JPH1064892A - 堆積チャンバ及び低誘電性膜のための方法 - Google Patents
堆積チャンバ及び低誘電性膜のための方法Info
- Publication number
- JPH1064892A JPH1064892A JP9152771A JP15277197A JPH1064892A JP H1064892 A JPH1064892 A JP H1064892A JP 9152771 A JP9152771 A JP 9152771A JP 15277197 A JP15277197 A JP 15277197A JP H1064892 A JPH1064892 A JP H1064892A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- chamber
- oxygen supply
- oxygen
- silane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
- H01L21/205—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45512—Premixing before introduction in the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45514—Mixing in close vicinity to the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45576—Coaxial inlets for each gas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 基板支持体（１４）を収容するチャンバ
（１８）を規定するハウジング（４）を含む改善された
堆積チャンバ（２）。酸素とＳｉＦ4の混合物は第一の
ノズル（３４）のセットを通じて、そしてシランは第二
のノズル（３４ａ）のセットを通じて、チャンバ内の基
板支持体の周縁部（４０）の周りに送られる。シラン
（又はシランとＳｉＦ4の混合物）及び酸素は、オリフ
ィス（６４，７６）から一般に基板の中心部の上のチャ
ンバ内へと別個に注入される。各々のガスについての最
適の流速の使用と連動しているガスの均一な分散は、膜
を横切っての均一な低い（３．４未満の）誘電率を結果
としてもたらす。
（１８）を規定するハウジング（４）を含む改善された
堆積チャンバ（２）。酸素とＳｉＦ4の混合物は第一の
ノズル（３４）のセットを通じて、そしてシランは第二
のノズル（３４ａ）のセットを通じて、チャンバ内の基
板支持体の周縁部（４０）の周りに送られる。シラン
（又はシランとＳｉＦ4の混合物）及び酸素は、オリフ
ィス（６４，７６）から一般に基板の中心部の上のチャ
ンバ内へと別個に注入される。各々のガスについての最
適の流速の使用と連動しているガスの均一な分散は、膜
を横切っての均一な低い（３．４未満の）誘電率を結果
としてもたらす。
Description
【０００１】
【従来の技術】最新の半導体デバイスを製造する基本的
工程の一つは、ガスの化学反応を用いて、半導体基板上
に薄い膜を形成することである。このような堆積工程
は、化学蒸着（ＣＶＤ）と呼ばれている。慣用の熱ＣＶ
Ｄ法は、反応性ガスを基板表面に供給し、そこで熱誘導
化学反応が所望の膜を形成するために起こり得る。高密
度プラズマＣＶＤ法は、無線周波数（ＲＦ）エネルギー
を基板表面に近接した反応性ゾーンに供給し、それによ
って非常に反応性の種のプラズマを作り出すことによっ
て、反応体であるガスの分離を促進する。高い反応性の
遊離された種は、化学反応を起こすために要求されるエ
ネルギーを減少させ、従って、このようなＣＶＤ法に要
求される温度を下げる。
工程の一つは、ガスの化学反応を用いて、半導体基板上
に薄い膜を形成することである。このような堆積工程
は、化学蒸着（ＣＶＤ）と呼ばれている。慣用の熱ＣＶ
Ｄ法は、反応性ガスを基板表面に供給し、そこで熱誘導
化学反応が所望の膜を形成するために起こり得る。高密
度プラズマＣＶＤ法は、無線周波数（ＲＦ）エネルギー
を基板表面に近接した反応性ゾーンに供給し、それによ
って非常に反応性の種のプラズマを作り出すことによっ
て、反応体であるガスの分離を促進する。高い反応性の
遊離された種は、化学反応を起こすために要求されるエ
ネルギーを減少させ、従って、このようなＣＶＤ法に要
求される温度を下げる。
【０００２】高密度のプラズマ化学蒸着（ＨＤＰ−ＣＶ
Ｄ）チャンバの一つの設計においては、減圧チャンバ
は、底部に沿った、陰極として働く平面の基板支持体、
頂部に沿った平面の陽極、底から上へと伸びる比較的短
い側壁、及び側壁に接している頂部を有する誘電性のド
ームによって一般的に規定されている。誘電性コイル
は、ドームの周りに据え付けられ、そして無線周波数発
生供給器に接続されている。陽極及び陰極は、典型的に
は、バイアス無線周波数発生器に連結されている。等間
隔に配置されたガス分配器、例えばノズルの２つ以上の
セットが、典型的には、側壁に据え付けられ、そして基
板支持体表面の端の上の領域まで延びている。各セット
のガスノズルは、そのセットのための共通のマニホール
ドに連結されており、マニホールドは、ガスノズルに、
たとえば、アルゴン、酸素、シラン（ＳｉＨ4）、ＴＥ
ＯＳ（テトラエトキシシラン）、四フッ化ケイ素（Ｓｉ
Ｆ4）等のガスを含むプロセスガスを提供する。ガスの
組成は、主として、基板上に形成されるべき物質のタイ
プに依存する。ガスノズルのセットが一般に用いられ
る。なぜなら、いくつかのガス、たとえばシランは、他
のガス、たとえば酸素とは別個にチャンバ内に送られな
ければならないからである。他のガス、例えば酸素及び
ＳｉＦ4は、共通のマニホールドを通じてノズルの共通
のセットへと送られうる。ノズルの先は、吹き出し口、
典型的にはオリフィスを有し、それは、基板支持体の円
周部の表面上に少し空間を空けて離れている円周パター
ン内に配置され、それを通じてプロセスガスが流れる。
Ｄ）チャンバの一つの設計においては、減圧チャンバ
は、底部に沿った、陰極として働く平面の基板支持体、
頂部に沿った平面の陽極、底から上へと伸びる比較的短
い側壁、及び側壁に接している頂部を有する誘電性のド
ームによって一般的に規定されている。誘電性コイル
は、ドームの周りに据え付けられ、そして無線周波数発
生供給器に接続されている。陽極及び陰極は、典型的に
は、バイアス無線周波数発生器に連結されている。等間
隔に配置されたガス分配器、例えばノズルの２つ以上の
セットが、典型的には、側壁に据え付けられ、そして基
板支持体表面の端の上の領域まで延びている。各セット
のガスノズルは、そのセットのための共通のマニホール
ドに連結されており、マニホールドは、ガスノズルに、
たとえば、アルゴン、酸素、シラン（ＳｉＨ4）、ＴＥ
ＯＳ（テトラエトキシシラン）、四フッ化ケイ素（Ｓｉ
Ｆ4）等のガスを含むプロセスガスを提供する。ガスの
組成は、主として、基板上に形成されるべき物質のタイ
プに依存する。ガスノズルのセットが一般に用いられ
る。なぜなら、いくつかのガス、たとえばシランは、他
のガス、たとえば酸素とは別個にチャンバ内に送られな
ければならないからである。他のガス、例えば酸素及び
ＳｉＦ4は、共通のマニホールドを通じてノズルの共通
のセットへと送られうる。ノズルの先は、吹き出し口、
典型的にはオリフィスを有し、それは、基板支持体の円
周部の表面上に少し空間を空けて離れている円周パター
ン内に配置され、それを通じてプロセスガスが流れる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】半導体デバイスは、大
きさが小さくなればなるほど、隣接する伝導体間のキャ
パシタンスが増加する。このキャパシタンスの増加は、
デバイスの速度に不利に影響する。この問題を部分的に
解決するために、堆積された誘電性膜の誘電率（ドープ
されていないケイ素ガラス（ＵＳＧ）では、典型的には
約４．１）を減少させなければならない。最近、ＳｉＦ
4の化学的性質を用いたフッ素ドープ（これは、フッ素
ドープされたケイ素ガラス（ＦＳＧ）を生じる）が、誘
電率を減少させるために好まれるようになってきた。Ｆ
ＳＧを用いて、３．５の誘電率を有する、良好な熱安定
性を持った誘電性膜を製造することが可能であると信じ
られている。しかしながら、誘電率についてのこの値
（３．５）は、容易に達成されていない。
きさが小さくなればなるほど、隣接する伝導体間のキャ
パシタンスが増加する。このキャパシタンスの増加は、
デバイスの速度に不利に影響する。この問題を部分的に
解決するために、堆積された誘電性膜の誘電率（ドープ
されていないケイ素ガラス（ＵＳＧ）では、典型的には
約４．１）を減少させなければならない。最近、ＳｉＦ
4の化学的性質を用いたフッ素ドープ（これは、フッ素
ドープされたケイ素ガラス（ＦＳＧ）を生じる）が、誘
電率を減少させるために好まれるようになってきた。Ｆ
ＳＧを用いて、３．５の誘電率を有する、良好な熱安定
性を持った誘電性膜を製造することが可能であると信じ
られている。しかしながら、誘電率についてのこの値
（３．５）は、容易に達成されていない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、３．５未満、
好ましくは３．４未満、さらに好ましくは３．３未満の
