JPH08248364A - 光強度変調素子及び光強度変調素子付き半導体レーザ - Google Patents
光強度変調素子及び光強度変調素子付き半導体レーザInfo
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- JPH08248364A JPH08248364A JP4808895A JP4808895A JPH08248364A JP H08248364 A JPH08248364 A JP H08248364A JP 4808895 A JP4808895 A JP 4808895A JP 4808895 A JP4808895 A JP 4808895A JP H08248364 A JPH08248364 A JP H08248364A
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- light intensity
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 大きな伝送容量が得られ、光通信の長距離
化、及び大容量化を図る。 【構成】 光吸収層４は、バルク材料で形成され、かつ
そのバンドギャップエネルギーＥｇ０と入射光（被変調
光）ＰinのフォトンエネルギーＥinの差（エネルギーデ
ィチューニングΔＥ）が、電圧印加によって生じる吸収
が増加し、かつ屈折率が減少するような範囲に入るよう
に選ばれる。さらに、電圧無印加時での光の吸収をでき
るだけ小さく抑え、かつ所望の消光効率が得られるよう
に、光吸収層４の厚さｄa 及び長さＬが設定される。電
圧を印加すると、光吸収層４に電界がかかり、その電界
によって入射光Ｐinの吸収係数が変化する。
化、及び大容量化を図る。 【構成】 光吸収層４は、バルク材料で形成され、かつ
そのバンドギャップエネルギーＥｇ０と入射光（被変調
光）ＰinのフォトンエネルギーＥinの差（エネルギーデ
ィチューニングΔＥ）が、電圧印加によって生じる吸収
が増加し、かつ屈折率が減少するような範囲に入るよう
に選ばれる。さらに、電圧無印加時での光の吸収をでき
るだけ小さく抑え、かつ所望の消光効率が得られるよう
に、光吸収層４の厚さｄa 及び長さＬが設定される。電
圧を印加すると、光吸収層４に電界がかかり、その電界
によって入射光Ｐinの吸収係数が変化する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信等に用いられる
外部変調方法の光強度変調素子（例えば、光強度変調時
に生じる位相変調成分が極めて小さい低波長チャーピン
グ（分散）の電界吸収型光強度変調素子）と、該光強度
変調素子と半導体レーザを組合せた光強度変調素子付き
半導体レーザに関するものである。
外部変調方法の光強度変調素子（例えば、光強度変調時
に生じる位相変調成分が極めて小さい低波長チャーピン
グ（分散）の電界吸収型光強度変調素子）と、該光強度
変調素子と半導体レーザを組合せた光強度変調素子付き
半導体レーザに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば次のような文献に記載されるものがあった。 文献１：犬石・浜川・白藤共著「半導体物性Ｉ」初版
（昭５２−６）朝倉書店、Ｐ．２１０−２１２ 文献２：ジャーナル オブ ライトウェーブ テクノロ
ジィ（Journal of lightwave technolpgy ）、１［１］
（１９８８−１）ＩＥＥＥ（米）F.Koyama,K.Iga“Freq
uency chirping in External Modulators ”Ｐ．８７−
９３ 文献３：１９９４年電子情報通信学会春季大会予稿集Ｃ
−２３０、佐藤他「低波長チャープＭＱＷ-ＭＩ-ＤＦＢ
レーザを用いた１０Ｇｂ／ｓ伝送実験」Ｐ．４−２２７ 文献４：フィジカル レビュー（Phys.Rev）、Ａ１３９
（１９６５）B.O.Seraphin and N.Bottka 、Ｐ．５６０
−５６５ 光変調は、何らかの方法で光の強度や周波数等を変化さ
せることである。光通信等を目的とした光波の変調に
は、光源の出力光を直接に強度変調する直接変調方法
と、光源から出てきた出力光を、別に作られた変調素子
（変調器）によって外部変調をする外部変調方法とがあ
る。
例えば次のような文献に記載されるものがあった。 文献１：犬石・浜川・白藤共著「半導体物性Ｉ」初版
（昭５２−６）朝倉書店、Ｐ．２１０−２１２ 文献２：ジャーナル オブ ライトウェーブ テクノロ
ジィ（Journal of lightwave technolpgy ）、１［１］
（１９８８−１）ＩＥＥＥ（米）F.Koyama,K.Iga“Freq
uency chirping in External Modulators ”Ｐ．８７−
９３ 文献３：１９９４年電子情報通信学会春季大会予稿集Ｃ
−２３０、佐藤他「低波長チャープＭＱＷ-ＭＩ-ＤＦＢ
レーザを用いた１０Ｇｂ／ｓ伝送実験」Ｐ．４−２２７ 文献４：フィジカル レビュー（Phys.Rev）、Ａ１３９
（１９６５）B.O.Seraphin and N.Bottka 、Ｐ．５６０
−５６５ 光変調は、何らかの方法で光の強度や周波数等を変化さ
せることである。光通信等を目的とした光波の変調に
は、光源の出力光を直接に強度変調する直接変調方法
と、光源から出てきた出力光を、別に作られた変調素子
（変調器）によって外部変調をする外部変調方法とがあ
る。
【０００３】前記文献２においては、複数の外部変調方
法を挙げ、かつそれらのαパラメータを比較している。
αパラメータは、光強度の変化と屈折率の変化の比を表
すものである。このαパラメータは、光の強度変調と位
相変調の結合の程度を表す一つの指標であり、光強度変
調方式の光通信システム等において伝送容量限界を決め
る一つの重要なパラメータである。前記文献２の第９１
頁の図８に示されているように、伝送容量は −４＜α＜０ ・・・（１） の時に大きく取れ、さらにその最大はα≒−１付近にあ
ることが分かる。そのため、光強度変調素子のαパラメ
ータを（１）式の範囲内にすること、あるいはαパラメ
ータが（１）式になるような動作条件で光強度変調素子
を駆動することが望ましい。
法を挙げ、かつそれらのαパラメータを比較している。
αパラメータは、光強度の変化と屈折率の変化の比を表
すものである。このαパラメータは、光の強度変調と位
相変調の結合の程度を表す一つの指標であり、光強度変
調方式の光通信システム等において伝送容量限界を決め
る一つの重要なパラメータである。前記文献２の第９１
頁の図８に示されているように、伝送容量は −４＜α＜０ ・・・（１） の時に大きく取れ、さらにその最大はα≒−１付近にあ
ることが分かる。そのため、光強度変調素子のαパラメ
ータを（１）式の範囲内にすること、あるいはαパラメ
ータが（１）式になるような動作条件で光強度変調素子
を駆動することが望ましい。
【０００４】ところで、電界吸収型光強度変調素子は、
前記文献１にその基本原理が記載されているように、電
界吸収効果を用い、電界を印加することによって光の吸
収係数が変化する素子であり、構造が単純で、かつ動作
電圧が小さく（例えば、３Ｖ以下）、また半導体レーザ
（ＬＤ）との集積化が可能であることから、ギガビット
（Ｇｂｉｔ）クラスの超高速変調で、長距離の光伝送を
行う場合には有望である。前記文献２の第９１頁の表１
によれば、この電界吸収型光強度変調素子のαパラメー
タは、 Ｂｕｌｋ：｜α｜＝１〜２ ＱＷ（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ、量子井戸）：｜α｜＝１ ・・・（２） と記載されている。但し、その値は、入射光波長λと電
界強度Ｅに依存している。電界吸収型光強度変調素子
は、種々提案されており、例えば前記文献３ではＭＱＷ
構造の光強度変調素子の技術が記載されている。この光
強度変調素子では、入力電気信号を１０Ｇｂｉｔ／ｓ
ＮＲＺ（Non Return to Zero）の擬似ランダム信号で変
調して、分散値Ｄ＝１８ｐｓｅｃ／ｎｍ／Ｋｍの光ファ
イバを用いて光伝送を行った結果、５０Ｋｍ伝送を達成
している。これを前記文献２の第９１頁に記載された図
８に当てはめると、光強度変調素子のαパラメータは０
〜１の範囲と考えられる。
前記文献１にその基本原理が記載されているように、電
界吸収効果を用い、電界を印加することによって光の吸
収係数が変化する素子であり、構造が単純で、かつ動作
電圧が小さく（例えば、３Ｖ以下）、また半導体レーザ
（ＬＤ）との集積化が可能であることから、ギガビット
（Ｇｂｉｔ）クラスの超高速変調で、長距離の光伝送を
