JPS58202581A - レ−ザダイオ−ド光制御装置 - Google Patents
レ−ザダイオ−ド光制御装置Info
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- JPS58202581A JPS58202581A JP2087482A JP2087482A JPS58202581A JP S58202581 A JPS58202581 A JP S58202581A JP 2087482 A JP2087482 A JP 2087482A JP 2087482 A JP2087482 A JP 2087482A JP S58202581 A JPS58202581 A JP S58202581A
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
- H01S3/1061—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using a variable absorption device
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0601—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium comprising an absorbing region
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06209—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
- H01S5/06216—Pulse modulation or generation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野：
本発明は小型であり、簡便≦二、時間的４二短い光のパ
ルス列を発生するレーザダイオード光制御装置（二関す
るものである。
ルス列を発生するレーザダイオード光制御装置（二関す
るものである。
技術の背景：
従来、短いパルス列を得るレーザダイオード光制御装置
としては、色素レーザが用いられ、第１図（二示すよう
（二構成されていた。すなわち２個の鏡１，１′で構成
した共振器内域ニレーザ利得媒質２となる色素を入れて
、外部から高輝度のランプや他のレーザ光３で励起する
。さら鴫二共振器内Ｃ二このレーザ利得媒質２と直列（
−過飽和吸収媒質４となる過飽和吸収特性をもつ色素が
挿入される。このような構成（ニすること（二より、共
振器長がＬｌの場合（二は時間間隔２Ｌｓ／ｃの短光パ
ルス列が得られる。ここでＣは光速度である。この技術
は受動モード同期と呼ばれ、現在では０．１ ｐＳ （
１０−”秒）よりも短い光パルス列が実験的（二は得ら
れるようになっている。
としては、色素レーザが用いられ、第１図（二示すよう
（二構成されていた。すなわち２個の鏡１，１′で構成
した共振器内域ニレーザ利得媒質２となる色素を入れて
、外部から高輝度のランプや他のレーザ光３で励起する
。さら鴫二共振器内Ｃ二このレーザ利得媒質２と直列（
−過飽和吸収媒質４となる過飽和吸収特性をもつ色素が
挿入される。このような構成（ニすること（二より、共
振器長がＬｌの場合（二は時間間隔２Ｌｓ／ｃの短光パ
ルス列が得られる。ここでＣは光速度である。この技術
は受動モード同期と呼ばれ、現在では０．１ ｐＳ （
１０−”秒）よりも短い光パルス列が実験的（二は得ら
れるようになっている。
（２）
従来技術と問題点；
上に述べたようシニ従来のレーザダイオード光制御装置
は第１図Ｉ：示した様な大型の装置が必要なうえ、色素
の安定性および動作寿命Ｃ二実用上問題があった。これ
らの問題を解決する方法として、半導体レーザな光源と
した第２図感＝示す構成の共振器の研究が近年開始され
ている。半導体レーザ５の片側共振器面Ａ１と球面鏡６
で光共振器が形成されるよう（二装置する。半導体レー
ザ５への注入電流７を共振器長がり、のとき周波数ｆ”
２ＬＪＤで変調すると、この周波数４ニ一致した周波数
の短光パルスが発生することが期待される。しかし、実