均一な低い誘電率を有する膜を堆積するための堆積チャ
ンバ及び方法に関する。本発明は、（１）基板へのガス
（好ましくは、シラン、フッ素供給ガス、例えばＳｉＦ
4又はＣＦ4、及び酸素供給ガス、例えばＯ2又はＮ2Ｏ）
の均一な適用、及び（２）ガスの最適の流速の選択（こ
れは、好ましくは、特定のチャンバを用いた試験の結果
として決定される）の組み合わせによって達成される。
好ましくは３．４未満、さらに好ましくは３．３未満の
均一な低い誘電率を有する膜を堆積するための堆積チャ
ンバ及び方法に関する。本発明は、（１）基板へのガス
（好ましくは、シラン、フッ素供給ガス、例えばＳｉＦ
4又はＣＦ4、及び酸素供給ガス、例えばＯ2又はＮ2Ｏ）
の均一な適用、及び（２）ガスの最適の流速の選択（こ
れは、好ましくは、特定のチャンバを用いた試験の結果
として決定される）の組み合わせによって達成される。
【０００５】改善された堆積チャンバは、堆積チャンバ
を規定するハウジングを含む。基板支持体は、堆積チャ
ンバ内に収容されている。第一のガス分配器は、基板支
持体表面の円周の周縁部から空間を空けて離れておりか
つ一般的にその上に位置する円周パターン内に、堆積チ
ャンバ中へのオリフィス又は他の吹き出し口の開口部を
有する。一つの実施態様において、第一のガス分配器
は、第一及び第二のノズルセットを含む。酸素及びＳｉ
Ｆ4は、好ましくは、第一のノズルのセットを通じて一
緒にチャンバ内に送られ、そしてシラン（又はシラン及
びＳｉＦ4）は、第二のノズルのセットを通じて送られ
る。ＳｉＦ4を酸素と混合すること、及び第一のノズル
のセットを通じてこの組み合わせを導入することは、装
置の複雑さを軽減でき、従ってコストを下げることが可
能である。第二のガス分配器（好ましくは中心のノズ
ル）が用いられ、そしてそれは、基板支持体表面から空
間を空けて離れておりかつその表面の上に配置される。
ガス、好ましくはシラン（またはシランとＳｉＦ4）を
減圧チャンバ内へと注入するための第二のガス分配器の
使用は、第二のガス分配器を使用しないで達成されるこ
とを超えて、基板全体へガスを均一に適用することを改
善するのに役立つ。
を規定するハウジングを含む。基板支持体は、堆積チャ
ンバ内に収容されている。第一のガス分配器は、基板支
持体表面の円周の周縁部から空間を空けて離れておりか
つ一般的にその上に位置する円周パターン内に、堆積チ
ャンバ中へのオリフィス又は他の吹き出し口の開口部を
有する。一つの実施態様において、第一のガス分配器
は、第一及び第二のノズルセットを含む。酸素及びＳｉ
Ｆ4は、好ましくは、第一のノズルのセットを通じて一
緒にチャンバ内に送られ、そしてシラン（又はシラン及
びＳｉＦ4）は、第二のノズルのセットを通じて送られ
る。ＳｉＦ4を酸素と混合すること、及び第一のノズル
のセットを通じてこの組み合わせを導入することは、装
置の複雑さを軽減でき、従ってコストを下げることが可
能である。第二のガス分配器（好ましくは中心のノズ
ル）が用いられ、そしてそれは、基板支持体表面から空
間を空けて離れておりかつその表面の上に配置される。
ガス、好ましくはシラン（またはシランとＳｉＦ4）を
減圧チャンバ内へと注入するための第二のガス分配器の
使用は、第二のガス分配器を使用しないで達成されるこ
とを超えて、基板全体へガスを均一に適用することを改
善するのに役立つ。
【０００６】酸素供給ガス（好ましくは酸素）は、一般
的に基板の中心の上の領域内にあるハウジングの頂部を
通じて、チャンバへと送られる。このことは、好ましく
は、シラン（及び他のガス）を運ぶ中心ノズルとハウジ
ングの頂部の穴との間に作られた環状のオリフィスに酸
素を通すことによって達成される。この方法において
は、酸素は、好ましくはＳｉＦ4と混合されて、第一の
ガス分配器の第一のノズルのセットを通じて両側面か
ら、そしてまた基板の上のシランと同じ領域内に提供さ
れる。また、環状のオリフィスに酸素を通すことは、ハ
ウジングの頂部と、中心ノズルがそこから伸びていると
ころの本体との間で用いられているシールをチャンバ内
の反応性ガスの攻撃から防ぐ。この利点は、もしシラン
が環状のオリフィスを通りそして酸素が中心ノズルを通
っても維持される。
的に基板の中心の上の領域内にあるハウジングの頂部を
通じて、チャンバへと送られる。このことは、好ましく
は、シラン（及び他のガス）を運ぶ中心ノズルとハウジ
ングの頂部の穴との間に作られた環状のオリフィスに酸
素を通すことによって達成される。この方法において
は、酸素は、好ましくはＳｉＦ4と混合されて、第一の
ガス分配器の第一のノズルのセットを通じて両側面か
ら、そしてまた基板の上のシランと同じ領域内に提供さ
れる。また、環状のオリフィスに酸素を通すことは、ハ
ウジングの頂部と、中心ノズルがそこから伸びていると
ころの本体との間で用いられているシールをチャンバ内
の反応性ガスの攻撃から防ぐ。この利点は、もしシラン
が環状のオリフィスを通りそして酸素が中心ノズルを通
っても維持される。
【０００７】フィルム厚及び誘電率の均一性はまた、基
板の温度を基板を横切って均一に維持する手段を取るこ
とにより、そして、スパッタリング均一性を達成するた
めのＲＦ源発生器を用いることにより高められる。
板の温度を基板を横切って均一に維持する手段を取るこ
とにより、そして、スパッタリング均一性を達成するた
めのＲＦ源発生器を用いることにより高められる。
【０００８】本発明の一つの基本的な観点の一つは、チ
ャンバに入る酸素の均一な分布を確実にするのが非常に
重要であるという認識である。このことは、酸素をチャ
ンバの頂部及びチャンバの側面の両方からに流すことに
より達成される。さらに、チャンバの頂部を通る酸素の
流れの経路の適当な配置により、反応性ガス例えばフッ
素と接触することからくる有害な影響からシール要素を
保護する働きを酸素がすることができる。
ャンバに入る酸素の均一な分布を確実にするのが非常に
重要であるという認識である。このことは、酸素をチャ
ンバの頂部及びチャンバの側面の両方からに流すことに
より達成される。さらに、チャンバの頂部を通る酸素の
流れの経路の適当な配置により、反応性ガス例えばフッ
素と接触することからくる有害な影響からシール要素を
保護する働きを酸素がすることができる。
【０００９】ガスを基板に均一に供給することの必要に
加えて、最少の誘電率を達成するために、ガス、典型的
には酸素、シラン及びＳｉＦ4の正しい比を用いること
が必要である。各ガスのための適当な流速は、用いる特
定のチャンバに応じて変化する。従って、本発明のさら
なる観点は、種々の流速比をテストして、最少の誘電率
を有する高品質の誘電性膜を提供する流速のセットを見
いだすことである。
加えて、最少の誘電率を達成するために、ガス、典型的
には酸素、シラン及びＳｉＦ4の正しい比を用いること
が必要である。各ガスのための適当な流速は、用いる特
定のチャンバに応じて変化する。従って、本発明のさら
なる観点は、種々の流速比をテストして、最少の誘電率
を有する高品質の誘電性膜を提供する流速のセットを見
いだすことである。
【００１０】本発明の他の特徴及び利点は、好ましい実
施態様を添付の図面を参照しながら詳細に記載した以下
の記載から明らかになる。
施態様を添付の図面を参照しながら詳細に記載した以下
の記載から明らかになる。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は、ハウジング４、２組のＲ
Ｆ誘導コイル８，９に取り囲まれている通常筒状の誘電
性囲壁部６を有するハウジングを含む堆積チャンバ２を
説明している。囲壁部６は、誘電性物質以外のＲＦ透過
性の物質から作られうる。コイル８，９には、一対のＲ
Ｆ源発生器１０，１１から電流が供給されている。チャ
ンバ２はまた、ハウジング４により規定されたその内部
の減圧チャンバ１８内に基板支持表面１６を有する、水
冷式の基板支持体１４を含む。表面１６は、チャンバ１
８内に基板２０を支持するために用いられる。基板支持
体１４は、陰極として働き、そしてマッチング回路２４
を通じてバイアスＲＦ発生器２２に連結されている。ハ
ウジング４の通常筒状の側壁３０は、ハウジング４の底
３２を誘電性囲壁部６に連結している。側壁３０は、陽
極として働く。
Ｆ誘導コイル８，９に取り囲まれている通常筒状の誘電
性囲壁部６を有するハウジングを含む堆積チャンバ２を
説明している。囲壁部６は、誘電性物質以外のＲＦ透過
性の物質から作られうる。コイル８，９には、一対のＲ
Ｆ源発生器１０，１１から電流が供給されている。チャ
ンバ２はまた、ハウジング４により規定されたその内部
の減圧チャンバ１８内に基板支持表面１６を有する、水
冷式の基板支持体１４を含む。表面１６は、チャンバ１
８内に基板２０を支持するために用いられる。基板支持
体１４は、陰極として働き、そしてマッチング回路２４
を通じてバイアスＲＦ発生器２２に連結されている。ハ
ウジング４の通常筒状の側壁３０は、ハウジング４の底
３２を誘電性囲壁部６に連結している。側壁３０は、陽
極として働く。
【００１２】プロセスガスを、２セットの１２本の均等
に空間を空けて配置されたノズル３４，３４ａを通じ
て、減圧チャンバ１８の基板２０を取り囲む領域に導入
する。ノズル３４，３４ａは、環状の様式にて配置され
ており、そして、それぞれガスマニホールド３６，３６
ａに流体的に連結されている。マニホールド３６，３６
ａには、第一及び第二のガス制御器３７，３７ａ及び第
