JPH1084162A

JPH1084162A - 半導体レーザ及びその製造方法

Info

Publication number: JPH1084162A
Application number: JP23702596A
Authority: JP
Inventors: Junichi Hashimoto; 順一橋本; Michio Murata; 道夫村田; Nobuyuki Ikoma; 暢之生駒; Jiro Fukui; 二郎福井
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1996-09-06
Filing date: 1996-09-06
Publication date: 1998-03-31

Abstract

(57)【要約】【課題】優れた特性の半導体レーザ及びその製造方法
を提供する。【解決手段】本方法は、レーザ光をその端面から出射
するための化合物半導体層を形成し、プラズマイオンを
照射することにより、この端面に形成される酸化膜を除
去する。さらに、酸化膜の除去された化合物半導体層の
端面に直接接触する反射膜を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信、光記録及
び光情報処理等の分野で用いられる半導体レーザ及びそ
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の半導体レーザは、高出力で長時間
の連続発光を行うことが困難であった。特に、長距離光
通信においては、このような特性を満たす半導体レーザ
があれば、当該半導体レーザを内部に有する光中継器の
数を低減することができるとともに、この半導体レーザ
を交換する必要がなくなる。半導体レーザが高出力で長
時間連続発光できない原因の１つは、高出力時における
光出射端面の溶融破壊にあると考えられている。この故
障は、半導体レーザの高出力連続発光動作中に突然生じ
るため、ＣＯＤ（Catastrophic Optical Damage）と呼
称されている。特に、１．１μｍ以下の発振波長の半導
体レーザにおいては、ＣＯＤは頻発する。ＥＤＦＡ（エ
ルビウム添加ファイバ増幅器）に代表される光ファイバ
増幅器用の光源として、発振波長約０．９８μｍの半導
体レーザが期待されるが、現在の波長１．１μｍ以下の
半導体レーザでは、上述のように高出力長時間の連続発
光を行うことが困難なため、このような光ファイバ増幅
器を用いた長距離光通信の実用化が阻まれている。

【０００３】ＣＯＤを抑制する手段として、半導体レー
ザ活性層端面と反射膜との間の非発光再結合中心の密度
を低下させたり、或いは、その増殖を抑制することが考
えられる。発振波長の光に対して透明なワイドエネルギ
ーバンドギャップの半導体層をこの端面に形成する所謂
ウインドウ構造は、ワイドエネルギーバンドギャップの
半導体層が端面近傍において非吸収領域として機能する
ため、非発光再結合中心の増殖が抑えられ、端面劣化が
生じにくくなる。また、活性層の端面近傍に電流非注入
領域を設けることで端面へのリーク電流を低減させる構
造も考えれ、このリーク電流の低減により端面における
非発光センターの増殖を防止する。さらに、米国特許第
５１４４６３４号に記載されるような厚さ数ｎｍの超薄
膜で端面をコーティングした構造の半導体レーザが考え
られている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、いずれ
の構造の半導体レーザにおいても、真空中での劈開を必
要としたり、新たな半導体層を端面に設けたりする必要
があり、その製造装置が複雑である。また、このような
方法を用いて製造された半導体レーザの再現性も高くな
い。本発明は、このような課題を解決するためになされ
たものであり、高出力長時間の連続発光を行うことが可
能な半導体レーザ及びそれを実現する簡便で安定な製造
方法を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体レー
ザの製造方法は、レーザ光をその端面から出射するため
の化合物半導体層を形成する工程と、化合物半導体層の
端面に形成される酸化膜を除去する工程と、酸化膜の除
去された化合物半導体層の端面に直接接触する反射膜を
形成する工程とを備える。従来のいずれの方法において
も、高出力長時間の連続発光を行うことが可能な半導体
レーザが製造できないのは、端面に酸化膜が形成されて
いるためと考えられる。本方法によれば、化合物半導体
層の端面に形成される酸化膜を除去し、当該端面に直接
接触する反射膜を形成するので、良好な特性を有する半
導体レーザを製造することができる。本製造方法によっ
て製造された半導体レーザは、３０００時間以上の寿命
を有する。