際には半導体レーザ材料である半導体と空気との屈折率
差が非常（二大きいことから、共振器として使わない半
導体レーザのＢ１側の端面でも反射が生じ、共振器長！
、のモードも存在することＣ；なり、十分整った形の光
パルス、列は得られていなかった。又、色素レーザ４＝
比べ電流により直接励起ができる利点はあるものの、半
導体レーザ５と球面鏡６の配置を十分安定（ニするため
Ｃ二人型化は避（３） けられなかった。
は第１図Ｉ：示した様な大型の装置が必要なうえ、色素
の安定性および動作寿命Ｃ二実用上問題があった。これ
らの問題を解決する方法として、半導体レーザな光源と
した第２図感＝示す構成の共振器の研究が近年開始され
ている。半導体レーザ５の片側共振器面Ａ１と球面鏡６
で光共振器が形成されるよう（二装置する。半導体レー
ザ５への注入電流７を共振器長がり、のとき周波数ｆ”
２ＬＪＤで変調すると、この周波数４ニ一致した周波数
の短光パルスが発生することが期待される。しかし、実
際には半導体レーザ材料である半導体と空気との屈折率
差が非常（二大きいことから、共振器として使わない半
導体レーザのＢ１側の端面でも反射が生じ、共振器長！
、のモードも存在することＣ；なり、十分整った形の光
パルス、列は得られていなかった。又、色素レーザ４＝
比べ電流により直接励起ができる利点はあるものの、半
導体レーザ５と球面鏡６の配置を十分安定（ニするため
Ｃ二人型化は避（３） けられなかった。
発明の目的：
本発明は、これらの欠点を除去するため、光増幅媒質、
可飽和吸収媒質、光共振器を半導体で全固体化して一体
化し、小型□で容易６二広い範囲の波長で広い範囲のく
り返しをもつ短パルス列を発生するレーザダイオード光
制御装置を提供するものである。以下図面（二ついて詳
細Ｃ二説明する。
可飽和吸収媒質、光共振器を半導体で全固体化して一体
化し、小型□で容易６二広い範囲の波長で広い範囲のく
り返しをもつ短パルス列を発生するレーザダイオード光
制御装置を提供するものである。以下図面（二ついて詳
細Ｃ二説明する。
発明の実施例：
第３図は本発明の原理図であって、半導体レーザ部分１
０．半導体過飽和吸収部分１１．光導波路１２および光
共振器１３．１４が一体化されている。半導体レーザ部
分１０は順方向≦；電流を注入する。
０．半導体過飽和吸収部分１１．光導波路１２および光
共振器１３．１４が一体化されている。半導体レーザ部
分１０は順方向≦；電流を注入する。
過飽和吸収部分１１は、必要（＝応じて順方向６：電流
を流すか、又は逆方向（＝電圧を印加し、過飽和吸収の
大きさを変えることができる。全共振器長ザの受動モー
ド同期と同様（二、半導体レーザの受動モード同期が実
現され、τのくり返しの短光パ（４） ルス列が得られる。ここでルは半導体の屈折率である。
を流すか、又は逆方向（＝電圧を印加し、過飽和吸収の
大きさを変えることができる。全共振器長ザの受動モー
ド同期と同様（二、半導体レーザの受動モード同期が実
現され、τのくり返しの短光パ（４） ルス列が得られる。ここでルは半導体の屈折率である。
−例として、 ＧａＡｚのキャリヤ寿命時間τは発光キ
ャリヤ寿命時間τ１．非発光キャリヤ寿命ことが知られ
ている。またτｒ ” ＶＢｒ （ΔＮ十Ｐｏ）ト表わ
される。ここでＢｒは再結合係数（＝１．２５Ｘ１０−
１０ａｍ”／Ｐ）、ΔＮは注入キャリヤ密度、 Ｐａは
非注入時のキャリヤ密度である。したがってＰＧ ＝２
ＸＩ Ｑ”ｅｍ−”の半導体４二△Ｎ−２ｘ１０ ｏｙ
ｒ を注入したとき（二は、τ７は２ｎＳであり、５
００ ＭＨｚのくり返しまで応答する。また、過飽和吸
収部分１１（＝注入するキャリヤ密度ΔＮを変化するこ
と（＝よって、τ７を変化することができ、共振器長Ｌ
ｓと前述の関係Ｃ二なるよう（二設定することができる
。
ャリヤ寿命時間τ１．非発光キャリヤ寿命ことが知られ
ている。またτｒ ” ＶＢｒ （ΔＮ十Ｐｏ）ト表わ
される。ここでＢｒは再結合係数（＝１．２５Ｘ１０−
１０ａｍ”／Ｐ）、ΔＮは注入キャリヤ密度、 Ｐａは
非注入時のキャリヤ密度である。したがってＰＧ ＝２
ＸＩ Ｑ”ｅｍ−”の半導体４二△Ｎ−２ｘ１０ ｏｙ
ｒ を注入したとき（二は、τ７は２ｎＳであり、５
００ ＭＨｚのくり返しまで応答する。また、過飽和吸