行う場合には有望である。前記文献２の第９１頁の表１
によれば、この電界吸収型光強度変調素子のαパラメー
タは、 Ｂｕｌｋ：｜α｜＝１〜２ ＱＷ（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ、量子井戸）：｜α｜＝１ ・・・（２） と記載されている。但し、その値は、入射光波長λと電
界強度Ｅに依存している。電界吸収型光強度変調素子
は、種々提案されており、例えば前記文献３ではＭＱＷ
構造の光強度変調素子の技術が記載されている。この光
強度変調素子では、入力電気信号を１０Ｇｂｉｔ／ｓ
ＮＲＺ（Non Return to Zero）の擬似ランダム信号で変
調して、分散値Ｄ＝１８ｐｓｅｃ／ｎｍ／Ｋｍの光ファ
イバを用いて光伝送を行った結果、５０Ｋｍ伝送を達成
している。これを前記文献２の第９１頁に記載された図
８に当てはめると、光強度変調素子のαパラメータは０
〜１の範囲と考えられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
電界吸収型光強度変調素子では、次のような問題があ
り、それを解決することが困難であった。従来の光強度
変調素子においては、αパラメータは正の値を持ってい
る。そのため、Ｇｂｉｔクラスの変調速度で、長距離の
光伝送を考えた場合、例えば、変調速度１０Ｇｂｉｔ／
ｓ、光ファイバの分散値Ｄ＝２ｐｓｅｃ／ｎｍ／Ｋｍで
は、伝送距離が２０〜５０Ｋｍ程度に制限される。伝送
距離が制限される理由は、光信号を光ファイバで伝送す
る場合、その光ファイバの波長分散によって光信号の波
形劣化が生じるからである。本発明は、前記従来技術が
持っていた課題として、伝送距離が制限される等といっ
た点について解決し、優れた低波長チャーピングの電界
吸収型光強度変調素子と、該光強度変調素子と半導体レ
ーザを組合せた光強度変調素子付き半導体レーザを提供
することを目的とする。
電界吸収型光強度変調素子では、次のような問題があ
り、それを解決することが困難であった。従来の光強度
変調素子においては、αパラメータは正の値を持ってい
る。そのため、Ｇｂｉｔクラスの変調速度で、長距離の
光伝送を考えた場合、例えば、変調速度１０Ｇｂｉｔ／
ｓ、光ファイバの分散値Ｄ＝２ｐｓｅｃ／ｎｍ／Ｋｍで
は、伝送距離が２０〜５０Ｋｍ程度に制限される。伝送
距離が制限される理由は、光信号を光ファイバで伝送す
る場合、その光ファイバの波長分散によって光信号の波
形劣化が生じるからである。本発明は、前記従来技術が
持っていた課題として、伝送距離が制限される等といっ
た点について解決し、優れた低波長チャーピングの電界
吸収型光強度変調素子と、該光強度変調素子と半導体レ
ーザを組合せた光強度変調素子付き半導体レーザを提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、前記課題
を解決するために、半導体基板上に形成され、ｉ型光吸
収層の両側にｐ型層とｎ型層が設けられたｐ−ｉ−ｎ構
造に電圧を印加すると、該ｉ型光吸収層に電界がかか
り、その電界によって入射光の吸収係数が変化する光強
度変調素子において、次のような手段を講じている。即
ち、前記光吸収層を四元混晶であるＩｎＧａＡｓＰ等の
バルク材料で形成し、かつ波長ディチューニングΔλを
２０ｎｍ≦Δλ≦６０ｎｍ、あるいはエネルギーディチ
ューニングΔＥを１０．５ｍｅＶ≦ΔＥ≦３２．２ｍｅ
Ｖに設定している。第２の発明では、第１の発明の光強
度変調素子において、光吸収層の厚さｄa（μｍ）及び
素子長Ｌ（μｍ）を次式から得られる値に設定してい
る。 ａ1 ｅｘｐ｛．０４５Δλ｝＜Ｌ＜ａ2 ｅｘｐ｛．０２
Δλ｝ ａ1 ＝−８２．２７ｄa ＋３８．５ ａ2 ＝−１５０．５５ｄa ＋６２ 第３の発明では、光強度変調素子付き半導体レーザにお
いて、第２の発明の光強度変調素子を、半導体レーザと
組合せて、あるいは同一の半導体基板上に集積化して光
出力を得る構成にしている。
を解決するために、半導体基板上に形成され、ｉ型光吸
収層の両側にｐ型層とｎ型層が設けられたｐ−ｉ−ｎ構
造に電圧を印加すると、該ｉ型光吸収層に電界がかか
り、その電界によって入射光の吸収係数が変化する光強
度変調素子において、次のような手段を講じている。即
ち、前記光吸収層を四元混晶であるＩｎＧａＡｓＰ等の
バルク材料で形成し、かつ波長ディチューニングΔλを
２０ｎｍ≦Δλ≦６０ｎｍ、あるいはエネルギーディチ
ューニングΔＥを１０．５ｍｅＶ≦ΔＥ≦３２．２ｍｅ
Ｖに設定している。第２の発明では、第１の発明の光強
度変調素子において、光吸収層の厚さｄa（μｍ）及び
素子長Ｌ（μｍ）を次式から得られる値に設定してい
る。 ａ1 ｅｘｐ｛．０４５Δλ｝＜Ｌ＜ａ2 ｅｘｐ｛．０２
Δλ｝ ａ1 ＝−８２．２７ｄa ＋３８．５ ａ2 ＝−１５０．５５ｄa ＋６２ 第３の発明では、光強度変調素子付き半導体レーザにお
いて、第２の発明の光強度変調素子を、半導体レーザと
組合せて、あるいは同一の半導体基板上に集積化して光
出力を得る構成にしている。
【０００７】
【作用】第１の発明によれば、以上のように光強度変調
素子を構成したので、四元混晶であるＩｎＧａＡｓＰ等
のバルク材料を用いて形成された光吸収層は、そのバン
ドギャップエネルギーＥｇ０と、被変調光である入射光
のフォトンエネルギーＥinの差（これをエネルギーディ
チューニングΔＥという）が、電圧印加によって生じる
光吸収が増加し、かつ屈折率が減少するような働きをす
る。第２の発明によれば、光吸収層は、電圧無印加時で
の光の吸収をできるだけ抑え、かつ所望の消光効率が得
られるような働きをする。第３の発明によれば、半導体
レーザから出射されたレーザ光が光強度変調素子で変調
されて出射される。
素子を構成したので、四元混晶であるＩｎＧａＡｓＰ等
のバルク材料を用いて形成された光吸収層は、そのバン
ドギャップエネルギーＥｇ０と、被変調光である入射光
のフォトンエネルギーＥinの差（これをエネルギーディ
チューニングΔＥという）が、電圧印加によって生じる
光吸収が増加し、かつ屈折率が減少するような働きをす
る。第２の発明によれば、光吸収層は、電圧無印加時で
の光の吸収をできるだけ抑え、かつ所望の消光効率が得
られるような働きをする。第３の発明によれば、半導体
レーザから出射されたレーザ光が光強度変調素子で変調
されて出射される。
【０００８】
【実施例】第１の実施例 図１は、本発明の第１の実施例を示す電界吸収型光強度
変調素子の構造図である。この光強度変調素子は、ｎ型
ＩｎＰからなる半導体基板１を有している。半導体基板
１上には、ｎ型ＩｎＰからなる下側クラッド層２と、厚
さ約０．０６μｍ、ＰＬ（Photo Luminecense ）ピーク
波長１．３０μｍのｎ型ＩｎＧａＡｓＰからなるバッフ
ァ層３と、厚さｄa が約０．３０μｍ、ＰＬピーク波長
１．５０μｍのｕｎｄｏｐｅｄ（不純物非添加）ＩｎＧ
ａＡｓＰバルク材料からなる光吸収層４と、厚さ約０．
０６μｍ、ＰＬピーク波長１．３０μｍのｕｎｄｏｐｅ
ｄＩｎＧａＡｓＰからなる拡散防止層５と、厚さ約２μ
ｍのｐ型ＩｎＰからなるクラッド層６と、厚さ約０．２
μｍのｐ+ 型ＩｎＧａＡｓからなるコンタクト層７と
が、順次積層されている。この積層体は、上からｐ−ｉ
−ｎ構造Ａを成しており、このｐ−ｉ−ｎ構造Ａに電圧
Ｖa を印加すると、光吸収層４からなるｉ層に電界がか
かるようになっている。また、ｐ−ｉ−ｎ構造Ａは、幅
Ｗが約３μｍ、深さＤが約４〜５μｍの垂直ストライプ
構造（以下、ハイメサリッジ構造という）Ｂを形成して
いる。
変調素子の構造図である。この光強度変調素子は、ｎ型
ＩｎＰからなる半導体基板１を有している。半導体基板
１上には、ｎ型ＩｎＰからなる下側クラッド層２と、厚
さ約０．０６μｍ、ＰＬ（Photo Luminecense ）ピーク
波長１．３０μｍのｎ型ＩｎＧａＡｓＰからなるバッフ
ァ層３と、厚さｄa が約０．３０μｍ、ＰＬピーク波長
１．５０μｍのｕｎｄｏｐｅｄ（不純物非添加）ＩｎＧ
ａＡｓＰバルク材料からなる光吸収層４と、厚さ約０．
０６μｍ、ＰＬピーク波長１．３０μｍのｕｎｄｏｐｅ
ｄＩｎＧａＡｓＰからなる拡散防止層５と、厚さ約２μ
ｍのｐ型ＩｎＰからなるクラッド層６と、厚さ約０．２
μｍのｐ+ 型ＩｎＧａＡｓからなるコンタクト層７と
が、順次積層されている。この積層体は、上からｐ−ｉ
−ｎ構造Ａを成しており、このｐ−ｉ−ｎ構造Ａに電圧
Ｖa を印加すると、光吸収層４からなるｉ層に電界がか
かるようになっている。また、ｐ−ｉ−ｎ構造Ａは、幅
Ｗが約３μｍ、深さＤが約４〜５μｍの垂直ストライプ
構造（以下、ハイメサリッジ構造という）Ｂを形成して
