JPH10333534A - エンボシング筒体の製造方法 - Google Patents
エンボシング筒体の製造方法Info
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- JPH10333534A JPH10333534A JP14073098A JP14073098A JPH10333534A JP H10333534 A JPH10333534 A JP H10333534A JP 14073098 A JP14073098 A JP 14073098A JP 14073098 A JP14073098 A JP 14073098A JP H10333534 A JPH10333534 A JP H10333534A
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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-
- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単なエンボシング筒体の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 筒体のマントル面をフォトレジストで被
覆する工程と、フォトレジストで被覆されたマントル面
を露光してフォトレジスト上に画像を作る工程と、フォ
トレジスト上に作られた画像を現像してレリーフ状表面
構造を作る工程とを有するエンボシング筒体の製造方法
において、前記現像工程実施後、フォトレジストをシリ
コン有機化合物で処理すると同時に焼戻し及びＵＶ照射
を施す。
る。 【解決手段】 筒体のマントル面をフォトレジストで被
覆する工程と、フォトレジストで被覆されたマントル面
を露光してフォトレジスト上に画像を作る工程と、フォ
トレジスト上に作られた画像を現像してレリーフ状表面
構造を作る工程とを有するエンボシング筒体の製造方法
において、前記現像工程実施後、フォトレジストをシリ
コン有機化合物で処理すると同時に焼戻し及びＵＶ照射
を施す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エンボシング胴又
は筒体の製造方法に関する。
は筒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】回折及
びホログラム箔の製造のためのエンボス（型押し）技術
において、フォトリソグラフィーにより作られたフォト
レジスト表面レリーフから多数の電気めっき成形工程を
経て得られたニッケル製エンボシングダイを、滑らかに
研摩され、塵の付いていないエンボシングドラムに取り
付けることが知られている。ドラムとニッケル製ダイと
の間に塵粒があってニッケル製ダイの製造中及びエンボ
ス中の作業温度及び圧力が高いと、ダイの摩耗が早ま
る。幅が３０cmよりも大きな箔に対してエンボスを行う
場合、温度及び圧力勾配が生じることに起因して箔の幅
全体にわたるエンボシング深さの一様性に関しても問題
が生じる。この問題に関し、例えば米国特許第４，９０
６，３１５号又は米国特許第４，７５８，２９６号にお
いて高粘度ＵＶ（紫外線）硬化性樹脂を用いる方法が提
案され、かかる方法では、ニッケル製エンボシングダイ
又は他のエンボシングダイ、例えはプラスチック製エン
ボシングダイのレリーフ構造がエンボスされる。これら
方法は「常温エンボシング法」又は「湿式エンボシング
法」と呼ばれている。キャリヤーフィルム上の積層によ
り、エンボスされた樹脂をダイから剥離してＵＶ光又は
電子ビームを用いてキャリヤーフィルムを通して硬化さ
せる。ＵＶによる硬化は、キャリヤーフィルムが不透明
であればあるほど、それだけ一層手が込んだものにな
る。もし紙をキャリヤーフィルムとして又はキャリヤー
材料として用いると、硬化は、手が込んでいてコストが
かかる電子ビーム硬化法によってのみ可能である。
びホログラム箔の製造のためのエンボス（型押し）技術
において、フォトリソグラフィーにより作られたフォト
レジスト表面レリーフから多数の電気めっき成形工程を
経て得られたニッケル製エンボシングダイを、滑らかに
研摩され、塵の付いていないエンボシングドラムに取り
付けることが知られている。ドラムとニッケル製ダイと
の間に塵粒があってニッケル製ダイの製造中及びエンボ
ス中の作業温度及び圧力が高いと、ダイの摩耗が早ま
る。幅が３０cmよりも大きな箔に対してエンボスを行う
場合、温度及び圧力勾配が生じることに起因して箔の幅
全体にわたるエンボシング深さの一様性に関しても問題
が生じる。この問題に関し、例えば米国特許第４，９０
６，３１５号又は米国特許第４，７５８，２９６号にお
いて高粘度ＵＶ（紫外線）硬化性樹脂を用いる方法が提
案され、かかる方法では、ニッケル製エンボシングダイ
又は他のエンボシングダイ、例えはプラスチック製エン
ボシングダイのレリーフ構造がエンボスされる。これら
