JPH10500778A - 高出力導波路吸収型モジュレータ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 少なくとも一つの導波路局限リブ（４４）の入力フェーセット（１２）側にイオン打ち込み領域（４６）を、少なくとも一つのリブ（４４）に入力フェーセット（１２）の平面から後退させた信号接点端（１４）を、又はその両方を形成することによってモジュレータの入力フェーセット側に電気絶縁領域を構成することにより、入力フェーセット（１２）へのダメージに対して抵抗性のある導波路タイプの電界吸収光学モジュレータ（６）及び導波路タイプの電界吸収光学モジュレータ（６）の入力フェーセット（１２）への光学的及び電気的ダメージを最小限にする又は排除する方法。

Description

【発明の詳細な説明】 高出力導波路吸収型モジュレータ 発明の分野 本発明は、電界吸収を伴う光学導波路に関し、より詳細には、高速電気データ 信号を用いて光線の強度を変調する斯かる導波路に関する。 発明の背景 データの光学信号伝送は、データの電気伝送よりも、特にデータを非常に高速 で伝送しなければならない場合に、利点を有することがある。これらの利点は、 通常、伝送システムにおいて要求される帯域幅と関連しており、このようなシス テムにおいては、電気データ伝送に用いる伝送ラインは、光学データ伝送に用い る光ファイバーよりも、ノイズ及び信号減衰を受けやすい。 斯かる光学データシステムのための光源は、伝送したデータを表す電気信号に よって直接又は間接に変調することができる。間接的な変調は、伝送するデータ を表す電気信号に応答する光学モジュレータの使用を伴うものである。斯かる光 学モジュレータは、電界吸収タイプ、電気分散（electro-dispersive）タイプ、 又は位相シフトタイプのものが典型的である。タイプに関わりなく、光学モジュ レータは、通常、電気信号との或る関係において、光源からの光線の強度に変化 又はシフトを生じさせるようになっている。 間接的に変調されるタイプのコンパクトな光学データ伝送器は、電界吸収導波 路タイプのモジュレータに接続されたレーザーダイオード光源を備えているのが 好ましい。電界吸収モジュレータは、強い電界の印加によるモジュレータの導波 路の透過率のより長い波長へのシフトを利用することによって作用するのが典型 的である。 このシフトは、幾つかの異なる半導体構造のモジュレータ導波路に関して、例 えば、導波路の構造が、バルク半導体、単一絶縁量子井戸、複数絶縁量子井戸、 又は複数接続量子井戸（超格子）を備えている場合に生じる。この種のモジュレ ータに関しては、モジュレータの導波路が比較的透過性から比較的不透明に変化 する波長が、モジュレータに印加される電気入力信号の電位の関数として変化す る。 そのため、モジュレータの電気入力に印加されたあらゆる所定の瞬間電位に関 し、モジュレータの導波路を比較的低吸収で通過する光の波長の範囲、比較的高 吸収で通過する波長の範囲、及び導波路の特性が比較的透過性から比較的吸収性 にシフトする波長の狭い範囲である「電界吸収端」領域がある。 光源の動作波長を、電気入力信号の電位に何等かの印加されたバイアス電位を 加えたものにおける変化が、この動作波長に関する電界吸収端をシフト又は変化 させるよう選択すると、比較的大きい深さの変調を有する変調された光学信号が モジュレータによって発生される。モジュレータ は、動作波長に関する電界吸収端の波長をシフトさせるようバイアスされるので 、入力信号における比較的小さな変化が、モジュレータの吸収における比較的大 きな変化を生じさせる。 斯かる光学データ伝送器は、しばしば、かなりの光パワーがモジュレータに接 続されることを要する。例えば、モジュレータから光ファイバーに接続された１ ００マイクロワット〜１ミリワットの変調された出力信号をもたらすには、約１ ０〜２０ミリワットが光源からモジュレータに接続されることを要する。電気入 力信号レベルと光学入力パワーとの実用的組み合わせは、通常の作動条件下では 、モジュレータを容易に損傷させることがある。 