JPH1036318A - ターフェニル誘導体および高分子分散型液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】機械的ストレスに強い高分子分散型液晶表示素
子が得られる化合物及び機械的ストレスに強い高分子分
散型液晶表示素子を提供する。 【解決手段】一般式 【化１】 （ｎ₂ は１〜１５の整数）で表される３’−フルオロ−
ｐ−ターフェニル誘導体、または、一般式 【化２】 （ｎ₄ は１〜１５の整数）で表される３’−フルオロ−
ｐ−ターフェニル誘導体、及び上記化合物を高分子前駆
体に用いて形成した高分子分散型液晶表示素子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は新規なターフェニル
誘導体および高分子分散型液晶表示素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、偏光板を用いない明るい液晶表示
素子として、液晶と高分子とを互いに分散させた高分子
分散型液晶表示素子が注目されている。この高分子分散
型液晶表示素子の動作原理は液晶と高分子との屈折率の
差を利用しており、電界印加により液晶と高分子の屈折
率が一致した場合には透過状態を示し、電界除去により
屈折率が相違した場合には散乱状態を示すことによる
（特表昭58-501631 参照。これをＮＣＡＰと呼ぶ。）。

【０００３】また、電界無印加時に透過し電界印加時に
散乱する逆のモードの液晶表示素子も開発されている
（Mol.Cryst.Liq.Cryst.,198,357,(1991) 参照。これを
リバースタイプと呼ぶ）。また、これらのモードについ
ては色素を混合することにより、視認性を向上させる方
法も提案されている。これらの液晶表示素子に用いられ
る高分子としてはメソーゲン基としてビフェニル誘導
体、フェニルベンゾエート誘導体、ベンゼン環とベンゼ
ン環をシッフ塩基で結合したもの、トラン誘導体をもつ
化合物等（特開平4-227684、特開平5-224187、ＷＯ 93/
08497 参照）が知られている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】これらの高分子を用い
た高分子分散型液晶表示素子は、外からの機械的ストレ
スに弱く、機械的ストレスを受けると不可逆的な表示不
良が起きやすいという問題があった。

【０００５】従って、本発明の目的は、外部からの機械
的ストレスに強い高分子分散型液晶表示素子を得るのに
適している新規化合物および外部からの機械的ストレス
に強い高分子分散型液晶表示素子を提供することにあ
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、一般式

【０００７】

【化４１】

【０００８】（式中、Ｙ₁₁、Ｙ₁₂、Ｙ₁₃、Ｙ₁₄、Ｙ₁₅、
Ｙ₁₆、Ｙ₁₇、Ｙ₁₈、Ｙ₁₉、Ｙ₂₀、Ｙ₂₁、Ｙ₂₂およびＹ₂₃
はそれぞれ水素原子またはフッ素原子を示すが、これら
のうち少なくとも１つはフッ素原子であり、ｎ₁ は１乃
至１５のうちのいずれかの整数を示す。）で表されるタ
ーフェニル誘導体が提供される。

【０００９】また、本発明によれば、一般式

【００１０】

【化４２】

【００１１】（式中、ｎ₂ は１乃至１５のうちのいずれ
かの整数を示す。）で表される３’−フルオロ−ｐ−タ
ーフェニル誘導体が提供される。

【００１２】さらに、また、本発明によれば、式

【００１３】

【化４３】

【００１４】で表される３’−フルオロ−ｐ−ターフェ
ニル−４−イルオキシエチル メタクリレートが提供さ
れる。

【００１５】また、本発明によれば、一般式

【００１６】

【化４４】

【００１７】（式中、Ｙ₃₁、Ｙ₃₂、Ｙ₃₃、Ｙ₃₄、Ｙ₃₅、
Ｙ₃₆、Ｙ₃₇、Ｙ₃₈、Ｙ₃₉、Ｙ₄₀、Ｙ₄₁、Ｙ₄₂およびＹ₄₃
はそれぞれ水素原子またはフッ素原子を示すが、これら
のうち少なくとも１つはフッ素原子であり、ｎ₃ は１乃
至１５のうちのいずれかの整数を示す。）で表されるタ
ーフェニル誘導体が提供される。

【００１８】さらに、また、本発明によれば、一般式

【００１９】

【化４５】

【００２０】（式中、ｎ₄ は１乃至１５のうちのいずれ
かの整数を示す。）で表される３’−フルオロ−ｐ−タ
ーフェニル誘導体が提供される。

【００２１】さらに、また、本発明によれば、式

【００２２】

【化４６】

【００２３】で表される３’−フルオロ−ｐ−ターフェ
ニル−４−イルエチル メタクリレートが提供される。

【００２４】これらの化合物（１）乃至（６）を、それ
ぞれ、高分子前駆体として用い、あるいは高分子前駆体
の一部として用いて、液晶および高分子を含有する調光
層を有する高分子分散型液晶表示素子を形成すると、外
部からの機械的ストレスに強い高分子分散型液晶表示素
子を得ることができる。

【００２５】本発明によれば、また、液晶と高分子が互
いに配向しかつ分散した高分子分散型液晶を電極間に設
けた高分子分散型液晶表示素子において、前記高分子を
形成する前駆体の少なくとも一部に、一般式Ａ₁₁−Ａ₂₁
−Ｘ₁₁、Ａ₁₁−Ａ₂₁−Ｘ₁₂−Ａ₁₂およびＡ₁₁−Ａ₂₁−Ｘ
₁₂−Ａ₂₂−Ａ₁₂（式中、Ａ₁₁およびＡ₁₂はそれぞれ重合
部を有する官能基を示し、Ａ₂₁およびＡ₂₂はそれぞれス
ペーサを示し、Ｘ₁₁およびＸ₁₂はそれぞれメソーゲン基
を示す。）で表される化合物を少なくとも１成分用いる
ことによって、一般式Ａ₃₁−Ａ₂₁−Ｘ₁₁、Ａ₃₁−Ａ₂₁−
Ｘ₁₂−Ａ₃₂およびＡ₃₁−Ａ₂₁−Ｘ₁₂−Ａ₂₂−Ａ₃₂（式
中、Ａ₃₁およびＡ₃₂はそれぞれ官能基Ａ₁₁およびＡ₁₂が
それぞれ重合反応を起こした後の基を示し、Ａ₂₁および
Ａ₂₂はそれぞれスペーサを示し、Ｘ₁₁およびＸ₁₂はそれ
ぞれメソーゲン基を示す。）で表される構成要素のうち
の少なくとも１つを前記高分子中の少なくとも一部分に
存在させたことを特徴とする高分子分散型液晶表示素子
が提供される。

【００２６】このように、スペーサを有する高分子前駆
体を使用することによって、高分子が柔らかくなり、外
部からの機械的ストレスに強い高分子分散型液晶表示素
子が得られる。

