JPH1048833A - 反射防止膜材料用組成物 - Google Patents
反射防止膜材料用組成物Info
- Publication number
- JPH1048833A JPH1048833A JP8208630A JP20863096A JPH1048833A JP H1048833 A JPH1048833 A JP H1048833A JP 8208630 A JP8208630 A JP 8208630A JP 20863096 A JP20863096 A JP 20863096A JP H1048833 A JPH1048833 A JP H1048833A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- carbon atoms
- vinyl
- antireflection film
- hydrogen atom
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 各種放射線を用いるリソグラフィープロセス
において、下地基板からの反射による悪影響の低減に有
効な反射防止膜材料用組成物、ならびに該反射防止膜材
料用組成物を用いるレジストパターン形成法を提供す
る。 【解決手段】 特定の構造の繰り返し単位を有する高分
子化合物を含むことを特徴とする反射防止膜材料用組成
物。
において、下地基板からの反射による悪影響の低減に有
効な反射防止膜材料用組成物、ならびに該反射防止膜材
料用組成物を用いるレジストパターン形成法を提供す
る。 【解決手段】 特定の構造の繰り返し単位を有する高分
子化合物を含むことを特徴とする反射防止膜材料用組成
物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種放射線を用い
るリソグラフィープロセスにおいて、下地基板からの反
射による悪影響の低減に有効な反射防止膜材料用組成
物、ならびに該反射防止膜材料用組成物を用いるレジス
トパターン形成法に関するものである。
るリソグラフィープロセスにおいて、下地基板からの反
射による悪影響の低減に有効な反射防止膜材料用組成
物、ならびに該反射防止膜材料用組成物を用いるレジス
トパターン形成法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】フォトレジストは、半導体ウエファー、
ガラス、セラミックもしくは金属等の基板上にスピン塗
布法もしくはローラー塗布法で０．５〜２μｍの厚みに
塗布される。その後、加熱、乾燥し、露光マスクを介し
て回路パターン等を紫外線等の放射線により焼き付け、
必要により露光後ベークを施してから現像して画像が形
成される。さらにこの画像をマスクとしてエッチングす
ることにより、基板上にパターン状の加工を施す事がで
きる。代表的な応用分野にはＩＣ等の半導体製造工程、
液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、その他のフ
ォトファブリケーション工程等がある。
ガラス、セラミックもしくは金属等の基板上にスピン塗
布法もしくはローラー塗布法で０．５〜２μｍの厚みに
塗布される。その後、加熱、乾燥し、露光マスクを介し
て回路パターン等を紫外線等の放射線により焼き付け、
必要により露光後ベークを施してから現像して画像が形
成される。さらにこの画像をマスクとしてエッチングす
ることにより、基板上にパターン状の加工を施す事がで
きる。代表的な応用分野にはＩＣ等の半導体製造工程、
液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、その他のフ
ォトファブリケーション工程等がある。
【０００３】フォトレジストを用いた半導体の微細加工
において、寸法の微細化に伴い基板面からの光反射の防
止が重要課題になってきている。従来この目的には吸光
剤入りフォトレジストが用いられてきたが、解像力を損
なうという問題点があった。そこでフォトレジストと基
板の間に反射防止膜（Bottom Anti-Reflective Coatin
g、BARC）を設ける方法が広く検討されるようになって
きた。反射防止膜としては、チタン、二酸化チタン、窒
化チタン、酸化クロム、カーボン、α−シリコン等の無
機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜型が知
られている。前者は膜形成に真空蒸着装置、ＣＶＤ装
置、スパッタリング装置等の設備を必要とするのに対
し、後者は特別の設備を必要としない点で有利とされ、
数多くの検討が行われている。
において、寸法の微細化に伴い基板面からの光反射の防
止が重要課題になってきている。従来この目的には吸光
剤入りフォトレジストが用いられてきたが、解像力を損
なうという問題点があった。そこでフォトレジストと基
板の間に反射防止膜（Bottom Anti-Reflective Coatin
g、BARC）を設ける方法が広く検討されるようになって
きた。反射防止膜としては、チタン、二酸化チタン、窒
化チタン、酸化クロム、カーボン、α−シリコン等の無
機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜型が知
られている。前者は膜形成に真空蒸着装置、ＣＶＤ装
置、スパッタリング装置等の設備を必要とするのに対
し、後者は特別の設備を必要としない点で有利とされ、
数多くの検討が行われている。
【０００４】有機膜型の反射防止膜としては、例えば特
公平７−６９６１１号公報記載のジフェニルアミン誘導
体とホルムアルデヒド変性メラミン樹脂との縮合体、ア
ルカリ可溶樹脂、吸光剤からなるものや、米国特許第５
２９４６８０号明細書記載の無水マレイン酸共重合体と
ジアミン型吸光剤の反応物、特開平６−１１８６３１号
公報記載の樹脂バインダーとメチロールメラミン系熱架
橋剤を含有するもの、特開平６−１１８６５６号公報記
載のカルボン酸基とエポキシ基と吸光基を同一分子内に
有するアクリル樹脂型反射防止膜、特開平８−８７１１
５号公報記載のメチロールメラミンとベンゾフェノン系
吸光剤からなるものが挙げられる。
公平７−６９６１１号公報記載のジフェニルアミン誘導
体とホルムアルデヒド変性メラミン樹脂との縮合体、ア
ルカリ可溶樹脂、吸光剤からなるものや、米国特許第５
２９４６８０号明細書記載の無水マレイン酸共重合体と
ジアミン型吸光剤の反応物、特開平６−１１８６３１号
公報記載の樹脂バインダーとメチロールメラミン系熱架
橋剤を含有するもの、特開平６−１１８６５６号公報記
載のカルボン酸基とエポキシ基と吸光基を同一分子内に
有するアクリル樹脂型反射防止膜、特開平８−８７１１
５号公報記載のメチロールメラミンとベンゾフェノン系
吸光剤からなるものが挙げられる。
【０００５】有機系反射防止膜用材料として望まれる物
性として、放射線に対して大きな吸光度を有すること、
レジスト溶剤に不溶であること（レジスト層とのインタ
ーミキシングが起こらないこと）、レジストに比べて大
きなドライエッチング速度を有すること等があり、この
事は例えばProc.SPIE,Vol.2195,225-229(1994)にも記載
されている。
性として、放射線に対して大きな吸光度を有すること、
レジスト溶剤に不溶であること（レジスト層とのインタ
ーミキシングが起こらないこと）、レジストに比べて大
きなドライエッチング速度を有すること等があり、この
事は例えばProc.SPIE,Vol.2195,225-229(1994)にも記載
されている。
【０００６】しかしながら前出の特許記載の化合物はこ
れらの要求全てを満たすものではなく、その改良が望ま
れていた。例えばレジスト層とのインターミキシングを
防ぐ為、反射防止膜に熱架橋性機能の導入が必要だが、
これまでの反射防止膜では吸光剤もしくは吸光性基とは
独立に架橋機能が導入されていたため、架橋性を高めよ
うとすると、吸光度の低下を招くという問題点があっ
た。また架橋系にカルボン酸基のようなアルカリ浸透性
を高める官能基を含むものは、アルカリ性水溶液による
現像を行った場合、反射防止膜の膨潤を招き、レジスト
パターン形状の悪化を招くという問題を有する。
れらの要求全てを満たすものではなく、その改良が望ま
れていた。例えばレジスト層とのインターミキシングを
防ぐ為、反射防止膜に熱架橋性機能の導入が必要だが、
これまでの反射防止膜では吸光剤もしくは吸光性基とは
独立に架橋機能が導入されていたため、架橋性を高めよ
うとすると、吸光度の低下を招くという問題点があっ
た。また架橋系にカルボン酸基のようなアルカリ浸透性
を高める官能基を含むものは、アルカリ性水溶液による
現像を行った場合、反射防止膜の膨潤を招き、レジスト
パターン形状の悪化を招くという問題を有する。
【０００７】
【発明が解決しようとす課題】従って、本発明の目的
は、反射光防止効果が高く、レジスト層とのインターミ
キシングが起こらず、優れたレジストパターンが得ら
れ、レジストに比べて大きなドライエッチング速度を有
する反射防止膜材料用組成物、並びにレジストパターン
形成法を提供することにある。
は、反射光防止効果が高く、レジスト層とのインターミ
キシングが起こらず、優れたレジストパターンが得ら
れ、レジストに比べて大きなドライエッチング速度を有
する反射防止膜材料用組成物、並びにレジストパターン
形成法を提供することにある。
【０００８】
（１） 下記一般式（１）及び（２）で示される繰り返
し単位を有する高分子化合物を含むことを特徴とする反
射防止膜材料用組成物。
し単位を有する高分子化合物を含むことを特徴とする反
射防止膜材料用組成物。
【０００９】
【化２】
【００１０】（２） 前記一般式（１）において、Ｘが
単結合、あるいは−ＣＯ2 −、−ＣＯＮＨ−、−Ｏ−、
−ＣＯ−、−ＳＯ2 −のうち少なくとも１つの連結基を
介していてもよい、アルキレン基、アリーレン基、アラ
ルキレン基、−ＣＯ2 −Ａ−、−ＣＯＮＨ−Ａ−、−Ｏ
−Ａ−、−ＣＯ−Ａ−、−ＳＯ2 −Ａ−（ここで、Ａは
置換基を有していてもよい炭素数６〜１４個の芳香環基
を表す。）であり、Ｐが（ｎ＋１）価のフェニレン基、
ナフチレン基又はアンスリレン基であり、Ｙが水素原
子、−ＯＨ、−ＯＲ4 、−Ｎ（Ｒ5 ）（Ｒ6 ）又は−Ｓ
Ｒ4 （ここで、Ｒ4 は炭素数１〜２０個の炭化水素基を
表し、Ｒ5 、Ｒ6 は各々おなじであっても異っていても
よく、水素原子又は炭素数１〜２０個の炭化水素基を表
す）であることを特徴とする上記（１）に記載の反射防
止膜材料用組成物。 （３） 上記（１）又は（２）に記載の反射防止膜材料
用組成物を基板上に塗布後ベークして反射防止膜を硬化
させた後、その上にパターン状にフォトレジスト層を形
成することを特徴とするレジストパターン形成方法。
単結合、あるいは−ＣＯ2 −、−ＣＯＮＨ−、−Ｏ−、
−ＣＯ−、−ＳＯ2 −のうち少なくとも１つの連結基を
介していてもよい、アルキレン基、アリーレン基、アラ
ルキレン基、−ＣＯ2 −Ａ−、−ＣＯＮＨ−Ａ−、−Ｏ
−Ａ−、−ＣＯ−Ａ−、−ＳＯ2 −Ａ−（ここで、Ａは
置換基を有していてもよい炭素数６〜１４個の芳香環基
を表す。）であり、Ｐが（ｎ＋１）価のフェニレン基、
ナフチレン基又はアンスリレン基であり、Ｙが水素原
子、−ＯＨ、−ＯＲ4 、−Ｎ（Ｒ5 ）（Ｒ6 ）又は−Ｓ
Ｒ4 （ここで、Ｒ4 は炭素数１〜２０個の炭化水素基を
表し、Ｒ5 、Ｒ6 は各々おなじであっても異っていても
よく、水素原子又は炭素数１〜２０個の炭化水素基を表
す）であることを特徴とする上記（１）に記載の反射防
止膜材料用組成物。 （３） 上記（１）又は（２）に記載の反射防止膜材料
用組成物を基板上に塗布後ベークして反射防止膜を硬化
させた後、その上にパターン状にフォトレジスト層を形
成することを特徴とするレジストパターン形成方法。
【００１１】
【発明の実施の形態】上記一般式（１）及び一般式
（２）で示される繰り返し単位を有する高分子化合物Ｒ
1 、Ｒ2 として好ましくは各々水素原子又はメチル基で
ある。Ｘは単結合又は２価の有機連結基を表す。Ｘは好
ましくは単結合、もしくは途中に−ＣＯ2 −、−ＣＯＮ
Ｈ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −を一つ以上有して
いてもよいアルキレン基、アリーレン基、アラルキレン
基、−ＣＯ2 −Ａ−、−ＣＯＮＨ−Ａ−、−Ｏ−Ａ−、
−ＣＯ−Ａ−、−ＳＯ2 −Ａ−から選ばれた連結基であ
る（Ａは、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環
等の置換基を有していてもよい炭素数が６〜１４個であ
る芳香環基を表す。）。ここで、アリーレン基としては
フェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基等が挙げ
られ、アラルキレン基としては−Ｃ6 Ｈ4 −ＣＨ2 −、
−Ｃ10Ｈ6 −ＣＨ2 −、−Ｃ14Ｈ 8 −ＣＨ2 −等が挙げ
られる。Ｐは、炭素数６〜１４個の（ｎ＋１）価の芳香
環基を表し、好ましくは（ｎ＋１）価のフェニレン基、
