JPH10505989A - 低歪差動トランスコンダクタ出力カレントミラー - Google Patents

低歪差動トランスコンダクタ出力カレントミラー

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JPH10505989A JP8526344A JP52634496A JPH10505989A JP H10505989 A JPH10505989 A JP H10505989A JP 8526344 A JP8526344 A JP 8526344A JP 52634496 A JP52634496 A JP 52634496A JP H10505989 A JPH10505989 A JP H10505989A
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Abstract

(57)【要約】 トランスコンダクタに使用するカレントミラーが開示される。本カレントミラーは、入力電流を電圧へ変化させる入力抵抗と、該入力抵抗に関してスケーリングされた値をもった出力抵抗と、該入力電圧及び該出力抵抗を横断しての電圧を検知する増幅器と、該増幅器の出力端へ結合しているゲート及び該出力抵抗へ結合しているソースを具備する出力トランジスタとを有している。このようなカレントミラーは低い歪を有するトランスコンダクタを効果的に提供する。

Description

【発明の詳細な説明】 低歪差動トランスコンダクタ出力カレントミラー発明の背景 本発明はカレントミラーに関するものであって、更に詳細には、トランスコン ダクタ回路に使用する出力カレントミラーに関するものである。 図1に示したような2個のトランジスタを有するカレントミラーを設けること は公知である。このようなカレントミラーにおいては、トランジスタN1はダイ オード接続される。トランジスタN1のゲートはトランジスタN2のゲート及び ドレインへ接続しており、従ってトランジスタN1及びN2の両方において強制 的に同一のゲート対ソース電圧とさせる。トランジスタN1が「飽和」動作モー ドにある場合(即ち、N1のVdsがN1のVgs−Vtより大きく、尚Vdsはドレ イン対ソース電圧であり、Vgsはゲート対ソース電圧であり、且つVtはスレッ シュホールド電圧である)、N1のドレインノードへの電流は理想的にはトラン ジスタのゲート幅の比によってN2のドレインノード内への電流に比例し且つト ランジスタのゲート長に逆比例する。然しながら、スレッシュホールドの不整合 が存在する場合、即ちN1のスレッシュホールド電圧がN2のスレッシュホール ド電圧に等しくない場合には、N2のドレインにお ける入力電流に関してN1のドレイン電流において深刻な歪が発生する。典型的 に、トランジスタN1及びN2の間の1乃至2mVのスレッシュホールドの不整 合は、−60dB以上の歪レベルを発生する場合がある。 カレントミラーは、CMOSにおける線形性が高く、歪が低く、連続時間のト ランスコンダクタの設計において必要とされる。トランスコンダクタは、入力電 圧を受取り且つ出力電流を発生する回路である。その出力電流の大きさは、受取 った入力電圧に比例し、与えられた比の入力電圧変化に対して出力電流が変化す る比は、トランスコンダクタの変換利得、即ち相互コンダクタンス(GM)とし て知られている。差動トランスコンダクタは、2つの入力端子の間に印加される 差動電圧を受取り(同相モード電圧を無視)且つ2つの電流出力端子上に差動電 流を発生する。 当該技術において公知の差動トランスコンダクタ20を図2に示してある。こ の回路のトポロジィは、通常、サーボフィードバックによって線形化されたデジ ェネレイテッドペア(degenerated pair)即ち縮退対として知 られている。差動入力電圧、即ちVL−VRが入力端子22,24上で受取られ、 対応する差動電流が電流出力端子26, 28において発生される。トランスコンダクタ20は、電流源回路30及び入力 回路32,34を有している。電流源回路30は、加算ノード38,39へIO の量の電流を夫々供給する電流源36,37を有している。入力回路32は、入 力電圧端子22へ結合されている非反転入力端と加算ノード38へ結合している 反転入力端とを具備するオペアンプ40を有している。オペアンプ40の出力端 は、本実施例においてはPチャンネルMOSトランジスタとして示してあるトラ ンジスタ42のゲートを駆動する。トランジスタ42は、加算ノード38を電流 出力端子26へ結合している。入力回路34は、入力電圧端子24へ結合してい る非反転入力端子と加算ノード39へ結合している反転入力端子とを具備するオ ペアンプ50を有している。オペアンプ50の出力端は、これもPチャンネルM OSトランジスタとして示してあるトランジスタ52のゲートを駆動する。トラ ンジスタ52は、加算ノード39を電流出力端子28へ結合している。トランス コンダクタ20は、更に、RΩの抵抗を具備する抵抗54を有している。抵抗5 4は、加算ノード38を加算ノード39へ結合している。