JPH1055758A - 厚膜パターン形成方法 - Google Patents
厚膜パターン形成方法Info
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- JPH1055758A JPH1055758A JP4509997A JP4509997A JPH1055758A JP H1055758 A JPH1055758 A JP H1055758A JP 4509997 A JP4509997 A JP 4509997A JP 4509997 A JP4509997 A JP 4509997A JP H1055758 A JPH1055758 A JP H1055758A
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- Japan
- Prior art keywords
- film
- pattern
- pattern forming
- forming layer
- glass substrate
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な工程で精度の高いパターンを得られる
厚膜パターン形成方法を提供する。 【解決手段】 フィルム１１上に感光性ペーストを塗布
してパターン形成層１２を形成し、このパターン形成層
１２が対向するようにしてガラス基板１３にフィルム１
１をラミネートする。そして、フィルム１１の上からマ
スクＭを介して露光し、フィルム１１を剥離した後、現
像して未露光部１２ａを除去し、焼成工程を経てパター
ン１４を得る。パターン形成層１２に粘着性がない場
合、フィルム１１を剥離してから露光するようにしても
よい。パターン形成層１２を基板１３上に位置させて露
光するため、工程の簡略化が図れるとともに、膜厚の均
一性が良好なパターンが形成できる。
厚膜パターン形成方法を提供する。 【解決手段】 フィルム１１上に感光性ペーストを塗布
してパターン形成層１２を形成し、このパターン形成層
１２が対向するようにしてガラス基板１３にフィルム１
１をラミネートする。そして、フィルム１１の上からマ
スクＭを介して露光し、フィルム１１を剥離した後、現
像して未露光部１２ａを除去し、焼成工程を経てパター
ン１４を得る。パターン形成層１２に粘着性がない場
合、フィルム１１を剥離してから露光するようにしても
よい。パターン形成層１２を基板１３上に位置させて露
光するため、工程の簡略化が図れるとともに、膜厚の均
一性が良好なパターンが形成できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に微細なパ
ターンを形成する技術に係り、特にプラズマディスプレ
イパネル（以下、ＰＤＰと記す）における電極、障壁、
蛍光面、カラーフィルターなどの厚膜パターンを形成す
るのに好適に利用される厚膜パターン形成方法に関する
ものである。
ターンを形成する技術に係り、特にプラズマディスプレ
イパネル（以下、ＰＤＰと記す）における電極、障壁、
蛍光面、カラーフィルターなどの厚膜パターンを形成す
るのに好適に利用される厚膜パターン形成方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】一般にＰＤＰは、２枚の対向するガラス
基板にそれぞれ規則的に配列した一対の電極を設け、そ
の間にＮｅ，Ｘｅ等の希ガスを主体とするガスを封入し
た構造になっている。そして、電極間に電圧を印加し、
電極周辺の微小なセル内で放電を発生させることによ
り、各セルを発光させて表示を行うようにしている。情
報表示をするためには、規則的に並んだセルを選択的に
放電発光させる。このＰＤＰには、電極が放電空間に露
出している直流型（ＤＣ型）と絶縁層で覆われている交
流型（ＡＣ型）の２タイプがあり、双方とも表示機能や
駆動方法の違いによって、さらにリフレッシュ駆動方式
とメモリー駆動方式とに分類される。
基板にそれぞれ規則的に配列した一対の電極を設け、そ
の間にＮｅ，Ｘｅ等の希ガスを主体とするガスを封入し
た構造になっている。そして、電極間に電圧を印加し、
電極周辺の微小なセル内で放電を発生させることによ
り、各セルを発光させて表示を行うようにしている。情
報表示をするためには、規則的に並んだセルを選択的に
放電発光させる。このＰＤＰには、電極が放電空間に露
出している直流型（ＤＣ型）と絶縁層で覆われている交
流型（ＡＣ型）の２タイプがあり、双方とも表示機能や
駆動方法の違いによって、さらにリフレッシュ駆動方式
とメモリー駆動方式とに分類される。
【０００３】図１にＡＣ型ＰＤＰの一構成例を示してあ
る。この図は前面板と背面板を離した状態で示したもの
で、図示のように２枚のガラス基板１，２が互いに平行
に且つ対向して配設されており、両者は背面板となるガ
ラス基板２上に互いに平行に設けられたセル障壁３によ
り一定の間隔に保持されるようになっている。前面板と
なるガラス基板１の背面側には放電維持電極である透明
電極４とバス電極である金属電極５とで構成される複合
電極が互いに平行に形成され、これを覆って誘電体層６
が形成されており、さらにその上に保護層７（ＭｇＯ
層）が形成されている。また、背面板となるガラス基板
２の前面側には前記複合電極と直交するようにセル障壁
３の間に位置してアドレス電極８が互いに平行に形成さ
れており、さらにセル障壁３の壁面とセル底面を覆うよ
うにして蛍光面９が設けられている。このＡＣ型ＰＤＰ
は面放電型であって、前面板上の複合電極間に交流電圧
を印加し、空間に漏れた電界で放電させる構造である。
この場合、交流をかけているために電界の向きは周波数
に対応して変化する。そしてこの放電により生じる紫外
線により蛍光体９を発光させ、前面板を透過する光を観
察者が視認するようになっている。
る。この図は前面板と背面板を離した状態で示したもの
で、図示のように２枚のガラス基板１，２が互いに平行
に且つ対向して配設されており、両者は背面板となるガ
ラス基板２上に互いに平行に設けられたセル障壁３によ
り一定の間隔に保持されるようになっている。前面板と
なるガラス基板１の背面側には放電維持電極である透明
電極４とバス電極である金属電極５とで構成される複合
電極が互いに平行に形成され、これを覆って誘電体層６
が形成されており、さらにその上に保護層７（ＭｇＯ
層）が形成されている。また、背面板となるガラス基板
２の前面側には前記複合電極と直交するようにセル障壁
３の間に位置してアドレス電極８が互いに平行に形成さ
