、転送電極24-3,24-2,24-1,24-3,2
4-2の下に移動する。
【0046】以上の一連の動作により、同一時刻に全画
素から読み出された信号電荷が垂直CCD13中でAフ
ィールドと異なる組み合わせにて2画素混合された後、
1ライン分だけシフトされたことになる。そして、この
ラインシフトにより、2画素分の信号電荷は1ラインず
つ水平CCD15に転送される。
素から読み出された信号電荷が垂直CCD13中でAフ
ィールドと異なる組み合わせにて2画素混合された後、
1ライン分だけシフトされたことになる。そして、この
ラインシフトにより、2画素分の信号電荷は1ラインず
つ水平CCD15に転送される。
【0047】上述したように、1チャネル出力の全画素
読み出し方式CCD固体撮像装置10において、垂直C
CD13の駆動に6相(φOV1〜φOV3,φEV1
〜φEV3)駆動方式を採用したことにより、全画素か
ら読み出した信号電荷を垂直CCD13中で、Aフィー
ルドとBフィールドとで異なる組み合わせにて2画素混
合して読み出すことができる。
読み出し方式CCD固体撮像装置10において、垂直C
CD13の駆動に6相(φOV1〜φOV3,φEV1
〜φEV3)駆動方式を採用したことにより、全画素か
ら読み出した信号電荷を垂直CCD13中で、Aフィー
ルドとBフィールドとで異なる組み合わせにて2画素混
合して読み出すことができる。
【0048】すなわち、図4(A)に示すAフィールド
の場合のクロックタイミングにて読み出しおよび垂直転
送を行うと、例えば図10に示す画素配列において、1
行目と2行目,3行目と4行目,5行目と6行目,……
の組み合わせの垂直2画素の信号電荷が混合されて読み
出され、図11中のA1,A2,A3,……の走査線で
出力される。
の場合のクロックタイミングにて読み出しおよび垂直転
送を行うと、例えば図10に示す画素配列において、1
行目と2行目,3行目と4行目,5行目と6行目,……
の組み合わせの垂直2画素の信号電荷が混合されて読み
出され、図11中のA1,A2,A3,……の走査線で
出力される。
【0049】また、図4(B)に示すBフィールドの場
合のクロックタイミングにて読み出しおよび垂直転送を
行うと、2行目と3行目,4行目と5行目,……の組み
合わせの垂直2画素の信号電荷が混合されて読み出さ
れ、図11中のB1,B2,……の走査線で出力され
る。
合のクロックタイミングにて読み出しおよび垂直転送を
行うと、2行目と3行目,4行目と5行目,……の組み
合わせの垂直2画素の信号電荷が混合されて読み出さ
れ、図11中のB1,B2,……の走査線で出力され
る。
【0050】図12は、2画素混合読み出し時のタイミ
ングチャートである。なお、図12中、FLDはフィー
ルド判別信号を、VDは垂直同期パルスを、HDは水平
同期パルスを、XSGは読み出しパルスを、OUTはC
CD出力信号をそれぞれ示している。このタイミングチ
ャートでは、AフィールドとBフィールドとでそれぞれ
どのように各画素の信号電荷が混合され出力されるかを
示している。
ングチャートである。なお、図12中、FLDはフィー
ルド判別信号を、VDは垂直同期パルスを、HDは水平
同期パルスを、XSGは読み出しパルスを、OUTはC
CD出力信号をそれぞれ示している。このタイミングチ
ャートでは、AフィールドとBフィールドとでそれぞれ
どのように各画素の信号電荷が混合され出力されるかを
示している。
【0051】なお、上記実施形態においては、図2に示
す補色市松配列のカラーコーティングの色フィルタを用
いたカラーCCD固体撮像素子10に適用したが、この
場合には、CCD固体撮像素子10から出力される撮像
信号に対して通常使われている補色系の信号処理を施す
ことにより、簡単にモニタに出力することができる。補
色系の信号処理については、本発明の要旨ではないの
で、ここではその説明を省略する。また、色フィルタを
用いない白黒CCD固体撮像素子の場合には、CCD固
体撮像素子から出力される撮像信号をサンプリングする
だけで直接モニタに出力するが可能となる。
す補色市松配列のカラーコーティングの色フィルタを用
いたカラーCCD固体撮像素子10に適用したが、この
場合には、CCD固体撮像素子10から出力される撮像
信号に対して通常使われている補色系の信号処理を施す
ことにより、簡単にモニタに出力することができる。補
色系の信号処理については、本発明の要旨ではないの
で、ここではその説明を省略する。また、色フィルタを
用いない白黒CCD固体撮像素子の場合には、CCD固
体撮像素子から出力される撮像信号をサンプリングする
だけで直接モニタに出力するが可能となる。
【0052】また、上記実施形態では、インターライン
転送(IT)方式のCCD固体撮像素子10に適用した
場合を例に採って説明したが、図13に示すフレームイ
ンターライン転送(FIT)方式のCCD固体撮像素子
50にも同様に適用することが可能である。
転送(IT)方式のCCD固体撮像素子10に適用した
場合を例に採って説明したが、図13に示すフレームイ
ンターライン転送(FIT)方式のCCD固体撮像素子
50にも同様に適用することが可能である。
【0053】図13において、イメージ部51は、マト
リクス状に2次元配列されて入射光を光電変換し、その
光量に応じた電荷量の信号電荷を蓄積する複数のセンサ
