JPH1069055A - フォトマスクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクの製造方法Info
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- JPH1069055A JPH1069055A JP22638296A JP22638296A JPH1069055A JP H1069055 A JPH1069055 A JP H1069055A JP 22638296 A JP22638296 A JP 22638296A JP 22638296 A JP22638296 A JP 22638296A JP H1069055 A JPH1069055 A JP H1069055A
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＥＢ用レジストのドライエッチング耐性が悪
いため、レジスト膜減りが大きいこと及びレジストマス
ク通りのクロム膜パターンが形成されるにはレジストの
解像度が低いことの２点がクロム膜のパターニングに影
響し、加工できてもＫｒＦエキシマリソグラフィに必要
なフォトマスクの寸法精度が得られない。 【解決手段】 透明基板１上に遮光膜として、膜厚が６
０〜７０ｎｍのクロム膜２が形成されたブランクマスク
に電子ビーム用レジスト３を膜厚が２８０〜３５０ｎｍ
となるように形成し、電子ビーム描画及び現像すること
によって、レジスト３をパターニングした後、パターニ
ングしたレジスト３をマスクにクロム膜２をエッチング
する。
いため、レジスト膜減りが大きいこと及びレジストマス
ク通りのクロム膜パターンが形成されるにはレジストの
解像度が低いことの２点がクロム膜のパターニングに影
響し、加工できてもＫｒＦエキシマリソグラフィに必要
なフォトマスクの寸法精度が得られない。 【解決手段】 透明基板１上に遮光膜として、膜厚が６
０〜７０ｎｍのクロム膜２が形成されたブランクマスク
に電子ビーム用レジスト３を膜厚が２８０〜３５０ｎｍ
となるように形成し、電子ビーム描画及び現像すること
によって、レジスト３をパターニングした後、パターニ
ングしたレジスト３をマスクにクロム膜２をエッチング
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトマスクの製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の、フォトマスクの製造に使用され
るブランクマスクは、透明基板上に遮光膜をつけた２層
構造からなる。ブランクマスクに使用される透明基板材
料には、主に石英が用いられており、遮光膜材料には主
にクロムが用いられている。ブランクマスクのクロム膜
厚は通常約１１０ｎｍであり、真空蒸着やスパッタリン
グ法により形成されている。
るブランクマスクは、透明基板上に遮光膜をつけた２層
構造からなる。ブランクマスクに使用される透明基板材
料には、主に石英が用いられており、遮光膜材料には主
にクロムが用いられている。ブランクマスクのクロム膜
厚は通常約１１０ｎｍであり、真空蒸着やスパッタリン
グ法により形成されている。
【０００３】次に、フォトマスクの形成方法について説
明する。まず、ブランクマスクからフォトマスクの加工
に必要な保護膜材料には、主に電子ビーム（以下、「Ｅ
Ｂ」とする。（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｍ））
用レジストが用いられている。このＥＢ用レジストの膜
厚は約５００ｎｍであり、スピン・オン法によりブラン
クマスクに塗布される。ＥＢ用レジストはＥＢ描画と現
像によりパターニングされる。
明する。まず、ブランクマスクからフォトマスクの加工
に必要な保護膜材料には、主に電子ビーム（以下、「Ｅ
Ｂ」とする。（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｍ））
用レジストが用いられている。このＥＢ用レジストの膜
厚は約５００ｎｍであり、スピン・オン法によりブラン
クマスクに塗布される。ＥＢ用レジストはＥＢ描画と現
像によりパターニングされる。
【０００４】次いで、このレジストマスクに基づき、遮
光膜はウエットエッチングにより、パターニングされ
る。尚、ウエットエッチング法には、浸漬法とスプレイ
法とがある。また、レジストの膜厚とクロムの膜厚との
