JPH1072694A - スズ及びスズ―鉛合金メッキによる表面被覆材料、並びに当該被覆材料を利用した電子部品 - Google Patents
スズ及びスズ―鉛合金メッキによる表面被覆材料、並びに当該被覆材料を利用した電子部品Info
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- JPH1072694A JPH1072694A JP24917096A JP24917096A JPH1072694A JP H1072694 A JPH1072694 A JP H1072694A JP 24917096 A JP24917096 A JP 24917096A JP 24917096 A JP24917096 A JP 24917096A JP H1072694 A JPH1072694 A JP H1072694A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スズ又はスズ−鉛合金メッキ皮膜の表面被覆
材料(例えば、電子部品のリード)に機械加工を施す際
に、メッキ皮膜の削れ屑の発生量を低く抑制する。 【解決手段】 素地金属上にスズ―鉛合金メッキ皮膜を
電気メッキにより被覆する表面被覆材料において、表面
被覆材料に加える外力方向に対して、メッキ皮膜中のβ
−スズの結晶格子におけるミラー指数の〈００１〉方向
が９０〜３５度の高角度を成すように、β−スズの結晶
を優先配向させる。β−スズの結晶の上記滑り方向でも
ある〈００１〉方向が加工を施す外力方向に対して高角
度になるので、メッキ皮膜はこの外力方向には塑性変形
し難くなり、メッキ皮膜の削れ屑の発生量を低く抑えら
れる。
材料(例えば、電子部品のリード)に機械加工を施す際
に、メッキ皮膜の削れ屑の発生量を低く抑制する。 【解決手段】 素地金属上にスズ―鉛合金メッキ皮膜を
電気メッキにより被覆する表面被覆材料において、表面
被覆材料に加える外力方向に対して、メッキ皮膜中のβ
−スズの結晶格子におけるミラー指数の〈００１〉方向
が９０〜３５度の高角度を成すように、β−スズの結晶
を優先配向させる。β−スズの結晶の上記滑り方向でも
ある〈００１〉方向が加工を施す外力方向に対して高角
度になるので、メッキ皮膜はこの外力方向には塑性変形
し難くなり、メッキ皮膜の削れ屑の発生量を低く抑えら
れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はスズ及びスズ―鉛合
金メッキによる表面被覆材料、並びにこの被覆材料を利
用した電子部品に関し、スズ又はスズ−鉛合金メッキ皮
膜中のβ−スズの結晶に特定の配向性を付与するものを
提供する。
金メッキによる表面被覆材料、並びにこの被覆材料を利
用した電子部品に関し、スズ又はスズ−鉛合金メッキ皮
膜中のβ−スズの結晶に特定の配向性を付与するものを
提供する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス、コネクター等の電子部
品のリード、或は電極などは、ハンダ付け性の向上など
を主目的に、スズ又はスズ−鉛合金の電着皮膜で表面被
覆されるが、これらの電子部品の製造過程においては
(具体的には、半導体基板に実装するなどの目的で)、電
気メッキしたリード、電極などを金型を用いて曲げ加工
したり、切削、或は切断などの各種の機械加工を施す場
合が多い。しかしながら、スズ又はスズ−鉛合金メッキ
皮膜の性状は軟らかいために、曲げ加工などの後加工を
施すと、加工部分からメッキ皮膜の削れ屑が発生してし
まい、従来では、これを防止する有効な手段がないとい
うのが実情であった。
品のリード、或は電極などは、ハンダ付け性の向上など
を主目的に、スズ又はスズ−鉛合金の電着皮膜で表面被
覆されるが、これらの電子部品の製造過程においては
(具体的には、半導体基板に実装するなどの目的で)、電
気メッキしたリード、電極などを金型を用いて曲げ加工
したり、切削、或は切断などの各種の機械加工を施す場
合が多い。しかしながら、スズ又はスズ−鉛合金メッキ
皮膜の性状は軟らかいために、曲げ加工などの後加工を
施すと、加工部分からメッキ皮膜の削れ屑が発生してし
まい、従来では、これを防止する有効な手段がないとい
うのが実情であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記機械加工に際し
て、メッキ皮膜の削れ屑が発生すると、次のような弊害
がある。 (1)リード、電極などに削れ屑が付着して残留した場
合、電子部品の短絡の原因になり、部品の信頼性を著し
く阻害してしまう。 (2)繰り返し機械加工を行った場合、削れ屑が金型に付
着・成長し、金型の加工精度を落とすため、一定期間毎
に金型を清掃する必要があり、加工の生産効率を著しく
低下させる。 (3)金型に付着した削れ屑はリードなどに転写すること
もあり、上記(1)のように、部品の信頼性を低下させる
問題を起こす。
て、メッキ皮膜の削れ屑が発生すると、次のような弊害
がある。 (1)リード、電極などに削れ屑が付着して残留した場
合、電子部品の短絡の原因になり、部品の信頼性を著し
く阻害してしまう。 (2)繰り返し機械加工を行った場合、削れ屑が金型に付
着・成長し、金型の加工精度を落とすため、一定期間毎
に金型を清掃する必要があり、加工の生産効率を著しく
低下させる。 (3)金型に付着した削れ屑はリードなどに転写すること
もあり、上記(1)のように、部品の信頼性を低下させる
問題を起こす。
【０００４】本発明は、スズ又はスズ−鉛合金メッキ皮
膜で覆った電子部品のリードなどのような表面被覆材料
に機械加工を施した場合に、メッキ皮膜の削れ屑の発生
量を低く抑制することを技術的課題とする。
膜で覆った電子部品のリードなどのような表面被覆材料
に機械加工を施した場合に、メッキ皮膜の削れ屑の発生
量を低く抑制することを技術的課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】例えば、特開平５−２５
６８９号公報には、エンジンのクランク軸、コンロッド
の大端部などに使用される滑り軸受けに関し、軸受けの
表面層を構成する鉛合金の結晶構造を特定化すると、そ
の表面層に保油性などを具備させて、耐焼き付き性を向
上できることが開示されている。
６８９号公報には、エンジンのクランク軸、コンロッド
の大端部などに使用される滑り軸受けに関し、軸受けの
表面層を構成する鉛合金の結晶構造を特定化すると、そ
の表面層に保油性などを具備させて、耐焼き付き性を向
上できることが開示されている。
【０００６】本発明者らは、当該公開公報の技術を出発
点にして鋭意研究の結果、メッキ皮膜中のβ−スズの結
晶の配向性が、曲げ加工などにおけるメッキ皮膜の削れ
屑の発生量に影響することを見い出し、この結晶の配向
性を制御することで、削れ屑の発生量を抑えることを着
想して、本発明を完成した。
点にして鋭意研究の結果、メッキ皮膜中のβ−スズの結
晶の配向性が、曲げ加工などにおけるメッキ皮膜の削れ
屑の発生量に影響することを見い出し、この結晶の配向
性を制御することで、削れ屑の発生量を抑えることを着
想して、本発明を完成した。
【０００７】即ち、本発明１は、素地金属上にスズ―鉛
合金メッキ皮膜を電気メッキにより被覆する表面被覆材
料において、表面被覆材料に加える外力方向に対して、
メッキ皮膜中のβ−スズの結晶格子におけるミラー指数
の〈００１〉方向が９０〜３５度の高角度を成すよう
に、当該β−スズの結晶を優先配向させることを特徴と
するスズ―鉛合金メッキによる表面被覆材料である。
合金メッキ皮膜を電気メッキにより被覆する表面被覆材
料において、表面被覆材料に加える外力方向に対して、
メッキ皮膜中のβ−スズの結晶格子におけるミラー指数
の〈００１〉方向が９０〜３５度の高角度を成すよう
に、当該β−スズの結晶を優先配向させることを特徴と
するスズ―鉛合金メッキによる表面被覆材料である。
【０００８】本発明２は、素地金属上にスズ―鉛合金メ
ッキ皮膜を電気メッキにより被覆する表面被覆材料にお
いて、当該素地金属の表面の法線方向に対して、メッキ
皮膜中のβ−スズの結晶格子におけるミラー指数の〈０
０１〉方向が０〜５５度の角度を成すように、当該β−
スズの結晶を優先配向させることを特徴とするスズ―鉛
合金メッキによる表面被覆材料である。
ッキ皮膜を電気メッキにより被覆する表面被覆材料にお
いて、当該素地金属の表面の法線方向に対して、メッキ
皮膜中のβ−スズの結晶格子におけるミラー指数の〈０
０１〉方向が０〜５５度の角度を成すように、当該β−
スズの結晶を優先配向させることを特徴とするスズ―鉛
合金メッキによる表面被覆材料である。
【０００９】本発明３は、上記本発明１又は２におい
て、メッキ皮膜の膜厚が１〜３０μｍであることを特徴
とするものである。
て、メッキ皮膜の膜厚が１〜３０μｍであることを特徴
とするものである。
【００１０】本発明４は、上記本発明１〜３のいずれか
において、スズ−鉛合金メッキ皮膜中の鉛の含有率が２
０％以下であることを特徴とするものである。
において、スズ−鉛合金メッキ皮膜中の鉛の含有率が２
０％以下であることを特徴とするものである。
【００１１】本発明５は、上記本発明１〜３のいずれか
において、素地金属上にスズ−鉛合金メッキ皮膜の代わ
りに、スズメッキ皮膜を被覆することを特徴とするもの
である。
において、素地金属上にスズ−鉛合金メッキ皮膜の代わ
りに、スズメッキ皮膜を被覆することを特徴とするもの
である。
【００１２】本発明６は、上記本発明１〜５のいずれか
において、スズの可溶性塩、或はスズ及び鉛の可溶性塩
と、有機スルホン酸と、界面活性剤とを主成分とするメ
ッキ浴により、素地金属上に電気メッキを施すことを特
徴とするものである。
において、スズの可溶性塩、或はスズ及び鉛の可溶性塩
と、有機スルホン酸と、界面活性剤とを主成分とするメ
ッキ浴により、素地金属上に電気メッキを施すことを特
徴とするものである。
【００１３】本発明７は、リード、電極などが本発明１
〜６のいずれかの表面被覆材料であることを特徴とする
電子部品である。
〜６のいずれかの表面被覆材料であることを特徴とする
電子部品である。
【００１４】本発明８は、上記本発明７の電子部品が半
導体デバイス、コネクターなどであることを特徴とする
ものである。
導体デバイス、コネクターなどであることを特徴とする
ものである。
【００１５】
【発明の実施の態様】上記表面被覆の対象となる素地金
属は４２合金、銅合金、コバールを初め、任意の材質を
選択でき、特定の材質に限定されない。素地金属の表面
には、電気メッキ又は無電解メッキ方法などで施された
ニッケル又は銅等の下地メッキ層が存在しても良い。上
記スズ又はスズ−鉛合金メッキ皮膜の膜厚は１〜３０μ
ｍが好ましく、３０μｍはメッキを施す場合の通常の厚
みの一応の上限を示すものであるが、これ以上の膜厚で
あっても良い。上記スズ−鉛合金メッキでは鉛の含有率
は２０％以下が好ましく、鉛が２０％を越えると、合金
の性状が軟らかくなり過ぎるため、本発明１又は２のよ
うに、β−スズの配向性を特定条件下で制御しても、も
はや、機械加工に際してメッキ皮膜の削れ屑の発生を有
効に抑制することは容易でなくなる。
属は４２合金、銅合金、コバールを初め、任意の材質を
選択でき、特定の材質に限定されない。素地金属の表面
には、電気メッキ又は無電解メッキ方法などで施された
ニッケル又は銅等の下地メッキ層が存在しても良い。上
記スズ又はスズ−鉛合金メッキ皮膜の膜厚は１〜３０μ
ｍが好ましく、３０μｍはメッキを施す場合の通常の厚
みの一応の上限を示すものであるが、これ以上の膜厚で
あっても良い。上記スズ−鉛合金メッキでは鉛の含有率
は２０％以下が好ましく、鉛が２０％を越えると、合金
の性状が軟らかくなり過ぎるため、本発明１又は２のよ
うに、β−スズの配向性を特定条件下で制御しても、も
はや、機械加工に際してメッキ皮膜の削れ屑の発生を有
効に抑制することは容易でなくなる。
【００１６】通常、メッキ皮膜は多結晶体であり、β−
スズの結晶が優先配向するとは、皮膜中のβ−スズの結
晶が全て特定の方位に配向していることを意味するので
はなく、統計的に大多数が(即ち、傾向として)一定範囲
の方位に配向していることを意味する。従って、例え
ば、本発明１では、β−スズの結晶は、単位格子におけ
るミラー指数の〈００１〉方向が表面被覆材料に加える
外力方向に対して９０〜３５度の範囲内で大多数が統計
的に揃うように配向していながら、上記統計的に揃った
方位から外れたランダムな方位の結晶が部分的に含まれ
ても良い。
スズの結晶が優先配向するとは、皮膜中のβ−スズの結
晶が全て特定の方位に配向していることを意味するので
はなく、統計的に大多数が(即ち、傾向として)一定範囲
の方位に配向していることを意味する。従って、例え
ば、本発明１では、β−スズの結晶は、単位格子におけ
るミラー指数の〈００１〉方向が表面被覆材料に加える
外力方向に対して９０〜３５度の範囲内で大多数が統計
的に揃うように配向していながら、上記統計的に揃った
方位から外れたランダムな方位の結晶が部分的に含まれ
ても良い。
【００１７】本発明１の表面被覆材料に加える外力方向
とは、一般に、冒述の電子デバイスやコネクターなどの
電子部品製造過程で施される折り曲げ、切削、切断など
の各種の機械加工(或は、手動加工)において、この加工
の方向をいう。本発明２では、β−スズの結晶格子にお
けるミラー指数の〈００１〉方向を素地金属表面の法線
方向との関係で特定しているが、上記機械加工では素地
金属表面に沿う加工が多く、この場合には、前記表面被
覆材料に加える外力方向は素地金属表面に沿う方向と同
義であり、本発明２は上記本発明１の一つの下位概念と
もなっている。
とは、一般に、冒述の電子デバイスやコネクターなどの
電子部品製造過程で施される折り曲げ、切削、切断など
の各種の機械加工(或は、手動加工)において、この加工
の方向をいう。本発明２では、β−スズの結晶格子にお
けるミラー指数の〈００１〉方向を素地金属表面の法線
方向との関係で特定しているが、上記機械加工では素地
金属表面に沿う加工が多く、この場合には、前記表面被
覆材料に加える外力方向は素地金属表面に沿う方向と同
義であり、本発明２は上記本発明１の一つの下位概念と
もなっている。
【００１８】上記メッキ皮膜に電気メッキを施す場合、
メッキ浴の組成やメッキ条件などの多くの因子によりβ
−スズの結晶の配向性が変化する。しかしながら、これ
らのメッキ浴の組成やメッキ条件と、得られるスズ又は
スズ−鉛合金メッキ皮膜のβ−スズの配向性との間に
は、多くの因子が介在することから一般的な(或は明解
な)法則性は存在せず(特定し得ず)、不明な部分が多い
のである。
メッキ浴の組成やメッキ条件などの多くの因子によりβ
−スズの結晶の配向性が変化する。しかしながら、これ
らのメッキ浴の組成やメッキ条件と、得られるスズ又は
スズ−鉛合金メッキ皮膜のβ−スズの配向性との間に
は、多くの因子が介在することから一般的な(或は明解
