JPH10335421A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

Info

Publication number
JPH10335421A
JPH10335421A JP15585797A JP15585797A JPH10335421A JP H10335421 A JPH10335421 A JP H10335421A JP 15585797 A JP15585797 A JP 15585797A JP 15585797 A JP15585797 A JP 15585797A JP H10335421 A JPH10335421 A JP H10335421A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cassette
wafer
stage
transfer
shelf
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP15585797A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuto Ikeda
和人 池田
Yuji Yoshida
祐治 吉田
Yukinori Yuya
幸則 油谷
Takeshi Sugimoto
毅 杉本
Shuji Yonemitsu
修司 米満
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kokusai Electric Corp filed Critical Kokusai Electric Corp
Priority to JP15585797A priority Critical patent/JPH10335421A/ja
Publication of JPH10335421A publication Critical patent/JPH10335421A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体製造装置と外部搬送装置間のウェーハカ
セットの搬送を簡略化し、効率よく行う。 【解決手段】反応炉と、該反応炉にウェーハを装填した
ボートを装入、引出しするボートエレベータと、ウェー
ハカセットを収納する移載棚24と、前記ウェーハカセ
ットを収納するバッファ棚25と、前記ボートと前記移
載棚との間でウェーハの移載を行うウェーハ移載機と、
外部に対して前記ウェーハカセットの授受を行うカセッ
トステージ22と、該カセットステージと前記バッファ
棚間で前記ウェーハカセットの授受を行うカセットロー
ダとを具備した半導体製造装置に於いて、前記カセット
ローダが回転可能であり、該カセットローダの周囲に前
記カセットステージ、前記移載棚及び前記バッファ棚を
放射状に設けた構成とし、前記カセットローダの水平回
転動、昇降動及び進退動により、前記バッファ棚と前記
カセットステージとの間及び前記移載棚と前記バッファ
棚との間で前記ウェーハカセットの挿入、引出しを効率
良く行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体基板に熱処
理、或は成膜処理をして半導体を製造する半導体製造装
置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体素子はシリコンウェーハ等被処理
基板表面に気相成長反応により成膜し、燐、硼素等の不
純物拡散を行い、或はエッチング等をして製造するが、
半導体製造装置に対するウェーハ搬送はウェーハカセッ
トに装填された状態で行われる。
【0003】図4〜図12に於いて従来の半導体製造装
置、特に縦型炉を有する半導体製造装置の概略を説明す
る。
【0004】図中1は筐体であり、該筐体1の前面には
図示しない外部搬送装置とのウェーハカセット2の授受
を行うカセットステージ3が設けられ、該カセットステ
ージ3の後方にはカセットローダ4が設けられ、該カセ
ットローダ4の後方には移載棚5が設けられ、該移載棚
5の上方にはバッファ棚6が設けられている。前記移載
棚5の後方にはウェーハ移載機7が設けられ、該ウェー
ハ移載機7の後方にはボートエレベータ8が設けられ、
該ボートエレベータ8の上方には反応炉9が設けられ、
前記ボートエレベータ8により被処理基板であるウェー
ハ10が装填されたボート11が前記反応炉9内部に装
入、引出し可能となっている。
【0005】前記カセットローダ4はカセットエレベー
タ12と該カセットエレベータ12に昇降可能に設けら
れた昇降ステージ13と該昇降ステージ13に設けられ
たカセットローダポート14とを有し、前記昇降ステー
ジ13は2組横並びに設けられ、該各昇降ステージ13
は前記カセットエレベータ12のガイドロッド15に沿
って昇降可能となっている。
【0006】前記カセットローダポート14は水平軸を
中心に反転可能であり、前記カセットステージ3、前記
移載棚5、前記バッファ棚6に対して進退可能となって
いる。前記移載棚5、前記バッファ棚6はそれぞれ2列
4段の前記ウェーハカセット2の収納スペースを有し、
前記カセットローダ4はスライド機構16により前記カ
セットステージ3に対して平行に横行可能となってい
る。前記カセットステージ3は横並びで2個の前記ウェ
ーハカセット2を載置可能であり、又、ピッチ変換機構
17を有し、該ピッチ変換機構17により前記カセット
ステージ3に載置される前記ウェーハカセット2の水平
間隔を変更可能となっている。
【0007】前記ウェーハ10の搬送は、前記した様に
前記ウェーハカセット2に装填された状態で行われ、2
個の該ウェーハカセット2は外部搬送装置(図示せず)
により前記カセットステージ3に載置される。前記ピッ
チ変換機構17は2個の前記ウェーハカセット2の水平
間隔を前記移載棚5の収納ピッチに合致させる。前記カ
セットローダ4の前記各昇降ステージ13が2個の前記
ウェーハカセット2を同時に受載し、前記カセットロー
ダポート14が反転する。前記カセットエレベータ12
により2組の前記昇降ステージ13が昇降し、更に前記
スライド機構16により前記カセットローダ4が横行
し、前記バッファ棚6の所定の収納位置に正対する。該
バッファ棚6の所定収納位置に2個の前記ウェーハカセ
ット2を横並びで装入する。
【0008】前記昇降ステージ13は昇降動、横行動に
より所定の前記バッファ棚6に対峙し、進退動により前
記各昇降ステージ13上に前記ウェーハカセット2を受
載した後、前記昇降ステージ13は昇降、横行の協動に
より所定の前記移載棚5に対峙し、2個の前記ウェーハ
カセット2を前記移載棚5の所定収納位置に横並びで装
入する。
【0009】前記ウェーハ移載機7は昇降可能且回転可
能に設けられ、水平方向に進退可能なチャッキングヘッ
ド18を有し、前記ボート11の下降状態で前記移載棚
5の前記ウェーハカセット2から前記ウェーハ10を前
記ボート11へ移載する。
【0010】前記ボートエレベータ8は前記ボート11
を前記反応炉9内に装入し、該反応炉9内で前記ウェー
ハ10に所要の処理が行われる。処理完了後、前記ボー
トエレベータ8により前記ボート11を降下させ、該ボ
ート11を前記反応炉9より引出す。前記ボート11を
炉外で冷却し、該ボート11の下降状態で前記ウェーハ
移載機7により前記ボート11から前記移載棚5の前記
ウェーハカセット2へ処理済みの前記ウェーハ10の移
載を行う。
【0011】前記カセットローダ4は処理済みの前記ウ
ェーハ10を装填した前記ウェーハカセット2を前述し
た手順と逆の手順で図示しない外部搬送装置に払出す。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の半導体
製造装置では2個横並びの前記ウェーハカセット2の水
平間隔を前記移載棚5の収納ピッチに合致させる為、前
記ピッチ変換機構17が必要とされ、搬送システムが複
雑化していた。又、前記カセットステージ3と前記バッ
ファ棚6との間で前記ウェーハカセット2の移載を行う
際、前記昇降ステージ13上の前記ウェーハカセット2
を前記カセットステージ3、又は前記バッファ棚6の正
面に対峙させる為、前記スライド機構16により前記カ
セットローダ4を横行させる必要がある。更に、前記移
載棚5、前記バッファ棚6が上下に設けられている為、
前記移載棚5と前記バッファ棚6との間で前記ウェーハ
カセットを移載させる際、前記カセットエレベータ12
を昇降させる必要がある。従って、前記ウェーハカセッ
トの移載動作として横行と昇降が必要であり、特に昇降
は前記移載棚5と前記バッファ棚6との間の昇降となる
為、前記昇降ステージ13の昇降距離が長くなり、移載
時間を短縮できず、スループットの向上が図れないとい
う問題があった。
【0013】本発明は斯かる実情に鑑み、半導体製造装
置と外部搬送装置間のウェーハカセットの搬送を簡略化
し、効率良く行える様にしたものである。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明は、反応炉と、該
反応炉にウェーハを装填したボートを装入、引出しする
ボートエレベータと、ウェーハカセットを収納する移載
棚と、前記ウェーハカセットを収納するバッファ棚と、
前記ボートと前記移載棚との間でウェーハの移載を行う
ウェーハ移載機と、外部に対して前記ウェーハカセット
の授受を行うカセットステージと、該カセットステージ
と前記バッファ棚間で前記ウェーハカセットの授受を行
うカセットローダとを具備した半導体製造装置に於い
て、前記カセットローダが回転可能であり、該カセット
ローダの周囲に前記カセットステージ、前記移載棚及び
前記バッファ棚を放射状に設けた半導体製造装置に係
り、前記カセットローダの水平回転動、昇降動及び進退
動により、前記バッファ棚と前記カセットステージとの
間及び前記移載棚と前記バッファ棚との間で前記ウェー
ハカセットの挿入、引出しを効率良く行う。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態を説明する。尚、図1〜図3中、図4〜図1
2と同等のものは図示せず、その説明も省略する。
【0016】図中21は筐体であり、該筐体21の前面
にはカセットステージ22が設けられ、該カセットステ
ージ22の後方には図示しないカセットローダが水平回