電流出力端子28,2 9は夫々のカレントミラー56,57へ結合しており、これらのカレントミラー は、カレントミラー電流出力端子58, 59に対して差動電流出力IL′及びIR′を供給する。カレントミラー56,5 7は、夫々のカレントミラーへ供給される電流に対して同一の比を持った出力電 流を供給すべく同様の形態とされている。 この回路の動作は、該トランスコンダクタの左側部分を参照することによって 最も良く理解することが可能である。入力回路32は、加算ノード38の電圧を 入力電圧端子22上で受取られる電圧VLに強制的に追従させる。このことが発 生するのは、オペアンプ40の反転入力端へ結合している加算ノード38の電圧 がオペアンプ40の反転入力端へ結合している電圧VLに追従するようにオペア ンプ40がトランジスタ42のゲートを適宜の電圧へ駆動するからである。同様 に、このトランスコンダクタの右側部分に関して説明すると、入力回路34は、 加算ノード39の電圧を入力電圧端子24上で受取った電圧VRに強制的に追従 させる。このことが発生するのは、オペアンプ50の反転入力端へ結合している 加算ノード39の電圧がオペアンプ50の非反転入力端へ結合している電圧VR に追従するようにオペアンプ50がトランスジスタ52のゲートを適宜の電圧へ 駆動するからである。従って、加算ノード38が入力電圧VLに追従し且つ加算 ノード39が入力電圧VRに追従するので、差動入力電圧VL−VRが抵抗54 を横断して印加され、且つ(VL−VR)/Rの大きさの電流ISを加算ノード3 8から加算ノード39へ流させる。VRがVLよりも大きさが大きい場合には、負 の電流ISが加算ノード38から加算ノード39へ流れ、それは、勿論、加算ノ ード39から加算ノード38へ正の電流が流れることと等価である。 加算ノード38は電流源36から電流I0を受取り且つ加算ノード39へ流れ る電流ISを供給する。従って、トランジスタ42のソースへ供給される正味の 電流はIO−ISであり、それはトランジスタ42を介して電流出力端子26へ供 給される。同様に、加算ノード39は電流源37から電流IOを受取り且つ加算 ノード38から流れる電流ISを受取る。従って、トランジスタ52のソースへ 供給される正味の電流はIO+ISであり、それはトランジスタ52を介して電流 出力端子28へ供給される。電流出力端子26,28は夫々の電流IL及びIRを カレントミラー56,57へ供給し、これらのカレントミラーはカレントミラー 電流出力端子58,59へ出力電流IL′及びIR′を供給する。電流IL′及び IR′は電流IL及びIRに比例している。 このトランスコンダクタにおいては、カレントミラー56,57のトランジス タN2は、該トランジスタのスレッシュホールド電圧+トランジスタN2 のドレインへの電流の平方根及びそのゲート幅及びゲート長に関連した過剰な電 圧に等しいドレイン対ソース電圧を有している。従って、該トランスコンダクタ の電流出力端子において存在するスレッシュホールド電圧はこの形態によって制 限されている。 BiCMOS又はバイポーラ技術を使用して実現されるカレントミラーを使用 するトランスコンダクタにおいては、バイポーラトランジスタの固有のVBE整合 がトランスコンダクタ出力に対して歪を付加することのない高い線形性のカレン トミラーを発生する。然しながら、図1に示したようなCMOS技術を使用して 実現したトランスコンダクタにおいては、トランスコンダクタの出力に位置させ たカレントミラーは歪の発生源となる場合がある。カレントミラーを設計する場 合の1つの挑戦は、カレントミラーにおいて使用する2個のMOS装置間のスレ ッシュホールド電圧Vtの通常の処理変動が低歪トランスコンダクタの設計を妨 げる場合があるということである。発明の要約 第一電圧を供給するために入力電流が通過される入力抵抗と、出力抵抗と、入 力電圧及び出力抵抗を横断しての電圧を検知する増幅器と、該増幅器の出力端へ 結合したゲート及び該出力抵抗へ結合したソースを具備する出力トランジスタと を有するカレント ミラーをトランスコンダクタに設けることによって低歪のトランスコンダクタが 効果的に提供されることが判明した。 更に、該増幅器のフィードバック経路の出力抵抗ストリングにおいて複数個の 抵抗アクセス経路を増幅器に設けることによってプログラム可能なカレントミラ ーを提供することが可能であり、それにより効果的にカレントミラーに起因する 歪を減少させることが可能であることが判明した。これらの分岐はスイッチを使 用して与えられる。増幅器の高入力インピーダンスのためにスイッチを介して電 流が流れることはないので、これらのスイッチはプログラム可能カレントミラー に対してノイズ又は歪を発生させることはない。このようなシステムは固定型又 はプログラム可能な電流分割器又は乗算器のいずれかとして実現することが可能 である。 更に、このようなシステムはサーボフィードバックによって線形化させた縮退 対に基づくトランスコンダクタの入力スイング(振れ)を最大とさせ、即ち、出 力端子に於ける電圧を可及的に低く維持することによってトランスコンダクタが 高い線形性を維持しながら、入力電圧VL又はVRの範囲を最大とさせる。