JPH1064893A - 熱処理炉のシャッタ−装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱処理炉と被処理体の移載室との間の通路部
を開閉し、全開状態、全閉状態、被処理体保持具の駆動
軸の貫通空間を形成した半閉じ状態をとることができる
シャッター装置において、シャッター本体をオーバラッ
プさせずに全閉状態とすることができ、占有スペースを
小さくすること。 【解決手段】 互いに対向するシャッター本体５Ａ、５
Ｂの対向縁７Ａ、７Ｂのうち、中央部から片側半分を対
向縁に沿って帯状に切り欠くことによりカギ形の切り欠
き７３Ａ、７３Ｂを形成する。平行リンクをなすアーム
６１、６２によりシャッター本体５Ａ、５Ｂを旋回さ
せ、開閉する。半閉じ状態では、切り欠きの側縁７０
Ａ、７０Ｂが間隔をおいて対向し、両方の切り欠きによ
り保持具の昇降軸の貫通空間を形成する。全閉状態で
は、切り欠き７２Ａ（７２Ｂ）と切り欠きのない対向縁
の片側半分７１Ｂ（７１Ａ）とを適合させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、保持具に保持させ
た被処理体を熱処理する熱処理炉と前記保持具に対して
被処理体の移載を行うための移載室との間の通路部を開
閉するように設けられ、前記熱処理炉からの輻射熱を遮
るためのシャッタ−装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造プロセスの中に、
高温下においてシリコンの表面部を酸化しこれにより酸
化膜（絶縁膜）を得る酸化処理や、不純物層を表面に形
成したシリコン層を加熱し、これにより不純物をシリコ
ン層内に熱拡散する拡散処理などがある。

【０００３】この種の酸化、拡散を行う熱処理装置とし
てバッチ式である縦型熱処理装置が知られているが、例
えばキャパシタ絶縁膜の酸化膜やゲート酸化膜の形成あ
るいは不純物イオンの拡散処理では、極めて薄い膜や浅
い接合を得る場合、膜質、膜厚や拡散深さがサーマルバ
ジェット（熱履歴）の影響を大きく受け、バッチ式の熱
処理装置では、先に反応管内に搬入されたウエハと最後
の方に搬入されたウエハとではサーマルバジェットに大
きな差が生じてしまう。

【０００４】そこで上述の熱処理炉を改良し、反応管内
の設定位置に１枚づつウエハを保持具に載せて搬入した
後急加熱する枚葉式の熱処理装置についても検討が進め
られている。このような枚葉式の熱処理装置について図
１０に示す概略図を参照しながら説明すると、１は処理
室であり、この中でウエハ保持具１１が昇降自在に設け
られている。ウエハ保持具１１には、処理室１の下方側
の移載室１２にて図示しない搬送手段により１枚のウエ
ハＷが載置され、所定位置まで上昇した後加熱源１３に
より所定の熱処理温度まで加熱されると共にガス供給管
１４より処理ガスが供給されて例えば酸化処理される。
１５は排気管である。そして移載室１２に移載された処
理前のウエハＷが加熱源１３よりの輻射熱を直接受ける
ことによる熱履歴の影響を軽減し、また処理済みのウエ
ハについても冷却させるために処理室１と移載室１２と
の間に光遮断バルブであるシャッタ−６装置が左右両側
にて進退自在に設けられている。

【０００５】ところでこのシャッタ−装置１６について
は、ウエハＷが通路部を移動するときには全開の状態
に、またウエハ保持具１１が移載室１２に位置している
ときには全閉の状態になっていることが必要であるが、
ウエハＷが処理室１内に位置しているときには、半閉じ
状態つまりウエハ保持具１１の昇降軸１７が貫通できる
状態になっていることが必要である。

