JPH1082832A - ディジタルｌｓｉ試験装置 - Google Patents
ディジタルｌｓｉ試験装置Info
- Publication number
- JPH1082832A JPH1082832A JP8237570A JP23757096A JPH1082832A JP H1082832 A JPH1082832 A JP H1082832A JP 8237570 A JP8237570 A JP 8237570A JP 23757096 A JP23757096 A JP 23757096A JP H1082832 A JPH1082832 A JP H1082832A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- buffer circuit
- conversion voltage
- circuit
- diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 直流特性試験機能を有するディジタルＬＳＩ
試験装置を実現する。 【解決手段】 ディジタルファンクションを試験するデ
ィジタルＬＳＩ試験装置において、電流検出回路を有し
転換電圧が入力される転換電圧バッファ回路と、この転
換電圧バッファ回路の出力電圧が接続されその出力が被
試験ＬＳＩに接続されるダイオードブリッジと、このダ
イオードブリッジに定電流を流入及び流出させる２つの
定電流源と、この２つの定電流源の出力電流を制御する
スイッチ回路と、転換電圧バッファ回路の電流検出回路
の出力電流を測定する測定回路とを設ける。
試験装置を実現する。 【解決手段】 ディジタルファンクションを試験するデ
ィジタルＬＳＩ試験装置において、電流検出回路を有し
転換電圧が入力される転換電圧バッファ回路と、この転
換電圧バッファ回路の出力電圧が接続されその出力が被
試験ＬＳＩに接続されるダイオードブリッジと、このダ
イオードブリッジに定電流を流入及び流出させる２つの
定電流源と、この２つの定電流源の出力電流を制御する
スイッチ回路と、転換電圧バッファ回路の電流検出回路
の出力電流を測定する測定回路とを設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ディジタルファン
クションを試験するディジタルＬＳＩ試験装置に関し、
特に直流特性試験機能を有するディジタルＬＳＩ試験装
置に関する。
クションを試験するディジタルＬＳＩ試験装置に関し、
特に直流特性試験機能を有するディジタルＬＳＩ試験装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のディジタルＬＳＩ試験装置は被試
験ＬＳＩ（以下、ＤＵＴ(Device under test)と呼
ぶ。）に対して試験信号を印加してこの試験信号に対し
てＤＵＴが正常に動作をするか否かを試験するものであ
る。
験ＬＳＩ（以下、ＤＵＴ(Device under test)と呼
ぶ。）に対して試験信号を印加してこの試験信号に対し
てＤＵＴが正常に動作をするか否かを試験するものであ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のディジ
タルＬＳＩ試験装置はディジタルファンクションを試験
する装置なのでＤＵＴのオープン／ショートや直流特性
等を試験することはできない。このため、別途直流特性
試験装置を用いて試験するか、若しくは、直流特性試験
モジュールを追加して試験する必要があった。従って本
発明が解決しようとする課題は、直流特性試験機能を有
するディジタルＬＳＩ試験装置を実現することにある。
タルＬＳＩ試験装置はディジタルファンクションを試験
する装置なのでＤＵＴのオープン／ショートや直流特性
等を試験することはできない。このため、別途直流特性
試験装置を用いて試験するか、若しくは、直流特性試験
モジュールを追加して試験する必要があった。従って本
発明が解決しようとする課題は、直流特性試験機能を有
するディジタルＬＳＩ試験装置を実現することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】このような課題を達成す
るために、本発明の第１では、ディジタルファンクショ
ンを試験するディジタルＬＳＩ試験装置において、電流
