JPH10324968A - スパッタターゲットおよびその製造法 - Google Patents
スパッタターゲットおよびその製造法Info
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- JPH10324968A JPH10324968A JP10100966A JP10096698A JPH10324968A JP H10324968 A JPH10324968 A JP H10324968A JP 10100966 A JP10100966 A JP 10100966A JP 10096698 A JP10096698 A JP 10096698A JP H10324968 A JPH10324968 A JP H10324968A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
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- C04B35/547—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on sulfides or selenides or tellurides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 理論的密度の少なくとも９０％の密度を有す
るターゲットプレートの粉末冶金的製造法。 【解決手段】 ＺｎＳとＳｉＯ2とを湿式混合し、乾燥
させ、熱プレスし、かつ緩徐に冷却してターゲットプレ
ートを製造する。 【効果】 亀裂がなく、理論的密度の９０％の密度を有
し、９９％の純度のＺｎＳを含有するスパッタターゲッ
トが得られる。
るターゲットプレートの粉末冶金的製造法。 【解決手段】 ＺｎＳとＳｉＯ2とを湿式混合し、乾燥
させ、熱プレスし、かつ緩徐に冷却してターゲットプレ
ートを製造する。 【効果】 亀裂がなく、理論的密度の９０％の密度を有
し、９９％の純度のＺｎＳを含有するスパッタターゲッ
トが得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、更に他の添加剤、
例えばＳｉＯ2を含有していてもよい、陰極スパッタ装
置の際の使用のための硫化亜鉛（ＺｎＳ）を基礎とする
スパッタターゲットを製造するための方法並びにスパッ
タターゲット自体に関する。
例えばＳｉＯ2を含有していてもよい、陰極スパッタ装
置の際の使用のための硫化亜鉛（ＺｎＳ）を基礎とする
スパッタターゲットを製造するための方法並びにスパッ
タターゲット自体に関する。
【０００２】
【従来の技術】硫化亜鉛ターゲットは、通常、陰極スパ
ッタにより誘電性の層を付着させるために使用されてい
る。前記の層は、例えば、相変化原理により動作する再
書き込み可能な光学的記憶ディスクの場合に使用されて
いる（Ｅ．Ｏｈｎｏ他、米国特許第５２８９４５３号明
細書およびＨ．Ｉｗａｓａｋｉ他、Ｊａｐ．Ｊ．Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．第３１巻（１９９２年）、第１部、Ｎ
ｏ．２Ｂ、第４６１〜４６５頁）。前記技術において
は、前記の使用に、ＳｉＯ2約２０モル％を含有する層
が普及している。
ッタにより誘電性の層を付着させるために使用されてい
る。前記の層は、例えば、相変化原理により動作する再
書き込み可能な光学的記憶ディスクの場合に使用されて
いる（Ｅ．Ｏｈｎｏ他、米国特許第５２８９４５３号明
細書およびＨ．Ｉｗａｓａｋｉ他、Ｊａｐ．Ｊ．Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．第３１巻（１９９２年）、第１部、Ｎ
ｏ．２Ｂ、第４６１〜４６５頁）。前記技術において
は、前記の使用に、ＳｉＯ2約２０モル％を含有する層
が普及している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、理論
