JPH055177A - スパツタリングターゲツト - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】クロムとシリコンと酸素からなる高比抵抗の薄
膜を長期にわたって安定かつ安価に形成することのでき
るスパッタリングターゲットを提供する。 【構成】クロムと二酸化珪素の粉末の粒度を選別し、充
分に加熱乾燥した後、５０〜８０重量％のクロム，残部
が二酸化珪素の比率となるよう混合し、型に詰めて熱間
プレス等により焼結する。これにより、２相混合組織を
有するスパッタリングターゲットを得る。 【効果】均質かつ長時間の放電に耐えることのできるタ
ーゲットにより、広い面積に均質なＣｒ−Ｓｉ−Ｏ薄膜
を再現性良く得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は電子計算機、電子交換器
等の情報処理機器等に適する高密度配線基板の製造にお
いて、回路中の抵抗素子を形成する高比抵抗薄膜をスパ
ッタリングにより形成するために用いるスパッタリング
ターゲットに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来よりＣｒとＳｉとＯからなる比抵抗
の大きな薄膜は抵抗温度係数が小さく、熱的・化学的に
も安定で、薄膜抵抗素子を形成する上で非常に有用な薄
膜として知られている。該薄膜を形成するための手段と
してジャーナル オブ バキューム サイエンス アン
ド テクノロジー ４巻４号（１９６７年）第１６３頁
から第１７０頁（Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏ
ｌ．，４（１９６７）ｐｐ１６３−１７０）に記載の如
くＣｒ粉末と一酸化珪素（ＳｉＯ）粉末の混合物を電子
線により加熱して蒸着する手法が述べられている。

【０００３】また、特開昭５４−１８９８および特開昭
５８−８２７７０等に記載の如くＣｒとＳｉからなる複
合型ターゲットまたは合金ターゲットを用いて酸素含有
雰囲気中で反応性スパッタリングを行い上記薄膜を得る
ことができると記載されている。

【０００４】さらに、シィン ソリッド フィルムズ
５７巻（１９７９年）第３６３頁から第３６６頁（Ｔｈ
ｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ，５７（１９７９）ｐｐ
３６３−３６６）に記載の如くＣｒ粉末とＳｉＯ₂粉末
の混合物を粉末のままスパッタリングターゲットとして
上記薄膜を形成した例も見られる。

【０００５】また、材料系は異なるが金属と珪素と酸素
からなる薄膜として知られるタンタル（Ｔａ）と珪素
（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）とからなる薄膜を得るためのスパ
ッタリングターゲットとして金属タンタル（Ｔａ）とＳ
ｉＯ₂の粉末を加圧成形してスパッタリングターゲット
とした例が特開昭５８−１１９６０５に記載されてい
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記従来例のうちＣｒ
とＳｉとＯからなる薄膜を形成するための例においては
いずれも短期的には所期の薄膜を得ることができるが、
長期にわたって再現性良く薄膜を得るための経時的安定
性の点で配慮されておらず、組成のずれが生じ易いため
に工業的に用いるには問題があった。また、金属Ｔａと
ＳｉＯ₂から成形したスパッタリングターゲットの例に
おいては、タンタルと珪素，タンタルと酸素間の化学反
応が高温において生じる結果ターゲットが非常に脆いも
のとなるため極力低温での成形を行う必要がある。この
ため相対密度が上がらず、種々の対策を施しても９０％
程度に留まる。このため、スパッタリングターゲットに
内包される微小空隙の面内分布及び厚さ方向の分布が生
じやすく、やはり長期にわたる再現性（経時的安定性）
の点で問題がある。また、該微小空隙はクラックの起点
となるばかりでなく、これの伝播を非常に容易にするた
め、相対密度の低いターゲット材は機械的強度が小さく
使用中に割れやすい。また、肉眼で確認できるような大
きな空隙はスパッタ中のグロー放電の局所的集中を生
じ、放電が不安定となる。これを防ぐために相対密度を
９０％以上に向上させるため高圧で加圧すると加圧時の
粒子間の摩擦等により発熱し、上記反応の進行を抑制で
きなくなる。このため得られるターゲット材は非常に脆
いものであり、スパッタ成膜中の放電による発熱のため
に割れることが多く使用に耐えない。