部52と、これらセンサ部52の垂直列ごとに設けら
れ、各センサ部52から読み出された信号電荷を垂直転
送する複数本の垂直CCD53とによって構成されてい
る。このイメージ部51において、垂直CCD53は3
層電極構造を採り、6相の垂直転送クロックφVI1〜
φVI6によって転送駆動される。
リクス状に2次元配列されて入射光を光電変換し、その
光量に応じた電荷量の信号電荷を蓄積する複数のセンサ
部52と、これらセンサ部52の垂直列ごとに設けら
れ、各センサ部52から読み出された信号電荷を垂直転
送する複数本の垂直CCD53とによって構成されてい
る。このイメージ部51において、垂直CCD53は3
層電極構造を採り、6相の垂直転送クロックφVI1〜
φVI6によって転送駆動される。
【0054】一方、ストレージ部54は、イメージ部5
1の垂直CCD53に各列ごとに連続した複数本の垂直
CCD55によって構成されている。なお、ストレージ
部54は、その全面が例えばアルミニウムの遮光層(図
示せず)によって覆われている。このストレージ部54
において、垂直CCD55は、垂直CCD53と同様に
3層電極構造を採り、6相の垂直転送クロックφVS1
〜φVS6によって転送駆動される。
1の垂直CCD53に各列ごとに連続した複数本の垂直
CCD55によって構成されている。なお、ストレージ
部54は、その全面が例えばアルミニウムの遮光層(図
示せず)によって覆われている。このストレージ部54
において、垂直CCD55は、垂直CCD53と同様に
3層電極構造を採り、6相の垂直転送クロックφVS1
〜φVS6によって転送駆動される。
【0055】イメージ部51の各センサ部52で光電変
換された信号電荷は、垂直CCD53に読み出されかつ
当該垂直CCD53によってストレージ部54に高速転
送される。ストレージ部54に高速転送された信号電荷
は、水平ブランキング期間の一部において、垂直CCD
55によって1ラインに相当する部分ずつ順にシフトさ
れ、水平CCD56に転送される。
換された信号電荷は、垂直CCD53に読み出されかつ
当該垂直CCD53によってストレージ部54に高速転
送される。ストレージ部54に高速転送された信号電荷
は、水平ブランキング期間の一部において、垂直CCD
55によって1ラインに相当する部分ずつ順にシフトさ
れ、水平CCD56に転送される。
【0056】水平CCD56は、例えば2相の水平転送
クロックφH1,φH2によって転送駆動される。水平
CCD56の転送先の端部には、例えばフローティング
・ディフュージョン・アンプ構成の電荷電圧変換部57
が設けられている。この電荷電圧変換部57は、水平C
CD56によって水平転送されてきた信号電荷を順次電
圧信号に変換して出力する。この電圧信号は、被写体か
らの光の入射量に応じたCCD出力OUTとして導出さ
れる。以上により、フレームインターライン転送方式の
CCD固体撮像素子50が構成されている。
クロックφH1,φH2によって転送駆動される。水平
CCD56の転送先の端部には、例えばフローティング
・ディフュージョン・アンプ構成の電荷電圧変換部57
が設けられている。この電荷電圧変換部57は、水平C
CD56によって水平転送されてきた信号電荷を順次電
圧信号に変換して出力する。この電圧信号は、被写体か
らの光の入射量に応じたCCD出力OUTとして導出さ
れる。以上により、フレームインターライン転送方式の
CCD固体撮像素子50が構成されている。
【0057】上記構成のフレームインターライン転送方
式のCCD固体撮像素子50においても、イメージ部5
1の垂直CCD53の6相の垂直転送クロックφVI1
〜φVI6として、先述した6相の垂直転送クロックφ
OV1〜φOV3,φEV1〜φEV3を用い、この6
相の垂直転送クロックφOV1〜φOV3,φEV1〜
φEV3についてクロックタイミングを切り替えること
により、インターライン転送方式のCCD固体撮像素子
10の場合と同様に、全画素読み出しモードと2画素混
合読み出しモードとを設定することができる。
式のCCD固体撮像素子50においても、イメージ部5
1の垂直CCD53の6相の垂直転送クロックφVI1
〜φVI6として、先述した6相の垂直転送クロックφ
OV1〜φOV3,φEV1〜φEV3を用い、この6
相の垂直転送クロックφOV1〜φOV3,φEV1〜
φEV3についてクロックタイミングを切り替えること
により、インターライン転送方式のCCD固体撮像素子
10の場合と同様に、全画素読み出しモードと2画素混
合読み出しモードとを設定することができる。
【0058】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
1チャネル出力の全画素読み出し方式固体撮像装置にお
いて、2画素混合読み出しモードを選択的に採り得る構
成としたことにより、全画素読み出しモードでは、垂直
解像度のスチル画像を得ることができるとともに、2画
素混合読み出しモードでは、インターレース走査を行う
モニタにメモリを介さずに画像を映し出せることにな
る。
1チャネル出力の全画素読み出し方式固体撮像装置にお
いて、2画素混合読み出しモードを選択的に採り得る構
成としたことにより、全画素読み出しモードでは、垂直
解像度のスチル画像を得ることができるとともに、2画
