JPH0139232B2 - - Google Patents
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- JPH0139232B2 JPH0139232B2 JP2087482A JP2087482A JPH0139232B2 JP H0139232 B2 JPH0139232 B2 JP H0139232B2 JP 2087482 A JP2087482 A JP 2087482A JP 2087482 A JP2087482 A JP 2087482A JP H0139232 B2 JPH0139232 B2 JP H0139232B2
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
- H01S3/1061—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using a variable absorption device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0601—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium comprising an absorbing region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野：
本発明は小型であり、簡便に、時間的に短い光
のパルス列を発生するレーザダイオード光制御装
置に関するものである。
のパルス列を発生するレーザダイオード光制御装
置に関するものである。
技術の背景：
従来、短いパルス列を得るレーザダイオード光
制御装置としては、色素レーザが用いられ、第１
図に示すように構成さていた。すなわち２個の鏡
１，１′で構成した共振器内にレーザ利得媒質２
となる色素を入れて、外部から高輝度のランプや
他のレーザ光３で励起する。さらに共振器内にこ
のレーザ利得媒質２と直列に過飽和吸収媒質４と
なる過飽和吸収特性をもつ色素が挿入される。こ
のような構成にすることにより、共振器長がL1
の場合には時間間隔2L1／ｃの短光パルルス列が
得られる。ここでｃは光速度である。この技術は
受動モード同期と呼ばれ、現在では0.1pS（10-13
秒）よりも短い光パルス列が実験的には得られる
ようになつている。
制御装置としては、色素レーザが用いられ、第１
図に示すように構成さていた。すなわち２個の鏡
１，１′で構成した共振器内にレーザ利得媒質２
となる色素を入れて、外部から高輝度のランプや
他のレーザ光３で励起する。さらに共振器内にこ
のレーザ利得媒質２と直列に過飽和吸収媒質４と
なる過飽和吸収特性をもつ色素が挿入される。こ
のような構成にすることにより、共振器長がL1
の場合には時間間隔2L1／ｃの短光パルルス列が
得られる。ここでｃは光速度である。この技術は
受動モード同期と呼ばれ、現在では0.1pS（10-13
秒）よりも短い光パルス列が実験的には得られる
ようになつている。
従来技術と問題点：
上に述べたように従来のレーザダイオード光制
御装置は第１図に示した様な大型の装置が必要な
うえ、色素の安定性および動作寿命に実用上問題
があつた。これらの問題を解決する方法として、
半導体レーザを光源とした第２図に示す構成の共
振器の研究が近年開始されている。半導体レーザ
５の片側共振器面A1と球面鏡６で光共振器が形
成されるように配置する。半導体レーザ５への注
入電流７を共振器長がL2のとき周波数ｆ2L2／
ｃで変調すると、この周波数に一致した周波数の
短光パルスが発生することが期待される。しか
し、実際には半導体レーザ材料である半導体と空
気との屈折率差が非常に大きいことから、共振器
として使わない半導体レーザのB11側の端面でも
反射が生じ、共振器長l2のモードも存在すること
になり、十分整つた形の光パルス列は得られてい
なかつた。又、色素レーザに比べ電流により直接
励起ができる利点はあるものの、半導体レーザ５
と球面鏡６の配置を十分安定するために大型化は
避けられなかつた。
御装置は第１図に示した様な大型の装置が必要な
うえ、色素の安定性および動作寿命に実用上問題
があつた。これらの問題を解決する方法として、
半導体レーザを光源とした第２図に示す構成の共
振器の研究が近年開始されている。半導体レーザ
５の片側共振器面A1と球面鏡６で光共振器が形
成されるように配置する。半導体レーザ５への注
入電流７を共振器長がL2のとき周波数ｆ2L2／
ｃで変調すると、この周波数に一致した周波数の
短光パルスが発生することが期待される。しか
し、実際には半導体レーザ材料である半導体と空
気との屈折率差が非常に大きいことから、共振器
として使わない半導体レーザのB11側の端面でも