比を３：１にすることが望ましいとされている。
光膜はウエットエッチングにより、パターニングされ
る。尚、ウエットエッチング法には、浸漬法とスプレイ
法とがある。また、レジストの膜厚とクロムの膜厚との
比を３：１にすることが望ましいとされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように、フォトマ
スクの加工にウエットエッチング法を用いる場合、上記
２つの方法ともにサイドエッチングによるアンダーカッ
トが０．１μｍ以上生じ、クロム膜パターン寸法がレジ
ストパターン寸法より細くなってしまう現象が生じる。
このアンダーカットとは、従来技術の課題の説明に供す
る図である図８に示すように、窓開き部分の縁からエッ
チング液がレジスト膜の下へ回り込んで、横方向にもエ
ッチングが進む現象である。尚、図８において、１は透
明基板、２はクロム膜、３はレジストを示す。
スクの加工にウエットエッチング法を用いる場合、上記
２つの方法ともにサイドエッチングによるアンダーカッ
トが０．１μｍ以上生じ、クロム膜パターン寸法がレジ
ストパターン寸法より細くなってしまう現象が生じる。
このアンダーカットとは、従来技術の課題の説明に供す
る図である図８に示すように、窓開き部分の縁からエッ
チング液がレジスト膜の下へ回り込んで、横方向にもエ
ッチングが進む現象である。尚、図８において、１は透
明基板、２はクロム膜、３はレジストを示す。
【０００６】そして、クロム膜パターン寸法が１μｍ程
度まで細くなると、このアンダーカットのためにフォト
マスクの寸法精度が悪くなり、図７（ｂ）の従来技術に
よるＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃ
ｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）マスクパターンへの適用例に示す
ように、パターンのコーナーラウンド（丸み）が顕著に
なる。尚、図７（ｃ）は設計上のＯＰＣマスクパターン
を示す図であり、図７（ｃ）において、４はＯＰＣマス
クパターンを示す。
度まで細くなると、このアンダーカットのためにフォト
マスクの寸法精度が悪くなり、図７（ｂ）の従来技術に
よるＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃ
ｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）マスクパターンへの適用例に示す
ように、パターンのコーナーラウンド（丸み）が顕著に
なる。尚、図７（ｃ）は設計上のＯＰＣマスクパターン
を示す図であり、図７（ｃ）において、４はＯＰＣマス
クパターンを示す。
【０００７】しかし、ｉ線（ｉ−ｌｉｎｅ）、ｇ線（ｇ
−ｌｉｎｅ）を用いたリソグラフィにおいては、クロム
膜パターン最小寸法は２μｍ程度であり、ウエットエッ
チングを用いても、所望のパターン寸法に十分対応でき
るフォトマスク精度が得られていたが、ＫｒＦエキシマ
レーザを用いたフォトリソグラフィにおいて、クロム膜
パターンの最小寸法が１μｍ程度であるため、フォトマ
スクの寸法精度が得られないという問題が生じる。
−ｌｉｎｅ）を用いたリソグラフィにおいては、クロム
膜パターン最小寸法は２μｍ程度であり、ウエットエッ
チングを用いても、所望のパターン寸法に十分対応でき
るフォトマスク精度が得られていたが、ＫｒＦエキシマ
レーザを用いたフォトリソグラフィにおいて、クロム膜
パターンの最小寸法が１μｍ程度であるため、フォトマ
スクの寸法精度が得られないという問題が生じる。
【０００８】遮光パターン（主としてクロム膜パター
ン）を微細化するためにウエットエッチングではなく、
プラズマやスパッタ等のドライエッチング法を用いる技
術が提案されている。ドライエッチング法は、０．０５
μｍ以下のアンダーカットで抑えられ、且つ、レジスト
マスク通りのパターンが形成されるという利点があり、
ウエットエッチング法に比べて優れている。
ン）を微細化するためにウエットエッチングではなく、
プラズマやスパッタ等のドライエッチング法を用いる技
術が提案されている。ドライエッチング法は、０．０５
μｍ以下のアンダーカットで抑えられ、且つ、レジスト
マスク通りのパターンが形成されるという利点があり、
ウエットエッチング法に比べて優れている。
【０００９】しかし、ＥＢ用レジストのドライエッチン
グ耐性が悪いため、レジスト膜減りが大きいこと及びレ