方法は「常温エンボシング法」又は「湿式エンボシング
法」と呼ばれている。キャリヤーフィルム上の積層によ
り、エンボスされた樹脂をダイから剥離してＵＶ光又は
電子ビームを用いてキャリヤーフィルムを通して硬化さ
せる。ＵＶによる硬化は、キャリヤーフィルムが不透明
であればあるほど、それだけ一層手が込んだものにな
る。もし紙をキャリヤーフィルムとして又はキャリヤー
材料として用いると、硬化は、手が込んでいてコストが
かかる電子ビーム硬化法によってのみ可能である。
【０００３】これら問題を解決するために、ドイツ国特
許出願公開明細書ＤＥ４１３２４７６号は、成形法の実
施中に筒体内側からＵＶ硬化を可能にする透明なエンボ
シング筒体の使用法及び製造法を開示している。この筒
体は、表面レリーフ構造又は画像レリーフを備えたＵＶ
硬化樹脂膜が外面に被着された石英から成る。このレリ
ーフを作るため、或いはこれを筒体に付けるため、電気
めっき法によりフォトレジスト表面のレリーフ構造から
形成されたニッケル製ダイで始まる幾つかの手の込んだ
成形工程が記載されている。このニッケル製ダイは、可
撓性アクリル箔中へ形成され、この箔はこの筒体の内部
にネガ（negative）として導入される。石英筒体はこの
筒体の内部に挿入され、自由領域はＵＶ硬化性樹脂で満
たされる。自由領域中へ注ぎ込まれたこの樹脂のＵＶ硬
化により、レリーフ構造が石英製筒体のマントル面上に
形成される。次に、外側筒体を可撓性アクリル箔と一緒
に除去する。
許出願公開明細書ＤＥ４１３２４７６号は、成形法の実
施中に筒体内側からＵＶ硬化を可能にする透明なエンボ
シング筒体の使用法及び製造法を開示している。この筒
体は、表面レリーフ構造又は画像レリーフを備えたＵＶ
硬化樹脂膜が外面に被着された石英から成る。このレリ
ーフを作るため、或いはこれを筒体に付けるため、電気
めっき法によりフォトレジスト表面のレリーフ構造から
形成されたニッケル製ダイで始まる幾つかの手の込んだ
成形工程が記載されている。このニッケル製ダイは、可
撓性アクリル箔中へ形成され、この箔はこの筒体の内部
にネガ（negative）として導入される。石英筒体はこの
筒体の内部に挿入され、自由領域はＵＶ硬化性樹脂で満
たされる。自由領域中へ注ぎ込まれたこの樹脂のＵＶ硬
化により、レリーフ構造が石英製筒体のマントル面上に
形成される。次に、外側筒体を可撓性アクリル箔と一緒
に除去する。
【０００４】この方法が非常に手の込んでいることとは
別に、筒体の外側レリーフの製造中に可撓性ネガ箔を剥
離することは、この方法に用いられるＵＶ硬化性材料が
同族の化学的塩基性元素（アクリレート支持体上のレジ
スト）を含んでいるので問題を生じる。公知の方法は、
製造用筒体中に導入される必要がある平らなダイをネガ
と見なすので、多少なりとも目につく「継ぎ目」が、製
造されるべき表面レリーフ上に生じる。かかる継ぎ目
は、製造された回折箔、特にエンドレスパターンを備え
た箔中に、ダイ長さに等しい距離のところにパターンの
途切れとして見える。したがって、本発明の目的は、回
折光学箔のエンボスのためのエンボシング筒体を簡単に
製造できる方法を提供することにある。
別に、筒体の外側レリーフの製造中に可撓性ネガ箔を剥
離することは、この方法に用いられるＵＶ硬化性材料が
同族の化学的塩基性元素（アクリレート支持体上のレジ
スト）を含んでいるので問題を生じる。公知の方法は、
製造用筒体中に導入される必要がある平らなダイをネガ
と見なすので、多少なりとも目につく「継ぎ目」が、製
造されるべき表面レリーフ上に生じる。かかる継ぎ目
は、製造された回折箔、特にエンドレスパターンを備え
た箔中に、ダイ長さに等しい距離のところにパターンの
途切れとして見える。したがって、本発明の目的は、回
折光学箔のエンボスのためのエンボシング筒体を簡単に
製造できる方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、この目
的は、請求項１記載の方法、即ち、筒体のマントル面を
フォトレジストで被覆する工程と、フォトレジストで被
覆されたマントル面を露光してフォトレジスト上に画像
を作る工程と、フォトレジスト上に作られた画像を現像
してレリーフ状表面構造を作る工程とを有するエンボシ
ング筒体の製造方法において、前記現像工程実施後、フ
ォトレジストをシリコン有機化合物で処理すると同時に
焼戻し及びＵＶ照射を施すことを特徴とする方法によっ
て達成される。本発明によれば、表面レリーフ構造を備
えたエンボシング筒体の製造を従来法と比べて単純化し
た方法が提供される。特に、電気めっき法による成形プ
ロセスはもはや不要である。いまや、エンドレス回折パ
ターンの箔を、目に見えるようなパターンの途切れを生
じさせないで製造することが可能である。本発明にした
がって製造されたエンボシング筒体は、温度歪み及び化
学的影響に対して非常に寸法安定性がある表面構造を有
し、摩耗を生じさせないでエンボシング筒体をエンボシ
ング箔の製造に使用できるようになる。本発明にしたが