反射が生じ、共振器長l2のモードも存在すること
になり、十分整つた形の光パルス列は得られてい
なかつた。又、色素レーザに比べ電流により直接
励起ができる利点はあるものの、半導体レーザ５
と球面鏡６の配置を十分安定するために大型化は
避けられなかつた。
発明の目的：
本発明は、これらの欠点を除去するため、光増
幅媒質、可飽和吸収媒質、光共振器を半導体で全
固体化して一体化し、小型で容易に広い範囲の波
長で広い範囲のくり返しをもつ短パルス列を発生
するレーザダイオード光制御装置を提供するもの
である。以下図面について詳細に説明する。
幅媒質、可飽和吸収媒質、光共振器を半導体で全
固体化して一体化し、小型で容易に広い範囲の波
長で広い範囲のくり返しをもつ短パルス列を発生
するレーザダイオード光制御装置を提供するもの
である。以下図面について詳細に説明する。
発明の実施例：
第３図は本発明の原理図であつて、半導体レー
ザ部分１０、半導体過飽和吸収部分１１、光導波
路１２および光共振器１３，１４が一体化されて
いる。半導体レーザ部分１０は順方向に電流を注
入する。過飽和吸収部分１１は、必要に応じて順
方向に電流を流すか、又は逆方向に電圧を印加
し、過飽和吸収の大きさを変えることができる。
全共振器長がL3のとき、過飽和吸収部分１１の
少数キヤリヤ寿命時間がτがτ2nL3／ｃであれ ば、前述の色素レーザの受動モード同期と同様
に、半導体レーザの受動モード同期が実現され、
τのくり返しの短光パルス列が得られる。ここで
ｎは半導体の屈折率である。一例として、GaAs
のキヤリヤ寿命時間τは発光キヤリヤ寿命時間
τr、非発光キヤリヤ寿命時間τorによつて、１／τ＝ １／τ〓＋１／τorと表わされることが知られている。
ま たτr１／Br（△Ｎ＋P0）と表わされる。ここで
Brは再結合係数（1.25×10-10cm3／Ｓ）、△Ｎは
注入キヤリヤ密度、P0は非注入時のキヤリヤ密
度である。したがつてP0＝２×1018cm-3の半導体
に△Ｎ＝２×1018cm-3を注入したときには、τrは
2nSであり、500MHzのくり返しまで応答する。
また、過飽和吸収部分１１に注入するキヤリヤ密
度△Ｎを変化することによつて、τrを変化するこ
とができ、共振器長L3と前述の関係になるよう
に設定することができる。
ザ部分１０、半導体過飽和吸収部分１１、光導波
路１２および光共振器１３，１４が一体化されて
いる。半導体レーザ部分１０は順方向に電流を注
入する。過飽和吸収部分１１は、必要に応じて順
方向に電流を流すか、又は逆方向に電圧を印加
し、過飽和吸収の大きさを変えることができる。
全共振器長がL3のとき、過飽和吸収部分１１の
少数キヤリヤ寿命時間がτがτ2nL3／ｃであれ ば、前述の色素レーザの受動モード同期と同様
に、半導体レーザの受動モード同期が実現され、
τのくり返しの短光パルス列が得られる。ここで
ｎは半導体の屈折率である。一例として、GaAs
のキヤリヤ寿命時間τは発光キヤリヤ寿命時間
τr、非発光キヤリヤ寿命時間τorによつて、１／τ＝ １／τ〓＋１／τorと表わされることが知られている。
ま たτr１／Br（△Ｎ＋P0）と表わされる。ここで
Brは再結合係数（1.25×10-10cm3／Ｓ）、△Ｎは
注入キヤリヤ密度、P0は非注入時のキヤリヤ密
度である。したがつてP0＝２×1018cm-3の半導体
に△Ｎ＝２×1018cm-3を注入したときには、τrは
2nSであり、500MHzのくり返しまで応答する。
また、過飽和吸収部分１１に注入するキヤリヤ密
度△Ｎを変化することによつて、τrを変化するこ
とができ、共振器長L3と前述の関係になるよう
に設定することができる。
一方、共振器長L3を短くし、パルス間隔を短
くするためには、さらに過飽和吸収部分１１の少
数キヤリヤ寿命時間τを短くする必要がある。こ
の条件は、過飽和吸収部分１１を構成する半導体
材料に高濃度の不純物を拡散するか、イオン注入
するか、あるいはアモルフアス半導体材料を用い
てτorを小さくすることにより得られる。
くするためには、さらに過飽和吸収部分１１の少
数キヤリヤ寿命時間τを短くする必要がある。こ
の条件は、過飽和吸収部分１１を構成する半導体
材料に高濃度の不純物を拡散するか、イオン注入
するか、あるいはアモルフアス半導体材料を用い
てτorを小さくすることにより得られる。
以下、本発明による具体的なレーザダイオード
光制御装置の構成例について説明する。第４図
に、第１の実施例を示す。Ａは増幅領域となるレ
ーザ利得領域、Ｂは吸収領域、Ｃは光導波路領域
である。ｎ型InP基板２０上に順次ｎ型InP２１、
InGaAsP活性層２２、ｐ型InP２３およびp+型
InGaAsP２４が順次成長された４層ダブルヘテ
ロ構造ウエハにオーム性接触電極２５，２６を付
けてレーザを構成する。ｐ型側電極は２つの部
