JPH1045415A - 高飽和磁束密度フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア - Google Patents
高飽和磁束密度フェライト材料及びこれを用いたフェライトコアInfo
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- JPH1045415A JPH1045415A JP8202378A JP20237896A JPH1045415A JP H1045415 A JPH1045415 A JP H1045415A JP 8202378 A JP8202378 A JP 8202378A JP 20237896 A JP20237896 A JP 20237896A JP H1045415 A JPH1045415 A JP H1045415A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】優れた焼結性と透磁率を維持したまま、Ｂｓ値
が４１００Ｇ以上と高いフェライト材料を得る。 【解決手段】５４〜７５モル％のＦｅ2 Ｏ3 と、１０〜
３０モル％のＺｎＯと、１０〜２５モル％のＮｉＯと、
３〜１０モル％のＣｕＯを主成分とし、Ｚｎ／Ｎｉのモ
ル比が１〜１．５であって、かつ上記主成分１００重量
部に対し、０．１〜５重量部のＢｉ2 Ｏ3 と、０．１〜
５重量部のＭｏＯ3 を含有する。
が４１００Ｇ以上と高いフェライト材料を得る。 【解決手段】５４〜７５モル％のＦｅ2 Ｏ3 と、１０〜
３０モル％のＺｎＯと、１０〜２５モル％のＮｉＯと、
３〜１０モル％のＣｕＯを主成分とし、Ｚｎ／Ｎｉのモ
ル比が１〜１．５であって、かつ上記主成分１００重量
部に対し、０．１〜５重量部のＢｉ2 Ｏ3 と、０．１〜
５重量部のＭｏＯ3 を含有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は飽和磁束密度の高い
酸化物磁性材料、及びこれを用いたフェライトコアに関
するものである。
酸化物磁性材料、及びこれを用いたフェライトコアに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】Ｎｉ−Ｚｎ系のフェライト材料は、イン
ダクター・変圧器・安定器・電磁石等のコアとして広く
使用されている。
ダクター・変圧器・安定器・電磁石等のコアとして広く
使用されている。
【０００３】特に、近年、携帯電話やノート型パソコン
等、バッテリー駆動の携帯機器の小型・薄型化の進展と
ともに、これらの携帯機器に求められる電源も小型・薄
型化の要求が強くなっている。そこで、上記インダクタ
ンス用のコアも小型化されることから大きな電流を流し
にくくなっており、体積が小さくても大きな電流を流す
ことのできるフェライト材料が求められ、飽和磁束密度
の大きいフェライト材が望まれている。
等、バッテリー駆動の携帯機器の小型・薄型化の進展と
ともに、これらの携帯機器に求められる電源も小型・薄
型化の要求が強くなっている。そこで、上記インダクタ
ンス用のコアも小型化されることから大きな電流を流し
にくくなっており、体積が小さくても大きな電流を流す
ことのできるフェライト材料が求められ、飽和磁束密度
の大きいフェライト材が望まれている。
【０００４】即ち、フェライト材料をコア形状とし、巻
き線を施してインダクターとした場合に、巻き線に加え
る電流を大きくするほど生じる磁束密度が大きくなる
が、ある一定値で飽和して、それ以上にはならないとい
う特性がある。この時の磁束密度が飽和磁束密度（以下
Ｂｓ値）であり、このＢｓ値を超える範囲の電流を流す
と発熱等の不都合が生じてしまう。したがって、Ｂｓ値
が大きいほど大きな電流を流すことができるのである。
き線を施してインダクターとした場合に、巻き線に加え
る電流を大きくするほど生じる磁束密度が大きくなる
が、ある一定値で飽和して、それ以上にはならないとい
う特性がある。この時の磁束密度が飽和磁束密度（以下