検出回路を有し転換電圧が入力される転換電圧バッファ
回路と、この転換電圧バッファ回路の出力電圧が接続さ
れその出力が被試験ＬＳＩに接続されるダイオードブリ
ッジと、このダイオードブリッジに定電流を流入及び流
出させる２つの定電流源と、この２つの定電流源の出力
電流を制御するスイッチ回路と、前記転換電圧バッファ
回路の前記電流検出回路の出力電流を測定する測定回路
とを備えたことを特徴とするものである。
るために、本発明の第１では、ディジタルファンクショ
ンを試験するディジタルＬＳＩ試験装置において、電流
検出回路を有し転換電圧が入力される転換電圧バッファ
回路と、この転換電圧バッファ回路の出力電圧が接続さ
れその出力が被試験ＬＳＩに接続されるダイオードブリ
ッジと、このダイオードブリッジに定電流を流入及び流
出させる２つの定電流源と、この２つの定電流源の出力
電流を制御するスイッチ回路と、前記転換電圧バッファ
回路の前記電流検出回路の出力電流を測定する測定回路
とを備えたことを特徴とするものである。
【０００５】また、本発明の第２では、本発明の第１に
おいて、転換電圧が入力されるバッファ回路と、このバ
ッファ回路を構成する出力トランジスタのコレクタに接
続され前記出力トランジスタのエミッタ電流を検出電流
として出力する電流ミラー回路とから構成される前記転
換電圧バッファ回路を備えたことを特徴とするものであ
る。
おいて、転換電圧が入力されるバッファ回路と、このバ
ッファ回路を構成する出力トランジスタのコレクタに接
続され前記出力トランジスタのエミッタ電流を検出電流
として出力する電流ミラー回路とから構成される前記転
換電圧バッファ回路を備えたことを特徴とするものであ
る。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下本発明を図面を用いて詳細に
説明する。図１は本発明に係るディジタルＬＳＩ試験装
置の一実施例を示す構成ブロック図である。
説明する。図１は本発明に係るディジタルＬＳＩ試験装
置の一実施例を示す構成ブロック図である。
【０００７】図1において１は転換電圧バッファ回路
（以下、単にバッファ回路と呼ぶ。）、２，３，４及び
５はダイオード、６及び９は定電流源、７及び８はスイ
ッチ回路、１０はＤＵＴ、１１は測定回路、１００は転
換電圧、１０１はＤＵＴ１０へ流入する電流、１０２は
転換電圧バッファ回路１の出力電流、１０３及び１０４
は検出電流、１０５は正電圧源、１０６負電圧源であ
る。
（以下、単にバッファ回路と呼ぶ。）、２，３，４及び
５はダイオード、６及び９は定電流源、７及び８はスイ
ッチ回路、１０はＤＵＴ、１１は測定回路、１００は転
換電圧、１０１はＤＵＴ１０へ流入する電流、１０２は
転換電圧バッファ回路１の出力電流、１０３及び１０４
は検出電流、１０５は正電圧源、１０６負電圧源であ
る。
【０００８】転換電圧１００は転換電圧バッファ回路１
に入力され、転換電圧バッファ回路１の出力はダイオー
ド２のカソード及びダイオード３のアノードに接続され
る。
に入力され、転換電圧バッファ回路１の出力はダイオー
ド２のカソード及びダイオード３のアノードに接続され
る。
【０００９】ダイオード２のアノードはダイオード４の
アノード及びスイッチ回路７の一端に接続され、スイッ
チ回路７の他端は定電流源６の一端に接続される。
アノード及びスイッチ回路７の一端に接続され、スイッ
チ回路７の他端は定電流源６の一端に接続される。
【００１０】ダイオード３のカソードはダイオード５の
カソード及びスイッチ回路８の一端に接続され、スイッ
チ回路８の他端は定電流源９の一端に接続される。
カソード及びスイッチ回路８の一端に接続され、スイッ
チ回路８の他端は定電流源９の一端に接続される。
【００１１】また、ダイオード４のカソードはダイオー
ド５のアノード及びＤＵＴ１０に接続され、転換電圧バ
ッファ回路１の検出電流１０３及び１０４は測定回路１
１に接続される。さらに、定電流源６及び７の他端は正
電圧源１０５及び負電源１０６にそれぞれ接続される。
ド５のアノード及びＤＵＴ１０に接続され、転換電圧バ
ッファ回路１の検出電流１０３及び１０４は測定回路１
１に接続される。さらに、定電流源６及び７の他端は正
電圧源１０５及び負電源１０６にそれぞれ接続される。
【００１２】また、図２は転換電圧バッファ回路１の具