ナフチレン基、アンスリレン基から選ばれた芳香環基で
ある。
（２）で示される繰り返し単位を有する高分子化合物Ｒ
1 、Ｒ2 として好ましくは各々水素原子又はメチル基で
ある。Ｘは単結合又は２価の有機連結基を表す。Ｘは好
ましくは単結合、もしくは途中に−ＣＯ2 −、−ＣＯＮ
Ｈ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −を一つ以上有して
いてもよいアルキレン基、アリーレン基、アラルキレン
基、−ＣＯ2 −Ａ−、−ＣＯＮＨ−Ａ−、−Ｏ−Ａ−、
−ＣＯ−Ａ−、−ＳＯ2 −Ａ−から選ばれた連結基であ
る（Ａは、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環
等の置換基を有していてもよい炭素数が６〜１４個であ
る芳香環基を表す。）。ここで、アリーレン基としては
フェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基等が挙げ
られ、アラルキレン基としては−Ｃ6 Ｈ4 −ＣＨ2 −、
−Ｃ10Ｈ6 −ＣＨ2 −、−Ｃ14Ｈ 8 −ＣＨ2 −等が挙げ
られる。Ｐは、炭素数６〜１４個の（ｎ＋１）価の芳香
環基を表し、好ましくは（ｎ＋１）価のフェニレン基、
ナフチレン基、アンスリレン基から選ばれた芳香環基で
ある。
【００１２】Ｙは、水素原子又は電子供与性基を表し、
好ましくは水素原子、−ＯＨ、−ＯＲ4 、−Ｎ（Ｒ5 ）
（Ｒ6 ）、−ＳＲ4 から選ばれる基である。Ｒ4 は炭素
数が１〜２０個の炭化水素基を表し、好ましく炭素数１
〜６個の直鎖、分岐または環状のアルキル基、更に好ま
しくはメチル基、エチル基である。Ｒ5 、Ｒ6 は各々お
なじであっても異っていてもよく、水素原子、炭素数が
１から２０個までの炭化水素基を表し、好ましく炭素数
が１〜６個の直鎖、分岐または環状のアルキル基、さら
に好ましくはメチル基、エチル基である。Ｙとして更に
好ましくは水素原子、−ＯＨ、−ＯＣＨ3 、−ＯＣＨ2
ＣＨ3 である。
好ましくは水素原子、−ＯＨ、−ＯＲ4 、−Ｎ（Ｒ5 ）
（Ｒ6 ）、−ＳＲ4 から選ばれる基である。Ｒ4 は炭素
数が１〜２０個の炭化水素基を表し、好ましく炭素数１
〜６個の直鎖、分岐または環状のアルキル基、更に好ま
しくはメチル基、エチル基である。Ｒ5 、Ｒ6 は各々お
なじであっても異っていてもよく、水素原子、炭素数が
１から２０個までの炭化水素基を表し、好ましく炭素数
が１〜６個の直鎖、分岐または環状のアルキル基、さら
に好ましくはメチル基、エチル基である。Ｙとして更に
好ましくは水素原子、−ＯＨ、−ＯＣＨ3 、−ＯＣＨ2
ＣＨ3 である。
【００１３】Ｚは末端に−ＣＨ2 ＯＲ3 基を有する有機
官能基を表す。Ｒ3 は好ましくは水素原子、炭素数１〜
２０個のアルキル基又はアシル基を表す。Ｒ3 のアルキ
ル基としては好ましくは炭素数１〜６個のものであり、
さらに好ましくはメチル基、エチル基である。Ｒ3 のア
シル基としてはアセチル基が好ましい。末端に−ＣＨ2
ＯＲ3 基を有する有機官能基としてのＺは、好ましくは
Ｎ−メチロールアミド基、Ｎ−アルコキシメチルアミド
基、ジアセトンアミド基とホルムアルデヒドを反応させ
て得られる基あるいはそのメチロール基をアルコキシ化
した基、−ＣＯ2 −、−ＣＯＮＨ−等の２価の連結基で
つながっていてもよい４−ヒドロキシ−３，５−ビス
（ヒドロキシメチル）フェニル基または４−ヒドロキシ
−３，５−ビス（アルコキシメチル）フェニル基であ
る。これらのアルコキシ基としては好ましくはメトキシ
基又はエトキシ基である。
官能基を表す。Ｒ3 は好ましくは水素原子、炭素数１〜
２０個のアルキル基又はアシル基を表す。Ｒ3 のアルキ
ル基としては好ましくは炭素数１〜６個のものであり、
さらに好ましくはメチル基、エチル基である。Ｒ3 のア
シル基としてはアセチル基が好ましい。末端に−ＣＨ2
ＯＲ3 基を有する有機官能基としてのＺは、好ましくは
Ｎ−メチロールアミド基、Ｎ−アルコキシメチルアミド
基、ジアセトンアミド基とホルムアルデヒドを反応させ
て得られる基あるいはそのメチロール基をアルコキシ化
した基、−ＣＯ2 −、−ＣＯＮＨ−等の２価の連結基で
つながっていてもよい４−ヒドロキシ−３，５−ビス
（ヒドロキシメチル）フェニル基または４−ヒドロキシ
−３，５−ビス（アルコキシメチル）フェニル基であ
る。これらのアルコキシ基としては好ましくはメトキシ
基又はエトキシ基である。
【００１４】本発明の高分子には、一般式（１）、
（２）以外に非架橋性のモノマーを共重合することも可
能であり、これによりドライエッチング速度、反射率等
の微調整が行える。このような共重合モノマーとしては
以下のものが挙げられる。例えば、アクリル酸エステル
類、アクリルアミド類、メタクリル酸エステル類、メタ
クリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビ
ニルエステル類、スチレン類、クロトン酸エステル類な
どから選ばれる付加重合性不飽和結合を１個有する化合
物である。具体的には、例えばアクリル酸エステル類、
例えばアルキル（アルキル基の炭素原子数は１〜１０の
ものが好ましい）アクリレート（例えば、アクリル酸メ
チル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリ
ル酸ｔ−ブチル、アクリル酸アミル、アクリル酸シクロ
ヘキシル、アクリル酸エチルヘキシル、アクリル酸オク
チル、アクリル酸−ｔ−オクチル、クロルエチルアクリ
レート、２−ヒドロキシエチルアクリレート２，２−ジ
メチルヒドロキシプロピルアクリレート、５−ヒドロキ
シペンチルアクリレート、トリメチロールプロパンモノ
アクリレート、ペンタエリスリトールモノアクリレー
ト、ベンジルアクリレート、メトキシベンジルアクリレ
ート、フルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリ
ルアクリレート、など）アリールアクリレート（例えば
フェニルアクリレート、ヒドロキシフェニルアクリレー
トなど）；
（２）以外に非架橋性のモノマーを共重合することも可
能であり、これによりドライエッチング速度、反射率等
の微調整が行える。このような共重合モノマーとしては
以下のものが挙げられる。例えば、アクリル酸エステル
類、アクリルアミド類、メタクリル酸エステル類、メタ
クリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビ
ニルエステル類、スチレン類、クロトン酸エステル類な
どから選ばれる付加重合性不飽和結合を１個有する化合
物である。具体的には、例えばアクリル酸エステル類、
例えばアルキル（アルキル基の炭素原子数は１〜１０の
ものが好ましい）アクリレート（例えば、アクリル酸メ
チル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリ
ル酸ｔ−ブチル、アクリル酸アミル、アクリル酸シクロ
ヘキシル、アクリル酸エチルヘキシル、アクリル酸オク
チル、アクリル酸−ｔ−オクチル、クロルエチルアクリ
レート、２−ヒドロキシエチルアクリレート２，２−ジ
メチルヒドロキシプロピルアクリレート、５−ヒドロキ
シペンチルアクリレート、トリメチロールプロパンモノ
アクリレート、ペンタエリスリトールモノアクリレー
ト、ベンジルアクリレート、メトキシベンジルアクリレ
ート、フルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリ
ルアクリレート、など）アリールアクリレート（例えば
フェニルアクリレート、ヒドロキシフェニルアクリレー
トなど）；
【００１５】メタクリル酸エステル類、例えば、アルキ
ル（アルキル基の炭素原子数は１〜１０のものが好まし
い）メタクリレート（例えば、メチルメタクリレート、
エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソ
プロピルメタクリレート、ｔ−ブチルメタクリレート、
アミルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、シク
ロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、
クロルベンジルメタクリレート、オクチルメタクリレー
ト、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、４−ヒドロ
キシブチルメタクリレート、５−ヒドロキシペンチルメ
タクリレート、２，２−ジメチル−３−ヒドロキシプロ
ピルメタクリレート、トリメチロールプロパンモノメタ
クリレート、ペンタエリスリトールモノメタクリレー
ト、フルフリルメタクリレート、テトラヒドロフルフリ
ルメタクリレートなど）、アリールメタクリレート（例
えば、フェニルメタクリレート、ヒドロキシフェニルメ
タクリレート、クレジルメタクリレート、ナフチルメタ
クリレートなど）；アクリルアミド類、例えば、アクリ
ルアミド、Ｎ−アルキルアクリルアミド、（アルキル基
としては、炭素原子数１〜１０のもの、例えば、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、
ヘプチル基、オクチル基、シクロヘキシル基、ベンジル
基、ヒドロキシエチル基、ベンジル基などがある。）、
Ｎ−アリールアクリルアミド（アリール基としては、例
えばフェニル基、トリル基、ニトロフェニル基、ナフチ
ル基、シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、カル
ボキシフェニル基などがある。）、Ｎ，Ｎ−ジアルキル
アクリルアミド（アルキル基としては、炭素原子数１〜
１０のもの、例えば、メチル基、エチル基、ブチル基、
イソブチル基、エチルヘキシル基、シクロヘキシル基な
どがある。）、Ｎ，Ｎ−アリールアクリルアミド（アリ
ール基としては、例えばフェニル基などがある。）、Ｎ
−メチル−Ｎ−フェニルアクリルアミド、Ｎ−ヒドロキ
シエチル−Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−２−アセト
アミドエチル−Ｎ−アセチルアクリルアミドなど；メタ
クリルアミド類、例えば、メタクリルアミド、Ｎ−アル
キルメタクリルアミド（アルキル基としては、炭素原子
数１〜１０のもの、例えば、メチル基、エチル基、ｔ−
ブチル基、エチルヘキシル基、ヒドロキシエチル基、シ
クロヘキシル基などがある。）、Ｎ−アリールメタクリ
ルアミド（アリール基としては、フェニル基、ヒドロキ
シフェニル基、カルボキシフェニル基などがある。）、
Ｎ，Ｎ−ジアルキルメタクリルアミド（アルキル基とし
ては、エチル基、プロピル基、ブチル基などがあ
る。）、Ｎ，Ｎ−ジアリールメタクリルアミド（アリー
ル基としては、フェニル基などがある。）、Ｎ−ヒドロ
キシエチル−Ｎ−メチルメタクリルアミド、Ｎ−メチル
−Ｎ−フェニルメタクリルアミド、Ｎ−エチル−Ｎ−フ
ェニルメタクリルアミドなど；アリル化合物、例えば、
アリルエステル類（例えば、酢酸アリル、カプロン酸ア
リル、カプリル酸アリル、ラウリン酸アリル、パルミチ
ン酸アリル、ステアリン酸アリル、安息香酸アリル、ア
セト酢酸アリル、乳酸アリルなど）、アリルオキシエタ
ノールなど；
ル（アルキル基の炭素原子数は１〜１０のものが好まし
い）メタクリレート（例えば、メチルメタクリレート、
エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソ
プロピルメタクリレート、ｔ−ブチルメタクリレート、
アミルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、シク
ロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、
クロルベンジルメタクリレート、オクチルメタクリレー
ト、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、４−ヒドロ
キシブチルメタクリレート、５−ヒドロキシペンチルメ
タクリレート、２，２−ジメチル−３−ヒドロキシプロ
ピルメタクリレート、トリメチロールプロパンモノメタ
クリレート、ペンタエリスリトールモノメタクリレー
ト、フルフリルメタクリレート、テトラヒドロフルフリ
ルメタクリレートなど）、アリールメタクリレート（例
えば、フェニルメタクリレート、ヒドロキシフェニルメ
タクリレート、クレジルメタクリレート、ナフチルメタ
クリレートなど）；アクリルアミド類、例えば、アクリ
ルアミド、Ｎ−アルキルアクリルアミド、（アルキル基
としては、炭素原子数１〜１０のもの、例えば、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、
ヘプチル基、オクチル基、シクロヘキシル基、ベンジル
基、ヒドロキシエチル基、ベンジル基などがある。）、
Ｎ−アリールアクリルアミド（アリール基としては、例
