WO2021193297A1 - 原盤の製造方法、原盤、転写物および物品 - Google Patents

原盤の製造方法、原盤、転写物および物品 Download PDF

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Definitions

  • the present invention relates to a master manufacturing method, a master, a transcript, and an article.
  • Patent Documents 1 and 2 describe a technique of forming an etching mask on a base material by lithography and etching the base material on which the etching mask is formed to form a concavo-convex structure having a predetermined pattern on the base material. Is described.
  • An object of the present invention made in view of the above problems is to provide a method for manufacturing a master, a master, a transfer product, and an article, which are formed by superimposing uneven structures having different average pitches.
  • the method for manufacturing a master includes a first forming step of forming a fine concavo-convex structure having a first average pitch on one surface of a base material, and one surface of the base material on which the fine concavo-convex structure is formed. , A step of forming a main concave portion or a main convex portion having a second average pitch larger than the first average pitch, and the shape of at least a part of the fine concave-convex structure in the main concave portion or the main convex portion.
  • the present invention includes a second forming step of forming the main concave portion or the main convex portion while maintaining the above.
  • the master according to the embodiment includes a base material having a main concave portion or a main convex portion formed on one surface and a fine concave-convex structure formed on the main concave portion or the main convex portion, and the fine concave-convex structure is the first. It is formed at an average pitch, and the main concave portion or the main convex portion is formed at a second average pitch that is larger than the first average pitch.
  • the transferred product according to the embodiment is transferred with the shape of the concave-convex structure formed on one surface of the base material of the master or the inverted shape of the concave-convex structure.
  • the article according to the embodiment includes the above-mentioned transcript.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view (No.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view (No. 3) showing a method of manufacturing a master according to Comparative Example 1. It is sectional drawing (the 4) which shows the manufacturing method of the master which concerns on Comparative Example 1. It is sectional drawing (the 1) which shows the manufacturing method of the master which concerns on Comparative Example 2.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view (No. 2) showing a method of manufacturing a master according to Comparative Example 2.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view (No. 3) showing a method of manufacturing a master according to Comparative Example 2. It is sectional drawing (the 4) which shows the manufacturing method of the master which concerns on Comparative Example 2.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view (No. 3) showing an example of a method for manufacturing a master according to an embodiment of the present invention. It is sectional drawing (the 4) which shows an example of the manufacturing method of the master which concerns on one Embodiment of this invention.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view (No. 5) showing an example of a method for manufacturing a master according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view (No.
  • FIG. 6 showing an example of a method for manufacturing a master according to an embodiment of the present invention.
  • sectional drawing (7) which shows an example of the manufacturing method of the master which concerns on one Embodiment of this invention.
  • sectional drawing (8) which shows an example of the manufacturing method of the master which concerns on one Embodiment of this invention.
  • sectional drawing (the 1) which shows the other example of the manufacturing method of the master which concerns on one Embodiment of this invention.
  • the 2 which shows the other example of the manufacturing method of the master which concerns on one Embodiment of this invention.
  • sectional drawing (the 3) which shows the other example of the manufacturing method of the master which concerns on one Embodiment of this invention.
  • FIG. 5 is an SEM image diagram of an image of a transcript obtained by the master according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is an SEM image diagram of an image of a transcript obtained by the master according to the second embodiment. It is an SEM image figure which imaged the transfer
  • FIG. 1 is a diagram showing the appearance of the master 1 according to the embodiment of the present invention.
  • the master 1 is composed of, for example, a cylindrical base material 10 having a concavo-convex structure 20 formed on an outer peripheral surface 11 which is one surface.
  • Master 1 is, for example, a master used in roll-to-roll imprint technology.
  • the outer peripheral surface 11 of the master 1 is pressed against a sheet-like base material or the like while rotating the master 1, so that the concave-convex structure 20 formed on the outer peripheral surface 11 of the master 1 is sheeted. It can be transferred to a state substrate or the like. According to such an imprint technique, it is possible to efficiently produce a transferred product to which the uneven structure 20 formed on the outer peripheral surface 11 of the master 1 is transferred.
  • the transferred product to which the concave-convex structure 20 is transferred can be used for various purposes.
  • the transferred product to which the concave-convex structure 20 is transferred can be used for articles such as a light guide plate, a light diffusing plate, a microlens array, an antireflection film, or a cell culture sheet.
  • the base material 10 is, for example, a cylindrical or cylindrical member. As shown in FIG. 1, the shape of the base material 10 may be a hollow cylindrical shape having a cavity inside. The shape of the base material 10 may be a solid cylindrical shape having no internal cavity. The base material 10 may be a flat plate-shaped member. The base material 10 may be formed of a glass material containing SiO 2 as a main component, such as fused silica glass or synthetic quartz glass. The base material 10 may be made of a metal such as stainless steel. The outer peripheral surface 11 of the base material 10 may be covered with SiO 2 or the like. Hereinafter, the base material 10 will be described as being a cylindrical or cylindrical member.
  • the base material 10 is made of a glass material containing SiO 2 as a main component. It is more preferable that the base material 10 is entirely made of a glass material containing SiO 2 as a main component.
  • the base material 10 can be easily processed by etching with a fluorine compound.
  • the uneven structure 20 can be easily formed on the outer peripheral surface 11 of the base material 10 by performing etching with a fluorine compound using a resist layer having a pattern corresponding to the uneven structure 20 as a mask pattern.
  • the base material 10 has a cylindrical shape
  • the base material 10 has a cylindrical height (length in the axial direction) of 100 mm or more, and the diameter of a circle on the bottom surface or the upper surface of the cylindrical shape (orthogonal to the axial direction).
  • the radial length) may be 50 mm or more and 300 mm or less.
  • the radial thickness of the cylinder may be 2 mm or more and 50 mm or less.
  • the size of the base material 10 is not limited to the above.
  • FIG. 2A is a diagram showing an example of the concave-convex structure 20.
  • the concavo-convex structure 20 includes a main recess 21 formed on the outer peripheral surface 11 which is one surface of the base material 10 and a fine concavo-convex structure 23 formed on the main recess 21.
  • the main recess 21 has a structure that is depressed from the outer peripheral surface 11 of the base material 10 toward the inside in the radial direction of the base material 10.
  • the main recess 21 has a predetermined average pitch P2 (second average pitch).
  • the average pitch P2 of the main recesses 21 is a statistical average of the distances between adjacent main recesses 21 (for example, the distance between the centers of the adjacent main recesses 21) within a predetermined range.
  • the fine concavo-convex structure 23 is formed in the main recess 21. More specifically, the fine concavo-convex structure 23 is formed near the bottom surface of the main recess 21.
  • the fine concavo-convex structure 23 has a predetermined average pitch P1 (first average pitch).
  • the average pitch P1 of the fine concavo-convex structure 23 is a statistical average of the intervals of the concavities and convexities forming the fine concavo-convex structure adjacent to each other in a predetermined range.
  • a plurality of main recesses 21 having a fine concavo-convex structure 23 formed near the bottom surface are regularly or irregularly formed on the base material 10.
  • the average pitch P1 of the fine concavo-convex structure 23 is, for example, equal to or less than the wavelength of visible light.
  • the average pitch P2 of the main recess 21 is, for example, larger than the wavelength of visible light. Therefore, the average pitch P2 of the main recess 21 is larger than the average pitch P1 of the fine concavo-convex structure 23.
  • the range of the depth H1 of the recesses constituting the fine concavo-convex structure 23 is, for example, about 50 nm to 300 nm. Further, the range of the width W1 of the opening of the concave portion constituting the fine concavo-convex structure 23 is, for example, about 50 nm to 500 nm.
  • the range of the depth H2 of the main recess 21 is, for example, about 1 ⁇ m to 20 ⁇ m.
  • the range of the width W2 of the opening of the main recess 21 is, for example, about 5 ⁇ m to 200 ⁇ m.
  • the size of the fine concavo-convex structure 23 is about 1/10 to 1/4000 of the size of the main recess 21. Therefore, the unevenness forming the fine uneven structure 23 can be formed in units of 100 to 16 million with respect to one main concave portion 21.
  • FIG. 2A shows an example in which a fine concavo-convex structure 23 is formed near the bottom surface of the main recess 21 as the concavo-convex structure 20, but the present invention is not limited to this.
  • the concavo-convex structure 20 may have a structure in which the fine concavo-convex structure 23 is formed near the top surface of the main convex portion 22 protruding outward in the radial direction of the base material 10.
  • the base material 10 is regularly or irregularly formed with a plurality of main convex portions 22 having a fine concavo-convex structure 23 formed in the vicinity of the top surface.
  • the master 1 includes the base material 10 in which the main concave portion 21 or the main convex portion 22 is formed on the outer peripheral surface 11 which is one surface, and the fine concave-convex structure 23 is formed on the main concave portion 21 or the main convex portion 22.
  • the fine concavo-convex structure 23 is formed with an average pitch P1 (first average pitch), and the main concave portion 21 or the main convex portion 22 has an average pitch P2 (second average pitch) larger than the average pitch P1 of the fine concavo-convex structure 23. ) Is formed.
  • the master plate 1 a plurality of main recesses 21 or main convex portions 22 are formed on the outer peripheral surface 11 at an average pitch P2, and the fine concave-convex structure 23 has an average pitch P1 (P1 ⁇ The base material 10 formed in P2) is provided. Therefore, the master 1 is formed by superimposing uneven structures having different average pitches.
  • the fine concavo-convex structure 23 is formed only in the main concave portion 21 or the main convex portion 22. That is, a fine uneven structure is not formed in a portion other than the main concave portion 21 or the main convex portion 22.
  • a fine concavo-convex structure 23 is formed only in the main concave portion 21 or the main convex portion 22 in this way, it is possible to form a fine concavo-convex structure such as a moth-eye structure and locally impart an antireflection effect. .. Further, it is conceivable to apply it to patterning of printing ink (Wenzel model) by applying the difference in wettability depending on the presence or absence of a fine concavo-convex structure.
  • FIG. 3 is a diagram showing a configuration example of a transfer device 5 for producing a transfer product using the master 1 according to the present embodiment.
  • the transfer device 5 includes a master plate 1, a base material supply roll 51, a take-up roll 52, guide rolls 53 and 54, a nip roll 55, a peeling roll 56, a coating device 57, and the like. It includes a light source 58.
  • the transfer device 5 shown in FIG. 3 is a roll-to-roll type imprint device.
  • the base material supply roll 51 is, for example, a roll in which a sheet-shaped base material 61 is wound in a roll shape.
  • the take-up roll 52 is a roll that winds up the transferred material on which the resin layer 62 to which the concave-convex structure 20 of the master 1 is transferred is laminated.
