JPH1079381A - 絶縁膜パターンの形成方法および感光性組成物 - Google Patents

絶縁膜パターンの形成方法および感光性組成物

Info

Publication number
JPH1079381A
JPH1079381A JP8233199A JP23319996A JPH1079381A JP H1079381 A JPH1079381 A JP H1079381A JP 8233199 A JP8233199 A JP 8233199A JP 23319996 A JP23319996 A JP 23319996A JP H1079381 A JPH1079381 A JP H1079381A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photosensitive composition
substituted
silicon polymer
formula
monomer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP8233199A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3529953B2 (ja
Inventor
Satoshi Mikoshiba
智 御子柴
Shuji Hayase
修二 早瀬
Yoshihiko Nakano
義彦 中野
Rikako Kawada
利佳子 川田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP23319996A priority Critical patent/JP3529953B2/ja
Priority to US08/921,613 priority patent/US6004730A/en
Publication of JPH1079381A publication Critical patent/JPH1079381A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3529953B2 publication Critical patent/JP3529953B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 アルカリ現像が可能で、高精度かつ低誘電率
の絶縁膜パターンを容易に形成し得る方法を提供しよう
とするものである。 【解決手段】 所定の単量体を有する第１珪素ポリマー
と所定の単量体を有する第２珪素ポリマーとを含む感光
性組成物を基板上に塗布して感光性組成物膜を形成する
工程と、前記感光性組成物膜に選択的に露光した後、ア
ルカリ現像する工程と、現像後の感光性組成物膜パター
ンを加熱処理する工程とを具備したことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置や液晶
表示装置などの電子素子の製造に適用される絶縁膜の形
成方法および感光性組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置や液晶表示装置の製造におい
ては、半導体素子、液晶表示素子の配線上に他の領域と
の絶縁性を保つために絶縁膜が形成されている。
【０００３】前記配線を覆う絶縁膜は、従来より(1) Ｃ
ＶＤ法により珪素化合物を堆積する方法、(2) テトラエ
トキシシランのようなアルコキシ基置換シランや分子量
が低いアルコキシ基含有シロキサンのオルガノシリカゾ
ルを塗布し、加熱乾燥する方法、等により形成されてい
る。
【０００４】ところで、前述した方法で形成された絶縁
膜にコンタクトホールを開孔してパターンを得る場合に
は、通常前記絶縁膜を形成した後、レジストパターンの
形成、このパターンをマスクとしたエッチング、レジス
トパターンの剥離という工程を経る必要がある。このた
め、工程が煩雑になり、絶縁膜パターンの形成のための
コストが高騰化する。
【０００５】また、塗布型のシリコン酸化膜の形成方法
としてはゾルゲル法などにより珪素系ポリマーを形成す
ることが知られている。この方法は、加熱によりシリコ
ン酸化膜にすることができるものの、露光、現像を行う
ことができない。また、この方法により形成された膜は
誘電率が４．０程度と大きくなる。このため、半導体素
子の微細化に伴う信号伝播速度の遅延を考慮すると誘電
率の大きな絶縁膜を用いることは問題がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、アルカリ現
像が可能で、高精度かつ低誘電率の絶縁膜パターンを容
易に形成し得る方法を提供しようとするものである。
【０００７】また、本発明は現像処理により低誘電率の
絶縁膜パターンを容易に形成し得る方法を提供しようと
するものである。
【０００８】さらに、本発明は前記絶縁膜パターンの形
成に好適な感光性組成物を提供しようとするものであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる絶縁膜パ
ターンの形成方法は、下記化２４に示す一般式（Ｉ）の
単量体を有する第１珪素ポリマーと下記化２５に示す一
般式（II）の単量体を有する第２珪素ポリマーとを含む
感光性組成物を基板上に塗布して感光性組成物膜を形成
する工程と、前記感光性組成物膜に選択的に露光した
後、現像する工程と、現像後の感光性組成物膜パターン
を加熱処理する工程とを具備したことを特徴とするもの
である。
【００１０】
【化２４】
【００１１】ただし、式中のＲ1 〜Ｒ3 は水素、置換も
しくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換
の芳香族基を示す。
【００１２】
【化２５】
【００１３】ただし、式中のＲ4 、Ｒ5 は水素、置換も
しくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換
の芳香族基を示す。
【００１４】本発明に係わる絶縁膜パターンの形成方法
は、下記化２６に示す一般式(III)の単量体を有する第
３珪素ポリマーと下記化２７に示す一般式（II）の単量
体を有する第２珪素ポリマーとを含む感光性組成物を基
板上に塗布して感光性組成物膜を形成する工程と、前記
感光性組成物膜に選択的に露光した後、アルカリ現像す
る工程と、現像後の感光性組成物膜パターンを加熱処理
する工程とを具備したことを特徴とするものである。
【００１５】
【化２６】
【００１６】ただし、式中のＲ6 は水素、置換もしくは
無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族基ま
たはシロキサン結合を示す。
【００１７】
【化２７】
【００１８】ただし、式中のＲ4 、Ｒ5 は水素、置換も
しくは非置換のアルキル基、または置換もしくは非置換
の芳香族基を示す。
【００１９】本発明に係わる絶縁膜パターンの形成方法
は、下記化２８に示す一般式（Ｉ）の単量体を有する第
１珪素ポリマーと、下記化２９に示す一般式 (III)の単
量体を有する第３珪素ポリマーと、下記化３０に示す一
般式（II）の単量体を有する第２珪素ポリマーとを含む
感光性組成物を基板上に塗布して感光性組成物膜を形成
する工程と、前記感光性組成物膜に選択的に露光した
後、現像する工程と、現像後の感光性組成物膜パターン
を加熱処理する工程とを具備したことを特徴とするもの
である。
【００２０】
【化２８】
【００２１】ただし、式中のＲ1 〜Ｒ3 は水素、置換も
しくは無置換のアルキル基、または置換もしくは非置換
の芳香族基を示す。
【００２２】
【化２９】
【００２３】ただし、式中のＲ6 は水素、置換もしくは
無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族基、
またはシロキサン結合を示す。
【００２４】
【化３０】
【００２５】ただし、式中のＲ4 、Ｒ5 は水素、置換も
しくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換
の芳香族基を示す。
【００２６】また、本発明に係わる別の絶縁膜パターン
の形成方法は下記化３１に示す一般式（Ｉ）の単量体を
有する第１珪素ポリマーと下記化３２に示す一般式（I
I）の単量体を有する第２珪素ポリマーとを含む感光性
組成物を基板上に塗布して感光性組成物膜を形成する工
程と、前記感光性組成物膜に選択的に露光した後、加熱
処理する工程と、前記感光性組成物膜を現像する工程
と、現像後の感光性組成物膜パターンを加熱処理する工
程とを具備したことを特徴とする絶縁膜パターンの形成
方法。
【００２７】
【化３１】
【００２８】ただし、式中のＲ1 〜Ｒ3 は水素、置換も
しくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換
の芳香族基を示す。
【００２９】
【化３２】
【００３０】ただし、式中のＲ4 、Ｒ5 は水素、置換も
しくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換
の芳香族基を示す。
【００３１】本発明に係わる別の絶縁膜パターンの形成
方法は、下記化３３に示す一般式(III) の単量体を有す
る第３珪素ポリマーと下記化３４に示す一般式（II）の
単量体を有する第２珪素ポリマーとを含む感光性組成物
を基板上に塗布して感光性組成物膜を形成する工程と、
前記感光性組成物膜に選択的に露光した後、加熱処理す
る工程と、前記感光性組成物膜を現像する工程と、現像
後の感光性組成物膜パターンを加熱処理する工程とを具
備したことを特徴とする絶縁膜パターンの形成方法。
【００３２】
【化３３】
【００３３】ただし、式中のＲ6 は水素、置換もしくは
無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族基ま
たはシロキサン結合を示す。
【００３４】
【化３４】
【００３５】ただし、式中のＲ4 、Ｒ5 は水素、置換も
しくは非置換のアルキル基、または置換もしくは非置換
の芳香族基を示す。
【００３６】本発明に係わる別の絶縁膜パターンの形成
方法は、下記化３５に示す一般式（Ｉ）の単量体を有す
る第１珪素ポリマーと、下記化３６に示す一般式(III)
の単量体を有する第３珪素ポリマーと、下記化３７に示
す一般式（II）の単量体を有する第２珪素ポリマーとを
含む感光性組成物を基板上に塗布して感光性組成物膜を
形成する工程と、前記感光性組成物膜に選択的に露光し
た後、加熱処理する工程と、前記感光性組成物膜を現像
