JPH1048164A - 表面分析方法およびその装置 - Google Patents

表面分析方法およびその装置

Info

Publication number
JPH1048164A
JPH1048164A JP8208259A JP20825996A JPH1048164A JP H1048164 A JPH1048164 A JP H1048164A JP 8208259 A JP8208259 A JP 8208259A JP 20825996 A JP20825996 A JP 20825996A JP H1048164 A JPH1048164 A JP H1048164A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
analysis
coordinates
axis direction
sample surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP8208259A
Other languages
English (en)
Inventor
Naomasa Niwa
直昌 丹羽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
Priority to JP8208259A priority Critical patent/JPH1048164A/ja
Publication of JPH1048164A publication Critical patent/JPH1048164A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Image Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 表面分析方法および装置において、信頼性の
高い分析データを、分析データの合成を必要とせず、試
料表面の一分析面を一回の測定で行う。 【解決手段】 表面分析装置は、試料表面をプローブの
走査によって分析を行う表面分析装置において、試料を
3次元的に移動する移動装置4,12と、試料表面を任
意の複数の三角形状の平面で近似する近似平面設定装置
10を備え、移動装置4、12のZ軸方向制御を、近似
平面に基づいて連続的に行って分析データを得る。近似
平面設定装置10は、試料Sの表面の座標を予め求め、
この座標を用いて近似平面を生成しておく。移動装置
4、12は、試料の位置座標に対応するZ座標を近似平
面に基づいて求め、Z軸方向の位置制御を行う。これに
よって、試料表面の分析点の位置決めを行い、測定を行
う。試料をXY方向に走査しながら、上記の操作を行っ
て分析データを得ることにより、分析データの合成を必
要としない信頼性の高い分析データを、一回の測定で得
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面分析方法およ
び表面分析装置に関し、特に、波長分散型X線分光器に
よって試料表面上の線分析や面分析等のマッピングを行
って試料表面を分析する方法および装置に関する。
【0002】
【従来の技術】試料表面の分析をプローブの走査によっ
て行う表面分析方法および表面分析装置が知られてい
る。このような表面分析では、一般に分析を行う試料表
面によって分析条件が異なる。従来、試料表面をその異
なる分析条件に応じて複数の領域に分割し、各領域毎に
分析を行って分析データを求めた後、こられらの分析デ
ータを合成して、試料全体の分析データを得ている。
【0003】例えば、試料表面の分析を行う手段とし
て、電子線マイクロアナライザ(EPMA)が知られて
いる。電子線マイクロアナライザは、試料に電子線を照
射し、試料から放出される二次電子や特性X線等を検出
することによって、試料の形状,組成,特性を分析する
装置である。特性X線を検出するX線分光系では、試料
から発生したX線を分光結晶で回折し、特定の角度で回
折した特性X線をX線検出器で検出するものであり、回
折角と特性X線波長の関係はあらかじめ求められてい
る。分析試料,分光結晶,X線検出器は各々ローランド
円と呼ばれる分光円の円周上にあり、X線はこの条件で
のみ正しく分光され検出される。そのため、試料のZ軸
方向の位置が分光条件を満足するように、試料のZ軸方
向の位置を制御する必要がある。
【0004】従来、複雑な形状の試料表面について、電
子線マイクロアナライザによって分析を行う場合には、
試料のZ軸方向の位置制御を行うために、試料表面を複
数の空間座標で近似し、近似した空間座標に基づいて領
域に分割し、各領域毎にZ軸方向の位置制御を行って分
析データを得、全領域について分析データを求めた後、
各分析データを合成して試料表面のマッピングを行って
いる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来の表面分析では、
