JP3234293B2 - デジタル利得設定を備えたモノリシック集積差動増幅器 - Google Patents
デジタル利得設定を備えたモノリシック集積差動増幅器Info
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45475—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using IC blocks as the active amplifying circuit
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- H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
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- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/001—Digital control of analog signals
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G9/00—Combinations of two or more types of control, e.g. gain control and tone control
- H03G9/02—Combinations of two or more types of control, e.g. gain control and tone control in untuned amplifiers
-
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- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45616—Indexing scheme relating to differential amplifiers the IC comprising more than one switch, which are not cross coupled
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、デジタル的に制御され
た利得設定を有するモノリシック集積差動増幅器に関す
る。
た利得設定を有するモノリシック集積差動増幅器に関す
る。
【0002】
【従来の技術】デジタル利得設定を有するモノリシック
集積増幅器はアナログ信号のデジタル的に制御された制
御段に使用される。アナログ信号がアナログデジタルコ
ンバ−タによりデジタル化され、振幅が広く変化すると
き、利得制御は特に重要である。利得制御なしではデジ
タル信号分解能は小さい振幅で非常に減少される。
集積増幅器はアナログ信号のデジタル的に制御された制
御段に使用される。アナログ信号がアナログデジタルコ
ンバ−タによりデジタル化され、振幅が広く変化すると
き、利得制御は特に重要である。利得制御なしではデジ
タル信号分解能は小さい振幅で非常に減少される。
【0003】デジタル化の利点は制御回路がデジタル回
路として構成されているとき振幅制御回路に有益であ
る。制御システムの実体は本発明によるデジタル利得設
定を有するアナログ差動増幅器である。
路として構成されているとき振幅制御回路に有益であ
る。制御システムの実体は本発明によるデジタル利得設
定を有するアナログ差動増幅器である。
【0004】デ−タ入力により、利得または損失量を切
替えられるモノリシック集積回路は“IEE Journal of S
olid-State Circuits ”Vol.sc-22,No.6(1987年12月)
1082〜1089頁の“A Programmable Gain /Loss Circuit
”と題する論文に詳細に記載されている。CMOS技
術で構成されている回路は演算増幅器および抵抗の連鎖
により形成される抵抗フィ−ドバック回路網を含んでお
り、この抵抗の連鎖の分岐点はnから1を選択するスイ
ッチ(マルチプレクサ)によって増幅器の反転入力にそ