【０００６】そこで従来では図１１及び図１２に示すよ
うに、一対の例えばステンレス製のシャッター本体２
ａ、２ｂをリニアガイド機構２０に支持プレート２１を
介して支持し、リニアガイド機構２０により直線移動さ
せて互いに接離するように構成すると共に、そしてシャ
ッター本体２ａ、２ｂの対向縁中央部に例えばコ字型の
切り欠き２２を形成し、更に一方のシャッター本体２ａ
の対向縁の上半分に段部２３を、他方のシャッター本体
２ｂの対向縁の下半分に段部２４を夫々形成している。
段部２３、２４の奥行きは切り欠き２２のおよそ２倍の
長さに設定されている。このようなシャッター装置１６
によれば、シャッター本体２ａ、２ｂの対向縁同士が揃
った位置にあるときには（図１１に示す状態）、切り欠
き２２、２２により前記昇降軸１７の貫通空間２５が形
成され、段部２３、２４同士が重なり合う位置にあると
きには全閉状態となる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上述のシャッター装置
１６においては、半閉じ状態と全閉状態とを実現させな
ければならないため、シャッター本体２ａ、２ｂ同士を
切り欠き２２に対応する長さ分だけ、オーバラップさせ
なければならず、切り欠き２２以外の部分からみれば無
駄なオーバラップを形成しているし、またシャッター本
体２ａ、２ｂに段部を形成しなければならない。

【０００８】そして、シャッター本体２ａ、２ｂの駆動
機構としてはリニアに移動するものを用いているのでシ
ャッター本体２ａ、２ｂを退避させるスペースの他に、
このスペースの背後にシャッター本体２ａ、２ｂを進退
させるシャフト２６が置かれるスペースを確保しなけれ
ばならないし、更にシャッター本体２ａ、２ｂをオーバ
ラップさせるのでシャフト２６のストロークが大きくな
り、全体として大きなスペースが必要となり、装置の小
型化が困難である。

【０００９】そしてまたシャッター本体２ａ、２ｂがス
テンレス製であるため、処理室１内のウエハＷに対して
金属汚染を起こすおそれがあるし、またプロセス終了後
の移載室１２内のウエハＷとシャッター本体２ａ、２ｂ
の下面とが対向するのでこのときにウエハＷに対して金
属汚染が起こるおそれもある。

【００１０】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的は、少なくとも全開状態、全閉状態
及び半閉じ状態をとることができるシャッター装置にお
いて、シャッター本体をオーバラップさせずに全閉状態
とすることができ、無駄のない設計をすることのできる
シャッター装置を提供することにある。更に他の目的は
占有スペースの小さいシャッター装置を提供することに
ある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、保持具に保持
させた被処理体を熱処理する熱処理炉と前記保持具に対
して被処理体の移載を行うための移載室との間の通路部
を開閉するように設けられ、前記熱処理炉から移載室へ
向かう輻射熱を遮るための一対のシャッタ−本体と、こ
のシャッタ−本体を駆動する駆動機構とを備え、前記一
対のシャッタ−本体は、少なくとも全開状態、全閉状態
および前記保持具の駆動軸の貫通空間を形成した半閉じ
状態のいずれかをとることができるように構成されたシ
ャッタ−装置において、以下のように構成したことを特
徴とするものである。 ａ．互いに対向するシャッタ−本体の対向縁のうち、中
央部から片側半分を対向縁に沿って帯状に切り欠くこと
により当該片側半分に平面形状がカギ形の切り欠きを形
成する。 ｂ．一方のシャッタ−本体の前記切り欠きに、他方のシ
ャッタ−本体の対向縁における切り欠きが形成されてい
ない片側半分を適合させることにより全閉状態とする。 ｃ．一対のシャッタ−本体のカギ形の切り欠きの側縁同
士が間隔をおいて対向し、両者のシャッタ−本体の切り
欠きにより前記保持具の駆動軸の貫通空間を形成した状
態を半閉じ状態とする。

【００１２】本発明では、前記駆動機構は、シャッタ−
本体を通路部の径方向に互いに接離するように旋回させ
て開閉するように構成することができ、この場合シャッ
タ−本体の移動領域が小さくて済む。また本発明では、
シャッタ−本体を金属プレ−トで形成し、この金属プレ
−トの両面を、発塵しにくい耐熱性の非金属よりなるカ
バ−で覆う構成とすることができ、このようにすれば、
被処理体の金属汚染を防止できる。この場合カバ−はシ
ャッタ−本体が半閉じ状態のときに当該シャッタ−本体
の間の隙間を塞ぐように構成されていることが望まし
い。