体例を示す回路図である。図２において１００，１０２
〜１０６は図１と同一符号を付してあり、１２及び１３
は定電流源、１４，１５，１６，１７，１８，１９，２
０及び２１はトランジスタである。
体例を示す回路図である。図２において１００，１０２
〜１０６は図１と同一符号を付してあり、１２及び１３
は定電流源、１４，１５，１６，１７，１８，１９，２
０及び２１はトランジスタである。
【００１３】また、１２〜１５，１８及び１９はバッフ
ァ回路５０を、１６及び１７は電流ミラー回路５１を、
２０及び２１は電流ミラー回路５２をそれぞれ構成して
いる。
ァ回路５０を、１６及び１７は電流ミラー回路５１を、
２０及び２１は電流ミラー回路５２をそれぞれ構成して
いる。
【００１４】転換電圧１００はトランジスタ１４及び１
５のベースに入力され、トランジスタ１４のエミッタは
定電流源１２の一端及びトランジスタ１８のベースに接
続される。
５のベースに入力され、トランジスタ１４のエミッタは
定電流源１２の一端及びトランジスタ１８のベースに接
続される。
【００１５】トランジスタ１５のエミッタは定電流源１
３の一端及びトランジスタ１９のベースに接続される。
３の一端及びトランジスタ１９のベースに接続される。
【００１６】また、トランジスタ１８のコレクタはトラ
ンジスタ１６のコレクタ、トランジスタ１６及び１７の
ベースにそれぞれ接続され、トランジスタ１９のコレク
タはトランジスタ２０のコレクタ、トランジスタ２０及
び２１のベースにそれぞれ接続される。
ンジスタ１６のコレクタ、トランジスタ１６及び１７の
ベースにそれぞれ接続され、トランジスタ１９のコレク
タはトランジスタ２０のコレクタ、トランジスタ２０及
び２１のベースにそれぞれ接続される。
【００１７】トランジスタ１８のエミッタはトランジス
タ１９のエミッタに接続されると共に出力電流１０２を
出力する。
タ１９のエミッタに接続されると共に出力電流１０２を
出力する。
【００１８】定電流源１２の他端、トランジスタ１５の
コレクタ、トランジスタ１６及び１７のエミッタは正電
圧源１０５にそれぞれ接続され、定電流源１３の他端、
トランジスタ１４のコレクタ、トランジスタ２０及び２
１のエミッタは負電圧源１０６にそれぞれ接続される。
コレクタ、トランジスタ１６及び１７のエミッタは正電
圧源１０５にそれぞれ接続され、定電流源１３の他端、
トランジスタ１４のコレクタ、トランジスタ２０及び２
１のエミッタは負電圧源１０６にそれぞれ接続される。
【００１９】ここで、図１及び図２に示す実施例の動作
を説明する。定電流源６及び９には最大測定電流値以上
の出力電流”Ｉ１”及び”Ｉ２”を設定し、スイッチ回
路７及び８を「ＯＮ」にする。
を説明する。定電流源６及び９には最大測定電流値以上
の出力電流”Ｉ１”及び”Ｉ２”を設定し、スイッチ回
路７及び８を「ＯＮ」にする。
【００２０】このため、ダイオード２〜５は導通状態に
なり、転換電圧１００が転換電圧バッファ回路１を介し
てダイオード２のカソード及びダイオード３のアノード
に接続され、ＤＵＴ１０の端子電圧は転換電圧１００と
同一電位となる。
なり、転換電圧１００が転換電圧バッファ回路１を介し
てダイオード２のカソード及びダイオード３のアノード
に接続され、ＤＵＴ１０の端子電圧は転換電圧１００と
同一電位となる。
【００２１】従って、ダイオード２〜５で構成されるダ
イオードブリッジに流れ込む電流の総和は「０」にな
る。例えば、電流１０１及び１０２を”Ｉｄｕｔ”及
び”Ｉｂｕｆ”とすれば、 Ｉ１−Ｉ２＋Ｉｂｕｆ−Ｉｄｕｔ＝０ （１） となり、”Ｉｄｕｔ”を移項することにより、 Ｉｄｕｔ＝Ｉ１−Ｉ２＋Ｉｂｕｆ （２） となる。
イオードブリッジに流れ込む電流の総和は「０」にな
る。例えば、電流１０１及び１０２を”Ｉｄｕｔ”及
び”Ｉｂｕｆ”とすれば、 Ｉ１−Ｉ２＋Ｉｂｕｆ−Ｉｄｕｔ＝０ （１） となり、”Ｉｄｕｔ”を移項することにより、 Ｉｄｕｔ＝Ｉ１−Ｉ２＋Ｉｂｕｆ （２） となる。
【００２２】ここで、電流ミラー回路５１及び５２の検
出電流１０３及び１０４を”Ｉｏ１”及び”Ｉｏ２”と
し、これらの電流が出力トランジスタであるトランジス
タ１８及び１９のエミッタ電流と等しいとすると式
（２）は、 Ｉｄｕｔ＝Ｉ１−Ｉ２＋Ｉｂｕｆ ＝Ｉ１−Ｉ２＋Ｉｏ１−Ｉｏ２ （３） となる。
出電流１０３及び１０４を”Ｉｏ１”及び”Ｉｏ２”と