分、すなわち該Ａ、Ｂのそれれぞれの領域に電気
的に分離する。Ｂの吸収領域の他方の側には、レ
ーザ光に対し吸収の小さいInGaAsP光導波路２
７を付ける。図に示した様にＡレーザ利得領域の
一方と、Ｃの光導波路領域の一方で光共振器２８
を形成し、第４図に示したごとく一体の素子とす
る。Ａのレーザ利得領域への注入電流は該一体の
素子でレーザ発振が得られるまで順方向直流電流
を注入する。Ｂの吸収領域には必要に応じて、Ａ
のレーザ利得領域よりも密度の低い順方向の電流
を注入するか、あるいは逆方向に電圧を印加す
る。このような構成にすることにより、くり返し
2nL4／ｃのレーザ発振光の短パルス列が得られ
る。L4は共振器長である。増幅機能のレーザ利
得領域Ａ、吸収領域Ｂ、光導波路領域Ｃはほぼ同
じ屈折率をもつので不要な反射は生じない。増幅
機能のレーザ利得領域Ａおよび吸収領域Ｂの少な
くともいずれかをｆ＝2nL4／ｃの周波数で変調
し、さらに個々の光パルス幅を短くすることもで
きる。
光制御装置の構成例について説明する。第４図
に、第１の実施例を示す。Ａは増幅領域となるレ
ーザ利得領域、Ｂは吸収領域、Ｃは光導波路領域
である。ｎ型InP基板２０上に順次ｎ型InP２１、
InGaAsP活性層２２、ｐ型InP２３およびp+型
InGaAsP２４が順次成長された４層ダブルヘテ
ロ構造ウエハにオーム性接触電極２５，２６を付
けてレーザを構成する。ｐ型側電極は２つの部
分、すなわち該Ａ、Ｂのそれれぞれの領域に電気
的に分離する。Ｂの吸収領域の他方の側には、レ
ーザ光に対し吸収の小さいInGaAsP光導波路２
７を付ける。図に示した様にＡレーザ利得領域の
一方と、Ｃの光導波路領域の一方で光共振器２８
を形成し、第４図に示したごとく一体の素子とす
る。Ａのレーザ利得領域への注入電流は該一体の
素子でレーザ発振が得られるまで順方向直流電流
を注入する。Ｂの吸収領域には必要に応じて、Ａ
のレーザ利得領域よりも密度の低い順方向の電流
を注入するか、あるいは逆方向に電圧を印加す
る。このような構成にすることにより、くり返し
2nL4／ｃのレーザ発振光の短パルス列が得られ
る。L4は共振器長である。増幅機能のレーザ利
得領域Ａ、吸収領域Ｂ、光導波路領域Ｃはほぼ同
じ屈折率をもつので不要な反射は生じない。増幅
機能のレーザ利得領域Ａおよび吸収領域Ｂの少な
くともいずれかをｆ＝2nL4／ｃの周波数で変調
し、さらに個々の光パルス幅を短くすることもで
きる。
第５図及び第６図に第２の実施例を示す。第１
の実施例と異なる点は、増幅機能のレーザ利得領
域Ａと吸収領域Ｂが交交互に形成され、単一の電
極によつて電流が注入されることにる。第５図の
ストライプ領域の中央Ｄで切断した図を６図に示
す。ｎ型InP基板２０、ｎ型InP層２１、
InGaAsP活性層２２、ｎ型InP層２３およびｎ型
InGaAsP層２９からなる４層ダブルヘテロ構造
ウエハを用いる。表面から亜鉛等ｐ型の不純物を
図に示すようにｐ型InP層２３まで島状に拡散
し、ｐ型拡散領域３０はp+型に反転し電流注入
領域を形成する。全面に電極２６および２５を形
成して順方向に電流を注入すると、ｐ型拡散領域
３０の下の活性層のみが選択的に励起され、この
部分が増幅機能のレーザ利得領域Ａとなる。一
方、電流が注入されない領域は吸収領域Ｂとな
る。第２の実施例は作製が容易であり、第１の実
施例と同じ効果が得られる。
の実施例と異なる点は、増幅機能のレーザ利得領
域Ａと吸収領域Ｂが交交互に形成され、単一の電
極によつて電流が注入されることにる。第５図の
ストライプ領域の中央Ｄで切断した図を６図に示
す。ｎ型InP基板２０、ｎ型InP層２１、
InGaAsP活性層２２、ｎ型InP層２３およびｎ型
InGaAsP層２９からなる４層ダブルヘテロ構造
ウエハを用いる。表面から亜鉛等ｐ型の不純物を
図に示すようにｐ型InP層２３まで島状に拡散
し、ｐ型拡散領域３０はp+型に反転し電流注入
領域を形成する。全面に電極２６および２５を形
成して順方向に電流を注入すると、ｐ型拡散領域
３０の下の活性層のみが選択的に励起され、この
部分が増幅機能のレーザ利得領域Ａとなる。一
方、電流が注入されない領域は吸収領域Ｂとな
る。第２の実施例は作製が容易であり、第１の実
施例と同じ効果が得られる。
以上の実施例では、前述のように吸収領域の少
数キヤリヤ寿命時間τ10-9秒程度であるので、
11GHz程度が光パルス列の周波数の限度である。
さらに高速のくり返しを得るための第３の実施例
を７図に示す。この実施例の特徴は吸収領域Ｂに
レーザ発振波長で吸収をもつアモルフアス半導体
例えばアモルフアスシリコン等を用いることであ
る。
数キヤリヤ寿命時間τ10-9秒程度であるので、
11GHz程度が光パルス列の周波数の限度である。
さらに高速のくり返しを得るための第３の実施例