Ｂｓ値）であり、このＢｓ値を超える範囲の電流を流す
と発熱等の不都合が生じてしまう。したがって、Ｂｓ値
が大きいほど大きな電流を流すことができるのである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】ところが、一般的に用い
られるＮｉ−Ｚｎ系フェライトでは、Ｂｓ値は４１００
Ｇ（ガウス）以下と低いものであった。
られるＮｉ−Ｚｎ系フェライトでは、Ｂｓ値は４１００
Ｇ（ガウス）以下と低いものであった。
【０００６】一方、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトに各種添加
物を加えることによって、特性を高めることも提案され
ているが（特開昭４９−２０９２号、４９−２０９３
号、特公昭５２−２７３５８号公報等参照）、いずれも
上記問題を解決するものではなかった。
物を加えることによって、特性を高めることも提案され
ているが（特開昭４９−２０９２号、４９−２０９３
号、特公昭５２−２７３５８号公報等参照）、いずれも
上記問題を解決するものではなかった。
【０００７】そこで、本発明は、Ｂｓ値が４１００Ｇを
超えるような高飽和磁束密度のフェライト材料を得るこ
とを目的とする。
超えるような高飽和磁束密度のフェライト材料を得るこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の高飽和磁束密度
フェライト材料は、５４〜７５モル％のＦｅ2 Ｏ3 と、
１０〜３０モル％のＺｎＯと、１０〜２５モル％のＮｉ
Ｏと、３〜１０モル％のＣｕＯを主成分とし、Ｚｎ／Ｎ
ｉのモル比が１〜１．５であって、かつ上記主成分１０
０重量部に対し、０．１〜５重量部のＢｉ2 Ｏ3 と、
０．１〜５重量部のＭｏＯ3 を含有することを特徴とす
る。
フェライト材料は、５４〜７５モル％のＦｅ2 Ｏ3 と、
１０〜３０モル％のＺｎＯと、１０〜２５モル％のＮｉ
Ｏと、３〜１０モル％のＣｕＯを主成分とし、Ｚｎ／Ｎ
ｉのモル比が１〜１．５であって、かつ上記主成分１０
０重量部に対し、０．１〜５重量部のＢｉ2 Ｏ3 と、
０．１〜５重量部のＭｏＯ3 を含有することを特徴とす
る。
【０００９】即ち、本発明は、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェ
ライトに対して、所定量のＢｉ2 Ｏ3 、ＭｏＯ3 を添加
することによって、Ｂｓ値が４１００Ｇ以上、好適には
４７００Ｇ以上となるような高飽和磁束密度のフェライ
ト材料を得るようにした。
ライトに対して、所定量のＢｉ2 Ｏ3 、ＭｏＯ3 を添加
することによって、Ｂｓ値が４１００Ｇ以上、好適には
４７００Ｇ以上となるような高飽和磁束密度のフェライ
ト材料を得るようにした。
【００１０】本発明において、主成分の組成比を上記範
囲とした理由は以下の通りである。Ｆｅ2 Ｏ3 を５４〜
７５モル％としたのは、Ｆｅ2 Ｏ3 が５４モル％未満で
はＢｓ値と透磁率が低下し、７５モル％を超えるとＢｓ
値が低下するためである。ＺｎＯを１０〜３０モル％と
したのは、１０モル％未満では透磁率が低下し、３０モ
ル％を超えるとＢｓ値が低下するためである。ＮｉＯを
１０〜２５モル％としたのは、１０モル％未満ではＢｓ
値が低下し、２５モル％を超えると透磁率が低下するた
めである。ＣｕＯを３〜１０モル％としたのは、３モル
％未満では焼結性が低下し、１０モル％を超えるとＢｓ
値が低下するためである。
囲とした理由は以下の通りである。Ｆｅ2 Ｏ3 を５４〜
７５モル％としたのは、Ｆｅ2 Ｏ3 が５４モル％未満で
はＢｓ値と透磁率が低下し、７５モル％を超えるとＢｓ
値が低下するためである。ＺｎＯを１０〜３０モル％と
したのは、１０モル％未満では透磁率が低下し、３０モ
ル％を超えるとＢｓ値が低下するためである。ＮｉＯを
１０〜２５モル％としたのは、１０モル％未満ではＢｓ
値が低下し、２５モル％を超えると透磁率が低下するた
めである。ＣｕＯを３〜１０モル％としたのは、３モル
