WO2015093308A1 - 円筒基材、原盤、及び原盤の製造方法 - Google Patents

円筒基材、原盤、及び原盤の製造方法 Download PDF

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Definitions

  • the state of the exposure beam changes as the surface properties (waviness, roughness) and outer shape (roundness) of the cylindrical quartz substrate change.
  • the pattern accuracy deteriorates due to the interaction between the distortion of the quartz substrate and the heat generation of the inorganic resist.
  • FIG. 1 is a perspective view showing an outline of a cylindrical base material.
  • 2A is a perspective view showing an example of the configuration of the roll master
  • FIG. 2B is an enlarged plan view of a part of the surface of the roll master shown in FIG. 2A.
  • FIG. 3 is a schematic view showing an example of the configuration of an exposure apparatus for producing a roll master.
  • FIG. 4 is a schematic view showing an example of the configuration of an etching apparatus for producing a roll master.
  • FIG. 5A is a cross-sectional view showing an outline of a cylindrical base material
  • FIG. 5B is a cross-sectional view showing an outline of a cylindrical base material with a resist layer formed on the outer peripheral surface
  • FIG. 5C is an exposure of the resist layer.
  • the amplitude of waviness with a period of 10 mm or less in the circumferential direction on the outer peripheral surface of the cylindrical substrate 11 is preferably less than 100 nm, and more preferably 50 nm or less.
  • the circumferential period on the outer peripheral surface of the cylindrical base material 11 is 10 mm or less.
  • the amplitude of the undulation is less than 100 nm, the focus servo mechanism of the exposure apparatus can follow, and the size variation of the exposure pattern can be suppressed. For example, when a moth-eye-shaped antireflection pattern is exposed, an antireflection characteristic having a uniform in-plane distribution can be obtained.
  • the circumferential undulation on the outer peripheral surface of the cylindrical substrate 11 can be obtained by measuring the coordinate data of the cylindrical curved surface using, for example, a stylus type surface shape roughness measuring machine.
  • Examples of the exposure apparatus that can be used in the exposure process and the etching apparatus that can be used in the etching process include apparatuses having the following configuration examples.
  • the mirror 23 is composed of a polarization beam splitter, and has a function of reflecting one polarization component and transmitting the other polarization component.
  • the polarized light component transmitted through the mirror 23 is received by the photodiode 24, and the electro-optic element 22 is controlled based on the received light signal, and the phase modulation of the laser light 20 is performed.
  • a substrate 61 such as a sheet is wound around the substrate supply roll 51 in a roll shape, and is arranged so that the substrate 61 can be continuously fed through the guide roll 53.
  • the take-up roll 52 is disposed so as to take up the laminate having the resin layer 62 having the concavo-convex shape transferred by the transfer device.
  • the guide rolls 53 and 54 are arranged on a conveyance path in the transfer unit so that the laminated body of the base body 61 and the resin layer 62 can be conveyed.
  • the nip roll 55 is arranged so that the substrate 61 fed from the substrate supply roll 51 and coated with the photocurable resin composition can be nipped with the roll-shaped master 10.
  • the master 10 has a transfer surface for forming the resin layer 62.
  • the peeling roll 56 is disposed so that the resin layer 62 obtained by curing the photocurable resin composition can be peeled off from the transfer surface of the master 10.
  • Example 2 when the amplitude of the waviness with a period of 10 mm or less in the circumferential direction on the outer peripheral surface of the cylindrical base material is less than 100 nm, it is possible to suppress the variation in size of the exposure pattern, and the reflected light intensity distribution was uniform.

