JP2005510755A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005510755A5 JP2005510755A5 JP2003548011A JP2003548011A JP2005510755A5 JP 2005510755 A5 JP2005510755 A5 JP 2005510755A5 JP 2003548011 A JP2003548011 A JP 2003548011A JP 2003548011 A JP2003548011 A JP 2003548011A JP 2005510755 A5 JP2005510755 A5 JP 2005510755A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grating
- forming
- segments
- segment
- phase mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 50
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 38
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 claims 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 4
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 claims 4
- 230000002452 interceptive Effects 0.000 claims 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 2
- 230000000750 progressive Effects 0.000 claims 1
Claims (48)
- 互いにステッチされる複数の漸進的にチャープされるグレーティングセグメントを有するチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクをリソグラフィ手段で形成するための方法であって、
フォトレジストをコーティングされた平坦な表面を有する基板を配設するステップと、
前記基板上に固定された基準点を確立するステップと、
前記複数のグレーティングセグメントのセグメント毎に補正ファクタを計算するステップと、
前記固定された基準点に対して、かつ前記補正ファクタにしたがって前記基板を前記複数のグレーティングセグメントのアレイに分割するステップであって、それにより各グレーティングセグメントが隣接するセグメントにステッチされる分割するステップと、
前記アレイにしたがって前記リソグラフィ手段の画像書込み手段に前記フォトレジストを暴露するステップと、
前記フォトレジストを現像するステップと、
前記基板をエッチングするステップであって、それにより複数の漸進的にチャープされる表面レリーフグレーティングセグメントを有する位相マスクを形成するエッチングするステップとを含むチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクをリソグラフィ手段で形成するための方法。 - 前記アレイにしたがって前記リソグラフィ手段の前記画像書込み手段に前記フォトレジストを暴露するステップは、前記フォトレジストの現像前にマルチパスアベレージングを実行するために繰り返される請求項1に記載のチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクをリソグラフィ手段で形成するための方法。
- 前記複数のグレーティングセグメントからなる前記アレイは共通のグレーティングパターンから導出されるグレーティングセグメントから構成される請求項1に記載のチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクをリソグラフィ手段で形成するための方法。
- 前記複数のグレーティングセグメントのセグメント毎に補正ファクタを計算するためのステップはさらに、
前記グレーティングセグメントの前記漸進的なチャープに対応する1組のスケールファクタを確立するステップと、
前記複数の漸進的にチャープされるグレーティングセグメントの外側にある仮想的なセグメントのための基準スケールファクタを計算するステップと、
前記仮想的なセグメントを基準として用いてセグメント毎に補正ファクタを計算するステップと、
を含む請求項1に記載のチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクをリソグラフィ手段で形成するための方法。 - グレーティングパターン、スケールファクタおよび軸上の位置によってそれぞれ規定される複数のセグメントを有するチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクをリソグラフィ手段で形成するための方法であって、
フォトレジストをコーティングされた平坦な表面を有する基板を配設するステップと、
前記スケールファクタ毎に補正ファクタを計算するステップと、
前記補正ファクタに対応する前記軸上の位置から各セグメントの軸シフトを計算するステップと、
前記グレーティングパターンに前記補正ファクタを順次に適用するステップであって、それにより前記基板を前記複数のセグメントに分割する適用するステップと、
前記軸シフトに対応する前記基板上の位置において前記複数のセグメントの各セグメントにしたがって前記リソグラフィ手段の画像書込み手段に前記フォトレジストを順次に暴露するステップと、
前記フォトレジストを現像するステップと、