する工程と、現像後の感光性組成物膜パターンを加熱処
理する工程とを具備したことを特徴とする絶縁膜パター
ンの形成方法。
【００３７】
【化３５】
【００３８】ただし、式中のＲ1 〜Ｒ3 は水素、置換も
しくは無置換のアルキル基、または置換もしくは非置換
の芳香族基を示す。
【００３９】
【化３６】
【００４０】ただし、式中のＲ6 は水素、置換もしくは
無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族基、
またはシロキサン結合を示す。
【００４１】
【化３７】
【００４２】ただし、式中のＲ4 、Ｒ5 は水素、置換も
しくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換
の芳香族基を示す。
【００４３】本発明に係わるさらに別の絶縁膜パターン
の形成方法は、下記化３８に示す一般式（Ｉ）の単量体
を有する第１珪素ポリマーおよび下記化３９に示す一般
式(III) の単量体を有する第３珪素ポリマーから選ばれ
る少なくと１種の珪素ポリマーを含む感光性組成物を基
板上に塗布して感光性組成物膜を形成する工程と、前記
感光性組成物膜に選択的に露光した後、アルカリ現像す
る工程と、現像後の感光性組成物膜パターンを加熱処理
する工程とを具備したことを特徴とするものである。
【００４４】
【化３８】
【００４５】ただし、式中のＲ1 〜Ｒ3 は水素、置換も
しくは無置換のアルキル基、または置換もしくは非置換
の芳香族基を示す。
【００４６】
【化３９】
【００４７】ただし、式中のＲ6 は水素、置換もしくは
無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族基、
またはシロキサン結合を示す。
【００４８】さらに、本発明に係わる感光性組成物は下
記化４０に示す一般式（Ｉ）の単量体を有する第１珪素
ポリマーと下記化４１に示す一般式（II）の単量体を有
する第２珪素ポリマーとを含むことを特徴とするもので
ある。
【００４９】
【化４０】
【００５０】ただし、式中のＲ1 〜Ｒ3 は水素、置換も
しくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換
の芳香族基を示す。
【００５１】
【化４１】
【００５２】ただし、式中のＲ4 、Ｒ5 は水素、置換も
しくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換
の芳香族基を示す。
【００５３】本発明に係わる別の感光性組成物は、下記
化４２に示す一般式（Ｉ）の単量体を有する第１珪素ポ
リマーと、下記化４３に示す一般式(III) の単量体を有
する第３珪素ポリマーと、下記化４４に示す一般式（I
I）の単量体を有する第２珪素ポリマーとを含むことを
特徴とするものである。
【００５４】
【化４２】
【００５５】ただし、式中のＲ1 〜Ｒ3 は水素、置換も
しくは無置換のアルキル基、または置換もしくは非置換
の芳香族基を示す。
【００５６】
【化４３】
【００５７】ただし、式中のＲ6 は水素、置換もしくは
無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族基、
またはシロキサン結合を示す。
【００５８】
【化４４】
【００５９】ただし、式中のＲ4 、Ｒ5 は水素、置換も
しくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換
の芳香族基を示す。
【００６０】本発明に係わるさらに別の感光性組成物
は、下記化４５に示す一般式(III) の単量体を有する第
３珪素ポリマーと下記化４６に示す一般式（IV）の単量
体を有する第４珪素ポリマーとを含むことを特徴とする
ものである。
【００６１】
【化４５】
【００６２】ただし、式中のＲ6 は水素、置換もしくは
無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族基、
またはシロキサン結合を示す。
【００６３】
【化４６】
【００６４】ただし、式中のＲ7 は水素、置換もしくは
非置換のアルキル基、または置換もしくは非置換の芳香
族基を示す。
【００６５】
【発明の実施の形態】本発明に係わる絶縁膜パターンの
形成方法を詳細に説明する。
【００６６】（第１工程）まず、以下に詳述する感光性
組成物（ａ）〜（ｄ）を基板上に例えばスピンコート法
等により塗布した後、乾燥することにより感光性組成物
膜をそれぞれ形成する。
【００６７】感光性組成物（ａ） この感光性組成物は、前記一般式（Ｉ）の単量体を有す
る第１珪素ポリマーと、前記一般式（II）の単量体を有
する第２珪素ポリマーとを含有し、有機溶媒で溶解され
た溶液状をなす。
【００６８】前記第１珪素ポリマーとしては、前記一般
式（Ｉ）の単量体を繰り返し単位とするホモポリマー、
または前記一般式（Ｉ）の単量体とこの単量体と異なる
単量体とのオリゴマーを挙げることができる。このよう
な第１珪素ポリマーは、２００〜１００，０００の分子
量、より好ましくは２００〜１０，０００の分子量を有
することが望ましい。前記第１珪素ポリマーの分子量を
２００未満にすると、形成された絶縁膜の耐久性が低下
する恐れがある。一方、前記第１珪素ポリマーの分子量
が１００，０００を越えると溶媒可溶性が低下する恐れ
がある。前記第１珪素ポリマーは、下記化４７〜化５２
に示す（Ａ−１）〜（Ａ−５０）のものを用いることが
できる。
【００６９】
【化４７】
【００７０】
【化４８】
【００７１】
【化４９】
【００７２】
【化５０】
【００７３】
【化５１】
【００７４】
【化５２】
【００７５】前記第２珪素ポリマーとしては、前記一般
式（II）の単量体を繰り返し単位とするホモポリマー、
または前記一般式（II）の単量体とこの単量体と異なる
単量体とのオリゴマーを挙げることができる。このよう
な第２珪素ポリマーは、２００〜１００，０００の分子
量、より好ましくは２００〜１０，０００の分子量を有
することが望ましい。前記第２珪素ポリマーの分子量を
２００未満にすると、形成された絶縁膜の耐久性が低下
する恐れがある。一方、前記第２珪素ポリマーの分子量
が１００，０００を越えると溶媒可溶性が低下する恐れ
がある。前記第２珪素ポリマーは、下記化５３〜化５５
に示す（Ｂ−１）〜（Ｂ−２４）のものを用いることが
できる。特に、前記第２珪素ポリマーとしては下記化５
４および化５５に列挙される中の（Ｂ−１５）〜（Ｂ−
２４）で表される珪素ポリマー［前記一般式（IV）で表
されるＳｉにＨが結合された第４珪素ポリマー］を用い
ることが好ましい。このような珪素ポリマーは、後述す
る露光工程においてＳｉラジカルおよびシラノール基
（Ｓｉ−ＯＨ）の発生量を増大できるため、アルカリ現
像に際し、精度の高いパターン形成が可能になる。
【００７６】
【化５３】
【００７７】
【化５４】
【００７８】
【化５５】
【００７９】前記第１珪素ポリマーと前記第２珪素ポリ
マーとの混合割合は、ポジ型の絶縁膜パターンを形成す
る場合には重量比率で１：９９〜９９：１、ネガ型の絶
縁膜パターンを形成する場合には重量比率で５０：５０
〜９９．９９：０．０１にすることが好ましい。
【００８０】前記有機溶媒としては、例えばトルエン、
キシレン等を用いることができる。
【００８１】前記感光性組成物（ａ）は、前記一般式
（Ｉ）の単量体と前記一般式（II）の単量体との共重合
体を珪素ポリマーとして含有することを許容する。この
ような共重合体としては、例えば下記化５６に示すもの
を用いることができる。
【００８２】
【化５６】
【００８３】感光性組成物（ｂ） この感光性組成物は、前記一般式(III) の単量体を有す
る第３珪素ポリマーと前記一般式（II）の単量体を有す
る第２珪素ポリマーとを含有し、有機溶媒で溶解された
溶液状をなす。
【００８４】前記第３珪素ポリマーとしては、前記一般
式(III) の単量体を繰り返し単位とするホモポリマー、
または前記一般式(III) の単量体とこの単量体と異なる
単量体とのオリゴマーを挙げることができる。このよう
な第３珪素ポリマーは、２００〜１００，０００の分子
量、より好ましくは２００〜１０，０００の分子量を有
することが望ましい。前記第３珪素ポリマーの分子量を
２００未満にすると、形成された絶縁膜の耐久性が低下
する恐れがある。一方、前記第３珪素ポリマーの分子量
が１００，０００を越えると溶媒可溶性が低下する恐れ
がある。前記第３珪素ポリマーは、下記化５７〜化５９
に示す（Ｃ−１）〜（Ｃ−１９）のものを用いることが
できる。より好ましい第３珪素ポリマーは、下記化５７
のＣ−１で表されるハイドロゲンシルセスキオキサン樹
脂である。
【００８５】
【化５７】
【００８６】
【化５８】
【００８７】
【化５９】
【００８８】前記第２珪素ポリマーは、前記感光性組成
物（ａ）で説明したのと同様なものが用いられる。特
に、前記第２珪素ポリマーとしては前記化５４および化
５５に列挙される中の（Ｂ−１５）〜（Ｂ−２４）で表
される珪素ポリマー［前記一般式（IV）で表されるＳｉ
にＨが結合された第４珪素ポリマー］を用いることが好
ましい。このような珪素ポリマーは、後述する露光工程
においてＳｉラジカルおよびシラノール基（Ｓｉ−Ｏ
Ｈ）の発生量を増大できるため、アルカリ現像に際し、
精度の高いパターン形成が可能になる。
【００８９】前記第３珪素ポリマーと前記第２珪素ポリ
マーとの混合割合は、ポジ型の絶縁膜パターンを形成す
る場合には重量比率で１：９９〜９９：１、ネガ型の絶
縁膜パターンを形成する場合には重量比率で５０：５０
〜９９．９９：０．０１、にすることが好ましい。
【００９０】前記有機溶媒としては、例えばトルエン、
キシレン等を用いることができる。
【００９１】前記感光性組成物（ｂ）は、前記一般式(I
II) の単量体と前記一般式（II）の単量体との共重合体
を珪素ポリマーとして含有することを許容する。このよ
うな共重合体としては、例えば下記化６０に示すものを
用いることができる。
【００９２】
【化６０】
【００９３】感光性組成物（ｃ） この感光性組成物は、前記一般式（Ｉ）の単量体を有す
る第１珪素ポリマーと、前記一般式(III) の単量体を有
する第３珪素ポリマーと、前記一般式（II）の単量体を
有する第２珪素ポリマーとを含有し、有機溶媒で溶解さ
れた溶液状をなす。
【００９４】前記第１、第２の珪素ポリマーは、前記感
光性組成物（ａ）で説明したのと同様なものが用いられ
る。前記第２珪素ポリマーは、特に前記化５４および化
５５に列挙される中の（Ｂ−１５）〜（Ｂ−２４）で表