一及び第二のガス供給ライン３９，３９ａを通じて、第
一及び第二のガス供給源３５，３５ａからプロセスガス
が供給される。各ノズル３４，３４ａは、その遠位端に
オリフィス３８を有する。ノズル３４，３４ａのオリフ
ィス３８は、基板支持体１４の円周部４０上に、従って
基板２０の円周部４２上に配置されている。減圧チャン
バ１８は、排気ポート４４を通じて排気される。
に空間を空けて配置されたノズル３４，３４ａを通じ
て、減圧チャンバ１８の基板２０を取り囲む領域に導入
する。ノズル３４，３４ａは、環状の様式にて配置され
ており、そして、それぞれガスマニホールド３６，３６
ａに流体的に連結されている。マニホールド３６，３６
ａには、第一及び第二のガス制御器３７，３７ａ及び第
一及び第二のガス供給ライン３９，３９ａを通じて、第
一及び第二のガス供給源３５，３５ａからプロセスガス
が供給される。各ノズル３４，３４ａは、その遠位端に
オリフィス３８を有する。ノズル３４，３４ａのオリフ
ィス３８は、基板支持体１４の円周部４０上に、従って
基板２０の円周部４２上に配置されている。減圧チャン
バ１８は、排気ポート４４を通じて排気される。
【００１３】図２は、慣用の堆積チャンバを用いた代表
的なＵＳＧ堆積厚の変化のプロット４６を示している。
平均厚をベースライン４８で示した。プロット４６によ
って示されているように、基板２０の円周部４２に対応
するプロット４６の終点５０及び５２において、比較的
急な厚さの増加がある。プロット４６の中心５４もま
た、同様にかなり落ち込んでいる。
的なＵＳＧ堆積厚の変化のプロット４６を示している。
平均厚をベースライン４８で示した。プロット４６によ
って示されているように、基板２０の円周部４２に対応
するプロット４６の終点５０及び５２において、比較的
急な厚さの増加がある。プロット４６の中心５４もま
た、同様にかなり落ち込んでいる。
【００１４】米国特許出願シリアル番号08/571,618号明
細書（１９９５年、１２月１３日出願）は、第三のガス
制御器６０と第三のガス供給ライン６２を通っている第
三のガス供給源５８に連結された中心ノズル５６を用い
ることにより、どのようにプロット４６が改善されたか
を開示している（この開示は、引用することにより本明
細書の一部である）。中心ノズル５６は、基板支持体表
面１６の中心の上に配置されたオリフィス６４を有す
る。中心ノズル５６の使用は、図２のプロット４６から
図３の例示的なプロット６８へと、ＵＳＧ堆積厚の変化
プロット４６の改善を可能とする。例示的な堆積厚変化
プロット６８は十分に平らであるので、堆積厚の標準偏
差はシグマの約１〜２％になりうる。このことは主とし
て、終点５０、５２におけるプロットの急な勾配を減少
しそしてプロット４６の中心５４において低い点を上げ
ることにより達成される。
細書（１９９５年、１２月１３日出願）は、第三のガス
制御器６０と第三のガス供給ライン６２を通っている第
三のガス供給源５８に連結された中心ノズル５６を用い
ることにより、どのようにプロット４６が改善されたか
を開示している（この開示は、引用することにより本明
細書の一部である）。中心ノズル５６は、基板支持体表
面１６の中心の上に配置されたオリフィス６４を有す
る。中心ノズル５６の使用は、図２のプロット４６から
図３の例示的なプロット６８へと、ＵＳＧ堆積厚の変化
プロット４６の改善を可能とする。例示的な堆積厚変化
プロット６８は十分に平らであるので、堆積厚の標準偏
差はシグマの約１〜２％になりうる。このことは主とし
て、終点５０、５２におけるプロットの急な勾配を減少
しそしてプロット４６の中心５４において低い点を上げ
ることにより達成される。
【００１５】チャンバ２の種々の構成部品は、プロセッ
サー（図示せず）によって制御されている。プロセッサ
ーは、コンピューターが読取り可能な媒体（同様に図示
せず）に保存されたコンピュータープログラムの制御下
で作動する。コンピュータープログラムは、種々の作動
パラメーター、例えば、時間、ガスの混合、チャンバー
圧、基板支持体温度及びＲＦ電流レベルを指示する。
サー（図示せず）によって制御されている。プロセッサ
ーは、コンピューターが読取り可能な媒体（同様に図示
せず）に保存されたコンピュータープログラムの制御下
で作動する。コンピュータープログラムは、種々の作動
パラメーター、例えば、時間、ガスの混合、チャンバー
圧、基板支持体温度及びＲＦ電流レベルを指示する。
【００１６】本発明は、３．５未満の、好ましくは３．
４未満の、さらに好ましくは３．３未満の誘電率を有す
るフィルムを提供するように、上記の構造を改善する。
これらの低い誘電率値は、基板２０上の一般に均一な様
式にて達成される。装置のサイズを小さくすればするほ
ど、近接する空間を空けて置かれた伝導体間のキャパシ
タンスが自然に増加するので、誘電率の均一な減少が重
要である。キャパシタンスを減少させるために、及び従
って装置の操作速度を上げるために、堆積された誘電性
膜の誘電率を減少させなければならない。
４未満の、さらに好ましくは３．３未満の誘電率を有す
るフィルムを提供するように、上記の構造を改善する。
これらの低い誘電率値は、基板２０上の一般に均一な様
式にて達成される。装置のサイズを小さくすればするほ
ど、近接する空間を空けて置かれた伝導体間のキャパシ
タンスが自然に増加するので、誘電率の均一な減少が重
要である。キャパシタンスを減少させるために、及び従
って装置の操作速度を上げるために、堆積された誘電性
膜の誘電率を減少させなければならない。
【００１７】本発明は、好ましくは、ＳｉＦ4と酸素の
組み合わせを第一のガス供給源３５から供給し、ノズル
３４のオリフィス３８を通してチャンバ１８中へ導入す
る。そうすることにより、これらのガスの送り出しを簡
略化しかつコストの削減に役立つ。シラン（ＳｉＨ4）
は、好ましくは、第二のガス供給源３５ａから、第二の
ガス制御器３７ａを通じて、そしてノズル３４を通って
チャンバ１８中に送り出される。さらに、第三のガス供
給源５８は、好ましくは、上記の基板２０の上から、シ
ラン（又は、例えば、シランとＳｉＦ4の混合物）をチ
ャンバ１８中へ導入するために用いられる。これと協同
して、シランの流動経路とは別の流動経路に沿って、酸
素もまた基板２０の上の位置からチャンバ１８内に向け
られる。
組み合わせを第一のガス供給源３５から供給し、ノズル
３４のオリフィス３８を通してチャンバ１８中へ導入す
る。そうすることにより、これらのガスの送り出しを簡
略化しかつコストの削減に役立つ。シラン（ＳｉＨ4）
は、好ましくは、第二のガス供給源３５ａから、第二の
ガス制御器３７ａを通じて、そしてノズル３４を通って
チャンバ１８中に送り出される。さらに、第三のガス供
給源５８は、好ましくは、上記の基板２０の上から、シ
ラン（又は、例えば、シランとＳｉＦ4の混合物）をチ
ャンバ１８中へ導入するために用いられる。これと協同
して、シランの流動経路とは別の流動経路に沿って、酸
素もまた基板２０の上の位置からチャンバ１８内に向け
られる。
【００１８】酸素は、比較的安定なガス、例えば、Ｓｉ
Ｆ4と混合されうるが、シランと酸素の反応性のため、
これらの成分は、それらがチャンバ１８内に導入される
まで別々に保存されなければならない。このことを達成
するために、別々のノズル３４、３４ａが、基板支持体
３４の周りの領域で用いられ、また、酸素経路７０が囲
壁部６の頂部７５に据え付けられた本体７２中に形成さ
れる。経路７０は、酸素制御器７３を通じて酸素供給源
７１と連結している。第三のガスライン６２は、本体７
２を通って中心ノズル５６で終わっている。中心ノズル
５６は、頂部７５中に形成された開口部７４を通ってい
る。ノズル５６及び開口部７４は、減圧チャンバ１８及
び酸素経路７０と流体的に連絡されている環状のオリフ
ィス７６を提供している。流体シール７８は、本体７２
と頂部７５の間に備えられている。従って、酸素は、経
路７０を通って、本体７２と頂部７５の間で規定されか
つ流体シール７８によって境界が定められている領域中
へそして最後には環状のオリフィス７６に沿って進む。
この方法で酸素を注入することにより、ガス、例えばフ
ッ素化合物（これはさもなければ流体シール７８に有害
に影響しうる）が、流動している酸素の洗浄効果または
除去効果によって、流動シールと反応することが防げら
れる。シール７８を劣化させない酸素以外のガスもまた
使用可能である。
Ｆ4と混合されうるが、シランと酸素の反応性のため、
これらの成分は、それらがチャンバ１８内に導入される
まで別々に保存されなければならない。このことを達成
するために、別々のノズル３４、３４ａが、基板支持体
３４の周りの領域で用いられ、また、酸素経路７０が囲
壁部６の頂部７５に据え付けられた本体７２中に形成さ
れる。経路７０は、酸素制御器７３を通じて酸素供給源
７１と連結している。第三のガスライン６２は、本体７
２を通って中心ノズル５６で終わっている。中心ノズル
５６は、頂部７５中に形成された開口部７４を通ってい
る。ノズル５６及び開口部７４は、減圧チャンバ１８及
び酸素経路７０と流体的に連絡されている環状のオリフ
ィス７６を提供している。流体シール７８は、本体７２
と頂部７５の間に備えられている。従って、酸素は、経
路７０を通って、本体７２と頂部７５の間で規定されか
つ流体シール７８によって境界が定められている領域中
へそして最後には環状のオリフィス７６に沿って進む。
この方法で酸素を注入することにより、ガス、例えばフ