【００２７】なお、好ましくは、前記一般式Ａ₁₁−Ａ₂₁
−Ｘ₁₁、Ａ₁₁−Ａ₂₁−Ｘ₁₂−Ａ₁₂またはＡ₁₁−Ａ₂₁−Ｘ
₁₂−Ａ₂₂−Ａ₁₂で表される化合物が、前記一般式Ａ₁₁−
Ａ₂₁−Ｘ₁₁で表される化合物であり、前記一般式Ａ₃₁−
Ａ₂₁−Ｘ₁₁、Ａ₃₁−Ａ₂₁−Ｘ₁₂−Ａ₃₂またはＡ₃₁−Ａ₂₁
−Ｘ₁₂−Ａ₂₂−Ａ₃₂で表される構成要素が、前記一般式
Ａ₃₁−Ａ₂₁−Ｘ₁₁で表される構成要素である。

【００２８】また、上記液晶と高分子が互いに配向しか
つ分散した高分子分散型液晶を電極間に設けた高分子分
散型液晶表示素子は、前記電極上に配向膜をそれぞれ形
成し、前記高分子分散型液晶を、高分子を形成する前駆
体と液晶組成物とを混合した液晶性混合材料から高分子
を析出させて液晶と高分子とを相分離して形成した高分
子分散型液晶から構成することによって好ましく形成さ
れる。

【００２９】好ましくは、前記スペーサＡ₂₁およびＡ₂₂
が、それぞれ、一般式

【００３０】

【化４７】

【００３１】および

【００３２】

【化４８】

【００３３】（式中、Ｘ₁ 、Ｘ₂ およびＸ₃ はそれぞれ
ＯまたはＳを示し、ｍ₁₁、ｍ₁₂およびｍ₁₃はそれぞれ０
または１であり、ｍ₂₁およびｍ₂₂はそれぞれ１乃至１０
のうちのいずれかの整数を示し、ｎ₅ は１乃至１５のう
ちのいずれかの整数を示す。）で表される基のうちのい
ずれかの基である。

【００３４】また、好ましくは、前記メソーゲン基Ｘ₁₁
が、一般式

【００３５】

【化４９】

【００３６】および

【００３７】

【化５０】

【００３８】（式中、Ｂ₁₁は、

【００３９】

【化５１】

【００４０】、単結合、酸素原子、硫黄原子、メチレン
基およびプロパン−２，２−ジイル基のうちのいずれか
を示し、Ｙ₅₁、Ｙ₅₂およびＹ₅₃は、それぞれ、フッ素原
子、塩素原子、メチル基およびニトリル基のうちのいず
れかを示し、ｎ₅₁およびｎ₅₃はそれぞれ１乃至４のうち
のいずれかの整数を示し、ｎ₅₂は１乃至５のうちのいず
れかの整数を示し、

【００４１】

【化５２】

【００４２】は、フェニレン基の２、３、５、６のうち
の任意の位置に、合計ｎ₅₁個のＹ₅₁が結合していること
を示し、

【００４３】

【化５３】

【００４４】は、フェニレン基の２、３、４、５、６の
うちの任意の位置に、合計ｎ₅₂個のＹ₅₂が結合している
ことを示し、

【００４５】

【化５４】

【００４６】は、フェニレン基の２、３、５、６のうち
の任意の位置に、合計ｎ₅₃個のＹ₅₃が結合していること
を示す。）で表される基のうちのいずれかの基であり、
前記メソーゲン基Ｘ₁₂が、一般式

【００４７】

【化５５】

【００４８】および

【００４９】

【化５６】

【００５０】（式中、Ｂ₂₁は、

【００５１】

【化５７】

【００５２】、単結合、酸素原子、硫黄原子、メチレン
基およびプロパン−２，２−ジイル基のうちのいずれか
を示し、Ｙ₆₁、Ｙ₆₂およびＹ₆₃は、それぞれ、フッ素原
子、塩素原子、メチル基およびニトリル基のうちのいず
れかを示し、ｎ₆₁、ｎ₆₂およびｎ₆₃はそれぞれ１乃至４
のうちのいずれかの整数を示し、

【００５３】

【化５８】

【００５４】は、それぞれ、フェニレン基の２、３、
５、６のうちの任意の位置に、合計ｎ₆₁個のＹ₆₁が結合
していることを示し、

【００５５】

【化５９】

【００５６】は、フェニレン基の２、３、５、６のうち
の任意の位置に、合計ｎ₆₂個のＹ₆₂が結合していること
を示し、

【００５７】

【化６０】

【００５８】は、フェニレン基の２、３、５、６のうち
の任意の位置に、合計ｎ₆₃個のＹ₆₃が結合していること
を示す。）で表される基のうちのいずれかの基である。

【００５９】また、好ましくは、前記Ａ₁₁およびＡ
₁₂が、それぞれ、式

【００６０】

【化６１】

【００６１】および

【００６２】

【化６２】

【００６３】で表される基のうちのいずれかの基を示
し、Ａ３１およびＡ３２が、それぞれ、式

【００６４】

【化６３】

【００６５】および

【００６６】

【化６４】

【００６７】で表される基のうちのいずれかの基を示
す。

【００６８】また、好ましくは、式（７）において、Ｘ
₁ 、Ｘ₂ およびＸ₃ がそれぞれＯを示し、ｍ₁₁、ｍ₁₂お
よびｍ₁₃はそれぞれ０または１であり、ｍ₂₁およびｍ₂₂
はそれぞれ１乃至７のうちのいずれかの整数を示し、ｎ
₅ は１乃至７のうちのいずれかの整数を示す。

【００６９】また、好ましくは、前記スペーサＡ₂₁およ
びＡ₂₂が、それぞれ、一般式

【００７０】

【化６５】

【００７１】および

【００７２】

【化６６】

【００７３】（式中、ｎ₅ は１乃至７のうちのいずれか
の整数を示す。）で表される基のうちのいずれかの基で
ある。

【００７４】また、式（８）、（９）において、好まし
くは、前記Ｂ₁₁が、

【００７５】

【化６７】

【００７６】および単結合のうちのいずれかを示し、前
記Ｙ₅₁、Ｙ₅₂およびＹ₅₃は、それぞれ、フッ素原子また
はメチル基を示し、また、式（１０）、（１１）におい
て、好ましくは、前記、Ｂ₂₁が、

【００７７】

【化６８】

【００７８】および単結合のうちのいずれかを示し、前
記Ｙ₆₁、Ｙ₆₂およびＹ₆₃は、それぞれ、フッ素原子また
はメチル基を示す。

【００７９】この場合に、さらに好ましくは、前記
ｎ₅₁、ｎ₅₂、ｎ₅₃、ｎ₆₁、ｎ₆₂およびｎ₆₃がそれぞれ１
である。

【００８０】また、本発明によれば、液晶及び高分子を
含有する調光層を電極間に設けた高分子分散型液晶表示
素子において、前記高分子を形成する前駆体の少なくと
も一部に、一般式