って製造されたエンボシング筒体では、まず最初に、回
折光学箔を、エンドレスパターンとして、即ち、光学的
品質を損なうことになる継ぎ目を生じさせずに製造する
ことが可能である。
的は、請求項１記載の方法、即ち、筒体のマントル面を
フォトレジストで被覆する工程と、フォトレジストで被
覆されたマントル面を露光してフォトレジスト上に画像
を作る工程と、フォトレジスト上に作られた画像を現像
してレリーフ状表面構造を作る工程とを有するエンボシ
ング筒体の製造方法において、前記現像工程実施後、フ
ォトレジストをシリコン有機化合物で処理すると同時に
焼戻し及びＵＶ照射を施すことを特徴とする方法によっ
て達成される。本発明によれば、表面レリーフ構造を備
えたエンボシング筒体の製造を従来法と比べて単純化し
た方法が提供される。特に、電気めっき法による成形プ
ロセスはもはや不要である。いまや、エンドレス回折パ
ターンの箔を、目に見えるようなパターンの途切れを生
じさせないで製造することが可能である。本発明にした
がって製造されたエンボシング筒体は、温度歪み及び化
学的影響に対して非常に寸法安定性がある表面構造を有
し、摩耗を生じさせないでエンボシング筒体をエンボシ
ング箔の製造に使用できるようになる。本発明にしたが
って製造されたエンボシング筒体では、まず最初に、回
折光学箔を、エンドレスパターンとして、即ち、光学的
品質を損なうことになる継ぎ目を生じさせずに製造する
ことが可能である。
【０００６】本発明による方法の有利な実施形態は、従
属形式の請求項に記載されているとおりである。本発明
の好ましい特徴によれば、ホログラムを呈する回折パタ
ーンは、フォトレジストへの露光により作られる。この
ように、ホログラムを、筒体の表面レリーフ構造がエン
ボスされるエンボシング箔中に生じさせると共に複製で
きる方法が提供される。露光したフォトレジストの現像
により、位相ホログラムを簡単に製造できる。フォトレ
ジストの現像を湿式アルカリ性現像剤又は含水アルカリ
性現像剤中で実施するのが適切である。ホログラムを呈
するフォトレジスト膜が最高約１８０℃までの寸法安定
性を備えるよう処理を実施することが特に好ましい。こ
の目的に必要な処理を比較的僅かな労力（比較的処理時
間が短い）で実施でき、最高１８０℃までの寸法安定性
は広範な用途について十分である。
属形式の請求項に記載されているとおりである。本発明
の好ましい特徴によれば、ホログラムを呈する回折パタ
ーンは、フォトレジストへの露光により作られる。この
ように、ホログラムを、筒体の表面レリーフ構造がエン
ボスされるエンボシング箔中に生じさせると共に複製で
きる方法が提供される。露光したフォトレジストの現像
により、位相ホログラムを簡単に製造できる。フォトレ
ジストの現像を湿式アルカリ性現像剤又は含水アルカリ
性現像剤中で実施するのが適切である。ホログラムを呈
するフォトレジスト膜が最高約１８０℃までの寸法安定
性を備えるよう処理を実施することが特に好ましい。こ
の目的に必要な処理を比較的僅かな労力（比較的処理時
間が短い）で実施でき、最高１８０℃までの寸法安定性
は広範な用途について十分である。
【０００７】ヘキサメチルジシロキサンをシリコン有機
化合物として使用することが特に好ましい。この化合物
を用いる場合、焼戻し及びＵＶ照射を同時に行うと、硬
化の結果が非常に良好である。シリコン有機化合物の作
用下でフォトレジスト表面のフラッドによるＵＶ露光及
び１００℃〜１６０℃の温度でのシリコン有機化合物の
焼戻しを行うことが特に好ましい。かかる温度は、表面
構造をもつフォトレジスト膜の十分な硬さ又は化学的耐
性を提供することが容易である。さらに、焼戻し中、温
度を連続的に増加させることが特に好ましい。かかる温
度の増加により、硬化プロセスをその実施中ににおける
フォトレジストの硬さの一定増大に利用できる。もし焼
戻しが高すぎる温度で開始されると、これにより表面構
造が潮解し、又は損なわれることになる。この温度の連
続増加により、これは回避され、硬化プロセスの終わり
に向かって温度が高いと、このように処理されたフォト
レジストの非常に高い硬さ又は化学的抵抗性が得られ
る。
化合物として使用することが特に好ましい。この化合物
を用いる場合、焼戻し及びＵＶ照射を同時に行うと、硬
化の結果が非常に良好である。シリコン有機化合物の作
用下でフォトレジスト表面のフラッドによるＵＶ露光及
び１００℃〜１６０℃の温度でのシリコン有機化合物の
焼戻しを行うことが特に好ましい。かかる温度は、表面
構造をもつフォトレジスト膜の十分な硬さ又は化学的耐
性を提供することが容易である。さらに、焼戻し中、温
度を連続的に増加させることが特に好ましい。かかる温
度の増加により、硬化プロセスをその実施中ににおける
フォトレジストの硬さの一定増大に利用できる。もし焼
戻しが高すぎる温度で開始されると、これにより表面構
造が潮解し、又は損なわれることになる。この温度の連
続増加により、これは回避され、硬化プロセスの終わり
に向かって温度が高いと、このように処理されたフォト