収部分１１（＝注入するキャリヤ密度ΔＮを変化するこ
と（＝よって、τ７を変化することができ、共振器長Ｌ
ｓと前述の関係Ｃ二なるよう（二設定することができる
。
一方、共振器長Ｌ１を短くし、パルス間隔を短くするた
め（二は、さら（＝過飽和吸収部分１１の少数キャリヤ
寿命時間τを短くする必要がある。この条件は、過飽和
吸収部分１１を構成する半導体材料（＝高濃度の不純物
を拡散するか、イオン注入するか、あるいはアモノシフ
ァス半導体材料を用いて（５） Ｔｎｆを小さくすることにより得られる。
め（二は、さら（＝過飽和吸収部分１１の少数キャリヤ
寿命時間τを短くする必要がある。この条件は、過飽和
吸収部分１１を構成する半導体材料（＝高濃度の不純物
を拡散するか、イオン注入するか、あるいはアモノシフ
ァス半導体材料を用いて（５） Ｔｎｆを小さくすることにより得られる。
以下、本発明による具体的なレーザダイオード光制御装
置の構成例（二ついて説明する。第４図Ｃ；、′ｓ１の
実施例を示す。Ａは増幅領域となるレーザ利得領域、Ｂ
は吸収領域、Ｃは光導波路領域である。ｎ型１ｎＰ基板
２０上（二順次ｎ型１ｎＰ ２１ 、ＩｎＧａＡｓＰ活
性層２２．ｐｉ：ＪｌルＰ２５およびＰ型ｈ４αＡｚＰ
２４が順次成長された４層ダブルへテロ構造クエへＣ二
オーム性接触電極２５．２６を付けてレーザな構成する
。
置の構成例（二ついて説明する。第４図Ｃ；、′ｓ１の
実施例を示す。Ａは増幅領域となるレーザ利得領域、Ｂ
は吸収領域、Ｃは光導波路領域である。ｎ型１ｎＰ基板
２０上（二順次ｎ型１ｎＰ ２１ 、ＩｎＧａＡｓＰ活
性層２２．ｐｉ：ＪｌルＰ２５およびＰ型ｈ４αＡｚＰ
２４が順次成長された４層ダブルへテロ構造クエへＣ二
オーム性接触電極２５．２６を付けてレーザな構成する
。
Ｐ型側電極は２つの部分、すなわち該Ａ、Ｅのそれぞれ
の領域ζ二電気的に分離する。Ｂの吸収領域の他方の側
（：は、レーザ光に対し吸収の小さいＩｎＧａＡｚＰ光
導波路２７を付ける。図（二示した様（二Ａのレーザ利
得領域の一方と、Ｃの先導波路領域の一方で光共振器２
８を形成し、第４図Ｃ二示したごとく一体の素子とする
。Ａのレーザ利得領域への注入電流は該一体の素子でレ
ーザ発振が得られるまで順方向直流電流を注入する。Ｂ
の吸収領域−二は必要砿二応じて、Ａのレーザ利得領域
よりも密度の低い順方向の電流を注入するか、あるいは
逆方向（−電圧を（６） 印加する。このような構成６二することにより、くり返
し２ｎＬ４／Ｃのレーザ発振光の短パルス列が得られる
。Ｌ、は共振器長である。増幅機能のレーザ利得領域Ａ
、吸収領域Ｂ、光導波路領域Ｃはほぼ同じ屈折率をもつ
ので不要な反射は生じない。増幅機能のレーザ利得領域
ＡＮよび吸収領域Ｂの少なくともいずれかをｆ＝２ｎＬ
４／ｃの周波数で変調し、さら（二個々の光パルス幅を
短くすることもできる。
の領域ζ二電気的に分離する。Ｂの吸収領域の他方の側
（：は、レーザ光に対し吸収の小さいＩｎＧａＡｚＰ光
導波路２７を付ける。図（二示した様（二Ａのレーザ利
得領域の一方と、Ｃの先導波路領域の一方で光共振器２
８を形成し、第４図Ｃ二示したごとく一体の素子とする
。Ａのレーザ利得領域への注入電流は該一体の素子でレ
ーザ発振が得られるまで順方向直流電流を注入する。Ｂ
の吸収領域−二は必要砿二応じて、Ａのレーザ利得領域
よりも密度の低い順方向の電流を注入するか、あるいは
逆方向（−電圧を（６） 印加する。このような構成６二することにより、くり返
し２ｎＬ４／Ｃのレーザ発振光の短パルス列が得られる
。Ｌ、は共振器長である。増幅機能のレーザ利得領域Ａ
、吸収領域Ｂ、光導波路領域Ｃはほぼ同じ屈折率をもつ
ので不要な反射は生じない。増幅機能のレーザ利得領域
ＡＮよび吸収領域Ｂの少なくともいずれかをｆ＝２ｎＬ
４／ｃの周波数で変調し、さら（二個々の光パルス幅を
短くすることもできる。
第５図及び第６図（：第２の実施例を示す。第１の実施
例と異なる点は、増幅機能のレーデ利得領域Ａと吸収領
域Ｂが交互（二形成され、単一の電極Ｉ：よって電流が
注入されること（；ある。第５図のストライプ領域の中
央りで切断した図を第６図（二示す。ｎ ｍＩｎＰ基板
２０ 、 ｎ’！ＬＩｎＰ層２１ 、 ＩｎＧａＡｚＰ
活性層２２．Ｐ型１ｎＰ層２３およびル型１ｎＧａＡｚ