本発明 は、トランスコンダクタの出力端子に於いて存在するスレッシュホールド電圧を 取除いて いる。 更に、このようなシステムは、歪の発生源としてのMOSスレッシュホールド 不整合を効果的に取除いている。更に、このようなシステムは、トランジスタス レッシュホールド不整合が歪に影響を与えることを取除くことによってカレント ミラーの歪を効果的に制御している。更に、このようなシステムは、カレントミ ラーにおけるMOSスレッシュホールド不整合を、トリミングによって回路から 取除くことの可能なオフセットとさせている。図面の簡単な説明 図1は従来技術として示してあり、従来のカレントミラーの概略ブロック図を 示している。 図2は従来技術として示してあり、トランスコンダクタの概略ブロック図を示 している。 図3は本発明に基づくカレントミラーの概略ブロック図を示している。 図4は差動トランスコンダクタ内の図3のカレントミラーの概略ブロック図を 示している。 図5は本発明に基づくプログラム可能カレントミラーの概略ブロック図を示し ている。詳細な説明 以下の説明は、本発明を実施するのに最良のものと考えられる態様の詳細な説 明である。該説明は、 本発明の例示的なものとして意図したものであって制限的なものとして捉えるべ きではない。 図3を参照すると、カレントミラー60の概略ブロック図が示されている。カ レントミラー60は、オペアンプ62、出力電流検知用トランジスタ64、入力 抵抗(R1)66、出力抵抗(R2)68を有している。トランジスタ64のゲ ートはオペアンプ62の出力端へ結合しており、トランジスタ64のドレインは カレントミラー60の出力電流源へ結合しており、且つトランジスタ64のソー スは出力抵抗68へ結合している。 カレントミラー60の動作において、入力電流Iinが入力抵抗R1へ供給され ると共にオペアンプ62の非反転入力端へ供給される。入力抵抗R1を介して通 過する入力電流は抵抗R1を横断して電圧V1を発生する。入力抵抗R1はオペ アンプ62の非反転入力端と接地との間に結合されているので、抵抗R1を横断 しての電圧(V1)はオペアンプ62の非反転入力端に存在する。出力抵抗R2 の上部からオペアンプ62の反転入力端へのフィードバック経路のために、オペ アンプ62の反転入力端に存在する電圧V1はオペアンプ62の反転入力端にお いても強制的に存在され、従って電圧V2として出力抵抗R2の上部に存在され る。即ち、V2は理想的にV1と等 しい。どれほど密接してV2がV1に追従するかは、増幅器62の開ループ利得に 依存する。オペアンプ62は、V2が任意的にV1に近いものとさせることが可能 であるように設計することが可能である。従って、カレントミラー60の出力電 流Ioutは、抵抗寸法R1及びR2の比である。オペアンプ62におけるスレッ シュホールド及びその他の装置の不整合によって形成される入力オフセットはIin とIoutとの間に固定したDCエラーを発生するに過ぎない。スレッシュホー ルド不整合は、個々のトランジスタの処理における小さなランダムの差異によっ て発生される。従って、このエラーはカレントミラーの歪に貢献することはなく 且つトリミングすることによって容易に回路から取除くことが可能である。 カレントミラー60によって発生される可能性のある唯一の残りの歪発生源は オペアンプ62自身に起因するものである。この歪もオペアンプ62の開ループ 利得の設計によって任意的に制御される。負のフィードバック形態における一層 高いループ利得は歪を減少させる。 図4を参照すると、本発明に基づく複数個のカレントミラーを具備する差動ト ランスコンダクタ80の概略ブロック図が示されている。より詳細に説明すると 、カレントミラー60R及びカレントミラー60L が差動トランスコンダクタ80の夫々の出力端子へ結合している。 トランスコンダクタ80によって供給される電流ILはR1L/R2Lの比によ ってスケーリングされておりかつ出力電流IOLとして供給される。トランスコン ダクタ80によって供給される電流IRはR1R/R2Rの比によってスケーリン グされており且つ出力電流IORとして供給される。 より詳細に説明すると、差動入力電圧VL−VRが電圧入力端子82と84との 間において受取られ、且つ対応する差動出力電流が電流出力端子86と68との 間に発生される。電流源回路90は加算ノード96へIOの大きさの電流を供給 する電流源92を有すると共に、更に、加算ノード98へIOの大きさの電流を 供給する電流源94を有している。入力回路100は、電圧入力端子82へ結合 している非反転入力端と第一フィードバックノード110へ結合している反転入 力端とを具備するオペアンプ102(利得ブロックとして機能する)を有してい る。オペアンプ102の出力端は、この実施例においては、PチャンネルMOS トランジスタであるトランジスタ104のゲートを駆動する。トランジスタ10 4は加算ノード96を電流出力端子86へ結合している。第二入力回路120は 、電圧入力端子84へ結合し ている非反転入力端と第二フィードバックノード124へ結合している反転入力 端とを具備するオペアンプ122を有しいる。