【００１３】

【発明の実施の形態】図１は本発明の実施の形態である
シャッター装置を含む熱処理装置の全体構成を示す図で
あり、先ずこの熱処理装置の全体構成に関して簡単に説
明する。３は下端が開口し、上端が閉塞している例えば
石英よりなる反応管であり、この反応管３により被処理
体に対して熱処理を行う熱処理室が構成されている。前
記反応管３の周囲及び上面を間隙を介して覆うように例
えば炭化ケイ素（ＳｉＣ）よりなる均熱部材３１が配設
され、更にその外側には断熱体３２、及び水冷ジャケッ
ト３３ａを備えた外装部３３が設けられている。また均
熱部材３１の上面と断熱体３２との間には抵抗発熱線よ
りなる加熱源３４が配置されている。この例では、加熱
源３４及び断熱体３２を含む構造体と反応管３とにより
熱処理炉が構成されている。

【００１４】前記反応管３内にはウエハ保持具４が設け
られており、このウエハ保持具４は駆動軸である昇降軸
４１の頂部に設けられ、昇降軸４１は熱処理装置本体の
下端部にてボールネジなどの昇降機構４２により昇降で
きるように構成されている。そして昇降軸４１は、内部
に回転軸４３を有しており、モータＭにより回転軸４３
が回転し、これによりウエハ保持具４が回転できるよう
になっている。ただし昇降軸４１の外管部分と回転軸４
３との間には処理ガスが侵入しないように上部にてシー
ル構造が施されている。反応管３には図示しない処理ガ
ス供給源からの処理ガスをウエハ保持具４上の被処理体
であるウエハＷに供給するように処理ガス供給管３５が
設けられると共に反応管３内を排気する排気管３６が接
続されている。

【００１５】前記反応管３の下方側には、ウエハ保持具
４の通路部４０を介して移載室４４が設けられている。
この移載室４４の側部には、ゲートバルブＧを介して搬
入用のロードロック室４５及び搬出用のロードロック室
４６が接続されており、ロードロック室４５、４６内の
搬送手段４７、４８によって、移載室４４とロードロッ
ク室４５、４６との間でウエハＷの受け渡しが行われ
る。

【００１６】前記通路部４０には、前記加熱源３４から
移載室４４に向かう輻射熱を遮るためのシャッター装置
５０が設けられている。このシャッター装置５０は左右
に開閉する一対のシャッター本体５Ａ、５Ｂとシャッタ
ー本体５Ａ、５Ｂの駆動機構６Ａ、６Ｂとを備えてい
る。前記通路部４０の壁部の一部は左右に突出して、シ
ャッター本体５Ａ、５Ｂが待機される空間である待機室
３７Ａ、３７Ｂを構成している。

【００１７】前記シャッター装置５０は本発明の実施の
形態に相当するものであり、以下にその構造及び動作に
ついて説明する。シャッター本体５Ａ、５Ｂは、金属プ
レート例えばステンレスプレートよりなり、シャッター
本体５Ａ、５Ｂの両面は不透明な石英カバーにより覆わ
れているが、先ず金属プレートの形状について図２を参
照しながら説明する。

【００１８】図２は、シャッター本体５Ａ、５Ｂが「半
閉じ状態」であるときの平面図であり、シャッター本体
５Ａ、５Ｂの駆動機構６Ａ、６Ｂについては略解的に示
してある。また中央の点線で示す円４０ａは通路部４０
の断面である。「半閉じ状態」とは、ウエハ保持具４の
昇降軸４１の通過空間を形成した状態（図１の状態）で
あり、本実施の形態のシャッター装置５０は、この状態
の他に通路部４０を全部開く全開状態、及び通路部４０
を実質全部閉じる全閉状態をとり得るように構成されて
いる。