空間座標に基づいて形成される複数の領域毎に分析デー
タを求める操作を行い、その後分析データの合成処理を
行うため、分析時間が長時間化するという問題がある。
また、連続する試料表面を、空間座標に基づいて形成さ
れる複数の領域で近似するため、分析データの信頼性が
低下する。特に隣接する領域の境界では、各領域の分析
で得た分析データ間の整合が困難となる場合があり、分
析データの信頼性が低いという問題点がある。
【0006】そこで、本発明は前記した従来の表面分析
の問題点を解決し、表面分析方法および装置において、
分析データの合成を必要とせず、信頼性の高い分析デー
タを得ることを目的とする。また、表面分析において、
試料表面の一分析面を分割することなく一回の測定で行
うことを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の表面分析方法お
よび表面分析装置は、試料表面を任意の複数の三角形状
の平面で近似し、この三角形状平面に基づいてZ軸方向
の制御を行って分析を行うものであり、これによって、
分析データの合成を必要としない信頼性の高い分析デー
タを、一回の測定で得ることができる。
【0008】本発明の表面分析方法は、試料表面をプロ
ーブの走査によって分析を行う表面分析方法において、
試料表面を任意の複数の三角形状の平面で近似し、試料
表面の少なくとも二つの三角形状の平面に対して、この
近似平面に基づいて分析位置のZ軸方向の制御を連続的
に行い、分析データを得るものである。
【0009】また、本発明の表面分析装置は、試料表面
をプローブの走査によって分析を行う表面分析装置にお
いて、試料を3次元的に移動する移動装置と、試料表面
を任意の複数の三角形状の平面で近似する近似平面設定
装置を備え、移動装置のZ軸方向制御を、近似平面に基
づいて連続的に行って分析データを得るものである。こ
れによって、試料表面の分析領域のZ軸方向の制御を連
続的に行うことができ、近似平面の境界での分析データ
の不整合による信頼性の低下を除去するとともに、一回
の測定で試料表面の分析面の分析データを得ることがで
きる。
【0010】本発明の第1の実施態様は、本発明の表面
分析方法を波長分散型電子線マイクロアナライザに適応
するものであり、試料表面を任意の複数の三角形状の平
面で近似し、試料表面の少なくとも二つの三角形状の平
面に対して、2次元走査に基づくXY座標に対するZ軸
座標を近似した三角形状の平面に基づいて連続的に求
め、分析データを得る。
【0011】また、本発明の第2の実施態様は、本発明
の表面分析装置を波長分散型電子線マイクロアナライザ
に適応するものであり、試料を3次元的に移動する試料
ステージと、試料表面を任意の複数の三角形状の平面で
近似する近似平面設定装置を備える装置であり、試料ス
テージをXY方向に移動して2次元の走査を行い、走査
に基づくXY座標に対応するZ座標を三角形状の近似平
面に基づいて求め、これによって、試料ステージのZ軸
方向の位置制御を連続的に行って分析データを得る。
【0012】上記第1,2の実施態様によって、波長分
散型電子線マイクロアナライザにおいて、試料の分析点
のZ軸方向の位置が分光条件を満足するための試料のZ
軸方向の位置制御を連続的に行うことがてき、また、分
析データを一回の測定で得ることができる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図を
参照しながら詳細に説明する。以下、本発明の表面分析
方法,および表面分析装置について、電子線マイクロア
ナライザを例として説明する。図1は、電子線マイクロ
アナライザに本発明の表面分析装置を適用した一実施の
形態を説明するための概略ブロック図である。
【0014】図1において、電子線マイクロアナライザ
1は、本体2内に、試料Sに電子線を照射する電子源3
と、試料Sを支持し3次元的に移動を行う試料ステージ
4と、試料Sから放出されたX線を分光する分光結晶5
と、分光して得られた特性X線を検出するX線検出器6
を含む検出系と、試料を光学的に観察するCCDカメラ
8,9を含む光学顕微鏡7とを備える。なお、CCDカ
メラ8が受光する光学像はオートフォーカス制御回路1
1を介して光学顕微鏡モニタ24に表示することがで
き、CCDカメラ9の光学像は表示制御回路13を介し
て表示することができる。また、X線検出器6の検出出
力をX線測定回路23で測定して得たマッピングデータ
は、マッピングモニタ25に表示することができる。
【0015】試料ステージ4は、試料ステージ制御回路
12によってXY軸方向およびZ軸方向の3次元方向に
移動可能であり、Z軸方向の移動制御は、CCDカメラ
8から入力した光学像を基に、オートフォーカス制御回
路11のオートフォーカス機能によって、試料の分析点
に焦点位置が合うように試料ステージ制御回路12に制
御信号を送信して行う。
【0016】また、オートフォーカス制御回路11,試