  • the guide rolls 53 and 54 are rolls that convey the sheet-shaped base material 61 before and after transfer.
  • the nip roll 55 is a roll that presses the sheet-like base material 61 on which the resin layer 62 is laminated against the master 1.
  • the peeling roll 56 is a roll that peels the sheet-like base material 61 on which the resin layer 62 is laminated from the master 1 after transferring the uneven structure 20 to the resin layer 62.
  • the coating device 57 includes a coating means such as a coater, and coats the photocurable resin composition on the sheet-like base material 61 to form the resin layer 62.
  • the coating device 57 may be, for example, a gravure coater, a wire bar coater, a die coater, or the like.
  • the light source 58 is a light source that emits light having a wavelength at which the photocurable resin composition can be cured.
  • the light source 58 may be, for example, an ultraviolet lamp or the like.
  • the photocurable resin composition is a resin that cures when irradiated with light of a predetermined wavelength.
  • the photocurable resin composition may be, for example, an ultraviolet curable resin such as an acrylic acrylate resin or an epoxy acrylate resin.
  • the photocurable resin composition may contain a polymerization initiator, a filler, a functional additive, a solvent, an inorganic material, a pigment, a charge inhibitor, a sensitizing dye, or the like, if necessary.
  • the resin layer 62 may be formed of a thermosetting resin composition.
  • the transfer device 5 is provided with a heater instead of the light source 58. By heating the resin layer 62 with a heater, the resin layer 62 can be cured and the uneven structure 20 can be transferred.
  • the thermosetting resin composition may be, for example, a phenol resin, an epoxy resin, a melamine resin, a urea resin, or the like.
  • the sheet-shaped base material 61 is continuously delivered from the base material supply roll 51 via the guide roll 53.
  • the photocurable resin composition is applied to the delivered sheet-shaped base material 61 by the coating device 57, and the resin layer 62 is laminated on the sheet-shaped base material 61.
  • the sheet-like base material 61 on which the resin layer 62 is laminated is pressed against the master 1 by the nip roll 55.
  • the uneven structure 20 formed on the outer peripheral surface 11 of the master 1 is transferred to the resin layer 62.
  • the resin layer 62 to which the uneven structure 20 is transferred is cured by irradiation with light from the light source 58.
  • the inverted structure of the concave-convex structure 20 of the master 1 is formed in the resin layer 62.
  • the sheet-like base material 61 to which the uneven structure 20 is transferred is peeled from the master 1 by the peeling roll 56, sent to the winding roll 52 via the guide roll 54, and wound.
  • the uneven structure 20 formed on the outer peripheral surface 11 of the master 1 can be efficiently transferred to the sheet-like base material 61.
  • the concave-convex structure formed on the transferred product to which the concave-convex structure 20 of the master 1 is transferred may be further transferred to produce a transferred product having the same concave-convex structure as the master 1. That is, the transferred material produced by using the master 1 according to the present embodiment includes the transferred material and the unevenness to which the shape of the uneven structure 20 formed on the outer peripheral surface 11 which is one surface of the base material 10 of the master 1 is transferred.
  • a transfer product (a transfer product having a concavo-convex structure similar to that of the master 1) in which the inverted shape of the structure 20 is transferred is included.
  • a transcript having the same uneven structure as the master 1 can be used as a replica master, for example.
  • the resist layer formed on the outer peripheral surface 11 of the master 1 is exposed to form a latent image by lithography, and the substrate 10 is etched using the resist layer developed after forming the latent image as an etching mask. As a result, the concave-convex structure 20 is formed on the base material 10.
  • the configuration of the exposure apparatus 3 for exposing the resist layer described above will be described with reference to FIG.
  • the exposure apparatus 3 includes a laser light source 31, a first mirror 33, a photodiode (PhotoDiode: PD) 34, a condenser lens 36, a collimator lens 38, and an electro-optical polarizing element ( It includes an Electro-Optic Deflector (EOD) 39, a second mirror 41, a beam expander (BEX) 43, and an objective lens 44.
  • a laser light source 31 a first mirror 33
  • a photodiode (PhotoDiode: PD) 34 a condenser lens 36
  • a collimator lens 38 a collimator lens 38
  • an electro-optical polarizing element It includes an Electro-Optic Deflector (EOD) 39, a second mirror 41, a beam expander (BEX) 43, and an objective lens 44.
  • EOD Electro-Optic Deflector
  • BEX beam expander
  • the laser light source 31 is controlled by the exposure signal generated by the control mechanism 47.
  • the laser beam 30 emitted from the laser light source 31 irradiates the base material 10 placed on the turntable 46.
  • the turntable 46 on which the base material 10 is placed is rotated by a spindle motor 45 controlled by a rotation control signal synchronized with an exposure signal.
  • the laser light source 31 is a light source that emits laser light 30 that exposes the resist layer formed on the outer peripheral surface 11 of the base material 10.
  • the laser light source 31 may be, for example, a semiconductor laser light source that emits laser light having a wavelength belonging to the blue light band of 400 nm to 500 nm.
  • the laser beam 30 emitted from the laser light source 31 travels straight as a parallel beam and is reflected by the first mirror 33.
  • the laser light 30 reflected by the first mirror 33 is focused on the electro-optical polarizing element 39 by the condenser lens 36, and then converted into a parallel beam again by the collimator lens 38.
  • the parallel beam laser beam 30 is reflected by the second mirror 41 and is horizontally guided to the beam expander 43.
  • the first mirror 33 is composed of a polarization beam splitter, and has a function of reflecting one of the polarization components and transmitting the other of the polarization components.
  • the polarized light component transmitted through the first mirror 33 is photoelectrically converted by the photodiode 34, and the photoelectrically converted light receiving signal is input to the laser light source 31.
  • the laser light source 31 can adjust the output of the laser beam 30 and the like based on the feedback from the input light receiving signal.
  • the electro-optical polarizing element 39 is an element capable of controlling the irradiation position of the laser beam 30 at a distance of about nanometers.
  • the exposure apparatus 3 can finely adjust the irradiation position of the laser beam 30 irradiated to the base material 10 by the electro-optical polarizing element 39.
  • the beam expander 43 shapes the laser beam 30 guided by the second mirror 41 into a desired beam shape, and the laser beam 30 is formed on the outer peripheral surface 11 of the base material 10 via the objective lens 44. Irradiate to.
  • the turntable 46 supports the base material 10 and is rotated by the spindle motor 45 to rotate the base material 10.
  • the turntable 46 spirally forms an outer peripheral surface 11 of the base material 10 by moving the irradiation position of the laser beam 30 in the axial direction (that is, the arrow R direction) of the base material 10 while rotating the base material 10. Exposure can be performed.
  • the irradiation position of the laser beam 30 may be moved by moving the laser head including the laser light source 31 along the slider.
  • the control mechanism 47 controls the output intensity and the irradiation position of the laser beam 30 by controlling the laser light source 31.
  • the control mechanism 47 includes a formatter 48 and a driver 49.
  • the driver 49 controls the emission of the laser beam 30 by the laser light source 31 based on the exposure signal generated by the formatter 48.
  • the driver 49 may control the laser light source 31 so that the output intensity of the laser beam 30 increases as the waveform amplitude of the exposure signal increases.
  • the driver 49 may control the irradiation position of the laser beam 30 by controlling the emission timing of the laser beam 30 based on the waveform shape of the exposure signal. As the output intensity of the laser beam 30 increases, the size and depth of the latent image formed on the resist layer can be increased.
  • the spindle motor 45 rotates the turntable 46 based on the rotation control signal.
  • the spindle motor 45 may control the rotation so that the turntable 46 makes one rotation when a predetermined number of pulses are input by the rotation control signal.
  • the rotation control signal can be generated in synchronization with the exposure signal by being generated from a reference clock signal common to the exposure signal.
  • the manufacturing method of the master 1 according to the present embodiment will be described.
  • the formation of an etching mask by exposure and development of an inorganic resist layer by thermal lithography and the formation of an etching mask by exposure and development of an organic resist layer by optical lithography are combined.
  • the uneven structure 20 having a shape in which two uneven patterns having different average pitches are superimposed is formed on the outer peripheral surface 11 of the master 1.
  • a method of manufacturing a master, which forms an etching mask by exposing and developing an organic resist layer by optical lithography will be described with reference to FIGS. 5A to 5D.
  • an organic resist layer 26 made of an organic material is formed on the outer peripheral surface 11 which is one surface of the base material 10.
  • the organic material constituting the organic resist layer 26 for example, a novolac-based resist, a chemically amplified resist, or the like can be used.
  • the organic material as described above can be formed as an organic resist layer 26 by using, for example, a spin coating method.
  • the organic resist layer 26 is a positive resist.
  • the organic resist layer 26 formed on the outer peripheral surface 11 of the base material 10 is irradiated with the laser beam 30, and the organic resist layer 26 is exposed by optical lithography.
  • the exposure can be performed by the exposure apparatus 3 described with reference to FIG.
  • the organic resist layer 26 is altered by irradiation with laser light 30, and a latent image 26a is formed.
  • the wavelength of the laser beam 30 is not particularly limited, but may be a wavelength belonging to the blue light band of 400 nm to 500 nm.
  • the light source that emits the laser beam 30 may be, for example, a semiconductor laser light source whose output can be easily adjusted.
  • the depth of the latent image 26a is the depth of the spot SP of the laser beam 30 in the cross-sectional view as shown in FIG. 5B.
  • the center is deeper. That is, the latent image 26a is formed in a semicircular shape.
  • the organic resist layer 26 is exposed not only to the spot SP of the laser beam 30 but also to the peripheral portion of the spot SP. Therefore, the range of the latent image 26a is wider than the range of the spot SP of the laser beam 30.
  • a recess 26b corresponding to the latent image 26a is formed in the organic resist layer 26 as shown in FIG. 5C.
  • an alkaline solution such as an aqueous solution of TMAH (TetraMethylAmmonium Hydrooxide: tetramethylammonium hydroxide) or various organic solvents such as ester or alcohol can be used.
  • TMAH TetraMethylAmmonium Hydrooxide: tetramethylammonium hydroxide
  • various organic solvents such as ester or alcohol
  • the organic resist layer 26 from which the latent image 26a has been removed is formed.
  • the organic resist layer 26 is a negative resist
  • the exposed portion exposed with the laser beam 30 has a lower dissolution rate in the developing solution than the non-exposed portion not exposed with the laser beam 30. Therefore, the unexposed portion is removed by the developing process. Thereby, it is also possible to leave the latent image 26a.