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Abstract

　微細パターンを均一に転写可能な円筒基材、原盤、及び原盤の製造方法を提供する。円筒形状の石英ガラスからなり、内部歪みが、複屈折量で７０ｎｍ／ｃｍ未満である円筒基材（１１）を用いる。この円筒基材（１１）の外周表面にレジスト層を成膜し、レジスト層に潜像を形成し、潜像が形成されたレジスト層を現像し、現像されたレジスト層のパターンをマスクとしてエッチングし、円筒基材（１１）の外周表面に複数配列された凹部又は凸部からなる構造体（１２）を形成する。

Description

円筒基材、原盤、及び原盤の製造方法
　本発明は、光硬化樹脂などに微細パターンを転写するための円筒基材、原盤、及び原盤の製造方法に関する。本出願は、日本国において２０１３年１２月２０日に出願された日本特許出願番号特願２０１３－２６４３５８を基礎として優先権を主張するものであり、この出願は参照されることにより、本出願に援用される。
　従来、ガラス、プラスチックなどの透光性基材を用いた光学素子においては、光の表面反射を抑えるための表面処理が行われている。この種の表面処理として、光学素子表面に微細な凹凸形状（例えば、モスアイ（蛾の目）形状。）を形成する方法がある（例えば、特許文献１、２参照。）。
　これらの技術は、基材表面に所望のパターンを形成した原盤を用い、感光性樹脂、熱硬化性樹脂などを塗布したシートに原盤のパターンを転写することにより、安価且つ大量に生産することが可能となる。
　また、光ディスクのマスタリング技術を利用して、円筒形状の石英基材に所望のパターンを作製する方法がある。この場合、無機レジスト（例えば、タングステンやモリブデンなどの１種または２種以上の遷移金属からなる金属酸化物）の熱変化を利用した熱リソグラフィーが使用可能である。熱リソグラフィーを用いることにより、ビーム径の中心部分だけ熱反応させ、レーザ光の解像限界を超えた微細パターンの作製が可能となる。
　しかし、光ディスクのマスタリング技術を利用した露光では、円筒形状の石英基材の表面性（うねり、荒れ）や外形（真円度）の変動に伴い、露光ビームの状態が変化してしまう。また、熱リソグラフィーを使用した場合、石英基材の歪みと無機レジストの発熱の相互作用で、パターン精度が悪化してしまう。
特開２００９－１９９０８６号公報 特開２０１０－１５６８４３号公報
　本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、微細パターンを均一に転写可能な円筒基材、原盤、及び原盤の製造方法を提供する。
　本発明者は、鋭意検討を行った結果、内部歪みが小さい円筒基材を使用することにより、微細パターンを高精度に転写可能であることを見出した。
　すなわち、本発明に係る円筒基材は、円筒形状の石英からなり、前記円筒形状の内部歪みが、複屈折量で７０ｎｍ／ｃｍ未満であることを特徴とする。
　また、本発明に係る原盤は、前述の円筒基材と、前記円筒基材の外周表面に形成された凹部又は凸部からなる構造体とを備えることを特徴とする。
　また、本発明に係る原盤の製造方法は、前述の円筒基材の外周表面にレジスト層を成膜するレジスト成膜工程と、前記レジスト層に潜像を形成する露光工程と、前記潜像が形成されたレジスト層を現像する現像工程と、前記現像されたレジスト層のパターンをマスクとしてエッチングし、前記円筒基材の外周表面に複数配列された凹部又は凸部からなる構造体を形成するエッチング工程とを有することを特徴とする。
　また、本発明に係る光学素子の製造方法は、前述の原盤の外周表面に光硬化樹脂層を密着させ、該光硬化樹脂層を硬化させて剥離し、前記原盤の構造体を光硬化樹脂層に転写することを特徴とする。
　本発明によれば、円筒基材の内部歪みが小さいため、熱による表面の変動が小さくなり、微細パターンを均一に転写することができる。
図１は、円筒基材の概略を示す斜視図である。 図２Ａは、ロール原盤の構成の一例を示す斜視図であり、図２Ｂは、図２Ａに示すロール原盤の表面の一部を拡大した平面図である。 図３は、ロール原盤を作製するための露光装置の構成の一例を示す概略図である。 図４は、ロール原盤を作製するためのエッチング装置の構成の一例を示す概略図である。 図５Ａは、円筒基材の概略を示す断面図であり、図５Ｂは、外周面にレジスト層を成膜した円筒基材の概略を示す断面図であり、図５Ｃは、レジスト層を露光した円筒基材の概略を示す断面図である。 図６Ａは、レジスト層を現像した円筒基材の概略を示す断面図であり、図６Ｂは、エッチングした円筒基材の概略を示す断面図である。 図７は、転写装置の構成の一例を示す概略図である。 図８は、実施例１の円筒基材の内部歪みを示す画像である。 図９は、実施例１の原盤の反射光強度分布を示す２次元画像である。 図１０は、実施例１の原盤のパターン配列のＳＥＭ画像である。 図１１は、比較例１の円筒基材の内部歪みを示す画像である。 図１２は、比較例１の原盤の反射光強度分布を示す２次元画像である。 図１３は、比較例１の原盤のパターン配列のＳＥＭ画像である。 図１４は、実施例２の円筒基材の表面うねりを示すグラフである。 図１５は、実施例２の原盤の反射光強度分布を示す２次元画像である。 図１６は、比較例２の円筒基材の表面うねりを示すグラフである。 図１７は、比較例２の原盤の反射光強度分布を示す２次元画像である。