な)法則性は存在せず(特定し得ず)、不明な部分が多い
のである。
【００１９】当該メッキ浴の組成の因子としては、スズ
及び／又は鉛の金属可溶性塩の濃度と種類、酸の濃度と
種類、界面活性剤や湿潤剤などの各種添加剤の濃度と種
類などが挙げられる。また、電気メッキ浴の組成として
は、本発明６に示すように、腐食性が少なく、排水処理
が容易であるなどの理由から、スズ及び／又は鉛の可溶
性塩と、有機スルホン酸と、界面活性剤とを主成分とす
る有機スルホン酸浴が好ましい。上記界面活性剤は、ノ
ニオン系、両性、カチオン系、アニオン系などの種々の
活性剤を使用できる。
及び／又は鉛の金属可溶性塩の濃度と種類、酸の濃度と
種類、界面活性剤や湿潤剤などの各種添加剤の濃度と種
類などが挙げられる。また、電気メッキ浴の組成として
は、本発明６に示すように、腐食性が少なく、排水処理
が容易であるなどの理由から、スズ及び／又は鉛の可溶
性塩と、有機スルホン酸と、界面活性剤とを主成分とす
る有機スルホン酸浴が好ましい。上記界面活性剤は、ノ
ニオン系、両性、カチオン系、アニオン系などの種々の
活性剤を使用できる。
【００２０】一方、本出願人は、特願平７−２７８３３
１号において次の技術的事項を記載した。 (1)特定のトリアルキルべンジルアンモニウム塩類をス
ズ又はスズ−鉛合金メッキ浴に添加すると、スズ又はス
ズ−鉛合金メッキした被覆材料に折り曲げたり、切断す
るなどの後加工を施しても、メッキ皮膜にクラックが発
生するなどの弊害を有効に低減できる。 (2)特定のトリアルキルべンジルアンモニウム塩類に加
えて、さらに芳香族スルホン酸類を併用添加すると、後
加工でのメッキ皮膜のクラック発生防止効果をさらに促
進できる。
１号において次の技術的事項を記載した。 (1)特定のトリアルキルべンジルアンモニウム塩類をス
ズ又はスズ−鉛合金メッキ浴に添加すると、スズ又はス
ズ−鉛合金メッキした被覆材料に折り曲げたり、切断す
るなどの後加工を施しても、メッキ皮膜にクラックが発
生するなどの弊害を有効に低減できる。 (2)特定のトリアルキルべンジルアンモニウム塩類に加
えて、さらに芳香族スルホン酸類を併用添加すると、後
加工でのメッキ皮膜のクラック発生防止効果をさらに促
進できる。
【００２１】通常、スズ又はスズ−鉛合金メッキによる
表面被覆材料に折り曲げなどの後加工を施す際には、削
れ屑が発生する弊害の外に、クラックが生ずる場合も少
なくない。このため、スズ及び／又は鉛の可溶性塩と、
有機スルホン酸と、界面活性剤とを主成分とする前記有
機スルホン酸浴に、上記特定のトリアルキルべンジルア
ンモニウム塩類や芳香族スルホン酸類を併用添加する
と、メッキ皮膜の削れ屑の抑制と同時に、クラックの発
生を防止することも併せて期待できる。上記特定のトリ
アルキルべンジルアンモニウム塩類とは、(ベンジル)ジ
メチルテトラデシルアンモニウム塩(アルキルスルホネ
ート塩、アセテート塩、ハロゲン化物など)、(ベンジル)
ジメチルドデシルアンモニウム塩、(ベンジル)ジメチル
オクタデシルアンモニウム塩、(ベンジル)ジメチルデシ
ルアンモニウム塩、(ベンジル)ジエチルオクチルアンモ
ニウム塩、((トリフルオロメチル)フェニルメチル)ジメ
チルドデシルアンモニウム塩、(ベンジル)エチルメチル
オクタデシルアンモニウム塩、(モノクロロフェニルメ
チル)ジメチルヘキサデシルアンモニウム塩などをい
う。上記芳香族スルホン酸類とは、ベンゼンスルホン
酸、ナフタレンスルホン酸、及びこれらの塩などをい
う。具体的には、１,２−ジヒドロキシベンゼンスルホ
ン酸、モノ−ｔ−ブチルナフタレンスルホン酸、２−ヒ
ドロキシナフタレンスルホン酸、１,３−ジヒドロキシ
ベンゼンスルホン酸塩、ジアミルナフタレンスルホン酸
塩、トリ−イソプロピルナフタレンスルホン酸塩、１,
２−ジヒドロキシナフタレンスルホン酸塩、１,８−ジ
ヒドロキシナフタレンスルホン酸塩などが挙げられる。
表面被覆材料に折り曲げなどの後加工を施す際には、削
れ屑が発生する弊害の外に、クラックが生ずる場合も少
なくない。このため、スズ及び／又は鉛の可溶性塩と、
有機スルホン酸と、界面活性剤とを主成分とする前記有
機スルホン酸浴に、上記特定のトリアルキルべンジルア
ンモニウム塩類や芳香族スルホン酸類を併用添加する
と、メッキ皮膜の削れ屑の抑制と同時に、クラックの発
生を防止することも併せて期待できる。上記特定のトリ
アルキルべンジルアンモニウム塩類とは、(ベンジル)ジ
メチルテトラデシルアンモニウム塩(アルキルスルホネ
ート塩、アセテート塩、ハロゲン化物など)、(ベンジル)
ジメチルドデシルアンモニウム塩、(ベンジル)ジメチル
オクタデシルアンモニウム塩、(ベンジル)ジメチルデシ
ルアンモニウム塩、(ベンジル)ジエチルオクチルアンモ
ニウム塩、((トリフルオロメチル)フェニルメチル)ジメ
チルドデシルアンモニウム塩、(ベンジル)エチルメチル
オクタデシルアンモニウム塩、(モノクロロフェニルメ
チル)ジメチルヘキサデシルアンモニウム塩などをい
う。上記芳香族スルホン酸類とは、ベンゼンスルホン
酸、ナフタレンスルホン酸、及びこれらの塩などをい
う。具体的には、１,２−ジヒドロキシベンゼンスルホ
ン酸、モノ−ｔ−ブチルナフタレンスルホン酸、２−ヒ
ドロキシナフタレンスルホン酸、１,３−ジヒドロキシ
ベンゼンスルホン酸塩、ジアミルナフタレンスルホン酸
塩、トリ−イソプロピルナフタレンスルホン酸塩、１,
２−ジヒドロキシナフタレンスルホン酸塩、１,８−ジ
ヒドロキシナフタレンスルホン酸塩などが挙げられる。
【００２２】さらに、メッキ浴にはｐ−クロロベンズア
ルデヒド、１−ナフトアルデヒド、ベンジリデンアセト
ン等の光沢剤、チオ尿素、ベンゾチアゾール類等の半光
沢剤、或は平滑剤などの各種の添加剤を加えても良い。
ルデヒド、１−ナフトアルデヒド、ベンジリデンアセト
ン等の光沢剤、チオ尿素、ベンゾチアゾール類等の半光
沢剤、或は平滑剤などの各種の添加剤を加えても良い。
【００２３】前記メッキ条件の因子としては、陰極電流
密度、メッキ浴温、メッキ浴の撹拌度合、メッキ時間、
メッキ膜厚、印加する電圧波形、通電する電流波形など
が挙げられる。
密度、メッキ浴温、メッキ浴の撹拌度合、メッキ時間、
メッキ膜厚、印加する電圧波形、通電する電流波形など
が挙げられる。
【００２４】上記表面被覆材料は、具体的には、半導体
デバイス、コネクター、抵抗、コンデンサ、インダクタ
等の電子部品のリードや電極、或はフープ材などであ
る。
デバイス、コネクター、抵抗、コンデンサ、インダクタ
等の電子部品のリードや電極、或はフープ材などであ
る。
【００２５】
【発明の効果】β−スズは体心正方晶の結晶形態をと
り、単位結晶格子におけるａ軸は５.８３１７Åである
のに対し、ｃ軸は３.１８１５Åであるため、機械的性
質の異方性が強いと推定できる。即ち、このβ−スズの
結晶の塑性変形は格子中の所定の結晶面がずれることに
より起こり、中でも、主にミラー指数の｛１１０｝面な
どが〈００１〉方向に沿って滑ることにより生じると考
えられる。そこで、β−スズの結晶格子の〈００１〉方
向を金属被覆材料に加える外力方向に対して９０〜３５
度を成して優先配向すると、β−スズの結晶の上記滑り
方向でもある〈００１〉方向がこの外力方向に対して高
角度になるので、メッキ皮膜はこの外力に沿う方向には
塑性変形し難くなる。別言すると、冒述のように、電子
部品のリードを金型で曲げ加工する場合などには、この
加工の方向が直ちに外力方向になるため、本発明１のよ
うに、外力方向との関係においてβ−スズの結晶を特定
条件下で配向させると、機械加工を施しても加工の方向
にはメッキ皮膜の塑性変形が難しくなり、メッキ皮膜の
削れ屑の発生量を低く抑えられる。
り、単位結晶格子におけるａ軸は５.８３１７Åである
のに対し、ｃ軸は３.１８１５Åであるため、機械的性
質の異方性が強いと推定できる。即ち、このβ−スズの
結晶の塑性変形は格子中の所定の結晶面がずれることに
より起こり、中でも、主にミラー指数の｛１１０｝面な
どが〈００１〉方向に沿って滑ることにより生じると考
えられる。そこで、β−スズの結晶格子の〈００１〉方
向を金属被覆材料に加える外力方向に対して９０〜３５
度を成して優先配向すると、β−スズの結晶の上記滑り
方向でもある〈００１〉方向がこの外力方向に対して高
角度になるので、メッキ皮膜はこの外力に沿う方向には
塑性変形し難くなる。別言すると、冒述のように、電子
部品のリードを金型で曲げ加工する場合などには、この
加工の方向が直ちに外力方向になるため、本発明１のよ
うに、外力方向との関係においてβ−スズの結晶を特定
条件下で配向させると、機械加工を施しても加工の方向
にはメッキ皮膜の塑性変形が難しくなり、メッキ皮膜の
削れ屑の発生量を低く抑えられる。
【００２６】また、本発明２のように、β−スズの結晶
格子の〈００１〉方向を素地金属表面の法線方向に対し
て０〜５５度を成して優先配向すると、β−スズの結晶
の滑り方向でもある〈００１〉方向が素地金属表面に対
して高角度になる。通常、電子部品のリードを曲げ加工
する場合などには、リードの素地金属表面に沿う横方向
の外力を受け易いので、本発明２のように、β−スズの
結晶を素地金属表面の法線方向に関係付けて優先配向さ
せると、素地金属表面に沿う横方向にはメッキ皮膜は塑
性変形が難しくなり、やはり、メッキ皮膜の削れ屑の発
生量を低く抑えられる。
格子の〈００１〉方向を素地金属表面の法線方向に対し
て０〜５５度を成して優先配向すると、β−スズの結晶
の滑り方向でもある〈００１〉方向が素地金属表面に対
して高角度になる。通常、電子部品のリードを曲げ加工
する場合などには、リードの素地金属表面に沿う横方向
の外力を受け易いので、本発明２のように、β−スズの
結晶を素地金属表面の法線方向に関係付けて優先配向さ
せると、素地金属表面に沿う横方向にはメッキ皮膜は塑
性変形が難しくなり、やはり、メッキ皮膜の削れ屑の発
生量を低く抑えられる。
【００２７】即ち、表面被覆材料の機械加工に際して生
じるメッキ皮膜の削れ屑に関し、従来ではスズの配向性
を制御することで対応するという技術的思想はなかった
のであるが、本発明では、スズの結晶の配向性を制御す
るという簡潔、且つ、明解な手段で、削れ屑の発生量を
低減できるという実効性の高い技術を新たに開発できた
のである。
じるメッキ皮膜の削れ屑に関し、従来ではスズの配向性
を制御することで対応するという技術的思想はなかった
のであるが、本発明では、スズの結晶の配向性を制御す
るという簡潔、且つ、明解な手段で、削れ屑の発生量を
低減できるという実効性の高い技術を新たに開発できた
のである。
【００２８】
【実施例】以下、各種のメッキ浴及び電気メッキの実施
例を述べるとともに、得られたスズ及びスズ−鉛合金の
電着皮膜の削れ屑発生試験例を併記する。但し、本発明
は下記の実施例などに拘束されるものではない。
例を述べるとともに、得られたスズ及びスズ−鉛合金の
電着皮膜の削れ屑発生試験例を併記する。但し、本発明
は下記の実施例などに拘束されるものではない。
【００２９】《実施例１》下記の組成でスズ−鉛合金メ
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ５５.８ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ４.２ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 ２００ｇ／ｌ オクタデシルアルコールポリエトキシレート(ＥＯ２０) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１５) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３) ３ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルテトラデシルアンモニウムクロライド ３ｇ／ｌ モノ−ｔ−ブチルナフタレンスルホン酸 ０.５ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ５５.８ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ４.２ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 ２００ｇ／ｌ オクタデシルアルコールポリエトキシレート(ＥＯ２０) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１５) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３) ３ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルテトラデシルアンモニウムクロライド ３ｇ／ｌ モノ−ｔ−ブチルナフタレンスルホン酸 ０.５ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
【００３０】上記メッキ浴は、スズ及び鉛の可溶性塩を
含む有機スルホン酸浴に、２種類のノニオン系界面活性
剤と、特定のトリアルキルベンジルアンモニウム塩と、
芳香族スルホン酸と、酸化防止剤(第一スズイオンの酸
化防止用)とを混合したものである。上記メッキ浴を使
用して、２５×２５×０.２ｍｍの大きさで４２合金を
材質とする素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを
施した。 陰極電流密度：１５Ａ／ｄｍ2 浴温 ：３５℃ 以下、実施例２〜１９並びに比較例１〜８共に、素地金
属の大きさ、材質は同じである。
含む有機スルホン酸浴に、２種類のノニオン系界面活性
剤と、特定のトリアルキルベンジルアンモニウム塩と、
芳香族スルホン酸と、酸化防止剤(第一スズイオンの酸
化防止用)とを混合したものである。上記メッキ浴を使
用して、２５×２５×０.２ｍｍの大きさで４２合金を
材質とする素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを
施した。 陰極電流密度：１５Ａ／ｄｍ2 浴温 ：３５℃ 以下、実施例２〜１９並びに比較例１〜８共に、素地金
属の大きさ、材質は同じである。
【００３１】得られたスズ−鉛合金メッキ皮膜は約１０
μｍの膜厚と１０％程度の鉛含有率を有していた。尚、
後述の実施例２〜１９及び比較例１〜８では、１０±１
μｍの膜厚条件を満たすように、また、スズ-鉛合金メ
ッキの実施例１〜１２及び比較例１〜４では、１０±
０.５％の鉛含有率条件を満たすように各メッキ皮膜を
作成した。
μｍの膜厚と１０％程度の鉛含有率を有していた。尚、
後述の実施例２〜１９及び比較例１〜８では、１０±１
μｍの膜厚条件を満たすように、また、スズ-鉛合金メ
ッキの実施例１〜１２及び比較例１〜４では、１０±
０.５％の鉛含有率条件を満たすように各メッキ皮膜を
作成した。
【００３２】そして、上記スズ−鉛合金メッキ皮膜にお