【０００７】本発明の目的は、ＣｒとＳｉとＯからなる
比抵抗の高い薄膜を安定にかつ大量に形成するための量
産に適したスパッタリングターゲットを提供することに
ある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的はＣｒとＳｉと
Ｏからなる均質かつ機械的強度の高い即ち相対密度の高
いスパッタリングターゲットを得ることで達成される。
このために、原料としてＣｒと安定な酸化物であるＳｉ
Ｏ₂の粉末を用い、その粒度をタイラーナンバーで３２
メッシュアンダー（粒径５００μｍ以下）のものを選別
し、これを充分に水分を除去した後に２０〜８０重量％
Ｃｒの比率で混合して原料粉とする。ここで、成形のた
めの加熱によってＣｒとＳｉとの反応が生じることを防
ぐために、熱処理によってＣｒ粒の表面に薄い酸化膜を
形成させた粉末をＳｉＯ₂と混合して原料粉としても良
い。その後、ニオブ（Ｎｂ）等の高融点金属の箔を内張
りした圧密用封止缶内に充填して２００〜８００℃に加
熱しながら缶内の気体を排気してから封止し、熱間静水
圧プレスにより加圧成形してスパッタリングターゲット
を製造するものである。

【０００９】または、混合した原料粉を通常のプレスに
て成形した後ダイスに装着して熱間プレスによって加圧
成形してスパッタリングターゲットを製造するものであ
る。

【００１０】

【作用】ＣｒとＳｉＯ₂の粉末の各々の粒度が３２メッ
シュ以下（粒径５００μｍ以下)となるよう選別し、こ
れらを２０〜８０重量％Ｃｒの範囲の比率とした上で十
分に撹拌することで均一な混合原料粉を得ることができ
る。この混合原料粉を用いることで、局所的なＣｒとＳ
ｉＯ₂の比率のばらつきが非常に小さい焼結体を製造す
ることができる。また、Ｃｒ本来の性質からＣｒ粉末を
大気中に放置するだけでＣｒ粒の表面に自然酸化膜が形
成され、この酸化膜が高温高圧による成形工程中でもＣ
ｒとＳｉＯ₂中のＳｉとの化学反応を防ぐため脆い化合
物の生成や化合物生成時の体積変化による焼結体の破壊
が起こらず安定に製造できる。さらにＣｒ粒表面に加熱
処理により酸化膜を形成させることでより確実な効果が
得られる。両者が高温での加圧においても安定であるた
め、１２００℃程度の温度と１０００ｋｇ／ｃｍ²の高
圧の条件による成形時にはＣｒの粒子間にあるＳｉＯ₂
が軟化流動して空隙を埋めるためＣｒ粒子間がほぼ完全
にＳｉＯ₂により充填された混合２相組織を有するよう
になり、焼結体の相対密度が９５％以上となる。さら
に、封止缶に内張りした反応防止層であるＮｂ箔が封止
缶の材料と原料粉とが反応して加圧成形体中に封止缶の
構成元素が混入したり加圧成形体表面から封止缶を除去
できなくなることを防ぐ。このような反応防止処理は熱
間プレスによって加圧成形を行う場合のダイスにも必要
である。これらの製造法の総合的な効果により焼結体中
の局所的なＣｒとＳｉＯ₂の比率のばらつきが小さいた
めに非常に均質であり、且つその相対密度が９５％以上
の機械的強度の高い焼結体を得ることができる。このよ
うな特性を有する本スパッタリングターゲットを用いて
得られる薄膜は膜特性の面内分布が小さく、且つ長期に
渡って再現性良く薄膜を得ることが可能となる。