的密度の少なくとも９０％の密度（即ち、ＺｎＳ／Ｓｉ
Ｏ2８０／２０モル％につき、少なくとも３．３ｇ／ｃ
ｍ3、純粋なＺｎＳにつき少なくとも３．７ｇ／ｃｍ3）
を有するターゲットプレートを粉末冶金の方法で製造す
ることである。純度は、少なくとも９９．９％でなけれ
ばならない。
的密度の少なくとも９０％の密度（即ち、ＺｎＳ／Ｓｉ
Ｏ2８０／２０モル％につき、少なくとも３．３ｇ／ｃ
ｍ3、純粋なＺｎＳにつき少なくとも３．７ｇ／ｃｍ3）
を有するターゲットプレートを粉末冶金の方法で製造す
ることである。純度は、少なくとも９９．９％でなけれ
ばならない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記課題は、本発明によ
れば、ターゲットが理論的密度の少なくとも９０％の密
度を有し、かつ閃亜鉛鉱変性剤中に主としてＺｎＳ構造
を含有していることによって解決される。
れば、ターゲットが理論的密度の少なくとも９０％の密
度を有し、かつ閃亜鉛鉱変性剤中に主としてＺｎＳ構造
を含有していることによって解決される。
【０００５】有利に、銅Ｋα−線で測定されたＸ線回折
分析計の記録は、２θ＝２６．９゜の場合のウルツ鉱変
性剤のピーク（１００）の強度Ｉ（１００−Ｗ）並びに
２θ＝２８．６゜の場合のピークの強度Ｉ（０２２−Ｗ
／１１１−Ｓ）（ウルツ鉱変性剤のピーク（００２）並
びに閃亜鉛鉱変性剤のピーク（１１１）の総和）を示し
ている。
分析計の記録は、２θ＝２６．９゜の場合のウルツ鉱変
性剤のピーク（１００）の強度Ｉ（１００−Ｗ）並びに
２θ＝２８．６゜の場合のピークの強度Ｉ（０２２−Ｗ
／１１１−Ｓ）（ウルツ鉱変性剤のピーク（００２）並
びに閃亜鉛鉱変性剤のピーク（１１１）の総和）を示し
ている。
【０００６】好ましくは、ＺｎＳに、ＳｉＯ2１０〜３
０モル％並びに場合によっては更に他の添加剤が混合さ
れ、この場合、ＳｉＯ2は、角形体の形で存在してい
る。
０モル％並びに場合によっては更に他の添加剤が混合さ
れ、この場合、ＳｉＯ2は、角形体の形で存在してい
る。
【０００７】本発明によれば、スパッタターゲットの製
造法で使用されたＺｎＳ粉末は、主として閃亜鉛鉱変性
剤を含有している。有利に、前記粉末は、ウルツ鉱高温
変性剤の発生を十分に阻止する温度で圧縮される。
造法で使用されたＺｎＳ粉末は、主として閃亜鉛鉱変性
剤を含有している。有利に、前記粉末は、ウルツ鉱高温
変性剤の発生を十分に阻止する温度で圧縮される。
【０００８】有利に、前記粉末は、１２００℃を下回る
温度で熱プレスにより圧縮され、この場合、冷却は、初
期には毎分４℃よりも迅速には行われない。
温度で熱プレスにより圧縮され、この場合、冷却は、初
期には毎分４℃よりも迅速には行われない。
【０００９】可能な処理条件についての試験の際に、ま
ず、直径７５〜１００ｍｍの小さなターゲットディスク
で極めて迅速に結果を調節した。まず、説明できないよ
うな理由からではあるが、別の粉末が、原則的に亀裂の
入った物体になったのに対して、特定のＺｎＳ粉末が適
していた。成果に富む試験を、熱プレス並びに熱間等静
圧プレスについて実施した。しかしながらこの後、生成
物の大きさ（例えば直径２００ｍｍを有するディスク）
の場合のスパッタ陰極用のターゲット寸法での処理の大
規模化の際に、常にまず、大きな亀裂並びに更に多数の
微小な亀裂を有する物体が生じた。次に、これに基づい
て実施された詳細に記載された出発粉末並びにプレス部
材の試験により、ウルツ鉱構造体中のＺｎＳ出発粉末が
使用されたか（図１）もしくはターゲット構造体のＺｎ
Ｓ相がプレス後に、主としてウルツ鉱変性剤中に存在し
ていた場合に、ターゲットが常に破断していたことが判
明した。これとは異なり、閃亜鉛鉱変性剤のＺｎＳ粉末
を使用し（図２）、かつプレス温度を、ウルツ鉱変性剤
への変化が本質的に阻止されたような程度に選択した場
合に、前記ターゲットは、巨視的および顕微鏡的に亀裂