Ｐ層２９からなる４層ダブルへテロ構造クエへを用いる
。
例と異なる点は、増幅機能のレーデ利得領域Ａと吸収領
域Ｂが交互（二形成され、単一の電極Ｉ：よって電流が
注入されること（；ある。第５図のストライプ領域の中
央りで切断した図を第６図（二示す。ｎ ｍＩｎＰ基板
２０ 、 ｎ’！ＬＩｎＰ層２１ 、 ＩｎＧａＡｚＰ
活性層２２．Ｐ型１ｎＰ層２３およびル型１ｎＧａＡｚ
Ｐ層２９からなる４層ダブルへテロ構造クエへを用いる
。
表頁から亜鉛等Ｐ型の不純物を図１二示すよう一二Ｐ型
ＩｎＰ層２３まで島状に拡散し、Ｐ型拡散領域３０はＰ
＋型Ｃ二反転し電流注入領域を形成する。全面（＝（７
） 電極２６および２５を形成して順方向４＝電流を注入す
ると、Ｐ型拡散領域３０の下の活性層のみが選択的に励
起され、この部分が増幅機能のレーザ利得領域Ａとなる
。一方、電流が注入されない領域は吸収領域Ｂとなる。
ＩｎＰ層２３まで島状に拡散し、Ｐ型拡散領域３０はＰ
＋型Ｃ二反転し電流注入領域を形成する。全面（＝（７
） 電極２６および２５を形成して順方向４＝電流を注入す
ると、Ｐ型拡散領域３０の下の活性層のみが選択的に励
起され、この部分が増幅機能のレーザ利得領域Ａとなる
。一方、電流が注入されない領域は吸収領域Ｂとなる。
第２の実施例は作製が容易であり、第１の実施例と同じ
効果が得られる。
効果が得られる。
以上の実施例では、前述のよう嘔二吸収領域の少数キャ
リヤ寿命時間τが１０ 秒程度であるので、１ＧＨｚ
程度が光パルス列の周波数の限度である。
リヤ寿命時間τが１０ 秒程度であるので、１ＧＨｚ
程度が光パルス列の周波数の限度である。
さら１＝高速のくり返しを得るための第３の実施例を第
７図Ｃ二本す。この実施例の特徴は吸収領域ＢＣニレー
ザ発振波長で吸収をもつアモルファス半導体例えばアモ
ルファスシリコン等を用いることである。
７図Ｃ二本す。この実施例の特徴は吸収領域ＢＣニレー
ザ発振波長で吸収をもつアモルファス半導体例えばアモ
ルファスシリコン等を用いることである。
アモルファス半導体では少数キャリヤの寿命時間τが数
１０ｐＳ〜１００ｐＳ程度と非常（：短いため、１０〜
数１０ ＧＨｚのくり返し短光パルス列を得るこ１ とができる。また吸収体としてアモルファス半導体の代
りζ二、レーザ利得領域となる増幅部分と同じ半導体材
料を用い、そこへ高濃度に不純物を拡（８） 散するか又はイオン注入しても良い。
１０ｐＳ〜１００ｐＳ程度と非常（：短いため、１０〜
数１０ ＧＨｚのくり返し短光パルス列を得るこ１ とができる。また吸収体としてアモルファス半導体の代
りζ二、レーザ利得領域となる増幅部分と同じ半導体材
料を用い、そこへ高濃度に不純物を拡（８） 散するか又はイオン注入しても良い。
本発明の実施例では増幅部分のレーザ利得領域Ａと光吸
収部分の吸収領域Ｂおよび光導波路領域Ｃとの間の光結
合は光導波路間の直接結合を用いた。しかし、他の光結
合方式、たとえばテーパ結合位とえは野田著「光フアイ
バ伝送」電子通信学会発行２６８頁昭和５３年）を用い
ても全く同様の効果が得られる。又、光共振器としては
ファプリ・ベロー型共振器を用いた場合を示したが、光
導波路上の結晶の層厚−二凹凸を形成してつくられた、
回折格子のブラッグ反射を利用した光共振器（前記文献
１８８頁）を用いることもできる。
収部分の吸収領域Ｂおよび光導波路領域Ｃとの間の光結
合は光導波路間の直接結合を用いた。しかし、他の光結
合方式、たとえばテーパ結合位とえは野田著「光フアイ
バ伝送」電子通信学会発行２６８頁昭和５３年）を用い
ても全く同様の効果が得られる。又、光共振器としては
ファプリ・ベロー型共振器を用いた場合を示したが、光
導波路上の結晶の層厚−二凹凸を形成してつくられた、
回折格子のブラッグ反射を利用した光共振器（前記文献
１８８頁）を用いることもできる。
本発明では半導体結晶としてＩｎｋ／ ＩｎＧａＡｓＰ
系で実施例を示した。しかし、第８図蛎：示したような
各種の材料でも本発明にしたがって構成でき、その使用
波長（二より任意の材料を選ぶことができる。
系で実施例を示した。しかし、第８図蛎：示したような
各種の材料でも本発明にしたがって構成でき、その使用
波長（二より任意の材料を選ぶことができる。
発明の効果＝
以上説明したようＣ；、本発明のレーザダイオード光制