  • the base material 10 is etched using the developed organic resist layer 26 as an etching mask (first etching mask). By doing so, as shown in FIG. 5D, the base material 10 is formed with the recess 24 corresponding to the latent image 26a.
  • the etching of the base material 10 may be performed by either dry etching or wet etching.
  • the base material 10 is a glass material containing SiO 2 as a main component (for example, quartz glass)
  • the base material 10 is etched by dry etching using carbon fluoride gas or wet using hydrofluoric acid or the like. It can be done by etching.
  • an inorganic resist layer 27 made of an inorganic material is formed on the outer peripheral surface 11 which is one surface of the base material 10.
  • the inorganic material constituting the inorganic resist layer 27 for example, a metal oxide containing one or more kinds of transition metals such as tungsten (W) and molybdenum (Mo) can be used.
  • the above-mentioned inorganic material can be formed as an inorganic resist layer 27 by using, for example, a sputtering method.
  • the inorganic resist layer 27 is a positive resist.
  • the inorganic resist layer 27 formed on the outer peripheral surface 11 of the base material 10 is irradiated with the laser beam 30, and the inorganic resist layer 27 is exposed by thermal lithography.
  • the exposure can be performed by the exposure apparatus 3 described with reference to FIG.
  • thermal lithography the inorganic resist layer 27 is altered by the heat of the irradiated laser beam 30 to form a latent image 27a.
  • the laser beam 30 the same laser beam 30 used in the optical lithography described with reference to FIG. 5B can be used.
  • the temperature distribution is not uniform and is biased. Therefore, the inorganic resist layer 27 is altered in the high temperature portion of the spot SP of the laser beam 30, and the latent image 27a is formed. Further, the depth of the latent image 27a becomes deeper as the temperature becomes higher. Therefore, the range of the latent image 27a is narrower than the range of the spot SP of the laser beam 30, and the depth varies even within the latent image 27a.
  • a recess 27b corresponding to the latent image 27a is formed in the inorganic resist layer 27 as shown in FIG. 6C.
  • An alkaline solution such as an aqueous TMAH solution can be used for developing the inorganic resist layer 27.
  • the base material 10 is etched using the developed inorganic resist layer 27 as an etching mask. By doing so, as shown in FIG. 6D, the base material 10 is formed with the recess 25 corresponding to the latent image 27a.
  • the etching of the base material 10 may be performed by either dry etching or wet etching.
  • the manufacturing method of the master 1 according to the present embodiment includes a first forming step and a second forming step.
  • a fine concavo-convex structure 23 having a predetermined average pitch P1 (first average pitch) is formed on the outer peripheral surface 11 which is one surface of the base material 10.
  • the main concave portion 21 or the main convex having a predetermined average pitch P2 (second average pitch) larger than the average pitch P1 is formed on the outer peripheral surface 11 of the base material 10 on which the fine uneven structure 23 is formed.
  • the part 22 is formed.
  • the main concave portion 21 or the main convex portion 22 is formed while maintaining the shape of at least a part of the fine concavo-convex structure 23 in the main concave portion 21 or the main convex portion 22.
  • the first forming step and the second forming step will be described in more detail.
  • the inorganic resist layer 27 is formed on the outer peripheral surface 11 which is one surface of the base material 10.
  • the inorganic resist layer 27 can be formed into a film by, for example, the method described with reference to FIG. 6A.
  • the inorganic resist layer 27 formed on the outer peripheral surface 11 of the base material 10 is irradiated with laser light 30 (not shown), and the inorganic resist layer 27 is exposed by thermal lithography.
  • the exposure can be performed by the exposure apparatus 3 described with reference to FIG.
  • the inorganic resist layer 27 is altered by the heat of the irradiated laser beam 30, and a latent image 27a is formed.
  • the latent image 27a formed by thermal lithography can be made smaller than the spot SP of the laser beam 30.
  • the latent image 27a is formed corresponding to the fine concavo-convex structure 23.
  • the inorganic resist layer 27 can be developed by, for example, the method described with reference to FIG. 6C.
  • the base material 10 is etched using the developed inorganic resist layer 27 as an etching mask (first etching mask). By doing so, as shown in FIG. 7D, the base material 10 is formed with the recess 23a corresponding to the latent image 27a.
  • the recess 23a corresponds to the fine concavo-convex structure 23.
  • the etching of the base material 10 may be performed by either dry etching or wet etching.
  • the first forming step includes the first film forming step (FIG. 7A), the first exposure step (FIG. 7B), the first developing step (FIG. 7C), and the first etching step. (Fig. 7D) and included.
  • the inorganic resist layer 27 is formed on the outer peripheral surface 11 which is one surface of the base material 10.
  • the inorganic resist layer 27 is exposed by thermal lithography to form a latent image 27a corresponding to the fine concavo-convex structure 23.
  • the inorganic resist layer 27 on which the latent image 27a is formed is developed.
  • the base material 10 is etched using the developed inorganic resist layer 27 as an etching mask (first etching mask) to form the fine concavo-convex structure 23.
  • the organic resist layer 26 is formed on the outer peripheral surface 11 of the base material 10 on which the recess 23a (fine concavo-convex structure 23) is formed.
  • the organic resist layer 26 can be formed into a film by, for example, the method described with reference to FIG. 5A.
  • the organic resist layer 26 formed on the outer peripheral surface 11 of the base material 10 is irradiated with laser light 30 (not shown), and the organic resist layer 26 is exposed by optical lithography.
  • the exposure can be performed by the exposure apparatus 3 described with reference to FIG.
  • the organic resist layer 26 is altered by irradiation with the laser beam 30, and a latent image 26a is formed.
  • the latent image 26a formed by optical lithography has a size larger than that of the spot SP of the laser beam 30.
  • the latent image 26a is formed corresponding to the main recess 21.
  • the organic resist layer 26 can be developed by, for example, the method described with reference to FIG. 5C.
  • the base material 10 is etched using the developed organic resist layer 26 as an etching mask (second etching mask). By doing so, as shown in FIG. 7H, the main recess 21 is formed in the base material 10.
  • the etching of the base material 10 is performed so that the etching rate of the organic resist layer 26 is higher than the etching rate of the base material 10.
  • the main recess 21 can be formed while maintaining the shape of at least a part of the recess 23a (fine uneven structure 23) in the main recess 21. can.
  • the fine concavo-convex structure 23 formed in other than the main recess 21 can be removed.
  • at least a part of the recess 23a formed at the position corresponding to the main recess 21 is formed in the main recess 21 as the fine concavo-convex structure 23. That is, the base material 10 in which the main recess 21 is formed on one surface (outer peripheral surface 11) and the fine concavo-convex structure 23 is formed in the main recess 21 is produced.
  • the second forming step includes the second film forming step (FIG. 7E), the second exposure step (FIG. 7F), the second developing step (FIG. 7G), and the second etching step. (Fig. 7H) and included.
  • the organic resist layer 26 is formed on the outer peripheral surface 11 which is one surface of the base material 10 on which the recess 23a (fine uneven structure 23) is formed.
  • the organic resist layer 26 is exposed by optical lithography to form a latent image 26a corresponding to the main recess 21.
  • the organic resist layer 26 on which the latent image 26a is formed is developed.
  • the base material 10 is etched using the developed organic resist layer 26 as an etching mask (second etching mask) to form the main recess 21.
  • the main recess 21 is formed while maintaining the shape of at least a part of the recess 23a (fine concavo-convex structure 23) in the main recess 21.
  • the latent image 26a formed by the exposure and development of the organic resist layer 26 is not limited to the example shown in FIG. 7F.
  • the latent image 26a may be formed so as to reach the outer peripheral surface 11 of the base material 10 from the surface of the organic resist layer 26.
  • the wall surface of the latent image 26a may be formed so as to be substantially perpendicular to the outer peripheral surface 11 of the base material 10. Since the steps up to the film formation of the organic resist layer 26 are the same as the steps described with reference to FIGS. 7A to 7E, the description thereof will be omitted.
  • the organic resist layer 26 is developed to form a recess 26b reaching the base material 10 in the organic resist layer 26 as shown in FIG. 8B.
  • the wall surface of the recess 26b is substantially perpendicular to the outer peripheral surface 11 of the base material 10.
  • the base material 10 in which the fine concavo-convex structure 23 is formed in the main recess 21 can be manufactured. That is, it is possible to manufacture the master 1 including the base material 10 in which the main recess 21 is formed on one surface (outer peripheral surface 11) and the fine uneven structure 23 is formed in the main recess 21. Note that, in the base material 10 shown in FIG. 8C, unlike the base material 10 shown in FIG. 7H, the wall surface of the main recess 21 is substantially perpendicular to the outer peripheral surface 11 of the base material.
  • the organic resist layer 26 shown in FIG. 8B by using the organic resist layer 26 as a negative resist, a portion other than the latent image 26a can be removed. After that, by etching the base material 10, the etching proceeds from the portion other than the latent image 26a, so that the base material 10 in which the fine concavo-convex structure 23 is formed on the main convex portion 22 as shown in FIG. 2B is produced. be able to.
  • the method for manufacturing the master 1 includes the first forming step and the second forming step.
  • a fine concavo-convex structure 23 having an average pitch P1 (first average pitch) is formed on one surface (outer peripheral surface 11) of the base material 10.
  • the convex portion 22 is formed.
  • the main concave portion 21 is formed while maintaining the shape of at least a part of the fine uneven structure 23 in the main concave portion 21 or the main convex portion 22.
  • the master plate 1 formed by superimposing the concave-convex structures having different average pitches can be obtained. Can be manufactured. Further, by using such a master 1, it is possible to manufacture a transfer product formed by superimposing uneven structures having different average pitches, and an article including such a transfer product.
  • Example 1 The master according to Example 1 was produced by the following steps. First, a tungsten oxide is deposited with a thickness of 55 nm on the outer peripheral surface of a base material (axial length 100 mm, diameter ⁇ 132, wall thickness 4.5 mm) made of cylindrical quartz glass by a sputtering method. Then, an inorganic resist layer was formed. Next, using the exposure apparatus 3 shown in FIG. 4, thermal lithography was performed by laser light from a semiconductor laser light source having a wavelength of 405 nm, and a latent image corresponding to the fine concavo-convex structure 23 was formed on the inorganic resist layer. The rotation speed of the base material was 900 rpm.
  • the exposed base material was developed at 27 ° C. for 900 seconds using a TMAH 2.38 mass% aqueous solution (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) to dissolve the inorganic resist layer of the latent image portion and to dissolve the inorganic resist. A recess was formed in the layer.
  • TMAH 2.38 mass% aqueous solution manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.