がなかった。比較のために、ＣｕＫα−線についての理
論的なＸ線回折線図を図６ａ、ｂ中に再録してある。文
献（Roempps Chemie-Lexikon、第８版、第４７１４頁）
中には、閃亜鉛鉱−ウルツ鉱変換について１０２０℃が
記載されているのに対して、プレス時間が十分に短く、
かつ冷却が初期には十分に緩徐に選択されている場合に
のみ、１１８０℃の温度までのプレスにより、閃亜鉛鉱
変性剤が主要であった構造を有する亀裂のないターゲッ
トが生じることが若干の試験によって判明した。適当な
処理温度は、実施例中に見出される。
ず、直径７５〜１００ｍｍの小さなターゲットディスク
で極めて迅速に結果を調節した。まず、説明できないよ
うな理由からではあるが、別の粉末が、原則的に亀裂の
入った物体になったのに対して、特定のＺｎＳ粉末が適
していた。成果に富む試験を、熱プレス並びに熱間等静
圧プレスについて実施した。しかしながらこの後、生成
物の大きさ（例えば直径２００ｍｍを有するディスク）
の場合のスパッタ陰極用のターゲット寸法での処理の大
規模化の際に、常にまず、大きな亀裂並びに更に多数の
微小な亀裂を有する物体が生じた。次に、これに基づい
て実施された詳細に記載された出発粉末並びにプレス部
材の試験により、ウルツ鉱構造体中のＺｎＳ出発粉末が
使用されたか（図１）もしくはターゲット構造体のＺｎ
Ｓ相がプレス後に、主としてウルツ鉱変性剤中に存在し
ていた場合に、ターゲットが常に破断していたことが判
明した。これとは異なり、閃亜鉛鉱変性剤のＺｎＳ粉末
を使用し（図２）、かつプレス温度を、ウルツ鉱変性剤
への変化が本質的に阻止されたような程度に選択した場
合に、前記ターゲットは、巨視的および顕微鏡的に亀裂
がなかった。比較のために、ＣｕＫα−線についての理
論的なＸ線回折線図を図６ａ、ｂ中に再録してある。文
献（Roempps Chemie-Lexikon、第８版、第４７１４頁）
中には、閃亜鉛鉱−ウルツ鉱変換について１０２０℃が
記載されているのに対して、プレス時間が十分に短く、
かつ冷却が初期には十分に緩徐に選択されている場合に
のみ、１１８０℃の温度までのプレスにより、閃亜鉛鉱
変性剤が主要であった構造を有する亀裂のないターゲッ
トが生じることが若干の試験によって判明した。適当な
処理温度は、実施例中に見出される。
【００１０】更に、構造試験の場合に、通常混合された
ＳｉＯ2粒子がＺｎＳマトリクスと劣ってのみ結合して
いることが判明した。従って、ＳｉＯ2粉末と、例えば
機械的粉砕によって生じるような不規則に形成された粒
子とを使用しようと試みられている。通常、球状の粉末
の場合には、前記粉末がスパッタの際にターゲットから
剥離し、かつ高められた粒子率を生じる危険がある。
ＳｉＯ2粒子がＺｎＳマトリクスと劣ってのみ結合して
いることが判明した。従って、ＳｉＯ2粉末と、例えば
機械的粉砕によって生じるような不規則に形成された粒
子とを使用しようと試みられている。通常、球状の粉末
の場合には、前記粉末がスパッタの際にターゲットから
剥離し、かつ高められた粒子率を生じる危険がある。
【００１１】本発明は、多種多様の実施法が可能であ
り；その中のいくつかは、以下の図面および実施例中で
詳細に描写され、かつ記載されている。
り；その中のいくつかは、以下の図面および実施例中で
詳細に描写され、かつ記載されている。
【００１２】
本発明に相応する例 １：閃亜鉛鉱変性剤中のＺｎＳ粉
末８６６．５ｇを、粉砕された非晶質ＳｉＯ2粉末１３
３．５ｇと湿式混合し、引き続き、乾燥させ、かつスク
リーン凝集器（Siebagglomeriermaschine）に導通させ
た。こうして得られた混合粉末を、直径２５０ｍｍを有
するグラファイトプレス金型中へ入れ、かつ保護ガス下
で１１８０℃で３０分間熱プレスした。毎分２℃で８０
０℃に冷却し、この後、装置のスイッチを切った。ター
ゲットディスクを、装置の冷却後に取り出した。前記タ
ーゲットディスクは、３．４ｇ／ｃｍ3の密度（９３