前記基板をエッチングするステップとを含むチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクをリソグラフィ手段で形成するための方法。 - 前記軸シフトに対応する前記基板上の位置において前記複数のセグメントの各セグメントにしたがって前記リソグラフィ手段の前記画像書込み手段に前記フォトレジストを順次に暴露するステップは、前記フォトレジストの現像前にマルチパスアベレージングを実行するために繰り返される請求項5に記載のチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクをリソグラフィ手段で形成するための方法。
- 前記スケールファクタ毎に補正ファクタを計算する前記ステップはさらに、
前記複数のセグメントの外側にある仮想的なセグメントの場合の基準スケールファクタを計算するステップと、
前記仮想的なセグメントに対する前記スケールファクタから前記補正ファクタを計算するステップとを含む請求項5に記載のチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクをリソグラフィ手段で形成するための方法。 - 互いにステッチされる複数の漸進的にチャープされるグレーティングセグメントを有するチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクをリソグラフィ手段で形成するための方法であって、
フォトレジストをコーティングされた平坦な表面を有する基板を配設するステップと、
前記基板上に固定された基準点を確立するステップと、
前記グレーティングセグメントの前記漸進的チャープに対応する1組のスケールファクタを確立するステップと、
前記複数の漸進的にチャープされるグレーティングセグメントの外側にある仮想的なセグメントのための基準スケールファクタを計算するステップと、
前記仮想的なセグメントを基準として用いてセグメント毎に補正ファクタを計算するステップと、
前記固定された基準点に対して、かつ前記補正ファクタにしたがって前記基板を前記複数のグレーティングセグメントのアレイに分割するステップであって、それにより各グレーティングセグメントが隣接するセグメントにステッチされる分割するステップと、
前記アレイにしたがって前記リソグラフィ手段の画像書込み手段に前記フォトレジストを暴露するステップと、
前記フォトレジストを現像するステップと、
前記基板をエッチングするステップであって、それにより複数の漸進的にチャープされる表面レリーフグレーティングセグメントを有する位相マスクを形成するエッチングするステップとを含むチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクをリソグラフィ手段で形成するための方法。 - 前記アレイにしたがって前記リソグラフィ手段の前記画像書込み手段に前記フォトレジストを暴露するステップは、前記フォトレジストの現像前にマルチパスアベレージングを実行するために繰り返される請求項8に記載のチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクをリソグラフィ手段で形成するための方法。
- 前記複数のグレーティングセグメントからなる前記アレイは共通のグレーティングパターンから導出されるグレーティングセグメントから構成される請求項8に記載のチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクをリソグラフィ手段で形成するための方法。
- グレーティングパターン、スケールファクタおよび軸上の位置によってそれぞれ規定される複数のセグメントを有するチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクをリソグラフィ手段で形成するための方法であって、
フォトレジストをコーティングされた平坦な表面を有する基板を配設するステップと、
前記複数のセグメントの外側にある仮想的なセグメントのための基準スケールファクタを計算するステップと、
前記仮想的なセグメントに対する前記スケールファクタから補正ファクタを計算するステップと、
前記補正ファクタに対応する前記軸上の位置から各セグメントの軸シフトを計算するステップと、
前記グレーティングパターンに前記補正ファクタを順次に適用するステップであって、それにより前記基板を前記複数のセグメントに分割する適用するステップと、
前記軸シフトに対応する前記基板上の位置において前記複数のセグメントの各セグメントにしたがって前記リソグラフィ手段の画像書込み手段に前記フォトレジストを順次に暴露するステップと、
前記フォトレジストを現像するステップと、
前記基板をエッチングするステップとを含むチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクをリソグラフィ手段で形成するための方法。 - 前記軸シフトに対応する前記基板上の位置において前記複数のセグメントの各セグメントにしたがって前記リソグラフィ手段の前記画像書込み手段に前記フォトレジストを順次に暴露するステップは、前記フォトレジストの現像前にマルチパスアベレージングを実行するために繰り返される請求項11に記載のチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクをリソグラフィ手段で形成するための方法。
- 前記複数のグレーティングセグメントのセグメント毎に補正ファクタを計算するためのステップはさらに、
前記グレーティングセグメントの前記漸進的なチャープに対応する1組のスケールファクタを確立するステップと、
前記複数の漸進的にチャープされたグレーティングセグメントから固定された基準セグメントを選択するステップと、
基準スケールファクタを用いてセグメント毎に補正ファクタを計算するステップとを含み、前記基準スケールファクタは前記固定された基準セグメントに対応する前記スケールファクタである請求項1に記載のチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクをリソグラフィ手段で形成するための方法。 - 前記補正ファクタを計算する前記ステップは、前記スケールファクタのうちの対応する1つと前記基準スケールファクタとの間のパーセンテージ差を計算するステップを含む請求項13に記載のチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクをリソグラフィ手段で形成するための方法。
