JPS6021372A - 硫化亜鉛系スパツタ−タ−ゲツトとその製造方法 - Google Patents
硫化亜鉛系スパツタ−タ−ゲツトとその製造方法Info
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- JPS6021372A JPS6021372A JP58129179A JP12917983A JPS6021372A JP S6021372 A JPS6021372 A JP S6021372A JP 58129179 A JP58129179 A JP 58129179A JP 12917983 A JP12917983 A JP 12917983A JP S6021372 A JPS6021372 A JP S6021372A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0623—Sulfides, selenides or tellurides
- C23C14/0629—Sulfides, selenides or tellurides of zinc, cadmium or mercury
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は薄膜エレクトロルミネッセンスパネル〔以下’
ＥＬパネル′と称す）等における蛍光材料その製造方
法に関するものである。
ＥＬパネル′と称す）等における蛍光材料その製造方
法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
硫化亜鉛系薄膜を作製する場合、従来は電子ビーム加熱
蒸着法か、あるいは硫化亜鉛系粉末をターゲットとした
高周波スパッター法が用いられてきた。しかしながら、
電子ビーム加熱蒸着法は装置が大がかりで高価であり、
かつ量産用としてもいくつかの難点を有している。また
、粉末ターゲットのスパッター法は、薄膜を形成すると
き、時間とともにスパッターレートが変化し、蛍光活性
不純物を含んだ硫化亜鉛の場合、その薄膜中での含量が
ターゲット中の含量と異なり易い。更に。
蒸着法か、あるいは硫化亜鉛系粉末をターゲットとした
高周波スパッター法が用いられてきた。しかしながら、
電子ビーム加熱蒸着法は装置が大がかりで高価であり、
かつ量産用としてもいくつかの難点を有している。また
、粉末ターゲットのスパッター法は、薄膜を形成すると
き、時間とともにスパッターレートが変化し、蛍光活性
不純物を含んだ硫化亜鉛の場合、その薄膜中での含量が
ターゲット中の含量と異なり易い。更に。
薄膜を形成するとき１時間とともにターゲットおよび薄
膜の両方における蛍光活性不純物の濃度が変化してゆく
という欠点を有する。
膜の両方における蛍光活性不純物の濃度が変化してゆく
という欠点を有する。
発明の目的
本発明は、高周波スパッター法がインラン方式のスパッ
ター装置の進歩によりｎ（産性において向上したことに
着目した上で、従来の粉末ターゲットを用いた場合の欠
点を解消するもので、スパッターレートの不安定さ、タ
ーゲット組成と形成された肋膜組成とのずれ、およびタ
ーゲット組成と薄膜組成の作製時における経時変化がな
く、シかもスパッタ一時の熱ショックに強い硫化亜鉛系
スパッターターゲット、とその製造方法を提供するこき
を目的とする。
ター装置の進歩によりｎ（産性において向上したことに
着目した上で、従来の粉末ターゲットを用いた場合の欠
点を解消するもので、スパッターレートの不安定さ、タ
ーゲット組成と形成された肋膜組成とのずれ、およびタ
ーゲット組成と薄膜組成の作製時における経時変化がな
く、シかもスパッタ一時の熱ショックに強い硫化亜鉛系
スパッターターゲット、とその製造方法を提供するこき
を目的とする。
発明のｍ成
本発明は、上記目的を達成するために、硬化亜鉛粉末又
は蛍光活性不純物を含んだ硫化亜鉛粉末を焼結して、相
対密度が７０〜９０％で抗折強度が５０ｋｇ／ｃｍ”以