料ステージ制御回路12、あるいは表示制御回路13,
光学顕微鏡モニタ24等は、データメモリ15と共に近
似平面設定装置10を構成し、試料表面の凹凸形状を三
角形状の平面に近似し、該近似平面を関数等によって設
定しデータメモリ15に格納する。なお、前記各回路、
メモリおよびモニタはバスを介してCPU21と接続
し、制御を行い、各制御回路等の制御を行うソフトウェ
アはソフトウェア用メモリ14に格納することができ
る。
【0017】次に、本発明の表面分析について、図2の
フローチャート,図3の概念図を用いて説明する。本発
明の表面分析方法は、試料表面の3次元の形状を測定し
てX,Y,Z座標の3次元座標を求め(ステップS
1)、求めた3次元座標を基にして試料表面を複数の三
角形状の平面で近似する(ステップS2)。図3(a)
の概略的に示すような試料表面の3次元の形状につい
て、平面上の位置座標を求め、図3(b)の概略的に示
すような三角形状(メッシュ)による平面で近似を行
う。3次元座標から三角形状の平面で近似して近似平面
を形成する手法は、有限要素法を用いたメッシュ作成手
法等で一般に知られており、該近似平面はXY座標を変
数とする関数で表される。
【0018】前記ステップS2で試料表面を近似平面で
表した後、試料のXY方向の走査に伴ってZ軸方向の制
御を行い、分析を行う。このZ軸方向の制御は、試料を
XY方向に走査する際の分析点のXY座標を求め、この
XY座標を変数として近似平面を表す関数からZ座標を
求め、求めたZ座標の位置に分析点を移動させることに
よって行うことができる(ステップS3,図3
(c))。
【0019】ステップS2で生成する近似平面は、試料
表面の一分析領域において、連続した面で形成すること
ができ、この近似平面から得られるZ座標は、X軸方向
およびY軸方向に対して連続した座標値を出力するた
め、試料表面のXY方向の走査に伴って、Z軸方向を連
続して制御することができ、連続した分析データを得る
ことができる。
【0020】次に、前記ステップS1の試料表面の3次
元座標を求める工程例,および近似平面の形成工程につ
いて、図4〜図10を用いて説明する。
【0021】試料表面の3次元座標を求める第1の実施
形態は、試料表面をXY方向に走査し、Z座標を光学顕
微鏡のオートフォーカス機能を用いて求める例である。
以下、図4のフローチャートおよび図5の概略図を用い
て説明する。試料Sを支持する試料ステージ4を試料ス
テージ制御回路11でXY方向に移動しながら、光学顕
微鏡7はCCDカメラ8で受光して光学像を求める。オ
ートフォーカス制御回路11および試料ステージ制御回
路12は、この光学像の焦点が合うように試料ステージ
4のZ軸方向の制御を行う。このときのZ軸方向の位置
は、試料表面の分析点のZ座標となる(ステップS1
1)。データメモリ15は、このときとのXYZ座標を
格納して、試料表面の3次元座標を記憶する(ステップ
S12)。試料ステージ4をXY方向に走査しながら、
上記操作繰り返すことによって、試料表面全体の3次元
座標を得ることができる(ステップS13)。
【0022】近似平面の形成を行うには、求めた試料表
面の3次元座標に有限要素法を適用するメッシュ作成の
手法を用いることができ、求められた近似平面はXY座
標を変数とする関数で表すことができる。
【0023】試料表面の3次元座標を求める第2の実施
形態は、光学顕微鏡の光学像を観察してZ座標を測定す
る位置を指定し、このZ座標を光学顕微鏡のオートフォ
ーカス機能を用いて求める例である。以下、図6のフロ
ーチャートおよび図7,図8の概略図を用いて説明す
る。図8において、試料Sを支持する試料ステージ4を
試料ステージ制御回路11でXY方向に移動しながら、
CCDカメラ9で受光し表示制御回路13によって光学
顕微鏡モニタ24の光学像を表示する(ステップS2
1)。この光学顕微鏡モニタ24に表示された試料表面
の光学像を観察して、表面画面上で測定点(xm,y
m)を指定する。この測定点(xm,ym)を指定は、
任意のポインティングデバイスで行うことができる(ス
テップS22、図7(a))。
【0024】次に、試料ステージ制御回路12は、ステ
ップS22で指定した測定点の座標位置(XY座標)に
光学顕微鏡の焦点位置が合うように移動を行い、オート
フォーカス制御回路11および試料ステージ制御回路1
2によるオートフォーカス機能によって、この光学像の
Z軸方向の焦点が合うように試料ステージ4のZ軸方向
の制御を行う。このときのZ軸方向の位置は、試料表面
の分析点のZ座標(zm)となる(ステップS23)。
データメモリ15は、このときとのXYZ座標を格納し
て、試料表面の3次元座標を記憶する(ステップS2
4)。ステップS22で指定した測定点について、上記
操作繰り返すことによって、試料表面全体の3次元座標
を得ることができる(ステップS25)。
【0025】求めた3次元座標の値に有限要素法を適用
するメッシュ作成の手法を用いることによって、例えば