素混合読み出しモードでは、インターレース走査を行う
モニタにメモリを介さずに画像を映し出せることにな
る。
【図1】本発明の一実施形態を示す概略構成図である。
【図2】色フィルタのカラーコーディングを示す図であ
る。
る。
【図3】全画素読み出しモード時の動作説明のためのタ
イミングチャートである。
イミングチャートである。
【図4】2画素混合読み出しモード時の動作説明のため
のタイミングチャートである。
のタイミングチャートである。
【図5】単位画素の構成の一例を示す平面パターン図で
ある。
ある。
【図6】図5のX‐X′矢視の断面構造図である。
【図7】全画素読み出しモードでの垂直転送の動作説明
のための模式図である。
のための模式図である。
【図8】2画素混合読み出しモードでのAフィールドの
垂直転送の動作説明のための模式図である。
垂直転送の動作説明のための模式図である。
【図9】2画素混合読み出しモードでのBフィールドの
垂直転送の動作説明のための模式図である。
垂直転送の動作説明のための模式図である。
【図10】2画素混合の概念図である。
【図11】モニタ出力のイメージ図である。
【図12】2画素混合時のタイミングチャートである。
【図13】フレームインターライン転送(FIT)方式
CCD固体撮像素子の概略構成図である。
CCD固体撮像素子の概略構成図である。
11,52 センサ部 13,53,55 垂直CC
D 15,56 水平CCD 16,57 電荷電圧変換
部 17 タイミングジェネレータ 23転送チャネル 24-1 1,4相目の転送電極 24-2 2,5相目
の転送電極 24-3 3,6相目の転送電極
D 15,56 水平CCD 16,57 電荷電圧変換
部 17 タイミングジェネレータ 23転送チャネル 24-1 1,4相目の転送電極 24-2 2,5相目
の転送電極 24-3 3,6相目の転送電極
Claims (2)
- 【請求項1】 行列状に配列されて光電変換を行う複数
のセンサ部と、前記複数のセンサ部から読み出された信
号電荷を垂直転送する3層電極6相駆動の垂直転送部
と、前記垂直転送部から移された信号電荷を水平転送す
る水平転送部とを具備する固体撮像素子と、 前記垂直転送部の駆動に際し、前記複数のセンサ部から
読み出された信号電荷を前記垂直転送部中で混合するこ
となく独立に垂直転送する全画素読み出しモードと、前
記複数のセンサ部から読み出された信号電荷を前記垂直
転送部中で隣り合う2画素分について混合して垂直転送
する2画素混合読み出しモードとを選択的に採り得る駆
動系とを備えたことを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項2】 前記駆動系は、前記垂直転送部に対して
6相の垂直転送クロックを発生し、全画素読み出しモー
ドと2画素混合読み出しモードとで前記6相の垂直転送
クロックのクロックタイミングを切り替えることを特徴
とする請求項1記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8237430A JPH1084506A (ja) | 1996-09-09 | 1996-09-09 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8237430A JPH1084506A (ja) | 1996-09-09 | 1996-09-09 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1084506A true JPH1084506A (ja) | 1998-03-31 |
Family
ID=17015249
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8237430A Pending JPH1084506A (ja) | 1996-09-09 | 1996-09-09 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1084506A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7038723B1 (en) | 1999-04-26 | 2006-05-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid state imaging device, method for driving the same and camera using the same |
-
1996
- 1996-09-09 JP JP8237430A patent/JPH1084506A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7038723B1 (en) | 1999-04-26 | 2006-05-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid state imaging device, method for driving the same and camera using the same |
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