【００１１】

【実施例】以下本発明の実施例を図を用いて説明する。

【００１２】［実施例１］図１に示す如く、原料となる
９９．５％以上の純度のＣｒ粉末の粒度が１２０メッシ
ュ以下、９９．５％以上の純度のＳｉＯ₂粉末の粒度を
２００メッシュ以下となるように各々選別する。Ｃｒ粉
末は比較的水分吸着が少ないため保管に注意していれば
選別後にそのまま原料粉として用いても良い。また、保
存中の水分吸着が懸念される場合は大気中で２００℃程
度に加熱しながら撹拌することで確実な水分除去が行え
る上、同時にＣｒ粒表面全面に酸化膜が形成され、これ
が高温でのＳｉＯ₂との反応を確実に防ぐ働きをする。
この乾燥時の加熱を３００℃を越えるような高温にする
とＣｒ粒の表面酸化が著しくなり、ターゲット全体とし
ての酸素含有量にも影響が現われるため、上記の温度範
囲が適当である。ＳｉＯ₂粉末は大気または窒素等の乾
燥雰囲気中において、８００℃以上に加熱して撹拌する
ことにより水分の除去を必ず行う。ＳｉＯ₂粉末はその
製法によっては結晶水の形態で水分を１０重量％前後含
んでいることがある上に、保管中に大気中の水分をかな
り吸着してしまうため、水分を極力除去するために上記
のような高温での乾燥処理が必須である。ＳｉＯ₂粉末
に水分が残っている場合は焼結中の１０００℃前後の高
温下で水蒸気となり、これによってＣｒ粉が極端に酸化
されて脆い酸化物となってしまうため、事実上焼結でき
ない。

【００１３】その後、各々所定の重量に調整したＣｒお
よびＳｉＯ₂の粉末を十分に混合して原料粉末とした。
ここで、原料粉末の混合比率が２０重量％Ｃｒ以下およ
び８０重量％Ｃｒ以上のように大幅に異なるような組成
では原料粉の均一な混合が困難となり、スパッタリング
ターゲット中においてもＣｒまたはＳｉＯ₂が偏在しや
すい。このため、スパッタリングターゲットの組成とし
ては２０重量％Ｃｒ〜８０重量％Ｃｒの範囲にあること
が必要である。高温高圧下で混合粉末と合金化等の反応
を抑制するために数十μｍの厚さのニオブ（Ｎｂ）また
はタンタル（Ｔａ）の箔を内張りした鋼製圧密用封止缶
に詰め、２００〜８００℃の範囲で加熱しながら数時間
かけて容器内の空気を排気する。温度が高い方が早くか
つ確実に排気できるが、８００℃を越えるとＣｒが昇華
してしまうため上記範囲にする必要がある。排気は容器
内の圧力が０．０１Ｐａ以下になるまで行うのが望まし
く、０．００１Ｐａ以下であれば残留空気および水分に
よる焼結中の過度の酸化を防ぐために十分な効果がある
上、スパッタリングターゲットとしての諸特性の再現性
も良好である。排気完了後に容器を密封溶接し、これを
熱間静水圧プレスにより１０００℃〜１４００℃の温度
および１０００〜１２００ｋｇ／ｃｍ²の圧力の下で焼
結する。焼結後は室温まで１０時間以上の時間をかけて
徐々に冷却し、冷却完了後に圧密用封止缶を機械的に切
断除去して焼結された成形体取り出す。この焼結工程に
より、封止缶の体積は１０〜２０％程度減少する。得ら
れた成形体の相対密度を測定したところ、９８％の密度
が得られていることが明らかとなった。その後、成形体
を所定の形状に機械加工した後、有機溶剤および純水等
により洗浄・乾燥し、スパッタ装置への取付を容易にす
るためにバッキングプレートへターゲットを接着して完
成する。

【００１４】［実施例２］原料粉の粒度をＣｒを３２メ
ッシュアンダー，ＳｉＯ₂を２００メッシュアンダーと
しても実施例１と全く同じ工程によりスパッタリングタ
ーゲットを製造することができるが、ターゲット中での
Ｃｒ粉の局所的な偏在が目立つ上、相対密度も上記例に
比べれば若干低く９６％程度であった。該スパッタリン
グターゲットの使用にあたっては膜質再現性の点で十分
な注意が必要であり、変動に応じて成膜条件を調整する
ことによりスパッタリングターゲットとして使用するこ
とは可能であった。

【００１５】［実施例３］実施例１と同様に原料粉を準
備し所期の比率で均一に混合した後、所望の形状を有し
た金型に充填し約４００ｋｇ／ｃｍ²の圧力で圧粉成形
する。これを炭素製の容器に装着し、容器内真空度０．
０１Ｐａまで排気する。この後、１３００℃の温度下で
窒化硼素を塗布した炭素性スペーサを介して約２６０ｋ
ｇ／ｃｍ²の圧力を成形体に加え、この加圧状態を約２
時間保持した。この方法によっても実施例１と同等のス
パッタリングターゲットを得ることができた。