いる。
【０００９】ハイメサリッジ構造Ｂの両脇は、電極容量
を減らして変調帯域を広げるために、低誘電率のポリイ
ミド８で埋め込まれている。ハイメサリッジ構造Ｂの上
部のコンタクト層７上には、オーミックコンタクト電極
９が形成され、さらにその上に上側ボンディング電極１
０が形成されている。この電極１０に対応して、半導体
基板１の下部には下側ボンディング電極１１が形成さ
れ、それらの電極１０と１１間に電圧Ｖa が印加される
ようになっている。ハイメサリッジ構造Ｂの一方の端面
から入射した入射光Ｐinは、そのハイメサリッジ構造Ｂ
中を長さＬにわたり伝送されていき、他方の端面から出
射光Ｐout の形で出力される。この光強度変調素子の両
端面（即ち、入射光面及び出射光面）には、光ファイバ
等の光学系との結合損失を小さくするために、図示しな
い反射防止膜（例えば、単層のＳｉＯx 膜等）が蒸着等
で形成されている。このような構造の光強度変調素子
は、例えば次のようにして製造される。
を減らして変調帯域を広げるために、低誘電率のポリイ
ミド８で埋め込まれている。ハイメサリッジ構造Ｂの上
部のコンタクト層７上には、オーミックコンタクト電極
９が形成され、さらにその上に上側ボンディング電極１
０が形成されている。この電極１０に対応して、半導体
基板１の下部には下側ボンディング電極１１が形成さ
れ、それらの電極１０と１１間に電圧Ｖa が印加される
ようになっている。ハイメサリッジ構造Ｂの一方の端面
から入射した入射光Ｐinは、そのハイメサリッジ構造Ｂ
中を長さＬにわたり伝送されていき、他方の端面から出
射光Ｐout の形で出力される。この光強度変調素子の両
端面（即ち、入射光面及び出射光面）には、光ファイバ
等の光学系との結合損失を小さくするために、図示しな
い反射防止膜（例えば、単層のＳｉＯx 膜等）が蒸着等
で形成されている。このような構造の光強度変調素子
は、例えば次のようにして製造される。
【００１０】ｎ型ＩｎＰ半導体基板１上に、ＭＯＶＰＥ
法等を用いてｎ型ＩｎＰ下側クラッド層２、ｎ型ＩｎＧ
ａＡｓＰバッファ層３、ｕｎｄｏｐｅｄ−ＩｎＧａＡｓ
Ｐバルク光吸収層４、ｕｎｄｏｐｅｄ−ＩｎＧａＡｓＰ
拡散防止層４、ｐ型ＩｎＰ上側クラッド層６、及びｐ+
型ＩｎＧａＡｓコンタンクト層７を順に成長していく。
オーミックコンタクト電極形成予定領域に、ＳｉＯ2 等
のマスク材を選択的に形成する。このマスク材をマスク
にして反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ法）等を用
い、コンタクト層７、上側クラッド層６、拡散防止層
５、光吸収層４、バッファ層３、及び下側クラッド層２
をエッチングし、島状のハイメサリッジ構造Ｂを形成す
る。ハイメサリッジ構造Ｂの両側をポリイミド８で埋め
込んだ後、素子の両端面に反射防止膜を被着する。そし
て、コンタクト層７上にオーミックコンタント電極９を
選択的に形成し、さらにその上に、上側ボンディング電
極１０を選択的に形成する。下側ボンディング電極１１
は、予め半導体基板１の裏面に形成しておけばよい。以
上のような製造工程を経て、図１の光強度変調素子が製
造される。
法等を用いてｎ型ＩｎＰ下側クラッド層２、ｎ型ＩｎＧ
ａＡｓＰバッファ層３、ｕｎｄｏｐｅｄ−ＩｎＧａＡｓ
Ｐバルク光吸収層４、ｕｎｄｏｐｅｄ−ＩｎＧａＡｓＰ
拡散防止層４、ｐ型ＩｎＰ上側クラッド層６、及びｐ+
型ＩｎＧａＡｓコンタンクト層７を順に成長していく。
オーミックコンタクト電極形成予定領域に、ＳｉＯ2 等
のマスク材を選択的に形成する。このマスク材をマスク
にして反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ法）等を用
い、コンタクト層７、上側クラッド層６、拡散防止層
５、光吸収層４、バッファ層３、及び下側クラッド層２
をエッチングし、島状のハイメサリッジ構造Ｂを形成す
る。ハイメサリッジ構造Ｂの両側をポリイミド８で埋め
込んだ後、素子の両端面に反射防止膜を被着する。そし
て、コンタクト層７上にオーミックコンタント電極９を
選択的に形成し、さらにその上に、上側ボンディング電
極１０を選択的に形成する。下側ボンディング電極１１
は、予め半導体基板１の裏面に形成しておけばよい。以
上のような製造工程を経て、図１の光強度変調素子が製
造される。
【００１１】次に、このようにして製造された図１の光
強度変調素子の動作特性等を説明する。上側ボンディン
グ電極１０と下側ボンディング電極１１との間に電圧Ｖ
a を印加しない場合、光強度変調素子の一方の端面から
入射された入射光Ｐinは、ｐ−ｉ−ｎ構造Ａからなる導
波路中を素子長Ｌ方向へ伝搬され、該光強度変調素子の
他方の端面からそのまま出射光Ｐout の形で出力され
る。上側ボンディング電極１０と下側ボンディング電極
１１との間に電圧Ｖa を印加すると、ｐ−ｉ−ｎ構造Ａ
中のｉ層である光吸収層４に電界がかかり、その電界に
よって入射光Ｐinの吸収係数が変化し、該入射光Ｐinが
遮断される。このようなオン、オフのスイッチ作用を利
用し、被変調光である入射光Ｐinの変調が行われ、出射
光Ｐout として出力される。このような動作特性を解析
するため、まず、光強度変調素子の端面での光の結合効
率、伝搬損失、及び消光比を定式化する。入射光Ｐinに
対する光強度変調素子からの出射光Ｐout は、次式
（３）で表される。
強度変調素子の動作特性等を説明する。上側ボンディン
グ電極１０と下側ボンディング電極１１との間に電圧Ｖ
a を印加しない場合、光強度変調素子の一方の端面から
入射された入射光Ｐinは、ｐ−ｉ−ｎ構造Ａからなる導
波路中を素子長Ｌ方向へ伝搬され、該光強度変調素子の
他方の端面からそのまま出射光Ｐout の形で出力され
る。上側ボンディング電極１０と下側ボンディング電極
１１との間に電圧Ｖa を印加すると、ｐ−ｉ−ｎ構造Ａ
中のｉ層である光吸収層４に電界がかかり、その電界に
よって入射光Ｐinの吸収係数が変化し、該入射光Ｐinが
遮断される。このようなオン、オフのスイッチ作用を利
用し、被変調光である入射光Ｐinの変調が行われ、出射
光Ｐout として出力される。このような動作特性を解析
するため、まず、光強度変調素子の端面での光の結合効
率、伝搬損失、及び消光比を定式化する。入射光Ｐinに
対する光強度変調素子からの出射光Ｐout は、次式
（３）で表される。
【００１２】 Ｐout ／Ｐin ＝η2 ｅｘｐ｛−Γ(ｄa ）(α0 (λin)＋Δα(λin，Ｆ)）Ｌ｝ ・・・（３） 但し、η；端面での光の結合効率 Γ(ｄa )；導波路（ｐ−ｉ−ｎ構造Ａ）の光閉じ込め係
数 α0 (λin)；電圧無印加時の光吸収係数 Δα(λin，Ｆ)；電圧印加時の光吸収係数の変化 Ｌ；素子長（ｐ−ｉ−ｎ構造Ａのｉ層の長さ） ｄa ；光吸収層４の厚さ λin；入射光（被変調光）Ｐinの波長 Ｆ；印加する電界強度（Ｆ＝Ｖa ／ｄj 、Ｖa ；印加電
圧、ｄj ；ｐ−ｉ−ｎ構造Ａのｉ層の厚さ） この（３）式では、光吸収係数α0 及び光吸収係数の変
化Δαを正の値として扱うため、マイナスの符号を導入
している。（３）式をデシベル（ｄＢ）表示すると、次
式（４）となる。
数 α0 (λin)；電圧無印加時の光吸収係数 Δα(λin，Ｆ)；電圧印加時の光吸収係数の変化 Ｌ；素子長（ｐ−ｉ−ｎ構造Ａのｉ層の長さ） ｄa ；光吸収層４の厚さ λin；入射光（被変調光）Ｐinの波長 Ｆ；印加する電界強度（Ｆ＝Ｖa ／ｄj 、Ｖa ；印加電
圧、ｄj ；ｐ−ｉ−ｎ構造Ａのｉ層の厚さ） この（３）式では、光吸収係数α0 及び光吸収係数の変
化Δαを正の値として扱うため、マイナスの符号を導入
している。（３）式をデシベル（ｄＢ）表示すると、次
式（４）となる。
【００１３】 １０Ｌｏｇ（Ｐout ／Ｐin） ＝２０Ｌｏｇ η−４．３４３Γ(ｄa ）(α0 (λin） ＋Δα（λin，Ｆ））Ｌ ＝２０Ｌｏｇ η −４．３４３Γ(ｄa ）α0 (λin）Ｌ −４．３４３Γ(ｄa ）Δα(λin，Ｆ）Ｌ ［ｄＢ］ ・・・（４） （４）式の第２項より、電界無印加時の入射光Ｐinの伝
搬損失Ｌｏｓｓ（Ｆ0）は、 Ｌｏｓｓ（Ｆ0 ）＝４．３４３Γ(ｄa ）α0 (λin）Ｌ ［ｄＢ］ ・・・（５） （４）式の第３項より、消光比ＥＲは、 ＥＲ＝４．３４３Γ(ｄa ）Δα(λin，Ｆ）Ｌ ［ｄＢ］ ・・・（６） と表示される。また、消光比ＥＲを印加電圧Ｖa で割っ
た値、即ち消光効率ＥＲ−ｅｆｆは、次式（７）とな
る。なお、（４）式の第１項は、両端面での結合効率を
表す。