ジストマスク通りのクロム膜パターンが形成されるには
レジストの解像度が低いことの２点がクロム膜のパター
ニングに影響し、加工できてもＫｒＦエキシマリソグラ
フィに必要なフォトマスクの寸法精度が得られないとい
う問題を有する。
グ耐性が悪いため、レジスト膜減りが大きいこと及びレ
ジストマスク通りのクロム膜パターンが形成されるには
レジストの解像度が低いことの２点がクロム膜のパター
ニングに影響し、加工できてもＫｒＦエキシマリソグラ
フィに必要なフォトマスクの寸法精度が得られないとい
う問題を有する。
【００１０】本発明は、フォトマスクの寸法精度を向上
させる技術を提供することを目的とする。
させる技術を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の本発明の
フォトマスクの製造方法は、透明基板上に遮光膜が形成
されたブランクマスクの上記遮光膜表面に電子ビーム用
レジストを膜厚が２８０ｎｍ乃至３５０ｎｍとなるよう
に形成し、電子ビーム描画及び現像することによって、
上記レジストをパターニングした後、該パターニングし
たレジストをマスクに上記遮光膜をエッチングすること
を特徴とするものである。
フォトマスクの製造方法は、透明基板上に遮光膜が形成
されたブランクマスクの上記遮光膜表面に電子ビーム用
レジストを膜厚が２８０ｎｍ乃至３５０ｎｍとなるよう
に形成し、電子ビーム描画及び現像することによって、
上記レジストをパターニングした後、該パターニングし
たレジストをマスクに上記遮光膜をエッチングすること
を特徴とするものである。
【００１２】また、請求項２記載の本発明のフォトマス
クの製造方法は、透明基板上に遮光膜として、膜厚が６
０ｎｍ乃至７０ｎｍのクロム膜が形成されたブランクマ
スクの上記遮光膜表面に電子ビーム用レジストを形成
し、電子ビーム描画及び現像することによって、上記レ
ジストをパターニングした後、該パターニングしたレジ
ストをマスクに上記遮光膜をエッチングすることを特徴
とするものである。
クの製造方法は、透明基板上に遮光膜として、膜厚が６
０ｎｍ乃至７０ｎｍのクロム膜が形成されたブランクマ
スクの上記遮光膜表面に電子ビーム用レジストを形成
し、電子ビーム描画及び現像することによって、上記レ
ジストをパターニングした後、該パターニングしたレジ
ストをマスクに上記遮光膜をエッチングすることを特徴
とするものである。
【００１３】また、請求項３記載の本発明のフォトマス
クの製造方法は、透明基板上に遮光膜として、膜厚が６
０ｎｍ乃至７０ｎｍのクロム膜が形成されたブランクマ
スクの上記遮光膜表面に電子ビーム用レジストを膜厚が
２８０ｎｍ乃至３５０ｎｍとなるように形成し、電子ビ
ーム描画及び現像することによって、上記レジストをパ
ターニングした後、該パターニングしたレジストをマス
クに上記遮光膜をエッチングすることを特徴とするもの
である。
クの製造方法は、透明基板上に遮光膜として、膜厚が６
０ｎｍ乃至７０ｎｍのクロム膜が形成されたブランクマ
スクの上記遮光膜表面に電子ビーム用レジストを膜厚が
２８０ｎｍ乃至３５０ｎｍとなるように形成し、電子ビ
ーム描画及び現像することによって、上記レジストをパ
ターニングした後、該パターニングしたレジストをマス
クに上記遮光膜をエッチングすることを特徴とするもの
である。
【００１４】また、請求項４記載の本発明のフォトマス
クの製造方法は、上記電子ビーム露光の露光量を２．３
μＣ／ｃｍ2乃至２．６μＣ／ｃｍ2としたことを特徴と
する、請求項１又は請求項３記載のフォトマスクの製造
方法である。
クの製造方法は、上記電子ビーム露光の露光量を２．３
μＣ／ｃｍ2乃至２．６μＣ／ｃｍ2としたことを特徴と
する、請求項１又は請求項３記載のフォトマスクの製造
方法である。
【００１５】更に、請求項５記載の本発明のフォトマス
クの製造方法は、上記遮光膜のエッチングをドライエッ
チングにより行うことを特徴とする、請求項１乃至請求
項４のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法であ
る。
クの製造方法は、上記遮光膜のエッチングをドライエッ
チングにより行うことを特徴とする、請求項１乃至請求
項４のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法であ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、実施の形態に基づいて本発
明について詳細に説明する。