％未満では焼結性が低下し、１０モル％を超えるとＢｓ
値が低下するためである。
【００１１】また、Ｎｉ／Ｚｎのモル比を１．０〜１．
５としたのは、この比が１．０未満又は１．５を超える
とＢｓ値が低下するためである。
５としたのは、この比が１．０未満又は１．５を超える
とＢｓ値が低下するためである。
【００１２】さらに、本発明で添加成分として加えるＢ
ｉ2 Ｏ3 は、焼結促進剤の作用をなす。即ち、上記主成
分では、Ｆｅ2 Ｏ3 の量が比較的多いため難焼結性であ
るが、焼結促進剤としてＢｉ2 Ｏ3 を添加することによ
って、焼結性を高めている。ここで、Ｂｉ2 Ｏ3 添加量
を０．１〜５重量部としたのは、０．１重量部未満では
焼結性が低下し、５重量部を超えるとＢｓ値が低下する
ためである。
ｉ2 Ｏ3 は、焼結促進剤の作用をなす。即ち、上記主成
分では、Ｆｅ2 Ｏ3 の量が比較的多いため難焼結性であ
るが、焼結促進剤としてＢｉ2 Ｏ3 を添加することによ
って、焼結性を高めている。ここで、Ｂｉ2 Ｏ3 添加量
を０．１〜５重量部としたのは、０．１重量部未満では
焼結性が低下し、５重量部を超えるとＢｓ値が低下する
ためである。
【００１３】また、本発明で添加成分として加えるＭｏ
Ｏ3 はＢｓ値を高くする作用を成し、ＭｏＯ3 の添加量
を０．１〜５重量部としたのは、０．１重量部未満又は
５重量部を超えるとＢｓ値が低下するためである。
Ｏ3 はＢｓ値を高くする作用を成し、ＭｏＯ3 の添加量
を０．１〜５重量部としたのは、０．１重量部未満又は
５重量部を超えるとＢｓ値が低下するためである。
【００１４】さらに、本発明のフェライト材料は、これ
らの成分以外に、ＭｎＯを０．１５重量部以下、ＳｉＯ
2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｋ2 Ｏ、Ｓ等を各々
０．０５重量部未満の範囲で含んでいても良い。
らの成分以外に、ＭｎＯを０．１５重量部以下、ＳｉＯ
2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｋ2 Ｏ、Ｓ等を各々
０．０５重量部未満の範囲で含んでいても良い。
【００１５】本発明のフェライト材料の製造方法は、上
記範囲となるように主成分の各原料を調合し、振動ミル
等で粉砕混合した後、仮焼し、この仮焼粉体に添加成分
を加え、ボールミルで粉砕した後、バインダーを加えて
造粒し、得られた粉体をプレス成形にて所定形状に成形
し、９５０〜１２５０℃の範囲で焼成することによって
得られる。
記範囲となるように主成分の各原料を調合し、振動ミル
等で粉砕混合した後、仮焼し、この仮焼粉体に添加成分
を加え、ボールミルで粉砕した後、バインダーを加えて
造粒し、得られた粉体をプレス成形にて所定形状に成形
し、９５０〜１２５０℃の範囲で焼成することによって
得られる。
【００１６】また、本発明は、上記のフェライト材料を
用いてフェライトコアを形成したことを特徴とする。
用いてフェライトコアを形成したことを特徴とする。
【００１７】ここでフェライトコアとしては、図１
（ａ）に示すようなリング状のトロイダルコア１、ある
いは図１（ｂ）に示すようなボビン状コア２とすれば良
く、それぞれ巻き線部１ａ、２ａに巻き線を施すことに
よって、コイルとすることができる。
（ａ）に示すようなリング状のトロイダルコア１、ある
いは図１（ｂ）に示すようなボビン状コア２とすれば良
く、それぞれ巻き線部１ａ、２ａに巻き線を施すことに
よって、コイルとすることができる。
【００１８】このような本発明のフェライトコアは、特
にＤＣ−ＤＣコンバータ等、各種電子機器の電源に好適
に使用することができる。
にＤＣ−ＤＣコンバータ等、各種電子機器の電源に好適
に使用することができる。
【００１９】
【実施例】実施例１ ５５モル％のＦｅ2 Ｏ3 と、２１モル％のＺｎＯと、２
１モル％のＮｉＯと（Ｚｎ／Ｎｉのモル比＝１）、３モ
ル％のＣｕＯから成る主成分を振動ミルで混合した後、
８００〜９００℃で仮焼した。この仮焼粉体に表１に示