れぞれ接続される。入力抵抗とフィ−ドバック抵抗との
比、すなわち利得設定は選択された分岐点によって決定
される。
替えられるモノリシック集積回路は“IEE Journal of S
olid-State Circuits ”Vol.sc-22,No.6(1987年12月)
1082〜1089頁の“A Programmable Gain /Loss Circuit
”と題する論文に詳細に記載されている。CMOS技
術で構成されている回路は演算増幅器および抵抗の連鎖
により形成される抵抗フィ−ドバック回路網を含んでお
り、この抵抗の連鎖の分岐点はnから1を選択するスイ
ッチ(マルチプレクサ)によって増幅器の反転入力にそ
れぞれ接続される。入力抵抗とフィ−ドバック抵抗との
比、すなわち利得設定は選択された分岐点によって決定
される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来技術の装置に1つ
の欠点は、完全に負のフィ−ドバックという一般的に最
も望ましくない場合に、利得帯域幅積は演算増幅器によ
り固定されることである。このことは他のあらゆる利得
に対して帯域幅を減少させる。利得が高く調節されるほ
ど得られる帯域幅は狭くなる。
の欠点は、完全に負のフィ−ドバックという一般的に最
も望ましくない場合に、利得帯域幅積は演算増幅器によ
り固定されることである。このことは他のあらゆる利得
に対して帯域幅を減少させる。利得が高く調節されるほ
ど得られる帯域幅は狭くなる。
【0006】本発明の目的は、利得が広範囲に渡って調
節可能であり、固定された利得帯域幅積により帯域幅が
制限される欠点をもたないモノリシック集積回路を提供
することである。
節可能であり、固定された利得帯域幅積により帯域幅が
制限される欠点をもたないモノリシック集積回路を提供
することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】この目的は、出力が適応
増幅器の反転入力に結合されている第1のマルチプレク
サの入力に接続されている分岐点を有する第1の抵抗連
鎖と、出力が適応増幅器の非反転入力に接続されている
並列制御される第2のマルチプレクサの入力に接続され
ている分岐点を有する第2の抵抗連鎖とを具備し、第1
および第2の抵抗連鎖の入力は差動増幅器の反転入力と
非反転入力をそれぞれ形成し、第1および第2の抵抗連
鎖の出力は適応増幅器の出力端子と、基準電位端子とに
それぞれ接続されており、第1および第2のマルチプレ
クサの制御入力および適応増幅器の制御入力はデ−タバ
スに接続されており、適応増幅器は供給されたデ−タ信
号により階段的に利得帯域幅積を切替える装置を具備し
ていることを特徴とするモノリシック集積差動増幅器に
よって達成される。
増幅器の反転入力に結合されている第1のマルチプレク
サの入力に接続されている分岐点を有する第1の抵抗連
鎖と、出力が適応増幅器の非反転入力に接続されている
並列制御される第2のマルチプレクサの入力に接続され
ている分岐点を有する第2の抵抗連鎖とを具備し、第1
および第2の抵抗連鎖の入力は差動増幅器の反転入力と
非反転入力をそれぞれ形成し、第1および第2の抵抗連
鎖の出力は適応増幅器の出力端子と、基準電位端子とに
それぞれ接続されており、第1および第2のマルチプレ
クサの制御入力および適応増幅器の制御入力はデ−タバ
スに接続されており、適応増幅器は供給されたデ−タ信
号により階段的に利得帯域幅積を切替える装置を具備し
ていることを特徴とするモノリシック集積差動増幅器に
よって達成される。
【0008】本発明の根本的な考えは演算増幅器の利得
帯域幅積を利得設定に適応させて階段的に切替え可能に
することである。この適応は各利得幅に設定された利得
帯域幅積の単なるデジタル割当てにより行われ、各利得
幅はマルチプレクサに対するデジタル制御信号によって
規定される。利得帯域幅積の調節は微細な利得調節では
なく非常に粗くすることができる。
帯域幅積を利得設定に適応させて階段的に切替え可能に
することである。この適応は各利得幅に設定された利得
帯域幅積の単なるデジタル割当てにより行われ、各利得
幅はマルチプレクサに対するデジタル制御信号によって