明について詳細に説明する。
【００１７】図１は本発明の一実施の形態のフォトマス
クの製造工程図であり、図２はクロム膜厚と各露光波長
における透過率の相関関係図であり、図３はレジスト膜
厚を変えた場合の露光量と線幅の寸法（ＣＤ：Ｃｒｉｔ
ｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）シフト量（設計データ
に対する実測データのずれ）との特性を示す図であり、
図４は図３において、ＣＤシフト量ゼロとなるＥＢ露光
量をレジスト感度（実用感度）と定義し、プロットした
図であり、図５はレジスト膜厚と寸法リニアリティ限界
値との相関関係図であり、図６はレジスト膜厚と面内寸
法精度との相関関係図であり、図７（ａ）は本発明のＯ
ＰＣマスクパターンへの適用例を示す図である。また、
図１において、１は透明基板、２はクロム膜、３はＥＢ
用レジストを示す。
クの製造工程図であり、図２はクロム膜厚と各露光波長
における透過率の相関関係図であり、図３はレジスト膜
厚を変えた場合の露光量と線幅の寸法（ＣＤ：Ｃｒｉｔ
ｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）シフト量（設計データ
に対する実測データのずれ）との特性を示す図であり、
図４は図３において、ＣＤシフト量ゼロとなるＥＢ露光
量をレジスト感度（実用感度）と定義し、プロットした
図であり、図５はレジスト膜厚と寸法リニアリティ限界
値との相関関係図であり、図６はレジスト膜厚と面内寸
法精度との相関関係図であり、図７（ａ）は本発明のＯ
ＰＣマスクパターンへの適用例を示す図である。また、
図１において、１は透明基板、２はクロム膜、３はＥＢ
用レジストを示す。
【００１８】尚、図７において、使用したレジストは日
本ゼオン株式会社製「ＺＥＰ８１０Ｓ」であり、図７
（ａ）においてはレジストの膜厚を３００ｎｍ、クロム
膜の膜厚を６０ｎｍ、露光量を２．３（１．１５×２）
μＣ／ｃｍ2として、ドライエッチングによりエッチン
グした場合を示し、図７（ｂ）において、レジストの膜
厚を５００ｎｍ、クロム膜の膜厚を１１０ｎｍ、露光量
を３．３０（１．６５×２）μＣ／ｃｍ2として、ウエ
ットエッチングによりエッチングした場合を示す。
本ゼオン株式会社製「ＺＥＰ８１０Ｓ」であり、図７
（ａ）においてはレジストの膜厚を３００ｎｍ、クロム
膜の膜厚を６０ｎｍ、露光量を２．３（１．１５×２）
μＣ／ｃｍ2として、ドライエッチングによりエッチン
グした場合を示し、図７（ｂ）において、レジストの膜
厚を５００ｎｍ、クロム膜の膜厚を１１０ｎｍ、露光量
を３．３０（１．６５×２）μＣ／ｃｍ2として、ウエ
ットエッチングによりエッチングした場合を示す。
【００１９】本発明は、クロム膜厚を可能な限り薄くす
ることでドライエッチング時間を短くし、ドライエッチ
ングによるレジスト膜減りを低減する。図２に示すよう
に、短波長化に伴い、同一の透過率設定では、ＥＢ描画
にＫｒＦエキシマレーザを用いる場合が最もクロム膜の
薄膜が容易になる。遮光膜の性能として必要な透過率
を、急激な光学的変化のない０．５％以下に設定する
と、ＫｒＦエキシマレーザを用いた場合、クロム膜厚は
６０ｎｍまで薄膜化できる。
ることでドライエッチング時間を短くし、ドライエッチ
ングによるレジスト膜減りを低減する。図２に示すよう
に、短波長化に伴い、同一の透過率設定では、ＥＢ描画
にＫｒＦエキシマレーザを用いる場合が最もクロム膜の
薄膜が容易になる。遮光膜の性能として必要な透過率
を、急激な光学的変化のない０．５％以下に設定する
と、ＫｒＦエキシマレーザを用いた場合、クロム膜厚は
６０ｎｍまで薄膜化できる。
【００２０】また、図４に示すように、レジスト膜厚と
感度とはほぼリニアの関係にあり、レジストの薄膜化に
より、容易に高感度のレジストパターンを得ることがで
きるので、レジスト膜厚は可能な限り薄くする必要があ
る。
感度とはほぼリニアの関係にあり、レジストの薄膜化に
より、容易に高感度のレジストパターンを得ることがで
きるので、レジスト膜厚は可能な限り薄くする必要があ
る。
【００２１】そして、寸法リニアリティ限界値は１．０
００μｍ以下にすることが望ましいので、図５に示すよ
うに、レジストの膜厚は、寸法リニアリティ限界値が
１．０００μｍ以下となる約２８０ｎｍ乃至３５０ｎｍ
が最適である。また、この際用いるレジストは、ＥＢ用
レジストであれば効果がある。
００μｍ以下にすることが望ましいので、図５に示すよ