【００８１】

【化６９】

【００８２】で表されるターフェニル誘導体を用いるこ
とによって、一般式

【００８３】

【化７０】

【００８４】で表される構成要素を前記高分子中の少な
くとも一部分に存在させた（式中、Ｙ₁₁、Ｙ₁₂、Ｙ₁₃、
Ｙ₁₄、Ｙ₁₅、Ｙ₁₆、Ｙ₁₇、Ｙ₁₈、Ｙ₁₉、Ｙ₂₀、Ｙ₂₁、Ｙ
₂₂およびＹ₂₃はそれぞれ水素原子またはフッ素原子を示
すが、これらのうち少なくとも１つはフッ素原子であ
り、ｎ₁ は１乃至１５のうちのいずれかの整数を示
す。）ことを特徴とする高分子分散型液晶表示素子が提
供され、この高分子分散型液晶表示素子は、外部からの
機械的ストレスに強い。

【００８５】また、本発明によれば、液晶及び高分子を
含有する調光層を電極間に設けた高分子分散型液晶表示
素子において、前記高分子を形成する前駆体の少なくと
も一部に、一般式

【００８６】

【化７１】

【００８７】（式中、ｎ₂ は１乃至１５のうちのいずれ
かの整数を示す。）で表される３’−フルオロ−ｐ−タ
ーフェニル誘導体を用いることによって、一般式

【００８８】

【化７２】

【００８９】（式中、ｎ₂ は１乃至１５のうちのいずれ
かの整数を示す。）で表される構成要素を前記高分子中
の少なくとも一部分に存在させたことを特徴とする高分
子分散型液晶表示素子が提供され、この高分子分散型液
晶表示素子は、外部からの機械的ストレスに強い。

【００９０】また、本発明によれば、液晶及び高分子を
含有する調光層を電極間に設けた高分子分散型液晶表示
素子において、前記高分子を形成する前駆体の少なくと
も一部に、式

【００９１】

【化７３】

【００９２】で表される３’−フルオロ−ｐ−ターフェ
ニル−４−イルオキシエチル メタクリレートを用いる
ことによって、式

【００９３】

【化７４】

【００９４】で表される構成要素を前記高分子中の少な
くとも一部分に存在させたことを特徴とする高分子分散
型液晶表示素子が提供され、この高分子分散型液晶表示
素子は、外部からの機械的ストレスに強い。

【００９５】また、本発明によれば、液晶及び高分子を
含有する調光層を電極間に設けた高分子分散型液晶表示
素子において、前記高分子を形成する前駆体の少なくと
も一部に、一般式

【００９６】

【化７５】

【００９７】で表されるターフェニル誘導体を用いるこ
とによって、一般式

【００９８】

【化７６】

【００９９】で表される構成要素を前記高分子中の少な
くとも一部分に存在させた（式中、Ｙ₃₁、Ｙ₃₂、Ｙ₃₃、
Ｙ₃₄、Ｙ₃₅、Ｙ₃₆、Ｙ₃₇、Ｙ₃₈、Ｙ₃₉、Ｙ₄₀、Ｙ₄₁、Ｙ
₄₂およびＹ₄₃はそれぞれ水素原子またはフッ素原子を示
すが、これらのうち少なくとも１つはフッ素原子であ
り、ｎ₃ は１乃至１５のうちのいずれかの整数を示
す。）ことを特徴とする高分子分散型液晶表示素子が提
供され、この高分子分散型液晶表示素子は、外部からの
機械的ストレスに強い。

【０１００】また、本発明によれば、液晶及び高分子を
含有する調光層を電極間に設けた高分子分散型液晶表示
素子において、前記高分子を形成する前駆体の少なくと
も一部に、一般式

【０１０１】

【化７７】

【０１０２】（式中、ｎ₄ は１乃至１５のうちのいずれ
かの整数を示す。）で表される３’−フルオロ−ｐ−タ
ーフェニル誘導体を用いることによって、一般式

【０１０３】

【化７８】

【０１０４】（式中、ｎ₄ は１乃至１５のうちのいずれ
かの整数を示す。）で表される構成要素を前記高分子中
の少なくとも一部分に存在させたことを特徴とする高分
子分散型液晶表示素子が提供され、この高分子分散型液
晶表示素子は、外部からの機械的ストレスに強い。

【０１０５】また、本発明によれば、液晶及び高分子を
含有する調光層を電極間に設けた高分子分散型液晶表示
素子において、前記高分子を形成する前駆体の少なくと
も一部に、式

【０１０６】

【化７９】

【０１０７】で表される３’−フルオロ−ｐ−ターフェ
ニル−４−イルエチル メタクリレートを用いることに
よって、式

【０１０８】

【化８０】

【０１０９】で表される構成要素を前記高分子中の少な
くとも一部分に存在させたことを特徴とする高分子分散
型液晶表示素子が提供され、この高分子分散型液晶表示
素子は、外部からの機械的ストレスに強い。

【０１１０】上記化合物（１）乃至（６）を高分子前駆
体として用いて形成した高分子分散型液晶表示素子は、
前記調光層が、液晶及び高分子を互いに配向分散させた
高分子分散型液晶から構成されている場合に特に好まし
く適用される。

【０１１１】そして、この調光層が液晶及び高分子を互
いに配向分散させた高分子分散型液晶から構成されてい
る高分子分散型液晶表示素子は、前記電極上に配向膜を
それぞれ形成し、前記調光層を、高分子を形成する前駆
体と液晶組成物とを混合した液晶性混合材料から高分子
を析出させて液晶と高分子とを相分離して形成した高分
子分散型液晶から構成することによって好ましく形成さ
れる。

【０１１２】なお、一般式

【０１１３】

【化８１】

【０１１４】（式中、ｎ₂ は１乃至１５のうちのいずれ
かの整数を示す。）で表される３’−フルオロ−ｐ−タ
ーフェニル誘導体（化合物２）は、次の工程を経ること
によって製造することができる。

【０１１５】

【化８２】

【０１１６】工程１） テトラヒドロフランに溶かした
４−ブロモアニソール（化合物１２）とマグネシウムに
よりグリニヤール試薬を調製する。その後、このグリニ
ヤール試薬とテトラヒドロフランに溶かしたほう酸トリ
イソプロピルを反応させて４−メトキシフェニルほう酸
（化合物１３）を得る。

【０１１７】工程２） 炭酸ナトリウム水溶液、ベンゼ
ンおよびテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム
と混合された４−ブロモ−２−フルオロビフェニル（化
合物１４）とエタノールに溶かした４−メトキシフェニ
ルほう酸（化合物１３）とを反応させて３’−フルオロ
−４−メトキシ−ｐ−ターフェニル（化合物１５）を得
る。

【０１１８】工程３） ３’−フルオロ−４−メトキシ
−ｐ−ターフェニル（化合物１５）、臭化水素酸および
酢酸９０から３’−フルオロ−４−ヒドロキシ−ｐ−タ
ーフェニル（化合物１６）を得る。

【０１１９】工程４） 水酸化カリウムおよびジメチル
スルホキシドと混合された３’−フルオロ−４−ヒドロ
キシ−ｐ−ターフェニル（化合物１６）と、化合物１７
とを反応させて化合物１９を得る。

【０１２０】工程５） クロロホルムおよびトリエチル
アミンと混合された化合物１９と塩化メタクリロイル
（化合物２１）とを反応させて、本発明の３’−フルオ
ロ−ｐ−ターフェニル誘導体（化合物２）を得る。