【００１９】シャッター本体５Ａ（５Ｂ）は、直角二等
辺三角形の隅部を切り落としたような形状に作られてお
り、斜辺に相当する縁部つまり相手のシャッター本体５
Ｂ（５Ａ）と対向している縁部７Ａ、７Ｂを対向縁と呼
ぶことにすると、この対向縁７Ａ、７Ｂにはカギ型の切
り欠き７３Ａ、７３Ｂが形成されている。即ち一方のシ
ャッター本体５Ａの対向縁７Ａの中央部から片側半分
（図２では左半分）を対向縁７Ａに沿って帯状に切り欠
くことにより当該対向縁７Ａの左半分７２Ａにカギ型の
切り欠き７３Ａを形成すると共に、他方のシャッター本
体５Ｂの対向縁７Ｂの図２中右半分７２Ｂに同様にカギ
型の切り欠き７３Ｂを形成する。

【００２０】７１Ａ（７１Ｂ）は、対向縁７Ａ（７Ｂ）
のうち切り欠かれていない片側半分を示している。なお
７０Ａ（７０Ｂ）は、切り欠き７３Ａ（７３Ｂ）の側縁
を示し、ここでいう左、右とは、熱処理装置の左右と対
応させたものではなく、シャッター本体５Ａ、５Ｂの形
状を説明するために便宜上に用いたものであり、シャッ
ター本体５Ａ側から見て左右として説明している。この
実施の形態におけるシャッター装置５０においては、別
の表現でいえば、同一形状のシャッター本体５Ａ、５Ｂ
を互いに対向して配置している。

【００２１】そしてシャッター本体５Ａ（５Ｂ）の駆動
機構６Ａ（６Ｂ）は、平行リンクをなす一対のアーム６
１、６２を備えており、アーム６１、６２の基端側は待
機室３７Ａ（３７Ｂ）内における前後に離れた２個の回
転軸６３、６４に夫々固定されると共に、アーム６１、
６２の先端側はシャッター本体５Ａ（５Ｂ）における相
手方のシャッター本体５Ｂ（５Ａ）とは反対側の縁部付
近に回転自在に取り付けられている。図２中実線で示す
アーム６１、６２はシャッター本体の「半開き状態」の
位置であるが、鎖線の位置まで回転すると、シャッター
本体５Ａ、５Ｂが通路部４０から外れた個所に位置し、
シャッター本体の全開状態となる。

【００２２】前記駆動機構６Ａ（６Ｂ）に関して更に詳
述すると、図３に示すようにアーム６１、６２はシャッ
ター本体５Ａ（５Ｂ）の下面側に位置している。図４は
待機室３７Ａ（３７Ｂ）の底面の外側（下方側）におけ
る駆動機構６Ａ（６Ｂ）の構造を示す図であり、回転軸
６３、６４は待機室３７Ａ（３７Ｂ）の底面を貫通して
いる。待機室３７Ａ（３７Ｂ）の下方側にてアーム６
５、６６の基端が回転軸６３、６４に取り付けられ、当
該アーム６５、６６の先端同士は、平行リンクを構成す
るように連結アーム６７により連結されている。

【００２３】この連結アーム６７の中央部には、当該連
結アーム６７の位置を規制するための規制アーム６８の
一端が軸支されており、この規制アーム６８の他端は、
エアシリンダ６９によりガイドレール６９ａに沿って所
定量だけスライドできるように構成されている。エアシ
リンダ６９により規制アーム６８の他端位置を変えるこ
とにより平行リンクをなすアーム６５、６６のクランク
角度が変わり、シャッター本体５Ａ、５Ｂを駆動するこ
とができる。ただしエアシリンダ６９は実際には２段並
列に設けられていて、半閉じ状態及び全閉状態を実現で
きるようになっている。

【００２４】またシャッター本体５Ａ内にはズ３に示す
ように冷却媒体例えば冷却水を通流するための冷媒流路
５１（鎖線で示す）が形成されており、この冷媒流路５
１はアーム６１、６２内の冷媒流路５２、５３に連通し
ている。アーム６１内の冷媒流路５２は回転軸６３内の
冷媒流路を介して冷媒導入管５４（図４参照）に連通
し、アーム６２内の冷媒流路５３は回転軸６４内の冷媒
流路を介して冷媒排出管５５（図４参照）に連通してい
る。従って冷媒導入管５４からの冷媒はアーム６１内の
冷媒流路５２を通ってシャッター本体５Ａ内に供給さ
れ、アーム６２内の冷媒流路を通って冷媒排出管５５か
ら排出され、この結果シャッター本体５Ａが冷却され
る。なおシャッター本体５Ｂについても同様の冷媒流路
が形成され、駆動機構内を通ってきた冷媒により同様に
して冷却される。