御装置は広い範囲の波長で広い範囲のくり返しをもつ短
パルス列を小型の装置で容易６二発生（９） することができるので、光ファイバなど光素子の分散特
性あるいは分光学一般の測定用光源として広く応用でき
る効果大である。
御装置は広い範囲の波長で広い範囲のくり返しをもつ短
パルス列を小型の装置で容易６二発生（９） することができるので、光ファイバなど光素子の分散特
性あるいは分光学一般の測定用光源として広く応用でき
る効果大である。
第１図および第２図は従来の光制御装置の概念図、第３
図は本発明の光制御装置の原理図、１８４図は本発明の
光制御装置の第１の実施例の斜視図。 第５図は本発明の光制御装置の第２の実施例の斜視図、
第６図は第２の実施例の断面図、第７図は本発明の光制
御装置の第３の実施例の斜視図、第８図は本発明の光制
御装置（＝適用される半導体材料の一覧表である。 １．１′・・・共振器用鏡、２・・・レーデ利得媒質、
３・・・励起光、４・・・過飽和吸収媒質、５・・・半
導体レーザ、６・・・球面鏡、７・・・変調用電源、１
０・・・半導体レーザ部分、１１・・・半導体過飽和吸
収部分、１２・・・先導波路、１３．１４・・・光共振
器、２０・・・ル型１ｎＰ基板、２１−ｎ型１ｎＰ 、
２２−・ＩｎＧａＡｓＰ活性層、２３・ｐ型ＩｒＬＰ
１２４− Ｐ型１ｎＧａＡｚＰ 、 ２５．２６−オ
ーム性電極、２７・・・ＩｎＧａＡｓＰ光導波路、２８
・・・光共振器、（１０） ２９・・・ル型１ｎ、ＧａＡｚＰ 、 ３０・・・Ｐ全
拡散領域、３１・・・アモルファス牛導体 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 弁理士玉蟲久五部 （外３名） □ （１１） 第１図 第２図 、・：・、第３面 第 ４ 図 第７図 第８図 −−−（ＡノエＧα＋−Ｊｙ Ｉ７！Ｈ−ｙＰ−Ａｌｘ
ＧａＨ−ｘ Ａｓ ＝ＣＡｓｙ ５ｈＨ−ｙ ′ −ＣＡｌｘＧａｌ−１）ｙｌｎＨ−ｙＡｓ−Ｇａ、 Ｉ
ｎ、−ｘ Ｐｙ ｋｔ−ｙ（ＡＩ ｘ Ｇａ ＋−１）
ｙ Ｉｎ ｒ−ｙ ５１＋Ｗｂ Ｓ、、 ５ｔｘ −Ｐｈ 、−、Ｓｎ ｚ Ｔａ −Ｐｂ ）−ｚ ＋Ｓ ｎ ｚ ｓ＆ −１ＢＩ長（声ｍ〕 手続補正書（方式） １．事件の表示 昭和５７年特許願１１！ ２０８７４号２、発明の名称 レーザダイオード光制御装置 ＆補正をする者 ４、代理人 ８、補正の内容 別紙の通り （１）明細書第１０頁第１０行から第１２行、「、第８
図は本発明の光制御装置に適用される半導体材料の一覧
表」とあるな「、第８図は本発明の光制御装置に適用さ
れる半導体材料の波長特性を示す図」と補正する。 （１）
図は本発明の光制御装置の原理図、１８４図は本発明の
光制御装置の第１の実施例の斜視図。 第５図は本発明の光制御装置の第２の実施例の斜視図、
第６図は第２の実施例の断面図、第７図は本発明の光制
御装置の第３の実施例の斜視図、第８図は本発明の光制
御装置（＝適用される半導体材料の一覧表である。 １．１′・・・共振器用鏡、２・・・レーデ利得媒質、
３・・・励起光、４・・・過飽和吸収媒質、５・・・半
導体レーザ、６・・・球面鏡、７・・・変調用電源、１
０・・・半導体レーザ部分、１１・・・半導体過飽和吸
収部分、１２・・・先導波路、１３．１４・・・光共振
器、２０・・・ル型１ｎＰ基板、２１−ｎ型１ｎＰ 、
２２−・ＩｎＧａＡｓＰ活性層、２３・ｐ型ＩｒＬＰ
１２４− Ｐ型１ｎＧａＡｚＰ 、 ２５．２６−オ
ーム性電極、２７・・・ＩｎＧａＡｓＰ光導波路、２８
・・・光共振器、（１０） ２９・・・ル型１ｎ、ＧａＡｚＰ 、 ３０・・・Ｐ全
拡散領域、３１・・・アモルファス牛導体 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 弁理士玉蟲久五部 （外３名） □ （１１） 第１図 第２図 、・：・、第３面 第 ４ 図 第７図 第８図 −−−（ＡノエＧα＋−Ｊｙ Ｉ７！Ｈ−ｙＰ−Ａｌｘ
ＧａＨ−ｘ Ａｓ ＝ＣＡｓｙ ５ｈＨ−ｙ ′ −ＣＡｌｘＧａｌ−１）ｙｌｎＨ−ｙＡｓ−Ｇａ、 Ｉ
ｎ、−ｘ Ｐｙ ｋｔ−ｙ（ＡＩ ｘ Ｇａ ＋−１）