搬損失Ｌｏｓｓ（Ｆ0）は、 Ｌｏｓｓ（Ｆ0 ）＝４．３４３Γ(ｄa ）α0 (λin）Ｌ ［ｄＢ］ ・・・（５） （４）式の第３項より、消光比ＥＲは、 ＥＲ＝４．３４３Γ(ｄa ）Δα(λin，Ｆ）Ｌ ［ｄＢ］ ・・・（６） と表示される。また、消光比ＥＲを印加電圧Ｖa で割っ
た値、即ち消光効率ＥＲ−ｅｆｆは、次式（７）とな
る。なお、（４）式の第１項は、両端面での結合効率を
表す。
【００１４】 ＥＲ−ｅｆｆ＝４．３４３Γ(ｄa ）Δα(λin，Ｆ）Ｌ／Ｖa ［ｄＢ／Ｖ］ ・・・（７） 光強度変調では、電界無印加時の伝搬損失Ｌｏｓｓ（Ｆ
0 ）は小さいほど良く、消光効率ＥＲ−ｅｆｆは大きい
ほど良い。光閉じ込め係数Γ（ｄa ）は光吸収層４の厚
さｄa が増すにつれて大きくなる。そのため、光吸収層
４の厚さｄa を大きくすると、消光効率ＥＲ−ｅｆｆ及
び挿入損失が大きくなるので、伝搬損失Ｌｏｓｓ
（Ｆ0 ）と消光効率ＥＲ−ｅｆｆは、厚さｄa と素子長
Ｌについて一方を大きくすると他方が小さくなり、一方
を小さくすると他方が大きくなるというトレードオフの
関係がある。また、電圧無印加時の光吸収係数α0 （λ
in）は小さく、かつ電圧印加時の光吸収係数の変化を電
圧Ｖa で割った値Δα（λin，Ｆ）／Ｖa は大きい方が
望ましい。α0 （λin）とΔα（λin，Ｆ）／Ｖa は、
光吸収層４がバルク構造か量子井戸構造か、あるいは材
料に何を用いているかによって異なるが、バルク構造を
考えた場合、電界吸収効果を用いた光強度変調を行う時
には、α0 （λin）とΔα（λin，Ｆ）／Ｖa は入射光
波長（被変調光波長）λinについてトレードオフの関係
である。つまり、光吸収層４のバンドギャップ波長λg0
と被変調光波長λinの差（これを波長ディチューニング
Δλという）について、トレードオフの関係にある。
0 ）は小さいほど良く、消光効率ＥＲ−ｅｆｆは大きい
ほど良い。光閉じ込め係数Γ（ｄa ）は光吸収層４の厚
さｄa が増すにつれて大きくなる。そのため、光吸収層
４の厚さｄa を大きくすると、消光効率ＥＲ−ｅｆｆ及
び挿入損失が大きくなるので、伝搬損失Ｌｏｓｓ
（Ｆ0 ）と消光効率ＥＲ−ｅｆｆは、厚さｄa と素子長
Ｌについて一方を大きくすると他方が小さくなり、一方
を小さくすると他方が大きくなるというトレードオフの
関係がある。また、電圧無印加時の光吸収係数α0 （λ
in）は小さく、かつ電圧印加時の光吸収係数の変化を電
圧Ｖa で割った値Δα（λin，Ｆ）／Ｖa は大きい方が
望ましい。α0 （λin）とΔα（λin，Ｆ）／Ｖa は、
光吸収層４がバルク構造か量子井戸構造か、あるいは材
料に何を用いているかによって異なるが、バルク構造を
考えた場合、電界吸収効果を用いた光強度変調を行う時
には、α0 （λin）とΔα（λin，Ｆ）／Ｖa は入射光
波長（被変調光波長）λinについてトレードオフの関係
である。つまり、光吸収層４のバンドギャップ波長λg0
と被変調光波長λinの差（これを波長ディチューニング
Δλという）について、トレードオフの関係にある。
【００１５】次に、光強度変調素子のαパラメータにつ
いて検討する。αパラメータは、前述したように光強度
の変化と屈折率の変化の比を表すが、それらの計算例
は、例えば前記文献４に記載されているので、それを図
２（ａ），（ｂ）に示す。図２（ａ），（ｂ）は、材料
としてＩｎＰと同じＺｉｎｃ−Ｂｌｅｎｄ型の半導体結
晶であるＧａＡｓを用いた、吸収係数の変化Δαと屈折
率の変化Δｎを示す図である。図２（ａ），（ｂ）の横
軸には、光のエネルギーｈωから電界Ｅｇを引いた値が
とられている。この図２（ａ），（ｂ）から明らかなよ
うに、バンドギャップエネルギーＥｇ０よりも約数十ｍ
ｅＶ小さいフォトンエネルギーＥinを持つ光に対する吸
収係数と屈折率共に、電界印加によって増加する（αパ
ラメータは正の値となる）。これに対し、 ΔＥ＝Ｅｇ０−Ｅin＜約３０ｍｅＶ の範囲では、吸収係数は増加するが屈折率は減少し（α
パラメータは負の値となる）、（１）式を満たすαパラ
メータを得ることが可能である。ＧａＡｓと同様に、Ｉ
ｎＰにおいても、光吸収層４のエネルギーディチューニ
ングΔＥを適当に選ぶことにより、（１）式を満たすα
パラメータを得ることができる。但し、エネルギーディ
チューニングΔＥと波長ディチューニングΔλには、 ΔＥ［ｅＶ］＝Ｅｇ−Ｅin＝１．２４／λg0−１．２４／λin ・・・（８−１） あるいは、 Δλ［μｍ］＝λin−λg0＝１．２４／Ｅin−１．２４／Ｅｇ ・・・（８−２） の関係がある。
いて検討する。αパラメータは、前述したように光強度
の変化と屈折率の変化の比を表すが、それらの計算例
は、例えば前記文献４に記載されているので、それを図
２（ａ），（ｂ）に示す。図２（ａ），（ｂ）は、材料
としてＩｎＰと同じＺｉｎｃ−Ｂｌｅｎｄ型の半導体結
晶であるＧａＡｓを用いた、吸収係数の変化Δαと屈折
率の変化Δｎを示す図である。図２（ａ），（ｂ）の横
軸には、光のエネルギーｈωから電界Ｅｇを引いた値が
とられている。この図２（ａ），（ｂ）から明らかなよ
うに、バンドギャップエネルギーＥｇ０よりも約数十ｍ
ｅＶ小さいフォトンエネルギーＥinを持つ光に対する吸
収係数と屈折率共に、電界印加によって増加する（αパ
ラメータは正の値となる）。これに対し、 ΔＥ＝Ｅｇ０−Ｅin＜約３０ｍｅＶ の範囲では、吸収係数は増加するが屈折率は減少し（α
パラメータは負の値となる）、（１）式を満たすαパラ
メータを得ることが可能である。ＧａＡｓと同様に、Ｉ
ｎＰにおいても、光吸収層４のエネルギーディチューニ
ングΔＥを適当に選ぶことにより、（１）式を満たすα
パラメータを得ることができる。但し、エネルギーディ
チューニングΔＥと波長ディチューニングΔλには、 ΔＥ［ｅＶ］＝Ｅｇ−Ｅin＝１．２４／λg0−１．２４／λin ・・・（８−１） あるいは、 Δλ［μｍ］＝λin−λg0＝１．２４／Ｅin−１．２４／Ｅｇ ・・・（８−２） の関係がある。
【００１６】以上の検討をもとに、実際に光吸収層４に
２種類の組成のＩｎＧａＡｓＰバルク材料（光吸収層組
成１．４７μｍ、１．５０μｍ）を用い、またそれぞれ
に対して２種類の厚さを設定して、電界吸収型光強度変
調素子を作製し、挿入損失特性及び消光特性（挿入損失
の電圧印加による変化量）の波長依存性を測定した。そ
の測定結果の一例を図３（ａ），（ｂ）に示す。図３
（ａ），（ｂ）は、光吸収層組成１．４７μｍ、光吸収
層厚０．２６μｍ、及び素子長２００μｍの光強度変調
素子における挿入損失特性及び消光特性の測定結果を示
す図であり、同図（ａ）は挿入損失の入射光波長依存性
を示す図、及び同図（ｂ）は印加電圧による挿入損失の
変化量の入射光波長依存性を示す図である。これらの図
３（ａ），（ｂ）より、電圧無印加時の伝搬損失Ｌｏｓ
ｓ（Ｆ0 ）及び消光効率ＥＲ−ｅｆｆの入射光波長依存
性が求められる。
２種類の組成のＩｎＧａＡｓＰバルク材料（光吸収層組
成１．４７μｍ、１．５０μｍ）を用い、またそれぞれ
に対して２種類の厚さを設定して、電界吸収型光強度変
調素子を作製し、挿入損失特性及び消光特性（挿入損失
の電圧印加による変化量）の波長依存性を測定した。そ
の測定結果の一例を図３（ａ），（ｂ）に示す。図３
（ａ），（ｂ）は、光吸収層組成１．４７μｍ、光吸収
層厚０．２６μｍ、及び素子長２００μｍの光強度変調
素子における挿入損失特性及び消光特性の測定結果を示
す図であり、同図（ａ）は挿入損失の入射光波長依存性
を示す図、及び同図（ｂ）は印加電圧による挿入損失の
変化量の入射光波長依存性を示す図である。これらの図
３（ａ），（ｂ）より、電圧無印加時の伝搬損失Ｌｏｓ
ｓ（Ｆ0 ）及び消光効率ＥＲ−ｅｆｆの入射光波長依存
性が求められる。
【００１７】図４は、図１の光強度変調素子を用いた光
変調装置の構成例を示す図である。図４に示すように、
光変調装置を半導体レーザ２１、光強度変調素子２２、
及び光増幅素子（光増幅器）２３の順で構成することを
考える。このような光変調装置では、半導体レーザ２１
から出力されたレーザ光が、光強度変調素子２２で変調
され、光増幅素子２３で増幅された後、光ファイバ等へ
送出される。このような光変調装置において、光強度変
調素子２２に要求される挿入損失Ｌ0(MOD)は、半導体レ
ーザ２１から光強度変調素子２２に入るパワーＰin(LD)
と、光増幅素子２３を通過した後の信号光の信号／雑音
（ＳＮ）が極端に悪くならない程度の該光増幅素子２３
への平均入力パワーＰin(Amp) を考慮しなければならな
い。ここで、一般的な値として、パワーＰin(LD)＝＋１
０ｄＢｍ、平均入力パワーＰin(Amp) ＝−１５ｄＢｍを
用い、またＮＲＺ変調信号のマーク率（１０１０…の繰