規定される。利得帯域幅積の調節は微細な利得調節では
なく非常に粗くすることができる。
【0009】本発明のその他の利点は図面を参照にして
さらに詳細に説明される。
さらに詳細に説明される。
【0010】
【実施例】図1のブロック図の構造はデ−タバスbのデ
−タ信号がnから1を選択するスイッチ(=第1、第2
のマルチプレクサ)m1 、m2 のみならず適応増幅器a
vのデ−タ入力にも供給される点で、従来技術と異なっ
ている。適応増幅器の出力端子oに第1の抵抗連鎖R1
が接続されており、その他方の端部は反転入力inを形
成する。分岐点を有する第2の抵抗連鎖R2 はその1端
部が非反転入力ipに接続されており、他方の端部は固
定した基準電位端子に接続されている。
−タ信号がnから1を選択するスイッチ(=第1、第2
のマルチプレクサ)m1 、m2 のみならず適応増幅器a
vのデ−タ入力にも供給される点で、従来技術と異なっ
ている。適応増幅器の出力端子oに第1の抵抗連鎖R1
が接続されており、その他方の端部は反転入力inを形
成する。分岐点を有する第2の抵抗連鎖R2 はその1端
部が非反転入力ipに接続されており、他方の端部は固
定した基準電位端子に接続されている。
【0011】各抵抗素子r1 、r2.1 、r2.2 …r3 の
間の各分岐点は第1のマルチプレクサm1 の入力1 …5
の1つに接続される。同様に抵抗素子r4 、r5.1 、r
5.2、…、r6 の間の各分岐点は第2のマルチプレクサ
m2 の入力1 …5 の1つに接続される。第1、第2のマ
ルチプレクサの出力は適応増幅器avの反転入力in
´、非反転入力ip´にそれぞれ結合されている。
間の各分岐点は第1のマルチプレクサm1 の入力1 …5
の1つに接続される。同様に抵抗素子r4 、r5.1 、r
5.2、…、r6 の間の各分岐点は第2のマルチプレクサ
m2 の入力1 …5 の1つに接続される。第1、第2のマ
ルチプレクサの出力は適応増幅器avの反転入力in
´、非反転入力ip´にそれぞれ結合されている。
【0012】デジタル振幅制御回路(図示せず)の一部
を形成する制御器stはデ−タバスbに所望される利得
に応じて2つのマルチプレクサをスイッチするデ−タ信
号を供給する。示された例ではスイッチ4は閉じられ、
その他の全てのスイッチは開いている。従って、抵抗素
子r2.3 とr2.4 の間の分岐点は反転入力in´に接続
され、抵抗素子r5.3 とr5.4 の間の分岐点は非反転入
力ip´に接続される。このことは2つの信号路におけ
るフィ−ドバック抵抗と入力抵抗との比を決定する。
を形成する制御器stはデ−タバスbに所望される利得
に応じて2つのマルチプレクサをスイッチするデ−タ信
号を供給する。示された例ではスイッチ4は閉じられ、
その他の全てのスイッチは開いている。従って、抵抗素
子r2.3 とr2.4 の間の分岐点は反転入力in´に接続
され、抵抗素子r5.3 とr5.4 の間の分岐点は非反転入
力ip´に接続される。このことは2つの信号路におけ
るフィ−ドバック抵抗と入力抵抗との比を決定する。
【0013】デ−タバスbのデ−タと共に、適応増幅器
avはまた利得帯域幅積を切替えるために必要な制御信
号kを供給される。
avはまた利得帯域幅積を切替えるために必要な制御信
号kを供給される。
【0014】適応増幅器avの異なった周波数特性曲線
は図2の2重対数表示で図式的に示されている。横軸は
周波数(=f)を示し、縦軸は利得(=a)を示してい
る。曲線k3は完全に周波数補償された利得の20dB
/デケード損失を示している。利得が増加するほど帯域
幅は減少する。最大限の負帰還a=0dBで、周波数f1
に到達し、利得a1で帯域幅は周波数f4に減少する。周
波数特性曲線k2は増加した利得帯域幅積を有する適応
増幅器avを示している。ここでは、得られる帯域幅は
利得a1、a2、a3で広くされる。最大限の負帰還は、
この周波数において示される周波数減少の幅が20dB
/デケードより大きいため不可能である。
は図2の2重対数表示で図式的に示されている。横軸は
周波数(=f)を示し、縦軸は利得(=a)を示してい
る。曲線k3は完全に周波数補償された利得の20dB