うに、レジストの膜厚は、寸法リニアリティ限界値が
１．０００μｍ以下となる約２８０ｎｍ乃至３５０ｎｍ
が最適である。また、この際用いるレジストは、ＥＢ用
レジストであれば効果がある。
【００２２】そして、この最適レジスト膜厚を２８０ｎ
ｍ乃至３５０ｎｍとした場合のＥＢ露光量の最適値は、
図３に示すように、２．３μＣ／ｃｍ2乃至２．６μＣ
／ｃｍ2となる。微細パターン形成では、寸法リニアリ
ティ（解像度マージン）の劣化をＥＢ露光量増加により
補正する必要があるが、薄膜レジストは感度が高いた
め、補正露光量に十分に余裕がある。
ｍ乃至３５０ｎｍとした場合のＥＢ露光量の最適値は、
図３に示すように、２．３μＣ／ｃｍ2乃至２．６μＣ
／ｃｍ2となる。微細パターン形成では、寸法リニアリ
ティ（解像度マージン）の劣化をＥＢ露光量増加により
補正する必要があるが、薄膜レジストは感度が高いた
め、補正露光量に十分に余裕がある。
【００２３】また、図６に示すように、面内寸法精度は
寸法リニアリティと同じ挙動を示し、解像力マージンが
大きく、パターン形状が良好なレジストパターン（膜厚
２８０ｎｍ乃至３５０ｎｍ）で面内寸法精度０．０２０
μｍ以下とすることができる。
寸法リニアリティと同じ挙動を示し、解像力マージンが
大きく、パターン形状が良好なレジストパターン（膜厚
２８０ｎｍ乃至３５０ｎｍ）で面内寸法精度０．０２０
μｍ以下とすることができる。
【００２４】また、クロム膜厚が薄くなったことで、ク
ロムパターンのテーパ形状が抑えられ、ドライエッチン
グを用いたことでエッジラフネスも小さくできる。
ロムパターンのテーパ形状が抑えられ、ドライエッチン
グを用いたことでエッジラフネスも小さくできる。
【００２５】以下、図１を用いて、本発明の一実施の形
態のフォトマスクの製造工程を説明する。まず、透明基
板１上にスパッタ、真空蒸着等によりクロム膜２を約６
０ｎｍ成膜し、続いて、レジスト３を３００ｎｍ塗布す
る（図１（ａ））。尚、レジスト３としては、クロム膜
２のエッチングの際、エッチング耐性に優れたものでな
ければならない。本実施の形態においては、日本ゼオン
株式会社製「ＺＥＰ８１０Ｓ」を使用した。
態のフォトマスクの製造工程を説明する。まず、透明基
板１上にスパッタ、真空蒸着等によりクロム膜２を約６
０ｎｍ成膜し、続いて、レジスト３を３００ｎｍ塗布す
る（図１（ａ））。尚、レジスト３としては、クロム膜
２のエッチングの際、エッチング耐性に優れたものでな
ければならない。本実施の形態においては、日本ゼオン
株式会社製「ＺＥＰ８１０Ｓ」を使用した。
【００２６】次に、ＥＢ描画工程において、遮光領域は
未描画であり、透過領域には完全にレジスト３を除去し
得る必要電荷量に設定された電子ビームを照射する。レ
ジスト３にはネガ形とポジ形とがあり、図１に示したの
はポジ形レジストを使用した場合であって、電子ビーム
の照射された部分は現像液に溶解し、クロム膜２が部分
的に露出される（図１（ｂ））。
未描画であり、透過領域には完全にレジスト３を除去し
得る必要電荷量に設定された電子ビームを照射する。レ
ジスト３にはネガ形とポジ形とがあり、図１に示したの
はポジ形レジストを使用した場合であって、電子ビーム
の照射された部分は現像液に溶解し、クロム膜２が部分
的に露出される（図１（ｂ））。
【００２７】現像した後、露出したクロム膜２のドライ
エッチングを行う。エッチングは平行平板式反応性イオ
ンエッチング法（ＲＩＥ）を用いた。エッチングガスは
ＣＣｌ4（テトラクロロメタン）とＯ2（酸素）との混合
ガス或いはＣＨ2Ｃｌ2（ジクロロメタン）とＯ2（酸
素）との混合ガスを流量比を２５ｓｃｃｍ（ＣＣｌ4或
いはＣＨ2Ｃｌ2）：７５ｓｃｃｍ（Ｏ2）に制御し使用
した。また、ＲＦパワーは２００Ｗ（５００Ｗ以内であ
れば使用可能となる。）、圧力を０．２５０Ｔｏｒｒ
（３３．２５Ｐａ）、放電周波数は１３．５６ＭＨｚと
する。
エッチングを行う。エッチングは平行平板式反応性イオ
ンエッチング法（ＲＩＥ）を用いた。エッチングガスは
ＣＣｌ4（テトラクロロメタン）とＯ2（酸素）との混合
ガス或いはＣＨ2Ｃｌ2（ジクロロメタン）とＯ2（酸
素）との混合ガスを流量比を２５ｓｃｃｍ（ＣＣｌ4或
いはＣＨ2Ｃｌ2）：７５ｓｃｃｍ（Ｏ2）に制御し使用
した。また、ＲＦパワーは２００Ｗ（５００Ｗ以内であ
れば使用可能となる。）、圧力を０．２５０Ｔｏｒｒ
（３３．２５Ｐａ）、放電周波数は１３．５６ＭＨｚと
する。