り返しの場合のデューティ比に相当する）が１／２（＝
５０％＝３ｄＢ）であるとすると、 Ｌ0(MOD)＝１０−（−１５）−３＝２２ｄＢ となる。さらに、光強度変調素子２２の両端面での結合
効率を７ｄＢとすると、該光強度変調素子２２内での伝
搬損失Ｌｏｓｓ（Ｆ0 ）は、 ２２−７＝１５ｄＢ以下 にする必要がある。また、消光比１２ｄＢを印加電圧３
Ｖ以下で得ることを考えると、消光効率ＥＲ−ｅｆｆは
４ｄＢ／Ｖ以上でなければならない。
変調装置の構成例を示す図である。図４に示すように、
光変調装置を半導体レーザ２１、光強度変調素子２２、
及び光増幅素子（光増幅器）２３の順で構成することを
考える。このような光変調装置では、半導体レーザ２１
から出力されたレーザ光が、光強度変調素子２２で変調
され、光増幅素子２３で増幅された後、光ファイバ等へ
送出される。このような光変調装置において、光強度変
調素子２２に要求される挿入損失Ｌ0(MOD)は、半導体レ
ーザ２１から光強度変調素子２２に入るパワーＰin(LD)
と、光増幅素子２３を通過した後の信号光の信号／雑音
（ＳＮ）が極端に悪くならない程度の該光増幅素子２３
への平均入力パワーＰin(Amp) を考慮しなければならな
い。ここで、一般的な値として、パワーＰin(LD)＝＋１
０ｄＢｍ、平均入力パワーＰin(Amp) ＝−１５ｄＢｍを
用い、またＮＲＺ変調信号のマーク率（１０１０…の繰
り返しの場合のデューティ比に相当する）が１／２（＝
５０％＝３ｄＢ）であるとすると、 Ｌ0(MOD)＝１０−（−１５）−３＝２２ｄＢ となる。さらに、光強度変調素子２２の両端面での結合
効率を７ｄＢとすると、該光強度変調素子２２内での伝
搬損失Ｌｏｓｓ（Ｆ0 ）は、 ２２−７＝１５ｄＢ以下 にする必要がある。また、消光比１２ｄＢを印加電圧３
Ｖ以下で得ることを考えると、消光効率ＥＲ−ｅｆｆは
４ｄＢ／Ｖ以上でなければならない。
【００１８】そこで、伝搬損失Ｌｏｓｓ（Ｆ0 ）が１５
ｄＢ以下、消光効率ＥＲ−ｅｆｆが４ｄＢ／Ｖ以上を得
ることができる波形ディチューニングΔλの量、光吸収
層厚ｄa 、及び素子長Ｌの範囲を求める経験式を、前述
の測定結果から導いた。それによると、伝搬損失Ｌｏｓ
ｓ（Ｆ0 ）が１５ｄＢとなる素子長Ｌ(15dB)は、 Ｌ(15dB)＝ａ1 ｅｘｐ｛．０４５Δλ｝ ・・・（９） ａ1 ＝−８２．２７ｄa ＋３８．５ ・・・（１０） また、消光効率が４ｄＢ／Ｖとなる素子長Ｌ
(4dB/V) は、 Ｌ(4dB/V) ＝ａ2 ｅｘｐ｛．０２Δλ｝ ・・・（１１） ａ2 ＝−１５０．５５ｄa ＋６２ ・・・（１２） となる。但し、単位は素子長Ｌがμｍ、波長ディチュー
ニングΔλがｎｍ、及び光吸収層厚ｄa がμｍである。
従って、任意のディチューニングと光吸収層厚を（９）
式及び（１１）式に代入し、そして、（９）式から得ら
れる値よりも短く、かつ（１１）式から得られる値より
も長く素子長Ｌを設定すれば良い。
ｄＢ以下、消光効率ＥＲ−ｅｆｆが４ｄＢ／Ｖ以上を得
ることができる波形ディチューニングΔλの量、光吸収
層厚ｄa 、及び素子長Ｌの範囲を求める経験式を、前述
の測定結果から導いた。それによると、伝搬損失Ｌｏｓ
ｓ（Ｆ0 ）が１５ｄＢとなる素子長Ｌ(15dB)は、 Ｌ(15dB)＝ａ1 ｅｘｐ｛．０４５Δλ｝ ・・・（９） ａ1 ＝−８２．２７ｄa ＋３８．５ ・・・（１０） また、消光効率が４ｄＢ／Ｖとなる素子長Ｌ
(4dB/V) は、 Ｌ(4dB/V) ＝ａ2 ｅｘｐ｛．０２Δλ｝ ・・・（１１） ａ2 ＝−１５０．５５ｄa ＋６２ ・・・（１２） となる。但し、単位は素子長Ｌがμｍ、波長ディチュー
ニングΔλがｎｍ、及び光吸収層厚ｄa がμｍである。
従って、任意のディチューニングと光吸収層厚を（９）
式及び（１１）式に代入し、そして、（９）式から得ら
れる値よりも短く、かつ（１１）式から得られる値より
も長く素子長Ｌを設定すれば良い。
【００１９】図５は、光吸収層厚ｄj をパラメータとし
て、消光効率４ｄＢ／Ｖ、及び挿入損失１５ｄＢを満た
す素子長Ｌの波長ディチューニング依存性を示す図であ
る。この図５では、（９）式と（１１）式を用いて、光
吸収層厚ｄj を０．１５、０．２０、０．２５、０．３
０、０．３５、０．４０μｍとした時の計算値を示して
いる。図６は、作製した光強度変調素子における入射光
波長を１．５５μｍとした時のαパラメータの波長ディ
チューニング依存性を示す図である。この図６より、
（１）式を満たすには、次式（１３）のように、波長デ
ィチューニングΔλは６０ｎｍ以下、あるいはエネルギ
ーディチューニングΔＥは３２．２ｍｅＶ以下とする必
要がある。なお、波長ディチューニングΔλは２０ｎｍ
よりも小さい、あるいはエネルギーディチューニングΔ
Ｅは１０．５ｍｅＶよりも小さいと、伝搬損失Ｌｏｓｓ
（Ｆ0 ）が大きくて実用性が無いため、波長ディチュー
ニングΔλは２０ｎｍ以上、あるいはエネルギーディチ
ューニングΔＥは１０．５ｍｅＶ以上にすることが望ま
しい。
て、消光効率４ｄＢ／Ｖ、及び挿入損失１５ｄＢを満た
す素子長Ｌの波長ディチューニング依存性を示す図であ
る。この図５では、（９）式と（１１）式を用いて、光
吸収層厚ｄj を０．１５、０．２０、０．２５、０．３
０、０．３５、０．４０μｍとした時の計算値を示して
いる。図６は、作製した光強度変調素子における入射光
波長を１．５５μｍとした時のαパラメータの波長ディ
チューニング依存性を示す図である。この図６より、
（１）式を満たすには、次式（１３）のように、波長デ
ィチューニングΔλは６０ｎｍ以下、あるいはエネルギ
ーディチューニングΔＥは３２．２ｍｅＶ以下とする必
要がある。なお、波長ディチューニングΔλは２０ｎｍ
よりも小さい、あるいはエネルギーディチューニングΔ
Ｅは１０．５ｍｅＶよりも小さいと、伝搬損失Ｌｏｓｓ
（Ｆ0 ）が大きくて実用性が無いため、波長ディチュー
ニングΔλは２０ｎｍ以上、あるいはエネルギーディチ
ューニングΔＥは１０．５ｍｅＶ以上にすることが望ま
しい。
【００２０】 ２０≦Δλ≦６０ｎｍ、あるいは、１０．５≦ΔＥ≦３２．２ｍｅＶ ・・・（１３） 図７は、図１及び図４の光強度変調素子２２の変調帯域
を説明する図である。Ｇｂｉｔクラスの変調速度で光強
度変調素子２２に変調信号を印加する場合、変調帯域を
考慮する必要がある。変調帯域を制限するものは、電界
がかかるｐ−ｉ−ｎ構造Ａのｉ層（光吸収層４）の接合
容量や電極間容量、上側ボンディング電極１０及び下側
ボンディング電極１１に接続されるワイヤ等のインダク
タンス、コンタクト層７及びオーミックコンタクト電極
９におけるオーミックコンタクト層での直列抵抗や終端
抵抗Ｒを考慮しなければならないが、その中でも最終的
に残るのは、ｉ層の接合容量Ｃj と終端抵抗Ｒである。
図７に示すように、接合容量Ｃj と終端抵抗Ｒの２つの
みが並列に接続されている場合には、光強度変調素子２
２の変調帯域ｆ3dB は次式（１４），（１５）で表され
る。
を説明する図である。Ｇｂｉｔクラスの変調速度で光強
度変調素子２２に変調信号を印加する場合、変調帯域を
考慮する必要がある。変調帯域を制限するものは、電界
がかかるｐ−ｉ−ｎ構造Ａのｉ層（光吸収層４）の接合
容量や電極間容量、上側ボンディング電極１０及び下側
ボンディング電極１１に接続されるワイヤ等のインダク
タンス、コンタクト層７及びオーミックコンタクト電極
９におけるオーミックコンタクト層での直列抵抗や終端
抵抗Ｒを考慮しなければならないが、その中でも最終的
に残るのは、ｉ層の接合容量Ｃj と終端抵抗Ｒである。
図７に示すように、接合容量Ｃj と終端抵抗Ｒの２つの
みが並列に接続されている場合には、光強度変調素子２
２の変調帯域ｆ3dB は次式（１４），（１５）で表され
る。
【００２１】 ｆ3dB ＝１／（π・Ｒ・Ｃj ） ＝１／（π・Ｒ）・ｄj ／（ε・Ｗ・Ｌ） ＝１／（π・ε・Ｒ）・ｄj ／（Ｗ・Ｌ） ・・・（１４） Ｌ＝ｄj ／（π・ε・Ｒ・Ｗ・ｆ3dB ） ・・・（１５） 但し、Ｗ；ｐ−ｉ−ｎ構造Ａのｉ層の幅 ε；ｐ−ｉ−ｎ構造Ａのｉ層の誘電率 （１４）式より、ｉ層の厚さｄj が厚いほど、幅Ｗと長
さＬが小さいほど、光強度変調素子２２の変調帯域ｆ
3dB が大きくなることが分かる。ｉ層の厚さｄjと幅Ｗ
が分かっており、また光強度変調素子２２に要求される
変調帯域ｆ3dB が決まれば、（１５）式に示すように、
素子長Ｌの上限が決定されることになる。以上の光吸収
層４の組成波長、光吸収層４の厚さｄj 、及び素子長Ｌ
に関する検討に、前述した本実施例の光吸収層組成１．
５０μｍ、厚さ０．３μｍ、素子長１０μｍ及び１５０
μｍを当てはめると、図８のようになる。