【０１２１】また、一般式

【０１２２】

【化８３】

【０１２３】（式中、ｎ₄ は１乃至１５のうちのいずれ
かの整数を示す。）で表される３’−フルオロ−ｐ−タ
ーフェニル誘導体（化合物５）は、次の工程を経ること
によって製造することができる。

【０１２４】

【化８４】

【０１２５】工程１） 水酸化ナトリウムおよびジメチ
ルスルホキシドの存在下でベンジルアルコール（化合物
２２）と化合物２３とを反応させて、化合物２５を得
る。

【０１２６】工程２） マグネシウムとテトラヒドロフ
ランに溶かしたジブロモベンゼン（化合物２７）により
グリニヤール試薬（化合物２８）を調製する。

【０１２７】工程３） 化合物２５をテトラヒドロフラ
ンに溶解し、その中に、ビス（１，３−ジフェニルフォ
スフィノプロパン）ニッケルクロリドを加え、さらに、
グリニヤール試薬（化合物２８）を加えて化合物２９を
得る。

【０１２８】工程４） マグネシウムとテトラヒドロフ
ランに溶かした化合物２９によりグリニヤール試薬を調
製する。その後、テトラヒドロフラン５ｍｌに溶かした
ほう酸トリイソプロピルとこのグリニヤール試薬とを反
応させて、化合物３１を得る。

【０１２９】工程５） 炭酸ナトリウム水溶液、ベンゼ
ンおよびテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム
と混合された４−ブロモ−２−フルオロビフェニル（化
合物３３）と、エタノールに溶かした化合物３１とを反
応させて、化合物３４を得る。

【０１３０】工程６） 化合物３４、エタノールおよび
Ｐｄ／Ｃを混合したものに、水素ガスを通じて反応さ
せ、化合物３６を得る。

【０１３１】工程７） クロロホルムおよびトリエチル
アミンと混合された化合物３６と塩化メタクリロイル
（化合物２１）とを反応させて、本発明の化合物３’−
フルオロ−ｐ−ターフェニル誘導体（化合物５）を得
る。

【０１３２】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明する。

【０１３３】（実施例１） ３’−フルオロ−ｐ−ターフェニル−４−イルオキシエ
チル メタクリレート（化合物３）の合成。

【０１３４】

【化８５】

【０１３５】工程１） 窒素置換したフラスコ中にマグ
ネシウム２．０ｇを入れ、マグネチックスターラーで攪
拌しながら４−ブロモアニソール（化合物１２）１２．
５ｇをテトラヒドロフラン１００ｍｌに溶かした溶液を
ゆっくり滴下した。発熱して反応が進むのを確認した
後、１５時間攪拌を続けグリニヤール試薬を調製した。
新たに用意したフラスコを窒素置換し、その中へテトラ
ヒドロフラン１０ｍｌにほう酸トリイソプロピル２５ｇ
を溶かした溶液を入れ、そこへグリニヤール試薬を滴下
し２０時間攪拌した。反応液をクロロホルムで抽出し水
で３回洗浄した後、クロロホルムを留去した。残留物を
メタノールと水の混合溶媒中から再結晶して４−メトキ
シフェニルほう酸（化合物１３）５．８ｇを得た。

【０１３６】工程２） 窒素置換したフラスコ中に２Ｍ
炭酸ナトリウム水溶液３７ｍｌとベンゼン４７ｍｌを入
れ、さらに４−ブロモ−２−フルオロビフェニル（化合
物１４）６．６ｇ及びテトラキストリフェニルホスフィ
ンパラジウム０．３ｇを入れる。そこへエタノール３０
ｍｌに４−メトキシフェニルほう酸４ｇを溶かした溶液
を滴下し、５時間還流する。反応液をクロロホルムで抽
出して水洗した後、クロロホルムを留去する。残留物を
クロロホルムを展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製
した後、アセトン中から再結晶して、３’−フルオロ−
４−メトキシ−ｐ−ターフェニル（化合物１５）５ｇを
得た。この化合物の融点は１３０．５℃であった。

【０１３７】工程３） なす型フラスコに３’−フルオ
ロ−４−メトキシ−ｐ−ターフェニル（化合物１５）５
ｇ、臭化水素酸９ｍｌ、酢酸９０ｍｌを入れ１２時間還
流する。反応液を室温まで冷却した後、濾過して水洗す
る。得られた結晶をアセトン中から再結晶して、３’−
フルオロ−４−ヒドロキシ−ｐ−ターフェニル（化合物
１６）２．９ｇを得た。

【０１３８】工程４） フラスコに３’−フルオロ−４
−ヒドロキシ−ｐ−ターフェニル（化合物１６）２．９
ｇ、水酸化カリウム１．２ｇ、ジメチルスルホキシド２
８ｍｌを入れ、６５℃に加熱する。その後、２−クロロ
エタノール（化合物１８）１．１ｇを滴下し、６５℃で
１８時間撹拌する。反応液を冷却後、水を注ぎ析出した
結晶を濾過し、水洗する。得られた結晶をアセトン中か
ら再結晶して、３’−フルオロ−４−ヒドロキシエトキ
シ−ｐ−ターフェニル（化合物２０）２．５ｇを得た。

【０１３９】工程５） 窒素置換したフラスコ中にクロ
ロホルム１３ｍｌ、３’−フルオロ−４−ヒドロキシエ
トキシ−ｐ−ターフェニル（化合物２０）２．５ｇ、ト
リエチルアミン１．７ｍｌを入れ、４０℃の湯浴中であ
たためて完全に溶解させる。そこへ蒸留精製した塩化メ
タクリロイル（化合物２１）１．１ｍｌをゆっくり滴下
し、３時間攪拌反応を続ける。反応液をｄｉｌ．ＨＣｌ
ａｑ．、飽和ＮａＨＣＯ３ａｑ．、水で洗浄した後、重
合防止のためメタノールを入れてクロロホルムとメタノ
ールを留去する。留去中結晶が現れてきたら取り出し、
メタノールを入れて再結晶する。さらに生成物をクロロ
ホルムを展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製して、
本実施例の化合物３’−フルオロ−ｐ−ターフェニル−
４−イルオキシエチル メタクリレート（化合物３）
２．３ｇを得た。

【０１４０】（実施例２） ３’−フルオロ−ｐ−ターフェニル−４−イルエチル
メタクリレート（化合物６）の合成。

【０１４１】

【化８６】

【０１４２】工程１） フラスコにベンジルアルコール
（化合物２２）４．５ｇ、ジブロモエタン（化合物２
４）７．８ｇ、水酸化ナトリウム２．５ｇ、ジメチルス
ルホキシド５０ｍｌを入れ、１００℃で３時間撹拌し
た。反応液を冷却後、水中へ注ぎ、クロロホルムで抽出
する。その後水洗し、クロロホルムを留去し、残留物を
減圧蒸留し、１−ブロモ−２−ベンジルオキシエタン
（化合物２６）３．２ｇを得た。

