JPH1033975A - 無機粉末を疎水性にする方法 - Google Patents
無機粉末を疎水性にする方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 適量の比較的安価な処理剤を用いて、穏和な
温度における短時間の処理で、無機粉末を疎水性にする
ための方法の提供。 【解決手段】 ブレンステッド酸及び線状窒化ハロゲン
化リンからなる群から選択される第三の試薬の存在下で
無機粉末をシリル化剤で処理する。無機粉末は好ましく
はヒュームドシリカであり、ブレンステッド酸は特に大
気圧下での沸点が１２０℃以下のもので、好ましくはギ
酸であり、線状窒化ハロゲン化リンは好ましくは線状窒
化塩化リンである。
温度における短時間の処理で、無機粉末を疎水性にする
ための方法の提供。 【解決手段】 ブレンステッド酸及び線状窒化ハロゲン
化リンからなる群から選択される第三の試薬の存在下で
無機粉末をシリル化剤で処理する。無機粉末は好ましく
はヒュームドシリカであり、ブレンステッド酸は特に大
気圧下での沸点が１２０℃以下のもので、好ましくはギ
酸であり、線状窒化ハロゲン化リンは好ましくは線状窒
化塩化リンである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術の分野】本発明は、無機粉末をシリ
ル化剤で回分式又は連続式に処理して、該無機粉末を疎
水性にするための方法に関する。
ル化剤で回分式又は連続式に処理して、該無機粉末を疎
水性にするための方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ヒュームドシリカのような無機粉末は増
粘剤、チキソトロープ剤及び強化剤として、インク、樹
脂、ゴム、ペイント及び化粧品などの材料に使用されて
いる。より詳細には、こうした無機粉末は、シリコーン
ゴムなどの様々なプラスチック及びエラストマー製品の
性質（例えば物理的、機械的及び熱的性質など）を改質
するために使用されている。
粘剤、チキソトロープ剤及び強化剤として、インク、樹
脂、ゴム、ペイント及び化粧品などの材料に使用されて
いる。より詳細には、こうした無機粉末は、シリコーン
ゴムなどの様々なプラスチック及びエラストマー製品の
性質（例えば物理的、機械的及び熱的性質など）を改質
するために使用されている。
【０００３】無機粉末は、米国特許第５０３７５５７号
に開示されているように、収着剤(sorbent) としても使
用される。例えば、無機粉末は油などの炭化水素類を水
から吸収するのに使うことができる。未処理の無機粉末
は、該粉末を親水性にするようなヒドロキシ基をその表
面に有していることがある。例えばシリカの場合、こう
したヒドロキシ基がシラノール基として存在している。
有機系中の充填剤として或いは有機化合物の収着剤とし
て有効なものにするには、無機粉末を疎水性にしなけれ
ばならない場合が往々にしてある。従来技術の典型的方
法は米国特許第４５５４１４７号に開示されている。そ
の方法では空気流動床プロセス(pneumatically fluidiz
ed bed process) が用いられるが、かかるプロセスでは
シクロポリシロキサンのような処理剤を化学量論量を上
回る量で使用する必要があると共に、長い滞留時間及び
高い作業温度が必要とされる。従来技術の方法の作業条
件では、処理された疎水性無機粉末は非常に高価なもの
になってしまう。例えば、処理ヒュームドシリカはシリ
コーンゴム製品における最も高価な配合成分の一つであ
る。
に開示されているように、収着剤(sorbent) としても使
用される。例えば、無機粉末は油などの炭化水素類を水
から吸収するのに使うことができる。未処理の無機粉末
は、該粉末を親水性にするようなヒドロキシ基をその表
面に有していることがある。例えばシリカの場合、こう
したヒドロキシ基がシラノール基として存在している。
有機系中の充填剤として或いは有機化合物の収着剤とし
て有効なものにするには、無機粉末を疎水性にしなけれ
ばならない場合が往々にしてある。従来技術の典型的方
法は米国特許第４５５４１４７号に開示されている。そ
の方法では空気流動床プロセス(pneumatically fluidiz
ed bed process) が用いられるが、かかるプロセスでは
シクロポリシロキサンのような処理剤を化学量論量を上
回る量で使用する必要があると共に、長い滞留時間及び
高い作業温度が必要とされる。従来技術の方法の作業条
件では、処理された疎水性無機粉末は非常に高価なもの
になってしまう。例えば、処理ヒュームドシリカはシリ
コーンゴム製品における最も高価な配合成分の一つであ
る。
【０００４】無機粉末を疎水性にするための経済的に望
ましい方法とは、ほどほどの量の比較的安価な処理剤を
用いつつ、穏和な温度において短い滞留時間で作業され
るものであろう。本発明はそのような方法を提供する。
本発明の方法で処理された無機粉末は、従来技術の方法
で調製された疎水性無機粉末が配合されてきた各種用途
に代替物として使用できる。本発明の方法で処理された
無機粉末をシリコーンゴムなどの最終製品に配合した場
合の最終製品の物理的、熱的及び機械的性質を始めとす
る性質は従来技術の方法で処理された無機粉末を配合し
た製品と実質的に変わらない。
ましい方法とは、ほどほどの量の比較的安価な処理剤を
用いつつ、穏和な温度において短い滞留時間で作業され
るものであろう。本発明はそのような方法を提供する。
本発明の方法で処理された無機粉末は、従来技術の方法
で調製された疎水性無機粉末が配合されてきた各種用途
に代替物として使用できる。本発明の方法で処理された
無機粉末をシリコーンゴムなどの最終製品に配合した場
合の最終製品の物理的、熱的及び機械的性質を始めとす
る性質は従来技術の方法で処理された無機粉末を配合し
た製品と実質的に変わらない。
【０００５】
【発明の概要】本発明は、ブレンステッド酸(protonic
acid) 及び線状窒化ハロゲン化リンからなる群から選択
される第三の試薬の存在下で無機粉末をシリル化剤と接
触させることを含んでなる、無機粉末の処理方法に関す
る。
acid) 及び線状窒化ハロゲン化リンからなる群から選択
される第三の試薬の存在下で無機粉末をシリル化剤と接
触させることを含んでなる、無機粉末の処理方法に関す
る。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明によって処理される無機粉
末はその表面にヒドロキシ基をもつ未処理の無機材料で
あればどんなものでもよい。このような粉末及びそれら
の製造方法は当技術分野において周知である。かかる無
機粉末としては、シリカ、粉末ガラス、ケイ酸塩、アル
ミナ、チタニア、アルミニウム、アスベスト、硫酸バリ
ウム、酸化亜鉛、酸化第二鉄及び硫化亜鉛のような材料
が挙げられる。
末はその表面にヒドロキシ基をもつ未処理の無機材料で
あればどんなものでもよい。このような粉末及びそれら
の製造方法は当技術分野において周知である。かかる無
機粉末としては、シリカ、粉末ガラス、ケイ酸塩、アル
ミナ、チタニア、アルミニウム、アスベスト、硫酸バリ
ウム、酸化亜鉛、酸化第二鉄及び硫化亜鉛のような材料
が挙げられる。
【０００７】好ましくは、無機粉末は無定形シリカを含
んでなる。さらに好ましくは、無機粉末は表面積が５０
〜４５０ｍ2/ｇで水分含量が０．１〜１．０重量％のヒ
ュームドシリカを含んでなる。簡潔のため、本明細書中
ではこれ以降無機粉末をシリカとして示すことが多い
が、適宜他の材料でシリカを代替し得るものと理解すべ
きである。
んでなる。さらに好ましくは、無機粉末は表面積が５０
〜４５０ｍ2/ｇで水分含量が０．１〜１．０重量％のヒ
ュームドシリカを含んでなる。簡潔のため、本明細書中
ではこれ以降無機粉末をシリカとして示すことが多い
が、適宜他の材料でシリカを代替し得るものと理解すべ
きである。
【０００８】本発明で使用できるシリル化剤にはポリオ
ルガノシロキサン、特にオルガノ基がアルキル、フルオ
ロアルキル、アルケニル又はアリール基（なかでも特に
メチル）であるようなヘキサオルガノジシロキサン；メ
ルカプタン類、アシレート類、アミン類及びアミノオキ
シ化合物を含めたトリオルガノシリル化合物；並びにヘ
キサメチルジシラザン及び１，３−ジフェニルヘキサメ
チルジシラザンのようなシラザン類が含まれる。これら
より反応性の低い試薬の幾つか（例えば他に官能基を含
んでいないジシロキサン）は、以降で詳述する通り、線
状窒化ハロゲン化リンを第三の試薬として使用する場合
に限って有効利用することができる。多くの事例におい
て好ましいシリル化剤はヘキサメチルジシラザン、トリ
メチルシラノール及びビス（トリメチルシリル）カーボ
ネートである。シリカの処理温度よりも低い沸点を有す
るシリル化剤（換言すれば気相シリル化）が特に好まし
い。
ルガノシロキサン、特にオルガノ基がアルキル、フルオ
ロアルキル、アルケニル又はアリール基（なかでも特に
メチル）であるようなヘキサオルガノジシロキサン；メ
ルカプタン類、アシレート類、アミン類及びアミノオキ
シ化合物を含めたトリオルガノシリル化合物；並びにヘ
キサメチルジシラザン及び１，３−ジフェニルヘキサメ
チルジシラザンのようなシラザン類が含まれる。これら
より反応性の低い試薬の幾つか（例えば他に官能基を含
んでいないジシロキサン）は、以降で詳述する通り、線
状窒化ハロゲン化リンを第三の試薬として使用する場合
に限って有効利用することができる。多くの事例におい
て好ましいシリル化剤はヘキサメチルジシラザン、トリ
メチルシラノール及びビス（トリメチルシリル）カーボ
ネートである。シリカの処理温度よりも低い沸点を有す
るシリル化剤（換言すれば気相シリル化）が特に好まし
い。
【０００９】最も有用なシリル化剤には、式 [(Ｒ1)3Ｓ
ｉ]aＺで表される材料がある。式中、各々のＲ1 は独立
に芳香族炭化水素基、ハロゲン化芳香族炭化水素基、ア
ラルキル基、Ｃ1-8 アルキル基、Ｃ2-8 アルケニル基、
Ｃ1-8 ハロアルキル基又はシクロアルキル基であり、Ｚ
はヒドロキシ、−Ｎ(Ｒ2)2-a、−ＳＲ2 、−Ｏ−、−Ｓ
−又はＯＣＯＲ2 であって、Ｒ2 は水素又はＲ1 であ
り、ａは１又は２である。Ｒ2 は好ましくは水素、Ｃ
1-8 アルキル又はシクロアルキルである。
ｉ]aＺで表される材料がある。式中、各々のＲ1 は独立
に芳香族炭化水素基、ハロゲン化芳香族炭化水素基、ア
ラルキル基、Ｃ1-8 アルキル基、Ｃ2-8 アルケニル基、
Ｃ1-8 ハロアルキル基又はシクロアルキル基であり、Ｚ
はヒドロキシ、−Ｎ(Ｒ2)2-a、−ＳＲ2 、−Ｏ−、−Ｓ
−又はＯＣＯＲ2 であって、Ｒ2 は水素又はＲ1 であ
り、ａは１又は２である。Ｒ2 は好ましくは水素、Ｃ
1-8 アルキル又はシクロアルキルである。
【００１０】芳香族炭化水素基及びハロゲン化芳香族炭
化水素基の具体例はフェニル、トリル、キシリル、ナフ
チル、クロロフェニル及びクロロナフチルである。アラ
ルキル基の具体例はベンジル及びフェニルエチルであ
る。アルキル基及びハロアルキル基の具体例は、メチ
ル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、
ヘプチル、オクチル、クロロプロピル及びトリフルオロ
プロピルである。アルケニル基の具体例はビニル、アリ
ル及び１−プロペニルである。シクロアルキル基の具体
例はシクロブチル、シクロペンチル及びシクロヘキシル
である。
化水素基の具体例はフェニル、トリル、キシリル、ナフ
チル、クロロフェニル及びクロロナフチルである。アラ
ルキル基の具体例はベンジル及びフェニルエチルであ
る。アルキル基及びハロアルキル基の具体例は、メチ
ル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、
ヘプチル、オクチル、クロロプロピル及びトリフルオロ
プロピルである。アルケニル基の具体例はビニル、アリ
ル及び１−プロペニルである。シクロアルキル基の具体
例はシクロブチル、シクロペンチル及びシクロヘキシル
である。
【００１１】本発明の方法は第三の試薬の存在を必要と
するが、かかる第三の試薬は比較的揮発性のブレンステ
ッド酸又は線状窒化ハロゲン化リンである。好適なブレ
ンステッド酸には、塩酸、炭酸、ギ酸及び酢酸が包含さ
れる。好ましくは、ブレンステッド酸は大気圧下で１２
０℃以下の沸点を有する。その格段の有効性並びに比較
的安価であるという点でギ酸が好ましい。ギ酸は水溶
液、例えば８８％（重量基準）溶液で用いることができ
る。
するが、かかる第三の試薬は比較的揮発性のブレンステ
ッド酸又は線状窒化ハロゲン化リンである。好適なブレ
ンステッド酸には、塩酸、炭酸、ギ酸及び酢酸が包含さ
れる。好ましくは、ブレンステッド酸は大気圧下で１２
０℃以下の沸点を有する。その格段の有効性並びに比較
的安価であるという点でギ酸が好ましい。ギ酸は水溶
液、例えば８８％（重量基準）溶液で用いることができ
る。
【００１２】好ましい線状窒化ハロゲン化リン(linear
phosphonitrilic halide) は塩化物(linear phosphonit
rilic chloride) であり、本明細書中では「ＬＰＮＣ」
と表記することもある。これらはＣｌ3Ｐ(ＮＰＣｌ2)n
ＮＰＣｌ3・ＰＣｌ6 という式を有しており、式中のｎ
は０〜４であって、好ましくは０〜２である。ＬＰＮＣ
は米国特許第３８３９３８８号に記載の方法で製造する
ことができる。この米国特許の開示内容は文献の援用に
よって本明細書の内容の一部をなす。
phosphonitrilic halide) は塩化物(linear phosphonit
rilic chloride) であり、本明細書中では「ＬＰＮＣ」
と表記することもある。これらはＣｌ3Ｐ(ＮＰＣｌ2)n
ＮＰＣｌ3・ＰＣｌ6 という式を有しており、式中のｎ
は０〜４であって、好ましくは０〜２である。ＬＰＮＣ
は米国特許第３８３９３８８号に記載の方法で製造する
ことができる。この米国特許の開示内容は文献の援用に
よって本明細書の内容の一部をなす。
【００１３】本発明の方法においてＬＰＮＣが触媒とし
て機能することはまさに驚くべきことである。ヒューム
ドシリカは微量の水を含んでいるが、水はＬＰＮＣの分
解を引き起こすことが知られている。したがって、この
ような目的にＬＰＮＣを使用できるということは予期し
得なかったことである。本発明の方法で使用するシリル
化剤の量によってシラノール基の除去度がある程度決ま
る。シラノール基は、そのシラノール基内の活性水素が
式−Ｓｉ(Ｒ1)3のシリル基で置換されたときに除去され
たと考えられる。シリル化剤の使用量が多いほど大量の
表面シラノール基の除去が起こる。好ましくは、表面シ
ラノール基の量を基準にして化学量論量以上の量のシリ
ル化剤を使用する。これは一般にシリカ重量を基準にし
て約４〜２００重量％の範囲内にある。
て機能することはまさに驚くべきことである。ヒューム
ドシリカは微量の水を含んでいるが、水はＬＰＮＣの分
解を引き起こすことが知られている。したがって、この
ような目的にＬＰＮＣを使用できるということは予期し
得なかったことである。本発明の方法で使用するシリル
化剤の量によってシラノール基の除去度がある程度決ま
る。シラノール基は、そのシラノール基内の活性水素が
式−Ｓｉ(Ｒ1)3のシリル基で置換されたときに除去され
たと考えられる。シリル化剤の使用量が多いほど大量の
表面シラノール基の除去が起こる。好ましくは、表面シ
ラノール基の量を基準にして化学量論量以上の量のシリ
ル化剤を使用する。これは一般にシリカ重量を基準にし
て約４〜２００重量％の範囲内にある。
【００１４】シリカとシリル化剤と第三試薬の混合物を
機械的に流動化するのが往々にして好ましい。流動化
は、揮発したシリル化剤の中にシリカ粒子を浮遊させる
のに足りる十分な混合と一定の機械的撹拌を与える従来
公知の装置によって達成することができる。流動化は回
分法としても実施できるし、連続法としても実施でき
る。好適な流動化装置には、様々な翼角の回転インペラ
が組み込まれたミキサー、混練ミキサー、ヘリカルブレ
ードミキサー及びスクリューミキサーが包含される。
機械的に流動化するのが往々にして好ましい。流動化
は、揮発したシリル化剤の中にシリカ粒子を浮遊させる
のに足りる十分な混合と一定の機械的撹拌を与える従来
公知の装置によって達成することができる。流動化は回
分法としても実施できるし、連続法としても実施でき
る。好適な流動化装置には、様々な翼角の回転インペラ
が組み込まれたミキサー、混練ミキサー、ヘリカルブレ
ードミキサー及びスクリューミキサーが包含される。
【００１５】反応温度はさほど重要な因子ではなく、例
示的範囲は約２５〜４００℃である。反応温度は大抵の
場合シリル化剤の沸点よりも高く、ＬＰＮＣを用いる場
合にはその不活性化温度よりも低い。好ましくは、温度
はブレンステッド酸含有系については約１００〜２５０
℃の範囲内であり、ＬＰＮＣ含有系については約１００
〜１５０℃の範囲内である。
示的範囲は約２５〜４００℃である。反応温度は大抵の
場合シリル化剤の沸点よりも高く、ＬＰＮＣを用いる場
合にはその不活性化温度よりも低い。好ましくは、温度
はブレンステッド酸含有系については約１００〜２５０
℃の範囲内であり、ＬＰＮＣ含有系については約１００
〜１５０℃の範囲内である。
【００１６】反応時間は、成分比及び温度を始めとする
反応条件に依存する。反応時間は、どの程度の表面シラ
ノール基の除去が望まれるかによっても左右される。よ
り長時間反応を進行させるほど、シラノール基の除去さ
れる割合は高くなる。流動化温度を高く設定すると、所
望のシラノール除去レベルに達するのに要する反応時間
は短くなる。所要とされるシラノール除去レベル並びに
そのレベルを満足するのに必要な時間及び温度パラメー
ターは当業者が決定し得る事項である。
反応条件に依存する。反応時間は、どの程度の表面シラ
ノール基の除去が望まれるかによっても左右される。よ
り長時間反応を進行させるほど、シラノール基の除去さ
れる割合は高くなる。流動化温度を高く設定すると、所
望のシラノール除去レベルに達するのに要する反応時間
は短くなる。所要とされるシラノール除去レベル並びに
そのレベルを満足するのに必要な時間及び温度パラメー
ターは当業者が決定し得る事項である。
【００１７】任意の方法で処理シリカから過剰の試薬及
び副生物をストリッピングすることができるが、通例は
真空下で行う。これに続いて、窒素又は同様の不活性ガ
スで真空を破いてもよい。本発明の方法を以下の実施例
で例証する。
び副生物をストリッピングすることができるが、通例は
真空下で行う。これに続いて、窒素又は同様の不活性ガ
スで真空を破いてもよい。本発明の方法を以下の実施例
で例証する。
【００１８】
【実施例】実施例１ 表面積２００ｍ2/ｇで１平方ナノメーター当たり約４．
５個のシラノール基を含んだヒュームドシリカ２００ｇ
を１ガロンオートクレーブに入れ、８８％ギ酸水溶液４
ｇを加えた。オートクレーブを密閉して激しく撹拌しな
がら１７４℃に加熱した。揮発分をガス抜きして、僅か
に陽圧とした窒素によってヘキサメチルジシラザン３２
ｇを加えた。上記温度での加熱を１５分間続け、しかる
後にオートクレーブを脱気して揮発分をストリッピング
した。生成物は、１平方ナノメーター当たりのシラノー
ル基レベルが２．４の所望の疎水性シリカであった。
５個のシラノール基を含んだヒュームドシリカ２００ｇ
を１ガロンオートクレーブに入れ、８８％ギ酸水溶液４
ｇを加えた。オートクレーブを密閉して激しく撹拌しな
がら１７４℃に加熱した。揮発分をガス抜きして、僅か
に陽圧とした窒素によってヘキサメチルジシラザン３２
ｇを加えた。上記温度での加熱を１５分間続け、しかる
後にオートクレーブを脱気して揮発分をストリッピング
した。生成物は、１平方ナノメーター当たりのシラノー
ル基レベルが２．４の所望の疎水性シリカであった。
【００１９】実施例２ ３．８リットル実験室用オートクレーブ反応器に、１平
方ナノメーター当たり約１．５個のシラノール基を含ん
だヒュームドシリカ２００ｇを入れた。２５℃において
ギ酸１ｇを加えた。反応器を密閉して１５０℃に加熱し
た。吸収されなかったギ酸蒸気をガス抜きして８ｇのヘ
キサメチルジシラザンを加えた。反応を３分間進行させ
た後、直ぐに真空に引いて過剰の試薬をストリッピング
した。こうして処理した充填剤のキャラクタリゼーショ
ンをＦＴＩＲ及びケイ素２９核磁気共鳴分光法及び元素
分析で行い、その結果、シラノール基がすべて除去され
たことが分かった。
方ナノメーター当たり約１．５個のシラノール基を含ん
だヒュームドシリカ２００ｇを入れた。２５℃において
ギ酸１ｇを加えた。反応器を密閉して１５０℃に加熱し
た。吸収されなかったギ酸蒸気をガス抜きして８ｇのヘ
キサメチルジシラザンを加えた。反応を３分間進行させ
た後、直ぐに真空に引いて過剰の試薬をストリッピング
した。こうして処理した充填剤のキャラクタリゼーショ
ンをＦＴＩＲ及びケイ素２９核磁気共鳴分光法及び元素
分析で行い、その結果、シラノール基がすべて除去され
たことが分かった。
【００２０】実施例３ 溶媒としての四塩化炭素中で五塩化リンと塩化アンモニ
ウムからＬＰＮＣを合成した。これを沈殿させ窒素下で
の濾過により回収した。ＬＰＮＣ１５．５６ｇの溶液
を、五酸化リン及びモレキュラーシーブで乾燥しておい
た４００ｍｌの塩化メチレン中に溶解した。この溶液を
窒素下で濾過した。
ウムからＬＰＮＣを合成した。これを沈殿させ窒素下で
の濾過により回収した。ＬＰＮＣ１５．５６ｇの溶液
を、五酸化リン及びモレキュラーシーブで乾燥しておい
た４００ｍｌの塩化メチレン中に溶解した。この溶液を
窒素下で濾過した。
【００２１】真空導出装置の付いた還流冷却器と機械式
撹拌機を取り付けた１リットル三首フラスコに、実施例
１で用いたヒュームドシリカ５０．７ｇと８２．４ｇの
ヘキサメチルジシロキサンを入れた。ヘキサメチルジシ
ロキサンが還流し始めるまで撹拌しながらフラスコを加
熱し、還流し始めた時点で上記触媒溶液１２９μｌをマ
イクロシリンジで添加した。
撹拌機を取り付けた１リットル三首フラスコに、実施例
１で用いたヒュームドシリカ５０．７ｇと８２．４ｇの
ヘキサメチルジシロキサンを入れた。ヘキサメチルジシ
ロキサンが還流し始めるまで撹拌しながらフラスコを加
熱し、還流し始めた時点で上記触媒溶液１２９μｌをマ
イクロシリンジで添加した。
【００２２】加熱を続けながら、試料を定期的に採取し
て５０％メタノール水溶液での疎水性試験に付した。２
０分後にシリカはメタノール水溶液と接触させても濡れ
なくなり、シラノール基がすべて除去されたことが実証
された。次いで揮発分を真空ストリッピングし、所望の
疎水性シリカである生成物を１１０℃の真空オーブン内
で２時間乾燥した。
て５０％メタノール水溶液での疎水性試験に付した。２
０分後にシリカはメタノール水溶液と接触させても濡れ
なくなり、シラノール基がすべて除去されたことが実証
された。次いで揮発分を真空ストリッピングし、所望の
疎水性シリカである生成物を１１０℃の真空オーブン内
で２時間乾燥した。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 スタンリー・テリーサ・バドゥル アメリカ合衆国、ニューヨーク州、グラバ ーズビル、ウェスト・12ティーエイチ・ア ベニュー、16番 (72)発明者 ジョン・ピーター・ベインビシウス アメリカ合衆国、ニューヨーク州、オーバ ニー、ウッドレイク・ロード・ナンバー ３、25番 (72)発明者 スラウォミー・ラビンスタジェン アメリカ合衆国、ニューヨーク州、スケネ クタデイ、ハイランド・パーク・ロード、 1105番 (72)発明者 マイケル・リー・ホワイト アメリカ合衆国、ニューヨーク州、クリフ トン・パーク、イーストウッド・ドライ ブ、126ディー（番地なし) (72)発明者 ラリー・アリン・ディビンス アメリカ合衆国、ニューヨーク州、クリフ トン・パーク、セイント・アンドリュー ス・ドライブ、66番
Claims (12)
- 【請求項１】 ブレンステッド酸及び線状窒化ハロゲン
化リンからなる群から選択される第三の試薬の存在下で
無機粉末をシリル化剤と接触させることを含んでなる、
無機粉末の処理方法。 - 【請求項２】 前記無機粉末がシリカ、粉末ガラス、ケ
イ酸塩、アルミナ、チタニア、アルミニウム、アスベス
ト、硫酸バリウム、酸化亜鉛、酸化第二鉄、硫化亜鉛又
は塩化銀である、請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記無機粉末が無定形シリカであって、
前記シリル化剤の量がシリカの表面シラノール基の量を
基準にして化学量論量以上である、請求項２記載の方