/デケード損失を示している。利得が増加するほど帯域
幅は減少する。最大限の負帰還a=0dBで、周波数f1
に到達し、利得a1で帯域幅は周波数f4に減少する。周
波数特性曲線k2は増加した利得帯域幅積を有する適応
増幅器avを示している。ここでは、得られる帯域幅は
利得a1、a2、a3で広くされる。最大限の負帰還は、
この周波数において示される周波数減少の幅が20dB
/デケードより大きいため不可能である。
【0015】周波数特性曲線k1 、k0 では、得られる
帯域幅はさらに大きいが利得の設定はそれぞれa2 、a
1 より少ない値ではない必要がある。
帯域幅はさらに大きいが利得の設定はそれぞれa2 、a
1 より少ない値ではない必要がある。
【0016】適応増幅器avの異なった利得帯域幅積の
設定は図3から容易に明白であり、この図ではCMOS
技術における適応増幅器の回路の1部分の好ましい実施
例を示している。入力段は第1の相互コンダクタンス増
幅器tvからなり、この増幅器の差動段はpチャンネル
トランジスタの対t1 、t2 により形成され、t1 、t
2 の互いに接続されたソ−ス端子は第1のソ−ス電流i
tを第1の電流源qtから供給される。トランジスタt
1 、t2 のゲ−ト端子は適応増幅器avの非反転入力お
よび反転入力ip´、in´をそれぞれ形成する。入力
接続は長い接続導線として設計される。それは、図3で
は例として単一に示されているが通常は複数の並列段p
の入力段がこれらの導線に接続される必要があるからで
ある。
設定は図3から容易に明白であり、この図ではCMOS
技術における適応増幅器の回路の1部分の好ましい実施
例を示している。入力段は第1の相互コンダクタンス増
幅器tvからなり、この増幅器の差動段はpチャンネル
トランジスタの対t1 、t2 により形成され、t1 、t
2 の互いに接続されたソ−ス端子は第1のソ−ス電流i
tを第1の電流源qtから供給される。トランジスタt
1 、t2 のゲ−ト端子は適応増幅器avの非反転入力お
よび反転入力ip´、in´をそれぞれ形成する。入力
接続は長い接続導線として設計される。それは、図3で
は例として単一に示されているが通常は複数の並列段p
の入力段がこれらの導線に接続される必要があるからで
ある。
【0017】第1の相互コンダクタンス増幅器tvで
は、トランジスタt2のドレイン電流はトランジスタt
4、t3からなるnチャンネル電流ミラーの入力へ供給
される。この電流ミラーの出力およびトランジスタt1
のドレイン端子は第1のノードp1を形成する。第2のノ
ードp2はトランジスタt2、t4のドレイン端子の接
合点である。第1および第2のノードpl、p2は第
1、第2の電流導体s1、s2にそれぞれ接続されてお
り、これらの電流導体は付勢された並列段pから2つの
ノードにドレイン電流を付加的に供給する。第1のノー
ドplは第1の相互コンダクタンス増幅器tvの出力を
代表し、第2の相互コンダクタンス増幅器toの入力に
結合され、この第2の相互コンダクタンス増幅器toは
プッシュプル出力駆動段として動作し、出力端子oに接
続される。有益なAB級プッシュプルCMOS出力段は
例えば、前述の論文”IEE Journal of Solid-State
Circuits”Vol.sc−22,No.6(1987年12
月)1082〜1089頁に記載されている。特に、有
益な実施例は欧州特許出願90 11 0765.6(=
ITT case U.Theus13)に記載されている。
は、トランジスタt2のドレイン電流はトランジスタt
4、t3からなるnチャンネル電流ミラーの入力へ供給
される。この電流ミラーの出力およびトランジスタt1
のドレイン端子は第1のノードp1を形成する。第2のノ
ードp2はトランジスタt2、t4のドレイン端子の接
合点である。第1および第2のノードpl、p2は第
1、第2の電流導体s1、s2にそれぞれ接続されてお
り、これらの電流導体は付勢された並列段pから2つの
ノードにドレイン電流を付加的に供給する。第1のノー
ドplは第1の相互コンダクタンス増幅器tvの出力を
代表し、第2の相互コンダクタンス増幅器toの入力に
結合され、この第2の相互コンダクタンス増幅器toは