さＬが小さいほど、光強度変調素子２２の変調帯域ｆ
3dB が大きくなることが分かる。ｉ層の厚さｄjと幅Ｗ
が分かっており、また光強度変調素子２２に要求される
変調帯域ｆ3dB が決まれば、（１５）式に示すように、
素子長Ｌの上限が決定されることになる。以上の光吸収
層４の組成波長、光吸収層４の厚さｄj 、及び素子長Ｌ
に関する検討に、前述した本実施例の光吸収層組成１．
５０μｍ、厚さ０．３μｍ、素子長１０μｍ及び１５０
μｍを当てはめると、図８のようになる。
【００２２】図８は、図１の光強度変調素子の設計例を
示す図である。図８中の斜線部分は、（９）式で表され
る素子長Ｌ(15dB)と、（１１）式で表される素子長Ｌ
(4dB/V) と、（１３）式より得られる波長ディチューニ
ングΔλの上限６０ｎｍに囲まれている領域を表してい
る。その斜線部分内に本実施例が黒丸でプロット（光吸
収層組成１．５０μｍ、光吸収層厚０．３μｍ、素子長
１００、１５０μｍ）されている。この図８から明らか
なように、要求される全ての特性を満たすことが理解さ
れる。なお、図８の変調帯域ｆ3dB ＝１０ＧＨｚ及びｆ
3dB ＝２０ＧＨｚを表す破線は、ｉ層の比誘電率を１２
とし、幅Ｗを３μｍ、終端抵抗Ｒを５０Ωとした時の
（１５）式より計算される素子長Ｌを示している。但
し、光吸収層４の厚さｄaとｐ−ｉ−ｎ構造Ａのｉ層の
厚さｄj を区別しているが、これはｐ型不純物であるＺ
ｎの結晶成長中の拡散を考慮したものであり、ここでは
ｄa ＝ｄj として計算している。
示す図である。図８中の斜線部分は、（９）式で表され
る素子長Ｌ(15dB)と、（１１）式で表される素子長Ｌ
(4dB/V) と、（１３）式より得られる波長ディチューニ
ングΔλの上限６０ｎｍに囲まれている領域を表してい
る。その斜線部分内に本実施例が黒丸でプロット（光吸
収層組成１．５０μｍ、光吸収層厚０．３μｍ、素子長
１００、１５０μｍ）されている。この図８から明らか
なように、要求される全ての特性を満たすことが理解さ
れる。なお、図８の変調帯域ｆ3dB ＝１０ＧＨｚ及びｆ
3dB ＝２０ＧＨｚを表す破線は、ｉ層の比誘電率を１２
とし、幅Ｗを３μｍ、終端抵抗Ｒを５０Ωとした時の
（１５）式より計算される素子長Ｌを示している。但
し、光吸収層４の厚さｄaとｐ−ｉ−ｎ構造Ａのｉ層の
厚さｄj を区別しているが、これはｐ型不純物であるＺ
ｎの結晶成長中の拡散を考慮したものであり、ここでは
ｄa ＝ｄj として計算している。
【００２３】以上のように、本実施例の光強度変調素子
では、次のような利点（ａ），（ｂ）がある。 （ａ） 本実施例の光強度変調素子では、αパラメータ
を（１）式で設定した値になるように、波長ディチュー
ニングΔλあるいはエネルギーディチューニングΔＥを
設定しつつ、光吸収層４の厚さｄa 及び素子長Ｌを適当
に選ぶことにより、要求される挿入損失Ｌ0(MOD)及び消
光効率ＥＲ−ｅｆｆを満たすようにしている。そのた
め、図４に示すように、本実施例の光強度変調素子２２
を用いて、光通信システムにおける信号光を形成するた
めの光変調装置を構成した場合、文献２の図８に示され
ているような大きな伝送容量を得ることが可能となる。 （ｂ） 前記（ａ）の効果の確認実験として、ビットレ
ートが１０Ｇｂｉｔ／ｓ、光ファイバの分散値が約１８
ｐｓｅｃ／ｎｍ／Ｋｍ、光強度変調素子のバイアス電圧
が−１Ｖｂｉａｓ、光強度変調素子の振幅電圧（ピーク
ツーピーク）が１Ｖp-p の条件で、光伝送実験を行い、
その結果を図９に示す。
では、次のような利点（ａ），（ｂ）がある。 （ａ） 本実施例の光強度変調素子では、αパラメータ
を（１）式で設定した値になるように、波長ディチュー
ニングΔλあるいはエネルギーディチューニングΔＥを
設定しつつ、光吸収層４の厚さｄa 及び素子長Ｌを適当
に選ぶことにより、要求される挿入損失Ｌ0(MOD)及び消
光効率ＥＲ−ｅｆｆを満たすようにしている。そのた
め、図４に示すように、本実施例の光強度変調素子２２
を用いて、光通信システムにおける信号光を形成するた
めの光変調装置を構成した場合、文献２の図８に示され
ているような大きな伝送容量を得ることが可能となる。 （ｂ） 前記（ａ）の効果の確認実験として、ビットレ
ートが１０Ｇｂｉｔ／ｓ、光ファイバの分散値が約１８
ｐｓｅｃ／ｎｍ／Ｋｍ、光強度変調素子のバイアス電圧
が−１Ｖｂｉａｓ、光強度変調素子の振幅電圧（ピーク
ツーピーク）が１Ｖp-p の条件で、光伝送実験を行い、
その結果を図９に示す。
【００２４】図９は、図１の光強度変調素子（光吸収層
組成１．５０μｍ、光吸収層厚０．３μｍ、素子長１５
０μｍ）を用いて行った光伝送実験より得られたパワー
ペナルティの総分散量依存性を示す図である。パワーペ
ナルティ２ｄＢを与える総分散量が、伝送できる上限を
示すものとすると、分散値１８ｐｓｅｃ／ｎｍ／Ｋｍ及
び分散値２ｐｓｅｃ／ｎｍ／Ｋｍの光ファイバを用いた
場合には、それぞれ約８０Ｋｍ、及び７５０Ｋｍ伝送で
きることが分かる。この結果は、従来の分散量限界の約
２倍近い値であり、本実施例の光強度変調素子が光通信
の長距離化、及び大容量化に大きく寄与することを実証
するものである。
組成１．５０μｍ、光吸収層厚０．３μｍ、素子長１５
０μｍ）を用いて行った光伝送実験より得られたパワー
ペナルティの総分散量依存性を示す図である。パワーペ
ナルティ２ｄＢを与える総分散量が、伝送できる上限を
示すものとすると、分散値１８ｐｓｅｃ／ｎｍ／Ｋｍ及
び分散値２ｐｓｅｃ／ｎｍ／Ｋｍの光ファイバを用いた
場合には、それぞれ約８０Ｋｍ、及び７５０Ｋｍ伝送で
きることが分かる。この結果は、従来の分散量限界の約
２倍近い値であり、本実施例の光強度変調素子が光通信
の長距離化、及び大容量化に大きく寄与することを実証
するものである。
【００２５】第２の実施例 図１０は、本発明の第２の実施例を示すもので、第１の
実施例（図１及び図４）の電界吸収型光強度変調素子２
２と半導体レーザ２１とを同一の半導体基板上に集積化
して構成した光強度変調素子付き半導体レーザの構造図
であり、図１及び図４中の要素と共通の要素には共通の
符号が付されている。この光強度変調素子付き半導体レ
ーザでは、同一のｎ型ＩｎＰ半導体基板１上に、図１と
同一の構造の光強度変調素子２２と図４の半導体レーザ
２１とが集積化して形成されている。半導体レーザ２１
は、例えばＤＦＢレーザ（Distributed Feed Back lase
r ）で構成され、butt-joint法を用いて光強度変調素子
２２と光結合されている。半導体レーザ２１は、通常の
ｐ−ｎブロック層を有する埋め込み構造であり、ｎ型Ｉ
ｎＰからなる下側クラッド層２、ＩｎＧａＡｓＰからな
る活性層３１、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰからなるガイド層３
２、ｐ型ＩｎＰからなるブロック層３３、ｎ型ＩｎＰか
らなるブロック層３４、ｐ型ＩｎＰからなる上側クラッ
ド層６、ｐ型ＩｎＧａＡｓからなるキャップ層３５、オ
ーミックコンタクト電極３６、及び上側ボンディング電
極３７から構成されている。
実施例（図１及び図４）の電界吸収型光強度変調素子２
２と半導体レーザ２１とを同一の半導体基板上に集積化
して構成した光強度変調素子付き半導体レーザの構造図
であり、図１及び図４中の要素と共通の要素には共通の
符号が付されている。この光強度変調素子付き半導体レ
ーザでは、同一のｎ型ＩｎＰ半導体基板１上に、図１と
同一の構造の光強度変調素子２２と図４の半導体レーザ
２１とが集積化して形成されている。半導体レーザ２１
は、例えばＤＦＢレーザ（Distributed Feed Back lase
r ）で構成され、butt-joint法を用いて光強度変調素子
２２と光結合されている。半導体レーザ２１は、通常の
ｐ−ｎブロック層を有する埋め込み構造であり、ｎ型Ｉ
ｎＰからなる下側クラッド層２、ＩｎＧａＡｓＰからな
る活性層３１、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰからなるガイド層３
２、ｐ型ＩｎＰからなるブロック層３３、ｎ型ＩｎＰか
らなるブロック層３４、ｐ型ＩｎＰからなる上側クラッ
ド層６、ｐ型ＩｎＧａＡｓからなるキャップ層３５、オ
ーミックコンタクト電極３６、及び上側ボンディング電
極３７から構成されている。
【００２６】このような構造の光強度変調素子付き半導
体レーザは、例えば次のようにして製造される。まず、
半導体基板１上に、ＭＯＶＰＥ法等で下側クラッド層２
を成長し、さらに光強度変調素子領域にバッファ層３を
選択成長する。半導体レーザ領域に、多重量子井戸型の