  • RIE reactive ion etching
  • an AZ4210 positive resist was formed on the outer peripheral surface of the base material from which the inorganic resist layer had been removed by a dip coating method to a thickness of 5 ⁇ m to form an organic resist layer.
  • photolithography was performed by laser light from a semiconductor laser light source having a wavelength of 405 nm, and a latent image corresponding to the main recess 21 was formed in the organic resist layer.
  • the rotation speed of the base material was 900 rpm.
  • a semicircular latent image was formed in a cross-sectional view.
  • the organic resist layer of the latent image portion was dissolved by developing the exposed base material at 27 ° C. for 180 seconds using a TMAH 2.38 mass% aqueous solution (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) to dissolve the organic resist. A recess was formed in the layer.
  • RIE reactive ion etching
  • CHF 3 gas (30 sccm) at a gas pressure of 0.5 Pa and an input power of 150 W.
  • the material was etched for 300 minutes. Then, the remaining organic resist layer was removed.
  • Example 2 In this embodiment, as the latent image formed on the organic resist layer, instead of the semicircular latent image shown in FIG. 7F, it reaches the outer peripheral surface of the base material shown in FIG. 8A, and the wall surface is the base material. A latent image was formed that was substantially perpendicular to the outer peripheral surface of the. In other steps, the master according to Example 2 was manufactured by the same method as in Example 1.
  • Comparative Example 1 In Comparative Example 1, a master was produced by the steps described with reference to FIGS. 5A to 5D.
  • an inorganic resist layer was formed on the outer peripheral surface of the same base material as in Example 1 by the same method as in Example 1.
  • thermal lithography was performed by the same method as in Example 1 to form a latent image on the inorganic resist layer.
  • the inorganic resist layer was developed and etched by the same method as in Example 1 to produce a master according to Comparative Example 1.
  • Comparative Example 2 In Comparative Example 2, a master was produced by the steps described with reference to FIGS. 6A to 6D.
  • an organic resist layer was formed on the outer peripheral surface of the same base material as in Example 1 by the same method as in Example 1.
  • optical lithography was performed by the same method as in Example 1 to form a latent image on the organic resist layer.
  • the organic resist layer was developed and etched by the same method as in Example 1 to produce a master according to Comparative Example 2.
  • FIGS. 9A, 9B, 10A, and 10B Images of the transcripts produced using Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2 observed with a scanning electron microscope (SEM) are shown in FIGS. 9A, 9B, 10A, and 10B.
  • FIG. 9A is an SEM image diagram of a transcript produced using the master according to Example 1 at a magnification of 1000 times.
  • FIG. 9B is an SEM image diagram of a transcript produced using the master according to Example 2 at a magnification of 10000 times.
  • FIG. 10A is an SEM image diagram of a transcript produced using the master according to Comparative Example 1 at a magnification of 1000 times.
  • FIG. 10B is an SEM image diagram of a transcript produced using the master according to Comparative Example 2 at a magnification of 10000 times.

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Abstract

原盤１の製造方法は、基材１０の一面に第１の平均ピッチを有する微細凹凸構造２３を形成する第１の形成ステップと、微細凹凸構造２３が形成された基材１０の一面に、第１の平均ピッチよりも大きい第２の平均ピッチを有する主凹部２１または主凸部２２を形成するステップであって、主凹部２１または主凸部２２における微細凹凸構造２３の少なくとも一部の形状を維持しつつ主凹部２１または主凸部２２を形成する第２の形成ステップと、を含む。

Description

原盤の製造方法、原盤、転写物および物品
　本出願は、２０２０年３月２７日に日本国に特許出願された特願２０２０－０５７９１３の優先権を主張するものであり、この先の出願の開示全体をここに参照のために取り込む。
　本発明は、原盤の製造方法、原盤、転写物および物品に関する。
　近年、微細加工技術の一つとして、表面に微細なパターンが形成された平板形状、円柱形状または円筒形状の原盤を樹脂シートなどに押し当てることで、原盤上の微細なパターンを樹脂シートなどに転写するナノインプリント技術の開発が進められている。
　例えば、特許文献１，２には、リソグラフィーにより基材上にエッチングマスクを形成し、エッチングマスクが形成された基材のエッチングを行うことで、基材に所定のパターンの凹凸構造を形成する技術が記載されている。
特開２０１６－２８８６７号公報 特開２０１９－１１１７８６号公報
　導光板、光拡散板、マイクロレンズアレイ、反射防止（ＡＧ：Anti-Glare）フィルムおよび細胞培養シートなど種々の物品において、異なる波長の光（例えば、可視光および可視光よりも長い波長の光）それぞれに対して優れた光学性能を有することが求められることがある。このような要求に応えるために、ナノインプリント技術により、異なる波長の光それぞれに対応する平均ピッチを有する凹凸構造を重畳して樹脂シートなどに転写することが考えられる。しかしながら、特許文献１，２に記載の技術では、略一定の形状の凹凸構造しか形成することができず、上述したような、異なる平均ピッチを有する凹凸構造を重畳して形成することは困難である。
　上記のような問題点に鑑みてなされた本発明の目的は、異なる平均ピッチを有する凹凸構造が重畳して形成された原盤の製造方法、原盤、転写物および物品を提供することにある。
　一実施形態に係る原盤の製造方法は、基材の一面に第１の平均ピッチを有する微細凹凸構造を形成する第１の形成ステップと、前記微細凹凸構造が形成された前記基材の一面に、前記第１の平均ピッチよりも大きい第２の平均ピッチを有する主凹部または主凸部を形成するステップであって、前記主凹部または前記主凸部における前記微細凹凸構造の少なくとも一部の形状を維持しつつ前記主凹部または前記主凸部を形成する第２の形成ステップと、を含む。
　一実施形態に係る原盤は、一面に主凹部または主凸部が形成され、前記主凹部または前記主凸部に微細凹凸構造が形成された基材を備え、前記微細凹凸構造は、第１の平均ピッチで形成され、前記主凹部または前記主凸部は、前記第１の平均ピッチよりも大きい第２の平均ピッチで形成される。
　一実施形態に係る転写物は、上記の原盤の前記基材の一面に形成された凹凸構造の形状または前記凹凸構造の形状の反転形状が転写される。
　一実施形態に係る物品は、上記の転写物を備える。
　本発明によれば、異なる平均ピッチを有する凹凸構造が重畳して形成された原盤の製造方法、原盤、転写物および物品を提供することができる。