- 前記基板は概ね透明な材料を含む請求項1に記載のチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクをリソグラフィ手段で形成するための方法。
- 前記概ね透明な材料はアモルファス石英である請求項15に記載のチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクをリソグラフィ手段で形成するための方法。
- 前記基板はさらに前記概ね透明な材料上にクロムおよびクロム酸化物層を含む請求項15に記載のチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクをリソグラフィ手段で形成するための方法。
- 前記スケールファクタ毎に補正ファクタを計算する前記ステップはさらに、
前記複数のセグメントから固定された基準セグメントを選択するステップと、
基準スケールファクタに対する前記スケールファクタから前記補正ファクタを計算するステップとを含み、前記基準スケールファクタは前記固定された基準セグメントに対応する前記スケールファクタである請求項5に記載のチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクをリソグラフィ手段で形成するための方法。 - 前記スケールファクタから前記補正ファクタを計算する前記ステップは、前記スケールファクタのうちの対応する1つと前記基準スケールファクタとの間のパーセンテージ差を計算するステップを含む請求項18に記載のチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクをリソグラフィ手段で形成するための方法。
- 前記基板は概ね透明な材料を含む請求項5に記載のチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクをリソグラフィ手段で形成するための方法。
- 前記概ね透明な材料はアモルファス石英である請求項20に記載のチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクをリソグラフィ手段で形成するための方法。
- 前記基板はさらに概ね透明な材料上にクロムおよびクロム酸化物層を含む請求項20に記載のチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクをリソグラフィ手段で形成するための方法。
- チャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクを形成するための方法であって、
フォトレジストをコーティングされた平坦な表面を有する基板を配設するステップと、
前記基板上に固定された基準点を確立するステップと、
前記チャープファイバブラッググレーティング上に形成されることになる複数の漸進的にチャープされるグレーティングセグメントのセグメント毎のアルファ補正ファクタを計算するステップと、
前記固定された基準点に対して、かつ前記アルファ補正ファクタにしたがって前記基板を前記複数のグレーティングセグメントのアレイに分割するステップであって、それにより前記アレイの各グレーティングセグメントが隣接するセグメントにステッチされる分割するステップと、
前記フォトレジストおよび前記基板を処理するステップであって、それにより複数の漸進的にチャープされた表面レリーフグレーティングセグメントを有する位相マスクを形成する処理するステップとを含み、
前記アルファ補正ファクタはスケールファクタおよび基準スケールファクタから導出され、リソグラフィ手段の画像書込み手段は、前記スケールファクタではなく、前記アルファ補正ファクタを用いて、前記複数のグレーティングセグメントの各セグメントをスケーリングするチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクを形成するための方法。 - 前記処理するステップは、
前記アレイにしたがって前記リソグラフィ手段の画像書込み手段に前記フォトレジストを暴露するステップと、
前記フォトレジストを現像するステップと、
前記基板をエッチングするステップとを含む請求項23に記載のチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクを形成するための方法。 - 前記アレイにしたがって前記リソグラフィ手段の前記画像書込み手段に前記フォトレジストを暴露する前記ステップは、前記フォトレジストの現像前にマルチパスアベレージングを実行するために繰り返される請求項24に記載のチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクを形成するための方法。
- 前記複数のグレーティングセグメントからなる前記アレイは共通のグレーティングパターンから導出されるグレーティングセグメントから構成される請求項23に記載のチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクを形成するための方法。
- 前記複数のグレーティングセグメントのセグメント毎にアルファ補正ファクタを計算する前記ステップはさらに、
前記グレーティングセグメントの前記漸進的なチャープに対応する1組の前記スケールファクタを確立するステップと、
前記複数の漸進的にチャープされたグレーティングセグメントから固定された基準セグメントを選択するステップと、