プッシュプル出力駆動段として動作し、出力端子oに接
続される。有益なAB級プッシュプルCMOS出力段は
例えば、前述の論文”IEE Journal of Solid-State
Circuits”Vol.sc−22,No.6(1987年12
月)1082〜1089頁に記載されている。特に、有
益な実施例は欧州特許出願90 11 0765.6(=
ITT case U.Theus13)に記載されている。
【0018】出力端子oと第1のノードplの間にキャ
パシタcと直列の抵抗rからなる負帰還ネットワークが
接続されている。この負帰還ネットワークr、cは、利
得0dBに下がる負のフィードバックが与えられると、
第1、第2の相互コンダクタンス増幅器と共同して開い
たループ利得の20dB/デケード周波減少を生じさせ
る。関連する利得帯域幅積はチャンネル幅(=Wt)と
チャンネル長(=Lt)と共に本質的な量として積に入
る第1のソース電流itおよび差動段tl、t2の相互
コンダクタンスの値から得られる。
パシタcと直列の抵抗rからなる負帰還ネットワークが
接続されている。この負帰還ネットワークr、cは、利
得0dBに下がる負のフィードバックが与えられると、
第1、第2の相互コンダクタンス増幅器と共同して開い
たループ利得の20dB/デケード周波減少を生じさせ
る。関連する利得帯域幅積はチャンネル幅(=Wt)と
チャンネル長(=Lt)と共に本質的な量として積に入
る第1のソース電流itおよび差動段tl、t2の相互
コンダクタンスの値から得られる。
【0019】第1の相互コンダクタンス増幅器tvの相
互コンダクタンスはチャンネル幅Wtと第1のソ−ス電
流itを同一の割合で増加または減少することにより変
化される。このことは並列段pにより可能にされ、これ
はPチャンネルトランジスタt6 、t7 を差動段のpチ
ャンネルトランジスタt1 、t2 と並列に接続する並列
段pによって可能にされ、トランジスタt6 、t7 はで
きる限りt1 、t2 に一致され、第1のソ−ス電流it
と第2のソ−ス電流iqの比はWtとWp(=トランジ
スタt6 、t7 のチャンネル幅)の比に等しい。第2の
ソ−ス電流iqはpチャンネルトランジスタt6 、t7
の互いに接続されたソ−ス端子をそれぞれの並列段p中
で供給する。同一性を維持するため、Lt とLp (トラ
ンジスタt6 、t7 のチャンネル長)は互いに等しい。
互コンダクタンスはチャンネル幅Wtと第1のソ−ス電
流itを同一の割合で増加または減少することにより変
化される。このことは並列段pにより可能にされ、これ
はPチャンネルトランジスタt6 、t7 を差動段のpチ
ャンネルトランジスタt1 、t2 と並列に接続する並列
段pによって可能にされ、トランジスタt6 、t7 はで
きる限りt1 、t2 に一致され、第1のソ−ス電流it
と第2のソ−ス電流iqの比はWtとWp(=トランジ
スタt6 、t7 のチャンネル幅)の比に等しい。第2の
ソ−ス電流iqはpチャンネルトランジスタt6 、t7
の互いに接続されたソ−ス端子をそれぞれの並列段p中
で供給する。同一性を維持するため、Lt とLp (トラ
ンジスタt6 、t7 のチャンネル長)は互いに等しい。
【0020】pチャンネルトランジスタt6 、t7 のゲ
−ト端子は前述の長い接続導線により反転或いは非反転
入力ip´、in´にそれぞれ接続されている。トラン
ジスタt6 のドレイン端子は第1の電流導体により第1
のノードp1 に接続され、トランジスタt7 のドレイン
端子は第2の電流導体s2 により第2のノードp2 に接
続されている。
−ト端子は前述の長い接続導線により反転或いは非反転
入力ip´、in´にそれぞれ接続されている。トラン
ジスタt6 のドレイン端子は第1の電流導体により第1
のノードp1 に接続され、トランジスタt7 のドレイン
端子は第2の電流導体s2 により第2のノードp2 に接
続されている。
【0021】nウェルと正の供給電位Vとの通常の接続
によるpチャンネルトランジスタt1 、t2 のしきい電
圧の不所望な増加を避けるため、nウェルはトランジス
タt1 、t2 の共通ソース電位に結合されている。この
ことは第1の相互コンダクタンス増幅器tvの相互コン