活性層３１、及びガイド層３２を順に成長する。ガイド
層３２にグレーティングを形成し、この後形成された層
を島状に残してエッチングし、さらに、光強度変調素子
領域に光吸収層４及び拡散防止層５を選択成長する。活
性層３１の領域と光吸収層４の領域とをそれぞれ所定の
幅でウェットエッチングした後、ブロック層３３，３４
からなるｐ−ｎ構造の電流ブロック層を形成し、ウエハ
全体をｐ型ＩｎＰで埋め込む。光吸収層４の領域は、単
体の光強度変調素子と同様に、ＲＩＥ法等によって所定
の幅のハイメサリッジ構造Ｂを形成した後、ポリイミド
８で埋め込む。その後、素子の前端面（出射光Ｐout 側
端面）に反射防止膜を施し、さらに電極９，１０，３
６，３７等を形成すれば、光強度変調素子付き半導体レ
ーザの製造が終了する。
体レーザは、例えば次のようにして製造される。まず、
半導体基板１上に、ＭＯＶＰＥ法等で下側クラッド層２
を成長し、さらに光強度変調素子領域にバッファ層３を
選択成長する。半導体レーザ領域に、多重量子井戸型の
活性層３１、及びガイド層３２を順に成長する。ガイド
層３２にグレーティングを形成し、この後形成された層
を島状に残してエッチングし、さらに、光強度変調素子
領域に光吸収層４及び拡散防止層５を選択成長する。活
性層３１の領域と光吸収層４の領域とをそれぞれ所定の
幅でウェットエッチングした後、ブロック層３３，３４
からなるｐ−ｎ構造の電流ブロック層を形成し、ウエハ
全体をｐ型ＩｎＰで埋め込む。光吸収層４の領域は、単
体の光強度変調素子と同様に、ＲＩＥ法等によって所定
の幅のハイメサリッジ構造Ｂを形成した後、ポリイミド
８で埋め込む。その後、素子の前端面（出射光Ｐout 側
端面）に反射防止膜を施し、さらに電極９，１０，３
６，３７等を形成すれば、光強度変調素子付き半導体レ
ーザの製造が終了する。
【００２７】このようにして製造された光強度変調素子
付き半導体レーザでは、上側ボンディング電極３７と下
側ボンディング電極１１との間、さらに上側ボンディン
グ電極１０と下側ボンディング電極１１との間に、それ
ぞれ所定の電圧を印加すると、半導体レーザ２１内の活
性層３１からレーザ光が出射される。このレーザ光は、
光強度変調素子２２内の光吸収層４等で変調された後、
素子の前端面から出射光Ｐout が出力される。このよう
な光強度変調素子付き半導体レーザでは、同一の半導体
基板１上に半導体レーザ２１と光強度変調素子２２とが
集積化して形成されているので、素子の小型化が図れる
と共に、半導体レーザ２１の出射光側と光強度変調素子
２２の入射光側とが直接に光結合されているので、両者
の結合損失が小さくなり、大きな伝送容量が得られる。
付き半導体レーザでは、上側ボンディング電極３７と下
側ボンディング電極１１との間、さらに上側ボンディン
グ電極１０と下側ボンディング電極１１との間に、それ
ぞれ所定の電圧を印加すると、半導体レーザ２１内の活
性層３１からレーザ光が出射される。このレーザ光は、
光強度変調素子２２内の光吸収層４等で変調された後、
素子の前端面から出射光Ｐout が出力される。このよう
な光強度変調素子付き半導体レーザでは、同一の半導体
基板１上に半導体レーザ２１と光強度変調素子２２とが
集積化して形成されているので、素子の小型化が図れる
と共に、半導体レーザ２１の出射光側と光強度変調素子
２２の入射光側とが直接に光結合されているので、両者
の結合損失が小さくなり、大きな伝送容量が得られる。
【００２８】なお、本発明は上記実施例に限定されず、
種々の変形が可能である。その変形例としては、例えば
次のようなものがある。 （１） 図１及び図１０の光強度変調素子２２の埋め込
み構造として、ポリイミド８を用いているが、変調帯域
に応じてこれ以外の埋め込み構造（例えば、Ｆｅ−ｄｏ
ｐｅｄ ＩｎＰ層等を含む埋め込み層）を用いてもよ
い。 （２） 図１及び図１０において、半導体基板１の極
性、その半導体基板１の結晶の面方位、光強度変調素子
２２のストライプの形成方向、光導波路を構成するｐ−
ｉ−ｎ構造Ａの形成方法、半導体レーザ２１の形成方
法、あるいは結晶の成長方法等について、上記実施例に
限定されず、種々の変形が可能である。また、上記実施
例では、ＩｎＰ系の材料を用いた場合について説明した
が、ＧａＡｓ等の他の材料を用いる場合についても本発
明を適用できる。 （３） 図１の光吸収層４を形成するためのバルク材料
とは、量子井戸構造の中でも量子効果がでない程度に井
戸層厚が厚い場合（通常、１０〜２０ｎｍ以上）につい
ても本発明を適用できる。
種々の変形が可能である。その変形例としては、例えば
次のようなものがある。 （１） 図１及び図１０の光強度変調素子２２の埋め込
み構造として、ポリイミド８を用いているが、変調帯域
に応じてこれ以外の埋め込み構造（例えば、Ｆｅ−ｄｏ
ｐｅｄ ＩｎＰ層等を含む埋め込み層）を用いてもよ
い。 （２） 図１及び図１０において、半導体基板１の極
性、その半導体基板１の結晶の面方位、光強度変調素子
２２のストライプの形成方向、光導波路を構成するｐ−
ｉ−ｎ構造Ａの形成方法、半導体レーザ２１の形成方
法、あるいは結晶の成長方法等について、上記実施例に
限定されず、種々の変形が可能である。また、上記実施
例では、ＩｎＰ系の材料を用いた場合について説明した
が、ＧａＡｓ等の他の材料を用いる場合についても本発
明を適用できる。 （３） 図１の光吸収層４を形成するためのバルク材料
とは、量子井戸構造の中でも量子効果がでない程度に井
戸層厚が厚い場合（通常、１０〜２０ｎｍ以上）につい
ても本発明を適用できる。
【００２９】（４） 第１の実施例では、ＮＲＺ変調方
式のＩＭ／ＤＤ（Intensity Modulation / Direct Dete
ction 、強度変調／直接検波）の光伝送に用いられる光
強度変調素子２２について説明したが、これを他の用途
に用いてもよい。例えば、上記実施例の光強度変調素子
２２を、光ソリトン通信における変調信号パルス列を形
成するための変調器として用いてもよい。 （５） 図１０では、半導体レーザ２１としてＤＦＢレ
ーザについて説明したが、他のレーザについても光強度
変調素子２２との集積化が行える。また、図１０では、
光強度変調素子２２と半導体レーザ２１とを同一の半導
体基板１上に集積化して形成したが、これらを異なる半
導体基板上に形成して両者を光結合させる構造等にして
も、上記実施例とほぼ同様の効果が得られる。さらに、
半導体レーザ２１以外の光源を用い、その光源と光強度
変調素子２２とを組合せて、あるいはそれらを同一の半
導体基板上に集積化して光強度変調素子付き光源装置を
構成することも可能である。
式のＩＭ／ＤＤ（Intensity Modulation / Direct Dete
ction 、強度変調／直接検波）の光伝送に用いられる光
強度変調素子２２について説明したが、これを他の用途
に用いてもよい。例えば、上記実施例の光強度変調素子
２２を、光ソリトン通信における変調信号パルス列を形
成するための変調器として用いてもよい。 （５） 図１０では、半導体レーザ２１としてＤＦＢレ
ーザについて説明したが、他のレーザについても光強度
変調素子２２との集積化が行える。また、図１０では、
光強度変調素子２２と半導体レーザ２１とを同一の半導
体基板１上に集積化して形成したが、これらを異なる半
導体基板上に形成して両者を光結合させる構造等にして
も、上記実施例とほぼ同様の効果が得られる。さらに、
半導体レーザ２１以外の光源を用い、その光源と光強度
変調素子２２とを組合せて、あるいはそれらを同一の半
導体基板上に集積化して光強度変調素子付き光源装置を
構成することも可能である。
【００３０】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、第１及び第
２の発明によれば、光強度変調素子のαパラメータを所
定の値になるように、ディチューニングを設定し、さら
に光吸収層の厚さ及び素子長を適宜選定することによ
り、要求される挿入損失及び消光効率を満たすようにし
たので、本発明の光強度変調素子を光通信システム等に
用いた場合、大きな伝送容量を得ることが可能となる。
従って、光通信等の長距離化、及び大容量化等が期待で
きる。第３の発明によれば、第２の発明の光強度変調素
子と半導体レーザとを組合せて、あるいは同一の半導体
基板上に集積化して光出力を得る構成にしたので、素子
の小型化が可能になる。しかも、光強度変調素子と半導
体レーザとの結合損失が小さくなるので、出射効率が良
く、高い信頼性の光強度変調素子付き半導体レーザを提
供できる。
２の発明によれば、光強度変調素子のαパラメータを所
定の値になるように、ディチューニングを設定し、さら