す量のＢｉ2 Ｏ3 とＭｏＯ3 を添加し、ボールミルにて
粉砕した後、所定のバインダーを加えて造粒し、圧縮成
形して図１に示すトロイダルコア１の形状に成形し、こ
の成形体を９５０〜１２５０℃で焼成した。
１モル％のＮｉＯと（Ｚｎ／Ｎｉのモル比＝１）、３モ
ル％のＣｕＯから成る主成分を振動ミルで混合した後、
８００〜９００℃で仮焼した。この仮焼粉体に表１に示
す量のＢｉ2 Ｏ3 とＭｏＯ3 を添加し、ボールミルにて
粉砕した後、所定のバインダーを加えて造粒し、圧縮成
形して図１に示すトロイダルコア１の形状に成形し、こ
の成形体を９５０〜１２５０℃で焼成した。
【００２０】得られた焼結体をトロイダルコア１とし、
これに線径０．２ｍｍの被膜銅線を７ターン巻き付けて
１００ｋＨｚで透磁率を測定した。次に、トロイダルコ
ア１に、図２に示すように線径０．２ｍｍの被膜銅線を
用いて１次側巻き線３を１００ターン、２次側巻き線４
を３０ターン巻き付けて、１次側巻き線３に電源５を、
２次側巻き線４に磁束計６をそれぞれ接続し、１００Ｈ
ｚ、５００ｍＡの条件でＢｓ値を測定した。
これに線径０．２ｍｍの被膜銅線を７ターン巻き付けて
１００ｋＨｚで透磁率を測定した。次に、トロイダルコ
ア１に、図２に示すように線径０．２ｍｍの被膜銅線を
用いて１次側巻き線３を１００ターン、２次側巻き線４
を３０ターン巻き付けて、１次側巻き線３に電源５を、
２次側巻き線４に磁束計６をそれぞれ接続し、１００Ｈ
ｚ、５００ｍＡの条件でＢｓ値を測定した。
【００２１】結果は表１に示す通りである。この結果よ
り、Ｂｉ2 Ｏ3 が０．１重量部未満のもの（Ｎｏ．６〜
８）では焼結性が低いため焼成温度を１３００℃以上に
しなければならず、得られた焼結体の透磁率、Ｂｓ値と
もに低かった。一方、Ｂｉ2Ｏ3 が５重量部を超えるも
の（Ｎｏ．１〜３）ではＢｓ値が低かった。また、Ｍｏ
Ｏ3 が０．１重量部未満又は５重量部を超えるもの（Ｎ
ｏ．１，３〜６，８）ではＢｓ値が低かった。
り、Ｂｉ2 Ｏ3 が０．１重量部未満のもの（Ｎｏ．６〜
８）では焼結性が低いため焼成温度を１３００℃以上に
しなければならず、得られた焼結体の透磁率、Ｂｓ値と
もに低かった。一方、Ｂｉ2Ｏ3 が５重量部を超えるも
の（Ｎｏ．１〜３）ではＢｓ値が低かった。また、Ｍｏ
Ｏ3 が０．１重量部未満又は５重量部を超えるもの（Ｎ
ｏ．１，３〜６，８）ではＢｓ値が低かった。
【００２２】これらに対し、Ｂｉ2 Ｏ3 の添加量を０．
１〜５重量部、ＭｏＯ3 の添加量を０．１〜５重量部と
した本発明の実施例（Ｎｏ．９〜１２）では、１１００
〜１１５０℃の低温で焼結し、透磁率が５００以上と高
く、Ｂｓ値も４７００Ｇ以上と高いことがわかる。
１〜５重量部、ＭｏＯ3 の添加量を０．１〜５重量部と
した本発明の実施例（Ｎｏ．９〜１２）では、１１００
〜１１５０℃の低温で焼結し、透磁率が５００以上と高
く、Ｂｓ値も４７００Ｇ以上と高いことがわかる。
【００２３】
【表１】
【００２４】実施例２ 次に、ＣｕＯを４モル％とし、添加成分であるＢｉ2 Ｏ
3 を２．５重量部、ＭｏＯ3 を２．５重量部に固定し、
他の主成分の組成比を表２に示すように変化させて、そ
の他の条件は上記実施例１と同様にして、トロイダルコ
ア１の形状の焼結体を得た。
3 を２．５重量部、ＭｏＯ3 を２．５重量部に固定し、
他の主成分の組成比を表２に示すように変化させて、そ
の他の条件は上記実施例１と同様にして、トロイダルコ
ア１の形状の焼結体を得た。
【００２５】得られた焼結体に対し、実施例１と同様に
して透磁率とＢｓ値を測定した結果は表２に示す通りで
ある。
して透磁率とＢｓ値を測定した結果は表２に示す通りで
ある。
【００２６】この結果より、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＺｎＯ、Ｎｉ
Ｏの含有量が本発明の範囲外であるか、またはＺｎ／Ｎ
ｉのモル比が本発明の範囲外であるもの（Ｎｏ．１３〜
１９）では、Ｂｓ値が４１００Ｇ以下と低いものであっ
た。