【００１６】この製造法において、圧力を下げて焼結す
ると相対密度の小さなスパッタリングターゲットを得る
ことができるため、相対密度約８０％のものを製作し、
３．０Ｗ／ｃｍ²の電力密度で放電させたが、数分の放
電によりターゲットが割れてしまい実用に耐えなかっ
た。これに対して、相対密度９５％以上のターゲットの
ものは実施例１および２に記載のものも含めて何れの方
法で製作したものでも放電による破損の兆候は見られな
かった。

【００１７】［実施例４］実施例１，２および３にて得
られた６６重量％Ｃｒ-３４重量％ＳｉＯ₂の組成を有す
るターゲットの表面を研磨して光学顕微鏡で観察する
と、図２に示す如くＳｉＯ₂の中にＣｒ粒１が散らばっ
ている組織になっている。これは高温高圧下においてＳ
ｉＯ₂が流動性を帯び、Ｃｒ粒１の間に流れ込むことに
よって空隙をほぼ完全に埋めることでこのような組織に
なったものである。このような組織を有する試料に対し
て蛍光Ｘ線の線分析を行うと、図３に示す如くＣｒ粒１
とＳｉＯ₂の間ではＣｒの特性Ｘ線の強度４およびＳｉ
Ｏ₂の特性Ｘ線強度３が急激な立上りおよび立下がりを
示して逆転していることから、相互拡散が生じておら
ず、明確な境界が存在することが判る。これはＣｒ粒表
面の自然酸化膜または熱酸化膜が焼結工程における高温
高圧下において相互拡散を防ぐ障壁の働きをしたためと
考えられる。このような組織を有する焼結体の相対密度
（この場合の理論密度は４．０６ｇ／ｃｍ³）を測定す
ると、約９８％前後の値となっており、充分高い値であ
った。

【００１８】［実施例５］ＣｒとＳｉＯ₂の粉末の粒度
を変えて同じ条件で焼結したターゲットの機械的強度を
比較してみると、表１に示すごとく機械的強度はＣｒ粉
末の粒度に依存し、Ｃｒ粒が大きいほど脆くなる。表中
１の条件では焼結後の機械加工の段階で割れが発生し、
スパッタリングターゲットとしては評価できなかった。
しかしながら、表中２の条件を用いて矩形のスパッタリ
ングターゲットを製作し、これに３．１Ｗ／ｃｍ²の電
力密度でＲＦ電力を加え、これによりグロー放電を発生
させるという負荷を通算２００時間にわたってかけた
が、なんら異常を生じることなく使用することができ
た。従って、Ｃｒ粉の粒度の上限は表の条件の１と２の
間にあり、２より細かいものは充分使用に耐えることが
明らかである。

【００１９】また、ＣｒおよびＳｉＯ₂の粉末の粒度が
大きい場合は、成形体における局所的なＣｒとＳｉＯ₂
の比率のばらつきが大きくなり、薄膜の膜特性の再現性
が悪くなる。従って、原料となるＣｒおよびＳｉＯ₂の
粉末の粒度はこの点からも３２メッシュより細かい粒度
である必要があり、さらにＳｉＯ₂の粉末については均
一な混合という点でＣｒ粉末と同等またはそれよりも細
かい必要がある。ただし、Ｃｒ粉末はあまり細くしても
機械的強度は飽和してしまう上、Ｃｒ粒の表面積の増加
に伴う酸化層の量的増加により酸素量が所期の量よりも
増えることや不純物の含有量が相対的に多くなる等の影
響が顕著になるために１０００メッシュアンダーより細
かくても利点は無い。ＳｉＯ₂粉末においても細かい方
が水分の吸着量が増える他、粒の凝集が顕著になるため
実効的には粗い粉末と同じ結果となるため１０００メッ
シュアンダーより細かくとも利点は無い。従って、実際
にスパッタリングターゲットを製作するにあたっては原
料粉の不純物含有量、取扱いの容易さおよびターゲット
の特性から考えてＣｒおよびＳｉＯ₂の粉末はともに３
２〜１０００メッシュアンダーの範囲が最適粒度であ
る。