れており、さらにセル障壁３の壁面とセル底面を覆うよ
うにして蛍光面９が設けられている。このＡＣ型ＰＤＰ
は面放電型であって、前面板上の複合電極間に交流電圧
を印加し、空間に漏れた電界で放電させる構造である。
この場合、交流をかけているために電界の向きは周波数
に対応して変化する。そしてこの放電により生じる紫外
線により蛍光体９を発光させ、前面板を透過する光を観
察者が視認するようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の如きＰＤＰにお
ける電極の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリ
ング法、メッキ法、厚膜法等によって基板上に電極材料
の膜を形成し、これをフォトリソグラフィー法によって
パターニングする方法や、厚膜ペーストを用いたスクリ
ーン印刷法によりパターニングする方法が知られてい
る。このうち前者のフォトリソグラフィー法による方法
は、得られるパターンの精度が高いという利点はあるも
のの、真空蒸着法やスパッタリング法により膜を形成す
る場合は量産性に劣るためコストが高くなる。またメッ
キ法は工程数が多いという欠点がある。また厚膜法では
ドライフィルムレジストを用いてマスクを形成してから
エッチングするため工程が多くなり、さらに電極を焼成
してからエッチングするためエッチング時間が長くなる
上に残りが発生しやすい。一方、後者のスクリーン印刷
法による方法は、コストが安くつく上に量産性にも優れ
ているが、１００μｍ程度の線幅ではその精度が落ちる
ため、微細なパターニングはできない。
ける電極の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリ
ング法、メッキ法、厚膜法等によって基板上に電極材料
の膜を形成し、これをフォトリソグラフィー法によって
パターニングする方法や、厚膜ペーストを用いたスクリ
ーン印刷法によりパターニングする方法が知られてい
る。このうち前者のフォトリソグラフィー法による方法
は、得られるパターンの精度が高いという利点はあるも
のの、真空蒸着法やスパッタリング法により膜を形成す
る場合は量産性に劣るためコストが高くなる。またメッ
キ法は工程数が多いという欠点がある。また厚膜法では
ドライフィルムレジストを用いてマスクを形成してから
エッチングするため工程が多くなり、さらに電極を焼成
してからエッチングするためエッチング時間が長くなる
上に残りが発生しやすい。一方、後者のスクリーン印刷
法による方法は、コストが安くつく上に量産性にも優れ
ているが、１００μｍ程度の線幅ではその精度が落ちる
ため、微細なパターニングはできない。
【０００５】また、障壁の形成方法としては、ガラス基
板上にガラスペーストをスクリーン印刷によりパターン
状に重ねて印刷を行い、このペーストを乾燥、焼成して
所望の高さの障壁を形成する方法や、ガラス基板上にガ
ラスペーストを所定の厚さで塗布して乾燥させ、その上
に耐サンドブラスト性のあるマスクをパターン状に形成
してから、このマスクを介してサンドブラスト加工によ
り所望パターンの障壁を形成する方法があるが、いずれ
の方法でも工程数が多い上に、パターン精度が良くない
という問題がある。
板上にガラスペーストをスクリーン印刷によりパターン
状に重ねて印刷を行い、このペーストを乾燥、焼成して
所望の高さの障壁を形成する方法や、ガラス基板上にガ
ラスペーストを所定の厚さで塗布して乾燥させ、その上
に耐サンドブラスト性のあるマスクをパターン状に形成
してから、このマスクを介してサンドブラスト加工によ
り所望パターンの障壁を形成する方法があるが、いずれ
の方法でも工程数が多い上に、パターン精度が良くない
という問題がある。
【０００６】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、簡単な工程
で精度の高いパターンの得られる厚膜パターン形成方法
を提供することにある。
れたものであり、その目的とするところは、簡単な工程
で精度の高いパターンの得られる厚膜パターン形成方法
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明に係る第１のタイプの厚膜パターン形成方
法は、少なくとも次の工程を含むことを特徴とする。 （１）感光性ペーストを予めフィルムに塗布して当該フ
ィルム上にパターン形成層を形成する第１工程。 （２）前記フィルムをそのパターン形成層側が対向する
ようにしてガラス基板にラミネートする第２工程。 （３）前記フィルムの上から所定のマスクを介して前記
パターン形成層を露光する第３工程。 （４）前記フィルムを剥離した後、前記パターン形成層
を現像して未露光部を除去する第４工程。 （５）基板全体を焼成してパターン形成層の露光部をガ
ラス基板に密着させる第５工程。
めに、本発明に係る第１のタイプの厚膜パターン形成方
法は、少なくとも次の工程を含むことを特徴とする。 （１）感光性ペーストを予めフィルムに塗布して当該フ
ィルム上にパターン形成層を形成する第１工程。 （２）前記フィルムをそのパターン形成層側が対向する
ようにしてガラス基板にラミネートする第２工程。 （３）前記フィルムの上から所定のマスクを介して前記
パターン形成層を露光する第３工程。 （４）前記フィルムを剥離した後、前記パターン形成層
を現像して未露光部を除去する第４工程。 （５）基板全体を焼成してパターン形成層の露光部をガ
ラス基板に密着させる第５工程。
【０００８】また、同様の目的を達成するため、本発明
に係る第２のタイプの厚膜パターン形成方法は、少なく
とも次の工程を含むことを特徴とする。 （１）感光性ペーストを予めフィルムに塗布して当該フ
ィルム上にパターン形成層を形成する第１工程。 （２）前記フィルムをそのパターン形成層側が対向する
ようにしてガラス基板にラミネートする第２工程。 （３）前記フィルムを剥離した後、所定のマスクを介し
て前記パターン形成層を露光する第３工程。 （４）前記パターン形成層を現像して未露光部を除去す
る第４工程。 （５）基板全体を焼成してパターン形成層の露光部をガ
ラス基板に密着させる第５工程。
に係る第２のタイプの厚膜パターン形成方法は、少なく
とも次の工程を含むことを特徴とする。 （１）感光性ペーストを予めフィルムに塗布して当該フ
ィルム上にパターン形成層を形成する第１工程。 （２）前記フィルムをそのパターン形成層側が対向する