Ｏの含有量が本発明の範囲外であるか、またはＺｎ／Ｎ
ｉのモル比が本発明の範囲外であるもの（Ｎｏ．１３〜
１９）では、Ｂｓ値が４１００Ｇ以下と低いものであっ
た。
【００２７】これらに対し、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＺｎＯ、Ｎｉ
Ｏの含有量、及びＺｎ／Ｎｉのモル比が本発明の範囲内
であるＮｏ．２０〜２４では、１１００〜１１６５℃の
低温で焼結し、透磁率が５２０以上と高く、かつＢｓ値
も４７００Ｇ以上と高いことがわかる。
Ｏの含有量、及びＺｎ／Ｎｉのモル比が本発明の範囲内
であるＮｏ．２０〜２４では、１１００〜１１６５℃の
低温で焼結し、透磁率が５２０以上と高く、かつＢｓ値
も４７００Ｇ以上と高いことがわかる。
【００２８】
【表２】
【００２９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、５４〜７
５モル％のＦｅ2 Ｏ3 と、１０〜３０モル％のＺｎＯ
と、１０〜２５モル％のＮｉＯと、３〜１０モル％のＣ
ｕＯを主成分とし、Ｚｎ／Ｎｉのモル比が１〜１．５で
あって、かつ上記主成分１００重量部に対し、０．１〜
５重量部のＢｉ2 Ｏ3 と、０．１〜５重量部のＭｏＯ3
を含有することによって、優れた焼結性と透磁率を維持
したまま、Ｂｓ値を４１００Ｇ以上と高くすることがで
きる。
５モル％のＦｅ2 Ｏ3 と、１０〜３０モル％のＺｎＯ
と、１０〜２５モル％のＮｉＯと、３〜１０モル％のＣ
ｕＯを主成分とし、Ｚｎ／Ｎｉのモル比が１〜１．５で
あって、かつ上記主成分１００重量部に対し、０．１〜
５重量部のＢｉ2 Ｏ3 と、０．１〜５重量部のＭｏＯ3
を含有することによって、優れた焼結性と透磁率を維持
したまま、Ｂｓ値を４１００Ｇ以上と高くすることがで
きる。
【００３０】また、本発明によれば、上記高飽和磁束密
度フェライト材料でフェライトコアを形成したことによ
って、小型にしても大きな電流を流すことが可能とな
る。したがって、このフェライトコアを電源用に用いれ
ば、各種電子機器の小型化に貢献することができる。
度フェライト材料でフェライトコアを形成したことによ
って、小型にしても大きな電流を流すことが可能とな
る。したがって、このフェライトコアを電源用に用いれ
ば、各種電子機器の小型化に貢献することができる。
【図１】（ａ）（ｂ）は本発明のフェライトコアを示す
斜視図である。
斜視図である。
【図２】本発明のフェライトコアの磁束密度を測定する
方法を説明するための図である。
方法を説明するための図である。
１：トロイダルコア ２：ボビン状コア ３：１次側巻き線 ４：２次側巻き線 ５：電源 ６：磁束計
Claims (2)
- 【請求項１】５４〜７５モル％のＦｅ2 Ｏ3 と、１０〜
３０モル％のＺｎＯと、１０〜２５モル％のＮｉＯと、
３〜１０モル％のＣｕＯを主成分とし、Ｚｎ／Ｎｉのモ
ル比が１〜１．５であって、かつ上記主成分１００重量
部に対し、０．１〜５重量部のＢｉ2 Ｏ3 と、０．１〜
５重量部のＭｏＯ3 を含有することを特徴とする高飽和
磁束密度フェライト材料。 - 【請求項２】請求項１に記載した高飽和磁束密度フェラ
イト材料を所定形状に形成してなるフェライトコア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20237896A JP3464100B2 (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 高飽和磁束密度フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20237896A JP3464100B2 (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 高飽和磁束密度フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1045415A true JPH1045415A (ja) | 1998-02-17 |