えばフェニル基、トリル基、ニトロフェニル基、ナフチ
ル基、シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、カル
ボキシフェニル基などがある。）、Ｎ，Ｎ−ジアルキル
アクリルアミド（アルキル基としては、炭素原子数１〜
１０のもの、例えば、メチル基、エチル基、ブチル基、
イソブチル基、エチルヘキシル基、シクロヘキシル基な
どがある。）、Ｎ，Ｎ−アリールアクリルアミド（アリ
ール基としては、例えばフェニル基などがある。）、Ｎ
−メチル−Ｎ−フェニルアクリルアミド、Ｎ−ヒドロキ
シエチル−Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−２−アセト
アミドエチル−Ｎ−アセチルアクリルアミドなど；メタ
クリルアミド類、例えば、メタクリルアミド、Ｎ−アル
キルメタクリルアミド（アルキル基としては、炭素原子
数１〜１０のもの、例えば、メチル基、エチル基、ｔ−
ブチル基、エチルヘキシル基、ヒドロキシエチル基、シ
クロヘキシル基などがある。）、Ｎ−アリールメタクリ
ルアミド（アリール基としては、フェニル基、ヒドロキ
シフェニル基、カルボキシフェニル基などがある。）、
Ｎ，Ｎ−ジアルキルメタクリルアミド（アルキル基とし
ては、エチル基、プロピル基、ブチル基などがあ
る。）、Ｎ，Ｎ−ジアリールメタクリルアミド（アリー
ル基としては、フェニル基などがある。）、Ｎ−ヒドロ
キシエチル−Ｎ−メチルメタクリルアミド、Ｎ−メチル
−Ｎ−フェニルメタクリルアミド、Ｎ−エチル−Ｎ−フ
ェニルメタクリルアミドなど；アリル化合物、例えば、
アリルエステル類（例えば、酢酸アリル、カプロン酸ア
リル、カプリル酸アリル、ラウリン酸アリル、パルミチ
ン酸アリル、ステアリン酸アリル、安息香酸アリル、ア
セト酢酸アリル、乳酸アリルなど）、アリルオキシエタ
ノールなど；
【００１６】ビニルエーテル類、例えば、アルキルビニ
ルエーテル（例えば、ヘキシルビニルエーテル、オクチ
ルビニルエーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキ
シルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、
エトキシエチルビニルエーテル、クロルエチルビニルエ
ーテル、１−メチル−２，２−ジメチルプロピルビニル
エーテル、２−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキ
シエチルビニルエーテル、ジエチレングリコールビニル
エーテル、ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエ
チルアミノエチルビニルエーテル、ブチルアミノエチル
ビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒド
ロフルフリルビニルエーテルなど）、ビニルアリールエ
ーテル（例えばビニルフェニルエーテル、ビニルトリル
エーテル、ビニルクロルフェニルエーテル、ビニル−
２，４−ジクロルフェニルエーテル、ビニルナフチルエ
ーテル、ビニルアントラニルエーテルなど）；ビニルエ
ステル類、例えば、ビニルブチレート、ビニルイソブチ
レート、ビニルトリメチルアセテート、ビニルジエチル
アセテート、ビニルバレート、ビニルカプロエート、ビ
ニルクロルアセテート、ビニルジクロルアセテート、ビ
ニルメトキシアセテート、ビニルブトキシアセテート、
ビニルフェニルアセテート、ビニルアセトアセテート、
ビニルラクテート、ビニル−β−フェニルブチレート、
ビニルシクロヘキシルカルボキシレート、安息香酸ビニ
ル、サルチル酸ビニル、クロル安息香酸ビニル、テトラ
クロル安息香酸ビニル、ナフトエ酸ビニルなど；
ルエーテル（例えば、ヘキシルビニルエーテル、オクチ
ルビニルエーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキ
シルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、
エトキシエチルビニルエーテル、クロルエチルビニルエ
ーテル、１−メチル−２，２−ジメチルプロピルビニル
エーテル、２−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキ
シエチルビニルエーテル、ジエチレングリコールビニル
エーテル、ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエ
チルアミノエチルビニルエーテル、ブチルアミノエチル
ビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒド
ロフルフリルビニルエーテルなど）、ビニルアリールエ
ーテル（例えばビニルフェニルエーテル、ビニルトリル
エーテル、ビニルクロルフェニルエーテル、ビニル−
２，４−ジクロルフェニルエーテル、ビニルナフチルエ
ーテル、ビニルアントラニルエーテルなど）；ビニルエ
ステル類、例えば、ビニルブチレート、ビニルイソブチ
レート、ビニルトリメチルアセテート、ビニルジエチル
アセテート、ビニルバレート、ビニルカプロエート、ビ
ニルクロルアセテート、ビニルジクロルアセテート、ビ
ニルメトキシアセテート、ビニルブトキシアセテート、
ビニルフェニルアセテート、ビニルアセトアセテート、
ビニルラクテート、ビニル−β−フェニルブチレート、
ビニルシクロヘキシルカルボキシレート、安息香酸ビニ
ル、サルチル酸ビニル、クロル安息香酸ビニル、テトラ
クロル安息香酸ビニル、ナフトエ酸ビニルなど；
【００１７】スチレン類、例えば、スチレン、アルキル
スチレン（例えば、メチルスチレン、ジメチルスチレ
ン、トリメチルスチレン、エチルスチレン、ジエチルス
チレン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、ヘキ
シルスチレン、シクロヘキシルスチレン、デシルスチレ
ン、ベンジルスチレン、クロルメチルスチレン、トリフ
ルオルメチルスチレン、エトキシメチルスチレン、アセ
トキシメチルスチレンなど）、アルコキシスチレン（例
えば、メトキシスチレン、４−メトキシ−３−メチルス
チレン、ジメトキシスチレンなど）、ハロゲンスチレン
（例えば、クロルスチレン、ジクロルスチレン、トリク
ロルスチレン、テトラクロルスチレン、ペンタクロルス
チレン、ブロムスチレン、ジブロムスチレン、ヨードス
チレン、フルオルスチレン、トリフルオルスチレン、２
−ブロム−４−トリフルオルメチルスチレン、４−フル
オル−３−トリフルオルメチルスチレンなど）、ヒドロ
キシスチレン（例えば、４−ヒドロキシスチレン、３−
ヒドロキシスチレン、２−ヒドロキシスチレン、４−ヒ
ドロキシ−３−メチルスチレン、４−ヒドロキシ−３，
５−ジメチルスチレン、４−ヒドロキシ−３−メトキシ
スチレン、４−ヒドロキシ−３−（２−ヒドロキシベン
ジル）スチレンなど）、カルボキシスチレン；クロトン
酸エステル類、例えば、クロトン酸アルキル（例えば、
クロトン酸ブチル、クロトン酸ヘキシル、グリセリンモ
ノクロトネートなど）；イタコン酸ジアルキル類（例え
ば、イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコ
ン酸ジブチルなど）；マレイン酸あるいはフマール酸の
ジアルキルエステル類（例えば、ジメチルマレレート、
ジブチルフマレートなど）又はモノアルキルエステル
類；アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、イタコン
酸、無水マレイン酸、マレイミド、アクリロニトリル、
メタクリロニトリル、マレイロニトリル等がある。その
他、一般的には前記一般式（Ｉ）、（II）で示される化
合物と共重合可能である付加重合性不飽和化合物であれ
ばよい。
スチレン（例えば、メチルスチレン、ジメチルスチレ
ン、トリメチルスチレン、エチルスチレン、ジエチルス
チレン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、ヘキ
シルスチレン、シクロヘキシルスチレン、デシルスチレ
ン、ベンジルスチレン、クロルメチルスチレン、トリフ
ルオルメチルスチレン、エトキシメチルスチレン、アセ
トキシメチルスチレンなど）、アルコキシスチレン（例
えば、メトキシスチレン、４−メトキシ−３−メチルス
チレン、ジメトキシスチレンなど）、ハロゲンスチレン
（例えば、クロルスチレン、ジクロルスチレン、トリク
ロルスチレン、テトラクロルスチレン、ペンタクロルス
チレン、ブロムスチレン、ジブロムスチレン、ヨードス
チレン、フルオルスチレン、トリフルオルスチレン、２
−ブロム−４−トリフルオルメチルスチレン、４−フル
オル−３−トリフルオルメチルスチレンなど）、ヒドロ
キシスチレン（例えば、４−ヒドロキシスチレン、３−
ヒドロキシスチレン、２−ヒドロキシスチレン、４−ヒ
ドロキシ−３−メチルスチレン、４−ヒドロキシ−３，
５−ジメチルスチレン、４−ヒドロキシ−３−メトキシ
スチレン、４−ヒドロキシ−３−（２−ヒドロキシベン
ジル）スチレンなど）、カルボキシスチレン；クロトン
酸エステル類、例えば、クロトン酸アルキル（例えば、
クロトン酸ブチル、クロトン酸ヘキシル、グリセリンモ
ノクロトネートなど）；イタコン酸ジアルキル類（例え
ば、イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコ
ン酸ジブチルなど）；マレイン酸あるいはフマール酸の
ジアルキルエステル類（例えば、ジメチルマレレート、
ジブチルフマレートなど）又はモノアルキルエステル
類；アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、イタコン
酸、無水マレイン酸、マレイミド、アクリロニトリル、
メタクリロニトリル、マレイロニトリル等がある。その
他、一般的には前記一般式（Ｉ）、（II）で示される化
合物と共重合可能である付加重合性不飽和化合物であれ
ばよい。
【００１８】本発明の高分子に含まれる一般式（１）、
（２）繰り返し構造単位の含有量としては、（１）に関
しては１０〜９９重量％、好ましくは３０〜９７重量
％、更にこのましくは５０〜９５重量％であり、（２）
に関しては１〜８０重量％、好ましくは３〜５０重量
％、さらに好ましくは５〜３０重量％である。本発明の
高分子に含まれる他の共重合成分の高分子化合物中の含
有量としては、１０〜９０重量％、好ましくは２０〜８
０重量％、更に好ましくは２５〜７５重量％である。以
下に、一般式（１）及び（２）で示される繰り返し単位
を有する高分子化合物の具体例を示すが、本発明の内容
がこれらに限定されるものではない。
（２）繰り返し構造単位の含有量としては、（１）に関
しては１０〜９９重量％、好ましくは３０〜９７重量
％、更にこのましくは５０〜９５重量％であり、（２）
に関しては１〜８０重量％、好ましくは３〜５０重量
％、さらに好ましくは５〜３０重量％である。本発明の
高分子に含まれる他の共重合成分の高分子化合物中の含
有量としては、１０〜９０重量％、好ましくは２０〜８
０重量％、更に好ましくは２５〜７５重量％である。以
下に、一般式（１）及び（２）で示される繰り返し単位
を有する高分子化合物の具体例を示すが、本発明の内容
がこれらに限定されるものではない。
【００１９】
【化３】
【００２０】
【化４】
【００２１】
【化５】
【００２２】
【化６】
【００２３】
【化７】
【００２４】
【化８】
【００２５】本発明の高分子化合物では、吸光性基が架
橋反応部位であり、特にＹに電子供与性置換基を導入し
ているものは熱架橋剤との反応性が高いため、熱架橋機
能の付与に必要な添加剤、もしくは熱架橋性共重合体の
添加量を抑制でき、反射防止膜としてより高い吸光度が
実現できる。
橋反応部位であり、特にＹに電子供与性置換基を導入し
ているものは熱架橋剤との反応性が高いため、熱架橋機
能の付与に必要な添加剤、もしくは熱架橋性共重合体の
添加量を抑制でき、反射防止膜としてより高い吸光度が
実現できる。
【００２６】本発明の高分子はランダム共重合体、ブロ
ック共重合体あるいはグラフト共重合体のいずれであっ
てもよい。
ック共重合体あるいはグラフト共重合体のいずれであっ
てもよい。
【００２７】本発明の高分子は、ラジカル重合、アニオ
ン重合、カチオン重合等の方法により合成することがで
きる。その形態は溶液重合、懸濁重合、乳化重合、塊状
重合等種々の方法が可能である。
ン重合、カチオン重合等の方法により合成することがで
きる。その形態は溶液重合、懸濁重合、乳化重合、塊状
重合等種々の方法が可能である。
【００２８】本発明の高分子化合物の分子量は、使用す
る塗布溶剤、要求される溶液粘度、要求される膜形状等
により変るが、重量平均として１０００〜１０００００
０、好ましくは２０００〜３０００００、さらに好まし
くは３０００〜２０００００である。本発明の反射防止
膜材料用組成物中の高分子化合物の添加量としては、固
形分に対して５０〜１００重量％、好ましくは８０〜９