　以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら下記順序にて詳細に説明する。
１．円筒基材及び原盤
２．原盤の製造方法
３．光学素子の製造方法
４．実施例
　＜１．円筒基材及び原盤＞
　［円筒基材］
　図１は、円筒基材の概略を示す斜視図である。円筒基材１１は、円筒形状の石英ガラスからなり、外周面に微細パターンが形成された中空円柱状のロール金型の基材として最適に用いられる。石英ガラスは、ＳｉＯ２純度が高いものであれば、特に限定されるものではなく、溶融石英ガラス、又は合成石英ガラスのいずれを用いてもよい。
　また、円筒基材１１のサイズは、特に限定されるものではなく、用途に応じて適宜選択可能であるが、例えば、軸方向の長さＬが１００ｍｍ以上であり、外径Ｄが５０～３００ｍｍであり、厚さＴが２～５０ｍｍである。
　円筒基材１１の内部歪みは、複屈折量で７０ｎｍ／ｃｍ未満であり、より好ましくは２０ｎｍ／ｃｍ以下である。円筒基材１０の内部歪みが小さいことにより、例えば熱リソグラフィー法を用いて所望のパターンを露光した場合、熱による表面の変動が小さくなり、パターンの配列乱れを抑制することができる。また、例えばモスアイ形状の反射防止パターンを露光した場合、面内分布が均一な反射防止特性を得ることができる。また、パターン配列乱れに伴う透過散乱光による白濁領域の発生を防止することができる。
　この円筒基材１１の内部歪みは、例えば、透明体内部の残留応力によって引き起こされる複屈折量を測定する歪測定器を用いて測定され、通常厚さ１ｃｍあたりのリターデーション(単位：ｎｍ／ｃｍ)として表される。
　円筒基材１１の外周表面における円周方向の周期１０ｍｍ以下のうねりの振幅は、１００ｎｍ未満であることが好ましく、５０ｎｍ以下であることがより好ましい。光ディスク記録装置をベースとして構成された露光装置を用いて、レジストが成摸された円筒基材１１へ所望のパターンを描画する場合、円筒基材１１の外周表面における円周方向の周期１０ｍｍ以下のうねりの振幅が、１００ｎｍ未満であることにより、露光装置のフォーカスサーボ機構が追従可能となり、露光パターンのサイズ変動を抑制することができる。また、例えばモスアイ形状の反射防止パターンを露光した場合、面内分布が均一な反射防止特性を得ることができる。
　この円筒基材１１の外周表面における円周方向のうねりは、例えば触針式表面形状粗さ測定機を使用して円筒形状の曲面の座標データを測定することにより得ることができる。
　［原盤］
　図２Ａは、ロール原盤の構成の一例を示す斜視図であり、図２Ｂは、図２Ａに示すロール原盤の表面の一部を拡大した平面図である。この原盤１０は、いわゆるロールマスタであり、前述の円筒基材１１と、円筒基材１１の外周表面に複数配列された凹部又は凸部からなる構造体１２とを備える。
　構造体１２は、光学素子の使用環境下の光の波長以下、例えば可視光の波長と同程度のピッチＰで複数列のトラックＴをなすように周期的に２次元配列され、また、例えば円柱基材１１の表面に同心円状又はスパイラル状上に配置されている。また、構造体１２は、例えば四方格子状、六方格子状などの規則的な所定の配置パターンをなすようにしてもよい。また、構造体１２の高さが円柱基材１１の表面において規則的または不規則的に変化していてもよい。
　＜２．原盤の製造方法＞
　次に、本実施の形態に係る原盤の製造方法について説明する。本実施の形態に係る原盤の製造方法は、前述の円筒基材の外周表面にレジスト層を成膜するレジスト成膜工程と、レジスト層に潜像を形成する露光工程と、潜像が形成されたレジスト層を現像する現像工程と、現像されたレジスト層のパターンをマスクとしてエッチングし、円筒基材の外周表面に複数配列された凹部又は凸部からなる構造体を形成するエッチング工程とを有する。
　本実施の形態では、内部歪みが複屈折量で７０ｎｍ／ｃｍ未満である円筒基材を用いるため、レジスト層にレーザ光を照射して潜像を形成する露光工程を好適に用いることができる。また、無機レジストとして、例えば、タングステン、モリブデンなどの１種以上の遷移金属からなる金属酸化物を用い、レジスト層の熱変化を利用した熱リソグラフィーにより潜像を形成する露光工程を好適に用いることができる。これにより、ビーム径の中心部分だけ熱反応させ、レーザ光の解像限界を超えた微細パターンの作製が可能となる。また、高アスペクト比の構造体を得るため、ドライエッチングを用いることが好ましい。
　露光工程で使用可能な露光装置、及びエッチング工程で使用可能なエッチング装置としては、それぞれ下記構成例の装置が挙げられる。
　［露光装置］
　図３は、ロール原盤を作製するための露光装置の構成の一例を示す概略図である。この露光装置は、光学ディスク記録装置をベースとして構成されている。
　レーザ光源２１は、記録媒体としての円筒基材１１の表面に成膜されたレジストを露光するための光源であり、例えば波長λ＝２６６ｎｍの記録用のレーザ光２０を発振するものである。レーザ光源２１から出射されたレーザ光２０は、平行ビームのまま直進し、電気光学素子（ＥＯＭ：Electro Optical Modulator）２２へ入射する。電気光学素子２２を透過したレーザ光２０は、ミラー２３で反射され、変調光学系２５に導かれる。