| JP3464100B2 JP3464100B2 (ja) | 2003-11-05 |
Family
ID=16456512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20237896A Expired - Fee Related JP3464100B2 (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 高飽和磁束密度フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3464100B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7311854B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-12-25 | Kyocera Corporation | Ferrite sintered body, manufacturing method thereof, ferrite core using same, and ferrite coil |
| CN105481359A (zh) * | 2015-11-27 | 2016-04-13 | 全椒君鸿软磁材料有限公司 | 一种高性能大功率软磁铁氧体磁芯材料的制备方法 |
| CN105481360A (zh) * | 2015-11-27 | 2016-04-13 | 全椒君鸿软磁材料有限公司 | 一种高饱和磁通密度软磁铁氧体磁芯材料的制备方法 |
| CN109336578A (zh) * | 2018-06-22 | 2019-02-15 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种NiCuZn铁氧体材料及其制备方法和用途 |
| CN114242371B (zh) * | 2021-12-27 | 2023-06-13 | 标旗磁电产品(佛冈)有限公司 | 一种镍锌铁氧体颗粒料及其制备方法和应用 |
-
1996
- 1996-07-31 JP JP20237896A patent/JP3464100B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7311854B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-12-25 | Kyocera Corporation | Ferrite sintered body, manufacturing method thereof, ferrite core using same, and ferrite coil |
| CN105481359A (zh) * | 2015-11-27 | 2016-04-13 | 全椒君鸿软磁材料有限公司 | 一种高性能大功率软磁铁氧体磁芯材料的制备方法 |
| CN105481360A (zh) * | 2015-11-27 | 2016-04-13 | 全椒君鸿软磁材料有限公司 | 一种高饱和磁通密度软磁铁氧体磁芯材料的制备方法 |
| CN109336578A (zh) * | 2018-06-22 | 2019-02-15 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种NiCuZn铁氧体材料及其制备方法和用途 |
| CN114242371B (zh) * | 2021-12-27 | 2023-06-13 | 标旗磁电产品(佛冈)有限公司 | 一种镍锌铁氧体颗粒料及其制备方法和应用 |
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|---|---|
| JP3464100B2 (ja) | 2003-11-05 |
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