オペアンプ122の出力端は、こ の実施例においてはPチャンネルMOSトランジスタであるトランジスタ126 のゲートを駆動する。トランジスタ126は加算ノード98を電流出力端子88 へ結合している。 回路130は複数個のスイッチ回路からなるアレイを具備するセレクタ回路を 有しており、且つ加算ノード96を加算ノード98へ結合しており全体的な抵抗 がRΩである抵抗回路を有しており、その抵抗回路は、直列に接続されている抵 抗132,134,136,138,140を有しており、それらの間において 夫々一群の中間ノード142,144,146,148を画定している。これら の中間ノードは、加算ノード96及び98と共に、該抵抗回路の一群のタップノ ードを形成している。 該セレクタ回路は複数個のスイッチ回路からなるアレイを有している。スイッ チ回路150は、論理信号S3によってイネーブル即ち動作可能状態とされると 、加算ノード96をフィードバックノード110へ結合させる。スイッチ回路1 52は、論理信号S2によってイネーブルされると、中間ノード142をフィー ドバックノード110へ結合させ、且つ論理 信号S1によってイネーブルされると、スイッチ回路153は中間ノード144 をフィードバックノード110へ結合させる。同様に、スイッチ回路154は、 論理信号S3によってイネーブルされると、加算ノード98をフィードバックノ ード124へ結合させ、スイッチ回路155は、論理信号S2によってイネーブ ルされると、中間ノード148をフィードバックノード124へ結合させ、且つ スイッチ回路156は、論理信号S1によってイネーブルされると、中間ノード 146をフィードバックノード124へ結合させる。論理信号S1,S2,S3 は、好適には、デジタル制御信号であって、それらは回路の所望の相互コンダク タンスを選択するか、それらはハードワイヤード又はその他の固定した接続形態 とすることも可能である。 この実施例の動作は、最初に、(例えば)論理信号S2が活性状態であり、従 ってスイッチ回路152及び155がイネーブルされ且つ残りのスイッチ回路1 50,153,156,154がディスエーブル即ち動作不能状態であると仮定 することによって最も良く理解することが可能である。中間ノード142がオペ アンプ102の反転入力端へ結合されているフィードバックノード110へ結合 されているので、入力回路100は、フィードバックノード110及 び中間ノード142の電圧を電圧入力端子82上で受取った電圧VLに強制的に 追従させるように機能する。VLがVRよりも一層大きく、従ってISが正である と仮定すると、オペアンプ102は、加算ノード96の電圧がVLよりも一層高 い電圧へ駆動されるように、トランジスタ104のゲートを適宜の電圧へ駆動し 、従ってオペアンプ102の反転入力端へ結合しているフィードバックノード1 10の電圧は入力電圧VLに追従する。オペアンプ102の高入力インピーダン スのために実際上、スイッチ回路64を介してDC電流が流れることはなく、従 って、電圧降下、ノイズ又は歪効果が無視可能な状態で、フィードバックノード 110の電圧は中間ノード142の電圧に追従する。 同様に、右側部分について説明すると、入力回路120は、中間ノード148 の電圧を電圧入力端子84上で受取った電圧VRに強制的に追従させるべく機能 する。従って、フィードバックノード110が入力電圧VLに追従し且つフィー ドバックノード124が入力電圧VRに追従し、且つスイッチ回路152及び1 55を介してDC電流が流れることがない(オペアンプ102及び122の高入 力インピーダンスのため)ので、差動入力電圧VL−VRが抵抗134,136, 138(何故ならば、この説明の場合には、 論理信号S2が活性状態であるから)から構成される実効抵抗Reffを横断して 直接的に発生される。このことは、(VL−VR)/Reffの大きさの電流ISを加 算ノード96から加算ノード98へ流させる。VRがVLよりも大きさが大きい場 合には、負の電流ISが加算ノード96から加算ノード98へ流れ、そのことは 、勿論、正の電流が加算ノード98から加算ノード96へ流れることと等価であ る。 加算ノード96は電流源92から電流IOを受取り且つ加算ノード98へ流れ る電流ISを供給する。従って、トランジスタ104へ供給される正味の電流は IO−ISであり、それはトランジスタ104によって電流出力端子86へ供給さ れる。同様に、加算ノード98は電流源94から電流IOを受取り且つ加算ノー ド96から流れる電流ISを受取る。従ってトランジスタ126へ供給される正 味の電流はIO+ISであり、それはトランジスタ126によって電流出力端子8 8へ供給される。 電流ISの大きさはフィードバックノード110及び124へ結合される選択 されたタップノード間に接続される抵抗によって形成される実効抵抗Reffのみ を横断して印加される入力差動電圧VL−VRによって設定されるが、電流Isは 加算ノード96と98との間に接続されている直列に接続された抵抗 の全てを介して流れる。 IS=(VL−VR)/Reffであるから、より小さな実効抵抗の値によってより 高い変換利得が得られる。