【０００６】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体レーザ
及びその製造方法の一実施の形態について、添付の図面
を用いて説明する。なお、同一要素には同一符号を用
い、重複する説明は省略する。

【０００７】図１は、本実施の形態に係る半導体レーザ
の斜視図である。まず、本半導体レーザの構造について
説明する。本半導体レーザは、基板１上に順次積層され
た下部クラッド層２、下部光閉じ込め層３、活性層（化
合物半導体層）４、上部光閉じ込め層５、第１上部クラ
ッド層６、ガイド層８、第２上部クラッド層９及びコン
タクト層１０を備え、好ましくは０．９〜１．１μｍ、
具体的には０．９８μｍの波長のレーザ光を出射するこ
とが可能である。また、本半導体レーザは、その長手方
向に延びる溝によって分割された電流ブロック層７を、
第１上部クラッド層６とコンタクト層１０との間に有す
る。ガイド層８及び第２上部クラッド層９は、電流ブロ
ック層７を分割する溝（以下、分割溝）内に埋設されて
いる。コンタクト層１０上面及び基板１下面には、それ
ぞれ、オーミック電極１１及び１２が形成されている。

【０００８】化合物半導体層２〜６の分割溝直下の領
域、及び溝内の層８，９は、共振器を構成し、分割溝長
手方向の両端を含むこれらの層の端面は、共振器両端の
反射端面（結晶劈開面）を構成する。レーザ光の出射さ
れる側の反射端面（以下、出射面）上には、ＳｉＮ反射
低減膜（以下、反射膜）２０が直接接触している。出射
面に対向する反射端面（以下、高反射面）には、多層反
射膜３０が直接接触している。多層反射膜３０は、誘電
体薄膜３１、アモルファスＳｉ膜３２、誘電体薄膜３
３、アモルファスＳｉ膜３４、誘電体薄膜３５、アモル
ファスＳｉ膜３６及び誘電体薄膜３７から構成されてい
る。

【０００９】次に、各構成要素の材料等について説明す
る。基板１は、ｎ型ＧａＡｓからなり、１００μｍ程度
の厚みを有する。下部クラッド層２は、ｎ型ＧａＩｎＰ
からなり、好ましくは１〜２μｍ、具体的には１．５μ
ｍの厚みを有する。下部光閉じ込め層３は、アンドープ
ＧａＩｎＡｓＰからなり、好ましくは数十ｎｍ、具体的
には４７ｎｍの厚みを有する。活性層４は、アンドープ
ＧａＩｎＡｓからなり、好ましくは数ｎｍ、具体的には
８ｎｍの厚みを有する。上部光閉じ込め層５は、アンド
ープＧａＩｎＡｓＰからなり、好ましくは数十ｎｍ、具
体的には４７ｎｍの厚みを有する。第１上部クラッド層
６は、ｐ型ＧａＩｎＰからなり、好ましくは０．３〜
０．５μｍ、具体的には０．４μｍの厚みを有する。ガ
イド層８は、ｐ型ＧａＡｓからなり、好ましくは１０〜
３０ｎｍ、具体的には１５ｎｍの厚みを有する。第２上
部クラッド層９は、ｐ型ＧａＩｎＰからなり、好ましく
は１〜２μｍ、具体的には１．１μｍの厚みを有する。
コンタクト層１０は、ｐ型ＧａＡｓからなる。電流ブロ
ック層７は、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰかなり、クラッド層９
と略同等の厚みを有する。誘電体薄膜３１，３３，３
５，３７は、ＳｉＮからなる。なお、誘電体薄膜２０，
３１，３３，３５，３７の材料として、ＳｉＮの代わり
に、ＳｉＯ₂又はＡｌ₂Ｏ₃を用いてもよい。なお、各化
合物半導体層のエネルギーバンドギャップの大きさは、
それぞれの層の材料によって規定される値である。

【００１０】次に、本半導体レーザの動作について説明
する。上下の電極１１及び１２間に電圧を印加し、電流
を供給すると、活性層４の分割溝直下の領域（活性領
域）に、活性層４上部のｐ型半導体層６側から正孔が、
活性層４下部のｎ型半導体層２側から電子が注入され
る。これらの注入キャリア密度が反転分布を作るのに必
要な最小値を越えると、誘導放出作用による光利得と共
振器の光損失とが均衡し、レーザ動作が開始される。活
性層４内部で発生したレーザ光は、共振器の反射端面間
を往復しながら増幅され、低反射膜２０の形成された側
の出射端面から出射する。