上になるようにセラミック化して成るｒ丸化亜鉛系スパ
ッターターゲットを提供する。
は蛍光活性不純物を含んだ硫化亜鉛粉末を焼結して、相
対密度が７０〜９０％で抗折強度が５０ｋｇ／ｃｍ”以
上になるようにセラミック化して成るｒ丸化亜鉛系スパ
ッターターゲットを提供する。
このように５本発明によれば、スパッターレートの時間
的変化をな（し、ターゲットの組成とそれを用いて作製
する薄膜の組成の同一性を確保し。
的変化をな（し、ターゲットの組成とそれを用いて作製
する薄膜の組成の同一性を確保し。
かつターゲット組成と薄膜組成の作製時における経時変
化をなくすために、セラミック化されたターゲットする
。その際に、スパッタ一時の熱ショックに対して充分強
度が保たれるように密度と強度の最適化を図った。すな
わち、スパッタ一時のプラズマによる加熱に起因してタ
ーゲット内に温度勾配が生じ、それによりターゲットが
破壊することがあるが、これを防ぐには、ターゲットが
適当な強度と熱伝導率を有さなければならない。この観
１点から、ターゲットの抗折強度を５０ｋｇ／ｃｍ”以
上とした。−万、熱伝導率Ｒは、セラミックの場合組成
が一定なら。
化をなくすために、セラミック化されたターゲットする
。その際に、スパッタ一時の熱ショックに対して充分強
度が保たれるように密度と強度の最適化を図った。すな
わち、スパッタ一時のプラズマによる加熱に起因してタ
ーゲット内に温度勾配が生じ、それによりターゲットが
破壊することがあるが、これを防ぐには、ターゲットが
適当な強度と熱伝導率を有さなければならない。この観
１点から、ターゲットの抗折強度を５０ｋｇ／ｃｍ”以
上とした。−万、熱伝導率Ｒは、セラミックの場合組成
が一定なら。
Ｒ＃Ｒｃ（１−Ｐ）／（１＋０．５Ｆ）Ｒｃ：物質の熱
伝導度 Ｐ：気孔率 で示され、気３し率の膨管が大きい。ターゲットの熱伝
導率Ｒを大きくするには、気孔率が小さい程良いという
ことになるが、しかし熱による微小クラックが生じた場
合は、多少気孔を有するセラミックの方が、微小クラッ
クの成長が気孔でストップし、それ以上の破壊につなが
らないので有利である。この観点から、セラミックター
ゲットの気孔率、すなオ〕ちそれに相関関係のある相対
密度（気孔率がゼロの向二組成の物質の密度に対する対
象となる物質の見掛は密度をパーセントで表わしたもの
ンを７０〜９０％として最適化した。
伝導度 Ｐ：気孔率 で示され、気３し率の膨管が大きい。ターゲットの熱伝
導率Ｒを大きくするには、気孔率が小さい程良いという
ことになるが、しかし熱による微小クラックが生じた場
合は、多少気孔を有するセラミックの方が、微小クラッ
クの成長が気孔でストップし、それ以上の破壊につなが
らないので有利である。この観点から、セラミックター
ゲットの気孔率、すなオ〕ちそれに相関関係のある相対
密度（気孔率がゼロの向二組成の物質の密度に対する対
象となる物質の見掛は密度をパーセントで表わしたもの
ンを７０〜９０％として最適化した。
−万、本発明は上記のようにセラミック化されたターゲ
ットの！ｌ！！！造方法も提供するもので、それによれ
ば、カーボン製のホットプレス型の中に。
ットの！ｌ！！！造方法も提供するもので、それによれ
ば、カーボン製のホットプレス型の中に。
硫化亜鉛粉末または蛍光活性不純物を含んだ硫化亜鉛粉
末を入れ、このホットプレス型を空気雰囲気の加熱炉の
中で１０〜１００ｋｇ／ｃｍ”の圧力かつ８００〜１２
００℃の湿度でホットプレスすることにより型内の材料
を焼結してセラミック化させるものである。
末を入れ、このホットプレス型を空気雰囲気の加熱炉の
中で１０〜１００ｋｇ／ｃｍ”の圧力かつ８００〜１２
００℃の湿度でホットプレスすることにより型内の材料
を焼結してセラミック化させるものである。
実施例の説明
以下、添付図面に基づいて１本発明の詳細な説明する。
実施例１
充分乾燥した硫化亜鉛（ＺｎＳ ）粉末に、硫化マンガ
ン（ＭｎＳ）粉末を０，８原子％およびイオウ粉末を２
ｍｍ％添加し、ボールミルを用いて乾式混合をした。次