【０１４３】工程２） 窒素置換したフラスコ中にマグ
ネシウム０．４ｇを入れ、マグネチックスターラーで攪
拌しながらジブロモベンゼン（化合物２７）４．０ｇを
テトラヒドロフラン２５ｍｌに溶かした溶液をゆっくり
滴下した。発熱して反応が進むのを確認した後、１５時
間攪拌を続けグリニヤール試薬（化合物２８）を調製し
た。

【０１４４】工程３） 窒素雰囲気中、フラスコへ１−
ブロモ−２−ベンジルオキシエタン（化合物２６）３．
２ｇを取り、テトラヒドロフラン３０ｍｌに溶解し、そ
の中に、ビス（１，３−ジフェニルフォスフィノプロパ
ン）ニッケルクロリド０．１ｇを加えて撹拌する。その
中へ、工程２で調整したグリニヤール試薬（化合物２
８）を滴下し、１晩室温で撹拌する。その後反応液を塩
酸と氷の混合中に注ぎクロロホルムで抽出後水洗をす
る。クロロホルムを留去後、残留物を減圧蒸留し、４−
ベンジルオキシエチル−１−ブロモベンゼン（化合物３
０）２．１ｇを得た。

【０１４５】工程４） 窒素置換したフラスコ中にマグ
ネシウム０．２ｇを入れ、マグネチックスターラーで攪
拌しながら４−ベンジルオキシエチル−１−ブロモベン
ゼン（化合物３０）２．１ｇをテトラヒドロフラン２０
ｍｌに溶かした溶液をゆっくり滴下した。発熱して反応
が進むのを確認した後、１５時間攪拌を続けグリニヤー
ル試薬を調製した。新たに用意したフラスコを窒素置換
し、その中へテトラヒドロフラン５ｍｌにほう酸トリイ
ソプロピル２．５ｇを溶かした溶液を入れ、そこへグリ
ニヤール試薬を滴下し２０時間攪拌した。反応液をクロ
ロホルムで抽出し水で３回洗浄した後、クロロホルムを
留去した。残留物をメタノールと水の混合溶媒中から再
結晶して４−ベンジルオキシエチルフェニルほう酸（化
合物３２）１．５ｇを得た。

【０１４６】工程５） 窒素置換したフラスコ中に２Ｍ
炭酸ナトリウム水溶液１０ｍｌとベンゼン１２ｍｌを入
れ、さらに４−ブロモ−２−フルオロビフェニル（化合
物３３）１．５ｇ及びテトラキストリフェニルホスフィ
ンパラジウム０．１ｇを入れる。そこへエタノール１５
ｍｌに４−ベンジルオキシエチルフェニルほう酸（化合
物３２）１．５ｇを溶かした溶液を滴下し、５時間還流
する。反応液をクロロホルムで抽出して水洗した後、ク
ロロホルムを留去する。残留物をクロロホルムを展開溶
媒とするシリカゲルカラムで精製した後、アセトン中か
ら再結晶して、３’−フルオロ−４−ベンジルオキシエ
チル−ｐ−ターフェニル（化合物３５）１．８ｇを得
た。

【０１４７】工程６） フラスコに３’−フルオロ−４
−ベンジルオキシエチル−ｐ−ターフェニル（化合物３
５）１．８ｇ、エタノール１００ｍｌをとり、フラスコ
内を窒素置換してから５％Ｐｄ／Ｃ０．３ｇを加える。
フラスコを６０℃に加熱し、激しく撹拌しながら水素ガ
スを４時間通じた。反応終了後Ｐｄ／Ｃを濾別した後、
エタノールを留去した。得られた結晶をメタノールから
再結晶し、３’−フルオロ−４−ヒドロキシエチル−ｐ
−ターフェニル（化合物３７）１．１ｇを得た。

【０１４８】工程７） 窒素置換したフラスコ中にクロ
ロホルム６ｍｌ、３’−フルオロ−４−ヒドロキシエチ
ル−ｐ−ターフェニル（化合物３７）１．１ｇ、トリエ
チルアミン０．８ｍｌを入れ、４０℃の湯浴中であたた
めて完全に溶解させる。そこへ蒸留精製した塩化メタク
リロイル（化合物２１）０．６ｍｌをゆっくり滴下し、
３時間攪拌反応を続ける。反応液をｄｉｌ．ＨＣｌａ
ｑ．、飽和ＮａＨＣＯ₃ａｑ． 、水で洗浄した後、重合
防止のためメタノールを入れてクロロホルムとメタノー
ルを留去する。留去中結晶が現れてきたら取り出し、メ
タノールを入れて再結晶する。さらに生成物をクロロホ
ルムを展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製して、本
実施例の化合物３’−フルオロ−ｐ−ターフェニル−４
−イルエチル メタクリレート（化合物６）１．３ｇを
得た。

【０１４９】（実施例３） ２−ビフェニル−４’−イルエチル メタクリレートの
合成。

【０１５０】

【化８７】

【０１５１】工程１） フラスコに４−ビフェノール
（化合物３８）５ｇ、水酸化カリウム３．０ｇ、ジメチ
ルスルホキシド８０ｍｌを入れ、６５℃で加熱攪拌し
た。その後、２−クロロエタノール（化合物１８）２．
８ｇを滴下し、６５℃で２０時間攪拌した。反応終了
後、反応液を水中へ注ぎ析出した結晶を濾過し、水洗し
た。得られた結晶をアセトンとメタノールの混合溶媒中
より再結晶し、２−ビフェニル−４’−イルエタノール
（化合物３９）３．５ｇを得た。

【０１５２】工程２） 窒素置換したフラスコ中にクロ
ロホルム３０ｍｌ、２−ビフェニル−４’−イルエタノ
ール（化合物３９）３．５ｇ、トリエチルアミン４．０
ｍｌを入れ、攪拌する。そこへ蒸留精製した塩化メタク
リロイル（化合物２１）２．５ｍｌをゆっくり滴下し、
５時間攪拌を続ける。反応液をdil.ＨＣｌaq.、 飽和Ｎ
ａＨＣＯ₃aq.、水で洗浄した後、重合防止のためメタノ
ールを入れてクロロホルムとメタノールを留去する。留
去中結晶が現れてきたら取り出して、さらにメタノール
を入れて再結晶すると本実施例の化合物２−ビフェニル
−４’−イルエチル メタクリレート（化合物４０）
２．３ｇを得た。この化合物の融点は７３℃であった。

【０１５３】（実施例４乃至実施例６）図１に示すよう
にガラス基板１及び２の上に透明電極膜（例えばＩＴＯ
膜）からなる電極３を形成し、この上にポリイミド等よ
りなる配向膜を塗布する。次にラビングして配向制御層
４を形成し、さらにガラス基板１及び２をシール剤５を
介して対向配置して空パネルを作成した。そしてこの空
パネルのガラス基板間に以下に示す液晶性混合材料をそ
れぞれ注入し、ＴＮ型の液晶表示セルを作成した。な
お、セルギャップは５μｍとした。