　ミラー２３は、偏光ビームスプリッタで構成されており、一方の偏光成分を反射し他方の偏光成分を透過する機能をもつ。ミラー２３を透過した偏光成分はフォトダイオード２４で受光され、その受光信号に基づいて電気光学素子２２が制御されてレーザ光２０の位相変調が行われる。
　変調光学系２５において、レーザ光２０は、集光レンズ２６により、ガラス（ＳｉＯ２）などからなる音響光学素子（ＡＯＭ：Acoust-Optic Modulator）２７に集光される。レーザ光２０は、音響光学素子２７により強度変調され発散した後、コリメータレンズ２８によって平行ビーム化される。変調光学系２５から出射されたレーザ光２０は、ミラー３１によって反射され、移動光学テーブル３２上に水平かつ平行に導かれる。
　移動光学テーブル３２は、ビームエキスパンダ３３と、対物レンズ３４とを備えている。移動光学テーブル３２に導かれたレーザ光２０は、ビームエキスパンダ３３により所望のビーム形状に整形された後、対物レンズ３４を介して、円筒基材１１上のレジスト層へ照射される。円筒基材１１は、スピンドルモータ３５に接続されたターンテーブル３６の上に載置されている。そして、円筒基材１１を回転させるとともに、レーザ光２０を円筒基材１１の高さ方向に移動させながら、レジスト層へレーザ光２０を間欠的に照射することにより、レジスト層の露光工程が行われる。形成された潜像は、例えば、円周方向に長軸を有する略楕円形になる。レーザ光２０の移動は、移動光学テーブル３２を矢印Ｒ方向へ移動することによって行われる。
　露光装置は、例えば六方格子、準六方格子などの２次元パターンに対応する潜像をレジスト層に形成するための制御機構３７を備えている。制御機構３７は、フォーマッタ２９とドライバ３０とを備える。フォーマッタ２９は、極性反転部を備え、この極性反転部が、レジスト層に対するレーザ光１５の照射タイミングを制御する。ドライバ３０は、極性反転部の出力を受けて、音響光学素子２７を制御する。
　この露光装置では、２次元パターンが空間的にリンクするように１トラック毎に極性反転フォーマッタ信号と記録装置の回転コントロラーとを同期させ信号を発生し、音響光学素子２７により強度変調している。角速度一定（ＣＡＶ：Constant Angular Velocity）で適切な回転数と適切な変調周波数と適切な送りピッチとでパターニングすることにより、例えば六方格子、準六方格子などの２次元パターンをレジスト層に記録することができる。
　［エッチング装置］
　図４は、ロール原盤を作製するためのエッチング装置の構成の一例を示す概略図である。エッチング装置は、いわゆるＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置であり、図４に示すように、エッチング反応槽４１と、カソード（陰極）である円柱電極４２と、アノード（陽極）である対向電極４３とを備える。円柱電極４２は、エッチング反応槽４１の中央に配置されている。対向電極４３が、エッチング反応槽４１の内側に設けられている。円柱電極４２は、円筒基材１１を着脱可能な構成を有している。円柱電極４２は、例えば、円筒基材１１の円筒面とほぼ同一または相似の円柱面、具体的には、円筒基材１１の内周面よりも多少小さい径を有する円柱面を有する。円柱電極４３が、ブロッキングコンデンサ４４を介して、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電源（ＲＦ）４５に対して接続される。対向電極４３は、アースに対して接続される。
　このエッチング装置では、高周波電源４５により対向電極４３と円柱電極４２との間に高周波電圧が印加されると、対向電極４３と円柱電極４２との間にプラズマが発生する。対向電極４３はアースに接続されているため、電位が変わらないのに対して、円柱電極４２は、ブロッキングコンデンサ４４により回路が遮断されているため、マイナス電位になり電圧降下が発生する。この電圧降下により、円柱電極４２の円柱面に垂直な方向に電界が発生し、プラズマ中のプラスイオンは、円筒基材１１の外周面に垂直に入射し、異方性エッチングが行われる。
　［原盤の製造方法の各工程］
　続いて、図５及び図６を参照して本実施の形態に係る原盤の製造方法の各工程について順次説明する。
　（レジスト成膜工程）
　まず、図５Ａに示すように、前述の円筒基材１１を準備する。この円筒基材１１は、例えば石英ガラスである。次に、図５Ｂに示すように、円筒基材１１の外周面にレジスト層１３を成膜する。レジスト層の材料としては、例えば有機系レジスト、又は無機系レジストのいずれを用いてもよい。有機系レジストとしては、例えばノボラック系レジストや化学増幅型レジストを用いることができる。また、無機系レジストとしては、例えば、タングステン、モリブデンなどの１種または２種以上の遷移金属からなる金属酸化物を用いることができる。
　（露光工程）