前記基準スケールファクタを用いてセグメント毎に前記アルファ補正ファクタを計算するステップとを含み、前記基準スケールファクタは前記固定された基準セグメントに対応する前記スケールファクタである請求項23に記載のチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクを形成するための方法。 - セグメント毎に前記アルファ補正ファクタを計算するステップは、前記スケールファクタの対応する1つと前記基準スケールファクタとの間のパーセンテージ差を計算するステップを含む請求項27に記載のチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクを形成するための方法。
- 前記基板は概ね透明な材料を含む請求項23に記載のチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクを形成するための方法。
- 前記概ね透明な材料はアモルファス石英である請求項29に記載のチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクを形成するための方法。
- 前記基板はさらに概ね透明な材料上にクロムおよびクロム酸化物層を含む請求項29に記載のチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクを形成するための方法。
- グレーティングパターン、スケールファクタおよび軸上の位置によってそれぞれ規定される複数のセグメントを有するチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクを形成するための方法であって、
フォトレジストをコーティングされた平坦な表面を有する基板を配設するステップと、
前記スケールファクタ毎にアルファ補正ファクタを計算するステップと、
前記アルファ補正ファクタに対応する前記軸上の位置から各セグメントの軸シフトを計算するステップと、
前記グレーティングパターンに前記アルファ補正ファクタを順次に適用するステップであって、それにより前記基板を前記複数のセグメントに分割する適用するステップと、
前記フォトレジストおよび前記基板を処理するステップであって、それにより複数の漸進的にチャープされた表面レリーフグレーティングセグメントを有する位相マスクを形成する処理するステップとを含み、
前記アルファ補正ファクタはスケールファクタおよび基準スケールファクタから導出され、リソグラフィ手段の画像書込み手段は、前記スケールファクタではなく、前記アルファ補正ファクタを用いて、前記複数のグレーティングセグメントの各セグメントをスケーリングするチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクを形成するための方法。 - 前記処理するステップは、
前記軸シフトに対応する前記基板上の位置において前記複数のセグメントの各セグメントにしたがって前記リソグラフィ手段の画像書込み手段に前記フォトレジストを順次に暴露するステップと、
前記フォトレジストを現像するステップと、
前記基板をエッチングするステップとを含む請求項32に記載のチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクを形成するための方法。 - 前記軸シフトに対応する前記基板上の位置において前記複数のセグメントの各セグメントにしたがって前記リソグラフィ手段の前記画像書込み手段に前記フォトレジストを順次に暴露する前記ステップは、前記フォトレジストの現像前にマルチパスアベレージングを実行するために繰り返される請求項33に記載のチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクを形成するための方法。
- 前記スケールファクタ毎にアルファ補正ファクタを計算する前記ステップはさらに、
前記複数のセグメントから固定された基準セグメントを選択するステップと、
前記基準スケールファクタに対する前記スケールファクタから前記アルファ補正ファクタを計算するステップとを含み、該基準スケールファクタは前記固定された基準セグメントに対応する前記スケールファクタである請求項32に記載のチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクを形成するための方法。 - 前記スケールファクタから前記アルファ補正ファクタを計算する前記ステップは、前記スケールファクタのうちの対応する1つと前記基準スケールファクタとの間のパーセンテージ差を計算するステップを含む請求項35に記載のチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクを形成するための方法。
- 前記基板は概ね透明な材料を含む請求項32に記載のチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクを形成するための方法。
- 前記概ね透明な材料はアモルファス石英である請求項37に記載のチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクを形成するための方法。
- 前記基板はさらに概ね透明な材料上にクロムおよびクロム酸化物層を含む請求項37に記載のチャープファイバブラッググレーティングのための位相マスクを形成するための方法。
- チャープファイバブラッググレーティングを形成するための方法であって、
光源と光ファイバとの間に位相マスクを配置するステップと、
前記位相マスクによって、前記光源からの入射光ビームの回折に起因して複数の干渉する光ビームを生成するステップと、
前記光ファイバのコア上に、前記複数の干渉する光ビームにしたがってグレーティングパターンを印刷するステップとを含み、前記位相マスクは互いにステッチされる複数の漸進的にチャープされるグレーティングセグメントを含み、リソグラフィ手段で平坦な表面を有する基板を処理することにより形成され、前記基板を処理するステップは、
前記基板の前記平坦な表面にフォトレジストをコーティングするステップと、