【００２５】前記シャッター本体５Ａ（５Ｂ）の両面は
図３及び図５に示すように耐熱性の非金属例えば石英製
のプレート状のカバー（石英カバー）８１、８２により
覆われている。石英カバー８１、８２によりシャッター
本体５Ａ、５Ｂが覆われる領域については、全面ではな
いが、前記通路部４０の断面に対応する領域を含んでい
る。

【００２６】シャッター本体５Ａ、（５Ｂ）の対向縁７
Ａ（７Ｂ）に対応する石英カバー８１、８２の形状に関
して述べると、対向縁７Ａ（７Ｂ）の突出している部分
（７１Ａ、７１Ｂに相当する部分）については縁部より
も前方に飛び出し、また切り欠かれている部分（７２
Ａ、７２Ｂに相当する部分）については縁部よりも後方
に位置し、これにより当該縁部は金属プレートの表面が
露出している。従ってシャッター本体５Ａ、５Ｂを図２
に示すように半閉じ状態としたときにはシャッター本体
５Ａ、５Ｂの対向縁７Ａ、７Ｂの間には隙間がわずかに
形成されるが、石英カバー８１、８２のうち対向縁７Ａ
（７Ｂ）よりも突出している部分が、対向縁７Ｂ（７
Ａ）の露出している金属プレートの表面に重なることに
なる。

【００２７】次に上述の実施の形態に係るシャッター装
置５０の動作を熱処理装置の動作と共に説明する。先ず
ウエハ保持具４を移載室４４内に位置させておき、ロー
ドロック室４５からゲートバルブＧを介して搬送アーム
４７により処理前の被処理体であるウエハＷを保持具４
に移載する。このときシャッター本体５Ａ、５Ｂは図６
に示すように対向縁７Ａ、７Ｂ同士が近接し、石英カバ
ー８１、８１の対向縁同士及び８２、８２の対向縁同士
が実質隙間のない程接近した全閉状態となっている。

【００２８】この全閉状態は、図２に示した半閉じ状態
を越えて更にシャッター本体５Ａ、５Ｂを左右方向に近
づけてカギ形の切り欠き７３Ａ、７３Ｂの側縁７０Ａ，
７０Ｂ同士を接触あるいは近接させることにより実現さ
れる。このようにシャッター装置５０が閉じているため
加熱源３４から移載室４４へ向かう輻射熱が遮られて、
移載室４４上の処理前のウエハＷに対する熱履歴が軽減
される。またシャッター本体５Ａ、５Ｂは冷媒の通流に
よって冷却されており、輻射熱を受けていても温度上昇
が抑えられ、この結果シャッター本体５Ａ、５Ｂから移
載室４４に輻射される熱量は少ない。

【００２９】次いで駆動機構６Ａ（６Ｂ）のアーム６
１、６２を図中時計方向に回転させて図７に示すように
シャッター本体６１（６２）を待機室３７Ａ（３７Ｂ）
内に退避させ、通路部４０を全開する。続いて昇降機構
４２により移載室４４内のウエハ保持具４を反応管３内
の所定位置（図１に示す位置まで上昇させ、その後前記
アーム６１、６２を反時計方向に回転させて、図８に示
すようにシャッター本体５Ａ、５Ｂの前記切り欠き７３
Ａ、７３Ｂの側縁７０Ａ、７０Ｂ同士が昇降軸４１の径
に対応する長さの間隙をおいて対向する位置までシャッ
ター本体５Ａ、５Ｂを互いに逆方向に旋回させ、半閉じ
状態とする。

【００３０】即ちこの状態ではシャッター本体５Ａ、５
Ｂの前記カギ形の切り欠き７３Ａ、７３Ｂにより昇降軸
４１が囲まれる。この半閉じ状態においても対向縁７
Ａ、７Ｂ同士が近接し、石英カバー８１、８２が対向縁
７Ａ、７Ｂ間の隙間を覆うため、移載室４４の温度上昇
が抑えられる。移載室４４内の温度が上昇すると、処理
後のウエハＷが移載室４４に戻ってきたときにウエハＷ
が冷えにくくなるため、石英カバー８１、８２は有効で
ある。