ッ素化合物（これはさもなければ流体シール７８に有害
に影響しうる）が、流動している酸素の洗浄効果または
除去効果によって、流動シールと反応することが防げら
れる。シール７８を劣化させない酸素以外のガスもまた
使用可能である。
【００１９】上記で述べた構造を用いてのガス分布の均
一性と関連して、均一な誘電率はまた、基板２０を横切
っての温度の均一性及びスパッタリングの均一性に依存
する。より均一な基板に沿った温度分布を達成するため
に用いることができる構造の説明のためには、例えば、
米国特許出願シリアル番号第 号明細書（１
９９６年４月２５日出願、発明の名称：「減少した接触
面積及び温度フィードバックを有する圧力ゾーンを備え
た基板支持体（Substrate Support with Pressure Zone
s Having Reduced Contact Area and Temperature Feed
back）」、発明者：B. Lue, T.Ishikawa, F.Redeker,
M.WongとS.Li、この出願はアプライドマテリアルズ イ
ンコーポレイテッドに譲渡されている）参照。米国特許
出願シリアル番号第08/389,888号明細書（１９９５年２
月１５日出願、発明の名称：「誘導連結されたプラズマ
リアクターのＲＦ電源の自動周波数チューニング」）及
び米国特許出願シリアル番号第08/507,726号明細書（１
９９５年７月２６日出願、発明の名称：「電子的に可変
の密度プロファイルを有するプラズマ源」）（これらの
出願もまたアプライド マテリアルズ インコーポレイ
テッドに譲渡されている）は、高められたスパッタリン
グ均一性のための構造を教示している。これら３つの出
願全ての開示は、引用することにより本明細書の一部で
ある。
一性と関連して、均一な誘電率はまた、基板２０を横切
っての温度の均一性及びスパッタリングの均一性に依存
する。より均一な基板に沿った温度分布を達成するため
に用いることができる構造の説明のためには、例えば、
米国特許出願シリアル番号第 号明細書（１
９９６年４月２５日出願、発明の名称：「減少した接触
面積及び温度フィードバックを有する圧力ゾーンを備え
た基板支持体（Substrate Support with Pressure Zone
s Having Reduced Contact Area and Temperature Feed
back）」、発明者：B. Lue, T.Ishikawa, F.Redeker,
M.WongとS.Li、この出願はアプライドマテリアルズ イ
ンコーポレイテッドに譲渡されている）参照。米国特許
出願シリアル番号第08/389,888号明細書（１９９５年２
月１５日出願、発明の名称：「誘導連結されたプラズマ
リアクターのＲＦ電源の自動周波数チューニング」）及
び米国特許出願シリアル番号第08/507,726号明細書（１
９９５年７月２６日出願、発明の名称：「電子的に可変
の密度プロファイルを有するプラズマ源」）（これらの
出願もまたアプライド マテリアルズ インコーポレイ
テッドに譲渡されている）は、高められたスパッタリン
グ均一性のための構造を教示している。これら３つの出
願全ての開示は、引用することにより本明細書の一部で
ある。
【００２０】ＳｉＦ4及びシランの全流れを変更するこ
とは、堆積率、従って処理量に影響する。高い処理量
は、高いスパッタリング率及び高いエッチング率を与え
るために、バイアス電力供給源２２からの高いバイアス
電力を要求する。高いバイアス電力、及びそれ故高い処
理量は、エッチング速度が基板の温度によって強く影響
されるので、基板２０を横切る温度均一性が達成された
場合のみ可能である。
とは、堆積率、従って処理量に影響する。高い処理量
は、高いスパッタリング率及び高いエッチング率を与え
るために、バイアス電力供給源２２からの高いバイアス
電力を要求する。高いバイアス電力、及びそれ故高い処
理量は、エッチング速度が基板の温度によって強く影響
されるので、基板２０を横切る温度均一性が達成された
場合のみ可能である。
【００２１】用いられるべきＳｉＦ4、シラン（Ｓｉ
Ｈ4）及び酸素の量の決定は、全く新しい複雑な層を作
り出す。（例えば、ＳｉＨ4及びＳｉＦ4からの）ケイ素
の全流速が一定に保たれると仮定すると、いくつかの基
本的な説明が、これらの種々の成分の使用に関して成さ
れることができると信じられている。もし用いられる酸
素があまりに少ないと、堆積率は劇的に落ち、従って結
果として非常に不十分な処理となる。あまりに少ない酸
素は、フィルムを、フィルム中に取り込まれた過剰な遊
離のフッ素とともにケイ素が多い状態にしうる。もしあ
まりに多くの酸素が用いられると、得られるフィルム
は、よりＵＳＧになりそして誘電率は高くなる。もしあ
まりに多くのＳｉＦ4が用いられると、老化(aging)の問
題が結果として起こる。長時間に渡り、得られたフィル
ムの複合化合物(complex chemistry)中に強く結びつか
ないフッ素が遊離されて装置の劣化を引き起すので、老
化の問題が起こる。シランがあまりに多いと、フィルム
がよりＵＳＧ様に挙動することを引き起こし、従って、
望まないレベルの誘電率を結果する。
Ｈ4）及び酸素の量の決定は、全く新しい複雑な層を作
り出す。（例えば、ＳｉＨ4及びＳｉＦ4からの）ケイ素
の全流速が一定に保たれると仮定すると、いくつかの基
本的な説明が、これらの種々の成分の使用に関して成さ
れることができると信じられている。もし用いられる酸
素があまりに少ないと、堆積率は劇的に落ち、従って結
果として非常に不十分な処理となる。あまりに少ない酸
素は、フィルムを、フィルム中に取り込まれた過剰な遊
離のフッ素とともにケイ素が多い状態にしうる。もしあ
まりに多くの酸素が用いられると、得られるフィルム
は、よりＵＳＧになりそして誘電率は高くなる。もしあ
まりに多くのＳｉＦ4が用いられると、老化(aging)の問
題が結果として起こる。長時間に渡り、得られたフィル
ムの複合化合物(complex chemistry)中に強く結びつか
ないフッ素が遊離されて装置の劣化を引き起すので、老
化の問題が起こる。シランがあまりに多いと、フィルム
がよりＵＳＧ様に挙動することを引き起こし、従って、
望まないレベルの誘電率を結果する。
【００２２】基板表面における酸素、ＳｉＦ4及びシラ
ンの最適量は、化学量論的比率である。しかしながら、
チャンバ２及びその他の堆積チャンバを含む堆積チャン
バ中への化学量論的比率のガスの流れは、化学量論的比
率でない基板表面でのガス比率を結果しうる。基板表面
にて化学量論的比率を達成するために必要な実際の堆積
チャンバ中へ流れ込むガス比率は、特定のチャンバの構
造に少なくとも部分的に従って、化学量論的比率から変
更される。チャンバをより効率よくすればするほど、ガ
スの無駄が少なくなり、従ってガス流速は用いられ得る
化学量論的量に近くなる。
ンの最適量は、化学量論的比率である。しかしながら、
チャンバ２及びその他の堆積チャンバを含む堆積チャン
バ中への化学量論的比率のガスの流れは、化学量論的比
率でない基板表面でのガス比率を結果しうる。基板表面
にて化学量論的比率を達成するために必要な実際の堆積
チャンバ中へ流れ込むガス比率は、特定のチャンバの構
造に少なくとも部分的に従って、化学量論的比率から変
更される。チャンバをより効率よくすればするほど、ガ
スの無駄が少なくなり、従ってガス流速は用いられ得る
化学量論的量に近くなる。
【００２３】３．５未満、好ましくは３．４未満、さら
に好ましくは３．３未満の所望の誘電率を達成するため
の特定のチャンバでのＳｉＦ4、シラン及び酸素の適当
な相対的な流速を決定するために、３つの要素の比を、
基板２０上に複数の誘電性膜を形成するための所望の方
法において変化させることができ、次いで、各誘電性膜
の種々の位置にて誘電率が測定されうる。しかしなが
ら、相対的な量には限界がある。ＳｉＦ4及びシランが
あまりに多い又はあまりに少ないことからくる問題を減
少する又は排除するためには、ＳｉＦ4の百分率は全ケ
イ素−供給ガスの約４０％〜６０％であるべきである。
酸素は、全ケイ素−供給ガスの約６０％〜１００％であ
るべきである。
に好ましくは３．３未満の所望の誘電率を達成するため
の特定のチャンバでのＳｉＦ4、シラン及び酸素の適当
な相対的な流速を決定するために、３つの要素の比を、
基板２０上に複数の誘電性膜を形成するための所望の方
法において変化させることができ、次いで、各誘電性膜
の種々の位置にて誘電率が測定されうる。しかしなが
ら、相対的な量には限界がある。ＳｉＦ4及びシランが
あまりに多い又はあまりに少ないことからくる問題を減
少する又は排除するためには、ＳｉＦ4の百分率は全ケ
イ素−供給ガスの約４０％〜６０％であるべきである。
酸素は、全ケイ素−供給ガスの約６０％〜１００％であ
るべきである。
【００２４】図４は、シラン対酸素に対するＳｉＦ4の
比を変化させた一連のテストの結果を示している。全反
応性ガス流速、すなわち、ＳｉＦ4とシランを組み合わ
せる（これは、一定量のケイ素を結果する）ための流速
を選択し、その全流速を、ＳｉＦ4とシランの種々の割
合を達成するためにＳｉＦ4及びシラン間で分配し、次
いで、それらの割合を用い、酸素流速を変化させること
により、酸素流速に対する誘電率の図４に示されている
グラフが得られた。このタイプのグラフは、非常に有用
なデータを提供する。
比を変化させた一連のテストの結果を示している。全反