％）を有し、かつ巨視的および顕微鏡的に亀裂がなかっ
た。Ｘ線分析により、主として閃亜鉛鉱変性剤中のＺｎ
Ｓが判明したが、しかし、ウルツ鉱変性剤の相含量も認
められた（図３）。このターゲットにスパッタし、かつ
試験した。発生したＳｉＯ2粒子は認められなかった。
末８６６．５ｇを、粉砕された非晶質ＳｉＯ2粉末１３
３．５ｇと湿式混合し、引き続き、乾燥させ、かつスク
リーン凝集器（Siebagglomeriermaschine）に導通させ
た。こうして得られた混合粉末を、直径２５０ｍｍを有
するグラファイトプレス金型中へ入れ、かつ保護ガス下
で１１８０℃で３０分間熱プレスした。毎分２℃で８０
０℃に冷却し、この後、装置のスイッチを切った。ター
ゲットディスクを、装置の冷却後に取り出した。前記タ
ーゲットディスクは、３．４ｇ／ｃｍ3の密度（９３
％）を有し、かつ巨視的および顕微鏡的に亀裂がなかっ
た。Ｘ線分析により、主として閃亜鉛鉱変性剤中のＺｎ
Ｓが判明したが、しかし、ウルツ鉱変性剤の相含量も認
められた（図３）。このターゲットにスパッタし、かつ
試験した。発生したＳｉＯ2粒子は認められなかった。
【００１３】本発明に相応する例 ２：例１に相応する
粉末混合物をローラー架台上で乾式混合し、引き続き直
径３００ｍｍを有するゴム型中に冷間等静圧プレスし
た。こうして得られた未加工品を、シリンダー状のスチ
ールカプセル中に入れ、これを、引き続き排気し、かつ
密閉した。この缶を、１０５０℃および２０００バール
の圧力で熱間等静圧プレスによって圧縮した。毎分４℃
で８００℃まで冷却した。カプセルから取り出した後
に、この物体は、３．６ｇ／ｃｍ3の密度（９８％）を
有し、かつ巨視的および顕微鏡的に亀裂がなかった。Ｘ
線相分析は、ほとんど閃亜鉛鉱変性剤中のＺｎＳだけを
示した。極めて少ないウルツ鉱含量が認められるにすぎ
なかった（図４）。ターゲットにスパッタし、かつ試験
した。発生したＳｉＯ2粒子は認められなかった。
粉末混合物をローラー架台上で乾式混合し、引き続き直
径３００ｍｍを有するゴム型中に冷間等静圧プレスし
た。こうして得られた未加工品を、シリンダー状のスチ
ールカプセル中に入れ、これを、引き続き排気し、かつ
密閉した。この缶を、１０５０℃および２０００バール
の圧力で熱間等静圧プレスによって圧縮した。毎分４℃
で８００℃まで冷却した。カプセルから取り出した後
に、この物体は、３．６ｇ／ｃｍ3の密度（９８％）を
有し、かつ巨視的および顕微鏡的に亀裂がなかった。Ｘ
線相分析は、ほとんど閃亜鉛鉱変性剤中のＺｎＳだけを
示した。極めて少ないウルツ鉱含量が認められるにすぎ
なかった（図４）。ターゲットにスパッタし、かつ試験
した。発生したＳｉＯ2粒子は認められなかった。
【００１４】本発明に相応する例 ３：閃亜鉛鉱変性剤
中のＺｎＳ粉末１０００ｇを、直径３００ｍｍを有する
ゴム型中で冷間等静圧プレスした。こうして得られた未
加工品を、シリンダー状のスチールカプセル中に入れ、
これを、引き続き排気し、かつ密閉した。この缶を、９
５０℃および２０００バールの圧力で熱間等静圧プレス
によって圧縮した。カプセルから取り出した後に、この
物体は、３．９ｇ／ｃｍ3の密度（９５％）を有してい
た。この物体は、巨視的および顕微鏡的に亀裂がなかっ
た。Ｘ線相分析は、閃亜鉛鉱変性剤中のＺｎＳを示した
（図２）。
中のＺｎＳ粉末１０００ｇを、直径３００ｍｍを有する
ゴム型中で冷間等静圧プレスした。こうして得られた未
加工品を、シリンダー状のスチールカプセル中に入れ、
これを、引き続き排気し、かつ密閉した。この缶を、９
５０℃および２０００バールの圧力で熱間等静圧プレス
によって圧縮した。カプセルから取り出した後に、この
物体は、３．９ｇ／ｃｍ3の密度（９５％）を有してい
た。この物体は、巨視的および顕微鏡的に亀裂がなかっ
た。Ｘ線相分析は、閃亜鉛鉱変性剤中のＺｎＳを示した
（図２）。
【００１５】比較例 ４：例１に相応して製造された粉
末混合物を、直径２５０ｍｍを有するグラファイトプレ