【００３１】そしてウエハＷを所定の温度例えば１００
０℃付近まで加熱し、熱処理例えば酸化ガスによりウエ
ハＷの表面を酸化処理してＳｉＯ₂ 膜を形成する。酸化
処理が終了した後、シャッター本体５Ａ、５Ｂを全開状
態とし、ウエハ保持具４を移載室４４まで下降させる。
次いでシャッター本体５Ａ、５Ｂを全閉状態とし、搬送
手段４８によりウエハ保持具４上の処理後ウエハＷをロ
ードロック室４６に搬出し、更にロードロック室４５内
のウエハＷをウエハ保持具４上に移載して、その後は同
様の工程を行う。

【００３２】上述のシャッター装置５０によれば、待機
室３７Ａ、３７Ｂを結ぶ軸線に対して略４５度に対向縁
７Ａ、７Ｂが傾いた姿勢のまま、一対のシャッター本体
５Ａ、５Ｂが旋回動作により互いに接離し、こうしてシ
ャッター本体５Ａ、５Ｂの開閉が行われ、そして対向縁
７Ａ、７Ｂのカギ形の切り欠き７３Ａ、７３Ｂを利用し
て、昇降軸４１を囲む半閉じ状態を実現している。従っ
てシャッター本体５Ａ、５Ｂをオーバラップさせずに全
閉状態とすることができるので、シャッター本体５Ａ、
５Ｂの構造及び動作に無駄がない。ただしシャッター本
体５Ａ、５Ｂをオーバラップさせずにとは、従来のよう
な大きなオーバラップが必要ないということであって、
例えばカギ形の切り欠き７３Ａ、７３Ｂの側縁７０Ａ、
７０Ｂ同士をわずかにオーバラップさせるようにしても
よい。そしてシャッター本体５Ａ、５Ｂのを旋回させて
いるのでその移動量が少ない上、全開状態に置かれてい
るシャッター本体５Ａ、５Ｂの背後に、リニアガイド機
構を用いた場合のようなスペースが不要であるから、シ
ャッター装置の占有スペースを小さくすることができ
る。

【００３３】またシャッター本体５Ａ、５Ｂの両面に石
英カバー８１、８２を設けているためウエハＷに対する
金属プレートからの金属汚染を避けることができ、更に
シャッター本体５Ａ、５Ｂの対向縁７Ａ、７Ｂにおい
て、互いに向かい合う石英カバー８１、８１（８２、８
２）の一方側の縁が飛び出し、他方側の縁が退いた構造
となっていて、半閉じ状態及び全閉状態のときに、飛び
出している石英カバー８１、８１（８２、８２）の縁が
前記対向縁７Ａ、７Ｂの上に重なるため、大きな遮熱効
果を得ることができる。

【００３４】以上においてシャッター本体５Ａ、５Ｂを
覆うカバーの材質としては、不透明（半透明も含む）な
石英に限られるものではないが、耐熱性を有しかつ発塵
の少ない不透明な非金属材であることが必要であり、例
えばセラミックスであってもよい。またシャッター本体
５Ａ、５Ｂは少なくとも全開状態、半閉じ状態及び全閉
状態をとり得るものであることが必要であるが、それ以
外の他の状態をとる場合も本発明の範囲に含まれる。更
にシャッター本体５Ａ、５Ｂのカギ形の切り欠きとは、
必ずしも直角形状に限るものではなく、角が丸みを帯び
ていてもよいし、例えば側縁が曲線であってもよい。

【００３５】そしてまたシャッター本体５Ａ、５Ｂは、
旋回動作によって開閉することに限らず図９に示すよう
にシャフト９１、９２を含む駆動機構をなすリニアガイ
ド機構９によってカギ形の切り欠き７３Ａ、７３Ｂの側
縁７０Ａ、７０Ｂが互いに対向する姿勢で直線運動する
ことにより開閉するようにしてもよい。なお図９中、シ
ャッター本体５Ｂ側のリニアガイド機構９は図示を省略
してある。