前記基板上に固定された基準点を確立するステップと、
前記複数のグレーティングセグメントのセグメント毎にアルファ補正ファクタを計算するステップと、
前記固定された基準点に対して、かつ前記アルファ補正ファクタにしたがって前記基板を前記複数のグレーティングセグメントのアレイに分割するステップであって、それにより各グレーティングセグメントが隣接するセグメントにステッチされる分割するステップと、
前記アレイにしたがって前記リソグラフィ手段の画像書込み手段に前記フォトレジストを暴露するステップと、
前記フォトレジストを現像するステップと、
前記基板をエッチングするステップとを含み、前記アルファ補正ファクタはスケールファクタおよび基準スケールファクタから導出され、リソグラフィ手段の画像書込み手段は、前記スケールファクタではなく、前記アルファ補正ファクタを用いて、前記複数のグレーティングセグメントの各セグメントをスケーリングするチャープファイバブラッググレーティングを形成するための方法。 - 前記アレイにしたがって前記リソグラフィ手段の前記画像書込み手段に前記フォトレジストを暴露する前記ステップは、前記フォトレジストの現像前にマルチパスアベレージングを実行するために繰り返される請求項40に記載のチャープファイバブラッググレーティングを形成するための方法。
- 前記複数のグレーティングセグメントの前記アレイは、共通のグレーティングパターンから導出されるグレーティングセグメントから構成される請求項40に記載のチャープファイバブラッググレーティングを形成するための方法。
- 前記複数のグレーティングセグメントのセグメント毎にアルファ補正ファクタを計算する前記ステップはさらに、
前記グレーティングセグメントの前記漸進的なチャープに対応する1組の前記スケールファクタを確立するステップと、
前記複数の漸進的にチャープされたグレーティングセグメントから固定された基準セグメントを選択するステップと、
前記基準スケールファクタを用いてセグメント毎に前記アルファ補正ファクタを計算するステップとを含み、前記基準スケールファクタは前記固定された基準セグメントに対応する前記スケールファクタである請求項40に記載のチャープファイバブラッググレーティングを形成するための方法。 - セグメント毎に前記アルファ補正ファクタを計算する前記ステップは、前記スケールファクタのうちの対応する1つと前記基準スケールファクタとの間のパーセンテージ差を計算するステップを含む請求項43に記載のチャープファイバブラッググレーティングを形成するための方法。
- チャープファイバブラッググレーティングを形成するための方法であって、
光源と光ファイバとの間に位相マスクを配置するステップと、
前記位相マスクによって、前記光源からの入射光ビームの回折に起因して複数の干渉する光ビームを生成するステップと、
前記光ファイバのコア上に、前記複数の干渉する光ビームにしたがってグレーティングパターンを印刷するステップとを含み、前記位相マスクはグレーティングパターン、スケールファクタ、および軸上の位置によってそれぞれ規定される複数のセグメントを含み、リソグラフィ手段で平坦な表面を有する基板を処理することにより形成され、前記基板を処理する前記ステップは、
前記位相マスクの前記平坦な表面にフォトレジストをコーティングするステップと、
前記スケールファクタ毎のアルファ補正ファクタを計算するステップと、
前記アルファ補正ファクタに対応する前記軸上の位置から各セグメントの軸シフトを計算するステップと、
前記グレーティングパターンに前記アルファ補正ファクタを順次に適用するステップであって、それにより前記基板を前記複数のセグメントに分割する適用するステップと、
前記軸シフトに対応する前記基板上の位置において前記複数のセグメントの各セグメントにしたがって前記リソグラフィ手段の画像書込み手段に前記フォトレジストを順次に暴露するステップと、
前記フォトレジストを現像するステップと、
前記基板をエッチングするステップとを含み、前記アルファ補正ファクタは前記スケールファクタおよび基準スケールファクタから導出され、前記リソグラフィ手段の画像書込み手段は、前記スケールファクタではなく、前記アルファ補正ファクタを用いて、前記複数のセグメントの各セグメントをスケーリングするチャープファイバブラッググレーティングを形成するための方法。 - 前記軸シフトに対応する前記基板上の位置において前記複数のセグメントの各セグメントにしたがって前記リソグラフィ手段の前記画像書込み手段に前記フォトレジストを順次に暴露する前記ステップは、前記フォトレジストの現像前にマルチパスアベレージングを実行するために繰り返される請求項45に記載のチャープファイバブラッググレーティングを形成するための方法。
- 前記スケールファクタ毎にアルファ補正ファクタを計算する前記ステップはさらに、
前記複数のセグメントから固定された基準セグメントを選択するステップと、
前記基準スケールファクタに対する前記スケールファクタから前記アルファ補正ファクタを計算するステップとを含み、該基準スケールファクタは前記固定された基準セグメントに対応する前記スケールファクタである請求項45に記載のチャープファイバブラッググレーティングを形成するための方法。 - 前記スケールファクタから前記アルファ補正ファクタを計算する前記ステップは、前記スケールファクタのうちの対応する1つと前記基準スケールファクタとの間のパーセンテージ差を計算するステップを含む請求項47に記載のチャープファイバブラッググレーティングを形成するための方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/940,947 US6567588B2 (en) | 2001-08-28 | 2001-08-28 | Method for fabricating chirped fiber bragg gratings |