ようにしてガラス基板にラミネートする第２工程。 （３）前記フィルムを剥離した後、所定のマスクを介し
て前記パターン形成層を露光する第３工程。 （４）前記パターン形成層を現像して未露光部を除去す
る第４工程。 （５）基板全体を焼成してパターン形成層の露光部をガ
ラス基板に密着させる第５工程。
【０００９】
【発明の実施の形態】図２は本発明に係る厚膜パターン
形成方法の一例を示す工程図である。
形成方法の一例を示す工程図である。
【００１０】まず、図２（ａ）に示すように、可撓性の
基材であるフィルム１１の上に感光性ペーストを塗布し
て乾燥させることでパターン形成層１２を形成する。フ
ィルム１１としては、ポリエチレンテレフタレート（Ｐ
ＥＴ）、易接着ＰＥＴ、シリコーン処理ＰＥＴ、アクリ
ルメラミン処理ＰＥＴ、ワックス処理ＰＥＴ、延伸ポリ
エチレン、ポリエチレン、延伸ポリプロピレン、ポリプ
ロピレン、トリアセチルセルロース、ポリスチレン、ポ
リエチレンナフタレート、ポリイミド等が用いられる。
フィルム１１の厚さは６〜２００μｍが適当で、これよ
り薄いと腰がなくなり作業性が悪くまたカールがひどく
なる。逆に厚いと重くなって巻き取りにくくなる。フィ
ルム１１への感光性ペーストの塗布はロールコート、ダ
イコート、スリップコート、ドクターブレードコート、
グラビアコートなどの適宜な手段を採用すればよい。
基材であるフィルム１１の上に感光性ペーストを塗布し
て乾燥させることでパターン形成層１２を形成する。フ
ィルム１１としては、ポリエチレンテレフタレート（Ｐ
ＥＴ）、易接着ＰＥＴ、シリコーン処理ＰＥＴ、アクリ
ルメラミン処理ＰＥＴ、ワックス処理ＰＥＴ、延伸ポリ
エチレン、ポリエチレン、延伸ポリプロピレン、ポリプ
ロピレン、トリアセチルセルロース、ポリスチレン、ポ
リエチレンナフタレート、ポリイミド等が用いられる。
フィルム１１の厚さは６〜２００μｍが適当で、これよ
り薄いと腰がなくなり作業性が悪くまたカールがひどく
なる。逆に厚いと重くなって巻き取りにくくなる。フィ
ルム１１への感光性ペーストの塗布はロールコート、ダ
イコート、スリップコート、ドクターブレードコート、
グラビアコートなどの適宜な手段を採用すればよい。
【００１１】目的とする厚膜パターンが電極の場合、感
光性ペーストとしては感光性樹脂成分と導電性粉体（Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ等）とガラスフリットから
なる導電性ペーストが用いられ、目的とする厚膜パター
ンが障壁の場合、感光性ペーストとしては感光性樹脂成
分とガラスフリットとセラミック粉体と必要に応じて無
機顔料からなる無機ペーストが用いられる。また、目的
とする厚膜パターンが蛍光面の場合、感光性樹脂ペース
トとしては感光性樹脂成分と蛍光体からなる蛍光体ペー
ストが用いられ、目的とする厚膜パターンがカラーフィ
ルターの場合、感光性ペーストとしては感光性樹脂成分
と色ガラスフリット又は無機顔料と必要に応じてガラス
フリットからなる着色ペーストが用いられる。
光性ペーストとしては感光性樹脂成分と導電性粉体（Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ等）とガラスフリットから
なる導電性ペーストが用いられ、目的とする厚膜パター
ンが障壁の場合、感光性ペーストとしては感光性樹脂成
分とガラスフリットとセラミック粉体と必要に応じて無
機顔料からなる無機ペーストが用いられる。また、目的
とする厚膜パターンが蛍光面の場合、感光性樹脂ペース
トとしては感光性樹脂成分と蛍光体からなる蛍光体ペー
ストが用いられ、目的とする厚膜パターンがカラーフィ
ルターの場合、感光性ペーストとしては感光性樹脂成分
と色ガラスフリット又は無機顔料と必要に応じてガラス
フリットからなる着色ペーストが用いられる。
【００１２】感光性ペーストにおける無機成分（ガラス
フリット、セラミック粉体、無機顔料、蛍光体など）と
感光性樹脂成分（ネガ型）の比率は、無機成分１００重
量部に対して感光性樹脂成分は１０〜１００重量部で、
好ましくは１０〜５０重量部である。これより少ないと
パターニングができず、逆に多いと焼成後に緻密になら
ず特性がでない。使用するガラスフリットは軟化点が４
００〜６００℃で平均粒径が０．１〜１０μｍのものが
好ましい（２種以上混合してもよい）。無機成分として
はアルミナ、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、ジルコ
ン、炭酸カルシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウ
ムなどがあり、これらの平均粒径は０．０１〜５μｍの
ものが好ましい（２種以上混合してもよい）。
フリット、セラミック粉体、無機顔料、蛍光体など）と
感光性樹脂成分（ネガ型）の比率は、無機成分１００重
量部に対して感光性樹脂成分は１０〜１００重量部で、
好ましくは１０〜５０重量部である。これより少ないと
パターニングができず、逆に多いと焼成後に緻密になら
ず特性がでない。使用するガラスフリットは軟化点が４
００〜６００℃で平均粒径が０．１〜１０μｍのものが
好ましい（２種以上混合してもよい）。無機成分として
はアルミナ、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、ジルコ
ン、炭酸カルシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウ
ムなどがあり、これらの平均粒径は０．０１〜５μｍの
ものが好ましい（２種以上混合してもよい）。
【００１３】無機顔料としては、例えばＰＤＰの外光反
射を低減し、実用上のコントラストを上げるために、障
壁を暗色にする場合には、耐火性の黒色顔料として、Ｃ
ｏ−Ｃｒ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｍｎ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｍｎ
−Ａｌ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｍｎ−
Ｃｒ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ａｌ−Ｃｒ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｍ
ｎ−Ａｌ−Ｃｒ−Ｆｅ−Ｓｉ等の顔料が用いられる。一
方、蛍光体の発光を有効にパネル前面に導く目的で、逆