【００２０】

【表１】

【００２１】［実施例６］１２７×３８１ｍｍ角のＣｒ
-ＳｉＯ₂焼結ターゲットを製作して基板移動成膜型のス
パッタリング装置に取り付け、１.５ｋＷのＲＦ電力に
て放電させて薄膜を形成したところ、得られた薄膜のシ
ート抵抗分布は１２７ｍｍ角の基板上において±３％以
下であった。また、本装置により一定の成膜条件のもと
での成膜再現性を調べ、累積バッチ数と平均シート抵抗
値の関係を図４に示す。この図よりＣｒ板とＳｉＯ₂板
を組み合わせて同じ外形とした複合型ターゲットによる
この関係５はバッチが重なる毎に上昇し、上述のシート
抵抗およびその分布特性を有する薄膜を得ることができ
るバッチ数が約２０バッチであったものが、本発明によ
るスパッタリングターゲットを用いた例６ではそのバッ
チ数は３００バッチ以上にも達し、量産性の大幅な向上
が確認された。また、これらの検討を通じて本焼結ター
ゲットが放電により破壊される兆候は全く見られず、上
記製造上の各条件の設定が適切であることも確認でき
た。

【００２２】［実施例７］ＣｒとＳｉＯ₂の粉末を混合
する割合を５５〜８０重量％Ｃｒの範囲で変えたスパッ
タリングターゲットを製作し、これらを用いてＲＦスパ
ッタリングによりＣｒ−Ｓｉ−Ｏ薄膜を形成した。その
成膜されたままの状態の比抵抗を図５に示した。この図
より明かなように、一般的に知られているＮｉＣｒ（ニ
クロム）薄膜と同等の比抵抗である１μΩ・ｍの比抵抗
を有する薄膜が本発明のスパッタリングターゲットでは
８０重量％Ｃｒの組成で得られ、更に、従来は安定して
得ることが困難であった高比抵抗領域の薄膜がＳｉＯ₂
の量を増すことで広い範囲に渡って容易に得ることがで
きる。

【００２３】得られる薄膜の比抵抗の点から見るとター
ゲット組成として５０〜８０重量％Ｃｒの範囲が特に有
用である。また、２０重量％ＣｒよりＣｒ量が少ない場
合、得られる薄膜は実質的に絶縁物となってしまい、本
発明の目的から外れる。このように、得られる薄膜の特
性の面からも本発明によるスパッタリングターゲットの
組成は、２０重量％Ｃｒ乃至８０重量％Ｃｒの範囲にあ
ることが必要であり、中でも５０〜８０重量％Ｃｒが好
適である。

【００２４】

【発明の効果】本発明に依れば、ＣｒとＳｉＯ₂の混合
比に偏りがなく均質なスパッタリングターゲットを得る
ことができる。また、本ターゲットは機械的強度も高
く、長時間に渡る放電にも耐えることができるため、タ
ーゲットの使用可能時間も従来ターゲットの１０倍以上
とすることができる。さらに、本ターゲットを用いるこ
とで所望の比抵抗を有する薄膜を膜質の基板内分布が小
さい状態で再現性良く得られるので、この薄膜を抵抗素
子として形成した場合に素子抵抗値の誤差を小さくで
き、薄膜回路の回路特性を大幅に向上させられる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるＣｒ−ＳｉＯ₂焼結ターゲットの
製造工程を示す図、

【図２】本発明によるＣｒ−ＳｉＯ₂焼結ターゲット顕
微鏡組織を示す図、

【図３】図２中のＡからＡ’にかけて蛍光Ｘ線により線
分析した結果を示す図、

【図４】本発明による焼結ターゲットの使用に伴う比抵
抗変動を同じ形状の複合型ターゲットのものと比較した
図、

【図５】ＳｉＯ₂粉の混合比を変えた焼結ターゲットに
より得られた薄膜の比抵抗の混合比依存性を示す図であ
る。

【符号の説明】

１…Ｃｒ粒子，２…ＳｉＯ₂，３…Ｓｉの蛍光Ｘ線の検
出強度，４…Ｃｒの蛍光Ｘ線の検出強度，５…複合型タ
ーゲットにおける消耗に伴う薄膜シート抵抗の変動，６
…本発明によるターゲットにおける消耗に伴う薄膜シー
ト抵抗の変動。を示す。