ダクタンスを2つの入力ip´、in´におけるDCレ
ベルと独立に維持する。同一性の理由でpチャンネルト
ランジスタt6 、t7のnウェルもまたトランジスタt7
の共通ソース電位に接続されなければならない。しか
し、このことは並列段pが付勢されるときのみ供給す
る。並列段がオフならば、ウェル電位はpチャンネルト
ランジスタt12により正の供給端子Vにスイッチされ
る。同時に、ウェル端子と共通ソース電位との間の通路
はpチャンネルトランジスタt11を介して開いており、
nチャンネルトランジスタt10により第2の電流源qか
らの電流iqは基準電圧端子Mに流れるようにされる。
このスイッチング動作は1ビット制御信号k´により生
じ、この1ビット制御信号k´はデ−タバスbによりそ
れぞれの並列段Pに与えられる。pチャンネルトランジ
スタt11、t12が互いに反対にスイッチされるように1
ビット制御信号はインバ−タt13によりトランジスタt
12のゲ−ト端子の前で反転される。
によるpチャンネルトランジスタt1 、t2 のしきい電
圧の不所望な増加を避けるため、nウェルはトランジス
タt1 、t2 の共通ソース電位に結合されている。この
ことは第1の相互コンダクタンス増幅器tvの相互コン
ダクタンスを2つの入力ip´、in´におけるDCレ
ベルと独立に維持する。同一性の理由でpチャンネルト
ランジスタt6 、t7のnウェルもまたトランジスタt7
の共通ソース電位に接続されなければならない。しか
し、このことは並列段pが付勢されるときのみ供給す
る。並列段がオフならば、ウェル電位はpチャンネルト
ランジスタt12により正の供給端子Vにスイッチされ
る。同時に、ウェル端子と共通ソース電位との間の通路
はpチャンネルトランジスタt11を介して開いており、
nチャンネルトランジスタt10により第2の電流源qか
らの電流iqは基準電圧端子Mに流れるようにされる。
このスイッチング動作は1ビット制御信号k´により生
じ、この1ビット制御信号k´はデ−タバスbによりそ
れぞれの並列段Pに与えられる。pチャンネルトランジ
スタt11、t12が互いに反対にスイッチされるように1
ビット制御信号はインバ−タt13によりトランジスタt
12のゲ−ト端子の前で反転される。
【0022】各並列段におけるこのスイッチング装置に
より、差動段t1 、t2 の最適の同一性は付勢された各
並列段pで達成される。オフの並列段では各電位は差動
段t1 、t2 および電流源qt、qに対する効果が最小
限になるようにスイッチされる。スイッチがオフの並列
段はトランジスタt10および電流源のカスコ−ド接続を
通じての電流放電により共同して制御される電流源に応
答する。pチャンネルトランジスタt5 、t6 からなる
第1の電流源qtは第1、第2のバイアスv1、v2 に
よりそれぞれ制御されている。第2の電流源qはカスコ
−ドpチャンネルトランジスタ対t8 、t9 により形成
され、同様に制御される。
より、差動段t1 、t2 の最適の同一性は付勢された各
並列段pで達成される。オフの並列段では各電位は差動
段t1 、t2 および電流源qt、qに対する効果が最小
限になるようにスイッチされる。スイッチがオフの並列
段はトランジスタt10および電流源のカスコ−ド接続を
通じての電流放電により共同して制御される電流源に応
答する。pチャンネルトランジスタt5 、t6 からなる
第1の電流源qtは第1、第2のバイアスv1、v2 に
よりそれぞれ制御されている。第2の電流源qはカスコ
−ドpチャンネルトランジスタ対t8 、t9 により形成
され、同様に制御される。
【図1】本発明のデジタル的に調節可能な差動増幅器の
ブロック図。
ブロック図。
【図2】適応増幅器の調節可能な周波数特性図。