図7(b)に示すような近似平面を形成することができ
る。
【0026】試料表面の3次元座標を求める第3の実施
形態は、光学顕微鏡の光学像を観察して近似する平面の
密度を指定し、Z座標を光学顕微鏡のオートフォーカス
機能を用いて求める例である。以下、図9のフローチャ
ートおよび図8,図10の概略図を用いて説明する。図
8において、上記第2の実施形態のステップS21と同
様に、試料表面の光学像を光学顕微鏡モニタ24に表示
する(ステップS31)。この光学顕微鏡モニタ24に
表示された試料表面の光学像を観察して、表面画面上で
近似する平面の密度と領域を指定する。この近似平面の
密度と領域の指定は、任意のポインティングデバイスあ
るいはキー等の入力手段で行うことができる(ステップ
S32、図10(a))。
【0027】次に、試料ステージ制御回路12は、ステ
ップS32で指定した近似平面の密度に応じたピッチ幅
でX,Y方向に移動を行い、各移動点においてオートフ
ォーカス制御回路11および試料ステージ制御回路12
によるオートフォーカス機能によって、この光学像のZ
軸方向の焦点が合うように試料ステージ4のZ軸方向の
制御を行う。このときのZ軸方向の位置は、試料表面の
分析点のZ座標(zm)となる(ステップS33)。デ
ータメモリ15は、このときとのXYZ座標を格納し
て、試料表面の3次元座標を記憶する(ステップS3
4)。ステップS32で指定した領域について、上記操
作繰り返すことによって、試料表面全体の3次元座標を
得ることができる(ステップS35,図10(b))。
【0028】求めた3次元座標の値に有限要素法を適用
するメッシュ作成の手法を用いることによって、例えば
図10(c)に示すような近似平面を形成することがで
きる。なお、上記した試料表面の3次元座標を求める実
施形態は一例であり、その他の構成によって3次元座標
を求めることもできる。
【0029】上記した工程によって、データメモリ15
中には、試料表面を近似する平面の関数がXY座標を変
数として格納される。この近似平面を用いて表面分析を
行う場合には、図11に示すように、試料ステージ4の
走査において、該試料ステージの位置座標から分析点の
XY座標を求める。このXY座標を変数としてデータメ
モリ15内に格納されている関数を用いて、該XY座標
に対応するZ座標を求める。試料ステージ制御回路12
は、この求めたZ座標に従って試料ステージ4のZ軸方
向の制御を行って、分析点を焦点位置に合わせる。X線
測定回路23等の測定装置は、この分析点での測定を行
って分析データを得る。
【0030】上記した工程を試料ステージ4の走査に従
って行うことにより、試料表面の分析を連続して行い、
一回の測定で試料表面の分析領域全体の分析データを得
ることができる。なお、上記走査において、X軸方向あ
るいはY軸方向のみの移動により分析データを得る場合
には線分析の分析データを得ることができ、X軸方向お
よびY軸方向の移動により分析データを得る場合には面
分析の分析データを得ることができる。
【0031】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の表面分析
方法およびその装置によれば、分析データの合成を必要
とせず、信頼性の高い分析データを得ることができる。
また、表面分析において、試料表面の一分析面を分割す
ることなく一回の測定で行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】電子線マイクロアナライザに本発明の表面分析
装置を適用した一実施の形態を説明するための概略ブロ
ック図である。
【図2】本発明の表面分析方法を説明するためのフロー
チャートである。
【図3】本発明の表面分析方法を説明するための概念図
である。
【図4】本発明の試料表面の3次元座標を求める第1の
実施形態を説明するためのフローチャートである。
【図5】本発明の試料表面の3次元座標を求める第1の
実施形態を説明するための概略図である。
【図6】本発明の試料表面の3次元座標を求める第2の
実施形態を説明するためのフローチャートである。
【図7】本発明の試料表面の3次元座標を求める第2の
実施形態を説明するための概略図である。
【図8】本発明の試料表面の3次元座標を求める第2,
3の実施形態を説明するための概略構成図である。
【図9】本発明の試料表面の3次元座標を求める第3の
実施形態を説明するためのフローチャートである。
【図10】本発明の試料表面の3次元座標を求める第3
の実施形態を説明するための概略図である。
【図11】本発明の近似平面を用いた表面分析を説明す
るための概略構成図である。
【符号の説明】
1…電子線マイクロアナライザ、2…本体、3…電子
源、4…試料ステージ、5…分光結晶、6…X線検出
器、7…光学顕微鏡、8,9…CCDカメラ、10…近
似平面設定装置、11…オートフォーカス制御回路、1
2…試料ステージ制御回路、13…表示制御回路、14