転且進退可能に設けられ、該カセットローダには昇降可
能な1個の昇降ステージ23が設けられている。前記カ
セットローダ(図示せず)の後方には移載棚24が1個
設けられ、前記カセットローダの周囲には前記移載棚2
4と同じ高さで放射状に複数個(図示では4個)のバッ
ファ棚25が設けられ、前記移載棚24、バッファ棚2
5はそれぞれ縦一列のウェーハカセット収納スペースを
有している。
【0017】ウェーハの搬送はウェーハカセットに装填
された状態で行われ、該ウェーハカセット(図示せず)
は外部搬送装置(図示せず)により搬送された後、前記
カセットステージ22を介して前記昇降ステージ23に
授受される。前記カセットローダ(図示せず)は水平回
転し、所要の前記バッファ棚25に対峙した後、前記昇
降ステージ23が昇降し、前記バッファ棚25の所要段
に前記ウェーハカセット(図示せず)を挿入する。
【0018】前記カセットローダ(図示せず)は所要の
前記バッファ棚25に対峙し、前記ウェーハカセット
(図示せず)を前記昇降ステージ23上に受載し、引出
す。前記カセットローダ(図示せず)は水平回転し、前
記移載棚24に対峙した後、該移載棚24の所定段迄、
前記昇降ステージ23が昇降し、前記ウェーハカセット
(図示せず)を挿入する。
【0019】その後、ウェーハに所定の処理が施され、
前記移載棚24の前記ウェーハカセット(図示せず)に
移載される迄の手順は従来例と同じであるので説明は省
略する。
【0020】前記カセットローダ(図示せず)は水平回
転し、前記移載棚24に対峙し、処理済みのウェーハを
装填した前記ウェーハカセット(図示せず)を前記昇降
ステージ23上に受載し、引出す。前記カセットローダ
(図示せず)は再び水平回転し、所定の前記バッファ棚
25に対峙した後、該バッファ棚25の所定段迄、前記
昇降ステージ23が昇降し、前記ウェーハカセット(図
示せず)を挿入する。
【0021】前記カセットローダ(図示せず)は水平回
転し、所要の前記バッファ棚25に対峙し、該バッファ
棚25の所定段迄、前記昇降ステージ23が昇降し、前
記バッファ棚25の所定段から前記ウェーハカセット
(図示せず)を引出す。前記カセットローダ(図示せ
ず)は再び水平回転し、前記カセットステージ22に対
峙した後、該カセットステージ22の高さ迄前記昇降ス
テージ23が昇降し、前記カセットステージ22を介し
て前記ウェーハカセット(図示せず)を外部に払出す。
【0022】尚、上記実施の形態に於いては、1個の移
載棚、4個のバッファ棚、1個の昇降ステージ及び1個
のカセットステージで1組の搬送システムが構成され、
1筐体内には1組の前記搬送システムが設けられている
が、2組以上の搬送システムが設けられていてもよい。
又、1組の搬送システムに移載棚が2個以上、バッファ
棚が3個以下、又は5個以上設けられていてもよい。
【0023】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、カセッ
トローダを横行させる機構及びカセットステージ上の横
並びのウェーハカセット間の水平間隔を調整する機構が
不要である為、搬送システムの簡略化が可能となり、コ
スト削減が図れる。又、カセットステージ、移載棚、バ
ッファ棚がカセットローダの周囲に同じ高さで放射状に
1段で配置されているので、カセットローダの昇降距離
が短縮され、更にカセットローダの横行が不要となる
為、移載時間の短縮化が可能となり、スループットの向
上が図れる等、種々の優れた効果を発揮する。
【0024】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態を示す平面図である。
【図2】該実施の形態を示す側面図である。
【図3】(A)(B)(C)(D)は該実施の形態に於
いてウェーハカセットを移載する動作を示す平面図であ
る。
【図4】従来例を示す斜視図である。
【図5】該従来例に於いてウェーハカセットをカセット
ステージからバッファ棚へ装入する動作を示す平面図で
ある。
【図6】該従来例に於いてウェーハカセットをカセット
ステージからバッファ棚へ装入する動作を示す側面図で
ある。
【図7】該従来例に於いてウェーハカセットをバッファ
棚から移載棚へ移載する動作を示す平面図である。
【図8】該従来例に於いてウェーハカセットをバッファ
棚から移載棚へ移載する動作を示す側面図である。
【図9】該従来例に於いてウェーハカセットを移載棚か
らバッファ棚へ移載する動作を示す平面図である。
【図10】該従来例に於いてウェーハカセットを移載棚
からバッファ棚へ移載する動作を示す側面図である。
【図11】該従来例に於いてウェーハカセットをバッフ
ァ棚からカセットステージへ払出す動作を示す平面図で
ある。
【図12】該従来例に於いてウェーハカセットをバッフ
ァ棚からカセットステージへ払出す動作を示す側面図で
ある。
【符号の説明】
22 カセットステージ 23 昇降ステージ 24 移載棚 25 バッファ棚
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉本 毅 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 米満 修司 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 反応炉と、該反応炉にウェーハを装填し
    たボートを装入、引出しするボートエレベータと、ウェ
    ーハカセットを収納する移載棚と、前記ウェーハカセッ
    トを収納するバッファ棚と、前記ボートと前記移載棚と
    の間でウェーハの移載を行うウェーハ移載機と、外部に
    対して前記ウェーハカセットの授受を行うカセットステ
    ージと、該カセットステージと前記バッファ棚間で前記
    ウェーハカセットの授受を行うカセットローダとを具備
    した半導体製造装置に於いて、前記カセットローダが回
    転可能であり、該カセットローダの周囲に前記カセット
    ステージ、前記移載棚及び前記バッファ棚を放射状に設
    けたことを特徴とする半導体製造装置。
JP15585797A 1997-05-29 1997-05-29 半導体製造装置 Pending JPH10335421A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15585797A JPH10335421A (ja) 1997-05-29 1997-05-29 半導体製造装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15585797A JPH10335421A (ja) 1997-05-29 1997-05-29 半導体製造装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10335421A true JPH10335421A (ja) 1998-12-18

Family

ID=15615025

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15585797A Pending JPH10335421A (ja) 1997-05-29 1997-05-29 半導体製造装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10335421A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100558570B1 (ko) * 2000-04-03 2006-03-13 삼성전자주식회사 반도체 제조설비에서 보트내 웨이퍼 배치용량 증가방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100558570B1 (ko) * 2000-04-03 2006-03-13 삼성전자주식회사 반도체 제조설비에서 보트내 웨이퍼 배치용량 증가방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3258748B2 (ja) 熱処理装置
JP2987148B1 (ja) 基板処理装置
US5944857A (en) Multiple single-wafer loadlock wafer processing apparatus and loading and unloading method therefor
KR20110128149A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JPH0766267A (ja) ウェーハカセット授受装置
WO2018016257A1 (ja) 基板処理装置
JP2628335B2 (ja) マルチチャンバ型cvd装置
JPH0710212A (ja) ウェーハカセット授受装置
EP1780775A1 (en) Vertical heat treatment device and method of operating the same
JPH10335421A (ja) 半導体製造装置
JP6134174B2 (ja) 磁気アニール装置
US11211277B2 (en) Substrate processing apparatus
JP2014181880A (ja) 磁気アニール装置
JP6134173B2 (ja) 磁気アニール装置
KR101578081B1 (ko) 기판처리시스템
JP3176153B2 (ja) 半導体製造装置
JPH1167866A (ja) 半導体製造装置
JP4097358B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JPS62128523A (ja) ウエ−ハ収納ボ−トの熱処理炉への搬入出装置
JPH06329208A (ja) 半導体製造装置のウェーハ搬送装置
KR20160104601A (ko) 자기 어닐링 장치
KR101649303B1 (ko) 기판처리시스템
JPH07137807A (ja) カセット搬送装置
JPH1197509A (ja) 半導体製造装置
JPH06329209A (ja) 半導体製造装置のウェーハカセット搬送装置