けるβ−スズの結晶の配向性をＸ線回折法で調べた。当
該回折方式では、Ｘ線回折パターンによりβ−スズの各
結晶面の回折ピーク高さを求め、次式(Ａ)により夫々の
結晶面の配向性指数Ｘhklを算出した(当該算出式は金属
表面技術協会 第７６回講演大会 要旨集第２００〜２０
１頁(１９８７年)を参照)。 Ｘhkl＝｛(ΣＡＳＴＭのＩ／Ｉ1)×(測定された(ｈｋｌ)面のＩ／Ｉ1)｝÷ ｛(Σ測定されたＩ／Ｉ1)×(ＡＳＴＭ(ｈｋｌ)面のＩ／Ｉ1)｝…(Ａ) 式(Ａ)中のＸhkl：(ｈｋｌ)面の配向性指数 Ｉ／Ｉ1：(ｈｋｌ)面の回折強度／Ｘ線回折パターン中
の最も強い回折ピークの回折強度 ΣＡＳＴＭのＩ／Ｉ1：標準となるＡＳＴＭカードのＩ
／Ｉ1の総和 Σ測定されたＩ／Ｉ1：実際に測定されたＩ／Ｉ1の総和 即ち、測定されたＸ線回折図では、各結晶面ごとに異な
る強度の回折ピークが現れるが、各結晶面の回折ピーク
Ｉをその最大ピークＩ1で除して、各(ｈｋｌ)面のＩ／
Ｉ1、或はΣ測定されたＩ／Ｉ1を求めるとともに、標準
の回折パターンであるＡＳＴＭカードにおける夫々の対
応値を求め、配向性指数Ｘhklを計算した。
けるβ−スズの結晶の配向性をＸ線回折法で調べた。当
該回折方式では、Ｘ線回折パターンによりβ−スズの各
結晶面の回折ピーク高さを求め、次式(Ａ)により夫々の
結晶面の配向性指数Ｘhklを算出した(当該算出式は金属
表面技術協会 第７６回講演大会 要旨集第２００〜２０
１頁(１９８７年)を参照)。 Ｘhkl＝｛(ΣＡＳＴＭのＩ／Ｉ1)×(測定された(ｈｋｌ)面のＩ／Ｉ1)｝÷ ｛(Σ測定されたＩ／Ｉ1)×(ＡＳＴＭ(ｈｋｌ)面のＩ／Ｉ1)｝…(Ａ) 式(Ａ)中のＸhkl：(ｈｋｌ)面の配向性指数 Ｉ／Ｉ1：(ｈｋｌ)面の回折強度／Ｘ線回折パターン中
の最も強い回折ピークの回折強度 ΣＡＳＴＭのＩ／Ｉ1：標準となるＡＳＴＭカードのＩ
／Ｉ1の総和 Σ測定されたＩ／Ｉ1：実際に測定されたＩ／Ｉ1の総和 即ち、測定されたＸ線回折図では、各結晶面ごとに異な
る強度の回折ピークが現れるが、各結晶面の回折ピーク
Ｉをその最大ピークＩ1で除して、各(ｈｋｌ)面のＩ／
Ｉ1、或はΣ測定されたＩ／Ｉ1を求めるとともに、標準
の回折パターンであるＡＳＴＭカードにおける夫々の対
応値を求め、配向性指数Ｘhklを計算した。
【００３３】この場合、配向性指数の中の最も高い数値
をとる結晶面が優先配向面となり、素地金属表面に対し
て統計的に平行になる。
をとる結晶面が優先配向面となり、素地金属表面に対し
て統計的に平行になる。
【００３４】一方、β−スズの結晶格子において、上記
優先配向面と〈００１〉方向との間の角度は空間上一義
的に定まるため、素地金属表面に平行になる優先配向面
が具体的に判明すると、この〈００１〉方向が素地金属
表面に立てた法線方向に対して成す角度θは容易に決定
できる。換言すると、β−スズの結晶の配向性は、優先
配向面という結晶面に替えて、〈００１〉方向と素地金
属表面の法線方向との間の角度θを用いることにより、
定量的に表現できるのである。その結果、本実施例１の
メッキ皮膜では、β−スズの結晶は次の角度θを成して
優先配向していることが認められた。 θ＝２８.６度 尚、後述の実施例２〜１９及び比較例１〜８の角度θ
は、上記〈００１〉方向が素地金属表面の法線方向に対
して成す角度を各々示す。
優先配向面と〈００１〉方向との間の角度は空間上一義
的に定まるため、素地金属表面に平行になる優先配向面
が具体的に判明すると、この〈００１〉方向が素地金属
表面に立てた法線方向に対して成す角度θは容易に決定
できる。換言すると、β−スズの結晶の配向性は、優先
配向面という結晶面に替えて、〈００１〉方向と素地金
属表面の法線方向との間の角度θを用いることにより、
定量的に表現できるのである。その結果、本実施例１の
メッキ皮膜では、β−スズの結晶は次の角度θを成して
優先配向していることが認められた。 θ＝２８.６度 尚、後述の実施例２〜１９及び比較例１〜８の角度θ
は、上記〈００１〉方向が素地金属表面の法線方向に対
して成す角度を各々示す。
【００３５】《実施例２》下記の組成でスズ−鉛合金メ
ッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４６.５ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ３.５ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １４０ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ１３) １０ｇ／ｌ ノニルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１５) −ポリプロポキシレート(ＰＯ２) ３ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルドデシルアンモニウムメチルスルホネート ３ｇ／ｌ ジアミルナフタレンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
ッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４６.５ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ３.５ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １４０ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ１３) １０ｇ／ｌ ノニルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１５) −ポリプロポキシレート(ＰＯ２) ３ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルドデシルアンモニウムメチルスルホネート ３ｇ／ｌ ジアミルナフタレンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
【００３６】上記メッキ浴を使用して、前記４２合金製
の素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：１５Ａ／ｄｍ2 浴温 ：４０℃ そして、上記実施例１と同様に、得られたスズ−鉛合金
メッキ皮膜におけるβ−スズの結晶の配向性をＸ線回折
法で調べ、配向性指数の最も高い数値をとる結晶面に基
づいて次の角度θを得た。 θ＝２８.６度
の素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：１５Ａ／ｄｍ2 浴温 ：４０℃ そして、上記実施例１と同様に、得られたスズ−鉛合金
メッキ皮膜におけるβ−スズの結晶の配向性をＸ線回折
法で調べ、配向性指数の最も高い数値をとる結晶面に基
づいて次の角度θを得た。 θ＝２８.６度
【００３７】《実施例３》下記の組成でスズ−鉛合金メ
ッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４６.５ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ３.５ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １４０ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ１３) １０ｇ／ｌ ノニルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１５) −ポリプロポキシレート(ＰＯ２) ３ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルドデシルアンモニウムメチルスルホネート ３ｇ／ｌ ジアミルナフタレンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
ッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４６.５ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ３.５ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １４０ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ１３) １０ｇ／ｌ ノニルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１５) −ポリプロポキシレート(ＰＯ２) ３ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルドデシルアンモニウムメチルスルホネート ３ｇ／ｌ ジアミルナフタレンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
【００３８】上記メッキ浴を使用して、前記４２合金製
の素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：７Ａ／ｄｍ2 浴温 ：３５℃ そして、得られたスズ−鉛合金メッキ皮膜におけるβ−
スズの結晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを
得た。 θ＝２１.１度
の素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：７Ａ／ｄｍ2 浴温 ：３５℃ そして、得られたスズ−鉛合金メッキ皮膜におけるβ−
スズの結晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを
得た。 θ＝２１.１度
【００３９】《実施例４》下記の組成でスズ−鉛合金メ
ッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４６.５ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ３.５ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １４０ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ１３) １０ｇ／ｌ ノニルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１５) −ポリプロポキシレート(ＰＯ２) ３ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルドデシルアンモニウムメチルスルホネート ３ｇ／ｌ ジアミルナフタレンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
ッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４６.５ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ３.５ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １４０ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ１３) １０ｇ／ｌ ノニルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１５) −ポリプロポキシレート(ＰＯ２) ３ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルドデシルアンモニウムメチルスルホネート ３ｇ／ｌ ジアミルナフタレンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
【００４０】上記メッキ浴を使用して、前記４２合金製
の素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：１５Ａ／ｄｍ2 浴温 ：３５℃ そして、得られたスズ−鉛合金メッキ皮膜におけるβ−
スズの結晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを
得た。 θ＝５０.７度
の素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：１５Ａ／ｄｍ2 浴温 ：３５℃ そして、得られたスズ−鉛合金メッキ皮膜におけるβ−
スズの結晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを
得た。 θ＝５０.７度
【００４１】《実施例５》下記の組成でスズ−鉛合金メ
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ５５.８ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ４.２ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １４０ｇ／ｌ オクチルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ１２) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) １０ｇ／ｌ デシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１５) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ２ｇ／ｌ (ベンジル)ジエチルオクチルアンモニウムブロマイド ３ｇ／ｌ トリ−イソプロピルナフタレンスルホン酸カリウム １ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ５５.８ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ４.２ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １４０ｇ／ｌ オクチルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ１２) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) １０ｇ／ｌ デシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１５) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ２ｇ／ｌ (ベンジル)ジエチルオクチルアンモニウムブロマイド ３ｇ／ｌ トリ−イソプロピルナフタレンスルホン酸カリウム １ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
【００４２】上記メッキ浴を使用して、前記４２合金製
の素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：１５Ａ／ｄｍ2 浴温 ：４０℃ そして、得られたスズ−鉛合金メッキ皮膜におけるβ−
スズの結晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを
得た。 θ＝２１.１度
の素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：１５Ａ／ｄｍ2 浴温 ：４０℃ そして、得られたスズ−鉛合金メッキ皮膜におけるβ−
スズの結晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを
得た。 θ＝２１.１度
【００４３】《実施例６》下記の組成でスズ−鉛合金メ
ッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４６.５ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ３.５ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １４０ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ８) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３) ２ｇ／ｌ ((トリフルオロメチル)フェニルメチル)ジメチルドデシル −アンモニウムアセテート ３ｇ／ｌ ２−ヒドロキシナフタレンスルホン酸 ２ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
ッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４６.５ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ３.５ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １４０ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ８) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３) ２ｇ／ｌ ((トリフルオロメチル)フェニルメチル)ジメチルドデシル −アンモニウムアセテート ３ｇ／ｌ ２−ヒドロキシナフタレンスルホン酸 ２ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
【００４４】上記メッキ浴を使用して、前記４２合金製
の素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：１５Ａ／ｄｍ2 浴温 ：４０℃ そして、得られたスズ−鉛合金メッキ皮膜におけるβ−
スズの結晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを
得た。 θ＝２１.１度
の素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：１５Ａ／ｄｍ2 浴温 ：４０℃ そして、得られたスズ−鉛合金メッキ皮膜におけるβ−
スズの結晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを
得た。 θ＝２１.１度
【００４５】《実施例７》下記の組成でスズ−鉛合金メ
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４６.５ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ３.５ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １８０ｇ／ｌ オクタデシルアルコールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ オクチルアミンポリエトキシレート(ＥＯ６) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ３ｇ／ｌ (ベンジル)エチルメチルオクタデシル −アンモニウムメチルスルホネート ３ｇ／ｌ １,２−ジヒドロキシナフタレンスルホン酸ナトリウム １ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４６.５ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ３.５ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １８０ｇ／ｌ オクタデシルアルコールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ オクチルアミンポリエトキシレート(ＥＯ６) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ３ｇ／ｌ (ベンジル)エチルメチルオクタデシル −アンモニウムメチルスルホネート ３ｇ／ｌ １,２−ジヒドロキシナフタレンスルホン酸ナトリウム １ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
【００４６】上記メッキ浴を使用して、銅合金製の素地
金属表面(大きさは実施例１と同じ；以下の実施例、及
び比較例でも同様)上に次の条件下で電気メッキを施し
た。 陰極電流密度：１２Ａ／ｄｍ2 浴温 ：４０℃ そして、得られたスズ−鉛合金メッキ皮膜におけるβ−
スズの結晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを
得た。 θ＝４０.８度
金属表面(大きさは実施例１と同じ；以下の実施例、及
び比較例でも同様)上に次の条件下で電気メッキを施し
た。 陰極電流密度：１２Ａ／ｄｍ2 浴温 ：４０℃ そして、得られたスズ−鉛合金メッキ皮膜におけるβ−
スズの結晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを
得た。 θ＝４０.８度
【００４７】《実施例８》下記の組成でスズ−鉛合金メ
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ５５.８ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ４.２ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １６０ｇ／ｌ ナフトールポリエトキシレート(ＥＯ２０) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ８) −ポリプロポキシレート(ＰＯ２) ３ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルオクタデシルアンモニウムクロライド ３ｇ／ｌ １,８−ジヒドロキシナフタレンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ５５.８ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ４.２ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １６０ｇ／ｌ ナフトールポリエトキシレート(ＥＯ２０) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ８) −ポリプロポキシレート(ＰＯ２) ３ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルオクタデシルアンモニウムクロライド ３ｇ／ｌ １,８−ジヒドロキシナフタレンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
【００４８】上記メッキ浴を使用して、前記銅合金製の
素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：１７Ａ／ｄｍ2 浴温 ：４０℃ そして、得られたスズ−鉛合金メッキ皮膜におけるβ−
スズの結晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを
得た。 θ＝２８.６度
素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：１７Ａ／ｄｍ2 浴温 ：４０℃ そして、得られたスズ−鉛合金メッキ皮膜におけるβ−
スズの結晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを
得た。 θ＝２８.６度
【００４９】《実施例９》下記の組成でスズ−鉛合金メ
ッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ２７ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ３ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ ナフトールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ ノニルアミンポリエトキシレート(ＥＯ３０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ６) ３ｇ／ｌ (モノクロロフェニルメチル)ジメチルヘキサデシル −アンモニウムクロライド ３ｇ／ｌ １,２−ジヒドロキシベンゼンスルホン酸 ０.５ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
ッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ２７ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ３ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １２０ｇ／ｌ ナフトールポリエトキシレート(ＥＯ３０) １０ｇ／ｌ ノニルアミンポリエトキシレート(ＥＯ３０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ６) ３ｇ／ｌ (モノクロロフェニルメチル)ジメチルヘキサデシル −アンモニウムクロライド ３ｇ／ｌ １,２−ジヒドロキシベンゼンスルホン酸 ０.５ｇ／ｌ カテコール ２ｇ／ｌ
【００５０】上記メッキ浴を使用して、前記銅合金製の
素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：７Ａ／ｄｍ2 浴温 ：３０℃ そして、得られたスズ−鉛合金メッキ皮膜におけるβ−
スズの結晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを
得た。 θ＝５０.７度
素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：７Ａ／ｄｍ2 浴温 ：３０℃ そして、得られたスズ−鉛合金メッキ皮膜におけるβ−
スズの結晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを
得た。 θ＝５０.７度
【００５１】《実施例１０》下記の組成でスズ−鉛合金
メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ５５.８ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ４.２ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 ２００ｇ／ｌ オクチルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ３０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) １０ｇ／ｌ デシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ３０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ２ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルデシルアンモニウムブロマイド ３ｇ／ｌ １,３−ジヒドロキシベンゼンスルホン酸ナトリウム １ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ５５.８ｇ／ｌ ２−プロパノールスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ４.２ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 ２００ｇ／ｌ オクチルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ３０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) １０ｇ／ｌ デシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ３０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ２ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルデシルアンモニウムブロマイド ３ｇ／ｌ １,３−ジヒドロキシベンゼンスルホン酸ナトリウム １ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
【００５２】上記メッキ浴を使用して、前記銅合金製の
素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：２０Ａ／ｄｍ2 浴温 ：４０℃ そして、得られたスズ−鉛合金メッキ皮膜におけるβ−
スズの結晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを
得た。 θ＝２１.１度
素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：２０Ａ／ｄｍ2 浴温 ：４０℃ そして、得られたスズ−鉛合金メッキ皮膜におけるβ−
スズの結晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを
得た。 θ＝２１.１度
【００５３】《実施例１１》下記の組成でスズ−鉛合金
メッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) １９.３ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ０.７ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １００ｇ／ｌ ベンジルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ１０) １０ｇ／ｌ ２−メルカプトベンゾチアゾール ０.３ｇ／ｌ カテコール １ｇ／ｌ
メッキ浴を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) １９.３ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ０.７ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １００ｇ／ｌ ベンジルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ１０) １０ｇ／ｌ ２−メルカプトベンゾチアゾール ０.３ｇ／ｌ カテコール １ｇ／ｌ
【００５４】上記メッキ浴を使用して、前記銅合金製の
素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：２Ａ／ｄｍ2 浴温 ：２５℃ そして、得られたスズ−鉛合金メッキ皮膜におけるβ−
スズの結晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを
得た。 θ＝２１.１度
素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：２Ａ／ｄｍ2 浴温 ：２５℃ そして、得られたスズ−鉛合金メッキ皮膜におけるβ−
スズの結晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを
得た。 θ＝２１.１度
【００５５】《実施例１２》下記の組成でスズ−鉛合金
メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) １９ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) １ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １００ｇ／ｌ ナフトールポリエトキシレート(ＥＯ１０) １０ｇ／ｌ オクチルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１４) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ３ｇ／ｌ ２−メルカプトベンゾチアゾール ０.４ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) １９ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) １ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １００ｇ／ｌ ナフトールポリエトキシレート(ＥＯ１０) １０ｇ／ｌ オクチルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１４) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ３ｇ／ｌ ２−メルカプトベンゾチアゾール ０.４ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
【００５６】上記メッキ浴を使用して、前記銅合金製の
素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：２Ａ／ｄｍ2 浴温 ：２５℃ そして、得られたスズ−鉛合金メッキ皮膜におけるβ−
スズの結晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを
得た。 θ＝２８.６度
素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：２Ａ／ｄｍ2 浴温 ：２５℃ そして、得られたスズ−鉛合金メッキ皮膜におけるβ−
スズの結晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを
得た。 θ＝２８.６度
【００５７】《実施例１３》下記の組成でスズメッキ浴
を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ６０ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １４０ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ１０) １０ｇ／ｌ ノニルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１２) −ポリプロポキシレート(ＰＯ２) ３ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルドデシルアンモニウムメチルスルホネート ２ｇ／ｌ ジアミルナフタレンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ６０ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １４０ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ１０) １０ｇ／ｌ ノニルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１２) −ポリプロポキシレート(ＰＯ２) ３ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルドデシルアンモニウムメチルスルホネート ２ｇ／ｌ ジアミルナフタレンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
【００５８】上記メッキ浴を使用して、前記４２合金製
の素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：１５Ａ／ｄｍ2 浴温 ：４０℃ そして、得られたスズメッキ皮膜におけるβ−スズの結
晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを得た。 θ＝２１.１度
の素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：１５Ａ／ｄｍ2 浴温 ：４０℃ そして、得られたスズメッキ皮膜におけるβ−スズの結
晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを得た。 θ＝２１.１度
【００５９】《実施例１４》下記の組成でスズメッキ浴
を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ６０ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １４０ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ１０) １０ｇ／ｌ ノニルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１２) −ポリプロポキシレート(ＰＯ２) ３ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルドデシルアンモニウムメチルスルホネート ２ｇ／ｌ ジアミルナフタレンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ６０ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １４０ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ１０) １０ｇ／ｌ ノニルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１２) −ポリプロポキシレート(ＰＯ２) ３ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルドデシルアンモニウムメチルスルホネート ２ｇ／ｌ ジアミルナフタレンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
【００６０】上記メッキ浴を使用して、前記４２合金製
の素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：１５Ａ／ｄｍ2 浴温 ：３５℃ そして、得られたスズメッキ皮膜におけるβ−スズの結
晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを得た。 θ＝５０.７度
の素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：１５Ａ／ｄｍ2 浴温 ：３５℃ そして、得られたスズメッキ皮膜におけるβ−スズの結
晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを得た。 θ＝５０.７度
【００６１】《実施例１５》下記の組成でスズメッキ浴
を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ６０ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １４０ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ１０) １０ｇ／ｌ ノニルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１２) −ポリプロポキシレート(ＰＯ２) ３ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルドデシルアンモニウムメチルスルホネート ２ｇ／ｌ ジアミルナフタレンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ６０ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １４０ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ１０) １０ｇ／ｌ ノニルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１２) −ポリプロポキシレート(ＰＯ２) ３ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルドデシルアンモニウムメチルスルホネート ２ｇ／ｌ ジアミルナフタレンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
【００６２】上記メッキ浴を使用して、前記４２合金製
の素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：７Ａ／ｄｍ2 浴温 ：３５℃ そして、得られたスズメッキ皮膜におけるβ−スズの結
晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを得た。 θ＝２８.６度
の素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：７Ａ／ｄｍ2 浴温 ：３５℃ そして、得られたスズメッキ皮膜におけるβ−スズの結
晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを得た。 θ＝２８.６度
【００６３】《実施例１６》下記の組成でスズメッキ浴
を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ６０ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １４０ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ２８) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ８) −ポリプロポキシレート(ＰＯ２) ２ｇ／ｌ ((トリフルオロメチル)フェニルメチル)ジメチルドデシル −アンモニウムアセテート ３ｇ／ｌ ジアミルナフタレンスルホン酸ナトリウム ２ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
を建浴した。 ２−プロパノールスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ６０ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 １４０ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ２８) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ８) −ポリプロポキシレート(ＰＯ２) ２ｇ／ｌ ((トリフルオロメチル)フェニルメチル)ジメチルドデシル −アンモニウムアセテート ３ｇ／ｌ ジアミルナフタレンスルホン酸ナトリウム ２ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
【００６４】上記メッキ浴を使用して、前記銅合金製の
素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：１５Ａ／ｄｍ2 浴温 ：４０℃ そして、得られたスズメッキ皮膜におけるβ−スズの結
晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを得た。 θ＝４０.８度
素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：１５Ａ／ｄｍ2 浴温 ：４０℃ そして、得られたスズメッキ皮膜におけるβ−スズの結
晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを得た。 θ＝４０.８度
【００６５】《実施例１７》下記の組成でスズメッキ浴
を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ６０ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １６０ｇ／ｌ ナフトールポリエトキシレート(ＥＯ２０) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ８) −ポリプロポキシレート(ＰＯ２) ３ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルオクタデシルアンモニウムクロライド ３ｇ／ｌ １,８−ジヒドロキシナフタレンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ６０ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １６０ｇ／ｌ ナフトールポリエトキシレート(ＥＯ２０) １０ｇ／ｌ ドデシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ８) −ポリプロポキシレート(ＰＯ２) ３ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルオクタデシルアンモニウムクロライド ３ｇ／ｌ １,８−ジヒドロキシナフタレンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
【００６６】上記メッキ浴を使用して、前記銅合金製の
素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：１７Ａ／ｄｍ2 浴温 ：４０℃ そして、得られたスズメッキ皮膜におけるβ−スズの結
晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを得た。 θ＝５０.７度
素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：１７Ａ／ｄｍ2 浴温 ：４０℃ そして、得られたスズメッキ皮膜におけるβ−スズの結
晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを得た。 θ＝５０.７度
【００６７】《実施例１８》下記の組成でスズメッキ浴
を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ６０ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 ２００ｇ／ｌ オクチルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ３０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) １０ｇ／ｌ デシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ３０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ２ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルデシルアンモニウムブロマイド ３ｇ／ｌ １,３−ジヒドロキシベンゼンスルホン酸ナトリウム １ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ６０ｇ／ｌ 遊離２−プロパノールスルホン酸 ２００ｇ／ｌ オクチルフェノールポリエトキシレート(ＥＯ３０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) １０ｇ／ｌ デシルアミンポリエトキシレート(ＥＯ３０) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ２ｇ／ｌ (ベンジル)ジメチルデシルアンモニウムブロマイド ３ｇ／ｌ １,３−ジヒドロキシベンゼンスルホン酸ナトリウム １ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
【００６８】上記メッキ浴を使用して、前記銅合金製の
素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：１３Ａ／ｄｍ2 浴温 ：３５℃ そして、得られたスズメッキ皮膜におけるβ−スズの結
晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを得た。 θ＝２８.６度
素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：１３Ａ／ｄｍ2 浴温 ：３５℃ そして、得られたスズメッキ皮膜におけるβ−スズの結
晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを得た。 θ＝２８.６度
【００６９】《実施例１９》下記の組成でスズメッキ浴
を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ２０ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １００ｇ／ｌ ナフトールポリエトキシレート(ＥＯ１０) １０ｇ／ｌ オクチルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１４) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ３ｇ／ｌ ２−メルカプトベンゾチアゾール ０.４ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ２０ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １００ｇ／ｌ ナフトールポリエトキシレート(ＥＯ１０) １０ｇ／ｌ オクチルアミンポリエトキシレート(ＥＯ１４) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) ３ｇ／ｌ ２−メルカプトベンゾチアゾール ０.４ｇ／ｌ ハイドロキノン ２ｇ／ｌ
【００７０】上記メッキ浴を使用して、前記銅合金製の
素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：２Ａ／ｄｍ2 浴温 ：２５℃ そして、得られたスズメッキ皮膜におけるβ−スズの結
晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを得た。 θ＝２８.６度
素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：２Ａ／ｄｍ2 浴温 ：２５℃ そして、得られたスズメッキ皮膜におけるβ−スズの結
晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを得た。 θ＝２８.６度
【００７１】《比較例１》下記の組成でスズ−鉛合金メ
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ５５.８ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ４.２ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １４０ｇ／ｌ スチレン化フェノールポリエトキシレート(ＥＯ２３) ８ｇ／ｌ プルロニックポリエトキシレート(ＥＯ２６) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３０) ２ｇ／ｌ ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ カテコール １ｇ／ｌ
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ５５.８ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ４.２ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １４０ｇ／ｌ スチレン化フェノールポリエトキシレート(ＥＯ２３) ８ｇ／ｌ プルロニックポリエトキシレート(ＥＯ２６) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３０) ２ｇ／ｌ ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ カテコール １ｇ／ｌ
【００７２】上記メッキ浴を使用して、前記４２合金製
の素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：１５Ａ／ｄｍ2 浴温 ：４０℃ そして、得られたスズ−鉛合金メッキ皮膜におけるβ−
スズの結晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを
得た。 θ＝５８.６度
の素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：１５Ａ／ｄｍ2 浴温 ：４０℃ そして、得られたスズ−鉛合金メッキ皮膜におけるβ−
スズの結晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを
得た。 θ＝５８.６度
【００７３】《比較例２》下記の組成でスズ−鉛合金メ
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ５５.８ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ４.２ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １４０ｇ／ｌ スチレン化フェノールポリエトキシレート(ＥＯ２３) ８ｇ／ｌ プルロニックポリエトキシレート(ＥＯ２６) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３０) ２ｇ／ｌ ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ カテコール １ｇ／ｌ
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ５５.８ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ４.２ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １４０ｇ／ｌ スチレン化フェノールポリエトキシレート(ＥＯ２３) ８ｇ／ｌ プルロニックポリエトキシレート(ＥＯ２６) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３０) ２ｇ／ｌ ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ カテコール １ｇ／ｌ
【００７４】上記メッキ浴を使用して、前記４２合金製
の素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：２０Ａ／ｄｍ2 浴温 ：４５℃ そして、得られたスズ−鉛合金メッキ皮膜におけるβ−
スズの結晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを
得た。 θ＝５８.６度
の素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：２０Ａ／ｄｍ2 浴温 ：４５℃ そして、得られたスズ−鉛合金メッキ皮膜におけるβ−
スズの結晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを
得た。 θ＝５８.６度
【００７５】《比較例３》下記の組成でスズ−鉛合金メ
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ５５.８ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ４.２ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １４０ｇ／ｌ スチレン化フェノールポリエトキシレート(ＥＯ１４) １０ｇ／ｌ プルロニックポリエトキシレート(ＥＯ１８) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) １.５ｇ／ｌ ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ カテコール １ｇ／ｌ
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ５５.８ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ４.２ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １４０ｇ／ｌ スチレン化フェノールポリエトキシレート(ＥＯ１４) １０ｇ／ｌ プルロニックポリエトキシレート(ＥＯ１８) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) １.５ｇ／ｌ ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ カテコール １ｇ／ｌ
【００７６】上記メッキ浴を使用して、前記銅合金製の
素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：１５Ａ／ｄｍ2 浴温 ：４０℃ そして、得られたスズ−鉛合金メッキ皮膜におけるβ−
スズの結晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを
得た。 θ＝９０度
素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：１５Ａ／ｄｍ2 浴温 ：４０℃ そして、得られたスズ−鉛合金メッキ皮膜におけるβ−
スズの結晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを
得た。 θ＝９０度
【００７７】《比較例４》下記の組成でスズ−鉛合金メ
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ５５.８ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ４.２ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １４０ｇ／ｌ スチレン化フェノールポリエトキシレート(ＥＯ１４) １０ｇ／ｌ プルロニックポリエトキシレート(ＥＯ１８) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) １.５ｇ／ｌ ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ カテコール １ｇ／ｌ
ッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ５５.８ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ４.２ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １４０ｇ／ｌ スチレン化フェノールポリエトキシレート(ＥＯ１４) １０ｇ／ｌ プルロニックポリエトキシレート(ＥＯ１８) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) １.５ｇ／ｌ ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ カテコール １ｇ／ｌ
【００７８】上記メッキ浴を使用して、前記銅合金製の
素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：１５Ａ／ｄｍ2 浴温 ：３５℃ そして、得られたスズ−鉛合金メッキ皮膜におけるβ−
スズの結晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを
得た。 θ＝９０度
素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：１５Ａ／ｄｍ2 浴温 ：３５℃ そして、得られたスズ−鉛合金メッキ皮膜におけるβ−
スズの結晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを
得た。 θ＝９０度
【００７９】《比較例５》下記の組成でスズメッキ浴を
建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ６０ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １４０ｇ／ｌ スチレン化フェノールポリエトキシレート(ＥＯ２３) ８ｇ／ｌ プルロニックポリエトキシレート(ＥＯ２６) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３０) ２ｇ／ｌ ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ カテコール １ｇ／ｌ
建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ６０ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １４０ｇ／ｌ スチレン化フェノールポリエトキシレート(ＥＯ２３) ８ｇ／ｌ プルロニックポリエトキシレート(ＥＯ２６) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３０) ２ｇ／ｌ ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ カテコール １ｇ／ｌ
【００８０】上記メッキ浴を使用して、前記４２合金製
の素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：１５Ａ／ｄｍ2 浴温 ：４０℃ そして、得られたスズメッキ皮膜におけるβ−スズの結
晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを得た。 θ＝５８.６度
の素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：１５Ａ／ｄｍ2 浴温 ：４０℃ そして、得られたスズメッキ皮膜におけるβ−スズの結
晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを得た。 θ＝５８.６度
【００８１】《比較例６》下記の組成でスズメッキ浴を
建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ６０ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １４０ｇ／ｌ スチレン化フェノールポリエトキシレート(ＥＯ２３) ８ｇ／ｌ プルロニックポリエトキシレート(ＥＯ２６) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３０) ２ｇ／ｌ ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ カテコール １ｇ／ｌ
建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ６０ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １４０ｇ／ｌ スチレン化フェノールポリエトキシレート(ＥＯ２３) ８ｇ／ｌ プルロニックポリエトキシレート(ＥＯ２６) −ポリプロポキシレート(ＰＯ３０) ２ｇ／ｌ ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ カテコール １ｇ／ｌ
【００８２】上記メッキ浴を使用して、前記４２合金製
の素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：２０Ａ／ｄｍ2 浴温 ：４５℃ そして、得られたスズメッキ皮膜におけるβ−スズの結
晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを得た。 θ＝５８.６度
の素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：２０Ａ／ｄｍ2 浴温 ：４５℃ そして、得られたスズメッキ皮膜におけるβ−スズの結
晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを得た。 θ＝５８.６度
【００８３】《比較例７》下記の組成でスズメッキ浴を
建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ６０ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １４０ｇ／ｌ スチレン化フェノールポリエトキシレート(ＥＯ１４) １０ｇ／ｌ プルロニックポリエトキシレート(ＥＯ１８) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) １.５ｇ／ｌ ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ カテコール １ｇ／ｌ
建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ６０ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １４０ｇ／ｌ スチレン化フェノールポリエトキシレート(ＥＯ１４) １０ｇ／ｌ プルロニックポリエトキシレート(ＥＯ１８) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) １.５ｇ／ｌ ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ カテコール １ｇ／ｌ
【００８４】上記メッキ浴を使用して、前記銅合金製の
素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：１５Ａ／ｄｍ2 浴温 ：４０℃ そして、得られたスズメッキ皮膜におけるβ−スズの結
晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを得た。 θ＝９０度
素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：１５Ａ／ｄｍ2 浴温 ：４０℃ そして、得られたスズメッキ皮膜におけるβ−スズの結
晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを得た。 θ＝９０度
【００８５】《比較例８》下記の組成でスズメッキ浴を
建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ５５.８ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １４０ｇ／ｌ スチレン化フェノールポリエトキシレート(ＥＯ２３) １０ｇ／ｌ プルロニックポリエトキシレート(ＥＯ１８) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) １.５ｇ／ｌ ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ カテコール １ｇ／ｌ
建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ５５.８ｇ／ｌ 遊離メタンスルホン酸 １４０ｇ／ｌ スチレン化フェノールポリエトキシレート(ＥＯ２３) １０ｇ／ｌ プルロニックポリエトキシレート(ＥＯ１８) −ポリプロポキシレート(ＰＯ４) １.５ｇ／ｌ ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム ０.５ｇ／ｌ カテコール １ｇ／ｌ
【００８６】上記メッキ浴を使用して、前記銅合金製の
素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：１５Ａ／ｄｍ2 浴温 ：３５℃ そして、得られたスズメッキ皮膜におけるβ−スズの結
晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを得た。 θ＝９０度
素地金属表面上に次の条件下で電気メッキを施した。 陰極電流密度：１５Ａ／ｄｍ2 浴温 ：３５℃ そして、得られたスズメッキ皮膜におけるβ−スズの結
晶の配向性をＸ線回折法で調べ、次の角度θを得た。 θ＝９０度
【００８７】上記実施例１〜１９並びに比較例１〜８で
は、メッキ浴の組成やメッキ条件の変化により、結晶格
子の〈００１〉方向が素地金属表面の法線方向に対して
どのような角度θを成して配向したかを記載したが、以
下に、このβ−スズの結晶の配向性評価をまとめた。
は、メッキ浴の組成やメッキ条件の変化により、結晶格
子の〈００１〉方向が素地金属表面の法線方向に対して
どのような角度θを成して配向したかを記載したが、以
下に、このβ−スズの結晶の配向性評価をまとめた。
【００８８】《β−スズの結晶の配向性評価》スズ−鉛
合金メッキ皮膜において、上記実施例１と２と８と１２
を比較すると、メッキ浴の組成が異なる場合でも、陰極
電流密度や浴温のメッキ条件を制御することで、メッキ
皮膜のβ−スズの結晶は同じ配向性(共に、θ＝２８.６
度)を獲得することが判る。このことは、スズメッキ皮
膜において、実施例１５と１８と１９の関係に同じであ
る。逆に、スズ−鉛合金メッキ皮膜において、上記実施
例２と３と４を比較すると、メッキ浴の組成が同じ場合
でも、陰極電流密度や浴温のメッキ条件を制御すること
で、メッキ皮膜のβ−スズの結晶は異なる配向性を獲得
することが判る。このことは、スズメッキ皮膜におい
て、実施例１３と１４と１５の関係に同じである。
合金メッキ皮膜において、上記実施例１と２と８と１２
を比較すると、メッキ浴の組成が異なる場合でも、陰極
電流密度や浴温のメッキ条件を制御することで、メッキ
皮膜のβ−スズの結晶は同じ配向性(共に、θ＝２８.６
度)を獲得することが判る。このことは、スズメッキ皮
膜において、実施例１５と１８と１９の関係に同じであ
る。逆に、スズ−鉛合金メッキ皮膜において、上記実施
例２と３と４を比較すると、メッキ浴の組成が同じ場合
でも、陰極電流密度や浴温のメッキ条件を制御すること
で、メッキ皮膜のβ−スズの結晶は異なる配向性を獲得
することが判る。このことは、スズメッキ皮膜におい
て、実施例１３と１４と１５の関係に同じである。
【００８９】一方、スズ−鉛合金メッキ皮膜において、
上記実施例２、５、６と比較例１、３とを対比すると、
陰極電流密度や浴温のメッキ条件(１５Ａ／ｄｍ2及び４
０℃)が同じ場合でも、メッキ浴の組成を制御すること
で、メッキ皮膜のβ−スズの結晶は異なる配向性を獲得
することが判る。即ち、実施例２、５、６ではθ＜５５
度であったが、比較例１と３ではθ＞５５度であった。
特に、比較例１と３を見ると、陰極電流密度や浴温が同
じでも、浴組成が少し異なると、角度θは５８.６度(比
較例１)から９０度(比較例３)に大きく変化している。
このことは、スズメッキ皮膜において、実施例１３、１
６と比較例５、７との関係に同じである。
上記実施例２、５、６と比較例１、３とを対比すると、
陰極電流密度や浴温のメッキ条件(１５Ａ／ｄｍ2及び４
０℃)が同じ場合でも、メッキ浴の組成を制御すること
で、メッキ皮膜のβ−スズの結晶は異なる配向性を獲得
することが判る。即ち、実施例２、５、６ではθ＜５５
度であったが、比較例１と３ではθ＞５５度であった。
特に、比較例１と３を見ると、陰極電流密度や浴温が同
じでも、浴組成が少し異なると、角度θは５８.６度(比
較例１)から９０度(比較例３)に大きく変化している。
このことは、スズメッキ皮膜において、実施例１３、１
６と比較例５、７との関係に同じである。
【００９０】尚、上記実施例２と４(又は、実施例１３と
１４)を対比すると、メッキ浴の組成と陰極電流密度が
同じ場合、電気メッキ時の浴温を３５→４０℃に上げる
と、角度θが５０.７→２８.６度(又は５０.７→２１.
１度)に減少することが判る。また、上記実施例３と４
(又は、実施例１４と１５)を対比すると、メッキ浴の組
成と浴温が同じ場合、電気メッキ時の陰極電流密度を１
５→７Ａ／ｄｍ2に下げると、角度θが５０.７→２１.
１度(又は５０.７→２８.６度)に減少することが判る。
１４)を対比すると、メッキ浴の組成と陰極電流密度が
同じ場合、電気メッキ時の浴温を３５→４０℃に上げる
と、角度θが５０.７→２８.６度(又は５０.７→２１.
１度)に減少することが判る。また、上記実施例３と４
(又は、実施例１４と１５)を対比すると、メッキ浴の組
成と浴温が同じ場合、電気メッキ時の陰極電流密度を１
５→７Ａ／ｄｍ2に下げると、角度θが５０.７→２１.