応性ガス流速、すなわち、ＳｉＦ4とシランを組み合わ
せる（これは、一定量のケイ素を結果する）ための流速
を選択し、その全流速を、ＳｉＦ4とシランの種々の割
合を達成するためにＳｉＦ4及びシラン間で分配し、次
いで、それらの割合を用い、酸素流速を変化させること
により、酸素流速に対する誘電率の図４に示されている
グラフが得られた。このタイプのグラフは、非常に有用
なデータを提供する。
【００２５】シラン、３６．４ｓｃｃｍ（ｃｍ3／分）
に対してＳｉＦ4、４４ｓｃｃｍから得られるプロット
Ａは、約６２ｓｃｃｍの酸素流速における３．４から約
１１０ｓｃｃｍの酸素流速における約３．８まで変化す
る誘電率を結果する。シランに対するＳｉＦ4のこの比
においてどこで最少の誘電率となるかは、このグラフか
らは明らかでない。しかしながら、受け入れられない低
い酸素流速にて誘電率が最少となるであろうことは明ら
かである。ＳｉＦ4対シランのｓｃｃｍ流速比が３６対
４４．４であるプロットＢは、６０ｓｃｃｍの酸素流速
にて、最も低い誘電率：約３．２を示している。プロッ
トＣ及びＤは、それぞれ、約３．５及び３．６の最小の
誘電率を有する。このグラフより明らかなように、Ｓｉ
Ｆ4対シランのこれらの特定の比にとっては、プロット
Ｂの比が、許容できるレベルの酸素流速において最も低
い誘電率を提供する。プロットＡ及びプロットＢを再検
討すると、これら２つのプロットのために用いた割合の
間でのＳｉＦ4対シランの割合は、プロットＢのための
割合を用いて達成可能な誘電率より低い誘電率を与えう
る。
に対してＳｉＦ4、４４ｓｃｃｍから得られるプロット
Ａは、約６２ｓｃｃｍの酸素流速における３．４から約
１１０ｓｃｃｍの酸素流速における約３．８まで変化す
る誘電率を結果する。シランに対するＳｉＦ4のこの比
においてどこで最少の誘電率となるかは、このグラフか
らは明らかでない。しかしながら、受け入れられない低
い酸素流速にて誘電率が最少となるであろうことは明ら
かである。ＳｉＦ4対シランのｓｃｃｍ流速比が３６対
４４．４であるプロットＢは、６０ｓｃｃｍの酸素流速
にて、最も低い誘電率：約３．２を示している。プロッ
トＣ及びＤは、それぞれ、約３．５及び３．６の最小の
誘電率を有する。このグラフより明らかなように、Ｓｉ
Ｆ4対シランのこれらの特定の比にとっては、プロット
Ｂの比が、許容できるレベルの酸素流速において最も低
い誘電率を提供する。プロットＡ及びプロットＢを再検
討すると、これら２つのプロットのために用いた割合の
間でのＳｉＦ4対シランの割合は、プロットＢのための
割合を用いて達成可能な誘電率より低い誘電率を与えう
る。
【００２６】従って、本発明は、減少された誘電率を達
成するために、ＳｉＦ4（又は他のフッ素供給ガス）及
びシランの化合物を用いて、低誘電率を持った膜をどの
ように達成するかを決定する有用かつ効率的な方法を提
供する。各々のテストのために一つの全反応性ガス流速
を選択した上記の方法が、現時点では好ましい一方、誘
電率に関する情報を整然と集めるための他の方法もまた
遂行されうる。例えば、全体のパラメーター内において
変化させるために、３つの全てを可変とすることも望ま
れうる。
成するために、ＳｉＦ4（又は他のフッ素供給ガス）及
びシランの化合物を用いて、低誘電率を持った膜をどの
ように達成するかを決定する有用かつ効率的な方法を提
供する。各々のテストのために一つの全反応性ガス流速
を選択した上記の方法が、現時点では好ましい一方、誘
電率に関する情報を整然と集めるための他の方法もまた
遂行されうる。例えば、全体のパラメーター内において
変化させるために、３つの全てを可変とすることも望ま
れうる。
【００２７】実施においては、低誘電率を有する膜は、
典型的には、種々のテスト結果をプロットする上記で議
論した方法を用いて、ＳｉＦ4、シラン及び酸素の適当
な流速をまず決定することにより、基板２０上に堆積さ
れうる。いったん特定のチャンバのための望ましい速度
が決定されれば、シランは第二のガス供給源３５ａから
チャンバ１８内に導入され、シランとＳｉＦ4の混合物
は第三のガス供給源５８からチャンバ１８内に導入さ
れ、酸素は酸素供給源７１からチャンバ内に導入され、
そして酸素とＳｉＦ4の混合物は第一のガス供給源３５
からチャンバ１８内に導入される。アルゴンもまた第一
及び第三の供給源３５、３８から導入される。堆積均一
性の達成はまた、基板２０の温度がその表面上にて均一
に制御される手段を採用することにより、そして、均一
なスパッタリングの達成を助けるために可変周波数源Ｒ
Ｆ発生器１０，１１を用いることにより、補助される。
典型的には、種々のテスト結果をプロットする上記で議
論した方法を用いて、ＳｉＦ4、シラン及び酸素の適当
な流速をまず決定することにより、基板２０上に堆積さ
れうる。いったん特定のチャンバのための望ましい速度
が決定されれば、シランは第二のガス供給源３５ａから
チャンバ１８内に導入され、シランとＳｉＦ4の混合物
は第三のガス供給源５８からチャンバ１８内に導入さ
れ、酸素は酸素供給源７１からチャンバ内に導入され、
そして酸素とＳｉＦ4の混合物は第一のガス供給源３５
からチャンバ１８内に導入される。アルゴンもまた第一
及び第三の供給源３５、３８から導入される。堆積均一
性の達成はまた、基板２０の温度がその表面上にて均一
に制御される手段を採用することにより、そして、均一
なスパッタリングの達成を助けるために可変周波数源Ｒ
Ｆ発生器１０，１１を用いることにより、補助される。
【００２８】上記の実施態様は、８インチ（２０ｃｍ）
の直径の基板２０のために設計された。より大きな直径
の基板、例えば１２インチ（３０ｃｍ）の直径の基板
は、ノズル組立品５６’によって図５中に示されている
複数の中心ノズル５６ａの使用を要求してもよい。この
ような実施態様においては、堆積厚の変化のプロット
は、おそらく（図３に示されるような）３つの出っ張り
部、４つの出っ張り部または５つの出っ張り形状を有す
るであろう。堆積厚プロットの特定の形状は、中心ノズ
ル５６Ａ及びオリフィス６４のタイプ、数、向き及びそ
れらの間隔によって影響されうる。
の直径の基板２０のために設計された。より大きな直径
の基板、例えば１２インチ（３０ｃｍ）の直径の基板
は、ノズル組立品５６’によって図５中に示されている
複数の中心ノズル５６ａの使用を要求してもよい。この
ような実施態様においては、堆積厚の変化のプロット
は、おそらく（図３に示されるような）３つの出っ張り
部、４つの出っ張り部または５つの出っ張り形状を有す
るであろう。堆積厚プロットの特定の形状は、中心ノズ
ル５６Ａ及びオリフィス６４のタイプ、数、向き及びそ
れらの間隔によって影響されうる。
【００２９】オリフィス７６に加えて、酸素もまた、図
６に示されるような複数の下側に向いてかつ外側に向い
て伸びている経路８０を通じてチャンバ１８内に送られ
得る。各経路８０は、酸素がチャンバ１８内へと入り込
むオリフィス８２を有している。所望により、他のガ
ス、例えばアルゴンが、オリフィス６４を通るシラン又
は環状のオリフィス７６又はオリフィス８２を通る酸素
の一方又は両方と混合されうる。
６に示されるような複数の下側に向いてかつ外側に向い
て伸びている経路８０を通じてチャンバ１８内に送られ
得る。各経路８０は、酸素がチャンバ１８内へと入り込
むオリフィス８２を有している。所望により、他のガ
ス、例えばアルゴンが、オリフィス６４を通るシラン又
は環状のオリフィス７６又はオリフィス８２を通る酸素
の一方又は両方と混合されうる。
【００３０】特許請求の範囲の請求項に記載の発明の主
題から離れることなく、改良又は変更を本明細書中に開
示した実施態様に加えることが可能である。例えば、中
心ノズル５６は、複数の吹き出し口を有するシャワーヘ
ッドタイプのガス分配器又はガス吹き出し口の環状のア
レイによって置換可能である。同様に、ノズル３４、３
４ａ又は５６ａは、例えば、そこを通ってプロセスガス
がチャンバ１８内に出されるところのガス吹き出し口又
はオリフィスを有する環状又は環状様の構造によって置
換されうる。ノズル３４と３４ａは別々のノズルである
ことが好ましいが、ノズル３４の単一のセットが、酸素
以外のシラン及びＳｉＦ4を供給するために用いられ得
る。酸素供給源７１及び第三のガス供給源５８は、供給
源７１がノズル５６に連結されそして供給源５８が経路
７０に連結されるように切り換えられてもよい。
題から離れることなく、改良又は変更を本明細書中に開
示した実施態様に加えることが可能である。例えば、中
心ノズル５６は、複数の吹き出し口を有するシャワーヘ
ッドタイプのガス分配器又はガス吹き出し口の環状のア
レイによって置換可能である。同様に、ノズル３４、３
４ａ又は５６ａは、例えば、そこを通ってプロセスガス
がチャンバ１８内に出されるところのガス吹き出し口又
はオリフィスを有する環状又は環状様の構造によって置
換されうる。ノズル３４と３４ａは別々のノズルである
ことが好ましいが、ノズル３４の単一のセットが、酸素
以外のシラン及びＳｉＦ4を供給するために用いられ得
る。酸素供給源７１及び第三のガス供給源５８は、供給
源７１がノズル５６に連結されそして供給源５８が経路
７０に連結されるように切り換えられてもよい。
【図１】図１は、本発明の一つの実施態様に従って作ら
れた堆積チャンバを示した概略断面図である。
れた堆積チャンバを示した概略断面図である。
【図２】図２は、従来の、特徴的なＭ−形状の、堆積厚
変化プロットを誇張して示した図である。
