JPH1064876A - 半導体装置の製造装置並びにエッチング方法及びエッチング装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置並びにエッチング方法及びエッチング装置Info
- Publication number
- JPH1064876A JPH1064876A JP24135296A JP24135296A JPH1064876A JP H1064876 A JPH1064876 A JP H1064876A JP 24135296 A JP24135296 A JP 24135296A JP 24135296 A JP24135296 A JP 24135296A JP H1064876 A JPH1064876 A JP H1064876A
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- Japan
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- substrate
- container
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エッチング液中での均一なエッチングが可能
なエッチング方法と装置を提供する。 【解決手段】 薬液５０中で、基板１０を基板１０が収
納されている容器２０ごと１８０度回転させ得る回転機
構９０，１００を有する。基板収納容器２０の重心位置
の近傍で、重心位置と異なる位置を中心に収納容器２０
が自重で１８０度回転し、停止する。基板１０をエッチ
ング液５０中に浸漬した後、エッチング液５０中におい
て、基板１０を１８０度回転させ、一定時間経過後、基
板１０をエッチング液５０中に挿入を開始した側から引
き上げる。基板１０の各部位の浸漬時間が同じとなり、
基板１０内でのエッチング量のばらつきが押さえられ、
エッチングの均一性を向上する。
なエッチング方法と装置を提供する。 【解決手段】 薬液５０中で、基板１０を基板１０が収
納されている容器２０ごと１８０度回転させ得る回転機
構９０，１００を有する。基板収納容器２０の重心位置
の近傍で、重心位置と異なる位置を中心に収納容器２０
が自重で１８０度回転し、停止する。基板１０をエッチ
ング液５０中に浸漬した後、エッチング液５０中におい
て、基板１０を１８０度回転させ、一定時間経過後、基
板１０をエッチング液５０中に挿入を開始した側から引
き上げる。基板１０の各部位の浸漬時間が同じとなり、
基板１０内でのエッチング量のばらつきが押さえられ、
エッチングの均一性を向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
過程でのエッチング工程に係わり、基板（半導体ウエ
ハ）上の被エッチング膜を液中で均一にエッチングする
エッチング方法及びエッチング装置に関する。
過程でのエッチング工程に係わり、基板（半導体ウエ
ハ）上の被エッチング膜を液中で均一にエッチングする
エッチング方法及びエッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造過程でのエッチング工
程において、一般的に用いられるエッチング装置の概略
構成を図２に示す。図２は、基板１０を収納した把手３
０付き収納容器２０とエッチング液５０が入ったエッチ
ング液層４０とで構成された従来のエッチング装置の概
略斜視図である。
程において、一般的に用いられるエッチング装置の概略
構成を図２に示す。図２は、基板１０を収納した把手３
０付き収納容器２０とエッチング液５０が入ったエッチ
ング液層４０とで構成された従来のエッチング装置の概
略斜視図である。
【０００３】このエッチング装置によれば一般に、基板
１０をテフロン等の材料で形成された把手３０付き収納
容器２０に納める。把手３０を操作することで、エッチ
ング液層４０内のバッファードフッ酸等のエッチング液
５０に、収納容器２０を垂直に挿入する。ある一定の時
間が経過した後、垂直に引き上げ、これによりエッチン
グが行われる。
１０をテフロン等の材料で形成された把手３０付き収納
容器２０に納める。把手３０を操作することで、エッチ
ング液層４０内のバッファードフッ酸等のエッチング液
５０に、収納容器２０を垂直に挿入する。ある一定の時
間が経過した後、垂直に引き上げ、これによりエッチン
グが行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来の浸漬方法
によるエッチング装置では、基板１０のエッチング時間
が基板１０の場所によって異なり、先に浸漬される基板
１０の部位が、これに続く部位よりもエッチング時間が
長くなる。即ち、図２に示す基板１０の下部は、エッチ
ング液に浸漬される時間が、上部に比較して長くなる。
によるエッチング装置では、基板１０のエッチング時間
が基板１０の場所によって異なり、先に浸漬される基板
１０の部位が、これに続く部位よりもエッチング時間が
長くなる。即ち、図２に示す基板１０の下部は、エッチ
ング液に浸漬される時間が、上部に比較して長くなる。
【０００５】基板１０上の酸化膜等の被エッチング膜が
エッチングされる量は、エッチング液に浸漬される時間
に比例するため、基板１０の上部と下部でエッチングさ
れる量に差異が生じ、均一なエッチングがされ難いとい
う問題があった。また、半導体装置の製造過程でのエッ
チング工程において、次の工程の処理を円滑にし、製品
の品質向上を図るために基板上の被エッチング膜を均一
にエッチングするためのエッチング装置が必要となる。
