JPH1060635A - 高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット - Google Patents
高誘電体膜形成用スパッタリングターゲットInfo
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- JPH1060635A JPH1060635A JP8219957A JP21995796A JPH1060635A JP H1060635 A JPH1060635 A JP H1060635A JP 8219957 A JP8219957 A JP 8219957A JP 21995796 A JP21995796 A JP 21995796A JP H1060635 A JPH1060635 A JP H1060635A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ソフトエラーを発生させることのない高誘電
体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。 【解決手段】 226 Ｒａの濃度が５０ｍＢｑ／ｇ以下で
あるＢａＴｉ複合酸化物またはＢａＳｒＴｉの複合酸化
物からなる高誘電体膜形成用スパッタリングターゲッ
ト。
体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。 【解決手段】 226 Ｒａの濃度が５０ｍＢｑ／ｇ以下で
あるＢａＴｉ複合酸化物またはＢａＳｒＴｉの複合酸化
物からなる高誘電体膜形成用スパッタリングターゲッ
ト。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体メモリー
などのキャパシタ用薄膜成形のための高誘電体膜形成用
スパッタリングターゲット、特にソフトエラー発生の少
ない高誘電体膜形成用スパッタリングターゲットに関す
るものである。
などのキャパシタ用薄膜成形のための高誘電体膜形成用
スパッタリングターゲット、特にソフトエラー発生の少
ない高誘電体膜形成用スパッタリングターゲットに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ＢａおよびＴｉの複合酸化物
（以下、ＢａＴｉ複合酸化物という）、ＳｒおよびＴｉ
の複合酸化物（以下、ＳｒＴｉ複合酸化物という）およ
びＢａ、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物（以下、ＢａＳｒ
Ｔｉ複合酸化物という）からなるペロブスカイト構造を
有する高誘電体膜形成用スパッタリングターゲットは、
半導体メモリー等に用いられるキャパシタ薄膜を形成す
るため使用されれいる。
（以下、ＢａＴｉ複合酸化物という）、ＳｒおよびＴｉ
の複合酸化物（以下、ＳｒＴｉ複合酸化物という）およ
びＢａ、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物（以下、ＢａＳｒ
Ｔｉ複合酸化物という）からなるペロブスカイト構造を
有する高誘電体膜形成用スパッタリングターゲットは、
半導体メモリー等に用いられるキャパシタ薄膜を形成す
るため使用されれいる。
【０００３】これら高誘電体膜形成用スパッタリングタ
ーゲットを製造するには、まず原料粉末のＢａＣＯ3 粉
末、ＳｒＣＯ3 粉末およびＴｉＯ2 粉末を所定の割合に
配合し、ボールミルに入れて混合し、得られた混合粉末
をＭｇＯルツボに入れ、大気雰囲気中、温度：１２００
〜１３５０℃、３〜１０時間保持の条件で焼成し、ボー
ルミルで粉砕することにより複合酸化物粉末を作製す
る。得られた複合酸化物粉末にさらに前記条件の焼成お
よび粉砕を２回以上繰り返して施した後、圧力：１５０
ｋｇ／ｃｍ2 、温度：１２００〜１３５０℃、０．５〜
３時間保持の条件でホットプレスし、ＢａＴｉ複合酸化
物、ＳｒＴｉ複合酸化物またはＢａＳｒＴｉ複合酸化物
からなるホットプレス体を作製する。前記ホットプレス
体は機械加工して所定のターゲット形状に仕上げられ
る。
ーゲットを製造するには、まず原料粉末のＢａＣＯ3 粉
末、ＳｒＣＯ3 粉末およびＴｉＯ2 粉末を所定の割合に
配合し、ボールミルに入れて混合し、得られた混合粉末
をＭｇＯルツボに入れ、大気雰囲気中、温度：１２００
〜１３５０℃、３〜１０時間保持の条件で焼成し、ボー
ルミルで粉砕することにより複合酸化物粉末を作製す
る。得られた複合酸化物粉末にさらに前記条件の焼成お
よび粉砕を２回以上繰り返して施した後、圧力：１５０
ｋｇ／ｃｍ2 、温度：１２００〜１３５０℃、０．５〜
３時間保持の条件でホットプレスし、ＢａＴｉ複合酸化
物、ＳｒＴｉ複合酸化物またはＢａＳｒＴｉ複合酸化物
からなるホットプレス体を作製する。前記ホットプレス
体は機械加工して所定のターゲット形状に仕上げられ
る。
【０００４】現在、ソフトエラーの発生は、スパッタリ
ングして得られたＢａＴｉ複合酸化物、ＳｒＴｉ複合酸
化物またはＢａＳｒＴｉ複合酸化物からなるペロブスカ
イト構造を有する高誘電体膜に含まれるＵ、Ｔｈから放
射されるα放射線によるものと考えられている。そのた
め、スパッタリングターゲットからＵ、Ｔｈを取り除
き、その含有量の合計を１０ｐｐｂ以下に制限した高誘
電体膜形成用スパッタリングターゲットが提案されてお
り、このスパッタリングターゲットを用いて作製した高
誘電体膜はα放射線によるソフトエラーを発生させるこ
とはないとされている（特開平７−７０７４７号公報参
照）。
ングして得られたＢａＴｉ複合酸化物、ＳｒＴｉ複合酸
化物またはＢａＳｒＴｉ複合酸化物からなるペロブスカ
イト構造を有する高誘電体膜に含まれるＵ、Ｔｈから放
射されるα放射線によるものと考えられている。そのた
め、スパッタリングターゲットからＵ、Ｔｈを取り除
き、その含有量の合計を１０ｐｐｂ以下に制限した高誘
電体膜形成用スパッタリングターゲットが提案されてお
り、このスパッタリングターゲットを用いて作製した高
誘電体膜はα放射線によるソフトエラーを発生させるこ
とはないとされている（特開平７−７０７４７号公報参
照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、スパッタリン
グターゲットからＵ、Ｔｈを完全に取り除いてＵ、Ｔｈ
の含有量の合計を１０ｐｐｂ以下に制限しても依然とし
てα放射線によるソフトエラーが発生することがあっ
た。
グターゲットからＵ、Ｔｈを完全に取り除いてＵ、Ｔｈ
の含有量の合計を１０ｐｐｂ以下に制限しても依然とし
てα放射線によるソフトエラーが発生することがあっ
た。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
このα放射線源をさらに究明した結果、（ａ）Ｂａを含
むＢａＴｉ複合酸化物高誘電体膜およびＢａＳｒＴｉ複
合酸化物高誘電体膜から大量のα放射線が放射されい
る、（ｂ）このα放射線は質量数：２２６のＲａ（以
下、226 Ｒａと記す）から放射されており、Ｂａを含む
ＢａＴｉ複合酸化物高誘電体膜およびＢａＳｒＴｉ複合
酸化物高誘電体膜から放射されるα放射線量を０．０１
ＣＨＰ／ｃｍ2 以下にすると、α放射線によるソフトエ
ラーの影響は無視することができるようになる、（ｃ）
高誘電体膜から放射されるα放射線量を０．０１ＣＨＰ
／ｃｍ2 以下にするには、ＢａＴｉ複合酸化物およびＢ
ａＳｒＴｉ複合酸化物からなる高誘電体膜形成用スパッ
タリングターゲットに含まれる226 Ｒａ濃度を５０ｍＢ
ｑ／ｇ以下にすることにより達成される、などの知見を
得たのである。
このα放射線源をさらに究明した結果、（ａ）Ｂａを含
むＢａＴｉ複合酸化物高誘電体膜およびＢａＳｒＴｉ複
合酸化物高誘電体膜から大量のα放射線が放射されい