モジュレータに生じるダメージは、モジュレータの入力フェーセットにおいて 又はその付近に主として生じることが確認されている。このモジュレータのダメ ージは、モジュレータの光学特性、電気特性又はその両方に影響することがある 。ダメージは、光学入力パワー及び電気信号入力電位の両方に起因する過剰な光 電流によるものと考えられている。したがって、作動条件下でのモジュレータの 入力フェーセット付近への斯かるダメージを最小限にするようモジュレータの構 造を変更することが望ましい。 発明の概要 本発明は、入力フェーセット及びモジュレータ導波路のそれに近い部分をモジ ュレータの残りの部分から電気的に 絶縁する構造を有する光学モジュレータへの光学的ダメージを最小限にするもの である。好ましい実施態様では、この絶縁は、十分な数のイオンをモジュレータ の入力フェーセットの付近のモジュレータ導波路の小さな部分に打ち込むことに よって行われる。イオン打ち込み領域は、フェーセット及び導波路の入力フェー セットとイオン打ち込み領域との間の部分からなる入力領域を効果的に電気的に 絶縁する。 入力フェーセット領域の更により効果的な電気的絶縁が、モジュレータに付し た電気入力信号接点の長さがモジュレータの入力フェーセットの平面からの或る 一定の最小距離よりも近くに延びないよう制限することによって確実になる。こ の技術は、たとえイオン打ち込み技術なしで用いた場合にも、入力フェーセット 領域のかなり効果的な電気的絶縁をもたらすものである。この場合には、入力フ ェーセット領域は、おおまかに、入力フェーセットから入力信号接点の後退した 端へと延びる導波路の部分を含んでいる。 図面の説明 図１は、本発明を具現化するのに適した典型的な間接変調光学データ伝送器を 示している。 図２は、本発明によって構成された電界吸収タイプの外部光学モジュレータを 示している。 好ましい実施態様の説明 図１は、本発明を具現化するのに適した典型的な間接変 調光学データ伝送器２を示している。伝送器２は、光源４と、外部電気光学モジ ュレータ６と、取付基板又はサブマウント８とを備えているのが典型的である。 光源４は、モジュレータ６に突合せ接続されたレーザーダイオードを備えてい るのが好ましい。もちろん、光源は、自由空間を通じてのレンズ接続又は光ファ イバーによってモジュレータ６に適当に接続された別個の個体レーザー又は他の ソースを備えていてもよい。モジュレータ６は、導波路タイプのものが好ましく 、データを表す電気信号をモジュレータの電気信号入力に適用することとの或る 関連において、モジュレータの導波路の吸収又は屈折率を変化させる入力を有し ている。 レーザーソース４は、光源４によって発生された光を最も効果的にモジュレー タ６に接続するため、モジュレータ６の対応する入力フェーセット１２に突合せ 接続された出力フェーセット１０を有しているのが好ましい。モジュレータ６は 、少なくとも一つの電気入力端子１４を有しており、信号ワイヤ１８を介して入 力端子１４に接続された電気データソース１６が、光源４からモジュレータに接 続された光の強度を変調できるようにしている。 データソース１６とモジュレータ６との間の回路の帰りは、データソース１６ と基板８に付した回帰末端２２との間に接続された帰線２０によって行われるの が典型的である。この実施態様の場合では、回帰末端２２は、モジュレ ータ６の帰路に接続されている。 モジュレータ６は、また、光伝送ファーバー２８の端部フェーセット２６に突 合せ接合された出力フェーセット２４を有し、変調された光を光ファイバーに効 果的に接続するのが好ましい。モジュレータ６の出力は、他の手段によって、例 えば自由空間を通じてのレンズ接続によって、光ファイバー１８に接続すること もできる。 図２は、図１に関連して説明したようなモジュレータ６を示しており、この図 面においては、モジュレータは、本発明の好ましい実施態様によって構成されて いる。モジュレータ６は、任意の他の公知の変調技術を用いることもできるが、 光源４から受けた光の変調を行うのに電界吸収を利用するのが好ましい。 