PCT/US2002/026951 WO2003046628A1 (en) | 2001-08-28 | 2002-08-22 | Method for fabricating chirped fiber bragg gratings |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005510755A JP2005510755A (ja) | 2005-04-21 |
JP2005510755A5 true JP2005510755A5 (ja) | 2005-11-17 |
Family
ID=25475697
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003548011A Pending JP2005510755A (ja) | 2001-08-28 | 2002-08-22 | チャープファイバブラッググレーティングを形成するための方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6567588B2 (ja) |
EP (1) | EP1430343A4 (ja) |
JP (1) | JP2005510755A (ja) |
AU (1) | AU2002332649A1 (ja) |
CA (1) | CA2458886C (ja) |
WO (1) | WO2003046628A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001242313A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 光ファイバー加工用位相マスクの製造方法及びその光ファイバー加工用位相マスクを使用して作製されたブラッグ回折格子付き光ファイバー |
JP3829325B2 (ja) * | 2002-02-07 | 2006-10-04 | 日本電気株式会社 | 半導体素子およびその製造方法並びに半導体装置の製造方法 |
US20050042523A1 (en) * | 2003-08-20 | 2005-02-24 | Banqiu Wu | Endpoint detection of plasma-assisted etch process |
US7909396B2 (en) * | 2004-01-08 | 2011-03-22 | Audiovox Corporation | Automobile entertainment system |
US7435533B2 (en) * | 2004-06-14 | 2008-10-14 | Photronics, Inc. | Method of forming a semiconductor layer using a photomask reticle having multiple versions of the same mask pattern with different biases |
US7396617B2 (en) * | 2004-06-14 | 2008-07-08 | Photronics, Inc. | Photomask reticle having multiple versions of the same mask pattern with different biases |
US20060104596A1 (en) * | 2004-07-02 | 2006-05-18 | Charles Askins | Deformable mirror apparatus |
US9005848B2 (en) * | 2008-06-17 | 2015-04-14 | Photronics, Inc. | Photomask having a reduced field size and method of using the same |
US9005849B2 (en) * | 2009-06-17 | 2015-04-14 | Photronics, Inc. | Photomask having a reduced field size and method of using the same |
US9435944B2 (en) * | 2011-10-11 | 2016-09-06 | Baker Hughes Incorporated | Phase mask period control |
RU2707663C1 (ru) * | 2019-01-18 | 2019-11-28 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт Ядерной Физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения (ИЯФ СО РАН) | Способ изготовления брэгговской структуры с гофрировкой поверхности |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5499134A (en) | 1994-08-24 | 1996-03-12 | Imra America | Optical pulse amplification using chirped Bragg gratings |
US5718738A (en) | 1996-11-04 | 1998-02-17 | Lucent Technologies Inc. | Method for making continuously chirped fiber bragg gratings |
JP3526215B2 (ja) * | 1997-07-03 | 2004-05-10 | 大日本印刷株式会社 | 光ファイバー加工用位相マスク及びその製造方法 |
EP0974853B1 (en) | 1998-01-20 | 2006-09-13 | Hiroyuki Hoshino | Method for producing chirped in-fibre bragg grating |