エッチングされる量は、エッチング液に浸漬される時間
に比例するため、基板１０の上部と下部でエッチングさ
れる量に差異が生じ、均一なエッチングがされ難いとい
う問題があった。また、半導体装置の製造過程でのエッ
チング工程において、次の工程の処理を円滑にし、製品
の品質向上を図るために基板上の被エッチング膜を均一
にエッチングするためのエッチング装置が必要となる。
【０００６】本発明は、これらの問題を解決するために
なされたものであり、即ちエッチング液中での均一なエ
ッチングが可能なエッチング方法と装置を提供すること
を目的とする。
なされたものであり、即ちエッチング液中での均一なエ
ッチングが可能なエッチング方法と装置を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、基板をエッチング液中に浸漬した後、エッ
チング液中において、基板を１８０度回転させ、一定時
間経過後、基板をエッチング液中に挿入を開始した側か
ら引き上げるというものである。
するために、基板をエッチング液中に浸漬した後、エッ
チング液中において、基板を１８０度回転させ、一定時
間経過後、基板をエッチング液中に挿入を開始した側か
ら引き上げるというものである。
【０００８】
【作用】従来技術では前述のように、基板浸漬時間に基
板の異なる部位で違いがあるため、均一なエッチングが
困難であった。本発明によれば、基板の各部位の浸漬時
間が同じとなり、基板内でのエッチング量のばらつきが
押さえられ、エッチングの均一性を向上することができ
る。
板の異なる部位で違いがあるため、均一なエッチングが
困難であった。本発明によれば、基板の各部位の浸漬時
間が同じとなり、基板内でのエッチング量のばらつきが
押さえられ、エッチングの均一性を向上することができ
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下に図面を参照しながら、本発
明の実施の形態を説明する。図１は、本発明の一実施形
態に係わる半導体基板上に形成された酸化膜等の被エッ
チング膜を液中で均一にエッチングする装置の概略斜視
図を示す。このエッチング装置はエッチング液５０中
で、半導体基板１０を該基板１０が収納されている収納
容器２０ごと１８０度回転させ得る回転機構を有してい
る。
明の実施の形態を説明する。図１は、本発明の一実施形
態に係わる半導体基板上に形成された酸化膜等の被エッ
チング膜を液中で均一にエッチングする装置の概略斜視
図を示す。このエッチング装置はエッチング液５０中
で、半導体基板１０を該基板１０が収納されている収納
容器２０ごと１８０度回転させ得る回転機構を有してい
る。
【００１０】上記装置の構成は、基板１０を収納する収
納容器２０とエッチング液５０が入ったエッチング液槽
４０から成り、収納容器２０にはこれに被せる蓋７０と
収納容器２０を支えるハンドル（把手）１４０を取り付
ける突起９０と収納容器２０の底には後述するストッパ
受け１２０が取り付けてある。更に、収納容器２０には
基板を所定間隔で一枚ずつ収納するための溝６０、及び
エッチング液が通過するためのスリット１３０が設けて
あり、またハンドル１４０にはかしめ合うための凹み１
００と上部にストッパ１１０が設けてある。
納容器２０とエッチング液５０が入ったエッチング液槽
４０から成り、収納容器２０にはこれに被せる蓋７０と
収納容器２０を支えるハンドル（把手）１４０を取り付
ける突起９０と収納容器２０の底には後述するストッパ
受け１２０が取り付けてある。更に、収納容器２０には
基板を所定間隔で一枚ずつ収納するための溝６０、及び
エッチング液が通過するためのスリット１３０が設けて
あり、またハンドル１４０にはかしめ合うための凹み１
００と上部にストッパ１１０が設けてある。
【００１１】複数枚の基板１０を、テフロン等でできた
容器２０に収納する。この容器２０と同じテフロン等で
できた蓋７０を装着し、基板１０を容器２０内に固定す
る。蓋７０は基板１０を固定するため、容器２０と同様
な溝を有し、容器２０とはラッチ機構等により容易に装
着できる。
容器２０に収納する。この容器２０と同じテフロン等で
できた蓋７０を装着し、基板１０を容器２０内に固定す
る。蓋７０は基板１０を固定するため、容器２０と同様
な溝を有し、容器２０とはラッチ機構等により容易に装
着できる。
【００１２】容器２０の突起９０は容器２０の重心位置
８０の近傍で、この重心位置８０と異なる位置に、本実
施形態では重心位置８０のやや上方に取り付けている。
テフロン等でできたハンドル１４０を突起９０に装着
し、容器２０を突起９０を中心に１８０度回転させ、ハ
ンドル１４０に取り付けたストッパ１１０を容器２０の
ストッパ受け１２０に納め、容器２０を固定する。
８０の近傍で、この重心位置８０と異なる位置に、本実
施形態では重心位置８０のやや上方に取り付けている。
テフロン等でできたハンドル１４０を突起９０に装着
し、容器２０を突起９０を中心に１８０度回転させ、ハ
ンドル１４０に取り付けたストッパ１１０を容器２０の
ストッパ受け１２０に納め、容器２０を固定する。
【００１３】ストッパ１１０によって容器２０を固定し
た後に、ハンドル１４０を操作し、蓋７０側からエッチ
ング液槽４０内にあるエッチング液５０中に挿入する。
基板１０が納められた容器２０がエッチング液５０に浸
漬している間に、ストッパ１１０をはずし、左右どちら
かに軽く傾けてやると、容器２０は突起９０を中心に自
重で半回転し、液中で蓋７０を上方にした状態で回転が
停止する。容器２０が停止した状態でエッチングを行