に光吸収層の厚さ及び素子長を適宜選定することによ
り、要求される挿入損失及び消光効率を満たすようにし
たので、本発明の光強度変調素子を光通信システム等に
用いた場合、大きな伝送容量を得ることが可能となる。
従って、光通信等の長距離化、及び大容量化等が期待で
きる。第３の発明によれば、第２の発明の光強度変調素
子と半導体レーザとを組合せて、あるいは同一の半導体
基板上に集積化して光出力を得る構成にしたので、素子
の小型化が可能になる。しかも、光強度変調素子と半導
体レーザとの結合損失が小さくなるので、出射効率が良
く、高い信頼性の光強度変調素子付き半導体レーザを提
供できる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す光強度変調素子の
構造図である。
構造図である。
【図２】ＧａＡｓの吸収係数の変化及び屈折率の変化を
示す図である。
示す図である。
【図３】図１の挿入損失特性及び消光特性の測定結果を
示す図である。
示す図である。
【図４】図１の光強度変調素子を用いた光変調装置の構
成例を示す図である。
成例を示す図である。
【図５】図１の光吸収層厚ｄj をパラメータとして消光
効率４ｄＢ／Ｖ、及び挿入損失１５ｄＢを満たす素子長
Ｌの波長ディチューニング依存性を示す図である。
効率４ｄＢ／Ｖ、及び挿入損失１５ｄＢを満たす素子長
Ｌの波長ディチューニング依存性を示す図である。
【図６】図１のαパラメータにおける入射光波長依存性
を示す図である。
を示す図である。
【図７】図１の光強度変調素子における変調帯域の説明
図である。
図である。
【図８】図１の光強度変調素子における設計例を示す図
である。
である。
【図９】図１の光強度変調素子を用いて光伝送実験を行
い、その光伝送実験より得られたパワーペナルティの総
分散量依存性を示す図である。
い、その光伝送実験より得られたパワーペナルティの総
分散量依存性を示す図である。
【図１０】本発明の第２の実施例を示す光強度変調素子
付き半導体レーザの構造図である。
付き半導体レーザの構造図である。
１ 半導体基板 ２ 下側クラッド層 ３ バッファ層 ４ 光吸収層 ５ 拡散防止層 ６ 上側クラッド層 ７ コンタクト層 ８ ポリイミド ９，３６ オーミックコンタクト電極 １０，３７ 上側ボンディング電極 １１ 下側ボンディング電極 ２１ 半導体レーザ ２２ 光強度変調素子 ３１ 活性層 ３２ ガイド層 ３３，３４ ブロック層 ３５ キャップ層 Ａ ｐ−ｉ−ｎ構造 Ｂ ハイメサリッジ構造
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成され、ｉ型光吸収層
の両側にｐ型層とｎ型層が設けられたｐ−ｉ−ｎ構造に
電圧を印加すると、該ｉ型光吸収層に電界がかかり、そ
の電界によって入射光の吸収係数が変化する光強度変調
素子において、 前記光吸収層をバルク材料で形成し、かつ波長ディチュ
ーニングΔλを２０ｎｍ≦Δλ≦６０ｎｍ、あるいはエ
ネルギーディチューニングΔＥを１０．５ｍｅＶ≦ΔＥ
≦３２．２ｍｅＶに設定したことを特徴とする光強度変
調素子。 - 【請求項２】 請求項１記載の光強度変調素子におい
て、前記光吸収層の層さｄa （μｍ）及び素子長Ｌ（μ
ｍ）を次式から得られる値に設定することを特徴とする
光強度変調素子。 ａ1 ｅｘｐ｛．０４５Δλ｝＜Ｌ＜ａ2 ｅｘｐ｛．０２
Δλ｝ ａ1 ＝−８２．２７ｄa ＋３８．５ ａ2 ＝−１５０．５５ｄa ＋６２ - 【請求項３】 請求項２記載の光強度変調素子を、半導
体レーザと組合せて、あるいは同一の半導体基板上に集
積化して光出力を得る構成にしたことを特徴とする光強
度変調素子付き半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4808895A JPH08248364A (ja) | 1995-03-08 | 1995-03-08 | 光強度変調素子及び光強度変調素子付き半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4808895A JPH08248364A (ja) | 1995-03-08 | 1995-03-08 | 光強度変調素子及び光強度変調素子付き半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08248364A true JPH08248364A (ja) | 1996-09-27 |
Family
ID=12793577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4808895A Pending JPH08248364A (ja) | 1995-03-08 | 1995-03-08 | 光強度変調素子及び光強度変調素子付き半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08248364A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH103063A (ja) * | 1996-06-17 | 1998-01-06 | Nec Corp | 半導体光変調器 |
| JPH10321965A (ja) * | 1997-03-14 | 1998-12-04 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| JP2001144367A (ja) * | 1999-11-11 | 2001-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置及びその駆動方法 |
| JP2003060285A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光集積デバイス |
| JP2008010484A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Opnext Japan Inc | 半導体光素子及び光送信モジュール |
| JP2009182234A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Fujitsu Ltd | 集積化光半導体装置の製造方法及びその集積化光半導体装置 |
| JP2010239151A (ja) * | 2010-06-23 | 2010-10-21 | Opnext Japan Inc | 集積型光導波路素子 |
| US8180184B2 (en) | 2008-12-10 | 2012-05-15 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Absorption modulator and manufacturing method thereof |
-
1995
- 1995-03-08 JP JP4808895A patent/JPH08248364A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH103063A (ja) * | 1996-06-17 | 1998-01-06 | Nec Corp | 半導体光変調器 |
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| JPH10321965A (ja) * | 1997-03-14 | 1998-12-04 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
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| US8180184B2 (en) | 2008-12-10 | 2012-05-15 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Absorption modulator and manufacturing method thereof |
| KR101239134B1 (ko) * | 2008-12-10 | 2013-03-07 | 한국전자통신연구원 | 흡수 광변조기 및 그것의 제조 방법 |
| JP2010239151A (ja) * | 2010-06-23 | 2010-10-21 | Opnext Japan Inc | 集積型光導波路素子 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010515 |