JP2001242313A (ja) | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 光ファイバー加工用位相マスクの製造方法及びその光ファイバー加工用位相マスクを使用して作製されたブラッグ回折格子付き光ファイバー |
US6833954B2 (en) * | 2000-09-20 | 2004-12-21 | Teraxion Inc. | Lithographic method for manufacturing a mask used in the fabrication of a fiber Bragg grating |
US6778733B2 (en) * | 2001-01-05 | 2004-08-17 | Teraxion Inc. | Lithographic fabrication of phase mask for fiber Bragg gratings |
-
2001
- 2001-08-28 US US09/940,947 patent/US6567588B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-08-22 CA CA2458886A patent/CA2458886C/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-08-22 AU AU2002332649A patent/AU2002332649A1/en not_active Abandoned
- 2002-08-22 JP JP2003548011A patent/JP2005510755A/ja active Pending
- 2002-08-22 EP EP02803958A patent/EP1430343A4/en not_active Withdrawn
- 2002-08-22 WO PCT/US2002/026951 patent/WO2003046628A1/en active Application Filing
-
2003
- 2003-02-19 US US10/369,262 patent/US6868209B2/en not_active Expired - Lifetime
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8904316B2 (en) | Method and apparatus for printing high-resolution two-dimensional periodic patterns | |
CN1811599B (zh) | 在基材上制造图案的方法及系统 | |
KR940015539A (ko) | 전자빔 석판 인쇄술을 이용하는 회절격자 제조방법 | |
TW200527147A (en) | Composite optical lithography method for patterning lines of unequal width | |
US8617775B2 (en) | Optimized mask design for fabricating periodic and quasi-periodic patterns | |
EP1671187A2 (en) | Composite optical lithography method for patterning lines of significantly different widths | |
JP2010507906A (ja) | パターン化された材料層を形成する方法 | |
JP2005510755A5 (ja) | ||
JP5391670B2 (ja) | 微細構造体の製造方法 | |
CA2458886A1 (en) | Method for fabricating chirped fiber bragg gratings | |
JP4760198B2 (ja) | 露光用マスク、露光用マスクの設計方法および露光用マスクの設計プログラム | |
JPH07506224A (ja) | 投影照明用の解像力強化光学位相構造体 | |
CN109016794B (zh) | 一种大面积无缝微缩制版工艺及全息母版 | |
US6686100B2 (en) | Optical proximity correction method | |
US9977324B2 (en) | Phase shift mask and method of forming patterns using the same | |
JP4357803B2 (ja) | 回折格子形成用の位相マスクとその製造方法、および回折格子の形成用方法 | |
Radtke et al. | Advances in lithography on non-planar surfaces | |
KR100966980B1 (ko) | 반도체 소자의 cd보상 방법 | |
KR20090028525A (ko) | 후면 함침 리소그래피 방법 및 장치 | |
Stumpf et al. | Extending standard mask lithography exposure technique to spherical surfaces | |
TW384417B (en) | Manufacturing method for phase shift masks | |
Weichelt et al. | Advanced photomask fabrication by e-beam lithography for mask aligner applications | |
JP2004317678A (ja) | 柱面レンズの製造方法、グレースケールマスク、インテグレータの製造方法、インテグレータ、照明光学系、及び投影露光装置 |