【図3】CMOS技術における適応増幅器を部分的回路図。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−125506(JP,A) 特開 昭58−179008(JP,A) 特開 昭60−38907(JP,A) 特開 昭60−236509(JP,A) 特開 昭62−133807(JP,A) 特開 昭62−214707(JP,A) 特開 昭63−52506(JP,A) 特開 平4−233306(JP,A) 特開 平4−234209(JP,A) 特開 平4−352508(JP,A) 米国特許4064506(US,A) 米国特許4739281(US,A) 米国特許4897612(US,A) 米国特許5039953(US,A) IEEE Jounal of So lid−State Circuits Vol.SC−22 No.6(1987. 12)”A Programmable Gain/Loss Circuit" Joseph N.Babanezha d,Roubik Gregoria n,pp.1082−1090 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03F 1/00 - 1/56 H03F 3/00 - 3/72 H03G 1/00 - 1/04 H03G 3/00 - 3/34
Claims (6)
- 【請求項1】 出力が適応増幅器の反転入力に結合され
ている第1のマルチプレクサの入力に接続されている分
岐点を有する第1の抵抗連鎖と、 出力が適応増幅器の非反転入力に接続されている並列制
御される第2のマルチプレクサの入力に接続されている
分岐点を有する第2の抵抗連鎖とを具備し、 第1および第2の抵抗連鎖の入力は差動増幅器の反転入
力と非反転入力をそれぞれ形成し、第1および第2の抵
抗連鎖の出力はそれぞれ適応増幅器の出力端子と、基準
電位端子とにそれぞれ接続されている、デジタル的に利
得設定が制御されるモノリシック集積差動増幅器におい
て、 第1および第2のマルチプレクサの制御入力および適応
増幅器の制御入力はデータバスに接続されており、 適応増幅器は、相互コンダクタンス増幅器(tv)およ
び周波数応答を決定するための負帰還ネットワーク
(r,c)と結合され、かつ供給されたデータ信号によ
り階段的に利得帯域幅積を切替える装置を具備している
ことを特徴とするモノリシック集積差動増幅器。 - 【請求項2】 相互コンダクタンス増幅器(tv)の相
互コンダクタンスが相互コンダクタンス増幅器(tv)
の差動段と同一設計である並列段により階段的に変化さ
れることを特徴とする請求項1記載の差動増幅器。 - 【請求項3】 回路がCMOS技術を用いて集積される
ことを特徴とする請求項2記載の差動増幅器。 - 【請求項4】相互コンダクタンス増幅器(tv)の差動
段は第1のpチャンネルトランジスタおよび第2のPチ
ャンネルトランジスタを含み、これらのpチャンネルト
ランジスタの共通ソース端子は第1のソース電流を供給
され、チャンネル幅およびチャンネル長は固定されてお
り、 各並列段は第3のpチャンネルトランジスタおよび第4
のpチャンネルトランジスタを含み、これらのPチャン
ネルトランジスタの共通ソース端子は第2のソース電流
を供給され、チャンネル幅およびチャンネル長は固定さ
れており、 各並列段のソース電流、チャンネル幅、チャンネル長は
固定されており、 各並列段のチャンネル長は第1、第2のpチャンネルト
ランジスタと同一であり、並列段のチャンネル幅と第
1、第2のpチャンネルトランジスタのチャンネル幅と
の比は第2のソース電流と第1のソース電流との比と等
しいことを特徴とする請求項3記載の差動増幅器。 - 【請求項5】 全ての付勢された並列段における第2、
第3のpチャンネルトランジスタの各nウェルはスイッ
チング装置によって第2、第3のpチャンネルトランジ
スタのそれぞれのソース電位に接続されており、全ての
付勢されない並列段におけるnウェルは高い供給電位に
接続されていることを特徴とする請求項3乃至4のいず
れか1項記載の差動増幅器。 - 【請求項6】 付勢されない並列段では第2のソース電
流は基準電位端子に切替えられることを特徴とする請求
項4記載の差動増幅器。
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-
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Legal Events
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