【００３６】

【発明の効果】本発明によれば、シャッター本体をオー
バラップさせずに全閉状態とすることができ、無駄のな
い設計をすることができる。またシャッター本体を旋回
動作させて開閉することによりシャッター装置の占有空
間を小さくできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係るシャッター装置を適
用した熱処理装置の全体構成を示す断面図である。

【図２】本発明の実施の形態に係るシャッター装置を概
略的に示す平面図である。

【図３】シャッター本体及び駆動機構を示す平面図であ
る。

【図４】シャッター本体の駆動機構を示す平面図であ
る。

【図５】シャッター本体及び石英カバーを示す分解斜視
図である。

【図６】シャッター本体の全閉状態を示す平面図であ
る。

【図７】シャッター本体の全開状態を示す平面図であ
る。

【図８】シャッター本体の半閉じ状態を示す平面図であ
る。

【図９】シャッター装置の他の実施の形態に係るシャタ
ー本体を概略的に示す平面図である。

【図１０】従来のシャッター装置を適用した熱処理装置
を示す断面図である。

【図１１】従来のシャッター装置を示す平面図である。

【図１２】従来のシャッター装置のシャッター本体を示
す斜視図である。

【符号の説明】

３ 反応管 ３４ 加熱源 Ｗ 半導体ウエハ ４ ウエハ保持具 ４１ 昇降軸 ５０ シャッター装置 ５Ａ、５Ｂ シャッター本体 ６Ａ、６Ｂ 駆動機構 ７Ａ、７Ｂ 対向縁 ７０Ａ、７０Ｂ 切り欠きの側縁 ７１Ａ、７１Ｂ 切り欠きが形成されていない片側半
分 ７２Ａ、７２Ｂ 切り欠きが形成されている片側半分 ７３Ａ、７３Ｂ 切り欠き ８１、８２ 石英カバー

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 保持具に保持させた被処理体を熱処理す
   る熱処理炉と前記保持具に対して被処理体の移載を行う
   ための移載室との間の通路部を開閉するように設けら
   れ、前記熱処理炉から移載室へ向かう輻射熱を遮るため
   の一対のシャッタ−本体と、このシャッタ−本体を駆動
   する駆動機構とを備え、前記一対のシャッタ−本体は、
   少なくとも全開状態、全閉状態および前記保持具の駆動
   軸の貫通空間を形成した半閉じ状態のいずれかをとるこ
   とができるように構成されたシャッタ−装置において、 以下のように構成したことを特徴とする熱処理炉のシャ
   ッタ−装置。 ａ．互いに対向するシャッタ−本体の対向縁のうち、中
   央部から片側半分を対向縁に沿って帯状に切り欠くこと
   により当該片側半分に平面形状がカギ形の切り欠きを形
   成する。 ｂ．一方のシャッタ−本体の前記切り欠きに、他方のシ
   ャッタ−本体の対向縁における切り欠きが形成されてい
   ない片側半分を適合させることにより全閉状態とする。 ｃ．一対のシャッタ−本体のカギ形の切り欠きの側縁同
   士が間隔をおいて対向し、両者のシャッタ−本体の切り
   欠きにより前記保持具の駆動軸の貫通空間を形成した状
   態を半閉じ状態とする。
2. 【請求項２】 駆動機構は、シャッタ−本体を通路部の
   径方向に互いに接離するように旋回させて開閉するよう
   に構成されていることを特徴とする請求項１記載の熱処
   理炉のシャッタ−装置。
3. 【請求項３】 シャッタ−本体を金属プレ−トで形成
   し、この金属プレ−トの両面を、発塵しにくい耐熱性の
   非金属よりなるカバ−で覆ったことを特徴とする請求項
   １または２記載の熱処理炉のシャッタ−装置。
4. 【請求項４】 カバ−はシャッタ−本体が半閉じ状態の
   ときに一対のシャッタ−本体の間の隙間を塞ぐように構
   成されていることを特徴とする請求項３記載の熱処理炉
   のシャッタ−装置。