レジストの非常に高い硬さ又は化学的抵抗性が得られ
る。
【０００８】シリコン有機化合物は、蒸気の形態でフォ
トレジスト表面に作用することが特に好ましい。このよ
うにすると、フォトレジストに対するシリコン有機化合
物の非常に均一な分布又は均等な効果が保証される。筒
体本体をＵＶ透過中空筒体として形成すると共に、或い
はフォトレジストはその現像及び硬化後、ＵＶ透過性で
あることが好ましい。かかるエンボシング筒体により、
筒体の表面レリーフ構造がエンボスされる箔のＵＶ硬化
が筒体内側から可能になる。このようにすると、不透明
な基材（例えば、厚紙又は普通紙）に塗布されたＵＶ硬
化性樹脂をエンボシング筒体の内部から硬化させること
ができる。ナフトキノンジアジド・ノボラック型のフォ
トレジストを使用することが特に好ましい。この物質
は、上述の処理後、十分な耐熱性及び化学的耐性を備え
ている。
トレジスト表面に作用することが特に好ましい。このよ
うにすると、フォトレジストに対するシリコン有機化合
物の非常に均一な分布又は均等な効果が保証される。筒
体本体をＵＶ透過中空筒体として形成すると共に、或い
はフォトレジストはその現像及び硬化後、ＵＶ透過性で
あることが好ましい。かかるエンボシング筒体により、
筒体の表面レリーフ構造がエンボスされる箔のＵＶ硬化
が筒体内側から可能になる。このようにすると、不透明
な基材（例えば、厚紙又は普通紙）に塗布されたＵＶ硬
化性樹脂をエンボシング筒体の内部から硬化させること
ができる。ナフトキノンジアジド・ノボラック型のフォ
トレジストを使用することが特に好ましい。この物質
は、上述の処理後、十分な耐熱性及び化学的耐性を備え
ている。
【０００９】有利には、筒体は、ガラス状又は石英状材
料で作られる。かかる材料は、大変硬質であって非常に
寸法安定性があり、さらに良好なＵＶ透過性を備えてい
る。露光をホログラム干渉構造を製造するのに使用でき
る露光法により行うことができる。特に、露光をコンピ
ュータ制御の走査プロセスによって行うことが好まし
い。このプロセスでは、例えば、コンピュータに記憶さ
れている像をＬＣＤ素子上に読み出し、このＬＣＤ素子
を物体光源で照明し、参照光源と干渉させてフォトレジ
スト上にホログラム構造を作る。かかる露光法はドイツ
国特許出願公開明細書ＤＥ１９５２３３２１号に記載さ
れている。ここで説明されている全ての露光法を本発明
の方法で有利に使用できる。物体の像を、該像を記憶し
ているコンピュータからライン毎に呼び出し、コンピュ
ータはレーザビームのビーム経路中に配置されたシャッ
タ又はダイヤフラムを制御して各ラインの画素を生じさ
せ、シャッタ又はダイヤフラムを通過して輝度がシャッ
タ又はダイヤフラムによって制御された光は、鏡又は偏
向ユニットによってライン毎に反射されて像を作ると共
にこのプロセス中、参照光と干渉するようになっている
ことが特に好ましい。このライン毎の露光により、筒体
表面の曲率により生じる影響補償することが可能であ
る。鏡を筒体の中央に導入し、参照光と物体光の両方又
はいずれか一方をこれを介してフォトレジスト膜上に結
像することが特に可能である。しかしながら、エンボシ
ング筒体の製造にあたり、物体光と参照光の両方を外側
から筒体表面上に照射することが好ましい。
料で作られる。かかる材料は、大変硬質であって非常に
寸法安定性があり、さらに良好なＵＶ透過性を備えてい
る。露光をホログラム干渉構造を製造するのに使用でき
る露光法により行うことができる。特に、露光をコンピ
ュータ制御の走査プロセスによって行うことが好まし
い。このプロセスでは、例えば、コンピュータに記憶さ
れている像をＬＣＤ素子上に読み出し、このＬＣＤ素子
を物体光源で照明し、参照光源と干渉させてフォトレジ
スト上にホログラム構造を作る。かかる露光法はドイツ
国特許出願公開明細書ＤＥ１９５２３３２１号に記載さ
れている。ここで説明されている全ての露光法を本発明
の方法で有利に使用できる。物体の像を、該像を記憶し
ているコンピュータからライン毎に呼び出し、コンピュ
ータはレーザビームのビーム経路中に配置されたシャッ
タ又はダイヤフラムを制御して各ラインの画素を生じさ
せ、シャッタ又はダイヤフラムを通過して輝度がシャッ
タ又はダイヤフラムによって制御された光は、鏡又は偏
向ユニットによってライン毎に反射されて像を作ると共
にこのプロセス中、参照光と干渉するようになっている
ことが特に好ましい。このライン毎の露光により、筒体
表面の曲率により生じる影響補償することが可能であ
る。鏡を筒体の中央に導入し、参照光と物体光の両方又
はいずれか一方をこれを介してフォトレジスト膜上に結
像することが特に可能である。しかしながら、エンボシ
ング筒体の製造にあたり、物体光と参照光の両方を外側
から筒体表面上に照射することが好ましい。
【００１０】このようにして製造された本発明の透明な
エンボシング筒体は、有機材料、例えばケトン、エステ
ル、エーテル及びアルコールと比べ、最高約１７０℃〜
１８０℃の高温に対して高い耐性及び寸法安定性を有し