を７図に示す。この実施例の特徴は吸収領域Ｂに
レーザ発振波長で吸収をもつアモルフアス半導体
例えばアモルフアスシリコン等を用いることであ
る。
アモルフアス半導体では少数キヤリヤの寿命時
間τが数10pS〜100pS程度と非常に短いため、10
〜数10GHzのくり返し短光パルス列を得ることが
できる。また吸収体としてアモルフアス半導体の
代りに、レーザ利得領域となる増幅部分と同じ半
導体材料を用い、そこへ高濃度に不純物を拡散す
るか又はイオン注入しても良い。
間τが数10pS〜100pS程度と非常に短いため、10
〜数10GHzのくり返し短光パルス列を得ることが
できる。また吸収体としてアモルフアス半導体の
代りに、レーザ利得領域となる増幅部分と同じ半
導体材料を用い、そこへ高濃度に不純物を拡散す
るか又はイオン注入しても良い。
本発明の実施例では増幅部分のレーザ利得領域
Ａと光吸収部分の吸収領域Ｂおよび光導波路領域
Ｃとの間の光結合は光導波路間の直接結合を用い
た。しかし、他の光結合式、たとえばテーパ結合
（たとえば野田著「光フアイバ伝送」電子通信学
会発行268頁昭和53年）を用いても全く同様の効
果が得られる。又、光共振器としてはフアブリ・
ペロー型共振器を用いた場合を示したが、光導波
路上の結晶の層厚に凹凸を形成してつくられた、
回折格子のブラツク反射を利用した光共振器（前
記文献188頁）を用いることもできる。
Ａと光吸収部分の吸収領域Ｂおよび光導波路領域
Ｃとの間の光結合は光導波路間の直接結合を用い
た。しかし、他の光結合式、たとえばテーパ結合
（たとえば野田著「光フアイバ伝送」電子通信学
会発行268頁昭和53年）を用いても全く同様の効
果が得られる。又、光共振器としてはフアブリ・
ペロー型共振器を用いた場合を示したが、光導波
路上の結晶の層厚に凹凸を形成してつくられた、
回折格子のブラツク反射を利用した光共振器（前
記文献188頁）を用いることもできる。
本発明では半導体結晶としてInP／InGaAsPで
実施例を示した。しかし、第８図に示したような
各種の材料でも本発明にしたがつて構成でき、そ
の使用波長により任意の材料を選ぶことができ
る。
実施例を示した。しかし、第８図に示したような
各種の材料でも本発明にしたがつて構成でき、そ
の使用波長により任意の材料を選ぶことができ
る。
発明の効果：
以上説明したように、本発明のレーザダイオー
ド光制御装置は広い範囲の波長で広い範囲のくり
返しをもつ短パルス列を小型の装置で容易に発生
することができるので、光フアイバなど光素子の
分散特性あるいは分光学一般の測定用光源として
広く応用できる効果大である。
ド光制御装置は広い範囲の波長で広い範囲のくり
返しをもつ短パルス列を小型の装置で容易に発生
することができるので、光フアイバなど光素子の
分散特性あるいは分光学一般の測定用光源として
広く応用できる効果大である。
第１図および第２図は従来の光制御装置の概念
図、第３図は本発明の光制御装置の原理図、第４
図は本発明の光制御装置の第１の実施例の斜視
図、第５図は本発明の光制御装置の第２の実施例
の斜視図、第６図は第２の実施例の断面図、第７
図は本発明の光制御装置の第３の実施例の斜視
図、第８図は本発明の光制御装置に適用される半
導体材料の波長特性を示す図である。 １，１′……共振器用鏡、２……レーザ利得媒
質、３……励起光、４……過飽和吸収媒質、５…
…半導体レーザ、６……球面鏡、７……変調用電
源、１０……半導体レーザ部分、１１……半導体
過飽和吸収部分、１２……光導波路、１３，１４
……光共振器、２０……ｎ型InP基板、２１……
ｎ型InP、２２……InGaAsP活性層、２３……ｐ
型InP、２４……p+型InGaAsP、２５，２６……
オーム性電極、２７……InGaAsP光導波路、２
８……光共振器、２９……ｎ型InGaAsP、３０
……ｐ型拡散領域、３１……アモルフアス半導
体。
図、第３図は本発明の光制御装置の原理図、第４
図は本発明の光制御装置の第１の実施例の斜視
図、第５図は本発明の光制御装置の第２の実施例
の斜視図、第６図は第２の実施例の断面図、第７
図は本発明の光制御装置の第３の実施例の斜視
図、第８図は本発明の光制御装置に適用される半
導体材料の波長特性を示す図である。 １，１′……共振器用鏡、２……レーザ利得媒
質、３……励起光、４……過飽和吸収媒質、５…
…半導体レーザ、６……球面鏡、７……変調用電
源、１０……半導体レーザ部分、１１……半導体
過飽和吸収部分、１２……光導波路、１３，１４
……光共振器、２０……ｎ型InP基板、２１……
ｎ型InP、２２……InGaAsP活性層、２３……ｐ
型InP、２４……p+型InGaAsP、２５，２６……
オーム性電極、２７……InGaAsP光導波路、２
８……光共振器、２９……ｎ型InGaAsP、３０
……ｐ型拡散領域、３１……アモルフアス半導