８重量％である。
る塗布溶剤、要求される溶液粘度、要求される膜形状等
により変るが、重量平均として１０００〜１０００００
０、好ましくは２０００〜３０００００、さらに好まし
くは３０００〜２０００００である。本発明の反射防止
膜材料用組成物中の高分子化合物の添加量としては、固
形分に対して５０〜１００重量％、好ましくは８０〜９
８重量％である。
【００２９】本発明の反射防止膜材料用組成物には、必
要に応じてさらなる吸光剤、接着助剤、界面活性剤を添
加することが可能である。
要に応じてさらなる吸光剤、接着助剤、界面活性剤を添
加することが可能である。
【００３０】さらなる吸光剤としては例えば、「工業用
色素の技術と市場」（ＣＭＣ出版）や、染料便覧（有機
合成化学協会編）に記載の市販の吸光剤、例えば、Ｃ．
Ｉ．Ｄｅｓｐｅｒｓｅ Ｙｅｌｌｏｗ １，３，４，
５，７，８，１３，２３，３１，４９，５０，５１，５
４，６０，６４，６６，６８，７９，８２，８８，９
０，９３，１０２，１１４及び１２４、Ｃ．Ｉ．Ｄｌｓ
ｐｅｒｓｅ Ｏｒａｎｇｅ１，５，１３，２５，２９，
３０，３１，４４，５７，７２及び７３、Ｃ．Ｉ．Ｄｉ
ｓｐｅｒｓｅ Ｒｅｄ １，５，７，１３，１７，１
９，４３，５０，５４，５８，６５，７２，７３，８
８，１１７，１３７，１４３，１９９及び２１０、Ｃ．
Ｉ．Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｖｉｏｌｅｔ ４３、Ｃ．Ｉ．
Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｂｌｕｅ ９６、Ｃ．Ｉ．Ｆｌｕｏ
ｒｅｓｃｅｎｔ Ｂｒｉｇｈｔｅｎｉｎｇ Ａｇｅｎｔ
１１２，１３５及び１６３、Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ
Ｏｒｅｎｇｅ ２及び４５、Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ
Ｒｅｄ １，３，８，２３，２４，２５，２７及び４
９、Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｇｒｅｅｎ １０、Ｃ．
Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｂｒｏｗｎ ２等を好適に用いる
ことができる。吸光剤は通常、反射防止膜材料用組成物
１００重量部に対し、５０重量部以下、好ましくは３０
重量部以下の割合で配合される。
色素の技術と市場」（ＣＭＣ出版）や、染料便覧（有機
合成化学協会編）に記載の市販の吸光剤、例えば、Ｃ．
Ｉ．Ｄｅｓｐｅｒｓｅ Ｙｅｌｌｏｗ １，３，４，
５，７，８，１３，２３，３１，４９，５０，５１，５
４，６０，６４，６６，６８，７９，８２，８８，９
０，９３，１０２，１１４及び１２４、Ｃ．Ｉ．Ｄｌｓ
ｐｅｒｓｅ Ｏｒａｎｇｅ１，５，１３，２５，２９，
３０，３１，４４，５７，７２及び７３、Ｃ．Ｉ．Ｄｉ
ｓｐｅｒｓｅ Ｒｅｄ １，５，７，１３，１７，１
９，４３，５０，５４，５８，６５，７２，７３，８
８，１１７，１３７，１４３，１９９及び２１０、Ｃ．
Ｉ．Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｖｉｏｌｅｔ ４３、Ｃ．Ｉ．
Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｂｌｕｅ ９６、Ｃ．Ｉ．Ｆｌｕｏ
ｒｅｓｃｅｎｔ Ｂｒｉｇｈｔｅｎｉｎｇ Ａｇｅｎｔ
１１２，１３５及び１６３、Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ
Ｏｒｅｎｇｅ ２及び４５、Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ
Ｒｅｄ １，３，８，２３，２４，２５，２７及び４
９、Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｇｒｅｅｎ １０、Ｃ．
Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｂｒｏｗｎ ２等を好適に用いる
ことができる。吸光剤は通常、反射防止膜材料用組成物
１００重量部に対し、５０重量部以下、好ましくは３０
重量部以下の割合で配合される。
【００３１】接着助剤は、主に、基板あるいはレジスト
と反射防止膜組成物の密着性を向上させ、特にエッチン
グ工程においてレジストが剥離しないようにするための
目的で添加される。具体例としては、トリメチルクロロ
シラン、ジメチルビニルクロロシラン、メチルジフエニ
ルクロロシラン、クロロメチルジメチルクロロシラン等
のクロロシラン類、トリメチルメトキシシラン、ジメチ
ルジエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、ジメチ
ルビニルエトキシシラン、ジフエニルジメトキシシラ
ン、フエニルトリエトキシシラン等のアルコキシシラン
類、ヘキサメチルジシラザン、Ｎ，Ｎ’ービス（トリメ
チルシリン）ウレア、ジメチルトリメチルシリルアミ
ン、トリメチルシリルイミダゾール等のシラザン類、ビ
ニルトリクロロシラン、γークロロプロピルトリメトキ
シシラン、γーアミノプロピルトリエトキシシラン、γ
ーグリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のシラン
類、ベンゾトリアゾール、ベンゾイミダゾール、インダ
ゾール、イミダゾール、２ーメルカプトベンズイミダゾ
ール、２ーメルカプトベンズチアゾール、２ーメルカプ
トベンズオキサゾール、ウラゾールチオウラシル、メル
カプトイミダゾール、メルカプトピリミジン等の複素環
状化合物や、１，１ージメチルウレア、１，３ージメチ
ルウレア等の尿素、又はチオ尿素化合物を挙げることが
できる。
と反射防止膜組成物の密着性を向上させ、特にエッチン
グ工程においてレジストが剥離しないようにするための
目的で添加される。具体例としては、トリメチルクロロ
シラン、ジメチルビニルクロロシラン、メチルジフエニ
ルクロロシラン、クロロメチルジメチルクロロシラン等
のクロロシラン類、トリメチルメトキシシラン、ジメチ
ルジエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、ジメチ
ルビニルエトキシシラン、ジフエニルジメトキシシラ
ン、フエニルトリエトキシシラン等のアルコキシシラン
類、ヘキサメチルジシラザン、Ｎ，Ｎ’ービス（トリメ
チルシリン）ウレア、ジメチルトリメチルシリルアミ
ン、トリメチルシリルイミダゾール等のシラザン類、ビ
ニルトリクロロシラン、γークロロプロピルトリメトキ
シシラン、γーアミノプロピルトリエトキシシラン、γ
ーグリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のシラン
類、ベンゾトリアゾール、ベンゾイミダゾール、インダ
ゾール、イミダゾール、２ーメルカプトベンズイミダゾ
ール、２ーメルカプトベンズチアゾール、２ーメルカプ
トベンズオキサゾール、ウラゾールチオウラシル、メル
カプトイミダゾール、メルカプトピリミジン等の複素環
状化合物や、１，１ージメチルウレア、１，３ージメチ
ルウレア等の尿素、又はチオ尿素化合物を挙げることが
できる。
【００３２】これらの接着助剤は、反射防止膜材料用組
成物１００重量部に対し、通常１０重量部未満、好まし
くは５重量部未満の割合で配合される。
成物１００重量部に対し、通常１０重量部未満、好まし
くは５重量部未満の割合で配合される。
【００３３】本発明の反射防止膜材料用組成物には、ス
トリエーシヨン等の塗布性を更に向上させるために、界
面活性剤を配合する事ができる。界面活性剤としては、
例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキ
シエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセ
チルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等
のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシ
エチレンオクチルフエノールエーテル、ポリオキシエチ
レンノニルフエノールエーテル等のポリオキシエチレン
アルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリ
オキシプロピレンブロツクコポリマー類、ソルビタンモ
ノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタ
ンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソル
ビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等
のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソ
ルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタ
ンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモ
ノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオ
レエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレ
ート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル
類等のノニオン系界面活性剤、エフトツプＥＦ３０１，
ＥＦ３０３，ＥＦ３５２（新秋田化成（株）製）、メガ
フアツクＦ１７１，Ｆ１７３（大日本インキ（株）
製）、フロラードＦＣ４３０，ＦＣ４３１（住友スリー
エム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０，サーフロン
Ｓー３８２，ＳＣ１０１，ＳＣ１０２，ＳＣ１０３，Ｓ
Ｃ１０４，ＳＣ１０５，ＳＣ１０６（旭硝子（株）製）
等のフツ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマー
ＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）やアクリル酸系も
しくはメタクリル酸系（共）重合ポリフローＮｏ．７
５，Ｎｏ．９５（共栄社油脂化学工業（株）製）等を挙
げることができる。これらの界面活性剤の内、特にフッ
素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤が好ましい。こ
れらの界面活性剤の配合量は、本発明の組成物中の固形
分１００重量部当たり、通常、２重量部以下、好ましく
は１重量部以下である。
トリエーシヨン等の塗布性を更に向上させるために、界
面活性剤を配合する事ができる。界面活性剤としては、
例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキ
シエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセ
チルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等
のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシ
エチレンオクチルフエノールエーテル、ポリオキシエチ
レンノニルフエノールエーテル等のポリオキシエチレン
アルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリ
オキシプロピレンブロツクコポリマー類、ソルビタンモ
ノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタ
ンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソル
ビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等
のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソ
ルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタ
ンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモ
ノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオ
レエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレ
ート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル
類等のノニオン系界面活性剤、エフトツプＥＦ３０１，
ＥＦ３０３，ＥＦ３５２（新秋田化成（株）製）、メガ
フアツクＦ１７１，Ｆ１７３（大日本インキ（株）
製）、フロラードＦＣ４３０，ＦＣ４３１（住友スリー
エム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０，サーフロン
Ｓー３８２，ＳＣ１０１，ＳＣ１０２，ＳＣ１０３，Ｓ
Ｃ１０４，ＳＣ１０５，ＳＣ１０６（旭硝子（株）製）
等のフツ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマー
ＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）やアクリル酸系も
しくはメタクリル酸系（共）重合ポリフローＮｏ．７
５，Ｎｏ．９５（共栄社油脂化学工業（株）製）等を挙
げることができる。これらの界面活性剤の内、特にフッ
素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤が好ましい。こ
れらの界面活性剤の配合量は、本発明の組成物中の固形
分１００重量部当たり、通常、２重量部以下、好ましく
は１重量部以下である。
【００３４】これらの界面活性剤は単独で添加してもよ
いし、また、いくつかの組み合わせで添加することもで
きる。
いし、また、いくつかの組み合わせで添加することもで
きる。
【００３５】本発明の反射防止膜組成物を溶解させる溶
剤としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、
エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソ
ルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチ
レングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコ
ールモノエチルエーテル、プロピレングリコールメチル
エーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエ
ーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチル
ケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、２ーヒ
ドロキシプロピオン酸エチル、２ーヒドロキシー２ーメ
チルプロピオン酸エチル、エトシキ酢酸エチル、ヒドロ
キシ酢酸エチル、２ーヒドロキシー３ーメチルブタン酸
メチル、３ーメトキシプロピオン酸メチル、３ーメトキ
シプロピオン酸エチル、３ーエトキシプロピオン酸エチ
ル、３ーエトキシプロピオン酸メチル、ピルビン酸メチ
ル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等を用
いることができる。これらの有機溶剤は単独で、又は２
種以上の組み合わせで使用される。更に、Ｎーメチルホ
ルムアミド、Ｎ，Ｎージメチルホルムアミド、Ｎーメチ
ルアセトアミド、Ｎ，Ｎージメチルアセトアミド、Ｎー
メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエ
チルエーテル等の高沸点溶剤を混合して使用することが
できる。本発明の反射防止膜材料用組成物中の固形分の
含有量は５０〜９８重量％が好ましく、より好ましくは
７０〜９５重量％である。
剤としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、
エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソ
ルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチ
レングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコ
ールモノエチルエーテル、プロピレングリコールメチル
エーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエ
ーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチル
ケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、２ーヒ
ドロキシプロピオン酸エチル、２ーヒドロキシー２ーメ
チルプロピオン酸エチル、エトシキ酢酸エチル、ヒドロ
キシ酢酸エチル、２ーヒドロキシー３ーメチルブタン酸
メチル、３ーメトキシプロピオン酸メチル、３ーメトキ
シプロピオン酸エチル、３ーエトキシプロピオン酸エチ
ル、３ーエトキシプロピオン酸メチル、ピルビン酸メチ
ル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等を用
いることができる。これらの有機溶剤は単独で、又は２
種以上の組み合わせで使用される。更に、Ｎーメチルホ
ルムアミド、Ｎ，Ｎージメチルホルムアミド、Ｎーメチ
ルアセトアミド、Ｎ，Ｎージメチルアセトアミド、Ｎー
メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエ
チルエーテル等の高沸点溶剤を混合して使用することが
できる。本発明の反射防止膜材料用組成物中の固形分の
含有量は５０〜９８重量％が好ましく、より好ましくは
７０〜９５重量％である。
【００３６】これらの溶剤の中で、シクロペンタノン、
シクロヘキサノン、３−メトキシプロピオン酸メチル、
３−エトキシプロピオン酸エチルがレジストのインター
ミキシングを一層防止できる点で好ましい。
シクロヘキサノン、３−メトキシプロピオン酸メチル、
３−エトキシプロピオン酸エチルがレジストのインター
ミキシングを一層防止できる点で好ましい。
【００３７】本発明において、反射防止膜の上に塗膜さ
れるレジストとしては、ネガ型、ポジ型いずれでも使用
できる。具体的には、ノボラック樹脂と１，２−ナフト
キノンジアジドスルホン酸エステルからなるポジ型レジ
スト、光酸発生剤と酸により分解してアルカリ溶解速度
を上昇させる基を有するバインダーからなる化学増幅型
レジスト、アルカリ可溶性バインダーと光酸発生剤と酸
により分解してレジストのアルカリ溶解速度を上昇させ
る低分子化合物からなる化学増幅型レジスト、又は光酸
発生剤と酸により分解してアルカリ溶解速度を上昇させ
る基を有するバインダー、酸により分解してレジストの
アルカリ溶解速度を上昇させる低分子化合物からなる化
学増幅型レジストが挙げられる。更に、富士ハントエレ
クトロニクステクノロジー（株）製ＦＨｉ−６２０Ｂ
Ｃ、ＡＲＣＨ−２が好ましい。
れるレジストとしては、ネガ型、ポジ型いずれでも使用
できる。具体的には、ノボラック樹脂と１，２−ナフト
キノンジアジドスルホン酸エステルからなるポジ型レジ
スト、光酸発生剤と酸により分解してアルカリ溶解速度
を上昇させる基を有するバインダーからなる化学増幅型
レジスト、アルカリ可溶性バインダーと光酸発生剤と酸
により分解してレジストのアルカリ溶解速度を上昇させ
る低分子化合物からなる化学増幅型レジスト、又は光酸
発生剤と酸により分解してアルカリ溶解速度を上昇させ
る基を有するバインダー、酸により分解してレジストの
アルカリ溶解速度を上昇させる低分子化合物からなる化
学増幅型レジストが挙げられる。更に、富士ハントエレ
クトロニクステクノロジー（株）製ＦＨｉ−６２０Ｂ
Ｃ、ＡＲＣＨ−２が好ましい。
【００３８】上記反射防止膜組成物を精密集積回路素子
の製造に使用されるような基板（例：シリコン／二酸化
シリコン皮覆、ガラス基板、ＩＴＯ基板等の透明基板
等）上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法による
塗布後ベークして反射防止膜組成物を硬化させ、反射防
止膜を作成する。ここで、反射防止膜の膜厚としては
０．０１〜３．０μｍが好ましい。また、塗布後ベーク
する条件としては、８０〜２５０℃で１〜１２０分間が
よい。その後、その上にフォトレジストを塗布、その後
所定のマスクを通して、露光し、現像、リンス、乾燥す
ることにより良好なレジストを得ることができる。必要
に応じて露光後加熱（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕ
ｒｅ Ｂａｋｅ）を行うこともできる。
の製造に使用されるような基板（例：シリコン／二酸化
シリコン皮覆、ガラス基板、ＩＴＯ基板等の透明基板
等）上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法による
塗布後ベークして反射防止膜組成物を硬化させ、反射防
止膜を作成する。ここで、反射防止膜の膜厚としては
０．０１〜３．０μｍが好ましい。また、塗布後ベーク
する条件としては、８０〜２５０℃で１〜１２０分間が
よい。その後、その上にフォトレジストを塗布、その後
所定のマスクを通して、露光し、現像、リンス、乾燥す
ることにより良好なレジストを得ることができる。必要
に応じて露光後加熱（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕ
ｒｅ Ｂａｋｅ）を行うこともできる。
【００３９】本発明の反射防止膜組成物を使用したポジ
型フオトレジスト組成物の現像液としては、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナト
リウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機
アルカリ類、エチルアミン、ｎープロピルアミン等の第
一アミン類、ジエチルアミン、ジーｎープチルアミン等
の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルア
ミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、ト
リエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニ
ウムヒドロキシド、コリン等の第四級アンモニウム塩、
ピロール、ピペリジン等の環状アミン類、等のアルカリ
類の水溶液を使用することができる。更に、上記アルカ
リ類の水溶液にイソプロピルアルコール等のアルコール
類、ノニオン系等の界面活性剤を適当量添加して使用す
ることもできる。これらの現像液の中で好ましくは第四
アンモニウム塩、更に好ましくは、テトラメチルアンモ
ニウムヒドロオキシド、コリンである。
型フオトレジスト組成物の現像液としては、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナト
リウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機
アルカリ類、エチルアミン、ｎープロピルアミン等の第
一アミン類、ジエチルアミン、ジーｎープチルアミン等
の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルア
ミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、ト
リエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニ
ウムヒドロキシド、コリン等の第四級アンモニウム塩、
ピロール、ピペリジン等の環状アミン類、等のアルカリ
類の水溶液を使用することができる。更に、上記アルカ
リ類の水溶液にイソプロピルアルコール等のアルコール
類、ノニオン系等の界面活性剤を適当量添加して使用す
ることもできる。これらの現像液の中で好ましくは第四
アンモニウム塩、更に好ましくは、テトラメチルアンモ
ニウムヒドロオキシド、コリンである。
【００４０】
【実施例】以下、本発明を実施例を用いて具体的に説明
するが、本発明の内容がこれらに限定されるものではな
い。 合成例１（４−アセチルフェニル）メタクリルアミドの
合成 撹拌器、還流冷却管、温度計、滴下装置を取り付けた４
つ口フラスコに、（４−アミノ）アセトフェノン１３５
ｇ、トリエチルアミン１０１ｇ、アセトン５００ｍｌ、
メトキシフェノール０．５ｇを仕込んだ。そこに塩化メ
タクリロイル１０５ｇを１０℃で２時間かけて滴下し
た。反応液に蒸留水１リットルを添加し、析出した結晶
を濾過により集めた。収率７８％
するが、本発明の内容がこれらに限定されるものではな
い。 合成例１（４−アセチルフェニル）メタクリルアミドの
合成 撹拌器、還流冷却管、温度計、滴下装置を取り付けた４
つ口フラスコに、（４−アミノ）アセトフェノン１３５
ｇ、トリエチルアミン１０１ｇ、アセトン５００ｍｌ、
メトキシフェノール０．５ｇを仕込んだ。そこに塩化メ
タクリロイル１０５ｇを１０℃で２時間かけて滴下し
た。反応液に蒸留水１リットルを添加し、析出した結晶
を濾過により集めた。収率７８％