【００２８】上記条件でのクロム（Ｃｒ）と石英との選
択比は２５〜３０であり、Ｃｒのエッチングレートは５
５ｎｍ／ｍｉｎである。また、レジスト３はエッチング
に対する保護膜として働き、レジストに覆われていない
部分のクロム膜２のみが除去され、透明基板１が部分的
に露出する（図１（ｃ））。尚、クロム膜２のドライエ
ッチングに塩素系ガスを用いた場合、レジスト３のドラ
イエッチング耐性は十分である。
択比は２５〜３０であり、Ｃｒのエッチングレートは５
５ｎｍ／ｍｉｎである。また、レジスト３はエッチング
に対する保護膜として働き、レジストに覆われていない
部分のクロム膜２のみが除去され、透明基板１が部分的
に露出する（図１（ｃ））。尚、クロム膜２のドライエ
ッチングに塩素系ガスを用いた場合、レジスト３のドラ
イエッチング耐性は十分である。
【００２９】次に、クロム膜２のエッチング後、レジス
ト３の全面除去を行う（図１（ｄ））。レジストの剥離
は、ジメチルホルムアミド、アセトン、硫酸過水の順に
薬液に浸して行う。この場合、上記薬液に対する透明基
板１及びクロム膜２の耐性は十分である。
ト３の全面除去を行う（図１（ｄ））。レジストの剥離
は、ジメチルホルムアミド、アセトン、硫酸過水の順に
薬液に浸して行う。この場合、上記薬液に対する透明基
板１及びクロム膜２の耐性は十分である。
【００３０】本実施の形態では、３００ｎｍの膜厚のレ
ジストを用いて膜厚約６０ｎｍのクロム膜２のパターン
グを行った結果、図７（ａ）に示すような矩形の良好な
パターニング形状が得られた。但し、更に薄いレジスト
膜厚（２５０ｎｍ）の場合では、エッチング時のレジス
ト膜厚が不十分となるため、コーナー部がラウンド形状
となり、パターン形状が劣化する。
ジストを用いて膜厚約６０ｎｍのクロム膜２のパターン
グを行った結果、図７（ａ）に示すような矩形の良好な
パターニング形状が得られた。但し、更に薄いレジスト
膜厚（２５０ｎｍ）の場合では、エッチング時のレジス
ト膜厚が不十分となるため、コーナー部がラウンド形状
となり、パターン形状が劣化する。
【００３１】この場合、図５に示すように、寸法リニア
リティが悪いだけでなく、図６に示すように、面内寸法
精度も悪くなる。このことから、２８０ｎｍ乃至３５０
ｎｍの膜厚のレジストが寸法リニアリティ及び面内寸法
精度を確保することができる。
リティが悪いだけでなく、図６に示すように、面内寸法
精度も悪くなる。このことから、２８０ｎｍ乃至３５０
ｎｍの膜厚のレジストが寸法リニアリティ及び面内寸法
精度を確保することができる。
【００３２】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、請求項
１、請求項３又は請求項４記載の本発明を用い、レジス
トを薄膜化する事により、高感度及び高解像度のレジス
トパターンを得ることができる。特に、クロム膜厚６０
ｎｍとレジスト膜厚２８０ｎｍ乃至３５０ｎｍの組み合
わせにおいて、寸法リニアリティが１μｍ以下まで可能
となる。尚、上記２８０ｎｍ乃至３５０ｎｍの薄膜レジ
ストは感度が高いため、補正露光量に十分に余裕があ
る。
１、請求項３又は請求項４記載の本発明を用い、レジス
トを薄膜化する事により、高感度及び高解像度のレジス
トパターンを得ることができる。特に、クロム膜厚６０
ｎｍとレジスト膜厚２８０ｎｍ乃至３５０ｎｍの組み合
わせにおいて、寸法リニアリティが１μｍ以下まで可能
となる。尚、上記２８０ｎｍ乃至３５０ｎｍの薄膜レジ
ストは感度が高いため、補正露光量に十分に余裕があ
る。
【００３３】また、請求項２、請求項３又は請求項４記
載の本発明を用い、クロム膜を膜厚６０ｎｍ乃至７０ｎ
ｍの薄膜化することにより、クロム膜の透過率を急激な
光学的変化の無い０．５％以下に維持した状態で、エッ
チング時間を短くでき、ドライエッチング時のレジスト
膜減りを低減できる。
載の本発明を用い、クロム膜を膜厚６０ｎｍ乃至７０ｎ
ｍの薄膜化することにより、クロム膜の透過率を急激な
光学的変化の無い０．５％以下に維持した状態で、エッ
チング時間を短くでき、ドライエッチング時のレジスト
膜減りを低減できる。
【００３４】更に、請求項５記載の本発明を用い、遮光
膜のエッチングにドライエッチングを用いることによ
り、エッジラフネスが小さくなり、クロム膜厚を従来よ
り薄くしたことにより、テーパが少なくなり、クロムパ
ターンの形状が良くなり、レジストの膜厚が薄いこと
で、パターンのコーナーラウンド（丸み）が進行しない
ため、良好なパターン形状が得られた。