に障壁を白くした方が良い場合には、耐火性の白色顔料
としてチタニア（ＴｉＯ2 ）等が用いられる。
射を低減し、実用上のコントラストを上げるために、障
壁を暗色にする場合には、耐火性の黒色顔料として、Ｃ
ｏ−Ｃｒ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｍｎ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｍｎ
−Ａｌ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｍｎ−
Ｃｒ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ａｌ−Ｃｒ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｍ
ｎ−Ａｌ−Ｃｒ−Ｆｅ−Ｓｉ等の顔料が用いられる。一
方、蛍光体の発光を有効にパネル前面に導く目的で、逆
に障壁を白くした方が良い場合には、耐火性の白色顔料
としてチタニア（ＴｉＯ2 ）等が用いられる。
【００１４】感光性樹脂成分は、アルカリ現像型バイン
ダーポリマーと反応性モノマーからなり、必要に応じて
開始剤、増感剤、重合停止剤、連鎖移動剤、消泡剤、レ
ベリング剤、分散剤、可塑剤、安定剤などを加える。
ダーポリマーと反応性モノマーからなり、必要に応じて
開始剤、増感剤、重合停止剤、連鎖移動剤、消泡剤、レ
ベリング剤、分散剤、可塑剤、安定剤などを加える。
【００１５】アルカリ現像型バインダーポリマーとして
は、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸の二量体
（東亜合成Ｍ−５６００）、イタコン酸、クロトン酸、
マレイン酸、フマル酸、ビニル酢酸、これらの酸無水物
の１種以上と、メチルアクリレート、メチルメタクリレ
ート、エチルアクリレート、エチルメタクリレート、ｎ
−プロピルアクリレート、ｎ−プロピルメタクリレー
ト、イソプロピルアクリレート、ｓｅｃ−ブチルアクリ
レート、ｓｅｃ−ブチルメタクリレート、イソブチルア
クリレート、イソブチルメタクリレート、ｔｅｒｔ−ブ
チルアクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレート、
ｎ−ペンチルアクリレート、ｎ−ペンチルメタクリレー
ト、ｎ−ヘキシルアクリレート、ｎ−ヘキシルメタクリ
レート、２−エチルヘキシルアクリレート、２−エチル
ヘキシルメタクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、
ｎ−オクチルメタクリレート、ｎ−デシルアクリレー
ト、ｎ−デシルメタクリレート、スチレン、α−メチル
スチレン、Ｎ−ビニル−２−ピロリドンの１種以上から
なるコポリマーで、酸価が５０〜２００ｍｇＫＯＨ／ｇ
のポリマーなどが挙げられるが、これらに限定されるも
のではない（２種以上混合してもよい）。また、上記コ
ポリマーにグリシジル基又は水酸基を有するエチレン性
不飽和化合物を付加させたポリマーで酸価が５０〜２０
０ｍｇＫＯＨ／ｇのポリマーなどが挙げられる（２種以
上混合してもよい）。また、これらのポリマーに非アル
カリ現像型のポリマーを１種又は２種以上ブレンドして
もよい。非アルカリ現像型のポリマーとしては、ポリビ
ニルアルコール、ポリビニルブチラール、アクリル酸エ
ステル重合体、メタクリル酸エステル重合体、ポリスチ
レン、α−メチルスチレン重合体、１−ビニル−２−ピ
ロリドン重合体、これらの共重合体などが挙げられる。
は、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸の二量体
（東亜合成Ｍ−５６００）、イタコン酸、クロトン酸、
マレイン酸、フマル酸、ビニル酢酸、これらの酸無水物
の１種以上と、メチルアクリレート、メチルメタクリレ
ート、エチルアクリレート、エチルメタクリレート、ｎ
−プロピルアクリレート、ｎ−プロピルメタクリレー
ト、イソプロピルアクリレート、ｓｅｃ−ブチルアクリ
レート、ｓｅｃ−ブチルメタクリレート、イソブチルア
クリレート、イソブチルメタクリレート、ｔｅｒｔ−ブ
チルアクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレート、
ｎ−ペンチルアクリレート、ｎ−ペンチルメタクリレー
ト、ｎ−ヘキシルアクリレート、ｎ−ヘキシルメタクリ
レート、２−エチルヘキシルアクリレート、２−エチル
ヘキシルメタクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、
ｎ−オクチルメタクリレート、ｎ−デシルアクリレー
ト、ｎ−デシルメタクリレート、スチレン、α−メチル
スチレン、Ｎ−ビニル−２−ピロリドンの１種以上から
なるコポリマーで、酸価が５０〜２００ｍｇＫＯＨ／ｇ
のポリマーなどが挙げられるが、これらに限定されるも
のではない（２種以上混合してもよい）。また、上記コ
ポリマーにグリシジル基又は水酸基を有するエチレン性
不飽和化合物を付加させたポリマーで酸価が５０〜２０
０ｍｇＫＯＨ／ｇのポリマーなどが挙げられる（２種以
上混合してもよい）。また、これらのポリマーに非アル
カリ現像型のポリマーを１種又は２種以上ブレンドして
もよい。非アルカリ現像型のポリマーとしては、ポリビ
ニルアルコール、ポリビニルブチラール、アクリル酸エ
ステル重合体、メタクリル酸エステル重合体、ポリスチ
レン、α−メチルスチレン重合体、１−ビニル−２−ピ
ロリドン重合体、これらの共重合体などが挙げられる。
【００１６】反応性モノマーとしては少なくとも一つの
重合可能な炭素−炭素不飽和結合を含有する化合物を用
いることができ、その具体例としては、アリルアクリレ
ート、ベンジルアクリレート、ブトキシエチルアクリレ
ート、ブトキシエチレングリコールアクリレート、シク
ロヘキシルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレ
ート、ジシクロペンテニルアクリレート、２−エチルヘ
キシルアクリレート、グリセロールアクリレート、グリ
シジルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレー
ト、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、イソボニル
アクリレート、イソデキシルアクリレート、イソオクチ
ルアクリレート、ラウリルアクリレート、２−メトキシ
エチルアクリレート、メトキシエチレングリコールアク
リレート、フェノキシエチルアクリレート、ステアリル
アクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジ
エチレングリコールジアクリレート、１，４ブタンジオ
ールジアクリレート、１，５−ペンタンジオールジアク
リレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、
１，３−プロパンジオールジアクリレート、１，４−シ
クロヘキサンジオールジアクリレート、２，２ジメチロ
ールプロパンジアクリレート、グリセロールジアクリレ
ート、トリプロピレングリコールジアクリレート、グリ
セロールトリアクリレート、トリメチロールプロパント
リアクリレート、ポリオキシエチル化トリメチロールプ
ロパントリアクリレート、ペンタエリトリトールトリア
クリレート、ペンタエリトリトールテトラアクリレー
ト、トリエチレングリコールジアクリレート、ポリオキ
シプロピルトリメチロールプロパントリアクリレート、
ブチレングリコールジアクリレート、１，２，４−ブタ
ントリオールトリアクリレート、２，２，４−トリメチ
ル−１，３−ペンタンジオールジアクリレート、ジアリ
ルフマレート、１，１０−デカンジオールジメチルアク
リレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレー
ト、および上記のアクリレートをメタクリレートに変え
たもの、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラ
ン、１−ビニル−２−ピロリドンなどが挙げられる。本
発明ではこれらのモノマーを１種または２種以上の混合
物としてまたはその他の化合物として使用することがで
きる。
重合可能な炭素−炭素不飽和結合を含有する化合物を用
いることができ、その具体例としては、アリルアクリレ
ート、ベンジルアクリレート、ブトキシエチルアクリレ
ート、ブトキシエチレングリコールアクリレート、シク
ロヘキシルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレ
ート、ジシクロペンテニルアクリレート、２−エチルヘ
キシルアクリレート、グリセロールアクリレート、グリ
シジルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレー
ト、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、イソボニル
アクリレート、イソデキシルアクリレート、イソオクチ
ルアクリレート、ラウリルアクリレート、２−メトキシ
エチルアクリレート、メトキシエチレングリコールアク
リレート、フェノキシエチルアクリレート、ステアリル
アクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジ
エチレングリコールジアクリレート、１，４ブタンジオ
ールジアクリレート、１，５−ペンタンジオールジアク
リレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、
１，３−プロパンジオールジアクリレート、１，４−シ
クロヘキサンジオールジアクリレート、２，２ジメチロ
ールプロパンジアクリレート、グリセロールジアクリレ
ート、トリプロピレングリコールジアクリレート、グリ
セロールトリアクリレート、トリメチロールプロパント
リアクリレート、ポリオキシエチル化トリメチロールプ
ロパントリアクリレート、ペンタエリトリトールトリア
クリレート、ペンタエリトリトールテトラアクリレー
ト、トリエチレングリコールジアクリレート、ポリオキ
シプロピルトリメチロールプロパントリアクリレート、
ブチレングリコールジアクリレート、１，２，４−ブタ
ントリオールトリアクリレート、２，２，４−トリメチ
ル−１，３−ペンタンジオールジアクリレート、ジアリ
ルフマレート、１，１０−デカンジオールジメチルアク
リレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレー
ト、および上記のアクリレートをメタクリレートに変え
たもの、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラ
ン、１−ビニル−２−ピロリドンなどが挙げられる。本
発明ではこれらのモノマーを１種または２種以上の混合
物としてまたはその他の化合物として使用することがで
きる。
【００１７】溶剤としては、メタノール、エタノール、
イソプロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、ト
ルエン、キシレン、シクロヘキサノンのようなアノン
類、塩化メチレン、３−メトキシブチルアセテート、エ
チレングリコールモノアルキルエーテル類、エチレング
リコールジアルキルエーテル類、ジエチレングリコール
モノアルキルエーテル類、ジエチレングリコールモノア
ルキルエーテルアセテート類、α−もしくはβ−テルピ
ネオールのようなテルペン類などが挙げられる（２種以
上混合してもよい）。
イソプロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、ト
ルエン、キシレン、シクロヘキサノンのようなアノン
類、塩化メチレン、３−メトキシブチルアセテート、エ
チレングリコールモノアルキルエーテル類、エチレング
リコールジアルキルエーテル類、ジエチレングリコール
モノアルキルエーテル類、ジエチレングリコールモノア
ルキルエーテルアセテート類、α−もしくはβ−テルピ
ネオールのようなテルペン類などが挙げられる（２種以
上混合してもよい）。
【００１８】次に、図２（ｂ）に示すように、パターン
形成層１２が対向するようにしてフィルム１１をガラス
基板１３にラミネートした後、図２（ｃ）に示すよう
に、フィルム１１の上から所定のマスクＭを介してパタ
ーン形成層１２を露光する。光源としては、電子線、紫
外線、Ｘ線などの電離放射線が用いられる。これによ
り、パターン形成層１２は未露光部１２ａと露光部１２
ｂに分かれる。感光性ペーストの材料に粘着性（タッキ
ー）がある場合、図示のようにフィルム１１を剥離せず
にそのままマスクを密着して露光するのが有効である。
フィルム１１を剥離せずにそのままマスクＭを密着して
露光すると、酸素の遮断効果により感度の向上（露光時