【００４１】合成例２ 合成例１にて得られた結晶を乾燥した後、その２０４ｇ
をメタノール５００ｍｌに溶解させた後、４−ヒドロキ
シベンズアルデヒド１２２ｇとメタンスルホン酸１０ｇ
を添加した。６０℃で４時間反応させた後、蒸留水１リ
ットルを添加し、析出した粗結晶を漉過により集めた。
粗結晶はエタノール−水にて再結晶した。収率７４％。
λｍａｘ３５５ｎｍ（メタノール）
をメタノール５００ｍｌに溶解させた後、４−ヒドロキ
シベンズアルデヒド１２２ｇとメタンスルホン酸１０ｇ
を添加した。６０℃で４時間反応させた後、蒸留水１リ
ットルを添加し、析出した粗結晶を漉過により集めた。
粗結晶はエタノール−水にて再結晶した。収率７４％。
λｍａｘ３５５ｎｍ（メタノール）
【００４２】合成例３ 合成例１にて得られた結晶を乾燥した後、その２３４ｇ
をメタノール５００ｍｌに溶解させた後、３−メトキシ
−４−ヒドロキシベンズアルデヒド１５２ｇとメタンス
ルホン酸１０ｇを添加した。６０℃で４時間反応させた
後、蒸留水１リットルを添加し、析出した粗結晶を漉過
により集めた。粗結晶はエタノール−水にて再結晶し
た。収率８３％。λｍａｘ３６８ｎｍ（メタノール）
をメタノール５００ｍｌに溶解させた後、３−メトキシ
−４−ヒドロキシベンズアルデヒド１５２ｇとメタンス
ルホン酸１０ｇを添加した。６０℃で４時間反応させた
後、蒸留水１リットルを添加し、析出した粗結晶を漉過
により集めた。粗結晶はエタノール−水にて再結晶し
た。収率８３％。λｍａｘ３６８ｎｍ（メタノール）
【００４３】合成例４ 合成例１にて得られた結晶を乾燥した後、その２３４ｇ
をメタノール５００ｍｌに溶解させた後、３、４−ジメ
トキシベンズアルデヒド１６６ｇとメタンスルホン酸１
０ｇを添加した。６０℃で４時間反応させた後、蒸留水
１リットルを添加し、析出した粗結晶を漉過により集め
た。粗結晶はエタノール−水にて再結晶した。収率８９
％。λｍａｘ３５０ｎｍ（メタノール）
をメタノール５００ｍｌに溶解させた後、３、４−ジメ
トキシベンズアルデヒド１６６ｇとメタンスルホン酸１
０ｇを添加した。６０℃で４時間反応させた後、蒸留水
１リットルを添加し、析出した粗結晶を漉過により集め
た。粗結晶はエタノール−水にて再結晶した。収率８９
％。λｍａｘ３５０ｎｍ（メタノール）
【００４４】合成例５ 合成例１にて得られた結晶を乾燥した後、その２３４ｇ
をメタノール５００ｍｌに溶解させた後、Ｎ−Ｎ−ジメ
チルアミノベンズアルデヒド１４９ｇとメタンスルホン
酸１０ｇを添加した．６０℃で４時間反応させた後、蒸
留水１リットルを添加し、析出した粗結晶を漉過により
集めた。粗結晶はエタノール−水にて再結晶した。収率
８９％。λｍａｘ３７０ｎｍ（メタノール）
をメタノール５００ｍｌに溶解させた後、Ｎ−Ｎ−ジメ
チルアミノベンズアルデヒド１４９ｇとメタンスルホン
酸１０ｇを添加した．６０℃で４時間反応させた後、蒸
留水１リットルを添加し、析出した粗結晶を漉過により
集めた。粗結晶はエタノール−水にて再結晶した。収率
８９％。λｍａｘ３７０ｎｍ（メタノール）
【００４５】合成例６ 上記合成例２で得られたメタクリルモノマー１８ｇとＮ
−メチロールアクリルアミド２ｇをＤＭＦ６０ｇに溶解
させた後、反応液を６５℃に加温し、同時に反応液中に
窒素を３０分ながした。重合開始剤としてＶ−６５（和
光純薬（株）製品） ５０ｍｇを２時間ごとに３回添加
した。反応物は蒸留水１リットル中に再沈することによ
り粉体として回収した。得られたポリマーのＧＰＣ分析
を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分
子量は８０００であった。
−メチロールアクリルアミド２ｇをＤＭＦ６０ｇに溶解
させた後、反応液を６５℃に加温し、同時に反応液中に
窒素を３０分ながした。重合開始剤としてＶ−６５（和
光純薬（株）製品） ５０ｍｇを２時間ごとに３回添加
した。反応物は蒸留水１リットル中に再沈することによ
り粉体として回収した。得られたポリマーのＧＰＣ分析
を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分
子量は８０００であった。
【００４６】合成例７ 上記合成例３で得られたメタクリルモノマー１２ｇ、メ
チルメタクリレート５ｇとＮ−メチロールアクリルアミ
ド３ｇをＤＭＦ６０ｇに溶解させた後、反応液を６５℃
に加温し、同時に反応液中に窒素を３０分ながした。重
合開始剤としてＶ−６５（和光純薬（株）製品） ５０
ｍｇを２時間ごとに３回添加した。反応物は蒸留水１リ
ットル中に再沈することにより粉体として回収した。得
られたポリマーのＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリ
スチレン換算にて重量平均分子量は１２０００であっ
た。
チルメタクリレート５ｇとＮ−メチロールアクリルアミ
ド３ｇをＤＭＦ６０ｇに溶解させた後、反応液を６５℃
に加温し、同時に反応液中に窒素を３０分ながした。重
合開始剤としてＶ−６５（和光純薬（株）製品） ５０
ｍｇを２時間ごとに３回添加した。反応物は蒸留水１リ
ットル中に再沈することにより粉体として回収した。得
られたポリマーのＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリ
スチレン換算にて重量平均分子量は１２０００であっ
た。
【００４７】合成例８ 上記合成例４で得られたメタクリルモノマー１２ｇ、ｔ
−ブチルメタクリレート５ｇとＮ−メチロールアクリル
アミド３ｇをメタノール１２０ｇに溶解させた後、反応
液を６５℃に加温し、同時に反応液中に窒素を３０分な
がした。重合開始剤としてＶ−６５（和光純薬（株）製
品） ５０ｍｇを２時間ごとに３回添加した。硫酸０．
１ｇを添加した後、室温で２時間撹拌した。反応物は蒸
留水１リットル中に再沈することにより粉体として回収
した。得られたポリマーのＧＰＣ分析を行ったところ、
標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は４０００で
あった。
−ブチルメタクリレート５ｇとＮ−メチロールアクリル
アミド３ｇをメタノール１２０ｇに溶解させた後、反応
液を６５℃に加温し、同時に反応液中に窒素を３０分な
がした。重合開始剤としてＶ−６５（和光純薬（株）製
品） ５０ｍｇを２時間ごとに３回添加した。硫酸０．
１ｇを添加した後、室温で２時間撹拌した。反応物は蒸
留水１リットル中に再沈することにより粉体として回収
した。得られたポリマーのＧＰＣ分析を行ったところ、
標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は４０００で
あった。
【００４８】合成例９ 合成例５で得られたメタクリルモノマー１２ｇ、アクリ
ロニトリル５ｇとジアセトンアクリルアミド３ｇをメタ
ノール１２０ｇに溶解させた後、反応液を６５℃に加温
し、同時に反応液中に窒素を３０分ながした。重合開始
剤としてＶ−６５（和光純薬（株）製品） ５０ｍｇを
２時間ごとに３回添加した。そこにホルマリン水溶液４
ｇとテトラメチルアンモニウムヒドロキシド４ｇを添加
した後、４時間撹拌した。
ロニトリル５ｇとジアセトンアクリルアミド３ｇをメタ
ノール１２０ｇに溶解させた後、反応液を６５℃に加温
し、同時に反応液中に窒素を３０分ながした。重合開始
剤としてＶ−６５（和光純薬（株）製品） ５０ｍｇを
２時間ごとに３回添加した。そこにホルマリン水溶液４
ｇとテトラメチルアンモニウムヒドロキシド４ｇを添加
した後、４時間撹拌した。
【００４９】比較例１の合成１ 合成例２で得られたメタクリルモノマー１８ｇとメタク
リル酸４．５ｇとメタクリル酸グリシジル９ｇをＤＭＦ
６０ｇに溶解させた後、反応液を６５℃に加温し、同時
に反応液中に窒素を３０分ながした。重合開始剤として
Ｖ−６５（和光純薬（株）製品） ５０ｍｇを２時間ご
とに３回添加した。反応物は蒸留水１リットル中に再沈
することにより粉体として回収した。得られたポリマー
のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算に
て重量平均分子量は９０００であった。
リル酸４．５ｇとメタクリル酸グリシジル９ｇをＤＭＦ
６０ｇに溶解させた後、反応液を６５℃に加温し、同時
に反応液中に窒素を３０分ながした。重合開始剤として
Ｖ−６５（和光純薬（株）製品） ５０ｍｇを２時間ご
とに３回添加した。反応物は蒸留水１リットル中に再沈
することにより粉体として回収した。得られたポリマー
のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算に
て重量平均分子量は９０００であった。
【００５０】実施例１ 合成例６〜９で得たポリマー１０ｇを３−エトキシプロ
ピオン酸エチルに溶解させ１０％溶液とした後、孔径
０．１０μｍのテフロン製ミクロフィルターを用いて漉
過し、反射防止膜溶液を調製した。これをスピナーを用
い、シリコンウエファー上に塗布した。真空密着式ホッ
トプレート上で１７０℃３分間加熱し、反射防止膜を形
成した。同様にして比較例１のポリマーからも反射防止
膜を形成した。
ピオン酸エチルに溶解させ１０％溶液とした後、孔径
０．１０μｍのテフロン製ミクロフィルターを用いて漉
過し、反射防止膜溶液を調製した。これをスピナーを用
い、シリコンウエファー上に塗布した。真空密着式ホッ
トプレート上で１７０℃３分間加熱し、反射防止膜を形
成した。同様にして比較例１のポリマーからも反射防止
膜を形成した。
【００５１】尚、上記反射防止膜の膜厚は全て０．１７
μｍであった。次いでこれらの反射防止膜をレジストに
使用する溶剤例えばγ−ブチロラクトン、プロピオン酸
エトキシエチルに浸漬し、その溶剤に不溶である事を確
認した。
μｍであった。次いでこれらの反射防止膜をレジストに
使用する溶剤例えばγ−ブチロラクトン、プロピオン酸
エトキシエチルに浸漬し、その溶剤に不溶である事を確
認した。
【００５２】得られた反射防止膜上にポジ型フォトレジ
ストとしてＦＨｉ−６２０ＢＣ（フジハントエレクトロ
ニクステクノロジー（株）製品）を塗布した後（レジス
ト膜厚０．８５μｍ）、縮小投影露光装置（ニコン
（株）製ＮＳＲ−２００５ｉ９Ｃ）を用い露光した後、
２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液で１分間現像し、３０秒間乾燥した。このようにし
て得られたシリコンウエファー上のレジストパターンを
走査型電子顕微鏡で観察して、限界解像力および膜厚依
存性を調べた。また、３６５nmの膜吸光度も測定した。
ここで、３６５nmの膜吸光度は、石英板上に反射防止膜
組成物溶液を塗布、乾燥して膜を形成し、それを（株）
島津製作所製分光光度計ＵＶ−２４０で測定した。限界
解像力は膜厚０．８５μｍにおいて０．５０μｍのマス
クパターンを再現する露光量における限界解像力を意味
する。膜厚依存性はレジスト膜厚０．８５μｍにおける
感度と膜厚０．８７μｍにおける感度の比により評価し
た。この値が１．０に近い程好ましい。ドライエッチ速
度は日本真空技術（株）製ＣＳＥ−１１１０を用い、Ｃ
Ｆ4 ／Ｏ2 下の膜厚減少速度から求めた。それらの評価
の結果を表１に示した。
ストとしてＦＨｉ−６２０ＢＣ（フジハントエレクトロ
ニクステクノロジー（株）製品）を塗布した後（レジス
ト膜厚０．８５μｍ）、縮小投影露光装置（ニコン
（株）製ＮＳＲ−２００５ｉ９Ｃ）を用い露光した後、
２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液で１分間現像し、３０秒間乾燥した。このようにし
て得られたシリコンウエファー上のレジストパターンを
走査型電子顕微鏡で観察して、限界解像力および膜厚依
存性を調べた。また、３６５nmの膜吸光度も測定した。
ここで、３６５nmの膜吸光度は、石英板上に反射防止膜
組成物溶液を塗布、乾燥して膜を形成し、それを（株）
島津製作所製分光光度計ＵＶ−２４０で測定した。限界
解像力は膜厚０．８５μｍにおいて０．５０μｍのマス
クパターンを再現する露光量における限界解像力を意味
する。膜厚依存性はレジスト膜厚０．８５μｍにおける
感度と膜厚０．８７μｍにおける感度の比により評価し
た。この値が１．０に近い程好ましい。ドライエッチ速
度は日本真空技術（株）製ＣＳＥ−１１１０を用い、Ｃ
Ｆ4 ／Ｏ2 下の膜厚減少速度から求めた。それらの評価
の結果を表１に示した。
【００５３】 （表１） ３６５nmの膜吸光度 限界解像力 膜厚依存性 ドライエッチ速度 （／μｍ） （μｍ） （Å／分） 合成例６ ５．６９４ ０．２８ ０．９８ ６１２ 合成例７ ５．２４３ ０．２９ ０．９８ ６３８ 合成例８ ５．０１２ ０．２８ ０．９８ ６７２ 合成例９ ４．８７３ ０．２９ ０．９８ ６１９ 比較例１ ３．９８４ ０．３１ ０．９７ ６４３
【００５４】これにより本発明の反射防止膜材料用組成
物は膜吸光度が高く、フォトレジストの限界解像力向
上、および基板からの反射光低減による定在波起因の感