ｙ Ｉｎ ｒ−ｙ ５１＋Ｗｂ Ｓ、、 ５ｔｘ −Ｐｈ 、−、Ｓｎ ｚ Ｔａ −Ｐｂ ）−ｚ ＋Ｓ ｎ ｚ ｓ＆ −１ＢＩ長（声ｍ〕 手続補正書（方式） １．事件の表示 昭和５７年特許願１１！ ２０８７４号２、発明の名称 レーザダイオード光制御装置 ＆補正をする者 ４、代理人 ８、補正の内容 別紙の通り （１）明細書第１０頁第１０行から第１２行、「、第８
図は本発明の光制御装置に適用される半導体材料の一覧
表」とあるな「、第８図は本発明の光制御装置に適用さ
れる半導体材料の波長特性を示す図」と補正する。 （１）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｔ 注入型半導体レーデ（二おいて、共振器内Ｃ二、電
流を注入して形成される増幅領域と、該増幅領域よりも
注入電流の小さいまたは全く励起しない、□あるいは逆
方向（＝バイアス電圧を加えた光吸収領域と、レーデ発
振光（二対して光損失の小さい光導波路とを該共振器方
向に直列（：光学的（二接続してなり、該光吸収領域の
少数キャリヤの寿命時間が、光が該共振器を一往復する
の（二必要な時間と同程度かまたは短いことを特徴とす
るレーデダイオード光制御装置。 ２、前記光吸収領域は、レーザ発振波長をエネルギに換
算した値Ｅλよりも吸収端のエネルギ間隔Ｅ１の狭いア
モルファス半導体材料からなることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のレーザダイオード光制御装置。 （１）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2087482A JPS58202581A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | レ−ザダイオ−ド光制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2087482A JPS58202581A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | レ−ザダイオ−ド光制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58202581A true JPS58202581A (ja) | 1983-11-25 |
| JPH0139232B2 JPH0139232B2 (ja) | 1989-08-18 |
Family
ID=12039317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2087482A Granted JPS58202581A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | レ−ザダイオ−ド光制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58202581A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01168086A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-07-03 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置及びその動作方法 |
| US4993035A (en) * | 1989-04-03 | 1991-02-12 | Boris Laikhtman | High power semiconductor laser using optical integrated circuit |
| EP0444607A2 (en) * | 1990-02-27 | 1991-09-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Waveguide optical element and its driving method |
| FR2673333A1 (fr) * | 1991-02-27 | 1992-08-28 | Alsthom Cge Alcatel | Laser semiconducteur a absorbeur saturable. |