本発明の一実施形態に係る原盤の外観を模式的に示す図である。 図１に示す原盤の外周面に形成された凹凸構造の一例を示す図である。 図１に示す原盤の外周面に形成された凹凸構造の他の例を示す図である。 図１に示す原盤を用いて転写物を製造する転写装置の構成例を示す図である。 図１に示す原盤の製造に用いられる露光装置の構成例を示す図である。 比較例１に係る原盤の製造方法を示す断面図（その１）である。 比較例１に係る原盤の製造方法を示す断面図（その２）である。 比較例１に係る原盤の製造方法を示す断面図（その３）である。 比較例１に係る原盤の製造方法を示す断面図（その４）である。 比較例２に係る原盤の製造方法を示す断面図（その１）である。 比較例２に係る原盤の製造方法を示す断面図（その２）である。 比較例２に係る原盤の製造方法を示す断面図（その３）である。 比較例２に係る原盤の製造方法を示す断面図（その４）である。 本発明の一実施形態に係る原盤の製造方法の一例を示す断面図（その１）である。 本発明の一実施形態に係る原盤の製造方法の一例を示す断面図（その２）である。 本発明の一実施形態に係る原盤の製造方法の一例を示す断面図（その３）である。 本発明の一実施形態に係る原盤の製造方法の一例を示す断面図（その４）である。 本発明の一実施形態に係る原盤の製造方法の一例を示す断面図（その５）である。 本発明の一実施形態に係る原盤の製造方法の一例を示す断面図（その６）である。 本発明の一実施形態に係る原盤の製造方法の一例を示す断面図（その７）である。 本発明の一実施形態に係る原盤の製造方法の一例を示す断面図（その８）である。 本発明の一実施形態に係る原盤の製造方法の他の例を示す断面図（その１）である。 本発明の一実施形態に係る原盤の製造方法の他の例を示す断面図（その２）である。 本発明の一実施形態に係る原盤の製造方法の他の例を示す断面図（その３）である。 実施例１に係る原盤による転写物を撮像したＳＥＭ画像図である。 実施例２に係る原盤による転写物を撮像したＳＥＭ画像図である。 比較例１に係る原盤による転写物を撮像したＳＥＭ画像図である。 比較例２に係る原盤による転写物を撮像したＳＥＭ画像図である。
　以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら説明する。各図中、同一符号は、同一または同等の構成要素を示している。
　図１は、本発明の一実施形態に係る原盤１の外観を示す図である。
　図１に示すように、本実施形態に係る原盤１は、例えば、一面である外周面１１に凹凸構造２０が形成された、円柱形状の基材１０により構成される。
　原盤１は、例えば、ロールツーロール（roll-to-roll）方式のインプリント技術に用いられる原盤である。ロールツーロール方式のインプリント技術では、原盤１を回転させながら、原盤１の外周面１１をシート状基材などに押圧することで、原盤１の外周面１１に形成された凹凸構造２０をシート状基材などに転写することができる。このようなインプリント技術によれば、原盤１の外周面１１に形成された凹凸構造２０を転写した転写物を効率良く製造することができる。
　凹凸構造２０が転写された転写物は、様々な用途に用いることができる。例えば、凹凸構造２０が転写された転写物は、導光板、光拡散板、マイクロレンズアレイ、反射防止フィルムまたは細胞培養シートなどの物品に用いることができる。
　基材１０は、例えば、円筒形状または円柱形状の部材である。基材１０の形状は、図１に示すように、内部に空洞を有する中空の円筒形状であってよい。基材１０の形状は、内部に空洞を有さない中実の円柱形状であってもよい。基材１０は、平板形状の部材であってもよい。基材１０は、例えば、溶融石英ガラスまたは合成石英ガラスなどのＳｉＯ２を主成分とするガラス材料で形成されてよい。基材１０は、ステンレス鋼などの金属で形成されてよい。基材１０の外周面１１は、ＳｉＯ２などで被覆されていてよい。以下では、基材１０は、円筒形状または円柱形状の部材であるとして説明する。
　基材１０は、少なくとも外周面１１がＳｉＯ２を主成分とするガラス材料で形成されることが好ましい。基材１０は、全体がＳｉＯ２を主成分とするガラス材料で形成されることがより好ましい。基材１０の主成分がＳｉＯ２である場合、フッ素化合物を用いたエッチングにより、基材１０を容易に加工することができる。例えば、凹凸構造２０に対応したパターンを形成したレジスト層をマスクパターンとして、フッ素化合物を用いたエッチングを行うことにより、基材１０の外周面１１に凹凸構造２０を容易に形成することができる。
　基材１０が円柱形状である場合、基材１０は、例えば、円柱形の高さ（軸方向の長さ）が１００ｍｍ以上であり、円柱形状の底面または上面の円の直径（軸方向と直交する径方向の長さ）が５０ｍｍ以上３００ｍｍ以下であってよい。基材１０が円筒形状である場合、円筒の径方向の厚みは２ｍｍ以上５０ｍｍ以下であってよい。ただし、基材１０の大きさは、上記に限定されるものではない。
　凹凸構造２０は、基材１０の一面である外周面１１に形成される。図２Ａは、凹凸構造２０の一例を示す図である。
　図２Ａに示すように、凹凸構造２０は、基材１０の一面である外周面１１に形成された主凹部２１と、主凹部２１に形成された微細凹凸構造２３とを含む。
　主凹部２１は、基材１０の外周面１１から、基材１０の径方向内側に向かって落ち込んだ構造を有する。主凹部２１は、所定の平均ピッチＰ２（第２の平均ピッチ）を有する。主凹部２１の平均ピッチＰ２とは、所定の範囲において隣り合う主凹部２１同士の間隔（例えば、隣り合う主凹部２１の中心間の距離）の統計的平均のことである。
　微細凹凸構造２３は、主凹部２１に形成される。より具体的には、微細凹凸構造２３は、主凹部２１の底面付近に形成される。微細凹凸構造２３は、所定の平均ピッチＰ１（第１の平均ピッチ）を有する。微細凹凸構造２３の平均ピッチＰ１とは、所定の範囲おいて隣り合う、微細凹凸構造を構成する凹凸の間隔の統計的平均のことである。
　基材１０には、図２Ａに示すような、底面付近に微細凹凸構造２３が形成された主凹部２１が、規則的あるいは不規則に複数形成される。
　微細凹凸構造２３の平均ピッチＰ１は、例えば、可視光の波長以下である。主凹部２１の平均ピッチＰ２は、例えば、可視光の波長より大きい。したがって、主凹部２１の平均ピッチＰ２は、微細凹凸構造２３の平均ピッチＰ１よりも大きい。
　微細凹凸構造２３を構成する凹部の深さＨ１の範囲は、例えば、５０ｎｍから３００ｎｍ程度である。また、微細凹凸構造２３を構成する凹部の開口の幅Ｗ１の範囲は、例えば、５０ｎｍから５００ｎｍ程度である。主凹部２１の深さＨ２の範囲は、例えば、１μｍから２０μｍ程度である。また、主凹部２１の開口の幅Ｗ２の範囲は、例えば、５μｍから２００μｍ程度である。このように、微細凹凸構造２３のサイズは、主凹部２１のサイズと比べて、１０分の１から４０００分の１程度である。したがって、１つの主凹部２１に対して、微細凹凸構造２３を構成する凹凸を１００個から１６００万個の単位で形成することができる。
　図２Ａにおいては、凹凸構造２０として、主凹部２１の底面付近に微細凹凸構造２３が形成された例を示しているが、これに限られるものではない。図２Ｂに示すように、凹凸構造２０は、基材１０の径方向外側に向かって突出した主凸部２２の頂面付近に微細凹凸構造２３が形成された構成であってもよい。この場合、基材１０は、図２Ｂに示すような、頂面付近に微細凹凸構造２３が形成された主凸部２２が、規則的あるいは不規則に複数形成される。
　このように、原盤１は、一面である外周面１１に主凹部２１または主凸部２２が形成され、主凹部２１または主凸部２２に微細凹凸構造２３が形成された基材１０を備える。微細凹凸構造２３は、平均ピッチＰ１（第１の平均ピッチ）で形成され、主凹部２１または主凸部２２は、微細凹凸構造２３の平均ピッチＰ１よりも大きい平均ピッチＰ２（第２の平均ピッチ）で形成される。すなわち、原盤１は、外周面１１に平均ピッチＰ２で複数の主凹部２１または主凸部２２が形成され、主凹部２１または主凸部２２それぞれに、微細凹凸構造２３が平均ピッチＰ１（Ｐ１＜Ｐ２）で形成された基材１０を備える。したがって、原盤１は、異なる平均ピッチを有する凹凸構造が重畳して形成されている。
　なお、本実施形態においては、図２Ａ，２Ｂに示すように、主凹部２１あるいは主凸部２２にのみ微細凹凸構造２３が形成されている。すなわち、主凹部２１あるいは主凸部２２以外の部分には、微細凹凸構造が形成されていない。このように、主凹部２１あるいは主凸部２２にのみ微細凹凸構造２３を形成することで、例えば、モスアイ構造のような微細凹凸構造を形成し、局所的に反射防止効果を付与することができる。また、微細凹凸構造の有無による濡れ性の違いを応用した印刷インクのパターニング（Ｗｅｎｚｅｌモデル）への応用が考えられる。
　次に、本実施形態に係る原盤１の使用例を説明する。本実施形態に係る原盤１を用いることにより、原盤１の外周面１１に形成された凹凸構造２０の形状を転写した転写物を製造することができる。図３は、本実施形態に係る原盤１を用いて転写物を製造する転写装置５の構成例を示す図である。
　図３に示すように、転写装置５は、原盤１と、基材供給ロール５１と、巻取ロール５２と、ガイドロール５３，５４と、ニップロール５５と、剥離ロール５６と、塗布装置５７と、光源５８とを備える。図３に示す転写装置５は、ロールツーロール方式のインプリント装置である。
　基材供給ロール５１は、例えば、シート状基材６１がロール状に巻かれたロールである。巻取ロール５２は、原盤１の凹凸構造２０が転写された樹脂層６２を積層した転写物を巻き取るロールである。ガイドロール５３，５４は、転写前後で、シート状基材６１を搬送するロールである。ニップロール５５は、樹脂層６２が積層されたシート状基材６１を原盤１に押圧するロールである。剥離ロール５６は、凹凸構造２０を樹脂層６２に転写した後、樹脂層６２が積層されたシート状基材６１を原盤１から剥離するロールである。
　塗布装置５７は、コーターなどの塗布手段を備え、光硬化性樹脂組成物をシート状基材６１に塗布し、樹脂層６２を形成する。塗布装置５７は、例えば、グラビアコーター、ワイヤーバーコーターまたはダイコーターなどであってよい。光源５８は、光硬化性樹脂組成物を硬化可能な波長の光を発する光源である。光源５８は、例えば、紫外線ランプなどであってよい。
　光硬化性樹脂組成物は、所定の波長の光が照射されることにより硬化する樹脂である。光硬化性樹脂組成物は、例えば、アクリルアクリレート樹脂、エポキシアクリレート樹脂などの紫外線硬化樹脂であってよい。光硬化性樹脂組成物は、必要に応じて、重合開始剤、フィラー、機能性添加剤、溶剤、無機材料、顔料、帯電抑制剤または増感色素などを含んでよい。
　樹脂層６２は、熱硬化性樹脂組成物で形成されてよい。この場合、転写装置５には、光源５８に変えてヒータが備えられる。ヒータにより樹脂層６２を加熱することで樹脂層６２を硬化させ、凹凸構造２０を転写することができる。熱硬化性樹脂組成物は、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂または尿素樹脂などであってよい。
　図３に示す転写装置５では、基材供給ロール５１からガイドロール５３を介して、シート状基材６１が連続的に送出される。送出されたシート状基材６１に対して、塗布装置５７により光硬化性樹脂組成物が塗布され、シート状基材６１に樹脂層６２が積層される。樹脂層６２が積層されたシート状基材６１は、ニップロール５５により原盤１に押圧される。これにより、原盤１の外周面１１に形成された凹凸構造２０が樹脂層６２に転写される。凹凸構造２０が転写された樹脂層６２は、光源５８からの光の照射により硬化される。これにより、原盤１の凹凸構造２０の反転構造が樹脂層６２に形成される。凹凸構造２０が転写されたシート状基材６１は、剥離ロール５６により原盤１から剥離され、ガイドロール５４を介して巻取ロール５２に送出され、巻き取られる。