フロントページの続き (72)発明者 ▲釼▼持 秋広 神奈川県秦野市堀山下１番地株式会社日立 製作所神奈川工場内 (72)発明者 千葉 ▲芳▼孝 島根県安来市安来町2107−２日立金属株式 会社内 (72)発明者 平木 明敏 島根県安来市安来町2107−２日立金属株式 会社内

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】金属クロム（Ｃｒ）と二酸化珪素（ＳｉＯ
   ₂）の混合比が２０〜８０重量％クロム（Ｃｒ）、望ま
   しくは５０〜８０重量％Ｃｒであり，残部が二酸化珪素
   （ＳｉＯ₂）からなる焼結一体物であることを特徴とす
   るスパッタリングターゲット。 【請求項２】請求項１に記載のスパッタリングターゲッ
   トにおいて、その組成における理論密度に対する実際の
   密度の比率（相対密度）が９５％以上であることを特徴
   とするスパッタリングターゲット。 【請求項３】請求項１および２に記載のスパッタリング
   ターゲットにおいて、粒径５００μｍ以下の大きさの金
   属クロム(Ｃｒ）粒の粒子間の空隙が二酸化珪素（Ｓｉ
   Ｏ₂）によって充填された混合二相組織を有することを
   特徴とするスパッタリングターゲット。 【請求項４】請求項１および２に記載のスパッタリング
   ターゲットにおいて原料となる金属クロム（Ｃｒ）およ
   び二酸化珪素（ＳｉＯ₂）の両者の粉末の粒度がタイラ
   ーナンバー（Ｔｙｌｅｒ Ｎｏ．）で３０メッシュ以下
   （粒径５００μｍ以下）望ましくは１００メッシュ以下
   （粒径１５０μｍ以下）の細かい粒度であり、なおかつ
   二酸化珪素（ＳｉＯ₂）の粉末の粒度が金属クロム（Ｃ
   ｒ）の粉末の粒度と同等ないしは細かいものを原料とし
   たことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方
   法。 【請求項５】請求項４に記載のスパッタリングターゲッ
   トの製造方法において、二酸化珪素粉を大気中で８００
   〜１２００℃に加熱して水分を除去し、これを金属クロ
   ム（Ｃｒ）粉と所期の比率で混合したものを原料とする
   ことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方
   法。 【請求項６】請求項４に記載のスパッタリングターゲッ
   トの製造方法において、金属クロム（Ｃｒ）粉を大気中
   で１００〜３００℃の加熱することで水分を除去すると
   同時にＣｒ粒表面に酸化膜を形成し、このＣｒ粉末と大
   気中で８００〜１２００℃に加熱処理して水分を除去し
   た二酸化珪素（ＳｉＯ₂）粉末とを所期の比率で混合し
   たものを原料とすることを特徴とするスパッタリングタ
   ーゲットの製造方法。 【請求項７】請求項４，５および６に記載の製造方法に
   よる原料である二酸化珪素（ＳｉＯ₂）粉と金属クロム
   （Ｃｒ）粉とを充分に混合した後に、原料との反応を防
   止するための内張りを施した圧密用封止缶内に原料粉を
   充填し、該缶を２００〜８００℃で加熱しながら缶内を
   ０．０１Ｐａ以下の真空度まで排気した後に封止し、熱
   間静水圧プレスにより焼結することを特徴とするスパッ
   タリングターゲットの製造方法。 【請求項８】請求項４，５および６に記載の製造方法に
   よる原料である二酸化珪素（ＳｉＯ₂）粉と金属クロム
   （Ｃｒ）粉とを充分に混合した後に圧粉成形し、該成形
   体を反応防止処理を施したダイスに装着し、熱間プレス
   により焼結することを特徴とするスパッタリングターゲ
   ットの製造方法。 【請求項９】請求項１，２および３に記載のスパッタリ
   ングターゲットを用いてＲＦスパッタリング法により形
   成したことを特徴とする１〜１０００μΩ・ｍの比抵抗
   を有するクロム(Ｃｒ)，珪素(Ｓｉ)および酸素(Ｏ)から
   成る薄膜。 【請求項１０】請求項１，２および３に記載のターゲッ
   トを用いて形成した薄膜を用いたことを特徴とする薄膜
   素子およびこれを含む電気回路。