ている。本発明の継ぎ目のない筒体を湿式エンボシング
法で継ぎ目のない回折箔の製造のためのエンボシングダ
イとして直接、或いは、他方、回転法で継ぎ目のないエ
ンボシング筒体を次々に製造するためのエンボシングダ
イとして使用できる。たとえば、かかる次々に製造され
るエンボシング筒体について互いに異なる透明なプラス
チック、特にＵＶ硬化性プラスチックを使用することが
可能である。最後に、本発明にしたがって製造されたエ
ンボシング筒体を用いてレリーフ構造を回折光学箔にエ
ンボスすることが特に好ましい。かかる箔を最初に、回
折光学箔の従来型製造法では生じていた継ぎ目を生じさ
せないで製造でき、それにより箔の光学的品質を高め
る。
エンボシング筒体は、有機材料、例えばケトン、エステ
ル、エーテル及びアルコールと比べ、最高約１７０℃〜
１８０℃の高温に対して高い耐性及び寸法安定性を有し
ている。本発明の継ぎ目のない筒体を湿式エンボシング
法で継ぎ目のない回折箔の製造のためのエンボシングダ
イとして直接、或いは、他方、回転法で継ぎ目のないエ
ンボシング筒体を次々に製造するためのエンボシングダ
イとして使用できる。たとえば、かかる次々に製造され
るエンボシング筒体について互いに異なる透明なプラス
チック、特にＵＶ硬化性プラスチックを使用することが
可能である。最後に、本発明にしたがって製造されたエ
ンボシング筒体を用いてレリーフ構造を回折光学箔にエ
ンボスすることが特に好ましい。かかる箔を最初に、回
折光学箔の従来型製造法では生じていた継ぎ目を生じさ
せないで製造でき、それにより箔の光学的品質を高め
る。
【００１１】次に、本発明の好ましい一実施形態を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１２】
【発明の実施の形態】中空設計のガラス製ＵＶ透過エン
ボシング胴又は筒体１０（図２参照）を、厚さ１〜２ミ
クロン、好ましくは１．５ミクロンのフォトレジスト膜
又はフィルム２７を筒体の外面上に生じさせるようにナ
フトキノンジアジド・ノボラック型のフォトレジストで
浸漬被覆又は吹付け塗りされている。次に、熱対流炉内
で９０℃〜１００℃、好ましくは９５℃で焼戻しを行
う。焼戻しを赤外線乾燥方式で焼戻しを実施してもよ
く、その効果は同じである。このように調製されたフォ
トレジスト膜の露光を走査プロセスで実施してホログラ
ムを作る。かかる走査プロセスを実施する露光アレイが
図１に示されている。図中、符号４は、感光性フォトレ
ジスト膜を示している。これは略図なので、フォトレジ
スト膜４は筒体の形としては示されておらず、平らであ
る。フォトレジスト上に描かれる物体の像がコンピュー
タ１に記憶されている。コンピュータ１は、ライン
（線）が明るい画素及び暗い画素までの無彩色段階の画
素で結像されるようライン一本ずつシャッタ又はダイヤ
フラム１１を制御する。これら画素のライン毎の記録の
ために、これと対応してレーザ１２により生じた変調状
態のレーザビームが、偏向ユニット１４の鏡１３に入射
して偏向ユニットが像を次々とライン毎にフォトレジス
ト膜上に投影するようになる。フォトレジスト膜のすぐ
前にホログラフィービームスプリッタ１５が配置されて
おり、このホログラフィービームスプリッタは、０次の
物体光（又は物体光線）から１次の参照光（又は参照光
線）を分離し、この参照光は次に、フォトレジスト膜４
上の物体光と干渉する。また、干渉光を別のレーザから
得ることが可能である。
ボシング胴又は筒体１０（図２参照）を、厚さ１〜２ミ
クロン、好ましくは１．５ミクロンのフォトレジスト膜
又はフィルム２７を筒体の外面上に生じさせるようにナ
フトキノンジアジド・ノボラック型のフォトレジストで
浸漬被覆又は吹付け塗りされている。次に、熱対流炉内
で９０℃〜１００℃、好ましくは９５℃で焼戻しを行
う。焼戻しを赤外線乾燥方式で焼戻しを実施してもよ
く、その効果は同じである。このように調製されたフォ
トレジスト膜の露光を走査プロセスで実施してホログラ
ムを作る。かかる走査プロセスを実施する露光アレイが
図１に示されている。図中、符号４は、感光性フォトレ
ジスト膜を示している。これは略図なので、フォトレジ
スト膜４は筒体の形としては示されておらず、平らであ
る。フォトレジスト上に描かれる物体の像がコンピュー
タ１に記憶されている。コンピュータ１は、ライン
（線）が明るい画素及び暗い画素までの無彩色段階の画
素で結像されるようライン一本ずつシャッタ又はダイヤ
フラム１１を制御する。これら画素のライン毎の記録の
ために、これと対応してレーザ１２により生じた変調状
態のレーザビームが、偏向ユニット１４の鏡１３に入射
して偏向ユニットが像を次々とライン毎にフォトレジス
ト膜上に投影するようになる。フォトレジスト膜のすぐ
前にホログラフィービームスプリッタ１５が配置されて
おり、このホログラフィービームスプリッタは、０次の
物体光（又は物体光線）から１次の参照光（又は参照光
線）を分離し、この参照光は次に、フォトレジスト膜４