度の膜厚依存性が低減しているのがわかる。
物は膜吸光度が高く、フォトレジストの限界解像力向
上、および基板からの反射光低減による定在波起因の感
度の膜厚依存性が低減しているのがわかる。
【００５５】合成例１０ 合成例１にて得られた結晶を乾燥した後、その２０４ｇ
をメタノール５００ｍｌに溶解させた後、９−アントラ
アルデヒド２０６ｇとメタンスルホン酸１０ｇを添加し
た．６０℃で４時間反応させた後、蒸留水１リットルを
添加し、析出した粗結晶を漉過により集めた。粗結晶は
エタノール−水にて再結晶した。収率６５％。
をメタノール５００ｍｌに溶解させた後、９−アントラ
アルデヒド２０６ｇとメタンスルホン酸１０ｇを添加し
た．６０℃で４時間反応させた後、蒸留水１リットルを
添加し、析出した粗結晶を漉過により集めた。粗結晶は
エタノール−水にて再結晶した。収率６５％。
【００５６】合成例１１ 上記合成例１０で得られたメタクリルモノマー５ｇ、メ
チルメタクリレート１２ｇとＮ−メチロールアクリルア
ミド３ｇをＤＭＦ６０ｇに溶解させた後、反応液を６５
℃に加温し、同時に反応液中に窒素を３０分ながした。
重合開始剤としてＶ−６５（和光純薬（株）製品） ５
０ｍｇを２時間ごとに３回添加した。反応物は蒸留水１
リットル中に再沈することにより粉体として回収した。
得られたポリマーのＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポ
リスチレン換算にて重量平均分子量は４０００であっ
た。
チルメタクリレート１２ｇとＮ−メチロールアクリルア
ミド３ｇをＤＭＦ６０ｇに溶解させた後、反応液を６５
℃に加温し、同時に反応液中に窒素を３０分ながした。
重合開始剤としてＶ−６５（和光純薬（株）製品） ５
０ｍｇを２時間ごとに３回添加した。反応物は蒸留水１
リットル中に再沈することにより粉体として回収した。
得られたポリマーのＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポ
リスチレン換算にて重量平均分子量は４０００であっ
た。
【００５７】比較例２の合成 合成例１０で得られたアクリルモノマー１８ｇとメタク
リル酸４．５ｇとメタクリル酸グリシジル９ｇをＤＭＦ
６０ｇに溶解させた後、反応液を６５℃に加温し、同時
に反応液中に窒素を３０分ながした。重合開始剤として
Ｖ−６５（和光純薬（株）製品） ５０ｍｇを２時間ご
とに３回添加した。反応物は蒸留水１リットル中に再沈
することにより粉体として回収した。得られたポリマー
のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算に
て重量平均分子量は９０００であった。
リル酸４．５ｇとメタクリル酸グリシジル９ｇをＤＭＦ
６０ｇに溶解させた後、反応液を６５℃に加温し、同時
に反応液中に窒素を３０分ながした。重合開始剤として
Ｖ−６５（和光純薬（株）製品） ５０ｍｇを２時間ご
とに３回添加した。反応物は蒸留水１リットル中に再沈
することにより粉体として回収した。得られたポリマー
のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算に
て重量平均分子量は９０００であった。
【００５８】比較例３の合成 ９−ヒドロキシメチルアントラセン２０８ｇ、トリエチ
ルアミン１０１ｇとハイドロキノン１ｇをＤＭＦ１リッ
トルに溶解させた。そこに塩化アクリロイル９０ｇを反
応液液温が３０℃を超えないようにして２時間かけて滴
下した。蒸留水２リットルを添加し、析出した粗結晶を
漉過により集めた。粗結晶はエタノール−水にて再結晶
した。収率７５％。得られたアクリルモノマー７ｇとメ
チルアクリレート１２ｇをＤＭＦ６０ｇに溶解させた
後、反応液を６５℃に加温し、同時に反応液中に窒素を
３０分ながした。重合開始剤としてＶ−６５（和光純薬
（株）製品） ５０ｍｇを２時間ごとに３回添加した。
反応物は蒸留水１リットル中に再沈することにより粉体
として回収した。得られたポリマーのＧＰＣ分析を行っ
たところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は
４０００であった。
ルアミン１０１ｇとハイドロキノン１ｇをＤＭＦ１リッ
トルに溶解させた。そこに塩化アクリロイル９０ｇを反
応液液温が３０℃を超えないようにして２時間かけて滴
下した。蒸留水２リットルを添加し、析出した粗結晶を
漉過により集めた。粗結晶はエタノール−水にて再結晶
した。収率７５％。得られたアクリルモノマー７ｇとメ
チルアクリレート１２ｇをＤＭＦ６０ｇに溶解させた
後、反応液を６５℃に加温し、同時に反応液中に窒素を
３０分ながした。重合開始剤としてＶ−６５（和光純薬
（株）製品） ５０ｍｇを２時間ごとに３回添加した。
反応物は蒸留水１リットル中に再沈することにより粉体
として回収した。得られたポリマーのＧＰＣ分析を行っ
たところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は
４０００であった。
【００５９】実施例１０ 合成例１１で得たポリマー１０ｇをプロピオン酸エトキ
シエチルに溶解させ１０％溶液とした後、孔径０．１０
μｍのテフロン製ミクロフィルターを用いて漉過し、反
射防止膜溶液を調製した。これをスピナーを用い、シリ
コンウエファー上に塗布した。真空密着式ホットプレー
ト上で１７０℃３分間加熱し、反射防止膜を形成した。
同様にして比較例２、３の化合物からも反射防止膜を形
成した。これら反射防止膜の膜厚は０．１７μｍであ
る。なお比較例３の反射防止膜用組成物には、架橋剤と
して、ヘキサメトキシメチルメラミン３ｇを添加した。
シエチルに溶解させ１０％溶液とした後、孔径０．１０
μｍのテフロン製ミクロフィルターを用いて漉過し、反
射防止膜溶液を調製した。これをスピナーを用い、シリ
コンウエファー上に塗布した。真空密着式ホットプレー
ト上で１７０℃３分間加熱し、反射防止膜を形成した。
同様にして比較例２、３の化合物からも反射防止膜を形
成した。これら反射防止膜の膜厚は０．１７μｍであ
る。なお比較例３の反射防止膜用組成物には、架橋剤と
して、ヘキサメトキシメチルメラミン３ｇを添加した。
【００６０】次いでこれら反射防止膜をレジストに使用
する溶剤例えばγ−ブチロラクトン、プロピオン酸エト
キシエチルに浸漬し、その溶剤に不溶である事を確認し
た。
する溶剤例えばγ−ブチロラクトン、プロピオン酸エト
キシエチルに浸漬し、その溶剤に不溶である事を確認し
た。
【００６１】得られた反射防止膜上にＫｒＦエキシマー
レーザー用ポジ型フォトレジストとしてＡＲＣＨ−２
（フジハントエレクトロニクステクノロジー（株）製
品）を塗布した後（膜厚０．８５μｍ）、縮小投影露光
装置（ニコン（株）製ＮＳＲ−１５０５ＥＸ）を用い露
光した後、露光後加熱として、１１０℃、６０秒処理し
た後、２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で１分間現像し、３０秒間乾燥した。このよ
うにして得られたシリコンウエファー上のレジストパタ
ーンを走査型電子顕微鏡で観察して、限界解像力および
膜厚依存性を調べた。また、２４８nmの膜吸光度とドラ
イエッチ速度も評価した。ここで２４８nmの膜吸光度
は、石英板上に反射防止膜組成物溶液を塗布、乾燥して
膜を形成し、それを（株）島津製作所製分光光度計ＵＶ
−２４０で測定した。限界解像力は０．８５μｍのマス
クパターンを再現する露光量における限界解像力を意味
する。膜厚依存性はレジスト膜厚０．８５μｍにおける
感度と膜厚０．８７μｍにおける感度の比により評価し
た。この値が１．０に近い程好ましい。ドライエッチ速
度は日本真空技術（株）製ＣＳＥ−１１１０を用い、Ｃ
Ｆ4 ／Ｏ2 下の膜厚減少速度から求めた。評価の結果を
表２に示した。
レーザー用ポジ型フォトレジストとしてＡＲＣＨ−２
（フジハントエレクトロニクステクノロジー（株）製
品）を塗布した後（膜厚０．８５μｍ）、縮小投影露光
装置（ニコン（株）製ＮＳＲ−１５０５ＥＸ）を用い露
光した後、露光後加熱として、１１０℃、６０秒処理し
た後、２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で１分間現像し、３０秒間乾燥した。このよ
うにして得られたシリコンウエファー上のレジストパタ
ーンを走査型電子顕微鏡で観察して、限界解像力および
膜厚依存性を調べた。また、２４８nmの膜吸光度とドラ
イエッチ速度も評価した。ここで２４８nmの膜吸光度
は、石英板上に反射防止膜組成物溶液を塗布、乾燥して
膜を形成し、それを（株）島津製作所製分光光度計ＵＶ
−２４０で測定した。限界解像力は０．８５μｍのマス
クパターンを再現する露光量における限界解像力を意味
する。膜厚依存性はレジスト膜厚０．８５μｍにおける
感度と膜厚０．８７μｍにおける感度の比により評価し
た。この値が１．０に近い程好ましい。ドライエッチ速
度は日本真空技術（株）製ＣＳＥ−１１１０を用い、Ｃ
Ｆ4 ／Ｏ2 下の膜厚減少速度から求めた。評価の結果を
表２に示した。
【００６２】 （表２） ２４８nm 限界解像力 膜厚依存性 ドライエッチ速度 の膜吸光度 （μｍ） （Ａ／分） （／μｍ） 実施例１０ ９．８１２ ０．２７ ０．９８ ６０５ 比較例２ ７．１８１ ０．２９ ０．９７ ５９８ 比較例３ ７．１４１ ０．２７ ０．９７ ５１２
【００６３】これにより本発明の反射防止膜材料用組成
物は膜吸光度が高く、フォトレジストの限界解像力向
上、および基板からの反射光低減による定在波起因の感
度の膜厚依存性が低減しているのがわかる。また架橋剤
を後添加した比較例３に比べると、本発明の実施例１０
の方がドライエッチ速度に優れることが判る。
物は膜吸光度が高く、フォトレジストの限界解像力向
上、および基板からの反射光低減による定在波起因の感
度の膜厚依存性が低減しているのがわかる。また架橋剤
を後添加した比較例３に比べると、本発明の実施例１０
の方がドライエッチ速度に優れることが判る。
【００６４】
【発明の効果】本発明により、反射光防止効果が高く、
レジスト層とのインターミキシングが起こらず、優れた
レジストパターンが得られ、レジストに比べて大きなド
ライエッチング速度を有する反射防止膜材料用組成物、
及びレジストパターン形成法を提供することができる。
レジスト層とのインターミキシングが起こらず、優れた
レジストパターンが得られ、レジストに比べて大きなド
ライエッチング速度を有する反射防止膜材料用組成物、
及びレジストパターン形成法を提供することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０６ Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０６ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｃ０８Ｆ 216/14 ＭＫＺ // Ｃ０８Ｆ 216/14 ＭＫＺ 220/40 ＭＭＶ 220/40 ＭＭＶ 220/54 ＭＮＪ 220/54 ＭＮＪ 299/00 ＭＲＮ 299/00 ＭＲＮ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７４
Claims (3)
- 【請求項１】 下記一般式（１）及び（２）で示される
繰り返し単位を有する高分子化合物を含むことを特徴と
する反射防止膜材料用組成物。 【化１】 式中、Ｒ1 とＲ2 はそれぞれ同じであっても異っていて
もよく、水素原子、メチル基、塩素原子、臭素原子又は
シアノ基を表す。Ｘは単結合又は２価の有機連結基を表
す。Ｐは炭素数６〜１４個の（ｎ＋１）価の芳香環基を
表す。Ｙは電子供与性基を表す。Ｚは末端に−ＣＨ2 Ｏ
Ｒ3 基を有する有機官能基を表す。Ｒ3は水素原子又は
炭素数１〜２０個の炭化水素基を表す。ｎは０から３ま
での整数である。ｎが２〜３の場合、Ｙはそれぞれ同じ
であっても異っていてもよい。 - 【請求項２】 前記一般式（１）において、Ｘが単結
合、あるいは−ＣＯ2−、−ＣＯＮＨ−、−Ｏ−、−Ｃ
Ｏ−、−ＳＯ2 −のうち少なくとも１つの連結基を介し
ていてもよい、アルキレン基、アリーレン基、アラルキ
レン基、−ＣＯ 2 −Ａ−、−ＣＯＮＨ−Ａ−、−Ｏ−Ａ
−、−ＣＯ−Ａ−、−ＳＯ2 −Ａ−（ここで、Ａは置換
基を有していてもよい炭素数６〜１４個の芳香環基を表
す。）であり、Ｐが（ｎ＋１）価のフェニレン基、ナフ
チレン基又はアンスリレン基であり、Ｙが水素原子、−
ＯＨ、−ＯＲ4 、−Ｎ（Ｒ5 ）（Ｒ6 ）又は−ＳＲ
4 （ここで、Ｒ4 は炭素数１〜２０個の炭化水素基を表
し、Ｒ5 、Ｒ6 は各々おなじであっても異っていてもよ
く、水素原子又は炭素数１〜２０個の炭化水素基を表
す）であることを特徴とする請求項１に記載の反射防止
膜材料用組成物。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の反射防止膜材料
用組成物を基板上に塗布後ベークして反射防止膜を硬化
させた後、その上にパターン状にフォトレジスト層を形