間の短縮）などの効果もある。
形成層１２が対向するようにしてフィルム１１をガラス
基板１３にラミネートした後、図２（ｃ）に示すよう
に、フィルム１１の上から所定のマスクＭを介してパタ
ーン形成層１２を露光する。光源としては、電子線、紫
外線、Ｘ線などの電離放射線が用いられる。これによ
り、パターン形成層１２は未露光部１２ａと露光部１２
ｂに分かれる。感光性ペーストの材料に粘着性（タッキ
ー）がある場合、図示のようにフィルム１１を剥離せず
にそのままマスクを密着して露光するのが有効である。
フィルム１１を剥離せずにそのままマスクＭを密着して
露光すると、酸素の遮断効果により感度の向上（露光時
間の短縮）などの効果もある。
【００１９】続いて、フィルムを剥離した後、図２
（ｄ）に示すように、パターン形成層１２を現像して未
露光部１２ａを除去する。なお、膜厚を稼ぐ場合には、
パターン形成層を設けたフィルムのラミネート、パター
ン形成層の露光、フィルムの剥離を繰り返した後で一括
して現像することも可能である。そして、最後に基板全
体を焼成して、図２（ｅ）に示すようにパターン形成層
の露光部１２ｂをガラス基板に密着させ、所望の厚膜パ
ターン１４を得る。
（ｄ）に示すように、パターン形成層１２を現像して未
露光部１２ａを除去する。なお、膜厚を稼ぐ場合には、
パターン形成層を設けたフィルムのラミネート、パター
ン形成層の露光、フィルムの剥離を繰り返した後で一括
して現像することも可能である。そして、最後に基板全
体を焼成して、図２（ｅ）に示すようにパターン形成層
の露光部１２ｂをガラス基板に密着させ、所望の厚膜パ
ターン１４を得る。
【００２０】なお、感光性ペーストの材料によってはパ
ターン形成層１２に粘着性がない場合、フィルム１１を
剥離してから露光するようにしてもよい。この場合、パ
ターン形成層を設けたフィルムのラミネート、フィルム
の剥離、パターン形成層の露光を繰り返した後で一括し
て現像することも可能である。
ターン形成層１２に粘着性がない場合、フィルム１１を
剥離してから露光するようにしてもよい。この場合、パ
ターン形成層を設けたフィルムのラミネート、フィルム
の剥離、パターン形成層の露光を繰り返した後で一括し
て現像することも可能である。
【００２１】上記した第１のタイプ及び第２のタイプの
厚膜パターン形成方法によれば、プラズマディスプレイ
パネルの構成要素である電極や障壁などの微細パターン
のみならず、下地層や誘電体層を形成することもでき
る。例えば、下地層はガラス基板に直接設けられるもの
であるが、ガラス基板全面ではなく、周縁に若干の隙間
とアライメントマーク部を除いたパターンで形成され
る。また、誘電体層は下地層の上に形成された電極を覆
うように設けられるが、周縁に電極の端子接続部を残し
たパターンで形成される。したがって、このパターニン
グに本発明の厚膜パターン形成方法を利用することがで
きる。なお、下地層を形成する場合、アライメントマー
クを同時に形成してもよい。
厚膜パターン形成方法によれば、プラズマディスプレイ
パネルの構成要素である電極や障壁などの微細パターン
のみならず、下地層や誘電体層を形成することもでき
る。例えば、下地層はガラス基板に直接設けられるもの
であるが、ガラス基板全面ではなく、周縁に若干の隙間
とアライメントマーク部を除いたパターンで形成され
る。また、誘電体層は下地層の上に形成された電極を覆
うように設けられるが、周縁に電極の端子接続部を残し
たパターンで形成される。したがって、このパターニン
グに本発明の厚膜パターン形成方法を利用することがで
きる。なお、下地層を形成する場合、アライメントマー
クを同時に形成してもよい。
【００２２】
（実施例１）ＰｂＯ、ＳｉＯ2 及びＢ2 Ｏ3 を主成分と
する無アルカリのガラスフリット６５重量部、Ａｌ2 Ｏ
3 １１重量部、ＣｕＯ４重量部、東邦化学製「フォスフ
ェノールＲＳ７１０」１重量部、酸価１００ｍｇＫＯＨ
／ｇのメチルメタクリレートとメタクリル酸の共重合体
１２重量部、ポリオキシエチル化トリメチロールプロパ
ントリアクリレート６重量部、光開始剤（チバガイギー
社製「イルガキュア３６９」）１重量部からなる感光性
ペーストをポリエチレンテレフタレートフィルム上にコ
ートして乾燥させた。このフィルムをガラス基板に９０
℃にてラミネートした後、所定のパターンを介して紫外
線で露光してからフィルムを剥離した。そして、０．２
％炭酸ナトリウム水溶液で現像し、６００℃にて焼成し
て、厚さ１０μｍの下地を所定のパターンで形成した。
する無アルカリのガラスフリット６５重量部、Ａｌ2 Ｏ
3 １１重量部、ＣｕＯ４重量部、東邦化学製「フォスフ
ェノールＲＳ７１０」１重量部、酸価１００ｍｇＫＯＨ
／ｇのメチルメタクリレートとメタクリル酸の共重合体
１２重量部、ポリオキシエチル化トリメチロールプロパ
ントリアクリレート６重量部、光開始剤（チバガイギー
社製「イルガキュア３６９」）１重量部からなる感光性
ペーストをポリエチレンテレフタレートフィルム上にコ
ートして乾燥させた。このフィルムをガラス基板に９０
℃にてラミネートした後、所定のパターンを介して紫外
線で露光してからフィルムを剥離した。そして、０．２
％炭酸ナトリウム水溶液で現像し、６００℃にて焼成し
て、厚さ１０μｍの下地を所定のパターンで形成した。
【００２３】（実施例２）酸価１００ｍｇＫＯＨ／ｇの
エチルメタクリレートとメタクリル酸からなるバインダ
ーポリマー１００重量部、ポリオキシエチル化トリメチ
ロールプロパントリアクリレート６０重量部、光開始剤
（チバガイギー社製「イルガキュア９０７」）１０重量
部からなる感光性樹脂成分２０重量部と、銀粉１００重
量部と、軟化点５５０℃のガラスフリット５重量部と、
３−メトキシブチルアセテート２０重量部からなる感光
性ペーストをポリエチレンテレフタレートフィルム上に
コートして乾燥させた後、ガラス基板上に９０℃でラミ
ネートした。そして、所定のマスクを介して紫外線を照
射し、フィルムを剥離した後、０．５％炭酸ナトリウム
水溶液で現像してから、６００℃にて焼成して、厚さ１
０μｍ、幅７０μｍの電極パターンを形成し、ＰＤＰ用
のアドレス電極とした。
エチルメタクリレートとメタクリル酸からなるバインダ
ーポリマー１００重量部、ポリオキシエチル化トリメチ
ロールプロパントリアクリレート６０重量部、光開始剤
（チバガイギー社製「イルガキュア９０７」）１０重量
部からなる感光性樹脂成分２０重量部と、銀粉１００重
量部と、軟化点５５０℃のガラスフリット５重量部と、