【００１１】以上、説明したように、本半導体レーザ
は、レーザ光をその端面から出射するための化合物半導
体層４と、化合物半導体層４の前記端面に直接接触する
反射膜２０とを備える。この半導体レーザは、化合物半
導体層４を挟む２つの層を含み、この２つの層は、Ｇ
ａ、Ｉｎ及びＰを含む。また、反射膜２０は、ＳｉＮ、
ＳｉＯ₂及びＡｌ₂Ｏ₃のいずれか１つから選択される材
料を含む。

【００１２】さらに、本半導体レーザは、電流が供給さ
れることにより、レーザ光をその端面から出射すること
が可能な化合物半導体層４と、化合物半導体層４の前記
端面に直接接触する反射膜２０とを備えており、周囲の
温度５０°Ｃで、レーザ光の出力が常に１５０ｍＷとな
るように前記電流を供給した場合に、前記電流が一定値
になってからその２０％増の値に変化するまでの時間で
規定される寿命は、３０００時間以上であった。

【００１３】次に、本半導体レーザの製造方法について
説明する。

【００１４】図２は、基板１を構成するウエハＷの平面
図である。このウエハＷは、（１００）ＧａＡｓウエハ
であり、オリエンテーションフラットＯＦに垂直な線分
Ｌ１及びＬ２、平行な線分Ｌ３及びＬ８によって囲まれ
る素子形成領域を有する。本ウエハＷの素子形成領域に
は、複数の半導体レーザが製造される。まず、このウエ
ハＷから、縦列した複数の半導体レーザ中間体から構成
されるチップバーを製造する。以下、この素子形成領域
内の１つの半導体レーザの形成される領域のウエハＷの
断面を用いて、このチップバーの製造方法について説明
する。なお、以下の説明において、図２のウエハＷ上に
複数の素子が形成されたものもウエハＷとして説明を行
う。

【００１５】図３乃至図５は、図２のウエハＷのＸ−Ｘ
矢印断面によって示される半導体レーザ中間体を示す。
上記チップバーの製造は、以下の方法を用いて行う。ま
ず、図３に示すように、基板１（ＧａＡｓウエハＷ）上
に、下部クラッド層２、下部光閉じ込め層３、活性層
４、上部光閉じ込め層５、第１上部クラッド層６、ガイ
ド層８及び第２上部クラッド層９を順次積層する。この
積層は、有機金属気相成長（ＯＭＶＰＥ）法を用いて行
う。

【００１６】次に、図４に示すように、第２上部クラッ
ド層９及びガイド層８上の所定領域にマスクを形成し、
これらの層９及び８を順次エッチングする。すなわち、
まず、第２上部クラッド層９の露出領域をエッチング液
を用いて逆メサ型にウエットエッチングする。なお、逆
メサが形成されるのは、クラッド層９の結晶面方位に対
するエッチング速度が異なっているためであり、エッチ
ング液の濃度は、このようなエッチングが行われるよう
に、適宜設定すればよい。なお、このエッチング時に、
ガイド層８はエッチングブロック層として機能するの
で、ガイド層８の上側に位置する第２上部クラッド層９
の露出領域のみが選択的にエッチングされる。しかる
後、エッチング液を変えて、ガイド層８の露出領域をエ
ッチングする。このエッチング時には、ガイド層８直下
の第１上部クラッド層６がエッチングブロック層として
機能するので、ガイド層８の露出領域のみが選択的にエ
ッチングされる。

【００１７】次に、図５に示すように、エッチングによ
り露出したガイド層８及び第２上部クラッド層９の露出
表面を覆うように、電流ブロック層７を第１上部クラッ
ド層６の上に形成する。電流ブロック層７の堆積は、そ
の上面が、第２上部クラッド層９の上面と一致する程度
まで行う。電流ブロック層７の形成後、第２上部クラッ
ド層９上に形成されたマスクを除去し、コンタクト層１
０を第２上部クラッド層９及び電流ブロック層７上に形
成する。この後、コンタクト層１０及び基板１の露出表
面にそれぞれ電極１１及び１２を蒸着する。最後に、図
２に示したウエハＷを、結晶方位に一致する線分Ｌ１〜
Ｌ８に沿って劈開し、チップバーを製造する。