上の物体光と干渉する。また、干渉光を別のレーザから
得ることが可能である。
【００１３】図２では、筒体軸線上に位置した鏡２０
が、参照光の起点となる。参照光２１は図示の仕方で、
ホログラフィー記録フィルム又はフォトレジスト膜２７
と同心状に円筒形状に湾曲したホログラフィービームス
プリッタ２５を加圧する。かかる場合、ビームスプリッ
タ２５は、フォトレジスト膜又は記録フィルム２７のセ
グメント上に延びる。ビームスプリッタ２５により、物
体光を上述の仕方で参照光から分離することが可能であ
る。物体光と参照光はフォトレジスト膜２７内で互いに
干渉して、参照光又は物体光中に含まれている振幅の変
調された情報がホログラムとしてフォトレジスト中に記
憶されるようにする。フォトレジスト膜２７を光線２３
で示すように外側から露光することが可能であり、その
効果は同じである。かかる場合、ビームスプリッタ２５
に相当するビームスプリッタを筒体の外部に配置するの
がよい。
が、参照光の起点となる。参照光２１は図示の仕方で、
ホログラフィー記録フィルム又はフォトレジスト膜２７
と同心状に円筒形状に湾曲したホログラフィービームス
プリッタ２５を加圧する。かかる場合、ビームスプリッ
タ２５は、フォトレジスト膜又は記録フィルム２７のセ
グメント上に延びる。ビームスプリッタ２５により、物
体光を上述の仕方で参照光から分離することが可能であ
る。物体光と参照光はフォトレジスト膜２７内で互いに
干渉して、参照光又は物体光中に含まれている振幅の変
調された情報がホログラムとしてフォトレジスト中に記
憶されるようにする。フォトレジスト膜２７を光線２３
で示すように外側から露光することが可能であり、その
効果は同じである。かかる場合、ビームスプリッタ２５
に相当するビームスプリッタを筒体の外部に配置するの
がよい。
【００１４】次に行う湿式アルカリ性現像法によって、
表面レリーフがフォトレジスト２７中に作製される。こ
の表面レリーフは、フォトレジスト表面のフラッドによ
るＵＶ露光及びこれと同時に行う１００℃〜１６０℃の
温度でのシリコン有機化合物の焼戻しによって硬化され
る。このようして製作された筒体を、表面レリーフ構造
を浮きだし膜の製造のための回転成形法の実施中にＵＶ
硬化性樹脂にエンボスするエンボシング筒体として使用
できる。また、回転法でエンボシング筒体を次々に製造
することが可能である。この回転成形法により、次に行
う筒体製造のために任意の材料、特に透明な材料を選択
してＵＶ硬化性樹脂からの浮きだし膜の製造に際しての
剥離の問題を効果的に回避できるようになる。また、Ｕ
Ｖ硬化性樹脂を、回転法によってエンボスされるべき次
の製造に係る筒体表面の構成材料として使用することが
可能である。
表面レリーフがフォトレジスト２７中に作製される。こ
の表面レリーフは、フォトレジスト表面のフラッドによ
るＵＶ露光及びこれと同時に行う１００℃〜１６０℃の
温度でのシリコン有機化合物の焼戻しによって硬化され
る。このようして製作された筒体を、表面レリーフ構造
を浮きだし膜の製造のための回転成形法の実施中にＵＶ
硬化性樹脂にエンボスするエンボシング筒体として使用
できる。また、回転法でエンボシング筒体を次々に製造
することが可能である。この回転成形法により、次に行
う筒体製造のために任意の材料、特に透明な材料を選択
してＵＶ硬化性樹脂からの浮きだし膜の製造に際しての
剥離の問題を効果的に回避できるようになる。また、Ｕ
Ｖ硬化性樹脂を、回転法によってエンボスされるべき次
の製造に係る筒体表面の構成材料として使用することが
可能である。
【図１】感光性フォトレジスト膜のライン毎の露光のた
めの露光アレイの略図である。
めの露光アレイの略図である。
【図２】筒体表面を内側から露光するための露光アレイ
の略図である。
の略図である。
【符号の説明】 １ コンピュータ ４，２７ 感光性フォトレジスト膜 １０ ＵＶ透過エンボシング胴又は筒体 １２ レーザ １３，２０ 鏡 １４ 偏向ユニット １５，２５ ホログラフィービームスプリッタ ２１ 参照光
Claims (15)
- 【請求項１】 筒体のマントル面をフォトレジストで被
覆する工程と、フォトレジストで被覆されたマントル面
を露光してフォトレジスト上に画像を作る工程と、フォ
トレジスト上に作られた画像を現像してレリーフ状表面
構造を作る工程とを有するエンボシング筒体の製造方法
において、前記現像工程実施後、フォトレジストをシリ
コン有機化合物で処理すると同時に焼戻し及びＵＶ照射
を施すことを特徴とする方法。 - 【請求項２】 ホログラムを呈する干渉パターンを、露
光によってフォトレジスト上に作ることを特徴とする請
求項１記載の方法。 - 【請求項３】 位相ホログラムを、露光したフォトレジ
ストの現像によって作ることを特徴とする請求項１又は
２記載の方法。 - 【請求項４】 現像を湿式アルカリ性現像剤又は含水ア
ルカリ性現像剤を用いて実施することを特徴とする請求
項１〜３のうちいずれか一に記載の方法。 - 【請求項５】 ホログラムを呈するフォトレジスト膜