い、一定時間が経過した後、ハンドル１４０を操作し
て、容器２０をエッチング液から引き上げる。
た後に、ハンドル１４０を操作し、蓋７０側からエッチ
ング液槽４０内にあるエッチング液５０中に挿入する。
基板１０が納められた容器２０がエッチング液５０に浸
漬している間に、ストッパ１１０をはずし、左右どちら
かに軽く傾けてやると、容器２０は突起９０を中心に自
重で半回転し、液中で蓋７０を上方にした状態で回転が
停止する。容器２０が停止した状態でエッチングを行
い、一定時間が経過した後、ハンドル１４０を操作し
て、容器２０をエッチング液から引き上げる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明よれば、エッ
チング工程で、基板の各部位の浸漬時間が同じとなり、
基板内でのエッチング量のばらつきが押さえられ、エッ
チングの均一性を向上できる。このため、製品の品質を
向上させる効果がある。
チング工程で、基板の各部位の浸漬時間が同じとなり、
基板内でのエッチング量のばらつきが押さえられ、エッ
チングの均一性を向上できる。このため、製品の品質を
向上させる効果がある。
【図１】本発明の実施形態における要部斜視図である。
【図２】従来例を示した要部斜視図である。
１０ 基板（ウエハ） ２０ 収納容器 ４０ 液槽 ５０ エッチング液 ６０ 溝 ７０ 蓋 ８０ 重心位置 ９０ 突起 １００ ハンドルの凹み １１０ ストッパ １２０ ストッパ受け １３０ 収納容器のスリット １４０ 把手（ハンドル）
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体基板上の被エッチング膜を薬液で
均一にエッチングする半導体装置の製造装置であって、 エッチング途中、薬液内で上記半導体基板を１８０度回
転させ、上記半導体基板を薬液中に挿入を開始した側か
ら引き上げるようにしたことを特徴とする半導体装置の
製造装置。 - 【請求項２】 半導体基板上の被エッチング膜を薬液で
均一にエッチングするためのエッチング方法であって、 エッチング途中、薬液内で上記半導体基板を１８０度回
転させ、上記半導体基板を薬液中に挿入を開始した側か
ら引き上げるようにしたことを特徴とするエッチング方
法。 - 【請求項３】 半導体基板上の被エッチング膜を薬液で
均一にエッチングするための装置であって、 エッチング途中、薬液内で上記半導体基板を１８０度回
転させ、上記半導体基板を薬液中に挿入を開始した側か
ら引き上げるようにしたことを特徴とするエッチング装
置。 - 【請求項４】 請求項３に記載のエッチング装置であっ
て、 薬液中で、基板を基板が収納されている容器ごと１８０
度回転させ得る回転機構を有することを特徴とするエッ
チング装置。 - 【請求項５】 請求項４に記載のエッチング装置におい
て、 基板収納容器の重心位置の近傍で、前記重心位置と異な
る位置を中心に前記収納容器が自重で１８０度回転し、
停止する回転機構を有することを特徴とするエッチング
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24135296A JPH1064876A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 半導体装置の製造装置並びにエッチング方法及びエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24135296A JPH1064876A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 半導体装置の製造装置並びにエッチング方法及びエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1064876A true JPH1064876A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=17073026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24135296A Withdrawn JPH1064876A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 半導体装置の製造装置並びにエッチング方法及びエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1064876A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112768347A (zh) * | 2021-01-07 | 2021-05-07 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种降低晶圆片损伤层厚度偏差值的腐蚀工艺 |
-
1996
- 1996-08-23 JP JP24135296A patent/JPH1064876A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112768347A (zh) * | 2021-01-07 | 2021-05-07 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种降低晶圆片损伤层厚度偏差值的腐蚀工艺 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20031104 |