膜のエッチングにドライエッチングを用いることによ
り、エッジラフネスが小さくなり、クロム膜厚を従来よ
り薄くしたことにより、テーパが少なくなり、クロムパ
ターンの形状が良くなり、レジストの膜厚が薄いこと
で、パターンのコーナーラウンド（丸み）が進行しない
ため、良好なパターン形状が得られた。
【図１】本発明の一実施の形態のフォトマスクの製造工
程図である。
程図である。
【図２】クロム膜厚と各露光波長における透過率の相関
関係図である。
関係図である。
【図３】レジスト膜厚を変えた場合の露光量とＣＤシフ
ト量との特性を示す図である。
ト量との特性を示す図である。
【図４】図３において、ＣＤシフト量ゼロとなるＥＢ露
光量をプロットした図である。
光量をプロットした図である。
【図５】レジスト膜厚と寸法リニアリティ限界値との相
関関係図である。
関関係図である。
【図６】レジスト膜厚と面内寸法精度との関係図であ
る。
る。
【図７】（ａ）は本発明のマスクパターンへの適用例を
示す図であり、（ｂ）は従来技術のマスクパターンへの
適用例であり、（ｃ）は設計上のマスクパターンを示す
図である。
示す図であり、（ｂ）は従来技術のマスクパターンへの
適用例であり、（ｃ）は設計上のマスクパターンを示す
図である。
【図８】従来技術の課題の説明に供する図である。
１ 透明基板 ２ クロム膜 ３ レジスト ４ ＯＰＣパターン
Claims (5)
- 【請求項１】 透明基板上に遮光膜が形成されたブラン
クマスクの上記遮光膜表面に電子ビーム用レジストを膜
厚が２８０ｎｍ乃至３５０ｎｍになるように形成し、電
子ビーム描画及び現像することによって、上記レジスト
をパターニングした後、該パターニングしたレジストを
マスクに上記遮光膜をエッチングすることを特徴とす
る、フォトマスクの製造方法。 - 【請求項２】 透明基板上に遮光膜として、膜厚が６０
ｎｍ乃至７０ｎｍのクロム膜が形成されたブランクマス
クの上記遮光膜表面に電子ビーム用レジストを形成し、
電子ビーム描画及び現像することによって、上記レジス
トをパターニングした後、該パターニングしたレジスト
をマスクに上記遮光膜をエッチングすることを特徴とす
る、フォトマスクの製造方法。 - 【請求項３】 透明基板上に遮光膜として、膜厚が６０
ｎｍ乃至７０ｎｍのクロム膜が形成されたブランクマス
クの上記遮光膜表面に電子ビーム用レジストを膜厚が２
８０ｎｍ乃至３５０ｎｍとなるように形成し、電子ビー
ム描画及び現像することによって、上記レジストをパタ
ーニングした後、該パターニングしたレジストをマスク
に上記遮光膜をエッチングすることを特徴とする、フォ
トマスクの製造方法。 - 【請求項４】 上記電子ビーム露光の露光量を２．３μ
Ｃ／ｃｍ2乃至２．６μＣ／ｃｍ2としたことを特徴とす
る、請求項１又は請求項３記載のフォトマスクの製造方
法。 - 【請求項５】 上記遮光膜のエッチングをドライエッチ
ングにより行うことを特徴とする、請求項１乃至請求項
４のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22638296A JP3539652B2 (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | フォトマスクの製造方法 |
| US08/871,977 US5851702A (en) | 1996-08-28 | 1997-06-10 | Method for producing a photomask |
| TW086108144A TW376538B (en) | 1996-08-28 | 1997-06-12 | Method for producing a photomask |
| KR1019970036929A KR100231507B1 (ko) | 1996-08-28 | 1997-08-01 | 포토마스크의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22638296A JP3539652B2 (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | フォトマスクの製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1069055A true JPH1069055A (ja) | 1998-03-10 |
| JP3539652B2 JP3539652B2 (ja) | 2004-07-07 |
Family
ID=16844251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22638296A Expired - Lifetime JP3539652B2 (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | フォトマスクの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
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| US (1) | US5851702A (ja) |
| JP (1) | JP3539652B2 (ja) |
| KR (1) | KR100231507B1 (ja) |
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| DE102009015589A1 (de) | 2008-04-02 | 2009-10-22 | Hoya Corp. | Phasenverschiebungsmaskenrohling und Verfahren zum Herstellen einer Phasenverschiebungsmaske |
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| US6421820B1 (en) | 1999-12-13 | 2002-07-16 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device fabrication using a photomask with assist features |
| US6571383B1 (en) | 2000-04-28 | 2003-05-27 | Infineon Technologies, Ag | Semiconductor device fabrication using a photomask designed using modeling and empirical testing |
| US6670646B2 (en) | 2002-02-11 | 2003-12-30 | Infineon Technologies Ag | Mask and method for patterning a semiconductor wafer |
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| EP2562599B1 (en) | 2009-01-29 | 2014-12-10 | Digiflex Ltd. | Process for producing a photomask on a photopolymeric surface |
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| KR0161917B1 (ko) * | 1995-08-22 | 1999-02-01 | 구자홍 | 반도체소자 제조방법 |
-
1996
- 1996-08-28 JP JP22638296A patent/JP3539652B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-06-10 US US08/871,977 patent/US5851702A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-12 TW TW086108144A patent/TW376538B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-08-01 KR KR1019970036929A patent/KR100231507B1/ko not_active Expired - Fee Related
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| JP3539652B2 (ja) | 2004-07-07 |
| TW376538B (en) | 1999-12-11 |
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