変化プロットを誇張して示した図である。
【図３】図３は、図１の装置を用いての、図２の堆積厚
変化プロットの改善を示した図である。
変化プロットの改善を示した図である。
【図４】図４は、ＳｉＦ4対シランの種々の流速比にお
ける、誘電率対酸素流速のグラフである。
ける、誘電率対酸素流速のグラフである。
【図５】図５は、３つのオリフィスを有する図１の中心
ノズルの代わりの実施態様を簡略化して示した図であ
る。
ノズルの代わりの実施態様を簡略化して示した図であ
る。
【図６】図６は、追加の酸素経路を示した中心ノズル部
分の図である。
分の図である。
フロントページの続き (72)発明者 ワン ヤシン アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サン ノゼ， バーク レーン 7221， ナンバー４ (72)発明者 レデカー フレッド シー. アメリカ合衆国， カリフォルニア州， フリーモント， スー ドライヴ 1801 (72)発明者 石川 哲也 アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サンタ クララ， ブラッサム ドライヴ 873 (72)発明者 コリンズ アラン ダブリュー. アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サン フランシスコ， ヴァーモント ス トリート 735
Claims (42)
- 【請求項１】 チャンバを規定するハウジング、 該チャンバ内に基板支持体表面を有する基板支持体、 該基板支持体表面の周りに、チャンバ内への第一の吹き
出し開口部を有する第一のガス分配器、 上記基板支持体表面から離れておりかつ該支持体表面の
中央領域の上に一般に配置される第二の吹き出し口を有
する第二のガス分配器、及び上記基板支持体表面の上の
一般に中央部の位置に、上記減圧チャンバ内への第三の
吹き出し開口部を有する酸素供給ガス分配器、を含む堆
積チャンバ組立体。 - 【請求項２】 請求項１に記載のチャンバであって、上
記ハウジングが、そこを通っている進入路開口部を規定
している頂部を含み、 上記の酸素供給及び第二のガス分配器の選ばれた一つ
が、上記進入路開口部の上に配置され上記頂部に据え付
けられた本体を含み、 上記の選ばれた第二のガス分配器が、上記の進入路開口
部を通過しかつ上記の第二の吹き出し口にて上記の減圧
チャンバ内で終わっている延長部を含み、 上記本体及び上記頂部の間にしっかりとつながれた流体
シールが上記進入路開口部の境界を定め、 酸素供給経路に沿ったガスの通過が上記チャンバ内から
のガスが該流体シールへ接触するのを防止するのを補助
するように、酸素供給経路が該流体シールによって一部
分が規定されかつ上記の他のガス分配器の吹き出し口に
流体的に連結されている、チャンバ。 - 【請求項３】 上記の他のガス分配器が酸素供給ガス分
配器である請求項２に記載のチャンバ。 - 【請求項４】 上記ハウジングが、上記の頂部を含む誘
電性囲壁部を含んでいる請求項２に記載のチャンバ。 - 【請求項５】 上記経路が、上記進入路開口部を通る上
記延長経路を取り囲む経路の部分を含む請求項２に記載
のチャンバ。 - 【請求項６】 上記経路が、上記延長部と離れて配置さ
れ、そして他のガス分配器の吹き出し口の追加の吹き出
し口を定めている複数の外側かつ下方に向いて延びてい
る経路部分を含んでいる請求項２に記載のチャンバ。 - 【請求項７】 酸素供給ガス分配器が複数の該第三の吹
き出し口を含む請求項１に記載のチャンバ。 - 【請求項８】 ハウジングに据え付けられかつ無線周波
数発生器と連結された誘導性コイルをさらに含む請求項
１に記載のチャンバ。 - 【請求項９】 第一のガス分配器が、基板支持体表面の
中心付近に等間隔を空けて配置された複数のノズルを含
んでいる請求項１に記載のチャンバ。 - 【請求項１０】 上記第一のガス分配器が、ノズルの第
一のセット及び第二のセットを含む請求項１に記載のチ
ャンバ、ここで、ノズルの第一のセットは、ノズルの第
二のセットから流体的に隔離されている。 - 【請求項１１】 上記第二のガス分配器がノズルを含
み、かつ第二の吹き出し口が単一のオリフィスを含む請
求項１に記載のチャンバ。 - 【請求項１２】 上記第二のガス分配器が複数のノズル
を含み、かつ上記第二の吹き出し口が複数のオリフィス
を含む請求項１に記載のチャンバ。 - 【請求項１３】 基板支持体を収容する減圧チャンバ、
及び該基板支持体の周りに配置された第一のプロセスガ
ス吹き出し口を備えたプロセスガス分配器を含むタイプ
の改善された堆積チャンバであって、該改善が、 上記基板支持体から離れてかつ一般にその中心の上に配
置された第二のプロセスガス吹き出し口を有する第二の
プロセスガス分配器、及び上記基板支持体から離れてか
つ一般にその中心の上に配置された第三の吹き出し口を
有する酸素供給ガス分配器、を含む堆積チャンバ。 - 【請求項１４】 上記第二のプロセスガス吹き出し口が
ノズルによって規定され、かつ上記第三の吹き出し口が
該ノズルの境界を定めている請求項１３に記載の改善さ
れた堆積チャンバ。 - 【請求項１５】 堆積チャンバ内で基板上に膜を堆積さ
せる方法であって、該方法が、 チャンバ内の基板を取り囲む複数の位置にてチャンバ内
へ第一のプロセスガスを注入する工程、 上記基板から離れておりかつ上記基板の中心の上に一般
的に位置する第一の領域にてチャンバ内へ第二のプロセ
スガスを注入する工程、 上記基板から離れておりかつ上記基板の中心の上に一般
的に位置する第二の領域にてチャンバ内へ酸素供給ガス
を注入する工程、を含む堆積方法。 - 【請求項１６】 上記酸素供給ガス注入工程が、上記酸
素供給ガスと上記第二のプロセスガスがそれらが上記チ
ャンバ内に入るまで混らないような方法にて行われる請
求項１５に記載の方法。 - 【請求項１７】 上記第二のプロセスガス及び酸素供給
ガス注入工程が、一般的に隣接する上記第一及び第二の
領域を用いて成し遂げられる請求項１５に記載の方法。 - 【請求項１８】 上記酸素供給ガス、及び上記第一の及
び第二のプロセスガスが、選択された比にて注入される
請求項１５に記載の方法。 - 【請求項１９】 上記の３つの注入工程が同時に行われ
る請求項１５に記載の方法。 - 【請求項２０】 上記の第一のプロセスガス注入工程
が、少なくとも酸素供給ガス及びフッ素供給ガスを用い
て行われる請求項１５に記載の方法。 - 【請求項２１】 上記第一のプロセスガス注入工程が、
酸素供給ガス及びフッ素供給ガスとして、酸素及び四フ
ッ化ケイ素を用いて行われる請求項２０に記載の方法。 - 【請求項２２】 上記第一のプロセスガス注入工程が、
上記酸素供給ガスとは別個に少なくともシランを注入す
ることにより行われる請求項２０に記載の方法。 - 【請求項２３】 上記第二のプロセスガス注入工程が、
少なくともシランを用いて行われる請求項１５に記載の
方法。 - 【請求項２４】 上記第二のプロセスガス注入工程が、
少なくともシラン及び四フッ化ケイ素を用いて行われる
請求項１５に記載の方法。 - 【請求項２５】 第一供給ガス、第二供給ガス及び酸素
供給ガスの流速について、選ばれたガス流速比を選択す
る工程をさらに含む請求項１５に記載の方法。 - 【請求項２６】 上記比の選択工程が、約３．４未満の
誘電率をもった膜を達成するために行われる請求項２５
に記載の方法。 - 【請求項２７】 注入工程が、少なくともケイ素含有ガ
ス、たとえば四フッ化ケイ素を注入し、そして比の選択
工程が、全ケイ素供給ガス流速の約４０％〜６０％の四
フッ化ケイ素ガス流速、及び全ケイ素供給ガス流速の約
６０％〜１００％の酸素供給ガス流速を選択することに
より行われる請求項２５に記載の方法。 - 【請求項２８】 上記比の選択工程が、約３．３未満の
誘電率を有する膜を達成するために行われる請求項２５
に記載の方法。 - 【請求項２９】 上記比の選択工程が、四フッ化ケイ素
とシランの流速をそれぞれ約３６と４４ｓｃｃｍに、及
び全酸素流速を８０ｓｃｃｍ未満に選択することにより
行われる請求項２８に記載の方法。 - 【請求項３０】 第一及び第二のプロセスガス注入工程
が、少なくともフッ素供給ガス及びシランを用いて行わ
れる請求項２５に記載の方法。 - 【請求項３１】 上記比の選択工程が、フッ素供給ガス
及び酸素供給ガスとして、四フッ化ケイ素及び酸素を用
いて行われる請求項３０に記載の方法。 - 【請求項３２】 ３．５未満の誘電率を有する膜を達成
するために、シラン及び酸素供給ガスの比を選択する工
程をさらに含む請求項３０に記載の方法。 - 【請求項３３】 所望の誘電率を得るために、酸素供給
ガス、シラン及びフッ素供給ガスの流速のセットの内の
所望の一つを選択するために、上記比の選択工程が、 全ガス流速を選択する工程、 該全ガス流速を、酸素供給ガス、シラン及びフッ素供給
ガスのそれぞれの流速のセットに分ける工程、 上記セットの流速を用いて基板上に膜を堆積する工程、 上記膜の誘電率を測定しかつ記録する工程、及び上記分
ける工程、堆積する工程及び測定しかつ記録する工程を
繰り返して各フィルムの誘電率を得る工程、により行わ
れる請求項３２に記載の方法。 - 【請求項３４】 上記比の選択工程が、 全反応性ガス流速を選択する工程、 該全反応性ガス流速を、シラン及びフッ素供給ガスの流
速のセットに分ける工程、 酸素供給ガス流速を選択する工程、 上記の酸素供給ガス流速及び上記セットの流速を用いて
基板上に膜を堆積する工程、 上記膜の誘電率を測定しかつ記録する工程、 シラン及びフッ素供給ガス流速の同じセットを用いた以
外は種々の酸素供給ガス流速を用いて堆積された上記フ
ィルムの誘電率のセットを得るために、複数回、上記選
択する工程、堆積する工程及び測定しかつ記録する工程
を繰り返す工程、 複数回、上記分ける工程、選択する工程、堆積する工
程、測定しかつ記録する工程及び繰り返す工程を繰り返
す工程、及び記録された誘電率に従って、酸素供給、シ
ラン及びフッ素供給ガスの流速の所望の群を選択する工
程、により行われる請求項３２に記載の方法。 - 【請求項３５】 上記の所望の流速のセットが、シラン
とフッ素供給ガスの流速の同じセットについて上記誘電
率を最少にすることに基づいて選択される請求項３４に
記載の方法。 - 【請求項３６】 測定しかつ記録する工程が、シラン及
びフッ素供給ガス流速の各セットについて、酸素供給ガ
ス流速に対して誘電率をプロットしてグラフを作成する
工程を含む請求項３４に記載の方法。 - 【請求項３７】 流速の所望のセットが、上記グラフの
最少の誘電率に基づいて選択される請求項３６に記載の
方法。 - 【請求項３８】 第一及び第二のプロセスガス注入工程
が、異なった組成を有するガスを用いて行われる請求項
１５に記載の方法。 - 【請求項３９】 選ばれた一つの第二のプロセス及び酸
素供給ガスの注入工程が、ノズルを通して行われ、そし
て該第二のプロセス及び酸素供給ガス注入以外の工程
が、上記ノズルの境界を一般に定めている環状のオリフ
ィスを通じて少なくとも部分的になされている請求項１
５に記載の方法。 - 【請求項４０】 上記第二のプロセスガス注入工程が、
少なくとも一つのオリフィス有するノズルを通じて行わ
れる請求項１５に記載の方法。 - 【請求項４１】 上記酸素供給ガス注入工程が、上記ノ
ズルの境界を一般に定める環状のオリフィスを通じて少
なくとも部分的に行われる請求項４０に記載の方法。 - 【請求項４２】 上記第二のプロセスガスの注入工程
が、複数のオリフィスを通じて行われる請求項１５に記
載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US64761996A | 1996-05-13 | 1996-05-13 | |
| US08/647619 | 1996-05-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1064892A true JPH1064892A (ja) | 1998-03-06 |
| JP4087923B2 JP4087923B2 (ja) | 2008-05-21 |
Family
ID=24597681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15277197A Expired - Fee Related JP4087923B2 (ja) | 1996-05-13 | 1997-05-07 | 堆積チャンバ及び低誘電性膜のための方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0807694B1 (ja) |
| JP (1) | JP4087923B2 (ja) |
| KR (1) | KR100297420B1 (ja) |
| AT (1) | ATE229576T1 (ja) |
| DE (1) | DE69717711T2 (ja) |
| TW (1) | TW343356B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003517198A (ja) * | 1999-12-14 | 2003-05-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 断熱且つプラズマ加熱される小型ガス分配プレートアレイを備えたプラズマリアクター用冷却天井 |
| JP2015181152A (ja) * | 2014-02-27 | 2015-10-15 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | ウエハ均一性を改善するための装置および方法 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6070551A (en) * | 1996-05-13 | 2000-06-06 | Applied Materials, Inc. | Deposition chamber and method for depositing low dielectric constant films |
| TW416100B (en) * | 1997-07-02 | 2000-12-21 | Applied Materials Inc | Control of oxygen to silane ratio in a seasoning process to improve particle performance in an HDP-CVD system |
| US6486081B1 (en) * | 1998-11-13 | 2002-11-26 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution system for a CVD processing chamber |
| KR100406173B1 (ko) * | 2000-06-13 | 2003-11-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 촉매 분사 수단을 구비한 히터 블록 |
| CN101351076B (zh) * | 2008-09-16 | 2011-08-17 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 等离子体处理设备 |
| US9512520B2 (en) * | 2011-04-25 | 2016-12-06 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate processing system |
| US9499905B2 (en) * | 2011-07-22 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for the deposition of materials on a substrate |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02126632A (ja) * | 1988-11-05 | 1990-05-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 化合物半導体結晶層の気相成長方法及びそれに用いる反応管 |
| JPH07111248A (ja) * | 1993-08-16 | 1995-04-25 | Canon Sales Co Inc | 成膜装置 |
| JPH07161642A (ja) * | 1993-12-03 | 1995-06-23 | Kobe Steel Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPH07254592A (ja) * | 1994-03-16 | 1995-10-03 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0817748A (ja) * | 1994-06-27 | 1996-01-19 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54111771A (en) * | 1978-02-22 | 1979-09-01 | Toshiba Corp | Gas phase reaction unit of semiconductor substrate |
| JPH0521393A (ja) * | 1991-07-11 | 1993-01-29 | Sony Corp | プラズマ処理装置 |
| KR0131439B1 (ko) * | 1992-11-24 | 1998-04-14 | 나카무라 타메아키 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
| JPH0729827A (ja) * | 1993-07-13 | 1995-01-31 | Kawasaki Steel Corp | 半導体基板の製造方法および装置 |
-
1997
- 1997-05-02 TW TW086105863A patent/TW343356B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-05-07 JP JP15277197A patent/JP4087923B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-05-13 AT AT97107815T patent/ATE229576T1/de not_active IP Right Cessation