従って、この実施例の場合には、最も高い変換利得は S1をイネーブルさせることによって得られて、且つ最も低い変換利得はS3を イネーブルさせことによって得られる。 このプログラム可能なトポロジィは、直列接続した複数個の抵抗からなるスト リングを使用し、該ストリングから2つのノードを選択的に「タップオフ」即ち タップとして取出し且つこれらのノードをオペアンプ102及び122の反転入 力端へ夫々フィードバックさせるために一群のスイッチ回路を設けることによっ て達成される。好適実施例においては、該選択したノードは抵抗136に関し対 称的に配置される。タップを変更することによって、実効抵抗Reffの値が変化 され、その結果相互コンダクタンスGMが変化される(それは1/Reffとして 変化する)。個々のスイッチ回路は、内部又は外部メモリ内に格納されている情 報に基づいて供給されるデジタル制御信号によってイネーブルされる。 トランスコンダクタ80の入力端の動的範囲の下限はカレントミラー60R及 び60Lの夫々の抵抗R1R及びR1Lの上部における電圧によって設定される。 トランスコンダクタ80の入力端の動的範囲は、最大入力電圧及びトランスコ ンダクタ抵抗Rtotalの両方が既知であるので、入力信号スイングを最大とする ように設定することが可能である。より詳細に説明すると、本システムはサーボ フィードバックによって線形化された縮退対に基づいてトランスコンダクタの入 力スイングを最大としており、即ち、出力端子における電圧を可及的に低く維持 することによって、トランスコンダクタが高い線形性を維持しながら入力電圧VL 又はVRの範囲を最大とさせる。 VRLの最大電圧はR1L及びRtotalの値によって制御される。より詳細に説明 すると、VRLの電圧は以下の如くである。 VRL=R1L(IO+(VRmax−VLmin)/Rtotal) 尚、VRmaxはVRに対する最も高い所望電圧であり、且つVLminはVLに対する最 も低い所望電圧である。トランスコンダクタ80の入力の動的範囲を最大とさせ るために、トランジスタ42の設計、即ちそのゲート幅及びゲート長は、入力電 圧VLがVLminに等しい場合に該トランジスタがその飽和動作モードにあるよう に特定される。 図5を参照すると、カレントミラー60′はプログラム可能な出力抵抗を設け ることによってプログラム可能なカレントミラーとして構成することが可 能である。該プログラム可能な出力抵抗は、プログラミングすることによって設 定される可変の出力抵抗を与えるためにMOSスイッチと抵抗の組合わせを使用 して設けられる。 ターンオンされるMOSスイッチはオペアンプ62のフィードバックループ内 に止まるが、カレントミラーのノイズ又は歪に貢献することはない。何故ならば 、オペアンプ62の高入力インピーダンスのためにそのスイッチを介して電流が 流れることはないからである。各スイッチ120(S1,S2,S3)は、NM OS装置をPMOS装置と結合することによって与えられる。各スイッチはNM OS又はPMOSのいずれかの装置で構成することも可能である。 動作についで説明すると、動作されるスイッチ120はカレントミラーの利得 を制御する。より詳細に説明すると、スイッチS1が「オン」であり(即ち、該 トランジスタがそれらのリニア領域において動作しており、従って該スイッチは 短絡を与える)且つスイッチS2及びS3が「オフ」(即ち、該トランジスタは 導通状態になく、従って該スイッチは開回路を与える)であるようにカレントミ ラー60′を制御することによって、次式が得られる。 IOUT=R11/(R01+R02+R03) 一方、スイッチS2がオンであり且つスイッチS1 及びS3がオフであるようにカレントミラー60′を制御することによって、次 式が得られる。 IOUT=R11/(R02+R03) 一方、スイッチS3がオンであり且つスイッチS1及びS2がオフであるように カレントミラー60′を制御することによって、次式が得られる。 IOUT=R1I1/R03 その他の実施例 その他の実施例も以下の請求範囲内のものである。 例えば、好適実施例においては、オペアンプ62はCMOSフォールド型(f olded)カスコード及び二段増幅器のいずれかで実現されているが、これら の増幅器は例えばMOS,CMOS,BiCMOS又はその他のバイポーラ技術 等の任意のその他の従来技術で実現することが可能である。 更に、出力電流検知用トランジスタ64は、カレントミラー60の動作に影響 を与えることなしにバイポーラトランジスタで置換することが可能である。 更に、例えば、カレントミラー60は電流を供給する形態とすることが可能で ある。カレントミラー60の好適実施例は、抵抗が接地へ結合された場合に、電 流をシンク即ち吸込む。相補的な形態は、該抵抗を供給電圧へ接続し且つ電流源 を形成するためにPMOSトランジスタ又はバイポーラトランジス タPNPトランジスタを使用する。 更に、例えば、図5に示したプログラム可能なカレントミラーは3個のスイッ チと3個の抵抗を有しているが、任意の数のスイッチ及び抵抗を設けることが可 能であり、且つ異なる抵抗及びスイッチの結合を設けることも可能であることを 理解すべきである。 