　このような転写装置５によれば、原盤１の外周面１１に形成された凹凸構造２０をシート状基材６１に効率的に転写することができる。なお、原盤１の凹凸構造２０が転写された転写物に形成された凹凸構造をさらに転写して、原盤１と同様の凹凸構造を有する転写物を製造してもよい。すなわち、本実施形態に係る原盤１を用いて製造される転写物には、原盤１の基材１０の一面である外周面１１に形成された凹凸構造２０の形状が転写された転写物および凹凸構造２０の形状の反転形状が転写された転写物（原盤１と同様の凹凸構造を有する転写物）を含む。原盤１と同様の凹凸構造を有する転写物は、例えば、レプリカ原盤として用いることができる。
　次に、本実施形態に係る原盤１の製造方法について説明する。
　本実施形態においては、リソグラフィーにより、原盤１の外周面１１に成膜したレジスト層を露光して潜像を形成し、潜像の形成後に現像したレジスト層をエッチングマスクとして基材１０をエッチングすることで基材１０に凹凸構造２０を形成する。以下では、図４を参照して、上述したレジスト層を露光するための露光装置３の構成について説明する。
　図４に示すように、露光装置３は、レーザ光源３１と、第１ミラー３３と、フォトダイオード（Photo Diode：ＰＤ）３４と、集光レンズ３６と、コリメータレンズ３８と、電気光学偏光素子（Electro-Optic Deflector：ＥＯＤ）３９と、第２ミラー４１と、ビームエキスパンダ（Beam expander：ＢＥＸ）４３と、対物レンズ４４とを備える。
　レーザ光源３１は、制御機構４７が生成した露光信号により制御される。レーザ光源３１から出射されたレーザ光３０は、ターンテーブル４６上に載置された基材１０に照射される。基材１０が載置されたターンテーブル４６は、露光信号と同期する回転制御信号により制御されるスピンドルモータ４５により回転する。
　レーザ光源３１は、基材１０の外周面１１に成膜されたレジスト層を露光するレーザ光３０を出射する光源である。レーザ光源３１は、例えば、４００ｎｍ～５００ｎｍの青色光帯域に属する波長のレーザ光を出射する半導体レーザ光源であってよい。レーザ光源３１から出射されたレーザ光３０は、平行ビームのまま直進し、第１ミラー３３で反射される。
　第１ミラー３３にて反射されたレーザ光３０は、集光レンズ３６により電気光学偏光素子３９に集光された後、コリメータレンズ３８により再度、平行ビーム化される。平行ビーム化されたレーザ光３０は、第２ミラー４１により反射され、ビームエキスパンダ４３に水平に導かれる。
　第１ミラー３３は、偏光ビームスプリッタで構成され、偏光成分の一方を反射させ、偏光成分の他方を透過させる機能を有する。第１ミラー３３を透過した偏光成分は、フォトダイオード３４により光電変換され、光電変換された受光信号は、レーザ光源３１に入力される。これにより、レーザ光源３１は、入力された受光信号によるフィードバックに基づいて、レーザ光３０の出力の調整などを行うことができる。
　電気光学偏光素子３９は、レーザ光３０の照射位置をナノメートル程度の距離で制御することが可能な素子である。露光装置３は、電気光学偏光素子３９により、基材１０に照射されるレーザ光３０の照射位置を微調整することが可能である。
　ビームエキスパンダ４３は、第２ミラー４１により導かれたレーザ光３０を所望のビーム形状に整形し、対物レンズ４４を介して、レーザ光３０を基材１０の外周面１１に形成されたレジスト層に照射する。
　ターンテーブル４６は、基材１０を支持し、スピンドルモータ４５により回転されることで、基材１０を回転させる。ターンテーブル４６は、基材１０を回転させながら、基材１０の軸方向（すなわち、矢印Ｒ方向）にレーザ光３０の照射位置を移動させることで、基材１０の外周面１１にスパイラル状に露光を行うことができる。レーザ光３０の照射位置の移動は、レーザ光源３１を含むレーザヘッドをスライダに沿って移動させることで行ってもよい。
　制御機構４７は、レーザ光源３１を制御することで、レーザ光３０の出力強度および照射位置を制御する。制御機構４７は、フォーマッタ４８と、ドライバ４９とを備える。
　ドライバ４９は、フォーマッタ４８が生成した露光信号に基づいてレーザ光源３１によるレーザ光３０の出射を制御する。例えば、ドライバ４９は、露光信号の波形振幅が大きくなるほど、レーザ光３０の出力強度が大きくなるようにレーザ光源３１を制御してよい。ドライバ４９は、露光信号の波形形状に基づいてレーザ光３０の出射タイミングを制御することで、レーザ光３０の照射位置を制御してよい。レーザ光３０の出力強度が大きくなるほど、レジスト層に形成される潜像の大きさおよび深さを大きくすることができる。
　スピンドルモータ４５は、回転制御信号に基づいて、ターンテーブル４６を回転させる。スピンドルモータ４５は、回転制御信号によって所定の数のパルスが入力された場合に、ターンテーブル４６が１回転するように回転を制御してよい。回転制御信号は、露光信号と共通の基準クロック信号から生成されることで、露光信号と同期するように生成され得る。
　図４に示す露光装置３によれば、基材１０の外周面１１に、任意のパターンの潜像を高精度および高再現性で形成することが可能である。
　次に、本実施形態に係る原盤１の製造方法について説明する。本実施形態に係る原盤１の製造方法においては、熱リソグラフィーによる無機レジスト層の露光及び現像によるエッチングマスクの形成と、光リソグラフィーによる有機レジスト層の露光および現像によるエッチングマスクの形成とを組み合わせることで、上述した平均ピッチの異なる２つの凹凸パターンを重畳した形状の凹凸構造２０を原盤１の外周面１１に形成する。まず、比較のために、光リソグラフィーによる有機レジスト層の露光および現像によりエッチングマスクを形成する、原盤の製造方法を、図５Ａから図５Ｄを参照して説明する。
　図５Ａに示すように、基材１０の一面である外周面１１上に、有機系材料からなる有機レジスト層２６が成膜される。有機レジスト層２６を構成する有機系材料としては、例えば、ノボラック系レジストまたは化学増幅型レジストなどを用いることができる。上述したような有機系材料は、例えば、スピンコート法を用いることで、有機レジスト層２６として成膜することができる。本実施形態においては、有機レジスト層２６は、ポジ型レジストであるとする。
　次に、図５Ｂに示すように、基材１０の外周面１１上に形成された有機レジスト層２６にレーザ光３０が照射され、光リソグラフィーにより有機レジスト層２６が露光される。露光は図４を参照して説明した露光装置３により行うことができる。光リソグラフィーでは、有機レジスト層２６は、レーザ光３０の照射により変質し、潜像２６ａが形成される。レーザ光３０の波長は特に限定されないが、４００ｎｍ～５００ｎｍの青色光帯域に属する波長であってよい。レーザ光３０の制御信号を変調させることで、レーザ光３０の出力強度および照射位置を制御し、有機レジスト層２６に形成される潜像２６ａの大きさおよび位置を制御することができる。そのため、レーザ光３０を出射する光源は、例えば、出力の調整が容易な、半導体レーザ光源であってよい。
　照射されるレーザ光３０のスポットＳＰ（照射範囲）の中心程、光の強度が大きいので、潜像２６ａの深さは、図５Ｂに示すように、断面視において、レーザ光３０のスポットＳＰの中心程、深くなる。すなわち、潜像２６ａは、半円状に形成される。また、有機レジスト層２６はレーザ光３０のスポットＳＰだけでなく、スポットＳＰの周辺部分も感光する。そのため、潜像２６ａの範囲は、レーザ光３０のスポットＳＰの範囲よりも広くなる。
　次に、潜像２６ａが形成された有機レジスト層２６を現像することで、図５Ｃに示すように、有機レジスト層２６に、潜像２６ａに対応する凹部２６ｂが形成される。有機レジスト層２６の現像には、ＴＭＡＨ（TetraMethylAmmonium Hydroxide：水酸化テトラメチルアンモニウム）水溶液などのアルカリ系溶液、あるいは、エステルまたはアルコールなどの各種有機溶剤を用いることができる。有機レジスト層２６がポジ型レジストである場合、レーザ光３０で露光された露光部は、レーザ光３０で露光されていない非露光部と比較して、現像液に対する溶解速度が増加する。そのため、現像処理により露光部が除去される。これにより、潜像２６ａが除去された有機レジスト層２６が形成される。なお、有機レジスト層２６がネガ型レジストである場合、レーザ光３０で露光された露光部は、レーザ光３０で露光されていない非露光部と比較して、現像液に対する溶解速度が低下する。そのため、現像処理により非露光部が除去される。これにより、潜像２６ａを残存させることも可能である。
　次に、現像後の有機レジスト層２６をエッチングマスク（第１のエッチングマスク）として、基材１０のエッチングが行われる。こうすることで、図５Ｄに示すように、基材１０には、潜像２６ａに対応する凹部２４が形成される。基材１０のエッチングは、ドライエッチングまたはウェットエッチングのいずれで行ってもよい。基材１０がＳｉＯ２を主成分とするガラス材料（例えば、石英ガラスなど）である場合、基材１０のエッチングは、フッ化炭素ガスを用いたドライエッチングまたはフッ化水素酸などを用いたウェットエッチングにより行うことができる。
　図５Ａから図５Ｄを参照して説明した原盤の製造方法では、レーザ光３０のスポットＳＰの範囲よりも広い凹部２４が凹凸構造として基材１０に形成されるだけである。そのため、図５Ａから図５Ｄを参照して説明した原盤の製造方法では、異なる平均ピッチを有する凹凸構造が重畳して形成された原盤１を製造することは困難である。
　次に、熱リソグラフィーによる無機レジスト層の露光および現像によりエッチングマスクを形成する、原盤の製造方法を、図６Ａから図６Ｄを参照して説明する。
　図６Ａに示すように、基材１０の一面である外周面１１上に、無機系材料からなる無機レジスト層２７が成膜される。無機レジスト層２７を構成する無機系材料としては、例えば、タングステン（Ｗ）またはモリブデン（Ｍｏ）などの１種または２種以上の遷移金属を含む金属酸化物を用いることができる。上述したような無機系材料は、例えば、スパッタ法などを用いることで、無機レジスト層２７として成膜することができる。本実施形態においては、無機レジスト層２７は、ポジ型レジストであるとする。
　次に、図６Ｂに示すように、基材１０の外周面１１上に形成された無機レジスト層２７にレーザ光３０が照射され、熱リソグラフィーにより無機レジスト層２７が露光される。露光は図４を参照して説明した露光装置３により行うことができる。熱リソグラフィーでは、無機レジスト層２７は、照射されるレーザ光３０の熱により変質し、潜像２７ａが形成される。レーザ光３０としては、図５Ｂを参照して説明した光リソグラフィーにおいて使用したレーザ光３０と同じものを用いることができる。
　照射されるレーザ光３０のスポットＳＰ（照射範囲）内で、温度分布は均一ではなく、偏りがある。そのため、レーザ光３０のスポットＳＰのうち温度が高い部分で、無機レジスト層２７が変質し、潜像２７ａが形成される。また、潜像２７ａの深さは、温度が高い部分ほど深くなる。そのため、潜像２７ａの範囲は、レーザ光３０のスポットＳＰの範囲よりも狭くなり、また、潜像２７ａ内においても、深さにばらつきが生じる。