【０１５４】本実施例では、液晶としてＴＬ２０２とＭ
Ｊ９１２６１（ともにメルク社製）、カイラル成分とし
てＳ−１０１１（メルク社製）、２色性色素としてＳ−
３４４（三井東圧染料社製）、高分子前駆体として実施
例１、２および３の化合物ならびに既存化合物のビフェ
ニル−４−イル メタクリレートをそれぞれ用いた。

【０１５５】液晶ＴＬ２０２と液晶ＭＪ９１２６１を
８：２（重量比）で混合した混合物を９０．９重量％、
Ｓ−１０１１を０．５重量％、Ｓ−３４４を３．６重量
％を混合したものをベース液晶組成物とし、さらにその
ベース液晶組成物に本発明の実施例１の化合物３’−フ
ルオロ−ｐ−ターフェニル−４−イルオキシエチル メ
タクリレートを高分子前駆体として単独で５重量％混合
した液晶性混合材料ａ、ベース液晶組成物に本発明の実
施例２の化合物３’−フルオロ−ｐ−ターフェニル−４
−イルエチル メタクリレートを高分子前駆体として単
独で５重量％混合した液晶性混合材料ｂ、ベース液晶組
成物に本発明の実施例３の化合物２−ビフェニル−４’
−イルエチル メタクリレートを高分子前駆体として単
独で５重量％混合した液晶性混合材料ｃ、およびベース
液晶組成物に既存化合物のビフェニル−４−イル メタ
クリレートを高分子前駆体として単独で５重量％混合し
た液晶性混合材料ｄをそれぞれ調整した。

【０１５６】これらの液晶性混合材料を前述した空パネ
ルにそれぞれ封入して、紫外線照射で高分子前駆体を光
重合して液晶と高分子を相分離させて、液晶性混合材料
ａを使用した液晶表示素子Ａ（実施例３）と、液晶性混
合材料ｂを使用した液晶表示素子Ｂ（実施例４）と液晶
性混合材料ｃを使用した液晶表示素子Ｃ（実施例５）と
液晶性混合材料ｄを使用した液晶表示素子Ｄ（比較例）
とを作成した。

【０１５７】この液晶表示素子Ａ、Ｂ、ＣおよびＤは、
それぞれ図１に示すようになっており、液晶７と高分子
８とが互いに配向分散されている。図１には、２枚のガ
ラス基板１、２間に挟持された粒子状あるいは連続した
粒子状高分子８の概略の配置が示されている。粒子状あ
るいは連続した粒子状の高分子８は、光学活性物質の影
響で基板間ではツイスト状、あるいはらせん状にねじら
れて配向、配置している。高分子粒子は単独でも連続し
てつながっていてもよく、また、一部分に液晶しか含有
されていない部分があってもよい。調光層の中では、光
学活性物質によりらせん状にねじられた配向状態をして
いる高分子８の影響により、電極間に電界が印加されて
いない場合には、液晶分子７、二色性色素分子６は、ら
せん状にねじられた配向をする。そのため、調光層に入
射した光は、らせん状配向した二色性色素６にほとんど
すべての偏光方向の光が吸収され、その強度を減少す
る。電極間に電界が印加されると、その電界が作用する
範囲の液晶分子７は電界の方向に配向し、それにつられ
て二色性色素６も電界方向に配向するため、二色性色素
６による光の吸収はほとんど起こらない。しかし、らせ
ん状にねじられた配向状態の高分子８は、ほとんどその
位置を変化させない。そのため、液晶７と高分子粒子８
との間に屈折率の差が生じ、入射した光は散乱される。

【０１５８】上記のようにして作製した液晶表示素子
Ａ、Ｂ、ＣおよびＤをそれぞれ図２に示したような光学
系に配置して、１ＫＨ_Zの短形波で波高値を変化させた
信号を印加し、電圧を変化させながら反射率を測定し、
最小反射率、最大反射率、しきい値電圧（最小反射率か
ら最大反射率へ５％変化したときの電圧値、以下Ｖthと
表す）、飽和電圧（最小反射率から最大反射率へ９５％
変化したときの電圧値、以下Ｖsat と表す）を測定し
た。また応答速度として電圧をＯＮ（この時の印加電圧
はＶth）にして反射率が９５％増加するまでに要した時
間（立ち上がり速度）と、電圧をＯＦＦにして反射率が
９５％減少した時間（立ち下がり速度）を測定した。反
射率は素子の代わりに白色上質紙を配置した場合の反射
率を１００％とした。なお、測定はセル温度２０℃で行
った。

【０１５９】測定にあたっては、図２に示すように、表
示素子１０の背面に反射性背景板９を設け、表示素子１
０表面への法線から７０゜傾いた方向の光源１１から光
を入射して、法線方向への反射光強度を結像用レンズ１
２および光電子増倍管１３を使用して反射率を測定し
た。ただし、表示素子１０に反射電極を使用する場合に
は反射性背景板９を設ける必要はない。

【０１６０】ところで、素子の反射率はパネルへの入射
角度を一定にしても光の入射方向により反射率の値が変
わるという素子の回転による視角依存性があることが、
すでに調べられている。したがって測定条件を合わせる
ために、ここで示した反射率は最も反射率が大きくなる
入射角度でパネルを固定したときの値を用いた。

【０１６１】またパネルを先の細い固い物で押した時の
強さ（不可逆的な表示不良が起きないこと）を○（良
好）、◎（大変良好）で表した。

【０１６２】このようにして、表１のとおりの液晶表示
素子の測定結果を得た。

【０１６３】

【表１】

【０１６４】以上の実施例より、スペーサを有する高分
子前駆体を使用することによって、外部からの機械的ス
トレスに強い高分子分散型液晶表示素子が得られたこと
がわかる。

【０１６５】なお、上記の実施例においてはＴＮ型の液
晶表示セルを用いたが、ＭＩＭ素子、ＴＦＴ素子などを
用いたアクティブ駆動型の液晶表示素子の場合にも同様
な効果が得られる。

【０１６６】また、用いる高分子の前駆体としては、本
発明の化合物と他の光重合性の高分子前駆体とを混合し
て用いることもできる。

【０１６７】

【発明の効果】以上述べたように、本発明の化合物を用
いることにより、外部からの機械的ストレスに強い高分
子分散型液晶表示素子を作製することが可能となる。

【０１６８】また、本発明の高分子分散型液晶表示素子
を用いることによって、外部からの機械的ストレスに強
い高分子分散型液晶表示装置を作製することが可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例の高分子分散型表示素子を説明
するための断面図である。

【図２】本発明の実施例における高分子分散型液晶表示
素子の電気光学特性を測定した際の光学系を示す図であ
る。

【符号の説明】

１、２…ガラス基板 ３…電極 ４…配向制御層 ５…シール剤 ６…色素 ７…液晶 ８…高分子 ９…反射性背景板 １０…表示素子 １１…光源 １２…結像用レンズ １３…光電子増倍管

フロントページの続き (72)発明者 飯坂 英仁 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 小林 英和 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 土屋 豊 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内