る、（ｂ）このα放射線は質量数：２２６のＲａ（以
下、226 Ｒａと記す）から放射されており、Ｂａを含む
ＢａＴｉ複合酸化物高誘電体膜およびＢａＳｒＴｉ複合
酸化物高誘電体膜から放射されるα放射線量を０．０１
ＣＨＰ／ｃｍ2 以下にすると、α放射線によるソフトエ
ラーの影響は無視することができるようになる、（ｃ）
高誘電体膜から放射されるα放射線量を０．０１ＣＨＰ
／ｃｍ2 以下にするには、ＢａＴｉ複合酸化物およびＢ
ａＳｒＴｉ複合酸化物からなる高誘電体膜形成用スパッ
タリングターゲットに含まれる226 Ｒａ濃度を５０ｍＢ
ｑ／ｇ以下にすることにより達成される、などの知見を
得たのである。
【０００７】この発明は、これら知見に基づいて成され
たものであって、（１）226 Ｒａの濃度が５０ｍＢｑ／
ｇ以下（好ましくは、２０ｍＢｑ／ｇ以下）であるＢａ
およびＴｉの複合酸化物からなるペロブスカイト構造を
有する高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット、
（２）226 Ｒａの濃度が５０ｍＢｑ／ｇ以下（好ましく
は、２０ｍＢｑ／ｇ以下）であるＢａ、ＳｒおよびＴｉ
の複合酸化物からなるペロブスカイト構造を有する高誘
電体膜形成用スパッタリングターゲット、に特徴を有す
るものである。
たものであって、（１）226 Ｒａの濃度が５０ｍＢｑ／
ｇ以下（好ましくは、２０ｍＢｑ／ｇ以下）であるＢａ
およびＴｉの複合酸化物からなるペロブスカイト構造を
有する高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット、
（２）226 Ｒａの濃度が５０ｍＢｑ／ｇ以下（好ましく
は、２０ｍＢｑ／ｇ以下）であるＢａ、ＳｒおよびＴｉ
の複合酸化物からなるペロブスカイト構造を有する高誘
電体膜形成用スパッタリングターゲット、に特徴を有す
るものである。
【０００８】この発明の226 Ｒａの濃度が５０ｍＢｑ／
ｇ以下であるＢａ含有の複合酸化物からなるペロブスカ
イト構造を有する高誘電体膜形成用スパッタリングター
ゲットを製造するには、原料として、226 Ｒａ濃度を５
０ｍＢｑ／ｇ以下に低減した有機Ｂａ塩粉末、有機Ｓｒ
塩粉末および有機Ｔｉ塩粉末を使用すればよい。
ｇ以下であるＢａ含有の複合酸化物からなるペロブスカ
イト構造を有する高誘電体膜形成用スパッタリングター
ゲットを製造するには、原料として、226 Ｒａ濃度を５
０ｍＢｑ／ｇ以下に低減した有機Ｂａ塩粉末、有機Ｓｒ
塩粉末および有機Ｔｉ塩粉末を使用すればよい。
【０００９】226 Ｒａ濃度を５０ｍＢｑ／ｇ以下に低減
した有機Ｓｒ塩粉末は有機Ｓｒ塩を再結晶することによ
り製造することができ、また、226 Ｒａ濃度を５０ｍＢ
ｑ／ｇ以下に低減した有機Ｔｉ塩粉末は、有機Ｔｉ塩を
蒸留精製することにより製造することができるものの、
有機Ｂａ塩から226 Ｒａを除去する方法はなく、226Ｒ
ａ濃度が５０ｍＢｑ／ｇ以下の有機Ｂａ塩粉末を得るに
は、226 Ｒａの少ない重晶石を選別し、226 Ｒａの少な
い重晶石を原料として226 Ｒａ濃度が５０ｍＢｑ／ｇ以
下の有機Ｂａ塩を製造し、この226 Ｒａ濃度が５０ｍＢ
ｑ／ｇ以下の有機Ｂａ塩を使用して製造した有機Ｂａ塩
粉末を原料粉末として使用する以外に方法はない。
した有機Ｓｒ塩粉末は有機Ｓｒ塩を再結晶することによ
り製造することができ、また、226 Ｒａ濃度を５０ｍＢ
ｑ／ｇ以下に低減した有機Ｔｉ塩粉末は、有機Ｔｉ塩を
蒸留精製することにより製造することができるものの、
有機Ｂａ塩から226 Ｒａを除去する方法はなく、226Ｒ
ａ濃度が５０ｍＢｑ／ｇ以下の有機Ｂａ塩粉末を得るに
は、226 Ｒａの少ない重晶石を選別し、226 Ｒａの少な
い重晶石を原料として226 Ｒａ濃度が５０ｍＢｑ／ｇ以
下の有機Ｂａ塩を製造し、この226 Ｒａ濃度が５０ｍＢ
ｑ／ｇ以下の有機Ｂａ塩を使用して製造した有機Ｂａ塩
粉末を原料粉末として使用する以外に方法はない。
【００１０】このようにして製造した226 Ｒａ濃度を５
０ｍＢｑ／ｇ以下に低減した有機Ｂａ塩粉末、有機Ｓｒ
塩粉末および有機Ｔｉ塩粉末を所定割合で混合し、純水
に溶解して水溶液とした後、水分を蒸発乾燥させ、つい
で大気中、１２００℃で４時間焼成して複合塩焼成体を
作製し、得られた複合塩焼成体を粉砕して粉末とし、こ
の複合塩焼成体の粉末を使用してこの発明の226 Ｒａの
濃度が５０ｍＢｑ／ｇ以下である高誘電体膜形成用スパ
ッタリングターゲットを製造することができる。
０ｍＢｑ／ｇ以下に低減した有機Ｂａ塩粉末、有機Ｓｒ
塩粉末および有機Ｔｉ塩粉末を所定割合で混合し、純水
に溶解して水溶液とした後、水分を蒸発乾燥させ、つい
で大気中、１２００℃で４時間焼成して複合塩焼成体を
作製し、得られた複合塩焼成体を粉砕して粉末とし、こ
の複合塩焼成体の粉末を使用してこの発明の226 Ｒａの
濃度が５０ｍＢｑ／ｇ以下である高誘電体膜形成用スパ
ッタリングターゲットを製造することができる。
【００１１】
実施例 有機Ｂａ塩を製造するための出発原料である重晶石のα
放射線量をガスフロータイプのα線測定器で測定し、α
線放出量が０．０５ＣＨＰ／ｃｍ2 以下の重晶石を選別
することにより226 Ｒａ濃度が５０ｍＢｑ／ｇ以下の重
晶石を得た。この低226 Ｒａ濃度の重晶石をα線放出量
が０．１ＣＨＰ／ｃｍ2 以下のグラファイトと共に粉砕
混合し、還元焙焼し、得られた焙焼物を熱湯で浸出して
硫化Ｂａ溶液を作製し、硫化Ｂａ溶液に精製した炭酸ガ
スを吹き込むことにより炭酸Ｂａを沈殿させた。得られ
た沈殿物を濾過して取り出し、十分に乾燥した後、大気
中で１３００℃に加熱し、ＢａＯを得た。
放射線量をガスフロータイプのα線測定器で測定し、α
線放出量が０．０５ＣＨＰ／ｃｍ2 以下の重晶石を選別
することにより226 Ｒａ濃度が５０ｍＢｑ／ｇ以下の重
晶石を得た。この低226 Ｒａ濃度の重晶石をα線放出量
が０．１ＣＨＰ／ｃｍ2 以下のグラファイトと共に粉砕
混合し、還元焙焼し、得られた焙焼物を熱湯で浸出して
硫化Ｂａ溶液を作製し、硫化Ｂａ溶液に精製した炭酸ガ
スを吹き込むことにより炭酸Ｂａを沈殿させた。得られ
た沈殿物を濾過して取り出し、十分に乾燥した後、大気
中で１３００℃に加熱し、ＢａＯを得た。
【００１２】このＢａＯに水を作用させてＢａＯＨを作
り、さらに酢酸を作用させ、水分を蒸発させた後、冷却
し、結晶化して酢酸塩を得た。この酢酸塩の再結晶を繰
り返すことにより高純度化し、表１に示される226 Ｒａ
含有量：５０ｍＢｑ／ｇ以下、Ｕ含有量：１ｐｐｂ以
下、Ｔｈ含有量：１ｐｐｂ以下の高純度酢酸Ｂａを作製
した。
り、さらに酢酸を作用させ、水分を蒸発させた後、冷却
し、結晶化して酢酸塩を得た。この酢酸塩の再結晶を繰
り返すことにより高純度化し、表１に示される226 Ｒａ
含有量：５０ｍＢｑ／ｇ以下、Ｕ含有量：１ｐｐｂ以
下、Ｔｈ含有量：１ｐｐｂ以下の高純度酢酸Ｂａを作製
した。
【００１３】さらに、酢酸Ｓｒ塩を再結晶することによ
り高純度酢酸Ｓｒを作製し、イソプロポキシドＴｉ塩を
蒸留精製することにより高純度イソプロポキシドＴｉ塩
を作製した。このようにして得られた高純度酢酸Ｂａ、
高純度酢酸Ｓｒおよび高純度イソプロポキシドＴｉ塩を
所定の割合に配合したのち、水溶液とし、水分を蒸発乾
燥させたのち、大気中、１２００℃で４時間保持の条件
で焼成することにより表１に示される複合酸化物を作製
した。
り高純度酢酸Ｓｒを作製し、イソプロポキシドＴｉ塩を
蒸留精製することにより高純度イソプロポキシドＴｉ塩
を作製した。このようにして得られた高純度酢酸Ｂａ、
高純度酢酸Ｓｒおよび高純度イソプロポキシドＴｉ塩を
所定の割合に配合したのち、水溶液とし、水分を蒸発乾
燥させたのち、大気中、１２００℃で４時間保持の条件
で焼成することにより表１に示される複合酸化物を作製
した。
【００１４】この複合酸化物をさらにボールミルに入れ
て粉砕し、平均粒径：１〜５μｍを有する複合酸化物粉
末を製造し、さらに得られた複合酸化物粉末をグラファ
イトモールドに充填し、 昇温速度：５℃／ｍｉｎ、 加熱温度：１３００℃、 圧力：１５０ｔｏｎ／ｃｍ2 、 保持時間：１時間、 冷却：炉冷、 の条件でホットプレスすることにより、直径：３５０ｍ
ｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有し、表１に示される組成の
高誘電体化合物からなるホットプレス体を作製し、この
ホットプレス体を機械加工することにより直径：３００
ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法の本発明スパッタリングター
ゲット（以下、本発明ターゲットという）１〜５を作製
した。
て粉砕し、平均粒径：１〜５μｍを有する複合酸化物粉
末を製造し、さらに得られた複合酸化物粉末をグラファ
イトモールドに充填し、 昇温速度：５℃／ｍｉｎ、 加熱温度：１３００℃、 圧力：１５０ｔｏｎ／ｃｍ2 、 保持時間：１時間、 冷却：炉冷、 の条件でホットプレスすることにより、直径：３５０ｍ
ｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有し、表１に示される組成の
高誘電体化合物からなるホットプレス体を作製し、この
ホットプレス体を機械加工することにより直径：３００
ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法の本発明スパッタリングター
ゲット（以下、本発明ターゲットという）１〜５を作製
した。
【００１５】これら本発明ターゲット１〜５に含まれる
226 Ｒａ濃度を放射化学分析により測定し、ＵおよびＴ
ｈ濃度をＩＰＣ−ＭＳで分析し、さらに本発明ターゲッ
ト１〜５から放射するα放射線をガスフロータイプのα
線測定器で測定し、その結果を表１に示した。
226 Ｒａ濃度を放射化学分析により測定し、ＵおよびＴ
ｈ濃度をＩＰＣ−ＭＳで分析し、さらに本発明ターゲッ
ト１〜５から放射するα放射線をガスフロータイプのα
線測定器で測定し、その結果を表１に示した。
【００１６】比較例 重晶石を226 Ｒａ濃度によって選別することなく実施例
と同じ方法により酢酸Ｂａを作製し、この酢酸Ｂａを使
用する以外は実施例と同じ方法により比較スパッタリン
グターゲット（以下、比較ターゲットという）１〜５を
作製した。これら比較ターゲット１〜５に含まれるＵ、
Ｔｈおよび226 Ｒａ濃度および比較ターゲット１〜５か
ら放射するα放射線を測定し、その結果を表１に示し
た。
と同じ方法により酢酸Ｂａを作製し、この酢酸Ｂａを使
用する以外は実施例と同じ方法により比較スパッタリン
グターゲット（以下、比較ターゲットという）１〜５を
作製した。これら比較ターゲット１〜５に含まれるＵ、
Ｔｈおよび226 Ｒａ濃度および比較ターゲット１〜５か
ら放射するα放射線を測定し、その結果を表１に示し
た。
【００１７】
【表１】
【００１８】
【発明の効果】表１に示される結果から、原料粉末とし
て226 Ｒａ濃度：５０ｍＢｑ／ｇ以下の高純度有機Ｂａ
塩を使用し、さらに、高純度有機Ｓｒ塩および有機Ｔｉ
塩を使用して作製した本発明ターゲット１〜５は、いず
れも226 Ｒａ濃度が５０ｍＢｑ／ｇ以下となり、α放射
線量も０．０１ＣＰＨ／ｃｍ2 以下となり、本発明ター
ゲット１〜５を用いて作製した高誘電体膜によるソフト
エラーの発生は無視することができることが分かる。
て226 Ｒａ濃度：５０ｍＢｑ／ｇ以下の高純度有機Ｂａ
塩を使用し、さらに、高純度有機Ｓｒ塩および有機Ｔｉ
塩を使用して作製した本発明ターゲット１〜５は、いず
れも226 Ｒａ濃度が５０ｍＢｑ／ｇ以下となり、α放射
線量も０．０１ＣＰＨ／ｃｍ2 以下となり、本発明ター
ゲット１〜５を用いて作製した高誘電体膜によるソフト