本発明においては、トランジスタは第一電流取扱い端子と第二電流取扱い端子 との間の電流の流れを制御する制御端子を具備するものとして概念的に考えるこ とが可能である。制御端子上の適宜の条件が、第一電流取扱い端子から/へ及び 第二電流取扱い端子へ/からの電流の流れを発生させる。バイポーラNPNトラ ンジスタにおいては、第一電流取扱い端子はコレクタであり制御端子はベースで あり、且つ第二電流取扱い端子はエミッタである。ベースへの十分な電流はコレ クタ対エミッタ電流の流れを発生させる。バイポーラPNPトランジスタにおい ては、第一電流取扱い端子はエミッタであり、制御端子はベースであり、且つ第 二電流取扱い端子はコレクタである。ベースから出る電流はエミッタ対コレクタ 電流の流れを発生させる。 MOSトランジスタも、同様に、第一電流取扱い端子と第二電流取扱い端子と の間の電流の流れを制 御する制御端子を具備するものとして概念的に考えることが可能である。MOS トランジスタは、しばしば、ドレインとゲートとソースとを具備するものとして 説明されるが、殆どのこのような装置においては、ドレインとソースとは交換可 能である。何故ならば、該トランジスタのレイアウト及び半導体処理が対称的だ からである(それは、典型的にはバイポーラトランジスタの場合にはそうではな い)。NチャンネルMOSトランジスタの場合には、通常より高い電圧にある電 流取扱い端子が慣習的にドレインと呼ばれる。通常より低い電圧にある電流取扱 い端子は慣習的にソースと呼ばれる。ゲート上の充分な電圧はドレインからソー スへの電流の流れを発生させる。NチャンネルMOS装置方程式において言及さ れるゲート対ソース電圧は、単に、任意の与えられた時間においていずれかの拡 散部(ドレイン又はソース)がより低い電圧を有しているかを言及するに過ぎな い。例えば、双方向CMOS伝達ゲートのNチャンネル装置の「ソース」は、該 伝達ゲートのどちら側がより低い電圧にあるかに依存する。殆どのNチャンネル MOSトランジスタの対称性を反映するために、制御端子はゲートであり、第一 電流取扱い端子は「ドレイン/ソース」と呼ぶことが可能であり、且つ第二電流 取扱い端子は「ソース/ド レイン」と呼ぶことが可能である。このような記述はPチャンネルMOSトラン ジスタの場合にも等しく有効である。何故ならば、ドレイン電圧とソース電圧と の間の極性、及びドレインとソースとの間の電流の流れ方向はこのような用語に よって暗示されるものではないからである。一方、1つの電流取扱い端子は任意 的に「ドレイン」と呼び且つ他方のものを「ソース」と呼ぶことが可能であり、 その場合にはこれら2つのものが区別可能なものではなく交換可能であることの 暗示的理解に基づいている。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,IT,L U,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF ,CG,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE, SN,TD,TG),AP(KE,LS,MW,SD,S Z,UG),UA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD ,RU,TJ,TM),AL,AM,AT,AU,AZ ,BB,BG,BR,BY,CA,CH,CN,CZ, DE,DK,EE,ES,FI,GB,GE,HU,I S,JP,KE,KG,KP,KR,KZ,LK,LR ,LS,LT,LU,LV,MD,MG,MK,MN, MW,MX,NO,NZ,PL,PT,RO,RU,S D,SE,SG,SI,SK,TJ,TM,TT,UA ,UG,UZ,VN

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.トランスコンダクタの出力において使用するカレントミラーにおいて、 前記カレントミラーは入力電流を受取り且つ出力電流源の出力電流を供給するも のであって、 反転及び非反転入力端子及び出力端子を具備するオペアンプが設けられており 、 第一及び第二入力抵抗端子及び第一抵抗値を具備する入力抵抗が設けられてお り、前記第一入力抵抗端子は前記オペアンプの非反転入力端子へ結合しており、 前記第二抵抗端子はある電圧へ結合しており、 第一及び第二出力抵抗端子及び第二抵抗値を具備する出力抵抗が設けられてお り、前記第一出力抵抗端子はフィードバック経路を介して前記オペアンプの反転 入力端子へ結合しており、前記第二出力抵抗端子はある電圧へ結合しており、 第一及び第二電流取扱い端子及び制御端子を具備する出力トランジスタが設け られており、前記制御端子は前記オペアンプの出力端子へ結合しており、前記第 一電流取扱い端子は前記第一出力抵抗端子へ結合しており、且つ前記第二電流取 扱い端子は前記出力電流源へ結合しており、 出力電流に対する入力電流の比が前記第一及び第二抵抗値の比であることを特 徴とするカレントミラー。 2.