- 1997-05-13 KR KR1019970018373A patent/KR100297420B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-05-13 DE DE69717711T patent/DE69717711T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-05-13 EP EP97107815A patent/EP0807694B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02126632A (ja) * | 1988-11-05 | 1990-05-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 化合物半導体結晶層の気相成長方法及びそれに用いる反応管 |
| JPH07111248A (ja) * | 1993-08-16 | 1995-04-25 | Canon Sales Co Inc | 成膜装置 |
| JPH07161642A (ja) * | 1993-12-03 | 1995-06-23 | Kobe Steel Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPH07254592A (ja) * | 1994-03-16 | 1995-10-03 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0817748A (ja) * | 1994-06-27 | 1996-01-19 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003517198A (ja) * | 1999-12-14 | 2003-05-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 断熱且つプラズマ加熱される小型ガス分配プレートアレイを備えたプラズマリアクター用冷却天井 |
| JP2015181152A (ja) * | 2014-02-27 | 2015-10-15 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | ウエハ均一性を改善するための装置および方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0807694B1 (en) | 2002-12-11 |
| TW343356B (en) | 1998-10-21 |
| JP4087923B2 (ja) | 2008-05-21 |
| EP0807694A1 (en) | 1997-11-19 |
| ATE229576T1 (de) | 2002-12-15 |
| DE69717711T2 (de) | 2003-09-18 |
| KR970077163A (ko) | 1997-12-12 |
| DE69717711D1 (de) | 2003-01-23 |
| KR100297420B1 (ko) | 2001-10-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6070551A (en) | Deposition chamber and method for depositing low dielectric constant films | |
| US7132134B2 (en) | Staggered in-situ deposition and etching of a dielectric layer for HDP CVD | |
| JP4881873B2 (ja) | 改良された過渡的気相堆積のためのガス分配システム | |
| US6596653B2 (en) | Hydrogen assisted undoped silicon oxide deposition process for HDP-CVD | |
| CN103430289B (zh) | 用于蚀刻sin膜的方法 | |
| US5366557A (en) | Method and apparatus for forming integrated circuit layers | |
| US7294588B2 (en) | In-situ-etch-assisted HDP deposition | |
| US6383954B1 (en) | Process gas distribution for forming stable fluorine-doped silicate glass and other films | |
| US20090042407A1 (en) | Dual Top Gas Feed Through Distributor for High Density Plasma Chamber | |
| US20080121178A1 (en) | Dual top gas feed through distributor for high density plasma chamber | |
| KR20020063140A (ko) | 플라즈마 공정용 플라즈마 전하의 손상을 감소시키는 방법 | |
| JP2008524852A (ja) | 高密度プラズマ適用のための高真空中での自己冷却ガス分配装置 | |
| US5451435A (en) | Method for forming dielectric | |
| JPH1064892A (ja) | 堆積チャンバ及び低誘電性膜のための方法 | |
| EP0462730A1 (en) | Method and apparatus for forming planar integrated circuit layers | |
| KR101171127B1 (ko) | 반도체 처리에서의 미세오염물을 감소시키는 방법 | |
| KR20010098585A (ko) | 구리 다마신 집적회로를 위한 고밀도플라즈마-플루오르화규산염 유리 공정 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040507 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061226 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070109 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20070409 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20070412 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20070509 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20070514 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070611 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070703 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20071003 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20071009 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20071105 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20071108 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20071203 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20071206 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080104 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20080104 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080129 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080222 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110228 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110228 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120229 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120229 Year of fee payment: 4 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |