JPH1070282A - 薄膜トランジスタ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】チャネル部への光の侵入及び基板内から発生す
る不純物の侵入を防ぎ、トランジスタ特性を向上させ
る。 【解決手段】一対の基板間に液晶が封入されてなり、該
一対の基板の一方の基板上に下パシベーション膜上に光
吸収膜を形成し、該光吸収膜上に上パシベーション膜を
形成し、さらにその上に薄膜トランジスタを形成するこ
とを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、チャネル部をシリ
コンとする薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及びその製造方
法に関し、特に安価なガラス基板が使用可能な薄膜トラ
ンジスタ構造及びその低温プロセスの採用に有益なチャ
ネル部の固相成長化技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、例えば低温プロセス等に適用され
るスタガー構造を備えた多結晶シリコン薄膜トランジス
タの構造は、図５に示すように、安価なハードガラス基
板１が用いられ、これに全面被覆したパッシベーション
膜２上に相離間して形成されたリン・ドープのソース膜
３及びドレイン膜４と、そのソース膜３とドレイン膜４
との間に重なり余裕をもったアンドープの多結晶シリコ
ン膜たるチャネル膜５と、チャネル膜５上にＭＯＳ（Ｍ
ＩＳ）部を構成すべきゲート絶縁膜たる薄いシリコン酸
化膜６及びＮ型高濃度の多結晶シリコンのゲート電極７
と、ゲート電極７等を覆う層間絶縁膜としてのシリコン
酸化膜８と、ソース膜３及びドレイン膜４にコンタクト
ホールを介して導電接触するアルミニウムのソース電極
９及び透明電極（ＩＴＯ）としての画素電極（ドレイン
電極）１０と、を備えるものである。

【０００３】かかる構造の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
におけるチャネル膜５を得るまでのプロセスは、まず図
６（Ａ）に示す如く、ハードガラス基板１上にシリコン
酸化膜のパッシベーション膜２を全面被覆し、その上に
低圧ＣＶＤ法あるいはイオン打ち込み法などによりリン
・ドープの多結晶シリコン膜を被覆してから、パターニ
ングによりソース膜３及びドレイン膜４を形成する。次
に、図６（Ｂ）に示すように、ソース膜３及びドレイン
膜４上に多結晶シリコン膜を全面被覆し、これをパター
ニングしてアンドープのチャネル膜５を形成した後、ト
ランジスタのオン電流容量を大とすべく、加熱炉内で基
板全体を加熱し、チャネル膜５の多結晶シリコンを再結
晶（固相成長）化させグレインサイズの大きな多結晶シ
リコンを形成する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記固
相成長工程にあっては次の問題点がある。

【０００５】 固相成長工程は、適宜の粒径を得るた
め、基板全体を６００℃前後の高温で数十時間加熱する
ものであるが、基板材料として低転位温度の安価なハー
ドガラス基板１を用いるので、基板１自体が軟化しやす
く、炉出し後の基板には歪み，伸縮などの変形が生じて
しまう。このため、固相成長工程以降の微細加工がはな
はだ困難となり、到底実用に供し得ない。換言すれば低
温プロセスにおいて安価なハードガラス基板１を用いた
場合、チャネル膜５の固相成長化により多結晶シリコン
の粒径を拡大して改質できるものの、それにはハードガ
ラス基板１の変形が常に伴う。

【０００６】 形状変形による微細加工の困難さに加
えて、固相成長中におけるハードガラス基板１の軟化に
よって、ハードガラス基板１中からパッシベーション膜
２を介して不純物がチャネル膜５に侵入するため、固相
成長によって粒径は大きくなるものの、この不純物侵入
が却ってトランジスタ特性の劣化を招く。

【０００７】そこで、本発明の課題は、基板自体に対し
てはそれが軟化しない程度に低温維持できると共に、チ
ャネル膜に対してはその多結晶シリコンが最適に固相成
長するように加熱すべく、膜構造の改良及び短時間間接
局部加熱法を採用することにより、安価な基板の使用が
可能で、チャネル膜のグレインサイズが大きくトランジ
スタ特性の向上した薄膜トランジスタ及びその製造方法
を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の講じた手段は、通常の低温プロセス又は高
温プロセスにおいても適用される膜構造の如く、透明基
板上に少なくともチャネル部（チャネル膜）を多結晶シ
リコンとする薄膜トランジスタ構造において、透明基板
上にパッシベーション膜を介してチャネル部を直接形成
したものでなく、チャネル部直下の領域に上下パッシベ
ーション膜で挟まれた光吸収膜を挿設したものである。
この光吸収膜は、製造プロセス中のランプアニールに適
合するように、所定波長領域の選択光吸収性に富みアニ
ール工程中においては蓄熱膜としての熱源の機能を果た
し、しかもそれ自身が融溶変形しがたい高融点材質（耐
熱性材）と以って形成されている。この光吸収膜は主に
製造プロセスにおけるチャネル部の固相成長を促進させ
る間接熱源としての意義を有するが、トランジスタの動
作上の機能要素たるバックゲート電極とすべく導電性材
質を以て形成しても良い。

【０００９】また、光吸収膜自体をバックゲート電極と
して利用するばかりでなく、例えば光吸収膜の形成工程
において同質材を以って形成されたソース配線又はドレ
イン配線を有する構造を採用しても良い。

【００１０】かかる構造を得るために、本発明の講じた
薄膜トランジスタの製造方法は、透明基板上に下パッシ
ベーション膜を被覆した後、この膜上のチャネル部形成
予定領域において所定波長領域の選択光吸収性に富む高
融点材質を以て少なくとも光吸収膜を形成してから、こ
の光吸収膜上を上パッシベーション膜で覆い、上下パッ
シベーション膜で挟まれた光吸収膜のサンドイッチ構造
を設ける。次に、光吸収膜上に直接又は間接に多結晶シ
リコンを用いた所要のチャネル部を形成した後、上記所
定波長領域に適合する光源（例えばハロゲンランプ）を
以ってランプアールを施し、チャネル部を固相成長化さ
せて多結晶シリコンの粒径を大きくする。

【００１１】

【作用】このように、上下パッシベーション膜で挟まれ
た光吸収膜を透明基板とチャネル部との間に介在させた
構造を採用すれば、ハロゲンランプ等により基板全体に
対して光照射を行うと、照射光は透明基板自体を透過す
るが、光吸収膜には効率良く吸収されるので、これによ
り光吸収膜の温度が上昇し、これが高温となると共に、
この光吸収膜自体が今度はその近傍の局部的熱源とな
り、熱伝導又は熱輻射によりチャネル部を加熱する。こ
のため、チャネル部の多結晶シリコンの固相成長が促進
され、グレインサイズの大きな多結晶シリコンが形成さ
れる。したがってトランジスタの特性上、オン電流容量
が大きくなる。このランプアニール工程においては、透
明基板自体は局部的熱源たる光吸収膜から伝導熱を主に
受熱するが、透明基板は光吸収膜に比してその熱容量が
相当大きく、且つ光吸収膜は透明基板の片面上に小サイ
ズに形成されているので、透明基板はヒートシンクとし
て機能し、高温には至らない。したがって、安価なハー
ドガラス基板を用いても、基板変形が発生せず、上層の
微細加工の障害が解消する。ここで注目すべきことは、
光吸収膜の温度は透明基板の転位点以上（例えば７００
〜８００℃）に設定できることである。この利益は透明
基板の変形を伴わずに固相成長温度の最適化に寄与し、
オン電流容量の増大したトランジスタが実現される。ま
たランプアニールの時間を従来の加熱炉使用の熱アニー
ルの場合に比し、短時間（例えば１〜２時間）で実行で
き、スループットの増大が図れる。