し、これらの電流が出力トランジスタであるトランジス
タ１８及び１９のエミッタ電流と等しいとすると式
（２）は、 Ｉｄｕｔ＝Ｉ１−Ｉ２＋Ｉｂｕｆ ＝Ｉ１−Ｉ２＋Ｉｏ１−Ｉｏ２ （３） となる。
【００２３】すなわち、予め設定した既知の電流値”Ｉ
１”及び”Ｉ２”と転換電圧バッファ回路１の検出電流
に基づきＤＵＴ１０に流れ込む電流”Ｉｄｕｔ”を求め
ることが可能になる。
１”及び”Ｉ２”と転換電圧バッファ回路１の検出電流
に基づきＤＵＴ１０に流れ込む電流”Ｉｄｕｔ”を求め
ることが可能になる。
【００２４】この結果、転換電圧バッファ回路１に電流
検出回路として電流ミラー回路５１及び５２を設けるこ
とにより、直流特性試験を行うことが可能になる。
検出回路として電流ミラー回路５１及び５２を設けるこ
とにより、直流特性試験を行うことが可能になる。
【００２５】なお、図1及び図2ではＤＵＴ１０の入力バ
イアス電流の測定を説明したが、端子のオープン／ショ
ートや他の直流特性試験等を行うことができる。
イアス電流の測定を説明したが、端子のオープン／ショ
ートや他の直流特性試験等を行うことができる。
【００２６】また、図２においてはバッファ回路５０を
例示したがバッファ回路として演算増幅器等を用いても
良い。
例示したがバッファ回路として演算増幅器等を用いても
良い。
【００２７】また、図２において電流検出回路として電
流ミラー回路５１及び５２を用いているがこれに限るわ
けではない。電流ミラー回路５１及び５２の電流比も任
意で良く、低消費電力化のためには検出電流１０３及び
１０４を出力電流１０２の”１／ｎ”にするのが適当で
ある。
流ミラー回路５１及び５２を用いているがこれに限るわ
けではない。電流ミラー回路５１及び５２の電流比も任
意で良く、低消費電力化のためには検出電流１０３及び
１０４を出力電流１０２の”１／ｎ”にするのが適当で
ある。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明によれば次のような効果がある。転換電圧バッフ
ァ回路に電流検出回路として電流ミラー回路を設けるこ
とにより、直流特性試験を行うことが可能なディジタル
ＬＳＩ試験装置が実現できる。
本発明によれば次のような効果がある。転換電圧バッフ
ァ回路に電流検出回路として電流ミラー回路を設けるこ
とにより、直流特性試験を行うことが可能なディジタル
ＬＳＩ試験装置が実現できる。
【図１】本発明に係るディジタルＬＳＩ試験装置の一実
施例を示す構成ブロック図である。
施例を示す構成ブロック図である。
【図２】転換電圧バッファ回路の具体例を示す回路図で
ある。
ある。
１ 転換電圧バッファ回路 ２，３，４，５ ダイオード ６，９，１２，１３ 定電流源 ７，８ スイッチ回路 １０ ＤＵＴ １１ 測定回路 １４，１５，１６，１７，１８，１９，２０，２１ ト
ランジスタ ５０ バッファ回路 ５１，５２ 電流ミラー回路 １００ 転換電圧 １０１，１０２ 電流 １０３，１０４ 検出電流 １０５ 正電圧源 １０６ 負電圧源
ランジスタ ５０ バッファ回路 ５１，５２ 電流ミラー回路 １００ 転換電圧 １０１，１０２ 電流 １０３，１０４ 検出電流 １０５ 正電圧源 １０６ 負電圧源
Claims (2)
- 【請求項１】ディジタルファンクションを試験するディ
ジタルＬＳＩ試験装置において、 電流検出回路を有し転換電圧が入力される転換電圧バッ
ファ回路と、 この転換電圧バッファ回路の出力電圧が接続されその出
力が被試験ＬＳＩに接続されるダイオードブリッジと、 このダイオードブリッジに定電流を流入及び流出させる
２つの定電流源と、 この２つの定電流源の出力電流を制御するスイッチ回路
と、 前記転換電圧バッファ回路の前記電流検出回路の出力電
流を測定する測定回路とを備えたことを特徴とするディ
ジタルＬＳＩ試験装置。 - 【請求項２】転換電圧が入力されるバッファ回路と、こ
のバッファ回路を構成する出力トランジスタのコレクタ
に接続され前記出力トランジスタのエミッタ電流を検出
電流として出力する電流ミラー回路とから構成される前
記転換電圧バッファ回路を備えたことを特徴とする特許