１度(又は５０.７→２８.６度)に減少することが判る。
【００９１】以上のことから、メッキ浴の組成及びメッ
キ条件の制御により、β−スズの結晶に適正な配向性を
付与することは実用上可能であるが、その反面、既述し
たように、メッキ浴の組成やメッキ条件と、得られるメ
ッキ皮膜のβ−スズの結晶の配向性との間には多くの因
子が介在するため、一般的な法則性を導くことは容易で
ない。
キ条件の制御により、β−スズの結晶に適正な配向性を
付与することは実用上可能であるが、その反面、既述し
たように、メッキ浴の組成やメッキ条件と、得られるメ
ッキ皮膜のβ−スズの結晶の配向性との間には多くの因
子が介在するため、一般的な法則性を導くことは容易で
ない。
【００９２】《メッキ皮膜の削れ屑発生試験例》上記実
施例１〜１９並びに比較例１〜８の表面被覆材料を各試
験片とし、当該試験片のスズ又はスズ−鉛合金メッキ皮
膜の表面に対して、垂直に３００ｇｆの荷重をかけて３
０ｍｍ径の鋼球を押し当てた。次いで、鋼球をメッキ皮
膜の表面に水平方向に５０ｍｍ／分の速度で１００回往
復運動を行い、摩耗痕の膜厚を測定した。そして、当該
膜厚の元の厚みからの減少量により、メッキ皮膜の削れ
屑の発生度合を評価した。
施例１〜１９並びに比較例１〜８の表面被覆材料を各試
験片とし、当該試験片のスズ又はスズ−鉛合金メッキ皮
膜の表面に対して、垂直に３００ｇｆの荷重をかけて３
０ｍｍ径の鋼球を押し当てた。次いで、鋼球をメッキ皮
膜の表面に水平方向に５０ｍｍ／分の速度で１００回往
復運動を行い、摩耗痕の膜厚を測定した。そして、当該
膜厚の元の厚みからの減少量により、メッキ皮膜の削れ
屑の発生度合を評価した。
【００９３】削れ屑の発生量の評価基準は下記の通りで
あり、膜厚減少量が低減するほど削れ屑の発生量が少な
く、評価は高い。 ５点：膜厚減少量が１μｍ以下。 ４点：膜厚減少量が１〜２μｍ。 ３点：膜厚減少量が２〜４μｍ。 ２点：膜厚減少量が４〜８μｍ。 １点：膜厚減少量が８μｍ以上。
あり、膜厚減少量が低減するほど削れ屑の発生量が少な
く、評価は高い。 ５点：膜厚減少量が１μｍ以下。 ４点：膜厚減少量が１〜２μｍ。 ３点：膜厚減少量が２〜４μｍ。 ２点：膜厚減少量が４〜８μｍ。 １点：膜厚減少量が８μｍ以上。
【００９４】図１はスズ−鉛合金メッキ皮膜の被覆材料
の試験結果、図２はスズメッキ皮膜の場合の試験結果を
各々示す。実施例１〜１２(スズ−鉛合金メッキ皮膜)は
各４点、実施例１３〜１９(スズメッキ皮膜)は各５〜４
点の高評価であったのに対して、比較例１〜８は１〜２
点と評価が低く、膜厚減少量が大きかった。即ち、上記
実施例１〜１９は、前記角度θ＜５５度の条件で各メッ
キ皮膜のβ−スズの結晶を優先配向したものであるが、
θ＞５５度で優先配向した各比較例１〜８を対比すれ
ば、これらの実施例における削れ屑の発生量の抑制効果
は明らかである。
の試験結果、図２はスズメッキ皮膜の場合の試験結果を
各々示す。実施例１〜１２(スズ−鉛合金メッキ皮膜)は
各４点、実施例１３〜１９(スズメッキ皮膜)は各５〜４
点の高評価であったのに対して、比較例１〜８は１〜２
点と評価が低く、膜厚減少量が大きかった。即ち、上記
実施例１〜１９は、前記角度θ＜５５度の条件で各メッ
キ皮膜のβ−スズの結晶を優先配向したものであるが、
θ＞５５度で優先配向した各比較例１〜８を対比すれ
ば、これらの実施例における削れ屑の発生量の抑制効果
は明らかである。
【００９５】ここで、角度θは、前述したように、β−
スズの結晶格子の〈００１〉方向が素地金属表面の法線
方向に対して成す角度である。また、本試験例において
は、鋼球が加えた外力方向はメッキ皮膜の表面(即ち、素
地金属表面)に沿う水平方向である。このため、θ＜５
５度の条件下でβ−スズの結晶を優先配向することは、
当該外力方向との関係で表現すると、β−スズの結晶格
子の〈００１〉方向を外力方向に対して９０〜３５度を
成して優先配向させることと同義である。
スズの結晶格子の〈００１〉方向が素地金属表面の法線
方向に対して成す角度である。また、本試験例において
は、鋼球が加えた外力方向はメッキ皮膜の表面(即ち、素
地金属表面)に沿う水平方向である。このため、θ＜５
５度の条件下でβ−スズの結晶を優先配向することは、
当該外力方向との関係で表現すると、β−スズの結晶格
子の〈００１〉方向を外力方向に対して９０〜３５度を
成して優先配向させることと同義である。
【図１】実施例１〜１２及び比較例１〜４から得られた
スズ−鉛合金メッキ皮膜の各表面被覆材料による削れ屑
発生試験の結果を示す図表である。
スズ−鉛合金メッキ皮膜の各表面被覆材料による削れ屑
発生試験の結果を示す図表である。
【図２】実施例１３〜１９及び比較例５〜８から得られ
たスズメッキ皮膜の各表面被覆材料による削れ屑発生試
験の結果を示す図表である。
たスズメッキ皮膜の各表面被覆材料による削れ屑発生試
験の結果を示す図表である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 武内 孝夫 兵庫県明石市二見町南二見21番地の８ 株 式会社大和化成研究所内
Claims (8)
- 【請求項１】 素地金属上にスズ―鉛合金メッキ皮膜を
電気メッキにより被覆する表面被覆材料において、表面
被覆材料に加える外力方向に対して、メッキ皮膜中のβ
−スズの結晶格子におけるミラー指数の〈００１〉方向
が９０〜３５度の高角度を成すように、当該β−スズの
結晶を優先配向させることを特徴とするスズ―鉛合金メ
ッキによる表面被覆材料。 - 【請求項２】 素地金属上にスズ―鉛合金メッキ皮膜を
電気メッキにより被覆する表面被覆材料において、当該
素地金属の表面の法線方向に対して、メッキ皮膜中のβ
−スズの結晶格子におけるミラー指数の〈００１〉方向
が０〜５５度の角度を成すように、当該β−スズの結晶
を優先配向させることを特徴とする請求項１に記載のス
ズ―鉛合金メッキによる表面被覆材料。 - 【請求項３】 メッキ皮膜の膜厚が１〜３０μｍである
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のスズ―鉛合金
メッキによる表面被覆材料。 - 【請求項４】 スズ−鉛合金メッキ皮膜中の鉛の含有率
が２０％以下であることを特徴とする請求項１〜３のい
ずれか１項に記載のスズ―鉛合金メッキによる表面被覆
材料。 - 【請求項５】 素地金属上にスズ−鉛合金メッキ皮膜の
代わりに、スズメッキ皮膜を被覆することを特徴とする
請求項１〜３のいずれか１項に記載のスズメッキによる
表面被覆材料。 - 【請求項６】 スズの可溶性塩、或はスズ及び鉛の可溶
性塩と、有機スルホン酸と、界面活性剤とを主成分とす
るメッキ浴により、素地金属上に電気メッキを施すこと
を特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のスズ
及びスズ―鉛合金メッキによる表面被覆材料。 - 【請求項７】 リード、電極などが請求項１〜６のいず
れか１項に記載の表面被覆材料であることを特徴とする
電子部品。 - 【請求項８】 請求項７に記載の電子部品が半導体デバ
イス、コネクターなどであることを特徴とするもの。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24917096A JP3479702B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | スズ及びスズ―鉛合金メッキによる表面被覆材料、並びに当該被覆材料を利用した電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24917096A JP3479702B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | スズ及びスズ―鉛合金メッキによる表面被覆材料、並びに当該被覆材料を利用した電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1072694A true JPH1072694A (ja) | 1998-03-17 |
| JP3479702B2 JP3479702B2 (ja) | 2003-12-15 |
Family
ID=17188955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24917096A Expired - Fee Related JP3479702B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | スズ及びスズ―鉛合金メッキによる表面被覆材料、並びに当該被覆材料を利用した電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3479702B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001089894A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-03 | Ishihara Chem Co Ltd | スズ合金メッキを施した表面被覆材料、並びに当該被覆材料を利用した電子部品 |
| JP2001098396A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-04-10 | Ishihara Chem Co Ltd | スズ又はスズ合金メッキを施した表面被覆材料、並びに当該被覆材料を利用した電子部品 |
| US6713780B2 (en) | 2000-03-08 | 2004-03-30 | International Business Machines Corporation | Process using poly-buffered STI |
| US6911138B2 (en) | 2001-09-13 | 2005-06-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for plating electrodes of ceramic chip electronic components |
| KR100950059B1 (ko) | 2002-03-05 | 2010-03-29 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨 | 주석 도금 방법 |
| WO2019009427A1 (ja) * | 2017-07-06 | 2019-01-10 | 株式会社日本スペリア社 | はんだ継手及び接合方法 |
-
1996
- 1996-08-30 JP JP24917096A patent/JP3479702B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001089894A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-03 | Ishihara Chem Co Ltd | スズ合金メッキを施した表面被覆材料、並びに当該被覆材料を利用した電子部品 |
| JP2001098396A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-04-10 | Ishihara Chem Co Ltd | スズ又はスズ合金メッキを施した表面被覆材料、並びに当該被覆材料を利用した電子部品 |
| JP4547583B2 (ja) * | 1999-09-24 | 2010-09-22 | 石原薬品株式会社 | スズ合金メッキを施した表面被覆材料、並びに当該被覆材料を利用した電子部品 |
| US6713780B2 (en) | 2000-03-08 | 2004-03-30 | International Business Machines Corporation | Process using poly-buffered STI |
| US6911138B2 (en) | 2001-09-13 | 2005-06-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for plating electrodes of ceramic chip electronic components |
| KR100502733B1 (ko) * | 2001-09-13 | 2005-07-22 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 세라믹 칩형 전자 부품의 전극 형성 방법 |
| KR100950059B1 (ko) | 2002-03-05 | 2010-03-29 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨 | 주석 도금 방법 |
| WO2019009427A1 (ja) * | 2017-07-06 | 2019-01-10 | 株式会社日本スペリア社 | はんだ継手及び接合方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3479702B2 (ja) | 2003-12-15 |
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