【００１２】この光吸収膜及びその上下パッシベーショ
ン膜はランプアニール時における光吸収膜直下の透明基
板から発生する不純物のチャネル部への侵入を阻止す
る。勿論、下パッシベーション膜の膜厚は充分厚いこと
が望ましいが、光吸収膜直下の部分が熱伝導で加熱され
るだけであるから、下パッシベーション膜厚が薄くて
も、光吸収膜自体が不純物侵入のバリアとして機能す
る。一方、上パッシベーション膜は光吸収膜からの不純
物がチャネル部へ侵入することを防止するものである
が、光吸収膜の材質が高融点材料である故、蒸発不純物
量が少ないので、上パッシベーション膜厚は比較的薄く
ても良い。

【００１３】光吸収膜は上記製造プロセス上において意
義を有するだけでなく、バックゲート電極としての使用
も可能で、この場合は工程数の削減が図れる。また、光
吸収膜の形成工程においてこれとは別にソース配線又は
ドレイン配線の同時形成も可能であり、これも工程数の
減少につながる。

【００１４】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施例を添付図面
に基づいて説明する。

【００１５】図１（Ａ）は本発明の低温プロセスに適用
される実施例に係る薄膜トランジスタの構造を示す縦断
面図で、図１（Ｂ）は同構造の平面図である。

【００１６】この多結晶シリコン薄膜トランジスタの構
造は、安価なハードガラス基板１が用いられ、この上に
全面被覆したシリコン酸化膜又は窒化シリコン膜の下パ
ッシベーション膜１２と、この膜１２上の小サイズ領域
に形成された厚さ２０００〜３０００Å程度でタングス
テン，モリブデン，チタン，シリサイド，シリコンなど
の高融点材質の光吸収膜１３と、この膜１３を被覆する
上パッシベーション膜１４と、光吸収膜１３の直上の上
パッシベーション膜１４上に相離間して形成されたリン
・ドープのソース膜１５及びドレイン膜１６と、ソース
膜１５とドレイン膜１６との間に重なり余裕をもったア
ンドープの多結晶シリコン膜たるチャネル膜１７と、チ
ャネル膜１７上にＭＯＳ部を構成すべきゲート絶縁膜た
る薄いシリコン酸化膜１８及びＮ型高濃度の多結晶シリ
コンのゲート電極１９と、ゲート電極１９等を覆う層間
絶縁膜としての厚いシリコン酸化膜２０と、ソース膜１
５及びドレイン膜１６にコンタクトホールを介して導電
接触するアルミニウムのソース電極２１及び透明電極
（ＩＴＯ）としての画素電極（ドレイン電極）２２と、
を備えるものである。

【００１７】光吸収膜１３は図１（Ｂ）に示す如く、そ
の平面占有面積内にソース膜１５及びドレイン膜１６と
チャネル膜１７を含むような合わせ余裕をもってパター
ニングされたもので、またチャネル膜１７の幅はソース
膜１５及びドレイン膜１６のそれに比して狭くしてあ
る。