請求の範囲請求項１記載のディジタルＬＳＩ試験装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8237570A JPH1082832A (ja) | 1996-09-09 | 1996-09-09 | ディジタルｌｓｉ試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8237570A JPH1082832A (ja) | 1996-09-09 | 1996-09-09 | ディジタルｌｓｉ試験装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1082832A true JPH1082832A (ja) | 1998-03-31 |
Family
ID=17017281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8237570A Pending JPH1082832A (ja) | 1996-09-09 | 1996-09-09 | ディジタルｌｓｉ試験装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1082832A (ja) |
-
1996
- 1996-09-09 JP JP8237570A patent/JPH1082832A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4147943A (en) | Sensitive high speed clocked comparator | |
| US8502549B2 (en) | Test apparatus and driver circuit | |
| GB2314712A (en) | Comparator for semiconductor testing device | |
| JP3119335B2 (ja) | Ｉｃ試験装置 | |
| JPH1082832A (ja) | ディジタルｌｓｉ試験装置 | |
| JP3277049B2 (ja) | 微粒子検出回路 | |
| US20070252602A1 (en) | Test circuit and test method | |
| JP5053932B2 (ja) | バッファ回路、増幅回路、および、試験装置 | |
| US6968249B2 (en) | Current measuring circuit for measuring drive current to load | |
| KR900008046B1 (ko) | 비교기 | |
| JPH05119110A (ja) | 直流測定器 | |
| US7109797B1 (en) | Method and apparatus for measuring the common-mode component of a differential signal | |
| US4171512A (en) | Circuit for preventing breakdown of a load resulting from wrong connection of a power source | |
| JPH11326441A (ja) | 半導体試験装置 | |
| JPH02181663A (ja) | 電流センス回路 | |
| JPS649594B2 (ja) | ||
| JPH0445297Y2 (ja) | ||
| KR920003805Y1 (ko) | 클램프 앰프의자기 기준전압 발생회로 | |
| JP2003014825A (ja) | 電源装置、及び試験装置 | |
| JP3075135B2 (ja) | Ｌｓｉテスタ | |
| US7141984B2 (en) | Switching circuit for current measurement range resistor and current measurement apparatus including switching circuit | |
| KR20040025189A (ko) | 고전압 집적 회로 장치를 테스트할 수 있는 로직 테스터장치 | |
| JP2596125Y2 (ja) | 演算増幅回路 | |
| JP2897941B2 (ja) | 抵抗測定用定電流回路 | |
| JPH07264038A (ja) | 電圧クランプ回路 |