される珪素ポリマー［前記一般式（IV）で表されるＳｉ
にＨが結合された第４珪素ポリマー］を用いることが好
ましい。
【００９５】前記第３珪素ポリマーは、前記感光性組成
物（ｂ）で説明したのと同様なものが用いられる。特
に、前記化５７のＣ−１で表されるハイドロゲンシルセ
スキオキサン樹脂が好ましい。
【００９６】前記第１珪素ポリマーと第３珪素ポリマー
の合計量と前記第２珪素ポリマーとの混合割合は、ポジ
型の絶縁膜パターンを形成する場合には重量比率で９
９：１〜１：９９、ネガ型の絶縁膜パターンを形成する
場合には重量比率で５０：５０〜９９．９９：０．０
１、にすることが好ましい。
【００９７】前記有機溶媒としては、例えばトルエン、
キシレン等を用いることができる。
【００９８】前記感光性組成物（ｃ）は、前記一般式
（Ｉ）の単量体、前記一般式(III) の単量体および前記
一般式（II）の単量体の共重合体を珪素ポリマーとして
含有することを許容する。このような共重合体として
は、例えば下記化６１に示すものを用いることができ
る。
【００９９】
【化６１】
【０１００】感光性組成物（ｄ） この感光性組成物は、前記一般式（Ｉ）の単量体を有す
る第１珪素ポリマーおよび前記一般式(III) の単量体を
有する第３珪素ポリマーから選ばれる少なくとも１種の
珪素ポリマーを含有し、有機溶媒で溶解された溶液状を
なす。
【０１０１】前記第１の珪素ポリマーは、前記感光性組
成物（ａ）で説明したのと同様なものが用いられる。
【０１０２】前記第３珪素ポリマーは、前記感光性組成
物（ｂ）で説明したのと同様なものが用いられる。特
に、前記化５７のＣ−１で表されるハイドロゲンシルセ
スキオキサン樹脂が好ましい。
【０１０３】前記第１珪素ポリマーと第３珪素ポリマー
の混合物を含む感光性組成物におい手、前記第１珪素ポ
リマーと第３珪素ポリマーの混合比率は任意である。
【０１０４】前記有機溶媒としては、例えばトルエン、
キシレン等を用いることができる。
【０１０５】前記基板としては、例えば表面に配線が形
成された半導体基板、同配線が形成されたガラス基板等
を用いることができる。
【０１０６】前記感光性組成物（ａ）〜（ｃ）中には、
前記一般式（II）の単量体にフェノール、カルボン酸残
基やエーテル結合を有する単量体を共重合させ珪素系樹
脂またはフェノール系樹脂が混合されることを許容す
る。このような珪素系樹脂またはフェノール系樹脂は、
前記感光性組成物中に９５重量％以下、より好ましくは
１０〜９０重量％混合されることが望ましい。前記珪素
系樹脂またはフェノール系樹脂が９５重量％を越える
と、高精度の絶縁膜パターンの形成が困難になる。
【０１０７】（第２工程）前記基板上の前記感光性組成
物膜を選択的に露光した後、現像して感光性組成物膜パ
ターンを形成する。
【０１０８】前記露光は、波長が１５０〜４００ｎｍ、
より好ましくは１９０〜３００ｎｍの光を用いて行うこ
とが望ましい。露光時の照射量は、１０ｍＪ／ｃｍ2 〜
１０Ｊ／ｃｍ2 、より好ましくは１００ｍＪ／ｃｍ2 〜
３Ｊ／ｃｍ2 にすることが望ましい。
【０１０９】前記現像工程において、感光性組成物とし
て前記感光性組成物（ａ）、（ｃ）を用いた場合にはア
ルカリ現像液または有機溶媒の現像液を用いることがで
きる。また、前記現像工程において感光性組成物として
前記感光性組成物（ｂ）、（ｄ）を用いた場合にはアル
カリ現像液のみが用いられる。前記アルカリ現像液とし
ては、例えばテトロメチルアンモニウムヒドロキシド、
コリンなどの有機アミンの水溶液、ＫＯＨ、ＮａＯＨな
どの無機アルカリの水溶液を挙げることができる。前記
有機溶媒としては、例えばトルエン、キシレンなどの芳
香族系溶媒、またはメタノール、エタノールなどのアル
コール系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケ
トン系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなど
のケトン系溶媒等の極性溶媒を挙げることができる。た
だし、前記感光性組成物（ａ）、（ｃ）を用いた場合で
もパターンの膨潤を抑制して高精度のパターン形成が可
能なアルカリ現像を用いることが好ましい。
【０１１０】（第３工程）現像後の感光性組成物膜パタ
ーンを必要に応じて全面露光した後、加熱処理すること
により絶縁膜パターンを形成する。
【０１１１】前記全面露光は、前記選択露光と同様な波
長の光が用いられる。
【０１１２】前記加熱処理は、１００〜６００℃、好ま
しくは２００〜５００℃の温度で行うことが望ましい。
【０１１３】前記全面露光後で前記加熱処理前におい
て、前記感光性組成物膜パターンが形成された基板をＺ
ｒ、Ａｌ、Ｔｉなどの金属アルコキシドのゾルに浸漬す
ることを許容する。
【０１１４】以上説明した本発明によれば、感光性組成
物（ａ）〜（ｃ）を基板上にそれぞれ塗布、乾燥した
後、選択的に露光することにより、各感光性組成物膜の
中の前記一般式（II）で表される単量体を含む第２珪素
ポリマーからＳｉラジカルおよびシラノール（Ｓｉ−Ｏ
Ｈ）が選択的に発生する。
【０１１５】前記感光性組成物（ａ）〜（ｃ）中の前記
第２珪素ポリマーの配合量が少ない場合には、前記Ｓｉ
ラジカルにより他の配合成分である前記一般式（Ｉ）で
表される単量体を含む第１珪素ポリマーおよび／または
前記一般式(III) で表される単量体を含む第３珪素ポリ
マーが前記露光部において架橋して現像液に対して不溶
になり、未露光部が現像液に対して可溶になる。その結
果、露光後のアルカリ水溶液または有機溶媒を用いた現
像によって、前記各感光性組成物膜の未露光部が選択的
に溶解除去されてネガ型の感光性組成物膜パターンがそ
れぞれ形成される。ただし、感光性組成物（ｂ）を用い
た場合には現像液としてアルカリ水溶液を使用する必要
がある。
【０１１６】一方、前記感光性組成物（ａ）〜（ｃ）中
の前記第２珪素ポリマーの配合量が多い場合には、露光
により発生したシラノール（Ｓｉ−ＯＨ）の現像液に対
する可溶性が支配的になるため、露光後のアルカリ水溶
液または有機溶媒を用いる現像によって前記各感光性組
成物膜の露光部が選択的に溶解除去されてポジ型の感光
性組成物膜パターンがそれぞれ形成される。ただし、感
光性組成物（ｂ）を用いた場合には現像液としてアルカ
リ水溶液を使用する必要がある。
【０１１７】前記現像処理後、各感光性組成物膜パター
ンを必要に応じて全面露光することにより全体にシラノ
ール（Ｓｉ−ＯＨ）が生成され、この後に加熱処理する
ことによってパターン全体に高い架橋密度のシロキサン
結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）が生成される。この加熱処理を
窒素雰囲気中で行えば、（Ｓｉ−Ｎ）結合が残存する。
【０１１８】したがって、感光性組成物膜パターン形成
後の加熱処理によって、ガラスマトリックスからなり、
基板への密着性が高く、かつ良好な耐熱性および低誘電
率を有する高精度の絶縁膜パターンを容易に形成するこ
とができる。また、感光性組成物膜パターンの膨潤を抑
制するアルカリ現像を適用することによりより高精度の
絶縁膜パターンを容易に形成することができる。
【０１１９】特に、感光性組成物（ａ）〜（ｃ）の一成
分である前記第２珪素ポリマーとしてＳｉにＨが結合さ
れたものを用いると、露光時に前記第２珪素ポリマーか
ら多くのＳｉラジカルおよびシラノール基（Ｓｉ−Ｏ
Ｈ）を発生できるため、ネガ型のパターンを形成する際
の露光部における架橋性を高め、一方ポジ型のパターン
を形成するための露光部の現像液（好ましくはアルカリ
水溶液）に対する可溶性が高められる。その結果、露光
後の現像により高精度のネガ型の感光性組成物膜パター
ン、ポジ型の感光性組成物膜パターンを形成することが
可能になる。
【０１２０】また、前記感光性組成物（ｂ）において一
般式(III) の単量体を含む第３珪素ポリマーが前記化５
７のＣ−１で表されるハイドロゲンシルセスキオキサン
樹脂で、前記第２珪素ポリマーが前記化５４および化５
５に列挙される中の（Ｂ−１５）〜（Ｂ−２４）で表さ
れる珪素ポリマー［前記一般式（IV）で表されるＳｉに
Ｈが結合された第４珪素ポリマー］である組成のもの
は、前記露光時に前記第２珪素ポリマーのみならず、第
３珪素ポリマーからもＳｉラジカルおよびシラノール基
（Ｓｉ−ＯＨ）が生じるため、現像（特にアルカリ現
像）により一層高精度の感光性組成物膜パターンを形成
することができる。
【０１２１】さらに、前記全面露光後で前記加熱処理前
にＺｒ、Ａｌ、Ｔｉなどの金属アルコキシドのゾルに浸
漬することによって、前記全面露光で生成されたシラノ
ール（Ｓｉ−ＯＨ）とＺｒ、Ａｌ、Ｔｉなどの金属が結
合し、その後の加熱処理により架橋密度が極めて高く、
基板への密着性、耐熱性がさらに向上された低誘電率の
絶縁膜パターンを形成することができる。
【０１２２】一方、前記感光性組成物（ｄ）を基板上に
塗布、乾燥した後、選択的に露光することにより、前記
感光性組成物の配合成分である前記一般式（Ｉ）で表さ
れる単量体を含む第１珪素ポリマーおよび／または前記
一般式(III) で表される単量体を含む第３珪素ポリマー
が前記露光部において架橋してアルカリ水溶液に対して
不溶になり、未露光部がアルカリ水溶液に対して可溶に
なる。その結果、露光後のアルカリ水溶液を用いた現像
によって、前記感光性組成物膜の未露光部が選択的に溶
解除去されてネガ型の感光性組成物膜パターンが形成さ
れる。
【０１２３】前記現像処理後、感光性組成物膜パターン
を加熱処理することによってパターン全体に高い架橋密
度のシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）が生成される。
この加熱処理を窒素雰囲気中で行えば、（Ｓｉ−Ｎ）結
合が残存する。
【０１２４】したがって、感光性組成物膜パターンの膨
潤を抑制するアルカリ現像の適用、感光性組成物膜パタ
ーン形成後の加熱処理によって、ガラスマトリックスか
らなり、基板への密着性が高く、かつ良好な耐熱性およ
び低誘電率を有する高精度の絶縁膜パターンを容易に形
成することができる。
【０１２５】特に、一般式(III) の単量体を含む第３珪
素ポリマーとして前記化５７のＣ−１で表されるハイド
ロゲンシルセスキオキサン樹脂を含む感光性組成物を用
いると、露光時におけるＳｉラジカルの生成量を増大で
き、露光部の架橋度合を高めることができるため、アル
カリ現像により一層高精度の感光性組成物膜パターンを
形成することができる。
【０１２６】次に、本発明に係わる別の絶縁膜パターン
の形成方法を詳細に説明する。
【０１２７】（第１工程）まず、前述した感光性組成物
（ａ）〜（ｃ）を基板上に例えばスピンコート法等によ
り塗布した後、乾燥することにより感光性組成物膜を形
成する。
【０１２８】前記感光性組成物（ａ）〜（ｃ）中には、
さらに有機金属化合物が配合されることを許容する。前
記有機金属化合物としては、例えばアルミニウム、チタ
ン、クロム、ジルコニウム、銅、鉄、マンガン、ニッケ
ル、バナジウム、コバルト等の金属に各種の有機基が直
接結合したもの、または前記金属の錯体を挙げることが
できる。これらの有機金属化合物のうち、有機ジルコニ
ウム化合物、有機アルミニウム化合物、有機チタン化合
物が有用であり、特に金属原子に以下に説明する１）ア
ルコキシ基、２）フェノキシ基、３）アシルオキシ配位
子、４）β−ジケトン配位子、５）ｏ−カルボニルフェ
ノラート配位子等が結合した錯体化合物が好ましい。
【０１２９】１）アルコキシ基 アルコキシ基としては、炭素数１〜１０のものが好まし
く、例えばメトキシ基、イソプロポキシ基、ペントオキ
シ基が挙げられる。
【０１３０】２）フェノキシ基 フェノキシ基としては、例えばフェノキシ基、ｏ−メチ
ルフェノキシ基、ｏ−メトキシフェノキシ基、ｐ−ニト
ロフェノキシ基、２．６−ジメチルフェノキシ基等が挙
げられる。
【０１３１】３）アシルオキシ配位子 アシルオキシ配位子としては、例えばアセタト、プロピ
オナト、イソプロピナト、ブチラト、ステアラト、エチ
ルアセトアセタト、プロピルアセトアセタト、ブチルア
セトアセタト、ジエチルマラト、ジビバロイルメタナト
等を挙げることができる。
【０１３２】４）β−ジケトン配位子 β−ジケトン配位子としては、例えばアセチルアセトナ
ト、トリフルオロアセチルアセトナト、ヘキサフルオロ
アセチルアセトナト、下記化６２に示す（Ｄ−１）〜
（Ｄ−３）の配位子等を挙げることができる。
【０１３３】
【化６２】
【０１３４】５）ｏ−カルボニルフェノラート配位子 ｏ−カルボニルフェノラート配位子としては、例えばサ
リチルアルデヒダト等が挙げられる。
【０１３５】有機アルミニウム化合物の具体例としては
トリスメトキシアルミニウム、トリエトキシアルミニウ
ム、トリイソプロポキシアルミニウム、トリスフェノキ
シアルミニウム、トリスパラメチルフェノキシアルミニ
ウム、イソプロポキシジエトキシアルミニウム、トリス
ブトキシアルミニウム、トリスアセトキシアルミニウ
ム、トリスイソオウロピオナトアルミニウム、トリスア
セチルアセトナトアルミニウム、トリストリフルオロア
セチルアセトナトアルミニウム、トリスヘキサフルオロ
アセチルアセトナトアルミニウム、トリスエチルアセチ
ルアセトナトアルミニウム、トリスジエチルマラトアル
ミニウム、トリスプロピルアセチルアセトナトアルミニ
ウム、トリスブチルアセトアセタナトアルミニウム、ト
リスジビバロイルメタナトアルミニウム、ジアセチルア
セタナトジビバロイルメタナトアルミニウム、または下
記化６３、化６４に示す（Ｅ−１）〜（Ｅ−６）の化合
物等を挙げることができる。
【０１３６】
【化６３】
【０１３７】
【化６４】
【０１３８】（第２工程）前記各感光性組成物膜をそれ
ぞれ選択的に露光し、加熱処理した後、有機溶媒で現像
することによりネガ型の絶縁膜パターンをそれぞれ形成
する。この後、必要に応じて加熱処理を施してもよい。
【０１３９】前記露光は、波長が１５０〜４００ｎｍ、
より好ましくは２００〜３００ｎｍの光を用いて行うこ
とが望ましい。露光時の照射量は、１０ｍＪ／ｃｍ2 〜
１０Ｊ／ｃｍ2 、より好ましくは１００ｍＪ／ｃｍ2 〜
３Ｊ／ｃｍ2 にすることが望ましい。
【０１４０】前記加熱処理は、１００〜１５０℃の温度
で行うことが好ましい。
【０１４１】前記有機溶媒としては、例えばトルエン、
キシレンなどの芳香族系溶媒、またはメタノール、エタ
ノールなどのアルコール系溶媒、アセトン、メチルエチ
ルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチ
ル、酢酸ブチルなどのケトン系溶媒等の極性溶媒を挙げ
ることができる。
【０１４２】前記絶縁膜パターン形成後の加熱処理は、
１００〜６００℃、好ましくは４００〜５００℃の温度
で行うことが望ましい。
【０１４３】以上説明した本発明の別の方法によれば、
感光性組成物（ａ）〜（ｃ）を基板上にそれぞれ塗布、
乾燥した後、選択的に露光することにより、各感光性組
成物膜の中の前記一般式（II）で表される単量体を含む
第２珪素ポリマーからシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）が選
択的に生成される。このような露光後に比較的低い温度
（例えば１００〜１５０℃）で加熱処理することによっ
て前記シラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）が選択的に架橋され
て有機溶媒に不溶な架橋密度を有するシロキサン結合
（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）が露光部に生成され、未露光部との
間で選択的な溶解性が現れる。つづいて、有機溶媒で現
像することにより未露光部が選択的に溶解除去されてネ
ガ型の絶縁膜パターンが形成される。この後、前記絶縁
膜パターンを比較的高い温度（例えば４００〜５００
℃）で加熱処理することによって前記パターン全体に高
い架橋密度のシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）が生成
される。この加熱処理を窒素雰囲気中で行えば、（Ｓｉ
−Ｎ）結合が残存する。
【０１４４】したがって、ガラスマトリックスからな
り、基板への密着性が高く、かつ良好な耐熱性、低誘電
率を有する高精度の絶縁膜パターンを容易に形成するこ
とができる。
【０１４５】また、前記感光性組成物中に有機金属化合
物を配合することによって、前記露光工程で光（例えば
紫外線）を吸収し、容易に開裂してＳｉ−Ｏと結合する
ため、露光感度や露光波長領域を拡大する触媒として機
能すると共に架橋剤としても機能する。その結果、より
高精度で基板に対して密着性が向上された絶縁膜パター
ンを形成することができる。
【０１４６】なお、前述したパターン形成方法および感
光性組成物は、絶縁膜パターンの形成のみならず、珪素
系多層レジスト等にも適用することができる。
【０１４７】
【実施例】以下、本発明の好ましい実施例を説明する。
【０１４８】（実施例１）まず、分子量１００００の前
記化４７に示すＡ−１の珪素ポリマー１０ｇおよび分子
量４０００の前記化５４に示すＢ−１５の珪素ポリマー
１０ｇとをキシレンに溶解して２０％濃度の溶液（感光
性組成物）を調製した。
【０１４９】次いで、図１の（ａ）に示すように基板１
上に幅２μｍ、厚さ１μｍのアルミニウム配線２を２μ
ｍのスペース幅で形成した。つづいて、図１の（ｂ）に
示すように前記アルミニウム配線２を含む基板１上に前
記感光性組成物をスピンコート法により塗布し、乾燥す
ることにより厚さ２μｍの感光性組成物膜３を形成し
た。
【０１５０】次いで、図１の（ｃ）に示すように低圧水
銀灯を光源とした紫外線をマスク４を通して前記感光性
組成物膜３に５００ｍＪ／ｃｍ2 の条件で選択的に露光
した。つづいて、２．３８％濃度、２５℃のテトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド水溶液で４０秒間現像する
ことにより露光部が溶解除去されてポジ型パターンが形
成された。つづいて、純水でリンスし、水分を加熱乾燥
した後、低圧水銀灯を光源とした紫外線を１Ｊ／ｃｍ2
の条件で全面露光し、さらに４５０℃で１時間加熱処理
することにより図１の（ｄ）に示すガラスマトリックス
からなり、前記配線２に対応する箇所に０．７μｍ×１
μｍの寸法のスルーホール５が開孔された絶縁膜パター
ン６を形成した。
【０１５１】得られた絶縁膜パターン６はクラック、膨
れなどが認められず、前記基板１に対して良好に密着
し、さらにスルーホール５の開口周辺にリフローなども
見られなかった。また、前記絶縁膜パターンの比抵抗を
測定したところ、５×１０14Ωｃｍを示した。
【０１５２】（実施例２）実施例１と同様な工程に従っ
て全面露光した後、アルミニウムアルコキシドのゾルに
浸漬し、さらに４５０℃で１時間加熱処理した。その結
果、実施例１に比べて基板により強固に密着した絶縁膜
パターンを形成することができた。
【０１５３】（実施例３）まず、分子量１００００の前
記化４７に示すＡ−１の珪素ポリマー１０ｇおよび分子
量４０００の前記化５４に示すＢ−１５の珪素ポリマー
０．２ｇとをキシレンに溶解して２０％濃度の溶液（感
光性組成物）を調製した。
【０１５４】次いで、基板上に幅２μｍ、厚さ１μｍの
アルミニウム配線を２μｍのスペース幅で形成した。つ
づいて、前記アルミニウム配線を含む基板上に前記感光
性組成物をスピンコート法により塗布し、乾燥すること
により厚さ２μｍの感光性組成物膜を形成した。
【０１５５】次いで、低圧水銀灯を光源とした紫外線を
マスクを通して前記感光性組成物膜に５００ｍＪ／ｃｍ
2 の条件で選択的に露光した。つづいて、２．３８％濃
度、２５℃のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液で４０秒間現像することにより未露光部が溶解除去
されてネガ型パターンが形成された。つづいて、純水で
リンスし、水分を加熱乾燥した後、低圧水銀灯を光源と
した紫外線を１Ｊ／ｃｍ2 の条件で全面露光し、さらに
４５０℃で１時間加熱処理することによりガラスマトリ
ックスからなり、前記配線に対応する箇所に０．７μｍ
×１μｍの寸法のスルーホールが開孔された絶縁膜パタ
ーンを形成した。
【０１５６】得られた絶縁膜パターンはクラック、膨れ
などが認められず、前記基板に対して良好に密着し、さ
らにスルーホールの開口周辺にリフローなども見られな
かった。また、前記絶縁膜パターンの比抵抗を測定した
ところ、５×１０14Ωｃｍを示した。
【０１５７】（実施例４）まず、分子量３００の前記化
４７に示すＡ−１の珪素ポリマー１０ｇおよび分子量４
０００の前記化５４に示すＢ−１５の珪素ポリマー１０
ｇとをキシレンに溶解して２０％濃度の溶液（感光性組
成物）を調製した。
【０１５８】次いで、前述した図１の（ａ）に示すよう
に基板１上に幅２μｍ、厚さ１μｍのアルミニウム配線
２を２μｍのスペース幅で形成した。つづいて、前述し
た図１の（ｂ）に示すように前記アルミニウム配線２を
含む基板１上に前記感光性組成物をスピンコート法によ
り塗布し、乾燥することにより厚さ２μｍの感光性組成
物膜３を形成した。
【０１５９】次いで、前述した図１の（ｃ）に示すよう
に低圧水銀灯を光源とした紫外線をマスク４を通して前
記感光性組成物膜３に５００ｍＪ／ｃｍ2 の条件で選択
的に露光した。つづいて、２．３８％濃度、２５℃のテ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で４０秒間
現像してポジ型パターンを形成した、つづいて、純水で
リンスし、水分を加熱乾燥した後、低圧水銀灯を光源と
した紫外線を１Ｊ／ｃｍ2 の条件で全面露光し、さらに
４５０℃で１時間加熱処理することにより前述した図１
の（ｄ）に示すガラスマトリックスからなり、前記配線
２に対応する箇所に０．７μｍ×１μｍの寸法のスルー
ホール５が開孔された絶縁膜パターン６を形成した。
【０１６０】得られた絶縁膜パターン６はクラック、膨
れなどが認められず、前記基板１に対して良好に密着
し、さらにスルーホール５の開口周辺にリフローなども
見られなかった。また、前記絶縁膜パターンの比抵抗を
測定したところ、５×１０14Ωｃｍを示した。
【０１６１】（実施例５）実施例４と同様な工程に従っ
て全面露光した後、アルミニウムアルコキシドのゾルに
浸漬し、さらに４５０℃で１時間加熱処理した。その結
果、実施例６に比べて基板により強固に密着した絶縁膜
パターンを形成することができた。
【０１６２】（実施例６）まず、分子量３０００の前記
化４７に示すＡ−３の珪素ポリマー１０ｇおよび分子量
４０００の前記化５４に示すＢ−１５の珪素ポリマー
０．２ｇとをキシレンに溶解して２０％濃度の溶液（感
光性組成物）を調製した。
【０１６３】次いで、基板上に幅２μｍ、厚さ１μｍの
アルミニウム配線を２μｍのスペース幅で形成した。つ
づいて、前記アルミニウム配線を含む基板上に前記感光
性組成物をスピンコート法により塗布し、乾燥すること
により厚さ２μｍの感光性組成物膜を形成した。
【０１６４】次いで、低圧水銀灯を光源とした紫外線を
マスクを通して前記感光性組成物膜に５００ｍＪ／ｃｍ
2 の条件で選択的に露光した。つづいて、２．３８％濃
度、２５℃のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液で４０秒間現像することにより未露光部が溶解除去
されてネガ型パターンが形成された。つづいて、純水で
リンスし、水分を加熱乾燥した後、低圧水銀灯を光源と
した紫外線を１Ｊ／ｃｍ2 の条件で全面露光し、さらに
４５０℃で１時間加熱処理することによりガラスマトリ
ックスからなり、前記配線に対応する箇所に０．７μｍ
×１μｍの寸法のスルーホールが開孔された絶縁膜パタ
ーンを形成した。
【０１６５】得られた絶縁膜パターンはクラック、膨れ
などが認められず、前記基板に対して良好に密着し、さ
らにスルーホールの開口周辺にリフローなども見られな
かった。また、前記絶縁膜パターンの比抵抗を測定した
ところ、５×１０14Ωｃｍを示した。
【０１６６】（実施例７）まず、分子量９０００の前記
化５７に示すＣ−１の珪素ポリマー１０ｇおよび分子量
４０００の前記化５４に示すＢ−１５の珪素ポリマー
０．２ｇとをメチルイソブチルケトンに溶解して２０％
濃度の溶液（感光性組成物）を調製した。
【０１６７】得られた感光性組成物をシリコンウェハ上
にスピンコート法により塗布し、１００℃で１分間ベー
クすることにより厚さ２μｍの感光性組成物膜を形成し
た。つづいて、この感光性組成物膜にＡｒＦレーザを５
００ｍＪ／ｃｍ2 の条件で選択的に照射して露光した
後、２．３８％濃度、２５℃のテトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド水溶液で１分間現像することにより未露
光部が溶解除去されて幅２μｍのネガ型パターンが形成
された。ひきつづき、３００℃で１時間加熱処理するこ
とによりシロキサン結合を含むガラスマトリックスから
なる絶縁膜パターンを形成した。
【０１６８】得られた絶縁膜パターンは、クラック、膨
れなどが認められず、前記シリコンウェハに対して良好
に密着し、かつ比抵抗は１０×１０15Ωｃｍ以上であっ
た。
【０１６９】（実施例８）まず、分子量１０００の前記
化５７に示すＣ−１の珪素ポリマー１０ｇおよび分子量
１１００の前記化５４に示すＢ−１５の珪素ポリマー
０．２ｇとをメチルイソブチルケトンに溶解して２０％
濃度の溶液（感光性組成物）を調製した。
【０１７０】得られた感光性組成物をシリコンウェハ上
にスピンコート法により塗布し、１００℃で１分間ベー
クすることにより厚さ２μｍの感光性組成物膜を形成し
た。つづいて、この感光性組成物膜にＡｒＦレーザを５
００ｍＪ／ｃｍ2 の条件で選択的に照射して露光した
後、２．３８％濃度、２５℃のテトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド水溶液で１分間現像することにより未露
光部が溶解除去されて幅２μｍのネガ型パターンが形成
された。ひきつづき、低圧水銀灯を光源とした紫外線を
１Ｊ／ｃｍ2 の条件で全面露光し、さらに３００℃で１
時間加熱処理することによりシロキサン結合を含むガラ
スマトリックスからなる絶縁膜パターンを形成した。
【０１７１】得られた絶縁膜パターンは、クラック、膨
れなどが認められず、前記シリコンウェハに対して良好
に密着し、かつ比抵抗は１０×１０15Ωｃｍ以上であっ
た。
【０１７２】（実施例９）まず、分子量９０００の前記
化５７に示すＣ−１の珪素ポリマー１０ｇおよび分子量
１００００の前記化５３に示すＢ−３の珪素ポリマー
０．２ｇとをメチルイソブチルケトンに溶解して２０％
濃度の溶液（感光性組成物）を調製した。
【０１７３】得られた感光性組成物をシリコンウェハ上
にスピンコート法により塗布し、１００℃で１分間ベー
クすることにより厚さ２μｍの感光性組成物膜を形成し
た。つづいて、この感光性組成物膜にＡｒＦレーザを５
００ｍＪ／ｃｍ2 の条件で選択的に照射して露光した
後、２．３８％濃度、２５℃のテトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド水溶液で１分間現像することにより未露
光部が溶解除去されて幅２μｍのネガ型パターンが形成
された。ひきつづき、３００℃で１時間加熱処理するこ
とによりシロキサン結合を含むガラスマトリックスから
なる絶縁膜パターンを形成した。
【０１７４】得られた絶縁膜パターンは、クラック、膨
れなどが認められず、前記シリコンウェハに対して良好
に密着し、かつ比抵抗は１０×１０15Ωｃｍ以上であっ
た。
【０１７５】（実施例１０）まず、分子量９０００の前
記化５７に示すＣ−１の珪素ポリマー１０ｇおよび分子
量１００００の前記化５３に示すＢ−１の珪素ポリマー
０．２ｇとをメチルイソブチルケトンに溶解して２０％
濃度の溶液（感光性組成物）を調製した。
【０１７６】得られた感光性組成物をシリコンウェハ上
にスピンコート法により塗布し、１００℃で１分間ベー
クすることにより厚さ２μｍの感光性組成物膜を形成し
た。つづいて、この感光性組成物膜にＡｒＦレーザを５
００ｍＪ／ｃｍ2 の条件で選択的に照射して露光した
後、２．３８％濃度、２５℃のテトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド水溶液で１分間現像することにより未露
光部が溶解除去されて幅２μｍのネガ型パターンが形成
された。ひきつづき、３００℃で１時間加熱処理するこ
とによりシロキサン結合を含むガラスマトリックスから
なる絶縁膜パターンを形成した。
【０１７７】得られた絶縁膜パターンは、クラック、膨
れなどが認められず、前記シリコンウェハに対して良好
に密着し、かつ比抵抗は１０×１０15Ωｃｍ以上であっ
た。
【０１７８】（実施例１１）まず、分子量１００００の
前記化４７に示すＡ−１の珪素ポリマー５ｇ、分子量９
０００の前記化５７に示すＣ−１の珪素ポリマー５ｇお
よび分子量４０００の前記化５４に示すＢ−１５の珪素
ポリマー０．２ｇをトルエンに溶解して２０％濃度の溶
液（感光性組成物）を調製した。
【０１７９】得られた感光性組成物をシリコンウェハ上
にスピンコート法により塗布し、１００℃で１分間ベー
クすることにより厚さ２μｍの感光性組成物膜を形成し
た。つづいて、この感光性組成物膜にＡｒＦレーザを５
００ｍＪ／ｃｍ2 の条件で選択的に照射して露光した
後、２．３８％濃度、２５℃のテトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド水溶液で１分間現像することにより未露
光部が溶解除去されて幅２μｍのネガ型パターンが形成
された。ひきつづき、低圧水銀灯を光源とした紫外線を
１Ｊ／ｃｍ2 の条件で全面露光し、さらに３００℃で１
時間加熱処理することによりシロキサン結合を含むガラ
スマトリックスからなる絶縁膜パターンを形成した。
【０１８０】得られた絶縁膜パターンは、クラック、膨
れなどが認められず、前記シリコンウェハに対して良好
に密着し、かつ比抵抗は１０×１０15Ωｃｍ以上であっ
た。
【０１８１】（実施例１２）まず、分子量１００００の
前記化４７に示すＡ−１の珪素ポリマー５ｇ、分子量９
０００の前記化５７に示すＣ−１の珪素ポリマー５ｇお
よび分子量４０００の前記化５３に示すＢ−３の珪素ポ
リマー０．２ｇをトルエンに溶解して２０％濃度の溶液
（感光性組成物）を調製した。
【０１８２】得られた感光性組成物をシリコンウェハ上
にスピンコート法により塗布し、１００℃で１分間ベー
クすることにより厚さ２μｍの感光性組成物膜を形成し
た。つづいて、この感光性組成物膜にＡｒＦレーザを５
００ｍＪ／ｃｍ2 の条件で選択的に照射して露光した
後、２．３８％濃度、２５℃のテトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド水溶液で１分間現像することにより未露
光部が溶解除去されて幅２μｍのネガ型パターンが形成
された。ひきつづき、低圧水銀灯を光源とした紫外線を
１Ｊ／ｃｍ2 の条件で全面露光し、さらに３００℃で１
時間加熱処理することによりシロキサン結合を含むガラ
スマトリックスからなる絶縁膜パターンを形成した。
【０１８３】得られた絶縁膜パターンは、クラック、膨
れなどが認められず、前記シリコンウェハに対して良好
に密着し、かつ比抵抗は１０×１０15Ωｃｍ以上であっ
た。
【０１８４】（実施例１３）まず、図２の（ａ）に示す
ように基板１１上に幅２μｍ、厚さ１μｍのアルミニウ
ム配線１２を２μｍのスペース幅で形成した。つづい
て、図２の（ｂ）に示すように前記アルミニウム配線１
２を含む基板１１上に実施例１と同様な感光性組成物を
スピンコート法により塗布し、乾燥することにより厚さ
２μｍの感光性組成物膜１３を形成した。
【０１８５】次いで、図２の（ｃ）に示すように低圧水
銀灯を光源とした紫外線をマスク１４を通して前記感光
性組成物膜１３に５００ｍＪ／ｃｍ2 の条件で選択的に
露光した。つづいて１３０℃で１０分間加熱処理を施し
た後、キシレンで４０秒間現像することによりネガ型パ
ターンを形成した。ひきつづき、４５０℃で１時間加熱
処理することにより図２の（ｄ）に示すガラスマトリッ
クスからなり、前記配線１２に対応する箇所に０．７μ
ｍ×１μｍの寸法のスルーホール１５が開孔された絶縁
膜パターン１６を形成した。
【０１８６】得られた絶縁膜パターン１６はクラック、
膨れなどが認められず、前記基板１１に対して良好に密
着し、さらにスルーホール１５の開口周辺にリフローな
ども見られなかった。また、前記絶縁膜パターンの比抵
抗を測定したところ、５×１０14Ωｃｍを示した。
【０１８７】（実施例１４）まず、分子量２００００の
前記化４７に示すＡ−１の珪素ポリマー１０ｇおよび分
子量１００００の前記化５３に示すＢ−２の珪素ポリマ
ー１０ｇとをキシレンに溶解して２０％濃度の溶液にア
セチルアセナトジルコニウムを５重量％添加して感光性
組成物を調製した。
【０１８８】次いで、基板上に幅２μｍ、厚さ１μｍの
アルミニウム配線を２μｍのスペース幅で形成した。つ
づいて、前記アルミニウム配線を含む基板上に前記感光
性組成物をスピンコート法により塗布し、乾燥すること
により厚さ２μｍの感光性組成物膜を形成した。
【０１８９】次いで、低圧水銀灯を光源とした紫外線を
マスクを通して前記感光性組成物膜に２５０ｍＪ／ｃｍ
2 の条件で選択的に露光した。つづいて１５０℃で１０
分間加熱処理を施した後、キシレンで４０秒間現像する
ことにより前記配線に対応する箇所に０．７μｍ×１μ
ｍの寸法のスルーホールが開孔されたネガ型パターンを
形成した。ひきつづき、４５０℃で１時間加熱処理する
ことによりガラスマトリックスからなる絶縁膜パターン
を形成した。
【０１９０】得られた絶縁膜パターンはクラック、膨れ
などが認められず、前記基板に対して良好に密着し、さ
らに開口周辺にリフローなども見られないシャープな断
面形状を有するスルーホールが形成されていた。また、
前記絶縁膜パターンの比抵抗を測定したところ、２×１
０14Ωｃｍを示した。
【０１９１】（実施例１５）まず、前述した図２の
（ａ）に示すように基板１１上に幅２μｍ、厚さ１μｍ
のアルミニウム配線１２を２μｍのスペース幅で形成し
た。つづいて、前述した図２の（ｂ）に示すように前記
アルミニウム配線１２を含む基板１１上に実施例４と同
様な感光性組成物をスピンコート法により塗布し、乾燥
することにより厚さ２μｍの感光性組成物膜１３を形成
した。
【０１９２】次いで、前述した図２の（ｃ）に示すよう
に低圧水銀灯を光源とした紫外線をマスク１４を通して
前記感光性組成物膜１３に５００ｍＪ／ｃｍ2 の条件で
選択的に露光した。つづいて１３０℃で１０分間加熱処
理を施した後、キシレンで４０秒間現像することにより
ネガ型パターンを形成した。ひきつづき、４５０℃で１
時間加熱処理することにより前述した図２の（ｄ）に示
すガラスマトリックスからなり、前記配線１２に対応す
る箇所に０．７μｍ×１μｍの寸法のスルーホール１５
が開孔された絶縁膜パターン１６を形成した。
【０１９３】得られた絶縁膜パターン１６はクラック、
膨れなどが認められず、前記基板１１に対して良好に密
着し、さらにスルーホール１５の開口周辺にリフローな
ども見られなかった。また、前記絶縁膜パターンの比抵
抗を測定したところ、５×１０14Ωｃｍを示した。
【０１９４】（実施例１６）まず、分子量３００の前記
化４７に示すＡ−１の珪素ポリマー１０ｇおよび分子量
２００００の前記化５３に示すＢ−２の珪素ポリマー１
０ｇとをキシレンに溶解して２０％濃度の溶液にアセチ
ルアセナトジルコニウムを５重量％添加して感光性組成
物を調製した。
【０１９５】次いで、基板上に幅２μｍ、厚さ１μｍの
アルミニウム配線を２μｍのスペース幅で形成した。つ
づいて、前記アルミニウム配線を含む基板上に前記感光
性組成物をスピンコート法により塗布し、乾燥すること
により厚さ２μｍの感光性組成物膜を形成した。
【０１９６】次いで、低圧水銀灯を光源とした紫外線を
マスクを通して前記感光性組成物膜に２５０ｍＪ／ｃｍ
2 の条件で選択的に露光した。つづいて１５０℃で５分
間加熱処理を施した後、キシレンで４０秒間現像するこ
とにより前記配線に対応する箇所に０．７μｍ×１μｍ
の寸法のスルーホールが開孔されたネガ型パターンを形
成した。ひきつづき、４５０℃で１時間加熱処理するこ
とによりガラスマトリックスからなる絶縁膜パターンを
形成した。
【０１９７】得られた絶縁膜パターンはクラック、膨れ
などが認められず、前記基板に対して良好に密着し、さ
らに開口周辺にリフローなども見られないシャープな断
面形状を有するスルーホールが形成されていた。また、
前記絶縁膜パターンの比抵抗を測定したところ、２×１
０14Ωｃｍを示した。
【０１９８】（実施例１７）まず、分子量２００００の
前記化４７に示すＡ−１の珪素ポリマー５ｇ、分子量９
０００の前記化５７に示すＣ−１の珪素ポリマー５ｇお
よび分子量４０００の前記化５４に示すＢ−１５の珪素
ポリマー５ｇとをキシレンに溶解して２０％濃度の溶液
（感光性組成物）を調製した。
【０１９９】得られた感光性組成物をシリコンウェハ上
にスピンコート法により塗布し、１００℃で１分間ベー
クすることにより厚さ２μｍの感光性組成物膜を形成し
た。つづいて、この感光性組成物膜にＡｒＦレーザを１
Ｊ／ｃｍ2 の条件で選択的に照射して露光し、１００℃
で１分間ポストベークを行った後、キシレン溶液で１分
間現像することにより未露光部が溶解除去されて幅２μ
ｍのネガ型パターンが形成された。ひきつづき、低圧水
銀灯を光源とした紫外線を１Ｊ／ｃｍ2 の条件で全面に
照射した後、３００℃で１時間加熱処理することにより
シロキサン結合を含むガラスマトリックスからなる絶縁
膜パターンを形成した。
【０２００】得られた絶縁膜パターンは、クラック、膨
れなどが認められず、前記シリコンウェハに対して良好
に密着し、かつ比抵抗は１０×１０15Ωｃｍ以上であっ
た。
【０２０１】（実施例１８）まず、前述した図２の
（ａ）に示すように基板１１上に幅２μｍ、厚さ１μｍ
のアルミニウム配線１２を２μｍのスペース幅で形成し
た。つづいて、前述した図２の（ｂ）に示すように前記
アルミニウム配線１２を含む基板１１上に実施例１と同
様な感光性組成物をスピンコート法により塗布し、乾燥
することにより厚さ２μｍの感光性組成物膜１３を形成
した。
【０２０２】次いで、前述した図２の（ｃ）に示すよう
に低圧水銀灯を光源とした紫外線をマスク１４を通して
前記感光性組成物膜１３に５００ｍＪ／ｃｍ2 の条件で
選択的に露光した後、キシレンで４０秒間現像すること
によりネガ型パターンを形成した。ひきつづき、４５０
℃で１時間加熱処理することにより図２の（ｄ）に示す
ガラスマトリックスからなり、前記配線１２に対応する
箇所に０．７μｍ×１μｍの寸法のスルーホール１５が
開孔された絶縁膜パターン１６を形成した。
【０２０３】得られた絶縁膜パターン１６はクラック、
膨れなどが認められず、前記基板１１に対して良好に密
着し、さらにスルーホール１５の開口周辺にリフローな
ども見られなかった。また、前記絶縁膜パターンの比抵
抗を測定したところ、５×１０14Ωｃｍを示した。
【０２０４】（実施例１９）まず、分子量２００００の
前記化４７に示すＡ−１の珪素ポリマー１０ｇをキシレ
ンに溶解して２０％濃度の溶液（感光性組成物）を調製
した。
【０２０５】得られた感光性組成物をシリコンウェハ上
にスピンコート法により塗布し、１００℃で１分間ベー
クすることにより厚さ２μｍの感光性組成物膜を形成し
た。つづいて、この感光性組成物膜にＡｒＦレーザを５
００ｍＪ／ｃｍ2 の条件で選択的に照射して露光した
後、２．３８％濃度、２５℃のテトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド水溶液で１分間現像することにより未露
光部が溶解除去されて幅２μｍのネガ型パターンが形成
された。ひきつづき、３００℃で１時間加熱処理するこ
とによりシロキサン結合を含むガラスマトリックスから
なる絶縁膜パターンを形成した。
【０２０６】得られた絶縁膜パターンは、クラック、膨
れなどが認められず、前記シリコンウェハに対して良好
に密着し、かつ比抵抗は１０×１０14Ωｃｍ以上であっ
た。
【０２０７】（実施例２０）まず、分子量９０００の前
記化５７に示すＣ−１の珪素ポリマー１０ｇをメチルイ
ソブチルケトンに溶解して２０％濃度の溶液（感光性組
成物）を調製した。
【０２０８】得られた感光性組成物をシリコンウェハ上
にスピンコート法により塗布し、１００℃で１分間ベー
クすることにより厚さ２μｍの感光性組成物膜を形成し
た。つづいて、この感光性組成物膜にＡｒＦレーザを５
００ｍＪ／ｃｍ2 の条件で選択的に照射して露光した
後、２．３８％濃度、２５℃のテトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド水溶液で４０秒分間現像することにより
未露光部が溶解除去されて幅２μｍのネガ型パターンが
形成された。ひきつづき、３００℃で１時間加熱処理す
ることによりシロキサン結合を含むガラスマトリックス
からなる絶縁膜パターンを形成した。
【０２０９】得られた絶縁膜パターンは、クラック、膨
れなどが認められず、前記シリコンウェハに対して良好
に密着し、かつ比抵抗は１０×１０15Ωｃｍ以上であっ
た。
【０２１０】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によればア
ルカリ現像が可能で、高精度かつ低誘電率の絶縁膜パタ
ーンを少ない工程数で形成でき、ひいては半導体装置や
液晶表示装置などの電子素子の製造におけるコンタクト
ホールを有する絶縁膜の形成工程などに有効に利用でき
る等顕著な効果を奏する。
【０２１１】また、本発明によれば現像処理により低誘
電率の絶縁膜パターンを少ない工程数で形成でき、ひい
ては半導体装置や液晶表示装置などの電子素子の製造に
おけるコンタクトホールを有する絶縁膜の形成工程に有
効に利用できる等顕著な効果を奏する。
【０２１２】さらに、前記絶縁膜パターンの形成に好適
な感光性組成物を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１における絶縁膜パターンの形
成工程を示す断面図。
【図２】本発明の実施例１３における絶縁膜パターンの
形成工程を示す断面図。
【符号の説明】
１、１１…基板、 ２、１２…配線、 ３、１３…感光性組成物膜、 ５、１５…スルーホール、 ６、１６…絶縁膜パターン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川田 利佳子 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 下記化１に示す一般式（Ｉ）の単量体を
    有する第１珪素ポリマーと下記化２に示す一般式（II）
    の単量体を有する第２珪素ポリマーとを含む感光性組成
    物を基板上に塗布して感光性組成物膜を形成する工程
    と、 前記感光性組成物膜に選択的に露光した後、現像する工
    程と、 現像後の感光性組成物膜パターンを加熱処理する工程と
    を具備したことを特徴とする絶縁膜パターンの形成方
    法。 【化１】 ただし、式中のＲ1 〜Ｒ3 は水素、置換もしくは無置換
    のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香族基を
    示す。 【化２】 ただし、式中のＲ4 、Ｒ5 は水素、置換もしくは無置換
    のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香族基を
    示す。
  2. 【請求項２】 下記化３に示す一般式 (III)の単量体を
    有する第３珪素ポリマーと下記化４に示す一般式（II）
    の単量体を有する第２珪素ポリマーとを含む感光性組成
    物を基板上に塗布して感光性組成物膜を形成する工程
    と、 前記感光性組成物膜に選択的に露光した後、アルカリ現
    像する工程と、 現像後の感光性組成物膜パターンを加熱処理する工程と
    を具備したことを特徴とする絶縁膜パターンの形成方
    法。 【化３】 ただし、式中のＲ6 は水素、置換もしくは無置換のアル
    キル基、置換もしくは無置換の芳香族基またはシロキサ
    ン結合を示す。 【化４】 ただし、式中のＲ4 、Ｒ5 は水素、置換もしくは非置換
    のアルキル基、または置換もしくは非置換の芳香族基を
    示す。
  3. 【請求項３】 下記化５に示す一般式（Ｉ）の単量体を
    有する第１珪素ポリマーと、下記化６に示す一般式 (II
    I)の単量体を有する第３珪素ポリマーと、下記化７に示
    す一般式（II）の単量体を有する第２珪素ポリマーとを
    含む感光性組成物を基板上に塗布して感光性組成物膜を
    形成する工程と、 前記感光性組成物膜に選択的に露光した後、現像する工
    程と、 現像後の感光性組成物膜パターンを加熱処理する工程と
    を具備したことを特徴とする絶縁膜パターンの形成方
    法。 【化５】 ただし、式中のＲ1 〜Ｒ3 は水素、置換もしくは無置換
    のアルキル基、または置換もしくは非置換の芳香族基を
    示す。 【化６】 ただし、式中のＲ6 は水素、置換もしくは無置換のアル
    キル基、置換もしくは無置換の芳香族基、またはシロキ
    サン結合を示す。 【化７】 ただし、式中のＲ4 、Ｒ5 は水素、置換もしくは無置換
    のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香族基を
    示す。
  4. 【請求項４】 下記化８に示す一般式（Ｉ）の単量体を
    有する第１珪素ポリマーと下記化９に示す一般式（II）
    の単量体を有する第２珪素ポリマーとを含む感光性組成
    物を基板上に塗布して感光性組成物膜を形成する工程
    と、 前記感光性組成物膜に選択的に露光した後、加熱処理す
    る工程と、 前記感光性組成物膜を現像する工程と、 現像後の感光性組成物膜パターンを加熱処理する工程と
    を具備したことを特徴とする絶縁膜パターンの形成方
    法。 【化８】 ただし、式中のＲ1 〜Ｒ3 は水素、置換もしくは無置換
    のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香族基を
    示す。 【化９】 ただし、式中のＲ4 、Ｒ5 は水素、置換もしくは無置換
    のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香族基を
    示す。
  5. 【請求項５】 下記化１０に示す一般式(III) の単量体
    を有する第３珪素ポリマーと下記化１１に示す一般式
    （II）の単量体を有する第２珪素ポリマーとを含む感光
    性組成物を基板上に塗布して感光性組成物膜を形成する
    工程と、 前記感光性組成物膜に選択的に露光した後、加熱処理す
    る工程と、 前記感光性組成物膜を現像する工程と、 現像後の感光性組成物膜パターンを加熱処理する工程と
    を具備したことを特徴とする絶縁膜パターンの形成方
    法。 【化１０】 ただし、式中のＲ6 は水素、置換もしくは無置換のアル
    キル基、置換もしくは無置換の芳香族基またはシロキサ
    ン結合を示す。 【化１１】 ただし、式中のＲ4 、Ｒ5 は水素、置換もしくは非置換
    のアルキル基、または置換もしくは非置換の芳香族基を
    示す。
  6. 【請求項６】 下記化１２に示す一般式（Ｉ）の単量体
    を有する第１珪素ポリマーと、下記化１３に示す一般式
    (III)の単量体を有する第３珪素ポリマーと、下記化１
    ４に示す一般式（II）の単量体を有する第２珪素ポリマ
    ーとを含む感光性組成物を基板上に塗布して感光性組成
    物膜を形成する工程と、 前記感光性組成物膜に選択的に露光した後、加熱処理す
    る工程と、 前記感光性組成物膜を現像する工程と、 現像後の感光性組成物膜パターンを加熱処理する工程と
    を具備したことを特徴とする絶縁膜パターンの形成方
    法。 【化１２】 ただし、式中のＲ1 〜Ｒ3 は水素、置換もしくは無置換
    のアルキル基、または置換もしくは非置換の芳香族基を
    示す。 【化１３】 ただし、式中のＲ6 は水素、置換もしくは無置換のアル
    キル基、置換もしくは無置換の芳香族基、またはシロキ
    サン結合を示す。 【化１４】 ただし、式中のＲ4 、Ｒ5 は水素、置換もしくは無置換
    のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香族基を
    示す。
  7. 【請求項７】 下記化１５に示す一般式（Ｉ）の単量体
    を有する第１珪素ポリマーおよび下記化１６に示す一般
    式(III) の単量体を有する第３珪素ポリマーから選ばれ
    る少なくと１種の珪素ポリマーを含む感光性組成物を基
    板上に塗布して感光性組成物膜を形成する工程と、 前記感光性組成物膜に選択的に露光した後、アルカリ現
    像する工程と、 現像後の感光性組成物膜パターンを加熱処理する工程と
    を具備したことを特徴とする絶縁膜パターンの形成方
    法。 【化１５】 ただし、式中のＲ1 〜Ｒ3 は水素、置換もしくは無置換
    のアルキル基、または置換もしくは非置換の芳香族基を
    示す。 【化１６】 ただし、式中のＲ6 は水素、置換もしくは無置換のアル
    キル基、置換もしくは無置換の芳香族基、またはシロキ
    サン結合を示す。
  8. 【請求項８】 下記化１７に示す一般式（Ｉ）の単量体
    を有する第１珪素ポリマーと下記化１８に示す一般式
    （II）の単量体を有する第２珪素ポリマーとを含むこと
    を特徴とする感光性組成物。 【化１７】 ただし、式中のＲ1 〜Ｒ3 は水素、置換もしくは無置換
    のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香族基を
    示す。 【化１８】 ただし、式中のＲ4 、Ｒ5 は水素、置換もしくは無置換
    のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香族基を
    示す。
  9. 【請求項９】 下記化１９に示す一般式（Ｉ）の単量体
    を有する第１珪素ポリマーと、下記化２０に示す一般式
    (III) の単量体を有する第３珪素ポリマーと、下記化２
    １に示す一般式（II）の単量体を有する第２珪素ポリマ
    ーとを含むことを特徴とする感光性組成物。 【化１９】 ただし、式中のＲ1 〜Ｒ3 は水素、置換もしくは無置換
    のアルキル基、または置換もしくは非置換の芳香族基を
    示す。 【化２０】 ただし、式中のＲ6 は水素、置換もしくは無置換のアル
    キル基、置換もしくは無置換の芳香族基、またはシロキ
    サン結合を示す。 【化２１】 ただし、式中のＲ4 、Ｒ5 は水素、置換もしくは無置換
    のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香族基を
    示す。
  10. 【請求項１０】 下記化２２に示す一般式 (III)の単量
    体を有する第３珪素ポリマーと下記化２３に示す一般式
    （IV）の単量体を有する第４珪素ポリマーとを含むこと
    を特徴とする感光性組成物。 【化２２】 ただし、式中のＲ6 は水素、置換もしくは無置換のアル
    キル基、置換もしくは無置換の芳香族基、またはシロキ
    サン結合を示す。 【化２３】 ただし、式中のＲ7 は水素、置換もしくは非置換のアル
    キル基、または置換もしくは非置換の芳香族基を示す。
JP23319996A 1996-09-03 1996-09-03 絶縁膜パターンの形成方法および感光性組成物 Expired - Lifetime JP3529953B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23319996A JP3529953B2 (ja) 1996-09-03 1996-09-03 絶縁膜パターンの形成方法および感光性組成物
US08/921,613 US6004730A (en) 1996-09-03 1997-09-02 Method of forming an insulating film pattern and photosensitive composition

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23319996A JP3529953B2 (ja) 1996-09-03 1996-09-03 絶縁膜パターンの形成方法および感光性組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1079381A true JPH1079381A (ja) 1998-03-24
JP3529953B2 JP3529953B2 (ja) 2004-05-24

Family

ID=16951307

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23319996A Expired - Lifetime JP3529953B2 (ja) 1996-09-03 1996-09-03 絶縁膜パターンの形成方法および感光性組成物

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6004730A (ja)
JP (1) JP3529953B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000020927A1 (fr) * 1998-10-05 2000-04-13 Tonen General Sekiyu K.K. Composition de polysilazane photosensible et procede de formation d'une couche mince de polysilazane a motif
JP2007273494A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Fujitsu Ltd 絶縁膜形成用組成物及び半導体装置の製造方法
US7943721B2 (en) 2005-10-05 2011-05-17 Kovio, Inc. Linear and cross-linked high molecular weight polysilanes, polygermanes, and copolymers thereof, compositions containing the same, and methods of making and using such compounds and compositions
JP2012532342A (ja) * 2009-06-30 2012-12-13 ナノインク インコーポレーティッド フォトマスクの修復方法
JP2013089971A (ja) * 2011-10-19 2013-05-13 Samsung Display Co Ltd 保護膜溶液組成物、薄膜トランジスター表示板及び薄膜トランジスター表示板の製造方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1123991A3 (en) * 2000-02-08 2002-11-13 Asm Japan K.K. Low dielectric constant materials and processes
JP3513097B2 (ja) * 2000-09-29 2004-03-31 株式会社東芝 プロトン伝導性膜およびそれを用いた燃料電池
FI129480B (en) * 2018-08-10 2022-03-15 Pibond Oy Silanol-containing organic-inorganic hybrid coatings for high-resolution patterning

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000020927A1 (fr) * 1998-10-05 2000-04-13 Tonen General Sekiyu K.K. Composition de polysilazane photosensible et procede de formation d'une couche mince de polysilazane a motif
US7943721B2 (en) 2005-10-05 2011-05-17 Kovio, Inc. Linear and cross-linked high molecular weight polysilanes, polygermanes, and copolymers thereof, compositions containing the same, and methods of making and using such compounds and compositions
US8378050B2 (en) 2005-10-05 2013-02-19 Kovio, Inc. Linear and cross-linked high molecular weight polysilanes, polygermanes, and copolymers thereof, compositions containing the same, and methods of making and using such compounds and compositions
JP2007273494A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Fujitsu Ltd 絶縁膜形成用組成物及び半導体装置の製造方法
JP2012532342A (ja) * 2009-06-30 2012-12-13 ナノインク インコーポレーティッド フォトマスクの修復方法
JP2013089971A (ja) * 2011-10-19 2013-05-13 Samsung Display Co Ltd 保護膜溶液組成物、薄膜トランジスター表示板及び薄膜トランジスター表示板の製造方法
US9470978B2 (en) 2011-10-19 2016-10-18 Samsung Display Co., Ltd. Solution composition for passivation layer, thin film transistor array panel, and manufacturing method for thin film transistor array panel

Also Published As

Publication number Publication date
US6004730A (en) 1999-12-21
JP3529953B2 (ja) 2004-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1953183B1 (en) Silphenylene-bearing polymer, photo-curable resin composition, patterning process, and substrate circuit protective film
KR101674703B1 (ko) 반전 패턴 형성 방법 및 폴리실록산 수지 조성물
EP2370537B1 (en) Switchable antireflective coatings
JPH0443264B2 (ja)
JPS60147732A (ja) オルガノシリコン組成物
KR20100056485A (ko) 규소 함유 미세 패턴 형성용 조성물 및 이를 사용한 미세 패턴 형성 방법
KR20070094617A (ko) 실리콘 함유 감광성 조성물, 이를 이용한 박막 패턴의 제조방법, 전자 기기용 보호막, 게이트 절연막 및 박막트랜지스터
JPH0527444A (ja) シリカ基材非反射性平面化層
JP2001098224A (ja) シリカ系被膜、シリカ系被膜の形成方法及びシリカ系被膜を有する電子部品
JP3529953B2 (ja) 絶縁膜パターンの形成方法および感光性組成物
JP2020064091A (ja) 感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム、及びパターン形成方法
JPWO2008047654A1 (ja) 膜形成用組成物、これを用いたパターン膜の製造方法及び電子機器用絶縁膜
JP4308821B2 (ja) パターン形成されたシリコーン層をエッチングする方法
CN111647160A (zh) 芳香聚酰胺磺酰胺聚合物、含有芳香聚酰胺磺酰胺聚合物的正型光敏性组合物及其应用
WO2017133830A1 (en) Surface treatment composition and surface treatment method of resist pattern using the same
JPH045658A (ja) ３層レジスト中間層用材料およびパターン形成方法
JPH11154638A (ja) パターン形成方法
JP3422691B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
JP3851913B2 (ja) 絶縁膜の製造方法
JPH09172009A (ja) 絶縁膜の形成方法および絶縁膜パターンの形成方法
JPH08193167A (ja) 感光性樹脂組成物
JP2667742B2 (ja) 感光性樹脂組成物
JP3629087B2 (ja) パターン形成方法
KR100669143B1 (ko) 폴리머막 형성용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
JP7517234B2 (ja) 感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム及びパターン形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20031202

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040128

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040224

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040226

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080305

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090305

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100305

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100305

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110305

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120305

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305

Year of fee payment: 9