…データメモリ、15…ソフトウェア用メモリ、メモ
リ、21…CPU、22…X線分光器制御回路、23…
X線測定回路、24…光学顕微鏡モニタ、25…マッピ
ングモニタ。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 試料表面をプローブの走査によって分析
    を行う表面分析方法において、試料表面を任意の複数の
    三角形状の平面で近似し、試料表面の少なくとも二つの
    三角形状の平面に対して、前記近似平面に基づいて分析
    位置のZ軸方向の制御を連続的に行い、分析データを得
    ることを特徴とする表面分析方法。
  2. 【請求項2】 試料表面をプローブの走査によって分析
    を行う表面分析装置において、試料を3次元的に移動す
    る移動装置と、試料表面を任意の複数の三角形状の平面
    で近似する近似平面設定装置を備え、前記近似平面に基
    づいて前記移動装置のZ軸方向の制御を連続的に行って
    分析データを得ることを特徴とする表面分析装置。
JP8208259A 1996-08-07 1996-08-07 表面分析方法およびその装置 Withdrawn JPH1048164A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8208259A JPH1048164A (ja) 1996-08-07 1996-08-07 表面分析方法およびその装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8208259A JPH1048164A (ja) 1996-08-07 1996-08-07 表面分析方法およびその装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1048164A true JPH1048164A (ja) 1998-02-20

Family

ID=16553284

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8208259A Withdrawn JPH1048164A (ja) 1996-08-07 1996-08-07 表面分析方法およびその装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1048164A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5706083A (en) Spectrophotometer and its application to a colorimeter
JP2000346638A (ja) 測定手順ファイル生成方法、測定装置および記憶媒体
CN112648926A (zh) 一种线聚焦彩色共焦三维表面高度测量装置及方法
CN116265922A (zh) 拉曼显微镜
JP2558864B2 (ja) 分光解析装置
CN111624756A (zh) 一种景深扩展显微成像三维重建装置与方法
WO2017033591A1 (ja) 荷電粒子線装置および試料ステージのアライメント調整方法
JP6760477B2 (ja) 細胞観察装置
JPH11231223A (ja) 走査型光学顕微鏡
JPH1048164A (ja) 表面分析方法およびその装置
KR100284080B1 (ko) 광학식 치수/형상/표면조도 측정장치
JPH0636729A (ja) 収束電子線回折図形を用いた歪み評価装置およびその評価方法
JP3270687B2 (ja) 電子プローブマイクロアナライザーによるx線分析方法及び電子プローブマイクロアナライザー
US6215588B1 (en) Infrared microscope
JP3322227B2 (ja) 赤外顕微鏡
JP2000171421A (ja) マッピング分析方法
JP2003098129A (ja) エネルギー分散型マイクロアナライザ
JP4041386B2 (ja) 荷電粒子ビーム装置におけるステージ移動制御方法並びに荷電粒子ビームを用いた観察方法及び装置
US20230251187A1 (en) Infrared raman microscope and data processing method
JP4275786B2 (ja) 電子顕微鏡
JPH0820309B2 (ja) 分光演算装置
JPH1090284A (ja) 走査型プローブ顕微鏡及びその測定方法
JP2013148543A (ja) 電子線プローブマイクロアナライザ
JPH1048163A (ja) 表面分析方法およびその装置
US20230251135A1 (en) Infrared raman microscope

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20031007