【００１８】この薄膜トランジスタにおいてチャネル膜
１７を得るまでのプロセスは、まず図２（Ａ）に示す如
く、ハードガラス基板１を準備し、この上にシリコン酸
化膜又は窒化シリコン膜などの下パッシベーション膜１
２をＣＶＤにより全面被着し、その上にスパッタリング
等により厚さ２０００〜３０００Å程度の高融点材質膜
（例えば、タングステン，モリブデン，チタン，シリサ
イド，シリコン）を形成した後、この膜をパターニング
して光吸収膜１３を得る。次に、図２（Ｂ）に示す如
く、光吸収膜１４上に厚さ５００〜１０００Å程度の上
パッシベーション膜１４をＣＶＤにより被覆する。次
に、図２（Ｃ）に示す如く、光吸収膜１４の真上の上パ
ッシベーション膜１４上に低圧ＣＶＤあるいはイオン打
ち込み法によりリン・ドープの多結晶シリコン膜を被覆
してから、パターニングによりソース膜１５及びドレイ
ン膜１６を形成する。次に、図２（Ｄ）に示すように、
ソース膜１５及びドレイン膜１６上に多結晶シリコン膜
を全面被覆し、これをパターニングしてアンドープのチ
ャネル膜５を形成する。この時点でのチャネル膜５の多
結晶シリコンの粒径は比較的小さいが、ここで基板全体
はハロゲンランプを光源とする光照射によりランプアニ
ール（中心波長１．１μｍ）が施される。照射光は透明
なハードガラス基板１を透過するが、光吸収膜１３の領
域に当たる照射光はそれに効率良く吸収される。これに
より光吸収膜１３の温度が上昇し、これが高温となるの
で、光吸収膜１３自体がその周囲に対する局部的熱源と
なり、熱伝導又は熱輻射によりチャネル膜１７を加熱す
る。チャネル膜１７が加熱されると、その多結晶シリコ
ンが固相成長する。この固相成長の温度はチャネル膜１
７の温度，熱容量等に依存するが、チャネル膜１７の温
度はまた光照射の照度及び時間に依存している。本実例
では光吸収膜１３が極度に高温とならず、ある程度の定
常温度を維持させるため、光照射を間欠的に実行した。
また固相成長時のチャネル膜１７の温度を７００〜８０
０℃で維持することができた。

【００１９】この温度はハードガラス基板１の転位点を
越える温度である。しかもアニール時間を１〜２時間ま
で短縮することができた。このランプアニール工程によ
ってグレインサイズの大きな多結晶シリコンが得られ、
オン電流容量を増加でき、また固相成長化処理の短時間
化によってスループットを増大できるが、最大の利益は
安価なハードガラス基板１に変形が生じないことであ
り、微細加工性とＴＦＴのフラット性が損なわれずに済
む。光照射によって光吸収膜１３が局部的熱源として昇
温され、その周囲に対して間接的に加熱するものである
から、ハードガラス基板１自体は直接加熱されず、むし
ろヒートシンクとして機能しているので、ガラス転位点
以下の温度に抑制維持できるからである。

【００２０】この光吸収膜１３はアニール工程において
不純物のバリア膜としても機能する。アニール工程にお
いては光吸収膜１３下のハードガラス基板１が加熱さ
れ、不純物の逆拡散によりチャネル膜１７が汚染される
おそれがあるが、光吸収膜１３がその逆拡散による不純
物侵入を防止する。光吸収膜１３自体からの不純物拡散
も考えられるが、高融点材質であるから蒸発不純物量自
体が微量である点と上パッシベーション膜１４による拡
散阻止によって左程問題とはならない。

【００２１】このランプアニール工程以降は通常のプロ
セスにより上層の薄膜形成が行われ、図１（Ａ）に示す
ような薄膜構造が得られるが、上記のランプアニール工
程と同時に熱酸化膜としてのゲート酸化膜も形成するこ
とができる。

【００２２】図３は本発明の第２実施例に係る薄膜トラ
ンジスタの構造を示す縦断面図である。なお、図３にお
いて図１（Ａ）に示す部分と同一部分には同一参照符号
を付し、その説明は省略する。

【００２３】この実施例は下パッシベーション膜１２上
の光吸収膜１３ａの両脇にこれと離間したソース配線１
３ｂ及びドレイン配線１３ｃを有しており、ソース配線
１３ｂは上層のソース膜１５に、ドレイン配線１３ｃは
上層のドレイン膜１６に夫々導電接触している。このソ
ース配線１３ｂ及びドレイン配線１３Ｃは光吸収膜１３
ａの形成工程において同時に形成される。したがってソ
ース配線１３ｂ及びドレイン配線１３ｃは光吸収膜１３
ａと同材質で構成されているが、その材質は導電性材料
である。この実施例によれば、光吸収膜１３ａの材質が
導電性を有し、膜材料の選択自由度が若干減るものの、
第１実施例に比して、工程数が減る利益がある。勿論、
チャネル膜１７のランプアニール工程においては、この
ソース配線１３ｂ及びドレイン配線１３Ｃも光吸収膜１
３ａと同様な局所的熱源として有効に機能する。

【００２４】図４は本発明の第３実施例に係る薄膜トラ
ンジスタの構造を示す縦断面図である。なお、図４にお
いて図１（Ａ）に示す部分と同一部分には同一参照符号
を付し、その説明は省略する。

【００２５】この実施例の構造は第１実施例のそれとほ
ぼ同一の薄膜構造であるが、光吸収膜２３はバックゲー
ト電極として用いられる。したがって、チャネル膜１７
の直下の上パッシベーション膜１４はゲート絶縁膜とし
て機能する。かかる構造によればオン電極容量の倍加が
実現される。

【００２６】なお、上記各実施例は低温プロセスに適合
する薄膜トランジスタの構造を示してあるが、多結晶シ
リコン膜の一部をアンドープのチャネル部としその両側
をソース部及びドレイン部とする構造の高温プロセスに
適合する薄膜トランジスタ構造においても、光吸収膜を
設けても良い。

【００２７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明は多結晶シ
リコンのチャネル部の近傍にランプアニールにおける局
部的熱源たり得る光吸収膜を設けた点に特徴を有するも
のであるから、次の効果を奏する。

【００２８】ランプアニール工程においては、基板温
度を転位点以下に維持したまま、チャネル部の多結晶シ
リコンを基板の転位点以上で固相成長化できるから、基
板の変形を伴わずにオン電流容量を増加できる。換言す
れば、低転位点の安価なガラス基板の使用が可能とな
る。

【００２９】基板全体を加熱炉内で長時間加熱する全
体加熱法でなく、局部加熱法であり、しかも基板転位点
以上の高温の固相成長も可能であるから、短時間処理が
可能となり、スループットがすこぶる改善される。

【００３０】光吸収膜はまた固相成長中において基板
内から発生する不純物のチャネル部に対する侵入保護膜
として機能するから、トランジスタ特性の品質を高める
ことができる。

【００３１】また、下パッシベーション膜上で光吸収
膜に離間しており、これと同材質を以てソース配線又は
ドレイン配線が形成された構造においては、上記の構造
をとる薄膜トランジスタの製造方法に比して工程数を削
減することができる。

【００３２】更に、光吸収膜がバックゲート電極とし
て導電性材で形成されている構造においては、オン電流
容量を倍加できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）は本発明の低温プロセスに適用される実
施例に係る薄膜トランジスタの構造を示す縦断面図で、
（Ｂ）は同構造の平面図である。

【図２】（Ａ）乃至（Ｄ）は夫々同実施例における要部
プロセスを説明するための縦断面図である。

【図３】本発明の第２実施例に係る薄膜トランジスタの
構造を示す縦断面図である。

【図４】本発明の第３実施例に係る薄膜トランジスタの
構造を示す縦断面図である。

【図５】従来の低温プロセスに適用される薄膜トランジ
スタの構造を示す縦断面図である。

【図６】（Ａ），（Ｂ）は同従来構造においてチャネル
膜を得るまでの工程を説明するための縦断面図である。

【符号の説明】

１…ハードガラス基板 １２…下パッシベーション膜 １３，１３ａ，２３…光吸収膜 １４…上パッシベーション膜 １５…ソース膜 １６…ドレイン膜 １７…チャネル膜 １８…シリコン酸化膜 １９…ゲート電極 ２０…層間絶縁膜としてのシリコン酸化膜 ２１…ソース電極 ２２…画素電極（ドレイン電極） １３ｂ…ソース配線 １３…ドレイン配線

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成９年９月１日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００１

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、チャネル部をシリ
コンとする薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及びその製造方
法に関する。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００８

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、透明基板上に
導電性及び高融点材質からなる光吸収膜を形成する工程
と、該光吸収膜上にパッシベーション膜を形成する工程
と、該パッシベーション膜上にシリコンからなる薄膜ト
ランジスタのチャネル領域を形成する工程とを有し、該
光吸収膜は、該薄膜トランジスタに接続される配線と同
一工程で形成されることを特徴とする。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００９