法。 - 【請求項４】 前記無機粉末が無定形シリカであって、
前記シリル化剤の量がシリカを基準にして約４〜２００
重量％の範囲内にある、請求項２記載の方法。 - 【請求項５】 前記シリル化剤が式 [(Ｒ1)3Ｓｉ]aＺ
（式中、各々のＲ1 は独立に芳香族炭化水素基、ハロゲ
ン化芳香族炭化水素基、アラルキル基、Ｃ1-8アルキル
基、Ｃ2-8 アルケニル基、Ｃ1-8 ハロアルキル基又はシ
クロアルキル基であり、Ｚはヒドロキシ、−Ｎ(Ｒ2)2、
−ＳＲ2 、−Ｏ−、−Ｓ−又はＯＣＯＲ 2 であって、Ｒ
2 は水素又はＲ1 であり、ａは１又は２である）を有す
る、請求項１記載の方法。 - 【請求項６】 前記Ｒ1 が水素、低級アルキル又はシク
ロアルキルである、請求項５記載の方法。 - 【請求項７】 前記シリル化剤がトリオルガノシリルメ
ルカプタン類、トリオルガノシリルアシレート類、トリ
オルガノシリルアミン類、トリオルガノシリルアミノオ
キシ化合物、ジシロキサン類及びジシラザン類からなる
群から選択される、請求項１記載の方法。 - 【請求項８】 前記第三試薬がブレンステッド酸であっ
て、該ブレンステッド酸が大気圧下で１２０℃以下の沸
点を有する、請求項１記載の方法。 - 【請求項９】 前記ブレンステッド酸がギ酸である、請
求項８記載の方法。 - 【請求項１０】 前記シリル化剤がジシラザンである、
請求項８記載の方法。 - 【請求項１１】 前記第三試薬が線状窒化塩化リンであ
る、請求項１記載の方法。 - 【請求項１２】 前記接触が約２５〜４００℃の範囲の
温度で行われる、請求項１記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/630314 | 1996-04-10 | ||
| US08/630,314 US5652017A (en) | 1996-04-10 | 1996-04-10 | Method for rendering inorganic powder hydrophobic |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1033975A true JPH1033975A (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=24526683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9078707A Withdrawn JPH1033975A (ja) | 1996-04-10 | 1997-03-31 | 無機粉末を疎水性にする方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5652017A (ja) |
| JP (1) | JPH1033975A (ja) |
| DE (1) | DE19713922A1 (ja) |
| FR (1) | FR2747323B1 (ja) |
| GB (1) | GB2311989B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005539104A (ja) * | 2002-07-25 | 2005-12-22 | アンコル インターナショナル コーポレイション | 疎水性液体を含有する粘稠性組成物 |
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| US6030660A (en) * | 1997-12-19 | 2000-02-29 | General Electric Company | Method of steam stripping an inorganic powder |
| DE69921450T2 (de) * | 1998-01-15 | 2005-10-13 | Cabot Corp., Boston | Verfahren zur herstellung von behandelter kieselsäure |
| WO1999036355A2 (en) * | 1998-01-15 | 1999-07-22 | Cabot Corporation | Method of preparing hydrophobic silica |
| FR2781475B1 (fr) * | 1998-07-23 | 2000-09-08 | Alsthom Cge Alcatel | Utilisation d'un creuset en graphite poreux pour traiter des granules de silice |
| US6193412B1 (en) | 1999-02-26 | 2001-02-27 | General Electric Company | Method for measurement of the surface polarity of inorganic material |
| CN103073924B (zh) * | 2013-01-23 | 2014-09-17 | 苏州大学 | 一种含磷腈结构的六方氮化硼及其制备方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS5524472B2 (ja) * | 1973-01-23 | 1980-06-28 | ||
| JPS60163973A (ja) * | 1984-02-07 | 1985-08-26 | Shiseido Co Ltd | 疎水性粉体の製造方法 |
| US4554147A (en) * | 1984-04-02 | 1985-11-19 | General Electric Company | Method for treating fumed silica |
| JPS636062A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-12 | Toray Silicone Co Ltd | シリカ微粉末の表面改質方法 |
| JP3321863B2 (ja) * | 1992-12-14 | 2002-09-09 | 住友化学工業株式会社 | シランカップリング剤被覆無機物質 |
-
1996
- 1996-04-10 US US08/630,314 patent/US5652017A/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-03-12 GB GB9705107A patent/GB2311989B/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-03-31 JP JP9078707A patent/JPH1033975A/ja not_active Withdrawn
- 1997-04-04 DE DE19713922A patent/DE19713922A1/de not_active Withdrawn
- 1997-04-08 FR FR9704256A patent/FR2747323B1/fr not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005539104A (ja) * | 2002-07-25 | 2005-12-22 | アンコル インターナショナル コーポレイション | 疎水性液体を含有する粘稠性組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB9705107D0 (en) | 1997-04-30 |
| DE19713922A1 (de) | 1997-10-30 |
| US5652017A (en) | 1997-07-29 |
| GB2311989A (en) | 1997-10-15 |
| FR2747323B1 (fr) | 1999-07-30 |
| FR2747323A1 (fr) | 1997-10-17 |
| GB2311989B (en) | 1999-11-17 |
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