３−メトキシブチルアセテート２０重量部からなる感光
性ペーストをポリエチレンテレフタレートフィルム上に
コートして乾燥させた後、ガラス基板上に９０℃でラミ
ネートした。そして、所定のマスクを介して紫外線を照
射し、フィルムを剥離した後、０．５％炭酸ナトリウム
水溶液で現像してから、６００℃にて焼成して、厚さ１
０μｍ、幅７０μｍの電極パターンを形成し、ＰＤＰ用
のアドレス電極とした。
【００２４】（実施例３）酸価９０ｍｇＫＯＨ／ｇのメ
チルメタクリレートとメタクリル酸からなるコポリマー
にグリシジルメタクリレートを７ｍｏｌ％付加したバイ
ンダーポリマー１００重量部、ポリオキシエチル化トリ
メチロールプロパントリアクリレート６０重量部、光開
始剤（チバガイギー社製「イルガキュア３６９」）１０
重量部からなる感光性樹脂成分２０重量部と、銀粉１０
０重量部と、軟化点４８０℃のガラスフリット５重量部
と、プロピレングリコールモノメチルエーテル２０重量
部からなる感光性ペーストをポリエチレンテレフタレー
トフィルム上にコートして乾燥させた後、下地層を形成
してあるガラス基板上に９０℃でラミネートした。ポリ
エチレンテレフタレートフィルムを剥離した後、所定の
マスクを介して紫外線を照射し、フィルムを剥離してか
ら、０．５％炭酸ナトリウム水溶液で現像し、５８０℃
にて焼成して、厚さ７μｍ、幅７０μｍの電極パターン
を形成し、ＰＤＰ用のアドレス電極とした。
チルメタクリレートとメタクリル酸からなるコポリマー
にグリシジルメタクリレートを７ｍｏｌ％付加したバイ
ンダーポリマー１００重量部、ポリオキシエチル化トリ
メチロールプロパントリアクリレート６０重量部、光開
始剤（チバガイギー社製「イルガキュア３６９」）１０
重量部からなる感光性樹脂成分２０重量部と、銀粉１０
０重量部と、軟化点４８０℃のガラスフリット５重量部
と、プロピレングリコールモノメチルエーテル２０重量
部からなる感光性ペーストをポリエチレンテレフタレー
トフィルム上にコートして乾燥させた後、下地層を形成
してあるガラス基板上に９０℃でラミネートした。ポリ
エチレンテレフタレートフィルムを剥離した後、所定の
マスクを介して紫外線を照射し、フィルムを剥離してか
ら、０．５％炭酸ナトリウム水溶液で現像し、５８０℃
にて焼成して、厚さ７μｍ、幅７０μｍの電極パターン
を形成し、ＰＤＰ用のアドレス電極とした。
【００２５】（実施例４）酸価１２０ｍｇＫＯＨ／ｇの
α−メチルスチレンとアクリル酸からなるバインダーポ
リマー１００重量部、ポリオキシエチル化トリメチロー
ルプロパントリアクリレート８０重量部、２−ヒドロキ
シエチルメタクリレート２０重量部、光開始剤（チバガ
イギー社製「イルガキュア３６９」）１０重量部からな
る感光性樹脂成分１８重量部と、東邦化学製「フォスフ
ェノールＲＳ４１０」１重量部と、軟化点５５０℃のガ
ラスフリット７０重量部と、アルミナ粉体１５重量部
と、黒色顔料１５重量部と、イソプロパノール１０重量
部と、メチルエチルケトン１０重量部からなる感光性ペ
ーストをポリエチレンテレフタレートフィルム上にコー
トして乾燥させた。このフィルムを所定の下地と電極を
形成してあるガラス基板に９０℃にてラミネートした
後、所定のパターンを介して紫外線で露光してからフィ
ルムを剥離した。この工程を３回繰り返した後、１％炭
酸ナトリウム水溶液にて現像してから、５７０℃にて焼
成して、厚さ１２０μｍ、幅７０μｍのＡＣ型ＰＤＰ用
の障壁を形成した。
α−メチルスチレンとアクリル酸からなるバインダーポ
リマー１００重量部、ポリオキシエチル化トリメチロー
ルプロパントリアクリレート８０重量部、２−ヒドロキ
シエチルメタクリレート２０重量部、光開始剤（チバガ
イギー社製「イルガキュア３６９」）１０重量部からな
る感光性樹脂成分１８重量部と、東邦化学製「フォスフ
ェノールＲＳ４１０」１重量部と、軟化点５５０℃のガ
ラスフリット７０重量部と、アルミナ粉体１５重量部
と、黒色顔料１５重量部と、イソプロパノール１０重量
部と、メチルエチルケトン１０重量部からなる感光性ペ
ーストをポリエチレンテレフタレートフィルム上にコー
トして乾燥させた。このフィルムを所定の下地と電極を
形成してあるガラス基板に９０℃にてラミネートした
後、所定のパターンを介して紫外線で露光してからフィ
ルムを剥離した。この工程を３回繰り返した後、１％炭
酸ナトリウム水溶液にて現像してから、５７０℃にて焼
成して、厚さ１２０μｍ、幅７０μｍのＡＣ型ＰＤＰ用
の障壁を形成した。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の厚膜パタ
ーン形成方法は、フィルム上に感光性ペーストを塗布し
てパターン形成層を形成し、このパターン形成層を基板
上に位置させて露光するため、工程の簡略化が図れると
ともに、膜厚の均一性が良好なパターンを形成すること
ができる。
ーン形成方法は、フィルム上に感光性ペーストを塗布し
てパターン形成層を形成し、このパターン形成層を基板
上に位置させて露光するため、工程の簡略化が図れると
ともに、膜厚の均一性が良好なパターンを形成すること
ができる。
【図１】ＡＣ型プラズマディスプレイパネルの一構成例
を絶縁体と背面板を離した状態で示す斜視図である。
を絶縁体と背面板を離した状態で示す斜視図である。
【図２】本発明に係る厚膜パターン形成方法の一例を示
す工程図である。
す工程図である。
１１ フィルム １２ パターン形成層 １２ａ 未露光部 １２ｂ 露光部 １３ ガラス基板 １４ パターン
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも次の工程を含むことを特徴と
する厚膜パターン形成方法。 （１）感光性ペーストを予めフィルムに塗布して当該フ
ィルム上にパターン形成層を形成する第１工程。 （２）前記フィルムをそのパターン形成層側が対向する
ようにしてガラス基板にラミネートする第２工程。 （３）前記フィルムの上から所定のマスクを介して前記
パターン形成層を露光する第３工程。 （４）前記フィルムを剥離した後、前記パターン形成層
を現像して未露光部を除去する第４工程。 （５）基板全体を焼成してパターン形成層の露光部をガ
ラス基板に密着させる第５工程。 - 【請求項２】 少なくとも次の工程を含むことを特徴と
する厚膜パターン形成方法。 （１）感光性ペーストを予めフィルムに塗布して当該フ
ィルム上にパターン形成層を形成する第１工程。 （２）前記フィルムをそのパターン形成層側が対向する
ようにしてガラス基板にラミネートする第２工程。 （３）前記フィルムを剥離した後、所定のマスクを介し
て前記パターン形成層を露光する第３工程。 （４）前記パターン形成層を現像して未露光部を除去す
る第４工程。 （５）基板全体を焼成してパターン形成層の露光部をガ
ラス基板に密着させる第５工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4509997A JPH1055758A (ja) | 1996-06-03 | 1997-02-28 | 厚膜パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14004496 | 1996-06-03 | ||
| JP8-140044 | 1996-06-03 | ||
| JP4509997A JPH1055758A (ja) | 1996-06-03 | 1997-02-28 | 厚膜パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1055758A true JPH1055758A (ja) | 1998-02-24 |
Family
ID=26385056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4509997A Pending JPH1055758A (ja) | 1996-06-03 | 1997-02-28 | 厚膜パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1055758A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2824420A1 (fr) * | 2001-05-01 | 2002-11-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Procede de preparation d'un panneau d'affichage a plasma |
| WO2004107049A1 (en) * | 2003-05-28 | 2004-12-09 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Composition for dielectric of plasma display panel, laminate for dielectric, and method for forming the dielectric |
| KR100719016B1 (ko) * | 2003-08-15 | 2007-05-16 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 광투과 전자기 차폐부 제조용 감광성 후막 페이스트 재료,이를 사용하여 제조된 광투과 전자기 차폐부 및 그의 제조방법 |
| US7554270B2 (en) | 2004-05-17 | 2009-06-30 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Composition for dielectric of plasma display panel, laminate for dielectric, and method for forming the dielectric |
| JP2012513624A (ja) * | 2008-12-23 | 2012-06-14 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 感光性ペーストおよびそれを用いたパターン生産方法 |
-
1997
- 1997-02-28 JP JP4509997A patent/JPH1055758A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2824420A1 (fr) * | 2001-05-01 | 2002-11-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Procede de preparation d'un panneau d'affichage a plasma |
| US6916222B2 (en) | 2001-05-01 | 2005-07-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Process of making barrier ribs, electrodes, and the like for a plasma panel |
| WO2004107049A1 (en) * | 2003-05-28 | 2004-12-09 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Composition for dielectric of plasma display panel, laminate for dielectric, and method for forming the dielectric |
| KR100719016B1 (ko) * | 2003-08-15 | 2007-05-16 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 광투과 전자기 차폐부 제조용 감광성 후막 페이스트 재료,이를 사용하여 제조된 광투과 전자기 차폐부 및 그의 제조방법 |
| US7554270B2 (en) | 2004-05-17 | 2009-06-30 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Composition for dielectric of plasma display panel, laminate for dielectric, and method for forming the dielectric |
| JP2012513624A (ja) * | 2008-12-23 | 2012-06-14 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 感光性ペーストおよびそれを用いたパターン生産方法 |
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