請求項1において、前記トランジスタが、PチャンネルMOSトランジ スタ、NチャンネルMOSトランジスタ、PNPバイポーラトランジスタ及びN PNバイポーラトランジスタからなるグループから選択したトランジスタを有し ていることを特徴とするカレントミラー。 3.請求項1において、前記電圧が接地であることを特徴とするカレントミ ラー。 4.請求項1において、前記電圧が供給電圧であることを特徴とするカレン トミラー。 5.トランスコンダクタの出力において使用するカレントミラーにおいて、 前記カレントミラーは入力電流を受取り且つ出力電流源における出力電流を供給 するものであって、 第一及び第二入力端子及び出力端子を具備する利得回路が設けられており、 第一及び第二入力抵抗端子及び第一抵抗値を具備する入力抵抗が設けられてお り、前記第一入力抵抗端子は前記利得回路の第一入力端子へ結合しており、前記 第二抵抗端子はある電圧へ結合しており、 第一及び第二出力抵抗端子及び第二抵抗値を具備する出力抵抗が設けられてお り、前記第一出力抵抗端子はフィードバック経路を介して前記利得回路の第二入 力端子へ結合しており、前記第二出力抵抗端 子はある電圧へ結合しており、 第一及び第二電流取扱い端子及び制御端子を具備する出力トランジスタが設け られており、前記制御端子は前記利得回路の出力端子へ結合しており、前記第一 電流取扱い端子は前記第一出力抵抗端子へ結合しており、且つ前記第二電流取扱 い端子は前記出力電流源へ結合しており、 出力電流に対する入力電流の比が前記第一及び第二抵抗値の比であることを特 徴とするカレントミラー。 6.請求項5において、前記トランジスタは、PチャンネルMOSトランジ スタ、NチャンネルMOSトランジスタ、PNPバイポーラトランジスタ及びN PNバイポーラトランジスタからなるグループから選択した1個のトランジスタ を有することを特徴とするカレントミラー。 7.請求項5において、 前記利得回路の第一入力端子が非反転入力端子であり、且つ 前記利得回路の第二入力端子が反転入力端子である、 ことを特徴とするカレントミラー。 8.請求項5において、前記電圧が接地であることを特徴とするカレントミ ラー。 9.請求項5において、前記電圧が供給電圧で あることを特徴とするカレントミラー。 10.プログラム可能カレントミラーにおいて、前記カレントミラーは入力 電流を受取り且つ出力電流源における出力電流を供給するものであって、 反転及び非反転入力端子及び出力端子を具備するオペアンプが設けられており 、 第一及び第二入力抵抗端子及び第一抵抗値を具備する入力抵抗が設けられてお り、前記第一入力抵抗端子は前記オペアンプの非反転入力端子へ結合しており、 前記第二抵抗端子はある電圧へ結合しており、前記入力抵抗は入力抵抗値を具備 しており、 第一及び第二出力抵抗端子及びプログラム可能な第二抵抗値を具備するプログ ラム可能出力抵抗が設けられており、前記第一出力抵抗端子はフィードバック経 路を介して前記オペアンプの反転入力端子へ結合しており、前記第二出力抵抗端 子はある電圧へ結合しており、 第一及び第二電流取扱い端子及び制御端子を具備する出力トランジスタが設け られており、前記制御端子は前記オペアンプの出力端子へ結合しており、前記第 一電流取扱い端子は前記第一出力抵抗端子へ結合しており、且つ前記第二電流取 扱い端子は前記出力電流源へ結合しており、 出力電流に対する入力電流の比は前記プログラム 可能な第二抵抗値に対する前記第一抵抗値の比であることを特徴とするプログラ ム可能カレントミラー。 11.請求項10において、前記プログラム可能出力抵抗が、 第一及び第二の第一出力抵抗端子を具備しており前記第一出力抵抗端子が前記 トランジスタの第二電流取扱い端子へ結合している第一出力抵抗、 第一及び第二の第二出力抵抗端子を具備しており、前記第一の第二出力抵抗端 子が前記第二の第一出力抵抗端子へ結合しており、前記第二の第二出力抵抗端子 が前記電圧へ結合している第二出力抵抗、 第一及び第二スイッチ端子を具備しており、前記第一スイッチ端子が前記第一 の第二出力抵抗端子及び前記第二の第一出力抵抗端子へ結合しており、前記第二 スイッチ端子が前記オペアンプの反転入力端子へ結合している第一スイッチ、 第一及び第二の第二スイッチ端子を具備しており、前記第一の第二スイッチ端 子は前記第一の第一抵抗端子へ結合しており且つ前記第二の第二スイッチ端子は 前記オペアンプの反転入力端子へ結合している第二スイッチ、 を有していることを特徴とするプログラム可能カレントミラー。 12.請求項10において、前記プログラム可 能出力抵抗が、更に、 第一及び第二の第三出力抵抗端子を具備しており、前記第一の第三出力抵抗端 子が前記第二の第二出力抵抗端子へ結合しており、前記第二の第三出力抵抗端子 が前記電圧へ結合している第三出力抵抗、 第一及び第二の第三スイッチ端子を具備しており、前記第一の第三スイッチ端 子が前記第二の第二出力抵抗端子及び前記第一の第三第一出力抵抗端子へ結合し ており、前記第二の第三スイッチ端子が前記オペアンプの反転入力端子へ結合し ている第三スイッチ、 を有することを特徴とするプログラム可能カレントミラー。 