Claims (23)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一般式 【化１】 （式中、Ｙ₁₁、Ｙ₁₂、Ｙ₁₃、Ｙ₁₄、Ｙ₁₅、Ｙ₁₆、Ｙ₁₇、
   Ｙ₁₈、Ｙ₁₉、Ｙ₂₀、Ｙ₂₁、Ｙ₂₂およびＹ₂₃はそれぞれ水
   素原子またはフッ素原子を示すが、これらのうち少なく
   とも１つはフッ素原子であり、ｎ₁ は１乃至１５のうち
   のいずれかの整数を示す。）で表されるターフェニル誘
   導体。
2. 【請求項２】一般式 【化２】 （式中、ｎ₂ は１乃至１５のうちのいずれかの整数を示
   す。）で表される３’−フルオロ−ｐ−ターフェニル誘
   導体。
3. 【請求項３】式 【化３】 で表される３’−フルオロ−ｐ−ターフェニル−４−イ
   ルオキシエチル メタクリレート。
4. 【請求項４】一般式 【化４】 （式中、Ｙ₃₁、Ｙ₃₂、Ｙ₃₃、Ｙ₃₄、Ｙ₃₅、Ｙ₃₆、Ｙ₃₇、
   Ｙ₃₈、Ｙ₃₉、Ｙ₄₀、Ｙ₄₁、Ｙ₄₂およびＹ₄₃はそれぞれ水
   素原子またはフッ素原子を示すが、これらのうち少なく
   とも１つはフッ素原子であり、ｎ₃ は１乃至１５のうち
   のいずれかの整数を示す。）で表されるターフェニル誘
   導体。
5. 【請求項５】一般式 【化５】 （式中、ｎ₄ は１乃至１５のうちのいずれかの整数を示
   す。）で表される３’−フルオロ−ｐ−ターフェニル誘
   導体。
6. 【請求項６】式 【化６】 で表される３’−フルオロ−ｐ−ターフェニル−４−イ
   ルエチル メタクリレート。
7. 【請求項７】液晶と高分子が互いに配向しかつ分散した
   高分子分散型液晶を電極間に設けた高分子分散型液晶表
   示素子において、 前記高分子を形成する前駆体の少なくとも一部に、一般
   式Ａ₁₁−Ａ₂₁−Ｘ₁₁、Ａ₁₁−Ａ₂₁−Ｘ₁₂−Ａ₁₂およびＡ
   ₁₁−Ａ₂₁−Ｘ₁₂−Ａ₂₂−Ａ₁₂（式中、Ａ₁₁およびＡ₁₂は
   それぞれ重合部を有する官能基を示し、Ａ₂₁およびＡ₂₂
   はそれぞれスペーサを示し、Ｘ₁₁およびＸ₁₂はそれぞれ
   メソーゲン基を示す。）で表される化合物を少なくとも
   １成分用いることによって、 一般式Ａ₃₁−Ａ₂₁−Ｘ₁₁、Ａ₃₁−Ａ₂₁−Ｘ₁₂−Ａ₃₂およ
   びＡ₃₁−Ａ₂₁−Ｘ₁₂−Ａ₂₂−Ａ₃₂（式中、Ａ₃₁およびＡ
   ₃₂はそれぞれ官能基Ａ₁₁およびＡ₁₂がそれぞれ重合反応
   を起こした後の基を示し、Ａ₂₁およびＡ₂₂はそれぞれス
   ペーサを示し、Ｘ₁₁およびＸ₁₂はそれぞれメソーゲン基
   を示す。）で表される構成要素のうちの少なくとも１つ
   を前記高分子中の少なくとも一部分に存在させたことを
   特徴とする高分子分散型液晶表示素子。
8. 【請求項８】前記電極上には配向膜がそれぞれ形成さ
   れ、前記高分子分散型液晶が、前記高分子を形成する前
   駆体と液晶組成物とを混合した液晶性混合材料から高分
   子を析出させて液晶と高分子とを相分離して形成した高
   分子分散型液晶であることを特徴とする請求項７記載の
   高分子分散型液晶表示素子。
9. 【請求項９】前記スペーサＡ₂₁およびＡ₂₂が、それぞ
   れ、一般式 【化７】 および 【化８】 （式中、Ｘ₁ 、Ｘ₂ およびＸ₃ はそれぞれＯまたはＳを
   示し、ｍ₁₁、ｍ₁₂およびｍ₁₃はそれぞれ０または１であ
   り、ｍ₂₁およびｍ₂₂はそれぞれ１乃至１０のうちのいず
   れかの整数を示し、ｎ₅ は１乃至１５のうちのいずれか
   の整数を示す。）で表される基のうちのいずれかの基で
   あることを特徴とする請求項７または８記載の高分子分
   散型液晶表示素子。
10. 【請求項１０】前記メソーゲン基Ｘ₁₁が、一般式 【化９】 および 【化１０】 （式中、Ｂ₁₁は、 【化１１】 、単結合、酸素原子、硫黄原子、メチレン基およびプロ
    パン−２，２−ジイル基のうちのいずれかを示し、
    Ｙ₅₁、Ｙ₅₂およびＹ₅₃は、それぞれ、フッ素原子、塩素
    原子、メチル基およびニトリル基のうちのいずれかを示
    し、ｎ₅₁およびｎ₅₃はそれぞれ１乃至４のうちのいずれ
    かの整数を示し、ｎ₅₂は１乃至５のうちのいずれかの整
    数を示し、 【化１２】 は、フェニレン基の２、３、５、６のうちの任意の位置
    に、合計ｎ₅₁個のＹ₅₁が結合していることを示し、 【化１３】 は、フェニレン基の２、３、４、５、６のうちの任意の
    位置に、合計ｎ₅₂個のＹ₅₂が結合していることを示し、 【化１４】 は、フェニレン基の２、３、５、６のうちの任意の位置
    に、合計ｎ₅₃個のＹ₅₃が結合していることを示す。）で
    表される基のうちのいずれかの基であり、 前記メソーゲン基Ｘ₁₂が、一般式 【化１５】 および 【化１６】 （式中、Ｂ₂₁は、 【化１７】 、単結合、酸素原子、硫黄原子、メチレン基およびプロ
    パン−２，２−ジイル基のうちのいずれかを示し、
    Ｙ₆₁、Ｙ₆₂およびＹ₆₃は、それぞれ、フッ素原子、塩素
    原子、メチル基およびニトリル基のうちのいずれかを示
    し、ｎ₆₁、ｎ₆₂およびｎ₆₃はそれぞれ１乃至４のうちの
    いずれかの整数を示し、 【化１８】 は、それぞれ、フェニレン基の２、３、５、６のうちの
    任意の位置に、合計ｎ₆₁個のＹ₆₁が結合していることを
    示し、 【化１９】 は、フェニレン基の２、３、５、６のうちの任意の位置
    に、合計ｎ₆₂個のＹ₆₂が結合していることを示し、 【化２０】 は、フェニレン基の２、３、５、６のうちの任意の位置
    に、合計ｎ₆₃個のＹ₆₃が結合していることを示す。）で
    表される基のうちのいずれかの基であることを特徴とす
    る請求項９記載の高分子分散型液晶表示素子。
11. 【請求項１１】前記Ａ₁₁およびＡ₁₂が、それぞれ、式 【化２１】 および 【化２２】 で表される基のうちのいずれかの基を示し、Ａ３１およ
    びＡ３２が、それぞれ、式 【化２３】 および 【化２４】 で表される基のうちのいずれかの基を示すことを特徴と
    する請求項１０記載の高分子分散型液晶表示素子。
12. 【請求項１２】Ｘ₁ 、Ｘ₂ およびＸ₃ がそれぞれＯを示
    し、ｍ₁₁、ｍ₁₂およびｍ₁₃はそれぞれ０または１であ
    り、ｍ₂₁およびｍ₂₂はそれぞれ１乃至７のうちのいずれ
    かの整数を示し、ｎ₅ は１乃至７のうちのいずれかの整
    数を示す。）で表される基のうちのいずれかの基である
    ことを特徴とする請求項９乃至１１のいずれかに記載の
    高分子分散型液晶表示素子。
13. 【請求項１３】前記スペーサＡ₂₁およびＡ₂₂が、それぞ
    れ、一般式 【化２５】 および 【化２６】 （式中、ｎ₅ は１乃至７のうちのいずれかの整数を示
    す。）で表される基のうちのいずれかの基であることを
    特徴とする請求項１２記載の高分子分散型液晶表示素
    子。
14. 【請求項１４】前記Ｂ₁₁が、 【化２７】 および単結合のうちのいずれかを示し、前記Ｙ₅₁、Ｙ₅₂
    およびＹ₅₃は、それぞれ、フッ素原子またはメチル基を
    示し、 前記、Ｂ₂₁が、 【化２８】 および単結合のうちのいずれかを示し、前記Ｙ₆₁、Ｙ₆₂
    およびＹ₆₃は、それぞれ、フッ素原子またはメチル基を
    示すことを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれかに
    記載の高分子分散型液晶表示素子。
15. 【請求項１５】前記ｎ₅₁、ｎ₅₂、ｎ₅₃、ｎ₆₁、ｎ₆₂およ
    びｎ₆₃がそれぞれ１であることを特徴とする請求項１４
    記載の高分子分散型液晶表示素子。
16. 【請求項１６】液晶及び高分子を含有する調光層を電極
    間に設けた高分子分散型液晶表示素子において、 前記高分子を形成する前駆体の少なくとも一部に、一般
    式 【化２９】 で表されるターフェニル誘導体を用いることによって、
    一般式 【化３０】 で表される構成要素を前記高分子中の少なくとも一部分
    に存在させた（式中、Ｙ₁₁、Ｙ₁₂、Ｙ₁₃、Ｙ₁₄、Ｙ₁₅、
    Ｙ₁₆、Ｙ₁₇、Ｙ₁₈、Ｙ₁₉、Ｙ₂₀、Ｙ₂₁、Ｙ₂₂およびＹ₂₃
    はそれぞれ水素原子またはフッ素原子を示すが、これら
    のうち少なくとも１つはフッ素原子であり、ｎ₁ は１乃
    至１５のうちのいずれかの整数を示す。）ことを特徴と
    する高分子分散型液晶表示素子。
17. 【請求項１７】液晶及び高分子を含有する調光層を電極
    間に設けた高分子分散型液晶表示素子において、 前記高分子を形成する前駆体の少なくとも一部に、一般
    式 【化３１】 （式中、ｎ₂ は１乃至１５のうちのいずれかの整数を示
    す。）で表される３’−フルオロ−ｐ−ターフェニル誘
    導体を用いることによって、一般式 【化３２】 （式中、ｎ₂ は１乃至１５のうちのいずれかの整数を示
    す。）で表される構成要素を前記高分子中の少なくとも
    一部分に存在させたことを特徴とする高分子分散型液晶
    表示素子。
18. 【請求項１８】液晶及び高分子を含有する調光層を電極
    間に設けた高分子分散型液晶表示素子において、 前記高分子を形成する前駆体の少なくとも一部に、式 【化３３】 で表される３’−フルオロ−ｐ−ターフェニル−４−イ
    ルオキシエチル メタクリレートを用いることによっ
    て、式 【化３４】 で表される構成要素を前記高分子中の少なくとも一部分
    に存在させたことを特徴とする高分子分散型液晶表示素
    子。
19. 【請求項１９】液晶及び高分子を含有する調光層を電極
    間に設けた高分子分散型液晶表示素子において、 前記高分子を形成する前駆体の少なくとも一部に、一般
    式 【化３５】 で表されるターフェニル誘導体を用いることによって、
    一般式 【化３６】 で表される構成要素を前記高分子中の少なくとも一部分
    に存在させた（式中、Ｙ₃₁、Ｙ₃₂、Ｙ₃₃、Ｙ₃₄、Ｙ₃₅、
    Ｙ₃₆、Ｙ₃₇、Ｙ₃₈、Ｙ₃₉、Ｙ₄₀、Ｙ₄₁、Ｙ₄₂およびＹ₄₃
    はそれぞれ水素原子またはフッ素原子を示すが、これら
    のうち少なくとも１つはフッ素原子であり、ｎ₃ は１乃
    至１５のうちのいずれかの整数を示す。）ことを特徴と
    する高分子分散型液晶表示素子。
20. 【請求項２０】液晶及び高分子を含有する調光層を電極
    間に設けた高分子分散型液晶表示素子において、 前記高分子を形成する前駆体の少なくとも一部に、一般
    式 【化３７】 （式中、ｎ₄ は１乃至１５のうちのいずれかの整数を示
    す。）で表される３’−フルオロ−ｐ−ターフェニル誘
    導体を用いることによって、一般式 【化３８】 （式中、ｎ₄ は１乃至１５のうちのいずれかの整数を示
    す。）で表される構成要素を前記高分子中の少なくとも
    一部分に存在させたことを特徴とする高分子分散型液晶
    表示素子。
21. 【請求項２１】液晶及び高分子を含有する調光層を電極
    間に設けた高分子分散型液晶表示素子において、 前記高分子を形成する前駆体の少なくとも一部に、式 【化３９】 で表される３’−フルオロ−ｐ−ターフェニル−４−イ
    ルエチル メタクリレートを用いることによって、式 【化４０】 で表される構成要素を前記高分子中の少なくとも一部分
    に存在させたことを特徴とする高分子分散型液晶表示素
    子。
22. 【請求項２２】前記調光層が、液晶及び高分子を互いに
    配向分散させた高分子分散型液晶から構成されているこ
    とを特徴とする請求項１６乃至２１のいずれかに記載の
    高分子分散型液晶表示素子。
23. 【請求項２３】前記電極上には配向膜がそれぞれ形成さ
    れ、前記調光層が、前記高分子を形成する前駆体と液晶
    組成物とを混合した液晶性混合材料から高分子を析出さ
    せて液晶と高分子とを相分離して形成した高分子分散型
    液晶から構成されていることを特徴とする請求項２２記
    載の液晶表示素子。