体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 注入型半導体レーザにおいて、共振器内に、
電流を注入して形成される増幅領域と、該増幅領
域よりも注入電流の小さいまたは全く励起しな
い、あるいは逆方向にバイアス電圧を加えた光吸
収領域と、レーザ発振光に対して光損失の小さい
光導波路とを該共振器方向に直列に光学的に接続
してなり、該光吸収領域の少数キヤリヤの寿命時
間が、光が該共振器を一往復するのに必要な時間
と同程度かまたは短いことを特徴とするレーザダ
イオード光制御装置。 ２ 前記光吸収領域は、レーザ発振波長をエネル
ギに換算した値Eλよりも吸収端のエネルギ間隔
Egの狭いアモルフアス半導体材料からなること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のレーザ
ダイオード光制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2087482A JPS58202581A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | レ−ザダイオ−ド光制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2087482A JPS58202581A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | レ−ザダイオ−ド光制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58202581A JPS58202581A (ja) | 1983-11-25 |
| JPH0139232B2 true JPH0139232B2 (ja) | 1989-08-18 |
Family
ID=12039317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2087482A Granted JPS58202581A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | レ−ザダイオ−ド光制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58202581A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2681274B2 (ja) * | 1987-12-24 | 1997-11-26 | 富士通株式会社 | 半導体発光装置及びその動作方法 |
| US4993035A (en) * | 1989-04-03 | 1991-02-12 | Boris Laikhtman | High power semiconductor laser using optical integrated circuit |
| JP2808562B2 (ja) * | 1990-02-27 | 1998-10-08 | キヤノン株式会社 | 半導体光増幅素子 |
| FR2673333A1 (fr) * | 1991-02-27 | 1992-08-28 | Alsthom Cge Alcatel | Laser semiconducteur a absorbeur saturable. |
| ES2084358T3 (es) * | 1991-05-07 | 1996-05-01 | British Telecomm | Extraccion optica del reloj. |
| DE4117866A1 (de) * | 1991-05-31 | 1992-12-03 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Verfahren zum betreiben eines halbleiterlasers als modensynchronisierten halbleiterlaser und einrichtungen zur durchfuehrung des verfahrens |
| JP2827930B2 (ja) * | 1993-11-12 | 1998-11-25 | 日本電気株式会社 | 集積レーザ素子および光ビーム走査装置 |
-
1982
- 1982-02-12 JP JP2087482A patent/JPS58202581A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58202581A (ja) | 1983-11-25 |
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