　次に、図３に示す露光装置を用いて、円筒基材１１を回転させると共に、レーザ光（露光ビーム）２０をレジスト層１３に照射する。このとき、レーザ光２０を円筒基材１１の高さ方向（中心軸に平行な方向）に移動させながら、レーザ光２０を間欠的に照射することにより、レジスト層１３を全面にわたって露光する。これにより、図５Ｃに示すように、レーザ光２０の軌跡に応じた潜像１４が、可視光波長と同程度のピッチでレジスト層１３の全面にわたって形成される。潜像１４は、例えば、円筒基材１１の外周表面において、複数列のトラックをなすように配置されるとともに、六方格子パターン又は準六方格子パターンを形成する。潜像１４は、例えば、トラックの延在方向に長軸方向を有する楕円形状である。
　（現像工程）
　次に、レジスト層１３上に現像液を滴下して、レジスト層１３を現像処理する。レジスト層１３をポジ型のレジストにより形成した場合には、レーザ光２０で露光した露光部は、非露光部と比較して現像液に対する溶解速度が増すので、図６Ａに示すように、潜像１４（露光部）に応じたパターンがレジスト層１３に形成される。
　（エッチング工程）
　次に、円筒基材１１上に形成されたレジスト層１３のパターン（レジストパターン）をマスクとして、円筒基材１１の表面をエッチング処理する。これにより、図６Ｂに示すように、トラックの延在方向に長軸方向を持つ楕円錐形状又は楕円錐台形状の凹部、すなわち構造体１２を得ることができる。エッチングの方法としては、ドライエッチング、又はウェットエッチングのいずれを用いてもよいが、例えば図４に示すエッチング装置を用いたドライエッチングが好ましく用いられる。ドライエッチングによれば、レジスト層１３の３倍以上の深さ（選択比３以上）のガラスマスターを作製することができ、構造体１２の高アスペクト比化を図ることができる。以上により、例えば、深さ２００nm程度から３５０ｎｍ程度の凹形状の六方格子パターン又は準六方格子パターンを有する原盤１０を得ることができる。
　＜３．光学素子の製造方法＞
　本実施の形態に係る光学素子の製造方法は、前述の原盤の外周表面に光硬化樹脂層を密着させ、光硬化樹脂層を硬化させて剥離し、原盤の構造体を光硬化樹脂層に転写する。
　図７は、転写装置の構成の一例を示す概略図である。この転写装置は、円筒形状の原盤１０と、基体供給ロール５１と、巻き取りロール５２と、ガイドロール５３，５４と、ニップロール５５、剥離ロール５６と、塗布装置５７と、光源５８とを備える。
　基体供給ロール５１には、シート状などの基体６１がロール状に巻かれ、ガイドロール５３を介して基体６１を連続的に送出できるように配置されている。巻き取りロール５２は、この転写装置により凹凸形状が転写された樹脂層６２を有する積層体を巻き取りできるように配置されている。ガイドロール５３，５４は、基体６１と樹脂層６２との積層体を搬送できるように、この転写置内の搬送路に配置されている。ニップロール５５は、基体供給ロール５１から送出され、光硬化樹脂組成物が塗布された基体６１を、ロール状の原盤１０とニップできるように配置されている。原盤１０は、樹脂層６２を形成するための転写面を有する。剥離ロール５６は、光硬化樹脂組成物を硬化することにより得られた樹脂層６２を、原盤１０の転写面から剥離可能に配置されている。
　基体供給ロール５１、巻き取りロール５２、ガイドロール５３，５４、ニップロール５５、及び剥離ロール５６の材質は、特に限定されるものではなく、所望とするロール特性に応じてステンレスなどの金属、ゴム、シリコーンなどを適宜選択して用いることができる。塗布装置５７としては、例えば、コーターなどの塗布手段を備える装置を用いることができる。コーターとしては、例えば、塗布する光硬化樹脂組成物の物性などを考慮して、グラビア、ワイヤバー、およびダイなどのコーターを適宜使用することができる。
　このような転写装置を用いることにより、原盤１０の構造体１２が光硬化樹脂に転写された樹脂シートを連続的に複製することができる。
　基体６１は、透明性を有する透明基体であれば、特に限定されるものではなく、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などの透明性合成樹脂、ガラスなどを主成分とするものなどを用いることができる。
　光硬化樹脂組成物は、例えば、単官能モノマー、二官能モノマー、多官能モノマー、開始剤などからなり、具体的には、以下に示す材料を単独または、複数混合したものである。
　単官能モノマーとしては、例えば、カルボン酸類（アクリル酸）、ヒドロキシ類（２－ヒドロキシエチルアクリレート、２－ヒドロキシプロピルアクリレート、４－ヒドロキシブチルアクリレート）、アルキル、脂環類（イソブチルアクリレート、ｔ－ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート）、その他機能性モノマー（２－メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレンクリコールアクリレート、２－エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、エチルカルビトールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド、Ｎ－ビニルピロリドン、２－（パーフルオロオクチル）エチルアクリレート、３－パーフルオロヘキシル－２－ヒドロキシプロピルアクリレート、３－パーフルオロオクチル－２－ヒドロキシプロピルアクリレート、２－（パーフルオロデシル）エチルアクリレート、２－（パーフルオロー３－メチルブチル）エチルアクリレート）、２，４，６－トリブロモフェノールアクリレート、２，４，６－トリブロモフェノールメタクリレート、２－（２，４，６－トリブロモフェノキシ）エチルアクリレート）、２－エチルヘキシルアクリレートなどを挙げることができる。