成することを特徴とするレジストパターン形成方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20863096A JP3617878B2 (ja) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | 反射防止膜材料用組成物 |
| TW086110924A TW406215B (en) | 1996-08-07 | 1997-07-31 | Composition for anti-reflective coating material in lithographic process, and process for forming resist pattern |
| EP97113602A EP0823661B1 (en) | 1996-08-07 | 1997-08-06 | Composition for anti-reflective coating material |
| DE69705466T DE69705466T2 (de) | 1996-08-07 | 1997-08-06 | Zusammensetzung für Antireflexionsbeschichtung |
| KR1019970037818A KR100498877B1 (ko) | 1996-08-07 | 1997-08-07 | 반사방지막재료용조성물 |
| US08/908,522 US6090531A (en) | 1996-08-07 | 1997-08-07 | Compostion for anti-reflective coating material |
| US09/499,703 US6248500B1 (en) | 1996-08-07 | 2000-02-07 | Composition for anti-reflective coating material |
| KR1020040096765A KR100535222B1 (ko) | 1996-08-07 | 2004-11-24 | 반사방지막 재료용 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20863096A JP3617878B2 (ja) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | 反射防止膜材料用組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1048833A true JPH1048833A (ja) | 1998-02-20 |
| JP3617878B2 JP3617878B2 (ja) | 2005-02-09 |
Family
ID=16559416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20863096A Expired - Fee Related JP3617878B2 (ja) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | 反射防止膜材料用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3617878B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11511194A (ja) * | 1995-08-21 | 1999-09-28 | ブリューアー サイエンス インコーポレイテッド | 熱硬化性反射防止性コーティングおよびその製造方法 |
| KR20000066808A (ko) * | 1999-04-21 | 2000-11-15 | 김영환 | 유기 난반사 방지용 물질 |
| WO2003098670A1 (en) * | 2002-05-17 | 2003-11-27 | Molay Co., Ltd. | Light-absorbing polymer for forming organic anti-reflective layer, composition including the same, and method for forming semiconductor device pattern using the same |
| WO2008082108A1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-10 | Hyosung Corporation | Organic copolymer for preparing organic antireflective coating, method of preparing the same, and composition comprising the same |
| WO2012161126A1 (ja) * | 2011-05-20 | 2012-11-29 | 日産化学工業株式会社 | アクリルアミド構造を含むポリマーを含むリソグラフィー用有機ハードマスク層形成用組成物 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3851402B2 (ja) * | 1997-02-28 | 2006-11-29 | 富士写真フイルム株式会社 | 反射防止膜材料組成物及びそれを利用したレジストパターン形成方法 |
-
1996
- 1996-08-07 JP JP20863096A patent/JP3617878B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11511194A (ja) * | 1995-08-21 | 1999-09-28 | ブリューアー サイエンス インコーポレイテッド | 熱硬化性反射防止性コーティングおよびその製造方法 |
| KR20000066808A (ko) * | 1999-04-21 | 2000-11-15 | 김영환 | 유기 난반사 방지용 물질 |
| WO2003098670A1 (en) * | 2002-05-17 | 2003-11-27 | Molay Co., Ltd. | Light-absorbing polymer for forming organic anti-reflective layer, composition including the same, and method for forming semiconductor device pattern using the same |
| WO2008082108A1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-10 | Hyosung Corporation | Organic copolymer for preparing organic antireflective coating, method of preparing the same, and composition comprising the same |
| WO2012161126A1 (ja) * | 2011-05-20 | 2012-11-29 | 日産化学工業株式会社 | アクリルアミド構造を含むポリマーを含むリソグラフィー用有機ハードマスク層形成用組成物 |
| JP5988050B2 (ja) * | 2011-05-20 | 2016-09-07 | 日産化学工業株式会社 | アクリルアミド構造を含むポリマーを含むリソグラフィー用有機ハードマスク層形成用組成物 |
| US9514949B2 (en) | 2011-05-20 | 2016-12-06 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for forming organic hard mask layer for use in lithography containing polymer having acrylamide structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3617878B2 (ja) | 2005-02-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100535222B1 (ko) | 반사방지막 재료용 조성물 | |
| EP0851300B1 (en) | Bottom anti-reflective coating material composition and method of forming resist pattern using the same | |
| EP0989463B1 (en) | Bottom anti-reflective coating material composition for photoresist and method of forming resist pattern | |
| US6187506B1 (en) | Antireflective coating for photoresist compositions | |
| KR19980071125A (ko) | 광산 발생제를 포함하는 반사 방지 피복 조성물 | |
| JPH05249683A (ja) | 感放射線性組成物 | |
| JP3852868B2 (ja) | 反射防止膜材料組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法 | |
| JP4164942B2 (ja) | アクリル系共重合体およびそれを含有する反射防止膜形成組成物並びにレジスト膜の形成方法 | |
| JP3851414B2 (ja) | 反射防止膜材料組成物及びこれを用いたレジストパターン形成方法 | |
| US6808869B1 (en) | Bottom anti-reflective coating material composition and method for forming resist pattern using the same | |
| JP3632875B2 (ja) | 反射防止膜材料用組成物 | |
| JP3617878B2 (ja) | 反射防止膜材料用組成物 | |
| JPH1090908A (ja) | 反射防止膜材料用組成物 | |
| JP2002333717A (ja) | リソグラフィー用反射防止膜形成組成物 | |
| JPH10120940A (ja) | 反射防止膜用組成物 | |
| JP4207115B2 (ja) | リン系有機基含有高分子を含む反射防止膜形成組成物 | |
| JP3707632B2 (ja) | 反射防止膜用組成物 | |
| JP3638058B2 (ja) | 反射防止膜材料用組成物 | |
| JP3851402B2 (ja) | 反射防止膜材料組成物及びそれを利用したレジストパターン形成方法 | |
| JP3676510B2 (ja) | 反射防止膜材料用組成物 | |
| JP4952933B2 (ja) | 低感度感光性レジスト下層膜形成組成物 | |
| JPH10213904A (ja) | ポジ型感光性組成物を用いる塗設物及びそれを用いるパターン形成方法 | |
| JP3780518B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物およびそれに用いる重合体の製造法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040401 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041104 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041105 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071119 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071119 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081119 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091119 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091119 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101119 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111119 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |