JPH1034530A - 流体研磨媒体を良好に扱う研磨装置 - Google Patents

流体研磨媒体を良好に扱う研磨装置

Info

Publication number
JPH1034530A
JPH1034530A JP10338097A JP10338097A JPH1034530A JP H1034530 A JPH1034530 A JP H1034530A JP 10338097 A JP10338097 A JP 10338097A JP 10338097 A JP10338097 A JP 10338097A JP H1034530 A JPH1034530 A JP H1034530A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
retaining ring
polishing
workpiece
pressure plate
recesses
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10338097A
Other languages
English (en)
Inventor
Inki Kim
キム インキ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Speedfam Corp
Original Assignee
Speedfam Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Speedfam Corp filed Critical Speedfam Corp
Publication of JPH1034530A publication Critical patent/JPH1034530A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27Work carriers
    • B24B37/30Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • B24B37/32Retaining rings
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 加工物の研磨中加工物を適所に保持し、研磨
作業に通常必要とされる研磨スラリーの量を減ずる新規
な装置を提供する。 【解決手段】 薄い加工物(30)の機械加工中薄い加
工物を保持するための保持リングは、機械加工作業に使
用される研磨スラリーの分布を容易にする設計のもので
ある。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する分野】本発明は半導体に使用されるシリ
コーンウエーハのような薄い加工物の研磨及び平面化に
関する。
【0002】
【従来の技術】集積回路に使用されるシリコーン基板又
はウエーハのような薄い加工物の研磨及び平面化を伴う
機械加工工程では、ウエーハはキャリヤ又は圧板と表面
に研磨パッドを支持する回転可能な研磨テーブルとの間
に配置される。圧板は、ウエーハから荒いスポットの除
去を行い且つウエーハに実質的に均一な厚さの面を作る
ように圧力を付与する。一般には、研磨装置は剛性の圧
板を含み、未研磨のウエーハをこれに接着し、研磨すべ
きウエーハ面を研磨パッドに曝し、ウエーハ面は研磨圧
力で研磨パッドに係合する。次いで、研磨パッドとキャ
リヤを典型的には両方とも異なる速度で回転させて、研
磨パッドとウエーハの前側表面との間に相対的な横運動
を生じさせる。コロイド状シリカスラリーのような研磨
スラリーを研磨作業中研磨パッドとウエーハ面との界面
に与えて研磨を助ける。
【0003】本発明を使用する好ましいタイプの機械は
垂直軸線を中心に回転駆動される回転研磨車を含む。典
型的には、研磨車は、当該技術で知られているように、
種々の材料で形成され、商業的に入手できる水平なセラ
ミック又は金属付ラテンを有する。典型的には、研磨パ
ッドはアリゾナ州スコトスダルのローデル プロダック
ス社から入手できるIC及びGSシリーズの研磨パッド
のような膨張ポリウレタンである。研磨パッドの硬さ及
び密度は研磨又は平面化すべき材料の種類に基づいて日
常的に選択される。研磨パッドは垂直軸線を中心に回転
され、そして、環状研磨面を有し、加工物は閉じ込め位
置に置かれ、シリカ粒子の水性スラリーのような研磨ス
ラリーがこの閉じ込め位置へ圧送される。研磨パッド、
スラリー、及び構成部品の相対移動の共同機能はウエー
ハ面に機械的と化学的な加工を生じさせ、ウエーハに高
度に平らな面を生じさせる。研磨作業中、ウエーハは、
ウエーハキャリヤから移動させないようにするために、
円形保持リング内に保持リングされる。在来の保持リン
グは金属のような剛性の材料で作られ、研磨すべきウエ
ーハ及び圧板又はキャリヤ板に嵌まる大きさのものであ
る。保持リングはウエーハが圧板から移動するのを阻止
するように機能する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】在来の連続な保持リン
グは研磨スラリーが研磨されているウエーハ又は基板の
中心へ通るのを抑制する傾向がある。むしろ、これらの
在来の保持リングは研磨中研磨スラリーをウエーハから
押し退ける傾向があり、その結果、しばしば、ウエーハ
の中央部分の研磨速度を遅くする。又大量の研磨スラリ
ーが研磨作業に必要とされる。本発明の主な目的は、研
磨作業に使用される新規な装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、加工物の研磨中加工物を適所に保
持するための新規な装置を提供することにある。
【0005】本発明の他の目的は、加工物の研磨中加工
物を適所に保持するための新規な装置を提供し、該装置
は研磨作業に通常必要とされる研磨スラリーの量を減ず
る。本発明の他の目的は、研磨効率を改善し、特に加工
物の中央部分の研磨を改善する、加工物の研磨中加工物
を適所に保持するための新規な装置を提供することにあ
る。本発明の他の目的は、研磨中良好な安定性を示す、
加工物の研磨中加工物を適所にほじするための新規な装
置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】明細書及び図面を検討す
ることによって明らかになる本発明のこれら及び他の目
的が以下の加工物を研磨するための保持装置で提供され
る。加工物を研磨するための保持装置は、加工物を研磨
面で研磨するために、加工物に下向きの圧力を付与する
ための、加工物の上の圧板部分と、上下面、内キャビテ
ィを構成するために圧板と協同する内面、及び外面を有
する保持リング部分と、を有し、保持リング部分の下面
が内面から外面まで延びる複数の凹部を構成し、凹部が
内キャビティ内の点から発出する半径方向基準線と一致
せず、凹部が内面に所定寸法の内側開口部を、外面に、
内側開口部よりも大きい寸法の外側開口部を有する。
【0007】薄い加工物を伴う研磨作業については、本
発明は研磨中加工物を取り囲みそしてこれを適所に保持
するための装置を提供する。保持装置は圧板及び加工物
に嵌まり、下部分に拡大環状延長部を備え、該延長部に
外周から内周まで延びる複数の非半径方向チャンネルが
ある。かくして、本発明の保持装置は研磨スラリーを研
磨中加工物の中心へ差し向けるように作用する。
【0008】
【発明の実施形態】図1は薄い加工物を研磨するための
代表的な装置の概略基本要素を示す。図示した研磨械1
0は定置フレーム12及びモータMによって駆動れさる
回転可能な研磨車14とを有し、研磨車は回転軸線C
(図2参照)を有する中心軸16(図1参照)を中心に
矢印方向15(図2参照)に回転する。研磨パッド18
が研磨車14の上面で支持される。フレーム12の上部
分22には動力シリンダ20が設けられ、該動力シリン
ダは下端25で圧板28を回転自在に且つ傾斜可能に支
持するロッド又はシャフト24を有する。従って、動力
シリンダの操作で圧板を上昇させて研磨車14の上に隙
間を設け、また調整可能な力で圧板を下降させる。圧板
28は研磨パッド18に載ったシリコーンウエーハ30
のような少なくとも1つの加工物を保持するようになっ
ている。図1に示すように、圧板28及びウエーハ30
の外周の両方よりも僅かに大きい在来の連続保持リング
32(一部切徐)が圧板28及びウエーハ30の外周に
自由に嵌まってウエーハを圧板28の下に保持する。気
づかれるように、保持リング32の下面は途切れがな
く、研磨車14の研磨パッド18に当たっている。
【0009】図2−4は本発明による保持リング38を
示し、1つの実施形態では、この保持リングは2つの接
合可能な部品で形成される。直立のリング部分40(圧
板28及びウエーハ30の両方よりも僅かに大きい)が
その各々上に自由に嵌まってそれらを研磨位置に保持す
る。保持リング32の直立の環状部分40は、リングが
研磨車に当たるとき圧板28を取り囲むのに十分な高さ
のものである。図2−4に示すように、圧板28から外
方に延びる比較的幅広い保持リング又は環状フランジ部
材45がねじ39で圧板28の底面48に取り付けられ
ている。フランジ部材45はその内周47から外周49
まで延び、その底面に沿って間隔を隔てた複数の非半径
方向チャンネル46を有する。チャンネル46は半径方
向に配置されず、即ちチャンネル46は保持リングのキ
ャビティ内の点から発出する半径方向基準線と一致して
いない。かくして、本発明の非半径方向形態は真円でな
い保持リングに関係するが、応用の経済性のために、ま
た加工物の面の均一な研磨をもっと容易に達成するため
に、保持リングは円形であるのが好ましい。好ましい実
施形態では、チャンネルは環状リング部分40によって
形成された円に対して半径方向に配置されず、むしろ前
記円に対して割線を表すように斜めに配置される。チャ
ンネルの数は変えることができるが、好ましい形態で
は、直径6インチ、8インチ又はそれよりも大きいウエ
ーハ基板に使用される保持リングには互いにほぼ45°
間隔を隔てた8個のチャンネルが設けられる。図2には
チャンネル46がほぼ直線として示されているが、チャ
ンネルは形態が円弧状であってもよい(図5及び9−1
2参照)。かかる円弧状チャンネルは例えば図2及び6
に矢印で指示したように、研磨スラリー50のより大き
いもっと均一な流れを提供する。
【0010】本発明による保持リングの2ピース構造は
在来の連続保持リングを経済的に使用することができる
利点を有する。これはチャンネル付き拡大フランジを在
来の保持リングの底面に簡単に固着することによって達
成される。しかしながら、本発明による新規な保持リン
グをワンピースに形成することができ、そして流体運び
用チャンネル46の数並びにその大きさを変えることが
できる。直径6インチのウエーハを研磨するには、好ま
しい保持リングは、5.972インチの直径を有する直
立の環状部分40、幅が8.618インチのフランジを
持ち、幅が0.50インチ、深さが0.078インチで
互いに45°間隔を隔てた8つのチャンネル46を有す
る保持リングである。本発明の新規な保持リングはシリ
コーンウエーハ等のような薄い加工物の研磨又は平面化
の著しい改善を提供する。新規な保持リングは、研磨車
が反時計方向に回転しているとき、研磨スラリーを、研
磨される基板30の中心へ矢印方向Aに差し向ける。研
磨車が時計方向に回転しているときには、チャンネル4
6の角度は変えられる。研磨車はまたスラリーのより効
率的な分布のために特定の研磨作業に必要とされるスラ
リーの量を減少させる。研磨スラリーの使用の減少は経
済的な利点である。又、研磨スラリーのより均一な分布
のために、研磨除去速度を増大させるとともに研磨の均
一性をより高める。
【0011】上記の実施形態は経路長さに沿ってほぼ一
定な寸法のチャンネルを採用する。例えば、図4に示す
チャンネルは互いにほぼ平行な側壁によって形成され、
好ましくは、チャンネルは保持リングを形成する素材に
切り込まれた一定な深さによって形成される。所望なら
ば、上記のチャンネルにはそれらの経路長さに沿って変
化する深さが形成されてもよい。ここで分かるように、
ある例では、チャンネルは保持リングの内径に隣接して
より小さい断面寸法を有し、保持リングの外周に隣接し
てより大きい断面寸法を有するのが好ましい。今、図6
−12に目を向けると、経路長さに沿って可変の断面寸
法を有する流れ増大用チャンネルを備えた保持リングが
示されている。例えば、図6−8には、直線経路に沿っ
て延びる流れ増大用チャンネルを有する保持リングが示
されている。即ち、チャンネルに沿って取られる断面の
中心点はほぼ共通の線に沿って位置する。あらゆる例に
おいて本質的ではないが、チャンネルは好ましくは、保
持リングの内径から保持リングの外径まで一定な深さを
有し、チャンネルの側壁は好ましくは、例えば、図6に
示すように、保持リングの底面で平行線をなす。
【0012】図12を参照すると、圧板28と保持リン
グ200とからなる保持リング組立体250が示されて
いる。好ましい実施形態では、圧板と保持リングは別々
に形成され、そして図3に示す方法でねじ止め具39に
よって互いに固着される。しかしながら、所望ならば、
保持リングと圧板をプラスチック又は他の非金属材料の
ような適当な素材、並びにステンレススチールのような
金属材料の一体のピースで形成してもよい。図12の中
央部分に見られるように、圧板は保持リング200の中
へ延びるが、保持リングの下側までは延びない。従っ
て、保持リング組立体250の底に包囲されたキャビテ
ィが形成される。図12に示すように、図12に参照番
号256で特定した、研磨すべき加工物が研磨車14に
曝されるように保持リングの底面212より下に所定量
延びるように内部キャビティを寸法決めすべきである。
図12を検討して分かるように、保持リングが中実に作
られていたとしたら、研磨媒体が加工物256の外周に
近づくことが難しい。保持リング組立体250及び加工
物256が研磨媒体の被覆を事前に備えた研磨車の上に
下げられたときに捕捉された研磨媒体の存在に頼る必要
がある。一般的には、圧板28は在来構造のもので、例
えば、保持リング組立体250の底に形成されたキャビ
ティ内に加工物256を保持するための真空チャック装
置を含むことが好ましい。理解されるように、加工物2
56と研磨車との間に捕捉された研磨媒体は研磨作業中
広がる傾向があり、所望な量の研磨媒体を確保すること
ができない。一般的には、加工物について行われる研磨
作業の位置に研磨媒体を放出させるために過剰の研磨媒
体を供給することが好ましい。例えば、研磨媒体が研磨
粒子を保持しているならば、通常は、粒子の大きさ及び
鋭利さを入念に調整すべきことが重要である。研磨作業
中、それらの研磨粒子が、しばしば研磨作業が完了する
前に、つぶれる傾向があることが良く知られている。更
に、加工物からなくなった加工物表面の部分は研磨媒体
と混じり合って研磨媒体の物理的及び化学的組成を変化
させる。これらの理由及びその他の理由で、研磨媒体を
研磨作業中絶えず交換することが望ましい。先行技術の
保持リングでは、研磨媒体が保持リングの外周に溜まる
即ち「「こねまわされる」ことが観察される。しかしな
がら、本発明の原理による保持リング組立体では、保持
リングの外周でのかかる溜まり又はこねまわしは観察さ
れず、研磨媒体が研磨作業中加工物の表面を流れている
ことを目で確かめた。本発明の原理による保持装置で
は、加工物は圧力付与装置内に巧く保持され、既存の装
置に容易に適用できる。更に、本発明の原理による保持
装置では、研磨領域への流入流出は研磨作業全体にわた
って容積流量と流れの信頼性の両方において改善され
る。
【0013】上記のように、本発明の原理による保持装
置に形成されたチャンネルは直線でもよいし或いは湾曲
してもよい。ここに記載の好ましい実施形態では、保持
装置はほぼ円形の形態で、チャンネルが非半径方向に延
びる。円形か非円形いずれかの保持リングの直線のチャ
ンネルは保持リング内の内部キャビティ内の点から発出
する半径方向基準線に対してある角度に向けられている
のが好ましい。図9−11を参照すると、保持リング2
00の更なる実施形態を示し、この例では、湾曲したチ
ャンネル、即ち、保持リングの内径と外周に角度的に片
寄せられた開口部を有するチャンネルを有する。好まし
くは、図9−11のチャンネルは連続的に湾曲されてい
るが、直線に近い曲線も可能である。図6−11の保持
リングに形成されたチャンネルは保持リングの内径に隣
接してより小さい断面寸法を、又保持リングの外周によ
り大きい断面寸法を有する。好ましくは、チャンネルは
その経路長さに沿って一定の深さを有し(しかし、これ
はあらゆる例で必要ではない)、チャンネルの深さはそ
の経路長さに沿って変化してもよい。しかしながら、所
望ならば、湾曲したチャンネルは、その内側開口部及び
外側開口部が一定の断面を有してもよい。
【0014】今、図6−8を参照すると、保持リングを
全体的に200で指示する。保持リングは一般的には、
図2−4を参照して上で説明した保持リングに似てい
る。保持リングは内径壁202と、外周壁204とを有
する。図7を参照すると、保持リング200は好ましく
は、上斜面206及び環状ランド即ち取付けバンド20
8を有し、取付けバンドは斜面206と協同して図7で
分かるように段付き輪郭を形成する。図6及び7で分か
るように、保持リング200の底面212には複数の流
れ増大用チャンネル210が形成されている。好ましく
は、保持リングは充填剤入り又は充填剤入りでないプラ
スチック又は他の非金属材料のような適当な素材で形成
される。上記のように、保持リングと圧板は別々に形成
されてもよいし或いは単一の一体部品として形成されて
もよい。これについてはプラスチック成形技術及び他の
在来の技術を採用することができる。しかしながら、所
望ならば、保持リングはまたステンレス鋼合金又は採用
される化学装置及び力と一致した他の材料で形成されて
もよい。チャンネル210は好ましくは保持リングの下
面212に溝をフライス加工又は切削することによって
形成される。保持リング(又は一体の保持リング組立
体)が成形技術を使用して形成されるときには、成形加
工にチャンネル構造を含めることが可能である。しかし
ながら、チャンネルは、比較的鋭い内角211、在来の
経済的なフライス又は切削技術を使用して容易に達成れ
れる構造特徴を有するように形成されるのが好ましい。
【0015】再び図6を参照すると、チャンネル210
は流入開口部216及び流出開口部218を有する。図
6−8に示す実施形態では、チャンネルは向かい合った
壁224、226によって形成される。好ましくは、壁
224、226は保持リングの底面212とほぼ垂直な
平らな平面に沿って位置する。これは好ましい形態では
あるが、壁は湾曲していてもよく(即ち断面が平らでな
い)、そして底面212と垂直でない角度に形成されて
もよい。壁224、226の好ましい平らな形態の結
果、壁は、該壁が底面212と交わるところでは直線を
なす。図6は壁224とほぼ平行に延び、壁226が内
径壁202と交わる点をさえぎる作図線228を示す。
作図線228は壁224、226の「テーパ」又は外方
「広がり」の量の目視ゲージをなしている。チャンネル
壁のテーパは、好ましくは、流入開口部216が流出開
口部218よりも小さく壁226が作図線228と鋭角
をなすように定められるべきである。図6を参照する
と、保持リングの好ましい回転方向は矢印232で指示
したように時計方向である。
【0016】図6を参照すると、ボルトの円形作図線2
45を示し、複数のボルト受入れ用穴247がこの作図
線上に位置する。穴247は図3に示すボルト39を受
け入れる。かくして、図6の頂きで分かるように、壁2
26は円形作図線245及び垂直線249と同じ点で交
差する。壁224は作図線249に対して角度b1 をな
し、壁226は作図線249に対して角度b2 をなす。
好ましい実施形態では、角度b1 は40度乃至50度の
範囲で在るが、45度に設定されるのが最も好ましく、
一方、角度b2 は45度乃至60度の範囲で在るが、5
3度に設定されるのが最も好ましい。図6で分かるよう
に、壁224、226は半径方向線から矢印方向232
に沿って傾けられている。半径方向線R1 は壁224と
内径壁202との接触点まで延びる。半径方向線R1
基準線228との間に角度a1 が形成される。同様に、
半径方向線R2 は壁225と内径壁202との接触点ま
で延びる。壁225と半径方向線R2 との間に角度a2
が形成される。更に、基準線228と壁226との間に
角度a3 が形成され、これはチャンネルの拡大開口部の
「テーバ」又は「広がり」の量の1つの指示をなしてい
る。
【0017】図6に示す実施形態では、例えば、角度a
1 はほぼ45°であり、角度a2 はほぼ60°であり、
そして角度a3 はほぼ15°である。図6はチャンネル
の向きの1つの好ましい例を示す。しかしながら、チャ
ンネルのある範囲の形態が可能である。例えば、角度a
1 は40°乃至50°の範囲、角度a2 は55°乃至6
5°の範囲、そして角度a3 は10°乃至20°の範囲
でよい。8つのチャンネルが保持リングの周りに等間隔
に設けられのが最も好ましいけれども、たの数のチャン
ネルが可能であり、それらの間隔は一様である必要はな
い。更に、チャンネルは同じ断面形状のものであるのが
一般的には好ましいけれども、異なる形状のチャンネル
を同じ保持リングに採用してもよい。更に、他の設計上
の配慮を本発明によって容易に取り入れることができ
る。例えば、角240、242(壁224、226が内
径壁202と交わるところ、図6参照)が尖らせられ、
即ち丸みが付けられなければ、チャンネルを通る引き込
み量が最大にされることが理解されよう。しかしなが
ら、これらの角、特に角240は保持リング内に位置す
る加工物に曝される。保持リング200の1つの商業的
な実施形態では、内径壁202は保持リング内に位置す
る単一の円形加工物よりも僅かに大きい寸法である。例
えば、外径6インチの加工物を受けるように寸法決めさ
れた保持リングは加工物のが外周と内壁202との間に
ほぼ1.5ミリメートルの最大隙間を作る。
【0018】研磨テーブルに対する保持リングの相対回
転で或いは相対回転なしに研磨作業を行うことができ
る。しかしながら、加工物は保持リングの内径壁202
内で自由に回転し且つ移動し、これは普通実際の研磨作
業で観察される。時折、円形の加工物は比較的頻繁に内
径壁202からの跳ね返えりが観察されており、保持リ
ングの内径壁202を衝撃する加工物の影響に入念な配
慮がなされている。図6に示す保持リングを観察するこ
とから理解されるように、直径6インチの加工物は内径
壁202(直径6インチの加工物よりも1.5ミリメー
トル大きい直径を有する)に接触し、時折、角242
に、特に角240に直接衝撃することがある。この状態
は、外周に形成された種々の認識又は向き決め平坦部を
有する加工物で悪化される。半導体製造産業では、変わ
っている構造及び材料の円形加工物は、外周加工物の外
周に形成された異なる向き決め平坦部によって日常的に
認識される。この産業における加工物の高コストによ
り、保持リングのチャンネルの角に当たる加工物の向き
決め平坦部の有害な影響を最小にし或いは除去すること
が重要である。従って、直径6インチの加工物について
は、角240と242との間の幅又は距離が3/8イン
チよりも大きくないことが好ましく、最も好ましくは、
1/4インチよりも大きくない。流出開口部218の好
ましい寸法は0.5インチよりも僅かに大きい幅と1.
5インチの幅との間の範囲である。図6に示す好ましい
実施形態では、チャンネルの深さはほぼ一定であり、好
ましくは、加工物の厚さよりも深く、最も好ましくは、
加工物の厚さよりも2倍乃至3倍大きい。
【0019】半導体製造技術に精通している者が気づい
ているように、基板の非均一な研磨は、特に加工物の向
き決め平坦部又は他の非対象物が存在すると、半導体製
造業者にとって重大な関心事じある。例えば、研磨媒体
が加工物の外周に形成された向き決め平坦部の場所に溜
まる傾向があることが普通観察された。チャンネルが本
発明の原理により構成されているときには、向き決め平
坦部の場所おける非均一な研磨速度は著しく減ぜられ、
多くの応用では、実質的に除去された。更に、チャンネ
ル付き保持装置が本発明の原理により構成されていると
きには、加工物の表面の研磨速度の均一性が一般に観察
された。この結果、本発明の原理による保持装置で研磨
を受ける加工物の全体的と局部的の両方の平面化、即ち
半導体装置の製造業者のかなりの経済的重要性の特徴が
増大する。勿論、ここに記載の保持装置は機械部品及び
今日、普通に商業的に使用されている他の物品のような
他の材料の研磨作業に容易に手卿する事が出来る。
【0020】今、図12を参照すると、図7に示す断面
と同様な断面を概略的な形態で示す。図12の概略図面
は縮尺に描かれていない。図12は250で全体的に指
示した保持装置を示し、この装置は保持リング200
と、圧板28と、SF3 又は他の材料で作られた裏打ち
フィルム252と、からなる。チャンネルWの幅は上述
のように内壁202から外周204まで変化する。好ま
しい実施形態では、チャンネル210の深さdはチャン
ネルの長さに沿って一定に保たれ、保持リングに形成さ
れた数個のチャンネルについて同じである。図12に示
す装置では、加工物256は630ミクロン乃至690
ミクロンの範囲の厚さを有する半導体材料のウエーハか
らなる。フィルム252は400ミクロン乃至450ミ
クロンの範囲の厚さを有する。隙間cはほぼ1.5ミリ
メートルの最大値を有し、(そして加工物が内壁202
に接触しているものと仮定する)。好ましい実施形態で
は、底面258は保持リングの底面212より下に15
0ミクロン乃至175ミクロンの範囲の距離延びる。図
12に概略的に示すように、チャンネル210は加工物
の高さよりも上に延び、好ましい実施形態では、深さd
はほぼ2ミリメートルである。
【0021】今図9乃至11を参照すると、保持リング
を全体的に300で指示する。保持リングの底面304
には一連のチャンネル302が形成され、該チャンネル
302は保持リングの内壁308に開口部306を、保
持リングの外周312に開口部310を有する。前の実
施形態におけるように、角316、318を、チャンネ
ルへの研磨媒体の引き込みを改善するように尖らせるの
が好ましく、又内径壁における開口部306を保持リン
グの外周における開口部310よりも小さくするのが好
ましい。直径6インチの加工物について、図12を参照
して上述した隙間寸法及び厚さ寸法では、内径壁におけ
る開口部306は好ましくは3/8インチよりも大きく
なく、最も好ましくは、1/4インチよりも大きくな
く、外周における開口部310は1/4インチ乃至2イ
ンチの範囲である。実際には、任意の数のチャンネルを
採用することができるけれども、8個のチャンネルを保
持リングの底面の周りに等間隔に設けるのが最も好まし
い。更に、流入開口部と流出開口部を、開口部の中心を
通る半径方向線によって測られるとき90度よりも大き
くなく片寄せられるのが一般的に好ましく、又流入開口
部と流出開口部との間の片寄り角度は40度乃至50度
の範囲内にあるのが好ましく、角度の片寄りpはほぼ4
5度(図9参照)であるのが最も好ましい。
【0022】発明の精神内に入るこれらの変形及び均等
は発明の一部と考えるるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 シリコーンウエーハのような基板を研磨する
ための代表的な基本的な装置の斜視図である。
【図2】 本発明の保持装置の1つの実施形態の平面図
である。
【図3】 図2の3−3線に於ける本発明の保持装置の
断面図である。
【図4】 本発明の保持装置の1つの実施形態の底面図
である。
【図5】 本発明の他の実施形態を示す、図4と同様な
底面図である。
【図6】 本発明の更なる実施形態の底面図である。
【図7】 図6の7−7線における断面図である。
【図8】 その平面図である。
【図9】 本発明の更に他の実施形態の平面図である。
【図10】 その底面図である。
【図11】 図10の11−11線における断面図であ
る。
【図12】 図11に示す装置と同様な装置の断面概略
図である。
【符号の説明】
10 研磨機 14 研磨車 18 研磨パッド 28 圧板 32 保持リング 30 ウエーハ 40 環状リング部分 46 チャンネル 47 内周 49 外周 50 研磨スラリー 200 保持リング 250 保持装置 256 加工物 202 内径壁 204 外周壁 210 チャンネル 216 流入開口部 218 流出開口部 224 壁 226 壁

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 加工物を研磨面で研磨するために、加工
    物に下向きの圧力を付与するための、加工物の上の圧板
    部分と、 上下面、内キャビティを構成するために圧板と協同する
    内面、及び外面を有する保持リング部分と、を有し、 保持リング部分の下面が内面から外面まで延びる複数の
    凹部を構成し、凹部が内キャビティ内の点から発出する
    半径方向基準線と一致せず、 凹部が内面に所定寸法の内側開口部を、外面に、内側開
    口部よりも大きい寸法の外側開口部を有する、加工物を
    研磨するための保持装置。
  2. 【請求項2】 凹部が半径方向基準線から角度的に片寄
    せられたそれぞれの直線に沿って延びる、請求項1に記
    載の保持装置。
  3. 【請求項3】 直線は半径方向基準線から同じ量角度的
    に片寄せられている、請求項2に記載の保持装置。
  4. 【請求項4】 凹部は半径方向基準線から同様な方向に
    片寄せられたそれぞれの曲線に沿って延び、凹部はそれ
    ぞれのほぼ一定な深さを有する、請求項1に記載の保持
    リング装置。
  5. 【請求項5】 凹部はほぼ長方形の断面を有し、内側開
    口部に尖った角を有する、請求項1に記載の保持装置。
  6. 【請求項6】 圧板と保持部分は別々に形成され、圧板
    は保持部分の内キャビティの中へ延びる、請求項1に記
    載の保持装置。
  7. 【請求項7】 圧板と保持部分は一体の本体をなすよう
    に一体に形成される、請求項1に記載の保持装置。
  8. 【請求項8】 上下面を有する保持リングを備え、保持
    リングの上面で保持リングを圧板に接合するための取付
    け手段を有し、保持リングは更に、該保持リング内に内
    キャビティを構成する内面と、外面とを有し、 保持リングの下面は内面から外面まで延びる複数の凹部
    を構成し、凹部が内キャビティ内の点から発出する半径
    方向基準線と一致せず、 凹部が内面に所定寸法の内側開口部を、外面に、内側開
    口部よりも大きい寸法の外側開口部を有する、加工物を
    研磨するための保持リング装置。
  9. 【請求項9】 凹部が半径方向基準線から角度的に片寄
    せられたそれぞれの直線に沿って延びる、請求項8に記
    載の保持リング装置。
  10. 【請求項10】 直線は半径方向基準線から同じ量角度
    的に片寄せられている、請求項9に記載の保持リング装
    置。
  11. 【請求項11】 凹部は半径方向基準線から同様な方向
    に片寄せられたそれぞれの曲線に沿って延び、凹部はそ
    れぞれのほぼ一定な深さを有する、請求項8に記載の保
    持リング装置。
  12. 【請求項12】 凹部はほぼ同じ深さを有する、請求項
    11に記載の保持リング装置。
  13. 【請求項13】 凹部はほぼ長方形の断面を有し且つ内
    側開口部に尖った角を形成する、請求項12に記載の保
    持リング装置。
JP10338097A 1996-04-19 1997-04-21 流体研磨媒体を良好に扱う研磨装置 Pending JPH1034530A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/635020 1996-04-19
US08/635,020 US5695392A (en) 1995-08-09 1996-04-19 Polishing device with improved handling of fluid polishing media

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1034530A true JPH1034530A (ja) 1998-02-10

Family

ID=24546103

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10338097A Pending JPH1034530A (ja) 1996-04-19 1997-04-21 流体研磨媒体を良好に扱う研磨装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5695392A (ja)
JP (1) JPH1034530A (ja)
KR (1) KR970072155A (ja)
DE (1) DE19715460C2 (ja)
GB (1) GB2312181B (ja)
SG (1) SG65646A1 (ja)
TW (1) TW346428B (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6168684B1 (en) 1997-12-04 2001-01-02 Nec Corporation Wafer polishing apparatus and polishing method
US6896585B2 (en) 1999-09-14 2005-05-24 Applied Materials, Inc. Polishing pad with transparent window having reduced window leakage for a chemical mechanical polishing apparatus
JP2006502576A (ja) * 2002-10-02 2006-01-19 エンジンガー クンストストッフテクノロジー ゲゼルシャフト ビュルガリッヒェン レヒツ 化学機械式研磨装置において半導体ウェーハを保持するための止め輪
US7014545B2 (en) 2000-09-08 2006-03-21 Applied Materials Inc. Vibration damping in a chemical mechanical polishing system
US7255637B2 (en) 2000-09-08 2007-08-14 Applied Materials, Inc. Carrier head vibration damping
KR100826590B1 (ko) 2006-11-22 2008-04-30 주식회사 실트론 화학적 기계적 연마장치
US7497767B2 (en) 2000-09-08 2009-03-03 Applied Materials, Inc. Vibration damping during chemical mechanical polishing
US7520955B1 (en) 1998-06-03 2009-04-21 Applied Materials, Inc. Carrier head with a multilayer retaining ring for chemical mechanical polishing
JP2010533604A (ja) * 2007-07-19 2010-10-28 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 成形された断面形状を有するリテイナーリング
CN102950538A (zh) * 2011-08-17 2013-03-06 旭硝子株式会社 板状体研磨装置及研磨系统
JP2014110428A (ja) * 2012-11-30 2014-06-12 Ehwa Diamond Ind Co Ltd コンディショナー兼ウェハーリテーナリングおよびその製造方法

Families Citing this family (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6024630A (en) 1995-06-09 2000-02-15 Applied Materials, Inc. Fluid-pressure regulated wafer polishing head
JP3106418B2 (ja) * 1996-07-30 2000-11-06 株式会社東京精密 研磨装置
US6183354B1 (en) * 1996-11-08 2001-02-06 Applied Materials, Inc. Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system
US6139428A (en) * 1996-12-17 2000-10-31 Vsli Technology, Inc. Conditioning ring for use in a chemical mechanical polishing machine
US6241582B1 (en) * 1997-09-01 2001-06-05 United Microelectronics Corp. Chemical mechanical polish machines and fabrication process using the same
DE19839086B4 (de) * 1997-09-01 2007-03-15 United Microelectronics Corp. Rückhaltering für eine chemisch-mechanische Poliervorrichtung und chemisch-mechanische Poliervorrichtung damit
US6062963A (en) * 1997-12-01 2000-05-16 United Microelectronics Corp. Retainer ring design for polishing head of chemical-mechanical polishing machine
US5944593A (en) * 1997-09-01 1999-08-31 United Microelectronics Corp. Retainer ring for polishing head of chemical-mechanical polish machines
GB2344303B (en) * 1997-09-01 2002-12-11 United Microelectronics Corp Chemical-mechanical polishing machine and retainer ring thereof
KR19990030719A (ko) * 1997-10-04 1999-05-06 로버트 에이치. 씨. 챠오 씨엠피 장비의 폴리싱 헤드용 리테이너 링
US5967885A (en) * 1997-12-01 1999-10-19 Lucent Technologies Inc. Method of manufacturing an integrated circuit using chemical mechanical polishing
EP0923122B1 (en) * 1997-12-01 2011-09-07 Lucent Technologies Inc. Method of manufacturing an integrated circuit using chemical mechanical polishing and fixture for chemical mechanical polishing
US6068548A (en) * 1997-12-17 2000-05-30 Intel Corporation Mechanically stabilized retaining ring for chemical mechanical polishing
US6146260A (en) * 1998-08-03 2000-11-14 Promos Technology, Inc. Polishing machine
KR100542723B1 (ko) * 1998-09-03 2006-04-06 삼성전자주식회사 반도체장치 제조용 씨엠피설비의 연마헤드
US6132298A (en) * 1998-11-25 2000-10-17 Applied Materials, Inc. Carrier head with edge control for chemical mechanical polishing
US6136710A (en) * 1998-10-19 2000-10-24 Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. Chemical mechanical polishing apparatus with improved substrate carrier head and method of use
US6089961A (en) * 1998-12-07 2000-07-18 Speedfam-Ipec Corporation Wafer polishing carrier and ring extension therefor
US6527624B1 (en) * 1999-03-26 2003-03-04 Applied Materials, Inc. Carrier head for providing a polishing slurry
US6281128B1 (en) * 1999-06-14 2001-08-28 Agere Systems Guardian Corp. Wafer carrier modification for reduced extraction force
US6224472B1 (en) 1999-06-24 2001-05-01 Samsung Austin Semiconductor, L.P. Retaining ring for chemical mechanical polishing
US6390908B1 (en) * 1999-07-01 2002-05-21 Applied Materials, Inc. Determining when to replace a retaining ring used in substrate polishing operations
US6290584B1 (en) * 1999-08-13 2001-09-18 Speedfam-Ipec Corporation Workpiece carrier with segmented and floating retaining elements
US6186880B1 (en) * 1999-09-29 2001-02-13 Semiconductor Equipment Technology Recyclable retaining ring assembly for a chemical mechanical polishing apparatus
JP2001121411A (ja) 1999-10-29 2001-05-08 Applied Materials Inc ウェハー研磨装置
US6607428B2 (en) 2000-01-18 2003-08-19 Applied Materials, Inc. Material for use in carrier and polishing pads
US6602114B1 (en) 2000-05-19 2003-08-05 Applied Materials Inc. Multilayer retaining ring for chemical mechanical polishing
US6447380B1 (en) * 2000-06-30 2002-09-10 Lam Research Corporation Polishing apparatus and substrate retainer ring providing continuous slurry distribution
EP2085181A1 (en) * 2000-07-31 2009-08-05 Ebara Corporation Substrate holding apparatus and substrate polishing apparatus
US6419567B1 (en) * 2000-08-14 2002-07-16 Semiconductor 300 Gmbh & Co. Kg Retaining ring for chemical-mechanical polishing (CMP) head, polishing apparatus, slurry cycle system, and method
US6848980B2 (en) 2001-10-10 2005-02-01 Applied Materials, Inc. Vibration damping in a carrier head
US6776695B2 (en) * 2000-12-21 2004-08-17 Lam Research Corporation Platen design for improving edge performance in CMP applications
US6722942B1 (en) 2001-05-21 2004-04-20 Advanced Micro Devices, Inc. Chemical mechanical polishing with electrochemical control
US6758939B2 (en) * 2001-08-31 2004-07-06 Speedfam-Ipec Corporation Laminated wear ring
US20030070757A1 (en) * 2001-09-07 2003-04-17 Demeyer Dale E. Method and apparatus for two-part CMP retaining ring
US6835125B1 (en) 2001-12-27 2004-12-28 Applied Materials Inc. Retainer with a wear surface for chemical mechanical polishing
US6890249B1 (en) 2001-12-27 2005-05-10 Applied Materials, Inc. Carrier head with edge load retaining ring
US6872130B1 (en) 2001-12-28 2005-03-29 Applied Materials Inc. Carrier head with non-contact retainer
JP2005515904A (ja) 2002-01-22 2005-06-02 マルチ プレイナー テクノロジーズ インコーポレイテッド スラリー分配のための形状付けされた表面を持つ保持リングを有する化学的機械研磨装置及び方法
US6739958B2 (en) 2002-03-19 2004-05-25 Applied Materials Inc. Carrier head with a vibration reduction feature for a chemical mechanical polishing system
US6689258B1 (en) 2002-04-30 2004-02-10 Advanced Micro Devices, Inc. Electrochemically generated reactants for chemical mechanical planarization
US6869335B2 (en) * 2002-07-08 2005-03-22 Micron Technology, Inc. Retaining rings, planarizing apparatuses including retaining rings, and methods for planarizing micro-device workpieces
US20040261945A1 (en) * 2002-10-02 2004-12-30 Ensinger Kunststofftechnoligie Gbr Retaining ring for holding semiconductor wafers in a chemical mechanical polishing apparatus
US20040259485A1 (en) * 2002-10-02 2004-12-23 Ensinger Kunstsofftechnoligie Gbr Retaining ring for holding semiconductor wafers in a chemical mechanical polishing apparatus
DE10247179A1 (de) * 2002-10-02 2004-04-15 Ensinger Kunststofftechnologie Gbr Haltering zum Halten von Halbleiterwafern in einer chemisch-mechanischen Poliervorrichtung
TWM255104U (en) * 2003-02-05 2005-01-11 Applied Materials Inc Retaining ring with flange for chemical mechanical polishing
US6945845B2 (en) * 2003-03-04 2005-09-20 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with non-conductive elements
DE10311830A1 (de) * 2003-03-14 2004-09-23 Ensinger Kunststofftechnologie Gbr Abstandhalterprofil für Isolierglasscheiben
US6974371B2 (en) * 2003-04-30 2005-12-13 Applied Materials, Inc. Two part retaining ring
US6979251B2 (en) * 2003-06-26 2005-12-27 Lsi Logic Corporation Method and apparatus to add slurry to a polishing system
JP2005034959A (ja) * 2003-07-16 2005-02-10 Ebara Corp 研磨装置及びリテーナリング
US6821192B1 (en) 2003-09-19 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Retaining ring for use in chemical mechanical polishing
US20050113002A1 (en) * 2003-11-24 2005-05-26 Feng Chen CMP polishing heads retaining ring groove design for microscratch reduction
US20050126708A1 (en) * 2003-12-10 2005-06-16 Applied Materials, Inc. Retaining ring with slurry transport grooves
US6955588B1 (en) 2004-03-31 2005-10-18 Lam Research Corporation Method of and platen for controlling removal rate characteristics in chemical mechanical planarization
US7029375B2 (en) * 2004-08-31 2006-04-18 Tech Semiconductor Pte. Ltd. Retaining ring structure for edge control during chemical-mechanical polishing
US7048621B2 (en) * 2004-10-27 2006-05-23 Applied Materials Inc. Retaining ring deflection control
US7101272B2 (en) * 2005-01-15 2006-09-05 Applied Materials, Inc. Carrier head for thermal drift compensation
US7326105B2 (en) 2005-08-31 2008-02-05 Micron Technology, Inc. Retaining rings, and associated planarizing apparatuses, and related methods for planarizing micro-device workpieces
US20080171494A1 (en) * 2006-08-18 2008-07-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for slurry distribution
US7520796B2 (en) * 2007-01-31 2009-04-21 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad with grooves to reduce slurry consumption
TWI492818B (zh) * 2011-07-12 2015-07-21 Iv Technologies Co Ltd 研磨墊、研磨方法以及研磨系統
US9368371B2 (en) 2014-04-22 2016-06-14 Applied Materials, Inc. Retaining ring having inner surfaces with facets
US10500695B2 (en) * 2015-05-29 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Retaining ring having inner surfaces with features
US10046255B1 (en) * 2015-07-02 2018-08-14 James R. Walker Dual filter pump assembly
US9744640B2 (en) * 2015-10-16 2017-08-29 Applied Materials, Inc. Corrosion resistant retaining rings
JP7329438B2 (ja) * 2016-07-25 2023-08-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Cmp用の保持リング
CN107650009B (zh) * 2017-11-20 2023-08-25 山东省科学院新材料研究所 一种新型晶片研磨抛光机

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2826009A (en) * 1954-12-10 1958-03-11 Crane Packing Co Work holder for lapping machines
US2883802A (en) * 1956-09-24 1959-04-28 Crane Packing Co Method of and apparatus for lapping shoulders
US3090169A (en) * 1961-05-11 1963-05-21 Stephen A Boettcher Lapping machine fixture
US3375614A (en) * 1964-12-09 1968-04-02 Speedfam Corp Lapping machine truing ring and fixture
US3377750A (en) * 1965-08-16 1968-04-16 Spitfire Tool & Machine Co Inc Self-positioning combination work holder and dressing ring for flat lapping machines
US3568371A (en) * 1969-03-12 1971-03-09 Spitfire Tool & Machine Co Inc Lapping and polishing machine
FR2224994A5 (en) * 1973-04-09 1974-10-31 Hyprez Sa Diamond suspension abrading liquid grinding machine - has liquid inlet centralized w.r.t. lower circular rotating base
US4519168A (en) * 1979-09-18 1985-05-28 Speedfam Corporation Liquid waxless fixturing of microsize wafers
JPS6059113B2 (ja) * 1979-09-18 1985-12-23 スピ−ドフアム・コ−ポレイシヨン 微小サイズウエ−ハの液体無ワツクス取付具
US4319432A (en) * 1980-05-13 1982-03-16 Spitfire Tool And Machine Co. Polishing fixture
DE3524978A1 (de) * 1985-07-12 1987-01-22 Wacker Chemitronic Verfahren zum beidseitigen abtragenden bearbeiten von scheibenfoermigen werkstuecken, insbesondere halbleiterscheiben
JPH01187930A (ja) * 1988-01-22 1989-07-27 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 研磨剤及び研磨方法
US5177908A (en) * 1990-01-22 1993-01-12 Micron Technology, Inc. Polishing pad
US5205082A (en) * 1991-12-20 1993-04-27 Cybeq Systems, Inc. Wafer polisher head having floating retainer ring
US5329732A (en) * 1992-06-15 1994-07-19 Speedfam Corporation Wafer polishing method and apparatus
US5216843A (en) * 1992-09-24 1993-06-08 Intel Corporation Polishing pad conditioning apparatus for wafer planarization process
JPH07237120A (ja) * 1994-02-22 1995-09-12 Nec Corp ウェーハ研磨装置
US5597346A (en) * 1995-03-09 1997-01-28 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for holding a semiconductor wafer during a chemical mechanical polish (CMP) process
TW353203B (en) * 1995-04-10 1999-02-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Apparatus for holding substrate to be polished

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6168684B1 (en) 1997-12-04 2001-01-02 Nec Corporation Wafer polishing apparatus and polishing method
US7534364B2 (en) 1998-06-03 2009-05-19 Applied Materials, Inc. Methods for a multilayer retaining ring
US8771460B2 (en) 1998-06-03 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Retaining ring for chemical mechanical polishing
US8486220B2 (en) 1998-06-03 2013-07-16 Applied Materials, Inc. Method of assembly of retaining ring for CMP
US8470125B2 (en) 1998-06-03 2013-06-25 Applied Materials, Inc. Multilayer retaining ring for chemical mechanical polishing
US8029640B2 (en) 1998-06-03 2011-10-04 Applied Materials, Inc. Multilayer retaining ring for chemical mechanical polishing
US7520955B1 (en) 1998-06-03 2009-04-21 Applied Materials, Inc. Carrier head with a multilayer retaining ring for chemical mechanical polishing
US6896585B2 (en) 1999-09-14 2005-05-24 Applied Materials, Inc. Polishing pad with transparent window having reduced window leakage for a chemical mechanical polishing apparatus
US7189141B2 (en) 1999-09-14 2007-03-13 Applied Materials, Inc. Polishing pad with transparent window having reduced window leakage for a chemical mechanical polishing apparatus
US7677959B2 (en) 1999-09-14 2010-03-16 Applied Materials, Inc. Multilayer polishing pad and method of making
US7497767B2 (en) 2000-09-08 2009-03-03 Applied Materials, Inc. Vibration damping during chemical mechanical polishing
US7331847B2 (en) 2000-09-08 2008-02-19 Applied Materials, Inc Vibration damping in chemical mechanical polishing system
US7255637B2 (en) 2000-09-08 2007-08-14 Applied Materials, Inc. Carrier head vibration damping
US7014545B2 (en) 2000-09-08 2006-03-21 Applied Materials Inc. Vibration damping in a chemical mechanical polishing system
JP2006502576A (ja) * 2002-10-02 2006-01-19 エンジンガー クンストストッフテクノロジー ゲゼルシャフト ビュルガリッヒェン レヒツ 化学機械式研磨装置において半導体ウェーハを保持するための止め輪
KR100826590B1 (ko) 2006-11-22 2008-04-30 주식회사 실트론 화학적 기계적 연마장치
JP2010533604A (ja) * 2007-07-19 2010-10-28 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 成形された断面形状を有するリテイナーリング
CN102950538A (zh) * 2011-08-17 2013-03-06 旭硝子株式会社 板状体研磨装置及研磨系统
JP2014110428A (ja) * 2012-11-30 2014-06-12 Ehwa Diamond Ind Co Ltd コンディショナー兼ウェハーリテーナリングおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE19715460A1 (de) 1997-10-30
GB2312181A (en) 1997-10-22
TW346428B (en) 1998-12-01
DE19715460C2 (de) 2002-02-21
GB9707727D0 (en) 1997-06-04
GB2312181B (en) 1999-09-29
US5695392A (en) 1997-12-09
KR970072155A (ko) 1997-11-07
SG65646A1 (en) 1999-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH1034530A (ja) 流体研磨媒体を良好に扱う研磨装置
CN201214208Y (zh) 一种抛光垫调节器
US5569062A (en) Polishing pad conditioning
KR100363039B1 (ko) 일정한 연마압력을 갖는 연마 장치 및 방법
KR100425937B1 (ko) 표면가공방법 및 장치
US7052375B2 (en) Method of making carrier head backing plate having low-friction coating
US20040203325A1 (en) Conditioner disk for use in chemical mechanical polishing
US9199354B2 (en) Flexible diaphragm post-type floating and rigid abrading workholder
US9233452B2 (en) Vacuum-grooved membrane abrasive polishing wafer workholder
WO2001027350A1 (en) Optimal offset, pad size and pad shape for cmp buffing and polishing
US6537139B2 (en) Apparatus and method for ELID grinding a large-diameter workpiece to produce a mirror surface finish
JP2000094303A (ja) 研磨方法およびその装置
JPH11207636A (ja) カップ型砥石
JPH1177515A (ja) 平面研磨装置及び研磨装置に用いる研磨布
WO2004007147A1 (en) Grinding wheel for grinding a workpiece
US7052372B2 (en) Chemical-mechanical polisher hardware design
US20230234179A1 (en) Grinding method for circular plate-shaped workpiece
JPH10151570A (ja) 石材研磨工具
JP3445237B2 (ja) ワーク外周の研磨方法および研磨装置
JPH03213265A (ja) ラップ盤の定盤
JPH01268032A (ja) ウエハ研磨方法および装置
JPH05269671A (ja) ダイヤモンドホイール
JPH03104567A (ja) 研削砥石及び研削方法
JP4159913B2 (ja) 研磨ロール
JPS6048262A (ja) ダイヤモンド砥石