は、最高約１８０℃まで寸法安定性を備えていることを
特徴とする請求項２〜４のうちいずれか一に記載の方
法。 - 【請求項６】 ヘキサメチルジシロキサンがシリコン有
機化合物として使用されることを特徴とする請求項１〜
５のうちいずれか一に記載の方法。 - 【請求項７】 シリコン有機化合物の作用下でフォトレ
ジスト表面のフラッドによるＵＶ露光及び１００℃〜１
６０℃の温度でのシリコン有機化合物の焼戻しを行うこ
とを特徴とする請求項１〜６のうちいずれか一に記載の
方法。 - 【請求項８】 焼戻し中、温度を連続的に増加させるこ
とを特徴とする請求項１〜７のうちいずれか一に記載の
方法。 - 【請求項９】 シリコン有機化合物は、蒸気の形態でフ
ォトレジスト表面に作用することを特徴とする請求項１
〜８のうちいずれか一に記載の方法。 - 【請求項１０】 筒体本体をＵＶ透過中空筒体として形
成すると共に、或いはフォトレジストはその現像及び硬
化後、ＵＶ透過性であることを特徴とする請求項１〜９
のうちいずれか一に記載の方法。 - 【請求項１１】 フォトレジストは、ナフトキノンジア
ジド・ノボラック型であることを特徴とする請求項１〜
１０のうちいずれか一に記載の方法。 - 【請求項１２】 筒体は、ガラス状又は石英状材料で作
られていることを特徴とする請求項１〜１１のうちいず
れか一に記載の方法。 - 【請求項１３】 露光をコンピュータ制御の走査プロセ
スによって行うことを特徴とする請求項１〜１２のうち
いずれか一に記載の方法。 - 【請求項１４】 物体の像を、該像を記憶しているコン
ピュータからライン毎に呼び出し、コンピュータはレー
ザビームのビーム経路中に配置されたシャッタ又はダイ
ヤフラムを制御して各ラインの画素を生じさせ、シャッ
タ又はダイヤフラムを通過して輝度がシャッタ又はダイ
ヤフラムによって制御された光は、鏡又は偏向ユニット
によってライン毎に反射されて像を作ると共にこのプロ
セス中、参照光と干渉するようになっていることを特徴
とする請求項１３記載の方法。 - 【請求項１５】 レリーフ構造を回折光学膜にエンボス
するための請求項１〜１４のうちいずれか一に記載のエ
ンボシング筒体の使用法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19721524:6 | 1997-05-22 | ||
| DE1997121524 DE19721524A1 (de) | 1997-05-22 | 1997-05-22 | Verfahren zur Herstellung eines Prägezylinders |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10333534A true JPH10333534A (ja) | 1998-12-18 |
Family
ID=7830235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14073098A Pending JPH10333534A (ja) | 1997-05-22 | 1998-05-22 | エンボシング筒体の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0886185A3 (ja) |
| JP (1) | JPH10333534A (ja) |
| DE (1) | DE19721524A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6635409B1 (en) * | 2001-07-12 | 2003-10-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of strengthening photoresist to prevent pattern collapse |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6582891B1 (en) * | 1999-12-02 | 2003-06-24 | Axcelis Technologies, Inc. | Process for reducing edge roughness in patterned photoresist |
| US6451512B1 (en) * | 2000-05-01 | 2002-09-17 | Advanced Micro Devices, Inc. | UV-enhanced silylation process to increase etch resistance of ultra thin resists |
| DE10324936A1 (de) * | 2003-06-03 | 2005-01-05 | Hueck Folien Gmbh & Co. Kg | Nahtlose 2D/3D Oberflächenstrukturen auf rotativen Prägeformen für UV Casting Verfahren |