エラーの発生は無視することができることが分かる。
【００１９】しかし、226 Ｒａ濃度が５０ｍＢｑ／ｇを
越える比較ターゲット１〜５のα放射線量は０．０１Ｃ
ＰＨ／ｃｍ2 を越え、これを用いて作製した高誘電体膜
によるソフトエラーの発生は無視できないことが分か
る。上述のように、この発明の高誘電体膜形成用スパッ
タリングターゲットは、α放射線量の放射量が極めて少
なく、ソフトエラーの発生を無視することができ、産業
上優れた効果を奏するものである。
越える比較ターゲット１〜５のα放射線量は０．０１Ｃ
ＰＨ／ｃｍ2 を越え、これを用いて作製した高誘電体膜
によるソフトエラーの発生は無視できないことが分か
る。上述のように、この発明の高誘電体膜形成用スパッ
タリングターゲットは、α放射線量の放射量が極めて少
なく、ソフトエラーの発生を無視することができ、産業
上優れた効果を奏するものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｃ０４Ｂ 35/46 Ｃ 27/108 Ｈ０１Ｌ 27/10 ６５１ 21/8242
Claims (2)
- 【請求項１】 質量数：２２６のＲａ（以下、226 Ｒａ
と記す）の濃度が５０ｍＢｑ／ｇ以下であることを特徴
とするＢａおよびＴｉの複合酸化物からなるペロブスカ
イト構造を有する高誘電体膜形成用スパッタリングター
ゲット。 - 【請求項２】 226 Ｒａの濃度が５０ｍＢｑ／ｇ以下で
あることを特徴とするＢａ、ＳｒおよびＴｉの複合酸化
物からなるペロブスカイト構造を有する高誘電体膜形成
用スパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08219957A JP3127834B2 (ja) | 1996-08-21 | 1996-08-21 | 高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08219957A JP3127834B2 (ja) | 1996-08-21 | 1996-08-21 | 高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1060635A true JPH1060635A (ja) | 1998-03-03 |
| JP3127834B2 JP3127834B2 (ja) | 2001-01-29 |
Family
ID=16743694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08219957A Expired - Fee Related JP3127834B2 (ja) | 1996-08-21 | 1996-08-21 | 高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3127834B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111836914A (zh) * | 2018-03-13 | 2020-10-27 | Ｊｘ金属株式会社 | 溅射靶和溅射靶的制造方法 |
-
1996
- 1996-08-21 JP JP08219957A patent/JP3127834B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111836914A (zh) * | 2018-03-13 | 2020-10-27 | Ｊｘ金属株式会社 | 溅射靶和溅射靶的制造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3127834B2 (ja) | 2001-01-29 |
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