　二官能モノマーとしては、例えば、トリ（プロピレングリコール）ジアクリレート、トリメチロールプロパンジアリルエーテル、ウレタンアクリレートなどを挙げることができる。
　多官能モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ、ヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレートなどを挙げることができる。
　開始剤としては、例えば、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン、１－ヒドロキシ－シクロヘキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニルプロパン－１－オンなどを挙げることができる。
　また、光硬化樹脂組成物は、必要に応じてフィラー、機能性添加剤、溶剤、無機材料、顔料、帯電防止剤、増感色素などを含んでいてもよい。フィラーとしては、例えば、無機微粒子又は有機微粒子のいずれを用いてもよい。無機微粒子としては、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３などの金属酸化物微粒子を挙げることができる。機能性添加剤としては、例えば、レベリング剤、表面調整剤、吸収剤、消泡剤などを挙げることができる。
　＜４．実施例＞
　以下、本発明の実施例について説明する。本実施例では、内部歪み又は表面うねりの異なる円筒基材を用いて原盤を作製し、反射光強度分布、及びパターン配列について評価した。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
　円筒基材の内部歪みの測定、円筒基材の表面うねりの測定、原盤の反射光強度分布の観察、及び原盤のパターン配列の観察は、次のように行った。
　［円筒基材の内部歪みの測定］
　歪測定器（ＳＶＰ－縦型、旭テクノグラス製）を用いて、円筒基材の内部歪みを測定した。
　［円筒基材の表面うねりの測定］
　表面形状粗さ測定機（フォームタリサーフＰＧＩ １２５０Ａ、テーラーホブソン製）を用いて、円筒基材の表面うねりを測定した。
　［原盤の反射光強度分布の測定］
　原盤を回転させるとともに、レーザ（λ＝６５０ｎｍ）と受光素子（ＰＤフォトダイオード）を搭載する測定ヘッドを原盤の高さ方向に移動させながら、レーザ光の反射強度を測定し、ロギングし、マップ化して原盤の反射光強度分布を示す２次元画像を得た。
　［原盤のパターン配列の観察］
　走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）を用いて、原盤表面の観察を行った。
　［実施例１］
　内部歪みが２０ｎｍ／ｃｍ未満、外周表面の周期１０ｍｍ以下のうねりの振幅が１００ｎｍ以下である石英ガラスの円筒基材を準備した。図８は、実施例１の円筒基材の内部歪みを示す画像である。歪測定器により内部の残留応力によって引き起こされる複屈折量に応じた色画像が得られ、２０ｎｍ／ｃｍ未満の内部歪みを示した。
　この円筒基材の外周表面にタングステンの金属酸化物からなるレジスト層を成膜した。その後、露光装置を用いてレーザ光による熱リソグラフィーによりレジスト層に準六方格子パターンをなす潜像をパターニングした。次に、円筒基材上のレジスト層に現像処理を施して、露光した部分のレジストを溶解させた。これにより、レジスト層が準六方格子パターンに開口しているレジスト原盤が得られた。次に、エッチング装置を用いて、レジスト原盤をＲＩＥエッチングし、ガラスロールの表面に対して垂直方向に向かう凹部を形成した。最後に、アッシングによりレジストパターンを完全に除去した。以上により、目的とするガラスロールマスタ（原盤）を得た。
　図９及び図１０は、それぞれ実施例１の原盤の反射光強度分布を示す２次元画像、及び実施例１の原盤のパターン配列のＳＥＭ画像である。図９に示すように実施例１の原盤の反射光強度分布は均一であり、また、図１０に示すようにパターン乱れも発生しなかった。
　［比較例１］
　内部歪みが約７０ｎｍ／ｃｍの帯状領域を含み、外周表面の周期１０ｍｍ以下のうねりの振幅が１００ｎｍ以下である石英ガラスの円筒基材を準備した。図１１は、比較例１の円筒基材の内部歪みを示す画像である。歪測定器により内部の残留応力によって引き起こされる複屈折量に応じた色画像が得られ、内部歪みが約７０ｎｍ／ｃｍの帯状領域が現れた。この円筒基材を用い、実施例１と同様にしてガラスロールマスタ（原盤）を作製した。
　図１２及び図１３は、それぞれ比較例１の原盤の反射光強度分布を示す２次元画像、及び比較例１の原盤のパターン配列のＳＥＭ画像である。図１２に示すように比較例１の原盤の反射光強度分布は帯状であった。また、透過光検査にて帯状領域内に白濁が観察された。また、図１３に示すように帯状領域内でパターン乱れが発生していた。