ス金型中に入れ、かつ保護ガス下に１３５０℃で４０分
間熱プレスした。毎分１０℃で６００℃に冷却し、この
後、装置のスイッチを切った。このターゲットディスク
を、装置の冷却後に取り出した。該ターゲットディスク
は、３．６ｇ／ｃｍ3の密度（９８％）を有し、かつ巨
視的並びに顕微鏡的の亀裂を示した。Ｘ線総分析は、ほ
とんどウルツ鉱変性剤中のＺｎＳだけを示した（図
５）。
末混合物を、直径２５０ｍｍを有するグラファイトプレ
ス金型中に入れ、かつ保護ガス下に１３５０℃で４０分
間熱プレスした。毎分１０℃で６００℃に冷却し、この
後、装置のスイッチを切った。このターゲットディスク
を、装置の冷却後に取り出した。該ターゲットディスク
は、３．６ｇ／ｃｍ3の密度（９８％）を有し、かつ巨
視的並びに顕微鏡的の亀裂を示した。Ｘ線総分析は、ほ
とんどウルツ鉱変性剤中のＺｎＳだけを示した（図
５）。
【００１６】比較例 ５：ウルツ鉱変性剤中のＺｎＳ粉
末８６６．５ｇを、粉砕された非晶質ＳｉＯ2粉末１３
３．５ｇと湿式混合し、引き続き乾燥させ、かつスクリ
ーン凝集器に導通させた。こうして得られた混合粉末か
ら３００ｇを、直径１００ｍｍを有するグラファイトプ
レス金型中に入れ、かつ保護ガス下に１１５０℃で３０
分間熱プレスした。毎分４℃で６００℃に冷却した。こ
のターゲットディスクを、装置の冷却後に取り出した。
該ターゲットディスクは、３．６ｇ／ｃｍ3の密度（９
８％）を有していた。該ターゲットディスクは、多数の
砕片からなっており、巨視的にも更に多くの亀裂を有し
ていた。Ｘ線相分析は、ウルツ鉱変性剤中のＺｎＳを示
した。
末８６６．５ｇを、粉砕された非晶質ＳｉＯ2粉末１３
３．５ｇと湿式混合し、引き続き乾燥させ、かつスクリ
ーン凝集器に導通させた。こうして得られた混合粉末か
ら３００ｇを、直径１００ｍｍを有するグラファイトプ
レス金型中に入れ、かつ保護ガス下に１１５０℃で３０
分間熱プレスした。毎分４℃で６００℃に冷却した。こ
のターゲットディスクを、装置の冷却後に取り出した。
該ターゲットディスクは、３．６ｇ／ｃｍ3の密度（９
８％）を有していた。該ターゲットディスクは、多数の
砕片からなっており、巨視的にも更に多くの亀裂を有し
ていた。Ｘ線相分析は、ウルツ鉱変性剤中のＺｎＳを示
した。
【００１７】比較例 ６：閃亜鉛鉱変性剤中のＺｎＳ粉
末９００ｇを、球状のＳｉＯ2粉末１００ｇと湿式混合
し、引き続き乾燥させ、かつスクリーン凝集器に導通さ
せた。他のターゲット製造は、例１中と同様に行った。
前記のターゲットも亀裂がなく、かつ主として閃亜鉛鉱
変性剤中のＺｎＳを含有していた。既に、検鏡試料作成
の際に、多数の球状の亀裂を示し、これを脱落したＳｉ
Ｏ2体に返送した。同じ現象は、スパッタされたターゲ
ットにも観察することができた。
末９００ｇを、球状のＳｉＯ2粉末１００ｇと湿式混合
し、引き続き乾燥させ、かつスクリーン凝集器に導通さ
せた。他のターゲット製造は、例１中と同様に行った。
前記のターゲットも亀裂がなく、かつ主として閃亜鉛鉱
変性剤中のＺｎＳを含有していた。既に、検鏡試料作成
の際に、多数の球状の亀裂を示し、これを脱落したＳｉ
Ｏ2体に返送した。同じ現象は、スパッタされたターゲ
ットにも観察することができた。
【図１】図１は、Ｃｕ Ｋα−線を用いて記録されたウ
ルツ変性剤中のＺｎＳ粉末のＸ線回折線図である。
ルツ変性剤中のＺｎＳ粉末のＸ線回折線図である。
【図２】図２は、Ｃｕ Ｋα−線を用いて記録された閃
亜鉛鉱変性剤中のＺｎＳ粉末のＸ線回折線図である。
亜鉛鉱変性剤中のＺｎＳ粉末のＸ線回折線図である。
【図３】図３は、Ｃｕ Ｋα−線を用いて記録された例
２に相応するＺｎＳ／ＳｉＯ2プレス品のＸ線回折線図
であり、スペクトルは、主として閃亜鉛鉱変性剤を示し
ている。
２に相応するＺｎＳ／ＳｉＯ2プレス品のＸ線回折線図
であり、スペクトルは、主として閃亜鉛鉱変性剤を示し
ている。
【図４】図４は、Ｃｕ Ｋα−線を用いて記録された例