モジュレータ６は、便宜上、ＧａＡｓ／Ａｌ_xＧａ_1-xＡｓタイプの吸収デバイ スとして具体的に説明されているが、この構造体は、当業者によって認識される ように、光源４によって供給される光の動作波長次第で、別の半導体組成を有す ることができることが当業者に明らかとなろう。 モジュレータ６は、入力フェーセット１２が見えるように示されている。モジ ュレータ６は、モジュレータ基板３０上に形成する。基板３０は、導電性のＧａ Ａｓを含んでいるのが好都合である。基板３０の一方の平面に、ＧａＡｓ緩衝層 ３２を、約０〜２マイクロメートルの範囲の何れの厚さでも許容できるものであ るが、約0.25マイクロメー トルの厚さまで成長させる。層３２には、ドナーイオン、典型的にはＳｉを、立 方センチメートルあたりｎ＝１＊１０¹⁷〜４＊１０¹⁸の範囲の何れの濃度でも許 容でき、濃度傾斜層（graded layer）でも許容できるが、立方センチメートルあ たり約ｎ＝１＊１０¹⁸の濃度までドープする。 次は、組成（composition）ｘ_clad厚さｈ_lcのＡｌ_xＧａ_1-xｓの下部クラッド 層３４であり、ｘ_clad及びｈ_lcは、以下に説明する。下部クラッド層３４にも、 Ｓｉ等のドナーイオンを、立方センチメートルあたり約ｎ＝１＊１０¹⁷〜４＊１ ０¹⁸の濃度でも許容でき、濃度傾斜層でも許容できるが、立方センチメートルあ たり約ｎ＝１＊１０¹⁸の濃度までドープする。次いで、下部クラッド層３４を覆 って、組成ｘ_core及び厚さｈ_coreのＡｌ_xＧａ_1-xＡｓ導波路コア層３６を成長さ せる。ｘ_core及びｈ_coreは、以下に説明する。導波路コア層３６は、実質的にド ープさせないでおく。 導波路コア層３６を覆って、内側上部クラッド層３８を成長させ、次いで外側 上部クラッド層４０を成長させる。層３８及び４０は、何れも、組成ｘ_cladのＡ ｌ_xＧａ_1-xＡｓである。層３８は、厚さｈ_uc1を有し、層４０は、ｈ_uc2の厚さを 有している。ｈ_uc1及びｈ_uc2は、以下に説明する。層３８は、この層がモジュレ ータ６のコア内の真性領域を形成するよう、意図的にドープしないのが典型的で ある。層４０を覆って、約0.1マイクロメートルの厚さの薄いキャップ層４２を 成長させる。 層４０及び４２には、Ｂｅ、Ｃ、Ｍｇ又はＺｎ等のアクセプタイオンをドープ する。層４０に関しては、立方センチメートルあたり約ｐ＝１＊１０¹⁸の濃度ま で、層４２に関しては、立方センチメートルあたり約ｐ＝８＊１０¹⁸の濃度まで Ｂｅをドープするのが典型的であるが、立方センチメートルあたり約１＊１０¹⁷ 〜２＊１０¹⁹の範囲の濃度でも許容できるものである。層３８、４０及び４２は 、エッチングして少なくとも一つのリブ４４を形成する。電気絶縁性を与えるた め、リブ４４の深さは、層３８と層４０との間のドーパント境界よりも下までエ ッチングしなければならない。 上記の層３２〜４０の厚さ(ｈ_lc、ｈ_core、ｈ_uc1、ｈ_uc2)及び組成(ｘ_clad、 ｘ_core)は、光が、コア層３６に沿って局限されるモジュレータ６のコア領域内 を案内されるよう、選択されるのが典型的である。コア層３６内の光の横方向の 局限は、リブ４４によってもたらされる。加えて、吸収層（図示せず）が、吸収 層の電界吸収端が選択した動作波長にまたがっており信号振幅変換特性曲線（si gnal amplitude transfer curve）を入力するのに有用な吸収をもたらすよう選 択される。この吸収層は、コア層内に位置していてもよく、クラッド層内に位置 していてもよい。コア層及び／又はクラッド層構造体は、例えば、バルク半導体 組成物、単一絶縁量子井戸(single isolated quantum well)、複数絶縁量子井戸 （multiple isolated qua ntum wells）、又は複数接続量子井戸（multiple coupled quantum wells）（超 格子）を備えていてもよい。 層３８及び層４０の厚さ、ｈ_uc1及びｈ_uc2それぞれは、リブ４４を層３８、４ ０及び４２にエッチングするとき、大きな電界と単一横方向光学モードとの間の バランスをとるよう選択される。モジュレータ６に印加された所定の入力信号電 位に関し、ｈ_uc1が減少するにしたがい電界が強まるので、作動電位を低下させ るにはｈ_uc1を小さくするのが好都合である。リブ４２の電気絶縁性を与えるた めには、エッチングは層３８と層４０とのドーパント境界の下まで延びていなけ ればならない。エッチングが深すぎると、多重横方向モードになり、これは性能 に逆効果を及ぼすことがある。 例えば、屈折率、即ち吸収を大きく変化させるためのモジュレータ６を製造す るには、約８５５ナノメートルの動作波長を用いると、ｘ_cladは約0.123、ｈ_lc は約1.00マイクロメートル、ｘ_coreは約0.062、ｈ_uc1は約0.50マイクロメートル 、ｈ_uc2は約0.50マイクロメートルである。屈折率、即ち吸収を穏やかに変化さ せるためのモジュレータ６を製造するには、約８５５ナノメートルの動作波長を 用いると、ｘ_cladは約0.086、ｈ_lcは約2.00マイクロメートル、ｘ_coreは約0.062 、ｈ_uc1は約0.65マイクロメートル、ｈ_uc2は約0.35マイクロメートルである。こ れらの何れの場合にも、吸収層は、コア層３６内に位置している。 リブ４４の幅は、約１〜２０マイクロメートルの範囲の如何なる値の幅も許容 可能であるが、約５マイクロメートルである。接点１４の厚さは、約0.5〜少な くとも５マイクロメートルの範囲の如何なる値の厚さも許容可能であるが、約0. 25マイクロメートルである。接点１４の幅は、約１〜２０マイクロメートルの範 囲の如何なる値の幅も許容可能であるが、約３マイクロメートルである。エッチ ングの深さは、当業者によって認められるであろうように、デバイスの構造及び 所望の光学モード構造によって決定される。 リブ４４の表面の少なくとも一部は、リブ４２を構成するドープされた上部層 に少なくとも十分浸透したイオン打ち込み領域４６を形成するため、プロトンイ オン源からのイオンで衝撃される。プロトンは、約５０〜８５ｋｅＶの範囲のエ ネルギーで立方センチメートルあたり約１＊１０¹⁵の濃度まで撃ち込まれるのが 典型的である。もちろん、当業者によって認められるであろうように、イオン打 ち込み領域４６を形成するのに他のイオン源を使用することもできる。何れにし ても、撃ち込まれるイオンの現実のエネルギー及び濃度は、ドーパント層の現実 の濃度及びプロファイルによって決定される。 打ち込み領域４６は、導波路リブ４４の電気的に絶縁された部分４８を形成す るため、入力フェーセット１２の近くに形成される。打ち込み領域４６の幅は、 約３０マイク ロメートルで、その長さは、約１０マイクロメートルであるのが典型的である。 絶縁部分４８の長さは、少なくとも約２５マイクロメートルとすべきであり、好 ましくは、約５０〜２００マイクロメートルの範囲であり、約１０００マイクロ メートル以下とすべきである。約８５マイクロメートルの値が典型的である。 入力フェーセット１２に近い側の信号接点１４の端５０は、電気絶縁性を確保 するには、打ち込み領域４６の境界を更に越えて延びるべきではない。更に、絶 縁破壊に対する抵抗性は、端５０が打ち込み領域４６の境界までずっと延びるこ とのないよう、入力信号接点１４の長さを短くすることによって確かなものとな る。この場合における接点１４の端５０の打ち込み領域４６からの後退は、約５ マイクロメートルよりも近くないことが好ましい。 本発明の別の実施態様では、接点１４の端５０が入力フェーセット１２の平面 から十分に後退している場合には、イオン打ち込み領域４６なしにモジュレータ ６を用いることができる。接点１４の端５０の後退は、絶縁部分４８内の絶縁の 程度を与える働きをするので、その絶縁の程度は、ほぼ接点１４の端５０から入 力フェーセット１２までの距離として定義される。この場合、接点１４の端５０ の入力フェーセット１２からの後退は、入力フェーセット１２から約２０マイク ロメートルよりも近くないようにすべきである。 