　［実施例２］
　内部歪みが２０ｎｍ／ｃｍ未満、外周表面の周期１０ｍｍ以下のうねりの振幅が約５０ｎｍである石英ガラスの円筒基材を準備した。図１４は、実施例２の円筒基材の表面うねりを示すグラフである。実施例２の外周表面における円周方向のうねりの振幅は５０ｎｍ程度と小さかった。この円筒基材を用い、実施例１と同様にしてガラスロールマスタ（原盤）を作製した。
　図１５は、実施例２の原盤の反射光強度分布を示す２次元画像である。図１５に示すように実施例２の原盤の反射光強度分布は均一であった。
　［比較例２］
　内部歪みが２０ｎｍ／ｃｍ未満、外周表面の周期１０ｍｍ以下のうねりの振幅が約１００ｎｍである石英ガラスの円筒基材を準備した。図１６は、比較例２の円筒基材の表面うねりを示すグラフである。比較例２の外周表面における円周方向のうねりは、５ｍｍピッチで振幅は１００ｎｍ程度であった。この円筒基材を用い、実施例１と同様にしてガラスロールマスタ（原盤）を作製した。
　図１７は、比較例２の原盤の反射光強度分布を示す２次元画像である。図１７に示すように比較例２の原盤の反射光強度分布はうねりに沿った縞状の特性分布が発生した。
　［評価結果］
　比較例１に示すように、レジスト材料の熱変化を利用した熱リソグラフィー法を用いて、所望のパターンを露光する際、円筒基材の内部歪みが７０ｎｍ／ｃｍ以上の場合、露光時の熱により石英表面が変動し、露光パターン乱れを引き起こしてしまい、反射光強度に帯状の分布が発生した。また、パターン配列乱れに伴う透過散乱光により、透過光検査にて白濁領域が発生した。
　一方、実施例１に示すように、円筒基材の内部歪みが７０ｎｍ／ｃｍ未満の場合、露光パターン乱れは抑制され、面内均一な反射光強度分布が得られ、回折光起因の白濁領域も発生しなかった。
　また、比較例２に示すように、円筒基材の外周表面における円周方向の周期１０ｍｍ以下のうねりの振幅が１００ｎｍ以上である場合、所望のパターンを描画する際、フォーカスサーボ機構が追従できず、露光パターンのサイズ変動を引き起こし、反射光強度分布はうねりに沿った縞状の特性分布が発生した。
　一方、実施例２に示すように、円筒基材の外周表面における円周方向の周期１０ｍｍ以下のうねりの振幅が１００ｎｍ未満である場合、露光パターンのサイズ変動の抑制が可能となり、反射光強度分布は均一であった。
　１０　原盤、１１　円筒基材、１２　構造体、１３　レジスト層、１４　潜像、２０　レーザ光、２１　レーザ光源、２２　電気光学素子、２３　ミラー、２４　フォトダイオード、２５　変調光学系、２６　集光レンズ、２７　音響光学素子、２８　コリメータレンズ、２９　フォーマッタ、３０　ドライバ、３１　ミラー、３２　移動光学テーブル、３３　ビームエキスパンダ、３４　対物レンズ、３５　スピンドルモータ、３６　ターンテーブル、３７　制御機構、４１　エッチング反応槽、４２　円柱電極、４３　対向電極、４４　ブロッキングコンデンサ、４５　高周波電源、５１　基体供給ロール、５２　巻き取りロール、５３，５４　ガイドロール、５５　ニップロール、５６　剥離ロール、５７　塗布装置、５８　光源、６１　基体、６２　樹脂層
 

Claims (10)

  1. 　円筒形状の石英ガラスからなり、
    　内部歪みが、複屈折量で７０ｎｍ／ｃｍ未満である円筒基材。
  2. 　前記内部歪みが、複屈折量で２０ｎｍ／ｃｍ以下である請求項１記載の円筒基材。
  3. 　外周表面における円周方向の周期１０ｍｍ以下のうねりの振幅が、１００ｎｍ未満である請求項１又は２記載の円筒基材。
  4. 　外周表面における円周方向の周期１０ｍｍ以下のうねりの振幅が、５０ｎｍ以下である請求項１又は２記載の円筒基材。
  5. 　前記請求項１乃至４のいずれか１項に記載の円筒基材と、
    　前記円筒基材の外周表面に複数配列された凹部又は凸部からなる構造体と
    　を備える原盤。
  6. 　前記請求項１乃至４のいずれか１項に記載の円筒基材の外周表面にレジスト層を成膜するレジスト成膜工程と、
    　前記レジスト層に潜像を形成する露光工程と、
    　前記潜像が形成されたレジスト層を現像する現像工程と、
    　前記現像されたレジスト層のパターンをマスクとしてエッチングし、前記円筒基材の外周表面に複数配列された凹部又は凸部からなる構造体を形成するエッチング工程と
    　を有する原盤の製造方法。
  7. 　前記露光工程では、前記レジスト層にレーザ光を照射して潜像を形成する請求項６記載の原盤の製造方法。
  8. 　前記露光工程では、熱リソグラフィーにより潜像を形成する請求項７記載の原盤の製造方法。
  9. 　前記エッチング工程では、ドライエッチングにより構造体を形成する請求項６記載の原盤の製造方法。
  10. 　前記請求項５項に記載の原盤の外周表面に光硬化樹脂層を密着させ、該光硬化樹脂層を硬化させて剥離し、前記原盤の構造体を光硬化樹脂層に転写する光学素子の製造方法。
     
     
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6818479B2 (ja) 2016-09-16 2021-01-20 デクセリアルズ株式会社 原盤の製造方法