【００１８】図６は、このチップバーの正面図である。
本チップバーは、図２の劈開面Ｌ１，、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ
４によって囲まれた領域から取り出されたものである。
同図に示すように、このチップバーは、同一構造の半導
体レーザ中間体ＬＤ１〜ＬＤ５を備えている。

【００１９】次に、反射膜２０及び３０の形成について
説明する。上記チップバーを製造する際の劈開によって
露出した半導体の表面近傍は、大気中の酸素と結合して
酸化する。したがって、半導体レーザ中間体の外表面に
は、自然酸化膜が形成される。

【００２０】図７は、図６に示したチップバーのＹ−Ｙ
矢印断面である。レーザ光の出射面４ｆ及び高反射面４
ｂ上には、自然酸化膜４０ｆ及び４０ｂがそれぞれ形成
されている。まず、出射面４ｆ上の自然酸化膜４０ｆ
を、Ａｒ原子でスパッタリングすることにより除去す
る。すなわち、図７に示すチップバーをＥＣＲ（電子サ
イクロトロン共鳴）エッチング（ＣＶＤ）装置内に導入
し、酸化膜４０ｆにＥＣＲ装置内で発生するＡｒプラズ
マイオンが照射されるように配置する。この時、プラズ
マを発生させる条件は、ＥＣＲ装置のチャンバ内の圧力
１０^-4Ｔｏｒｒ、Ａｒの流量４０ｓｃｃｍ、ＲＦ周波数
２．３５ＧＨｚ、ＲＦ出力５００Ｗである。Ａｒプラズ
マイオンの照射時間は約２時間である。

【００２１】図８は、酸化膜４０ｆの除去されたチップ
バーのＹ−Ｙ矢印断面図である。酸化膜４０ｆの除去
後、このチップバーをＥＣＲ装置のチャンバから取り出
すことなく、速やかに連続して、反射膜２０を出射面４
ｆ上に直接形成する。すなわち、ＥＣＲ装置をＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ装置として機能させ、１１０ｎｍの厚みの
ＳｉＮ反射膜２０を出射面４ｆ上に形成する。

【００２２】図９は、反射膜２０の形成されたチップバ
ーのＹ−Ｙ矢印断面図である。形成された反射膜２０の
波長０．９８μｍのレーザ光に対する反射率は、好まし
くは１０％以下、具体的には３％、厚さ約１１０ｎｍで
ある。次に、このＥＣＲ装置を用いて、高反射面４ｂ上
に形成された酸化膜４０ｂを除去する。この除去の方法
は、酸化膜４０ｆを除去した方法と同一であるので、説
明を省略する。

【００２３】図１０は、酸化膜４０ｂの除去されたチッ
プバーのＹ−Ｙ矢印断面図である。酸化膜４０ｂの除去
後、このチップバーをＥＣＲ装置のチャンバから取り出
すことなく、速やかに連続して、反射膜３０を高反射面
４ｂ上に直接形成する。すなわち、ＥＣＲ装置をＥＣＲ
プラズマＣＶＤ装置として機能させ、高反射面４ｂ上
に、１３０ｎｍの厚みのＳｉＮ膜３１、６４ｎｍの厚み
のアモルファスＳｉ膜３２、１３０ｎｍの厚みのＳｉＮ
膜３３、６４ｎｍの厚みのアモルファスＳｉ膜３４、１
３０ｎｍの厚みのＳｉＮ膜３５、６４ｎｍの厚みのアモ
ルファスＳｉ膜３６、そして、最も外側に保護膜として
５０ｎｍの厚みのＳｉＮ膜３７を順次積層形成する。こ
の工程により、複数の半導体レーザからなるチップバー
が形成される。なお、図１１は、完成した半導体レーザ
を備えたチップバーのＹ−Ｙ矢印断面図である。形成さ
れた反射膜３０の波長０．９８μｍのレーザ光に対する
反射率は、好ましくは９０％以上、具体的には９３％で
ある。