２に相応するＺｎＳ／ＳｉＯ2プレス品のＸ線回折線図
であり、スペクトルは、閃亜鉛鉱変性剤とともに、更に
若干量のウルツを示すにすぎない。
２に相応するＺｎＳ／ＳｉＯ2プレス品のＸ線回折線図
であり、スペクトルは、閃亜鉛鉱変性剤とともに、更に
若干量のウルツを示すにすぎない。
【図５】図５は、Ｃｕ Ｋα線を用いて記録された比較
例４に相応するＺｎＳ／ＳｉＯ 2プレス品のＸ線回折線
図であり、スペクトルは、ほぼウルツ変性剤中のＺｎＳ
を示すにすぎない。
例４に相応するＺｎＳ／ＳｉＯ 2プレス品のＸ線回折線
図であり、スペクトルは、ほぼウルツ変性剤中のＺｎＳ
を示すにすぎない。
【図６】図６は、Ｃｕ Ｋα−線 ａ）ＺｎＳ−ウルツ（ＡＳＴＭ Ｎｏ．５−４９２）、 ｂ）ＺｎＳ−閃亜鉛鉱（ＡＳＴＭ Ｎｏ．５−５６６） についての理論的なＸ線スペクトルである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヴォルフガング ダウト ドイツ連邦共和国 フランクフルト アム マイン グローセ リッターガッセ ７
Claims (10)
- 【請求項１】 陰極スパッタの際に使用するためのＺｎ
Ｓ少なくとも７０モル％および場合により他の添加剤を
有するスパッタターゲットにおいて、該ターゲットがそ
の理論的密度の少なくとも９０％の密度を有し、かつ主
として閃亜鉛鉱変性剤中に可撓性のＺｎＳを含有してい
ることを特徴とする、スパッタターゲット。 - 【請求項２】 銅Κα−線で測定されたＸ線回折分析計
の記録が、２θ＝２６．９゜の場合のウルツ鉱変性剤の
ピーク（１００）の強度Ｉ（１００−Ｗ）並びに２θ＝
２８．６゜の場合のピークの強度Ｉ（０２２−Ｗ／１１
１−Ｓ）（ウルツ鉱変性剤のピーク（００２）並びに閃
亜鉛鉱変性剤のピーク（１１１）の総和）について以下
の割合： 【数１】 を示す、請求項１に記載のスパッタターゲット。 - 【請求項３】 ＺｎＳにＳｉＯ2１０〜３０モル％を混
合する、請求項１または２に記載のスパッタターゲッ
ト。 - 【請求項４】 ＳｉＯ2が角形体の形で存在する、請求
項３に記載のスパッタターゲット。 - 【請求項５】 請求項１から４までのいずれか１項に記
載のスパッタターゲットを製造するための方法におい
て、使用されたＺｎＳ粉末が、主として閃亜鉛鉱変性剤
を含有する、請求項１から４までのいずれか１項に記載
のスパッタターゲットの製造法。 - 【請求項６】 粉末を、ウルツ鉱高温変性剤の発生を十
分に阻止する温度で圧縮する、請求項１から４までのい
ずれか１項に記載のスパッタターゲットの製造法。 - 【請求項７】 粉末を、１２００℃を下回る温度で熱プ
レスにより圧縮する、請求項１から４までのいずれか１
項に記載のスパッタターゲットの製造法。 - 【請求項８】 冷却を、初期には毎分４℃よりも迅速に
は行わない、請求項７に記載の方法。 - 【請求項９】 粉末を、熱間等静圧プレスにより１１０
０℃を下回る温度で圧縮する、請求項１から４までのい
ずれか１項に記載のスパッタターゲットの製造法。 - 【請求項１０】 冷却を、初期には毎分４℃よりも迅速
には行わない、請求項９に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| DE19715806A DE19715806A1 (de) | 1997-04-16 | 1997-04-16 | Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargets auf der Basis von Zinksulfid sowie das Sputtertarget selbst |
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| KR19980081455A (ko) | 1998-11-25 |
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