| DE102004050984B3 (de) * | 2004-10-20 | 2006-07-06 | Hueck Folien Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung einer endlosen Nickelmatrize zum Prägen von strukturierten Oberflächen |
| US7309659B1 (en) | 2005-04-01 | 2007-12-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Silicon-containing resist to pattern organic low k-dielectrics |
| DE102018112072A1 (de) | 2018-05-18 | 2019-11-21 | Schöck Bauteile GmbH | Bauelement zur thermischen Isolierung |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1225754A (ja) * | 1967-06-09 | 1971-03-24 | ||
| SU938338A1 (ru) * | 1978-10-30 | 1982-06-23 | Предприятие П/Я Р-6707 | Фотошаблон и способ его изготовлени |
| US4259369A (en) * | 1979-12-13 | 1981-03-31 | International Business Machines Corporation | Image hardening process |
| US4751170A (en) * | 1985-07-26 | 1988-06-14 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Silylation method onto surface of polymer membrane and pattern formation process by the utilization of silylation method |
| DE59010864D1 (de) * | 1990-04-12 | 1999-04-15 | Siemens Ag | Verfahren zur Erzeugung einer Resiststruktur |
| WO1992001973A2 (en) * | 1990-07-20 | 1992-02-06 | Mcgrew Stephen P | Embossing tool |
| DE19523321A1 (de) * | 1994-12-20 | 1996-10-31 | Hsm Gmbh | Verfahren zur Herstellung autostereoskopisch betrachtbarer, holografischer Multistereogramme |
| DE19623352C2 (de) * | 1996-06-12 | 1999-11-11 | Kurz Leonhard Fa | Verfahren zur Herstellung von eine räumlich gemusterte Oberfläche aufweisenden Druck- oder Prägezylindern |
-
1997
- 1997-05-22 DE DE1997121524 patent/DE19721524A1/de not_active Withdrawn
-
1998
- 1998-05-19 EP EP98109121A patent/EP0886185A3/de not_active Withdrawn
- 1998-05-22 JP JP14073098A patent/JPH10333534A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6635409B1 (en) * | 2001-07-12 | 2003-10-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of strengthening photoresist to prevent pattern collapse |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0886185A3 (de) | 1999-09-01 |
| EP0886185A2 (de) | 1998-12-23 |
| DE19721524A1 (de) | 1998-11-26 |
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