| US5313478A (en) * | 1991-05-31 | 1994-05-17 | Alcatel N.V. | Method of operating a semiconductor laser as a mode-locked semiconductor laser and devices for implementing the method |
| AU655975B2 (en) * | 1991-05-07 | 1995-01-19 | British Telecommunications Public Limited Company | Optical clock extraction |
| JPH07183621A (ja) * | 1993-11-12 | 1995-07-21 | Nec Corp | 集積レーザ素子および光ビーム走査装置 |
-
1982
- 1982-02-12 JP JP2087482A patent/JPS58202581A/ja active Granted
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01168086A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-07-03 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置及びその動作方法 |
| JP2681274B2 (ja) * | 1987-12-24 | 1997-11-26 | 富士通株式会社 | 半導体発光装置及びその動作方法 |
| US4993035A (en) * | 1989-04-03 | 1991-02-12 | Boris Laikhtman | High power semiconductor laser using optical integrated circuit |
| EP0444607A2 (en) * | 1990-02-27 | 1991-09-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Waveguide optical element and its driving method |
| EP0444607A3 (en) * | 1990-02-27 | 1994-05-18 | Canon Kk | Waveguide optical element and its driving method |
| FR2673333A1 (fr) * | 1991-02-27 | 1992-08-28 | Alsthom Cge Alcatel | Laser semiconducteur a absorbeur saturable. |
| US5283799A (en) * | 1991-02-27 | 1994-02-01 | Alcatel N.V. | Semiconductor laser with a saturable absorber |
| AU655975B2 (en) * | 1991-05-07 | 1995-01-19 | British Telecommunications Public Limited Company | Optical clock extraction |
| US5602862A (en) * | 1991-05-07 | 1997-02-11 | British Telecommunications Public Limited Company | Optical clock extraction |
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| JPH07183621A (ja) * | 1993-11-12 | 1995-07-21 | Nec Corp | 集積レーザ素子および光ビーム走査装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0139232B2 (ja) | 1989-08-18 |
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