　次に、潜像２７ａが形成された無機レジスト層２７を現像することで、図６Ｃに示すように、無機レジスト層２７に、潜像２７ａに対応する凹部２７ｂが形成される。無機レジスト層２７の現像には、例えば、ＴＭＡＨ水溶液などのアルカリ系溶液を用いることができる。
　次に、現像後の無機レジスト層２７をエッチングマスクとして、基材１０のエッチングが行われる。こうすることで、図６Ｄに示すように、基材１０には、潜像２７ａに対応する凹部２５が形成される。基材１０のエッチングは、ドライエッチングまたはウェットエッチングのいずれで行ってもよい。
　図６Ａから図６Ｄを参照して説明した原盤の製造方法では、レーザ光３０のスポットＳＰの範囲よりも小さい凹部２５が凹凸構造として基材１０に形成されるだけである。そのため、図６Ａから図６Ｄを参照して説明した原盤の製造方法では、異なる平均ピッチを有する凹凸構造が重畳して形成された原盤１を製造することは困難である。
　次に、本実施形態に係る原盤１の製造方法について説明する。以下では、図２Ａに示す、主凹部２１に微細凹凸構造２３が形成された凹凸構造２０を有する原盤１を製造する例を用いて説明する。
　本実施形態に係る原盤１の製造方法は、第１の形成ステップと、第２の形成ステップとを含む。第１の形成ステップでは、基材１０の一面である外周面１１に所定の平均ピッチＰ１（第１の平均ピッチ）を有する微細凹凸構造２３を形成する。第２の形成ステップでは、微細凹凸構造２３が形成された基材１０の外周面１１に、平均ピッチＰ１よりも大きい所定の平均ピッチＰ２（第２の平均ピッチ）を有する主凹部２１または主凸部２２を形成する。ここで、第２の形成ステップでは、主凹部２１または主凸部２２における微細凹凸構造２３の少なくとも一部の形状を維持しつつ主凹部２１または主凸部２２を形成する。以下では、第１の形成ステップおよび第２の形成ステップについてより詳細に説明する。
　まず、第１の形成ステップについて、図７Ａから図７Ｄを参照して説明する。
　図７Ａに示すように、基材１０の一面である外周面１１上に、無機レジスト層２７が成膜される。無機レジスト層２７は、例えば、図６Ａを参照して説明した方法により、成膜することができる。
　次に、図７Ｂに示すように、基材１０の外周面１１上に形成された無機レジスト層２７にレーザ光３０（不図示）が照射され、熱リソグラフィーにより無機レジスト層２７が露光される。露光は図４を参照して説明した露光装置３により行うことができる。無機レジスト層２７は、照射されるレーザ光３０の熱により変質し、潜像２７ａが形成される。上述したように、熱リソグラフィーにより形成される潜像２７ａは、レーザ光３０のスポットＳＰよりも小さいサイズにすることができる。潜像２７ａは、微細凹凸構造２３に対応して形成される。
　次に、潜像２７ａが形成された無機レジスト層２７を現像することで、図７Ｃに示すように、無機レジスト層２７に、潜像２７ａに対応する凹部２７ｂが形成される。無機レジスト層２７の現像は、例えば、図６Ｃを参照して説明した方法により行うことができる。
　次に、現像後の無機レジスト層２７をエッチングマスク（第１のエッチングマスク）として、基材１０のエッチングが行われる。こうすることで、図７Ｄに示すように、基材１０には、潜像２７ａに対応する凹部２３ａが形成される。凹部２３ａは、微細凹凸構造２３に相当するものである。基材１０のエッチングは、ドライエッチングまたはウェットエッチングのいずれで行ってもよい。
　このように、第１の形成ステップは、第１の成膜ステップ（図７Ａ）と、第１の露光ステップ（図７Ｂ）と、第１の現像ステップ（図７Ｃ）と、第１のエッチングステップ（図７Ｄ）とを含む。
　第１の成膜ステップでは、基材１０の一面である外周面１１に無機レジスト層２７を成膜する。第１の露光ステップでは、熱リソグラフィーにより、無機レジスト層２７を露光して、微細凹凸構造２３に対応する潜像２７ａを形成する。第１の現像ステップでは、潜像２７ａが形成された無機レジスト層２７を現像する。第１のエッチングステップでは、現像後の無機レジスト層２７をエッチングマスク（第１のエッチングマスク）として基材１０をエッチングして、微細凹凸構造２３を形成する。
　次に、第２の形成ステップについて、図７Ｅから図７Ｈを参照して説明する。
　図７Ｅに示すように、凹部２３ａ（微細凹凸構造２３）が形成された基材１０の外周面１１上に、有機レジスト層２６が成膜される。有機レジスト層２６は、例えば、図５Ａを参照して説明した方法により、成膜することができる。
　次に、図７Ｆに示すように、基材１０の外周面１１上に形成された有機レジスト層２６にレーザ光３０（不図示）が照射され、光リソグラフィーにより有機レジスト層２６が露光される。露光は図４を参照して説明した露光装置３により行うことができる。有機レジスト層２６は、レーザ光３０の照射により変質し、潜像２６ａが形成される。上述したように、光リソグラフィーにより形成される潜像２６ａは、レーザ光３０のスポットＳＰよりも大きいサイズである。潜像２６ａは、主凹部２１に対応して形成される。
　次に、潜像２６ａが形成された有機レジスト層２６を現像することで、図７Ｇに示すように、有機レジスト層２６に、潜像２６ａに対応する凹部２６ｂが形成される。有機レジスト層２６の現像は、例えば、図５Ｃを参照して説明した方法により行うことができる。
　次に、現像後の有機レジスト層２６をエッチングマスク（第２のエッチングマスク）として、基材１０のエッチングが行われる。こうすることで、図７Ｈに示すように、基材１０には、主凹部２１が形成される。図７Ｈに示す工程では、基材１０のエッチングは、有機レジスト層２６のエッチングレートが、基材１０のエッチングレートよりも大きくなるように行われる。有機レジスト層２６および基材１０のエッチングレートをこのように調整することで、主凹部２１における凹部２３ａ（微細凹凸構造２３）の少なくとも一部の形状を維持しつつ主凹部２１を形成することができる。また、主凹部２１以外に形成された微細凹凸構造２３を除去することができる。その結果、主凹部２１に対応する位置に形成された凹部２３ａの少なくとも一部が、微細凹凸構造２３として主凹部２１に形成される。すなわち、一面（外周面１１）に主凹部２１が形成され、主凹部２１に微細凹凸構造２３が形成された基材１０が作製される。
　このように、第２の形成ステップは、第２の成膜ステップ（図７Ｅ）と、第２の露光ステップ（図７Ｆ）と、第２の現像ステップ（図７Ｇ）と、第２のエッチングステップ（図７Ｈ）とを含む。
　第２の成膜ステップでは、凹部２３ａ（微細凹凸構造２３）が形成された基材１０の一面である外周面１１に有機レジスト層２６を成膜する。第２の露光ステップでは、光リソグラフィーにより、有機レジスト層２６を露光して、主凹部２１に対応する潜像２６ａを形成する。第２の現像ステップでは、潜像２６ａが形成された有機レジスト層２６を現像する。第２のエッチングステップでは、現像後の有機レジスト層２６をエッチングマスク（第２のエッチングマスク）として基材１０をエッチングして、主凹部２１を形成する。ここで、第２のエッチングステップでは、主凹部２１における凹部２３ａ（微細凹凸構造２３）の少なくとも一部の形状を維持しつつ主凹部２１を形成する。
　なお、有機レジスト層２６の露光および現像により形成する潜像２６ａは、図７Ｆに示す示す例に限られるものではない。
　図８Ａに示すように、潜像２６ａは、有機レジスト層２６の表面から基材１０の外周面１１に達するように形成されてもよい。この場合、潜像２６ａの壁面が、基材１０の外周面１１に対して概ね垂直となるように形成されてもよい。有機レジスト層２６の成膜までの工程は、図７Ａから図７Ｅを参照して説明した工程と同じであるので、説明を省略する。
　図８Ａに示す潜像２６ａが形成された後、有機レジスト層２６の現像を行うことで、図８Ｂに示すように、有機レジスト層２６には、基材１０に達する凹部２６ｂが形成される。凹部２６ｂの壁面は、基材１０の外周面１１に対して概ね垂直となる。
　現像後の有機レジスト層２６をエッチングマスクとしたエッチングを行うことで、図８Ｃに示すように、主凹部２１に微細凹凸構造２３が形成された基材１０を製造することができる。すなわち、一面（外周面１１）に主凹部２１が形成され、主凹部２１に微細凹凸構造２３が形成された基材１０を備える原盤１を作製することができる。なお、図８Ｃに基材１０では、図７Ｈに示す基材１０とは異なり、主凹部２１の壁面は、基材の外周面１１に対して概ね垂直となる。
　図８Ｂに示す有機レジスト層２６の現像において、有機レジスト層２６をネガ型レジストとすることで、潜像２６ａ以外の部分を除去することができる。その後、基材１０のエッチングを行うことで、潜像２６ａ以外の部分からエッチングが進むので、図２Ｂに示すような、主凸部２２に微細凹凸構造２３が形成された基材１０を作製することができる。
　このように本実施形態に係る原盤１の製造方法は、第１の形成ステップと、第２の形成ステップとを含む。第１の形成ステップでは、基材１０の一面（外周面１１）に平均ピッチＰ１（第１の平均ピッチ）を有する微細凹凸構造２３を形成する。第２の形成ステップでは、微細凹凸構造２３が形成された基材１０の一面（外周面１１）に、平均ピッチＰ１よりも大きい平均ピッチＰ２（第２の平均ピッチ）を有する主凹部２１または主凸部２２を形成する。第２の形成ステップでは、主凹部２１または主凸部２２における微細凹凸構造２３の少なくとも一部の形状を維持しつつ主凹部２１を形成する。
　主凹部２１または主凸部２２における微細凹凸構造２３の形状を維持しつつ主凹部２１または主凸部２２を形成することで、異なる平均ピッチを有する凹凸構造が重畳して形成された原盤１を製造することができる。また、このような原盤１を用いることで、異なる平均ピッチの凹凸構造が重畳して形成された転写物、および、そのような転写物を備える物品を製造することができる。
　次に、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない。
　［原盤の製造］
　（実施例１）
　以下の工程により、実施例１に係る原盤を作製した。まず、円筒形状の石英ガラスにて構成された基材（軸方向の長さ１００ｍｍ、直径φ１３２、肉厚４．５ｍｍ）の外周面に、スパッタ法でタングステン酸化物を５５ｎｍの厚さで成膜し、無機レジスト層を形成した。次に、図４に示す露光装置３を用いて、波長４０５ｎｍの半導体レーザ光源からのレーザ光により熱リソグラフィーを行い、無機レジスト層に微細凹凸構造２３に対応する潜像を形成した。基材の回転数は９００ｒｐｍとした。
　次に、ＴＭＡＨ２．３８質量％水溶液（東京応化工業製）を用いて、露光後の基材を２７℃、９００秒で現像処理することにより、潜像部分の無機レジスト層を溶解し、無機レジスト層に凹部を形成した。次に、現像後の無機レジスト層をエッチングマスクとして、ＣＨＦ３ガス（３０ｓｃｃｍ）を用いて、ガス圧０．５Ｐａ、投入電力１５０Ｗにて反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching：ＲＩＥ）を行い、基材を３０分間エッチングした。その後、残存した無機レジスト層を除去した。
　次に、無機レジスト層を除去した基材の外周面に、ディップコート法でＡＺ４２１０ポジ型レジストを５μｍの厚さで成膜し、有機レジスト層を形成した。次に、図４に示す露光装置を用いて、波長４０５ｎｍの半導体レーザ光源からのレーザ光により光リソグラフィーを行い、有機レジスト層に主凹部２１に対応する潜像を形成した。基材の回転数は９００ｒｐｍとした。本実施例では、図７Ｆに示すように、断面視で半円状の潜像を形成した。
　次に、ＴＭＡＨ２．３８質量％水溶液（東京応化工業製）を用いて、露光後の基材を２７℃、１８０秒で現像処理することにより、潜像部分の有機レジスト層を溶解し、有機レジスト層に凹部を形成した。次に、現像後の有機レジスト層をエッチングマスクとして、ＣＨＦ３ガス（３０ｓｃｃｍ）を用いて、ガス圧０．５Ｐａ、投入電力１５０Ｗにて反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching：ＲＩＥ）を行い、基材を３００分間エッチングした。その後、残存した有機レジスト層を除去した。
　以上の工程により、外周面に凹凸構造が形成された原盤を製造した。
　（実施例２）
　本実施例では、有機レジスト層に形成する潜像として、図７Ｆに示す、断面視で半円状の潜像の代わりに、図８Ａに示す、基材の外周面に達し、壁面が基材の外周面に対して概ね垂直となる潜像を形成した。その他の工程は実施例１と同様の方法により、実施例２に係る原盤を製造した。
　（比較例１）
　比較例１では、図５Ａから図５Ｄを参照して説明した工程により、原盤を作製した。
　具体的には、実施例１と同じ基材の外周面に、実施例１と同様の方法により無機レジスト層を形成した。次に、実施例１と同様の方法により熱リソグラフィーを行い、無機レジスト層に潜像を形成した。次に、実施例１と同様の方法により、無機レジスト層に対する現像およびエッチングを行い、比較例１に係る原盤を製造した。
　（比較例２）
　比較例２では、図６Ａから図６Ｄを参照して説明した工程により、原盤を作製した。
　具体的には、実施例１と同じ基材の外周面に、実施例１と同様の方法により有機レジスト層を形成した。次に、実施例１と同様の方法により光リソグラフィーを行い、有機レジスト層に潜像を形成した。次に、実施例１と同様の方法により、有機レジスト層に対する現像およびエッチングを行い、比較例２に係る原盤を製造した。
　［転写物の製造］
　実施例１，２および比較例１，２に係る原盤を用いて転写物を製造した。具体的には、図３に示す転写装置５を用いて、原盤の外周面に形成された凹凸構造を紫外線硬化樹脂に転写した。転写物のシート状基材には、ポリエチレンテレフタレート（PolyEthylene Terephthalate：ＰＥＴ）フィルムを用いた。紫外線硬化樹脂は、メタルハライドランプにより、１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を１分間照射することで硬化させた。
　［評価結果］
　実施例１，２および比較例１，２を用いて製造した転写物を走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：ＳＥＭ）にて観察した画像を図９Ａ，９Ｂ，１０Ａ，１０Ｂに示す。図９Ａは、実施例１に係る原盤を用いて製造した転写物を拡大倍率１０００倍にて撮像したＳＥＭ画像図である。図９Ｂは、実施例２に係る原盤を用いて製造した転写物を拡大率１００００倍にて撮像したＳＥＭ画像図である。図１０Ａは、比較例１に係る原盤を用いて製造した転写物を拡大倍率１０００倍にて撮像したＳＥＭ画像図である。図１０Ｂは、比較例２に係る原盤を用いて製造した転写物を拡大率１００００倍にて撮像したＳＥＭ画像図である。
　図９Ａおよび図９Ｂを参照すると、実施例１，２に係る原盤を用いて製造した転写物では、数μｍの高さの複数の主凸部それぞれの上に、数百ｎｍの高さの微細凹凸構造が形成された。例えば、実施例１に係る原盤を用いて製造した転写物では、高さ約２．６μｍの主凸部の頂部に、高さ約２００ｎｍの微細凹凸構造が形成された。したがって、実施例１，２に係る原盤を用いて製造した転写物には、異なる平均ピッチの凹凸構造が重畳して形成されていることが分かった。
　一方、図１０Ａを参照すると、比較例１に係る原盤を用いて製造した転写物では、高さ約３．２μｍの凸部が形成されていただけであり、当該凸部と平均ピッチの異なる凹凸構造が形成されることはなかった。また、図１０Ｂを参照すると、比較例２に係る原盤を用いて製造した転写物では、高さ約２００ｎｍの凸部が形成されていただけであり、当該凸部と平均ピッチの異なる凹凸構造が形成されることはなかった。
　本発明を図面および実施形態に基づき説明してきたが、当業者であれば本開示に基づき種々の変形または修正を行うことが容易であることに注意されたい。したがって、これらの変形または修正は本発明の範囲に含まれることに留意されたい。
　１　　原盤
　３　　露光装置
　５　　露光装置
　１０　　基材
　１１　　外周面
　２０　　凹凸構造
　２１　　主凹部
　２２　　主凸部
　２３　　微細凹凸構造
　２３ａ　　凹部
　２４，２５　　基材の凹部
　２６　　有機レジスト層
　２６ａ，２７ａ　　潜像
　２６ｂ　　有機レジスト層の凹部
　２７　　無機レジスト層
　２７ｂ　　無機レジスト層の凹部
　３０　　レーザ光
　３１　　レーザ光源
　３３　　第１ミラー
　３４　　フォトダイオード
　３６　　集光レンズ
　３８　　コリメータレンズ
　３９　　電気光学偏光素子
　４１　　第２ミラー
　４３　　ビームエキスパンダ
　４４　　対物レンズ
　４５　　スピンドルモータ
　４６　　ターンテーブル
　４７　　制御機構
　４８　　フォーマッタ
　４９　　ドライバ
　５１　　基材供給ロール
　５２　　巻取ロール
　５３，５４　　ガイドロール
　５５　　ニップロール
　５６　　剥離ロール
　５７　　塗布装置
　５８　　光源
　６１　　シート状基材
　６２　　樹脂層

Claims (7)

  1. 　基材の一面に第１の平均ピッチを有する微細凹凸構造を形成する第１の形成ステップと、
    　前記微細凹凸構造が形成された前記基材の一面に、前記第１の平均ピッチよりも大きい第２の平均ピッチを有する主凹部または主凸部を形成するステップであって、前記主凹部または前記主凸部における前記微細凹凸構造の少なくとも一部の形状を維持しつつ前記主凹部または前記主凸部を形成する第２の形成ステップと、を含む原盤の製造方法。
  2. 　請求項１に記載の原盤の製造方法において、
    　前記第１の形成ステップは、
    　前記基材の一面に無機レジスト層を成膜する第１の成膜ステップと、
    　熱リソグラフィーにより、前記無機レジスト層を露光して、前記微細凹凸構造に対応する潜像を形成する第１の露光ステップと、
    　前記潜像が形成された無機レジスト層を現像する第１の現像ステップと、
    　現像後の前記無機レジスト層を第１のエッチングマスクとして前記基材をエッチングして前記微細凹凸構造を形成する第１のエッチングステップと、を含み、
    　前記第２の形成ステップは、
    　前記微細凹凸構造が形成された前記基材の一面に有機レジスト層を成膜する第２の成膜ステップと、
    　光リソグラフィーにより、前記有機レジスト層を露光して、前記主凹部または前記主凸部に対応する潜像を形成する第２の露光ステップと、
    　前記潜像が形成された有機レジスト層を現像する第２の現像ステップと、
    　現像後の前記有機レジスト層を第２のエッチングマスクとして前記基材をエッチングして前記主凹部または前記主凸部を形成する第２のエッチングステップと、を含む原盤の製造方法。
  3. 　請求項２に記載の原盤の製造方法において、
    　前記第２のエッチングステップでは、
    　前記有機レジスト層のエッチングレートが、前記基材のエッチングレートよりも大きい、原盤の製造方法。
  4. 　請求項１から３のいずれか一項に記載の原盤の製造方法において、
    　前記第１の平均ピッチは、可視光の波長以下であり、
    　前記第２の平均ピッチは、可視光の波長より大きい、原盤の製造方法。
  5. 　一面に主凹部または主凸部が形成され、前記主凹部または前記主凸部に微細凹凸構造が形成された基材を備え、
    　前記微細凹凸構造は、第１の平均ピッチで形成され、
    　前記主凹部または前記主凸部は、前記第１の平均ピッチよりも大きい第２の平均ピッチで形成される、原盤。
  6. 　請求項５に記載の原盤の前記基材の一面に形成された凹凸構造の形状または前記凹凸構造の形状の反転形状が転写された転写物。
  7. 　請求項６に記載の転写物を備える物品。
     
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023149954A (ja) * 2022-03-31 2023-10-16 デクセリアルズ株式会社 原盤の製造方法、転写物の製造方法、レプリカ原盤の製造方法、および原盤の製造装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07144363A (ja) * 1993-11-22 1995-06-06 Dainippon Printing Co Ltd 化粧シート
JP2006519711A (ja) * 2003-01-29 2006-08-31 ヘプタゴン・オサケ・ユキチュア 構造化された素子の製造
JP2008126448A (ja) * 2006-11-17 2008-06-05 Japan Steel Works Ltd:The マイクロ・ナノ微細構造体を有するスタンパーおよびその製造方法
JP2016051116A (ja) * 2014-09-01 2016-04-11 デクセリアルズ株式会社 光学体、表示装置および光学体の製造方法
JP2016190413A (ja) * 2015-03-31 2016-11-10 ニスカ株式会社 画像形成装置
JP2020017591A (ja) * 2018-07-24 2020-01-30 大日本印刷株式会社 インプリントモールド用基板、マスターモールド及びそれらを用いたインプリントモールドの製造方法、並びにマスターモールドの製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6411113B2 (ja) 2014-07-25 2018-10-24 デクセリアルズ株式会社 原盤の製造方法、転写物の製造方法、およびレプリカ原盤の製造方法
JP7057126B2 (ja) 2017-12-26 2022-04-19 デクセリアルズ株式会社 原盤、転写物及び原盤の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07144363A (ja) * 1993-11-22 1995-06-06 Dainippon Printing Co Ltd 化粧シート
JP2006519711A (ja) * 2003-01-29 2006-08-31 ヘプタゴン・オサケ・ユキチュア 構造化された素子の製造
JP2008126448A (ja) * 2006-11-17 2008-06-05 Japan Steel Works Ltd:The マイクロ・ナノ微細構造体を有するスタンパーおよびその製造方法
JP2016051116A (ja) * 2014-09-01 2016-04-11 デクセリアルズ株式会社 光学体、表示装置および光学体の製造方法
JP2016190413A (ja) * 2015-03-31 2016-11-10 ニスカ株式会社 画像形成装置
JP2020017591A (ja) * 2018-07-24 2020-01-30 大日本印刷株式会社 インプリントモールド用基板、マスターモールド及びそれらを用いたインプリントモールドの製造方法、並びにマスターモールドの製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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