斯くして、少なくとも一つの導波路局限リブの入力フェーセット側にイオン打 ち込み領域を、少なくとも一つのリブに入力フェーセットの平面から後退させた 信号接点端を、又はその両方を形成することによってモジュレータの入力フェー セット側に電気絶縁領域を構成することにより、入力フェーセットへのダメージ に対して抵抗性のある導波路タイプの電界吸収光学モジュレータ及び導波路タイ プの電界吸収光学モジュレータの入力フェーセットへのダメージを最小限にする 又は排除する方法が、本明細書において説明された。上記の実施態様は、権利請 求された本発明の実施の具体例としてのみ説明されたものであるため、本発明の 範囲を限定するものと解されるべきではない。権利請求された本発明の範囲内に ありながら、先に説明した本発明の細目、部品、材料、加工及び製造において種 々の変更を行うことができることが理解さるべきである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．少なくとも導波路コア層と、前記導波路層を通じて光を伝送するための入 力フェーセットと、前記導波路コア層を通過する光を横方向に局限するため、リ ブの形成された少なくとも一つのクラッド層とを備えた電界吸収タイプの多層半 導体光学モジュレータにおいて、前記少なくとも一つのクラッド層における少な くとも一つのリブの外部が不純物でドープされているモジュレータへのダメージ を防止する方法であって、 前記導波路層の一部分を前記導波路層の残りの部分と電気的に絶縁するため、 前記少なくとも一つのリブに沿って延びる前記少なくとも一つのクラッド層にお ける前記少なくとも一つのリブの一部に関し、前記入力フェーセットからの距離 を選択する工程と、 前記モジュレータをダメージから保護する前記導波路層の前記絶縁された部分 の境界を形成するため、イオンを打ち込んで、前記入力フェーセットからほぼ前 記選択した距離にある前記少なくとも一つのリブに沿う点において前記少なくと も一つのリブの前記不純物ドープ層を通って横切るイオン打ち込み領域を形成す る工程とを、 含んでいることを特徴とする方法。 ２．前記導波路コア層は、バルク構造を備えていることを特徴とする請求項１ 記載の方法。 ３．前記導波路コア層は、絶縁量子井戸構造を備えてい ることを特徴とする請求項１記載の方法。 ４．前記導波路コア層は、複数絶縁量子井戸構造を備えていることを特徴とす る請求項１記載の方法。 ５．前記導波路コア層は、複数接続量子井戸構造を備えていることを特徴とす る請求項１記載の方法。 ６．前記少なくとも一つのクラッド層は、バルク構造を備えていることを特徴 とする請求項１記載の方法。 ７．前記少なくとも一つのクラッド層は、絶縁量子井戸構造を備えていること を特徴とする請求項１記載の方法。 ８．前記少なくとも一つのクラッド層は、複数絶縁量子井戸構造を備えている ことを特徴とする請求項１記載の方法。 ９．前記少なくとも一つのクラッド層は、複数接続量子井戸構造を備えている ことを特徴とする請求項１記載の方法。 １０．前記少なくとも一つのクラッド層は、複数の前記不純物ドープリブを備 えていることを特徴とする請求項１記載の方法。 １１．前記少なくとも一つのリブは、前記少なくとも一つのリブを覆う金属性 入力信号層を有している方法であって、前記入力フェーセットから、少なくとも 前記フェーセットからの前記打ち込み領域の前記距離だけ、前記フェーセットか ら前記少なくとも一つのリブに沿って後退した端を有するよう、前記入力信号層 の長さを構成する工程を更 に含んでいることを特徴とする請求項１記載の方法。 １２．前記導波路コア層は、バルク構造を備えていることを特徴とする請求項 １１記載の方法。 １３．前記導波路コア層は、絶縁量子井戸構造を備えていることを特徴とする 請求項１１記載の方法。 １４．前記導波路コア層は、複数絶縁量子井戸構造を備えていることを特徴と する請求項１１記載の方法。 １５．前記導波路コア層は、複数接続量子井戸構造を備えていることを特徴と する請求項１１記載の方法。 １６．前記少なくとも一つのクラッド層は、バルク構造を備えていることを特 徴とする請求項１１記載の方法。 １７．前記少なくとも一つのクラッド層は、単一絶縁量子井戸構造を備えてい ることを特徴とする請求項１１記載の方法。 １８．前記少なくとも一つのクラッド層は、複数絶縁量子井戸構造を備えてい ることを特徴とする請求項１１記載の方法。 １９．前記少なくとも一つのクラッド層は、複数接続量子井戸構造を備えてい ることを特徴とする請求項１１記載の方法。 ２０．前記少なくとも一つのクラッド層は、複数の前記不純物ドープリブを備 えていることを特徴とする請求項１１記載の方法。 ２１．少なくとも導波路コア層と、前記導波路層を通じ て光を伝送するための入力フェーセットと、前記導波路コア層を通過する光を横 方向に局限するため、リブの形成された少なくとも一つのクラッド層とを備えた 電界吸収タイプの多層半導体光学モジュレータにおいて、前記少なくとも一つの クラッド層における少なくとも一つのリブの外部が不純物でドープされているモ ジュレータへのダメージを防止する方法であって、 前記導波路層の一部分を前記導波路層の残りの部分と電気的に絶縁するため、 前記少なくとも一つのリブに沿って延びる前記少なくとも一つのクラッド層にお ける前記少なくとも一つのリブの一部に関し、前記入力フェーセットからの距離 を選択する工程と、 前記少なくとも一つのリブの少なくとも一部分を覆って、金属性信号層を付す る工程と、 前記フェーセットほぼ前記選択された距離だけ、前記少なくとも一つのリブに 沿って前記入力フェーセットから後退した端を有するよう、前記入力信号層の長 さを構成する工程とを、 含んでいることを特徴とする方法。 ２２．前記導波路コア層は、バルク構造を備えていることを特徴とする請求項 ２１記載の方法。 ２３．前記導波路コア層は、絶縁量子井戸構造を備えていることを特徴とする 請求項２１記載の方法。 ２４．前記導波路コア層は、複数絶縁量子井戸構造を備 えていることを特徴とする請求項２１記載の方法。 ２５．前記導波路コア層は、複数接続量子井戸構造を備えていることを特徴と する請求項２１記載の方法。 ２６．前記少なくとも一つのクラッド層は、バルク構造を備えていることを特 徴とする請求項２１記載の方法。 ２７．前記少なくとも一つのクラッド層は、単一絶縁量子井戸構造を備えてい ることを特徴とする請求項２１記載の方法。 ２８．前記少なくとも一つのクラッド層は、複数絶縁量子井戸構造を備えてい ることを特徴とする請求項２１記載の方法。 ２９．前記少なくとも一つのクラッド層は、複数接続量子井戸構造を備えてい ることを特徴とする請求項２１記載の方法。 ３０．前記少なくとも一つのクラッド層は、複数の前記不純物ドープリブを備 えていることを特徴とする請求項２１記載の方法。 ３１．少なくとも導波路コア層と、前記導波路層を通じて光を伝送するための 入力フェーセットと、前記導波路コア層を通過する光を横方向に局限するため、 リブの形成された少なくとも一つのクラッド層とを備えた光学的及び電気的ダメ ージに対して抵抗性のある吸収タイプの多層半導体光学モジュレータにおいて、 前記少なくとも一つのクラッド層における少なくとも一つのリブの外部が不純物 でド ープされているモジュレータであって、更に、 前記入力フェーセットからほぼ予め選択された距離にある前記少なくとも一つ のリブに沿う点において前記少なくとも一つのリブの前記不純物ドープ層を通っ て横切って延びるイオン打ち込み領域を、前記モジュレータをダメージから保護 する前記入力フェーセットからほぼ前記予め選択された距離まで延びる前記導波 路層の電気的に絶縁された部分の境界を形成するため、備えていることを特徴と するモジュレータ。 ３２．前記導波路コア層は、バルク構造を備えていることを特徴とする請求項 ３１記載のモジュレータ。 ３３．前記導波路コア層は、絶縁量子井戸構造を備えていることを特徴とする 請求項３１記載のモジュレータ。 ３４．前記導波路コア層は、複数絶縁量子井戸構造を備えていることを特徴と する請求項３１記載のモジュレータ。 ３５．前記導波路コア層は、複数接続量子井戸構造を備えていることを特徴と する請求項３１記載のモジュレータ。 ３６．前記少なくとも一つのクラッド層は、バルク構造を備えていることを特 徴とする請求項３１記載のモジュレータ。 ３７．前記少なくとも一つのクラッド層は、単一絶縁量子井戸構造を備えてい ることを特徴とする請求項３１記載のモジュレータ。 ３８．前記少なくとも一つのクラッド層は、複数絶縁量 子井戸構造を備えていることを特徴とする請求項３１記載のモジュレータ。 ３９．前記少なくとも一つのクラッド層は、複数接続量子井戸構造を備えてい ることを特徴とする請求項３１記載のモジュレータ。 ４０．前記少なくとも一つのクラッド層は、複数の前記不純物ドープリブを備 えていることを特徴とする請求項３１記載のモジュレータ。 ４１．少なくとも前記フェーセットからの前記打ち込み領域の前記距離だけ、 前記少なくとも一つのリブに沿って前記入力フェーセットから後退した端を有す る前記少なくとも一つのリブの少なくとも一部を覆って付された金属性入力信号 層を更に備えていることを特徴とする請求項３１記載のモジュレータ。 ４２．前記導波路コア層は、バルク構造を備えていることを特徴とする請求項 ４１記載のモジュレータ。 ４３．前記導波路コア層は、絶縁量子井戸構造を備えていることを特徴とする 請求項４１記載のモジュレータ。 ４４．前記導波路コア層は、複数絶縁量子井戸構造を備えていることを特徴と する請求項４１記載のモジュレータ。 ４５．前記導波路コア層は、複数接続量子井戸構造を備えていることを特徴と する請求項４１記載のモジュレータ。 ４６．前記少なくとも一つのクラッド層は、バルク構造を備えていることを特 徴とする請求項４１記載のモジュレ ータ。 ４７．前記少なくとも一つのクラッド層は、単一絶縁量子井戸構造を備えてい ることを特徴とする請求項４１記載のモジュレータ。 ４８．前記少なくとも一つのクラッド層は、複数絶縁量子井戸構造を備えてい ることを特徴とする請求項４１記載のモジュレータ。 ４９．前記少なくとも一つのクラッド層は、複数接続量子井戸構造を備えてい ることを特徴とする請求項４１記載のモジュレータ。 ５０．前記少なくとも一つのクラッド層は、複数の前記不純物ドープリブを備 えていることを特徴とする請求項４１記載のモジュレータ。 ５１．少なくとも導波路コア層と、前記導波路コア層を通過する光を横方向に 局限するため、リブの形成された少なくとも一つのクラッド層とを備えた電気的 ダメージに対して抵抗性のある電界吸収タイプの多層半導体光学モジュレータに おいて、前記少なくとも一つのクラッド層における少なくとも一つのリブの外部 が不純物でドープされているモジュレータであって、更に、 前記少なくとも一つのリブの少なくとも一部を覆って付され、前記導波路層の 一部を前記導波路層の残りの部分から電気的に絶縁するため、予め選択された距 離だけ前記少なくとも一つのリブに沿って前記入力フェーセットから後 退した端を有することを特徴とするモジュレータ。 ５２．前記導波路コア層は、バルク構造を備えていることを特徴とする請求項 ５１記載のモジュレータ。 ５３．前記導波路コア層は、絶縁量子井戸構造を備えていることを特徴とする 請求項５１記載のモジュレータ。 ５４．前記導波路コア層は、複数絶縁量子井戸構造を備えていることを特徴と する請求項５１記載のモジュレータ。 ５５．前記導波路コア層は、複数接続量子井戸構造を備えていることを特徴と する請求項５１記載のモジュレータ。 ５６．前記少なくとも一つのクラッド層は、バルク構造を備えていることを特 徴とする請求項５１記載のモジュレータ。 ５７．前記少なくとも一つのクラッド層は、単一絶縁量子井戸構造を備えてい ることを特徴とする請求項５１記載のモジュレータ。 ５８．前記少なくとも一つのクラッド層は、複数絶縁量子井戸構造を備えてい ることを特徴とする請求項５１記載のモジュレータ。 ５９．前記少なくとも一つのクラッド層は、複数接続量子井戸構造を備えてい ることを特徴とする請求項５１記載のモジュレータ。 ６０．前記少なくとも一つのクラッド層は、複数の前記不純物ドープリブを備 えていることを特徴とする請求項５１記載のモジュレータ。