EP3759551A4 (en) * 2018-02-26 2021-11-24 Carpe Diem Technologies, Inc. SYSTEM AND METHOD FOR MANUFACTURING A ROLL-LIKE NANOIMPRINT LITHOGRAPH (RNIL) MASTER
TWI822997B (zh) * 2020-05-08 2023-11-21 光群雷射科技股份有限公司 無縫全像圖圖案轉移方法
CN113625526A (zh) * 2020-05-08 2021-11-09 光群雷射科技股份有限公司 无缝全像图图案转移方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002167227A (ja) * 2000-11-30 2002-06-11 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd 光学用合成石英ガラスの熱処理用容器および熱処理方法
JP2009199086A (ja) * 2009-02-23 2009-09-03 Sony Corp 光学素子およびその製造方法、ならびに光学素子作製用複製基板およびその製造方法
JP2011020360A (ja) * 2009-07-16 2011-02-03 Konica Minolta Holdings Inc 微細な凹凸パターンを有するフィルム構造体の形成方法、微細な凹凸パターンを有するフィルム構造体、太陽エネルギー収集用プリズムシート及び立体視ディスプレイ用光学フィルム
JP2013133277A (ja) * 2011-12-23 2013-07-08 J-Plasma Gmbh ロッドレンズの製造方法および製造装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020122902A1 (en) 2000-11-30 2002-09-05 Tetsuji Ueda Blank for an optical member as well as vessel and method of producing the same
EP1496510A4 (en) * 2002-04-15 2007-10-17 Nagase & Co Ltd PUNCH ORIGINAL AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, PUNCHER AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF AND OPTICAL DATA CARRIER
JP2004308822A (ja) * 2003-04-09 2004-11-04 Ntn Corp 円筒ころ軸受
JP2005064143A (ja) * 2003-08-08 2005-03-10 Seiko Epson Corp レジストパターンの形成方法、配線パターンの形成方法、半導体装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器
WO2009148138A1 (ja) * 2008-06-05 2009-12-10 旭硝子株式会社 ナノインプリント用モールド、その製造方法および表面に微細凹凸構造を有する樹脂成形体ならびにワイヤグリッド型偏光子の製造方法
JP4596072B2 (ja) 2008-12-26 2010-12-08 ソニー株式会社 微細加工体の製造方法、およびエッチング装置
JP5664471B2 (ja) * 2010-06-28 2015-02-04 信越化学工業株式会社 半導体用合成石英ガラス基板の製造方法
WO2013077266A1 (ja) * 2011-11-22 2013-05-30 旭化成株式会社 熱反応型レジスト材料、モールドの製造方法、モールド、現像方法およびパターン形成材料

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002167227A (ja) * 2000-11-30 2002-06-11 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd 光学用合成石英ガラスの熱処理用容器および熱処理方法
JP2009199086A (ja) * 2009-02-23 2009-09-03 Sony Corp 光学素子およびその製造方法、ならびに光学素子作製用複製基板およびその製造方法
JP2011020360A (ja) * 2009-07-16 2011-02-03 Konica Minolta Holdings Inc 微細な凹凸パターンを有するフィルム構造体の形成方法、微細な凹凸パターンを有するフィルム構造体、太陽エネルギー収集用プリズムシート及び立体視ディスプレイ用光学フィルム
JP2013133277A (ja) * 2011-12-23 2013-07-08 J-Plasma Gmbh ロッドレンズの製造方法および製造装置

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