【００２４】最後に、図６に示した劈開面Ｌ９〜Ｌ１２
に沿って各半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ５を分離すること
により、図１に示した半導体レーザが製造される。

【００２５】以上、説明したように、本製造方法は、レ
ーザ光をその端面４ｆから出射するための化合物半導体
層４を形成する工程と、化合物半導体層４の前記端面４
ｆに形成される酸化膜４０ｆを除去する工程と、酸化膜
４０ｆの除去された化合物半導体層４の端面４ｆに直接
接触する反射膜２０を形成する工程とを備える。また、
この酸化膜を除去する工程は、化合物半導体層４の端面
４ｆに原子を照射する工程を含む。さらに、この原子
は、希ガスを含むガスをプラズマ化することにより得ら
れたプラズマイオンであることが好ましい。この希ガス
はＡｒガスであり、且つ、プラズマ化は磁場及びマイク
ロ波の相互作用を利用して行われた場合には、上記特性
を有する半導体レーザを製造することができた。この反
射膜２０を形成する工程は、酸化膜４０ｆを除去する工
程の後、化合物半導体層４の端面４ｆを大気に晒すこと
なく行われることが好ましい。なお、本方法では、レー
ザ出射面における酸化膜の除去が特に有効であると考え
られる。

【００２６】なお、本発明は上記に限定されるものでは
なく、ＥＣＲプラスマに変えて、ヘリコ波プラズマを用
いても同等の効果を期待することができる。また、マイ
クロ波に変えて１３．５６ＭＨｚのプラズマを用いて
も、同様の効果を期待することができる。さらに、反射
膜の形成をＣＶＤ法の代わりにスパッタリング法を用い
ても同等の効果が得られると思われる。さらに、Ａｒガ
スの代わりに、Ｈｅ、Ｎｅ等の希ガス或いはこれらのガ
スを主成分とする混合ガスを代わりに用いても同等の効
果が得られると思われる。

【００２７】

【実施例】上記製造方法を用いて、図１に示した半導体
レーザを製造した。周囲の温度５０°Ｃで、レーザ光の
出力が常に１５０ｍＷとなるように光検出器からの出力
を帰還させて、この半導体レーザに電流を流した。この
半導体レーザが発光し始めて、帰還電流が一定値になっ
てから、この電流が２０％増の値に変化するまでの時間
を本半導体レーザの寿命と規定する。本半導体レーザの
寿命は、３０００時間以上であった。

【００２８】なお、酸化膜４０ｆ，４０ｂの厚みを調査
した。実際の活性層４の厚みは非常に薄いので、活性層
４と略同一の材料からなるサンプル膜（ＧａＡｓ）をＧ
ａＡｓ基板上に形成し、このサンプル膜に、ＥＣＲ装置
を用いて、Ａｒの照射時間以外は、上記製造方法と同一
の条件でＡｒを照射した。なお、サンプル膜の表面が新
たに酸化しないように、Ａｒプラズマ処理を行った後、
この表面に１１０ｎｍの窒化膜を形成し、以下の測定を
行った。

【００２９】図１２は、Ａｒプラズマの照射時間（Ｈ）
と、サンプル膜に形成された酸化膜（Ａｓ₂Ｏ₃）のＸＰ
Ｓ強度（任意単位）との関係を示すグラフである。図１
２から明らかなように、照射時間の増加に伴って、酸化
膜の厚みは減少し、照射時間２時間以上で、酸化膜の存
在は認められなくなった。

【００３０】図１３は、室温でアルゴンレーザ光をサン
プル膜に照射したときの、Ａｒプラズマの照射時間
（Ｈ）と、サンプル膜からのフォトルミネッセンスピー
ク強度（任意単位）との関係を示すグラフである。図１
３から明らかなように、Ａｒプラズマの照射時間が２乃
至３時間の間においては、非発光再結合の生じる割合が
著しく低減し、ピーク強度が著しく高くなっている。な
お、Ａｒプラズマの照射時間が３時間を越えると、ピー
ク強度が急激に減少するのは、膜内にダメージが導入さ
れたためと考えられる。なお、本発明に係る半導体レー
ザにおいては、活性層４の材料として、ＧａＩｎＡｓを
用いたが、これは、ＧａＡｓ、ＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩ
ｎＰ、ＧａＩｎＡｓＰ又はＧａＩｎＡｓＮ等を代わりに
用いてもよい。また、本発明に係る半導体レーザにおい
ては、クラッド層２、６の材料として、ＧａＩｎＰを用
いたが、ＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＧａＡｓ等を代わりに
用いてもよい。