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００９】本発明の薄膜トランジスタは、透明基板上
に形成された導電性及び高融点材質からなる光吸収膜
と、該光吸収膜上に形成されたパッシベーション膜と、
該パッシベーション膜上に形成されたシリコンからなる
薄膜トランジスタのチャネル領域とを有し、該光吸収膜
は該薄膜トランジスタに接続される配線と同一材料で同
時に形成されてなることを特徴とする。

【手続補正５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１０

【補正方法】削除

【手続補正６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１１

【補正方法】削除

【手続補正７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１２

【補正方法】削除

【手続補正８】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１３

【補正方法】削除

【手続補正９】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１５】図１（Ａ）は本発明の第１の参考例に係わ
る薄膜トランジスタの構造を示す縦断面図で、図１
（Ｂ）は同構造の平面図である。

【手続補正１０】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１８】この薄膜トランジスタにおいてチャネル膜
１７を得るまでのプロセスは、まず図２（Ａ）に示す如
く、ハードガラス基板１を準備し、この上にシリコン酸
化膜又は窒化シリコン膜などの下パッシベーション膜１
２をＣＶＤにより全面被着し、その上にスパッタリング
等により厚さ２０００〜３０００Å程度の高融点材質膜
（例えば、タングステン，モリブデン，チタン，シリサ
イド，シリコン）を形成した後、この膜をパターニング
して光吸収膜１３を得る。次に、図２（Ｂ）に示す如
く、光吸収膜１４上に厚さ５００〜１０００Å程度の上
パッシベーション膜１４をＣＶＤにより被覆する。次
に、図２（Ｃ）に示す如く、光吸収膜１４の真上の上パ
ッシベーション膜１４上に低圧ＣＶＤあるいはイオン打
ち込み法によりリン・ドープの多結晶シリコン膜を被覆
してから、パターニングによりソース膜１５及びドレイ
ン膜１６を形成する。次に、図２（Ｄ）に示すように、
ソース膜１５及びドレイン膜１６上に多結晶シリコン膜
を全面被覆し、これをパターニングしてアンドープのチ
ャネル膜５を形成する。この時点でのチャネル膜５の多
結晶シリコンの粒径は比較的小さいが、ここで基板全体
はハロゲンランプを光源とする光照射によりランプアニ
ール（中心波長１．１μｍ）が施される。照射光は透明
なハードガラス基板１を透過するが、光吸収膜１３の領
域に当たる照射光はそれに効率良く吸収される。これに
より光吸収膜１３の温度が上昇し、これが高温となるの
で、光吸収膜１３自体がその周囲に対する局部的熱源と
なり、熱伝導又は熱輻射によりチャネル膜１７を加熱す
る。チャネル膜１７が加熱されると、その多結晶シリコ
ンが固相成長する。この固相成長の温度はチャネル膜１
７の温度，熱容量等に依存するが、チャネル膜１７の温
度はまた光照射の照度及び時間に依存している。本参考
例では光吸収膜１３が極度に高温とならず、ある程度の
定常温度を維持させるため、光照射を間欠的に実行し
た。また固相成長時のチャネル膜１７の温度を７００〜
８００℃で維持することができた。

【手続補正１１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２２

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２２】図３は本発明の実施例に係わる薄膜トラン
ジスタの構造を示す縦断面図である。なお、図３におい
て図１（Ａ）に示す部分と同一部分には同一参照符号を
付し、その説明は省力する。

【手続補正１２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２４

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２４】図４は本発明の第２参考例に係る薄膜トラ
ンジスタの構造を示す縦断面図である。なお、図４にお
いて図１（Ａ）に示す部分と同一部分には同一参照符号
を付し、その説明は省略する。

【手続補正１３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２５】この参考例の構造は第１参考例のそれとほ
ぼ同一の薄膜構造であるが、光吸収膜２３はバックゲー
ト電極として用いられる。したがって、チャネル膜１７
の直下の上パッシベーション膜１４はゲート絶縁膜とし
て機能する。かかる構造によればオン電極容量の倍加が
実現される。

【手続補正１４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２６】なお、上記各参考例及び実施例は低温プロ
セスに適合する薄膜トランジスタの構造を示してある
が、多結晶シリコン膜の一部をアンドープのチャネル部
としその両側をソース部及びドレイン部とする構造の高
温プロセスに適合する薄膜トランジスタ構造において
も、光吸収膜を設けても良い。

【手続補正１５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２７

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の構成によ
れば、下記に述べる如き顕著な効果を有することができ
る。

【手続補正１６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２８】（ａ）光吸収膜により、基板裏面からの光
がチャネルに入るのを防ぐことができ、オフ時のリーク
電流を低減することができる。

【手続補正１７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２９

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２９】（ｂ）光吸収膜は、薄膜トランジスタに接
続される配線と同時に同一材料で形成することができる
ので、工程数を削減することができる。

【手続補正１８】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３０

【補正方法】削除

【手続補正１９】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３１

【補正方法】削除

【手続補正２０】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３２

【補正方法】削除

【手続補正２１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】図面の簡単な説明

【補正方法】変更

【補正内容】

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）は本発明の低温プロセスに適用される第
１参考例に係る薄膜トランジスタの構造を示す縦断面図
で、（Ｂ）は同構造の平面図である。

【図２】（Ａ）乃至（Ｄ）は夫々同参考例における要部
プロセスを説明するための縦断面図である。

【図３】本発明の実施例に係る薄膜トランジスタの構造
を示す縦断面図である。

【図４】本発明の第２参考例に係る薄膜トランジスタの
構造を示す縦断面図である。

【図５】従来の低温プロセスに適用される薄膜トランジ
スタの構造を示す縦断面図である。

【図６】（Ａ），（Ｂ）は同従来構造においてチャネル
膜を得るまでの工程を説明するための縦断面図である。

【符号の説明】 １…ハードガラス基板 １２…下パッシベーション膜 １３，１３ａ，２３…光吸収膜 １４…上パッシベーション膜 １５…ソース膜 １６…ドレイン膜 １７…チャネル膜 １８…シリコン酸化膜 １９…ゲート電極 ２０…層間絶縁膜としてのシリコン酸化膜 ２１…ソース電極 ２２…画素電極（ドレイン電極） １３ｂ…ソース配線 １３…ドレイン配線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６２７Ｇ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明基板上の薄膜構造において少なくと
   もチャネル部を多結晶シリコンとする薄膜トランジスタ
   であって、 該透明基板上のうち該チャネル部直下の領域に上下パッ
   シベーション膜で挟まれた所定波長領域の選択光吸収性
   に富む高融点材質の光吸収膜を有することを特徴とする
   薄膜トランジスタ。
2. 【請求項２】 前記光吸収膜がバックゲート電極として
   の導電性材質で形成されていることを特徴とする請求項
   第１項に記載の薄膜トランジスタ。
3. 【請求項３】 前記下パッシベーション膜上で前記光吸
   収膜に離間しており、これと同材質を以て形成されたソ
   ース配線又はドレイン配線を有することを特徴とする請
   求項第１項又は第２項記載の薄膜トランジスタ。
4. 【請求項４】 透明基板上の薄膜構造において少なくと
   もチャネル部を多結晶シリコンとする薄膜トランジスタ
   の製造方法であって、 該透明基板上に下パッシベーション膜を被覆する工程
   と、 この膜上の該チャネル部形成予定領域に所定波長領域の
   選択光吸収性に富む高融点材質を以て少なくとも光吸収
   膜を形成する工程と、 この光吸収膜を上パッシベーション膜で覆う工程と、 次に、該光吸収膜上に多結晶シリコンを用いた所要のチ
   ャネル部を形成する工程と、 しかる後、上記所定波長領域に適合する光源を以てラン
   プアニールを施す工程と、 を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方
   法。