13.請求項10において、前記プログラム可能出力抵抗が制御信号によっ て制御されることを特徴とするプログラム可能カレントミラー。 14.第一及び第二電圧入力端子間に印加された差動電圧に応答して第一及 び第二カレントミラー出力端子間に差動電流を発生するトランスコンダクタにお いて、 第一加算ノード及び第二加算ノードの各々へ所定量の電流を供給すべく形態と された電流源回路、 前記第一及び第二加算ノード間に結合された抵抗、 前記第一電圧入力端子へ結合している第一入力端 と第一フィードバックノードへ結合している第二入力端と、出力端とを具備する 第一利得ブロック、 前記第一加算ノードへ結合している第一電流取扱い端子を具備しており、第一 電流出力端子へ結合している第二電流取扱い端子を具備しており、且つ前記第一 利得ブロックの出力端へ結合している制御端子を具備している第一トランジスタ 、 前記第二電圧入力端子へ結合している第一入力端と、第二フィードバックノー ドへ結合している第二入力端と、出力端とを具備する第二利得ブロック、 前記第二加算ノードへ結合している第一電流取扱い端子を具備しており、第二 電流出力端子へ結合している第二電流取扱い端子を具備しており、且つ前記第二 利得ブロックの出力端へ結合している制御端子を具備している第二トランジスタ 、 前記第一電流出力端子へ結合しており且つ前記第一カレントミラー出力端子へ 出力電流を供給する第一カレントミラー、 前記第二電流出力端子へ結合しており且つ前記第二カレントミラー出力端子へ 出力電流を供給する第二カレントミラー、 を有しており、前記第一及び第二カレントミラーの各々が、 第一及び第二入力端子及び出力端子を具備してい る電流利得回路、 第一及び第二入力抵抗端子及び第一抵抗を具備しており、前記第一入力抵抗端 子が前記利得回路の第一入力端子へ結合しており、前記第二抵抗端子がある電圧 へ結合しているカレントミラー入力抵抗、 第一及び第二出力抵抗端子及び第二抵抗を具備しており、前記第一出力抵抗端 子がフィードバック経路を介して前記利得回路の第二入力端子へ結合しており、 前記第二出力抵抗端子がある電圧へ結合しているカレントミラー出力抵抗、 第一及び第二電流取扱い端子及び制御端子を具備しており、前記制御端子が前 記利得回路の出力端子へ結合しており、前記第一電流取扱い端子が前記夫々のカ レントミラー出力端子へ結合しており、且つ前記第二電流取扱い端子が前記第一 出力抵抗端子へ結合しているカレントミラー出力トランジスタ、 を有しており、 前記カレントミラーによって供給される出力電流に対する前記カレントミラー へ供給される入力電流の比は前記第二抵抗に対する前記第一抵抗の比であること を特徴とするトランスコンダクタ。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012132919A (ja) * 2010-12-22 2012-07-12 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives 測定システムおよびこのようなシステムを備えるイメージセンサ
JP2015536520A (ja) * 2012-10-29 2015-12-21 シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッドSilicon Storage Technology, Inc. 検知増幅器用低電圧電流参照発生器

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4594558A (en) * 1985-04-12 1986-06-10 Genrad, Inc. High-switching-speed d.c. amplifier with input-offset current compensation
US5157350A (en) * 1991-10-31 1992-10-20 Harvey Rubens Analog multipliers
US5283483A (en) * 1993-01-27 1994-02-01 Micro Linear Corporation Slimmer circuit technique

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012132919A (ja) * 2010-12-22 2012-07-12 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives 測定システムおよびこのようなシステムを備えるイメージセンサ
JP2015536520A (ja) * 2012-10-29 2015-12-21 シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッドSilicon Storage Technology, Inc. 検知増幅器用低電圧電流参照発生器

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