【００３１】

【発明の効果】本発明の製造方法を用いることにより、
ＣＯＤ耐性を向上させ、高出力長時間の連続発光を行う
ことが可能な半導体レーザを製造することができる。ま
た、本方法は、反射膜形成の前処理の一環として簡単に
実施することができるので、通常の半導体レーザプロセ
スとの整合性が高く、生産性、製造コストを損なうこと
がない。

【図面の簡単な説明】

【図１】半導体レーザの斜視図。

【図２】ウエハの平面図。

【図３】半導体レーザ中間体の断面図。

【図４】半導体レーザ中間体の断面図。

【図５】半導体レーザ中間体の断面図。

【図６】チップバーの正面図。

【図７】チップバーの断面図。

【図８】チップバーの断面図。

【図９】チップバーの断面図。

【図１０】チップバーの断面図。

【図１１】チップバーの断面図。

【図１２】Ａｒの照射時間（Ｈ）と酸化膜の強度（任意
単位）との関係を示すグラフ。

【図１３】Ａｒの照射時間（Ｈ）とＰＬピーク強度（任
意単位）との関係を示すグラフ。

【符号の説明】

４…化合物半導体層、４ｆ…端面、４０ｆ…酸化膜、２
０…反射膜。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者福井二郎神奈川県横浜市栄区田谷町１番地住友電気工業株式会社横浜製作所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】レーザ光をその端面から出射するための
化合物半導体層を形成する工程と、前記化合物半導体層
の前記端面に形成される酸化膜を除去する工程と、前記
酸化膜の除去された前記化合物半導体層の前記端面に直
接接触する反射膜を形成する工程と、を備える半導体レ
ーザの製造方法。
【請求項２】前記酸化膜を除去する工程は、前記化合
物半導体層の前記端面に原子を照射する工程を含むこと
を特徴とする請求項１に記載の半導体レーザの製造方
法。
【請求項３】前記原子は、希ガスを含むガスをプラズ
マ化することにより得られたプラズマイオンであること
を特徴とする請求項２に記載の半導体レーザの製造方
法。
【請求項４】前記希ガスはＡｒガスであり、且つ、前
記プラズマ化は磁場及びマイクロ波の相互作用を利用し
て行われることを特徴とする請求項３に記載の半導体レ
ーザの製造方法。
【請求項５】前記反射膜を形成する工程は、前記酸化
膜を除去する工程の後、前記化合物半導体層の前記端面
を大気に晒すことなく行われることを特徴とする請求項
１に記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項６】レーザ光をその端面から出射するための
化合物半導体層と、前記化合物半導体層の前記端面に直
接接触する反射膜と、を備える半導体レーザ。
【請求項７】前記化合物半導体層を挟む２つの層を含
み、前記２つの層は、Ｇａ、Ｉｎ及びＰを含むことを特
徴とする請求項６に記載の半導体レーザ。
【請求項８】前記反射膜は、ＳｉＮ、ＳｉＯ₂及びＡ
ｌ₂Ｏ₃のいずれか１つから選択される材料を含むことを
特徴とする請求項６に記載の半導体レーザ。
【請求項９】電流が供給されることにより、レーザ光
をその端面から出射することが可能な化合物半導体層
と、前記化合物半導体層の前記端面に酸化膜を介さずに
直接接触する反射膜とを備えた半導体レーザであって、
周囲の温度５０°Ｃで、レーザ光の出力が常に１５０ｍ
Ｗとなるように前記電流を供給した場合に、前記電流が
一定値になってからその２０％増の値に変化するまでの
時間で規定される寿命が、３０００時間以上である半導
体レーザ。