いで、仁のように混合した粉末を、第１図に示したカー
ボン製のポットプレス型につめた。
ン（ＭｎＳ）粉末を０，８原子％およびイオウ粉末を２
ｍｍ％添加し、ボールミルを用いて乾式混合をした。次
いで、仁のように混合した粉末を、第１図に示したカー
ボン製のポットプレス型につめた。
第１図のホットプレス型は、直径２０ｃｍで厚み４〜５
ｍｒｌの円板状跣化亜鉛系スパッターターゲットを作製
するためのものであり、同図において。
ｍｒｌの円板状跣化亜鉛系スパッターターゲットを作製
するためのものであり、同図において。
（υは２０ｃｍ直径の円板状上型部材、（２）は中央部
に２０ｃｍｍ型の円形突起を有すると共にその周りに２
０ｃｍより大きい直径の円形フランジを有する下型部材
、（３）は内径２０Ｃｍで外径ｓｏｃｍの円環状の同型
部材、（４）は前述の混合粉末、（５）は熱電対を入れ
るための穴で、ホットプレスの温度をコントロールする
ために用いる。
に２０ｃｍｍ型の円形突起を有すると共にその周りに２
０ｃｍより大きい直径の円形フランジを有する下型部材
、（３）は内径２０Ｃｍで外径ｓｏｃｍの円環状の同型
部材、（４）は前述の混合粉末、（５）は熱電対を入れ
るための穴で、ホットプレスの温度をコントロールする
ために用いる。
このように混合粉末（４）をつめたカーボンポットプレ
ス型をカンタルヒータの電気炉に入れ１通常・のホット
プレスの手法により、空気雰囲気中で上型部材（１）と
下型部材（２）とに圧縮力を加えてポットプレスを行っ
た。その際の圧力は５〜１５０ｋｇ／ｃｍ’で温度は７
００〜１２００℃の範囲にし１両方のパラメータを組合
せてＺｎＳ ： Ｍｎ蛍光体から成るセラミッり化され
た円板状スパッターターゲットが得られた。当然、空気
雰囲気中でカーボン型を加熱するので、カーボンは酸化
され、消耗していくが、１組の型で１１００℃で１時間
のホットプレスを少なくとも１０回実行することができ
る。カーボンが消耗するのは、型の外部のみでありｉ
＆ｕ合粉末（４）の接触するＩ〜＋１の内壁は何ら酸化
されないので、むしろル、気炉内の雰囲気２硫化亜鉛の
酸化防止のために中性や還元性にコントロールできるよ
うなｊＡ ｒＦ’ｌにして９；置を大がかりにするより
も、廉価なカーボン型を用いＣ１望気雰囲気中でホット
プレスするｂが、セラミック化さば１だ硫化曲船系スパ
ッタークーｙットを′ｄ易にかつ低コストで作製できる
分有利である。また、ｒｒＩＬ化！Ｉｎ船粉末は一般に
焼結性が悪く、ホットプレスによってのみ充分な強度の
セラミックが作ｉ１Ｊできると共に、カーボン型でホッ
トプレスを行うことは、カーボンの高＋７ｎ’＋におけ
る還元雰囲気効果とカーボンの６゛４械加工性の谷易さ
から、第１図に示すような構造に型を精密加工すること
により、後に寸法調整することなく、正確に所定寸法を
有する円板状のスパッターターゲットにホットプレス型
のみにより一気に成形できるという利点もある。
ス型をカンタルヒータの電気炉に入れ１通常・のホット
プレスの手法により、空気雰囲気中で上型部材（１）と
下型部材（２）とに圧縮力を加えてポットプレスを行っ
た。その際の圧力は５〜１５０ｋｇ／ｃｍ’で温度は７
００〜１２００℃の範囲にし１両方のパラメータを組合
せてＺｎＳ ： Ｍｎ蛍光体から成るセラミッり化され
た円板状スパッターターゲットが得られた。当然、空気
雰囲気中でカーボン型を加熱するので、カーボンは酸化
され、消耗していくが、１組の型で１１００℃で１時間
のホットプレスを少なくとも１０回実行することができ
る。カーボンが消耗するのは、型の外部のみでありｉ
＆ｕ合粉末（４）の接触するＩ〜＋１の内壁は何ら酸化
されないので、むしろル、気炉内の雰囲気２硫化亜鉛の
酸化防止のために中性や還元性にコントロールできるよ
うなｊＡ ｒＦ’ｌにして９；置を大がかりにするより
も、廉価なカーボン型を用いＣ１望気雰囲気中でホット
プレスするｂが、セラミック化さば１だ硫化曲船系スパ
ッタークーｙットを′ｄ易にかつ低コストで作製できる
分有利である。また、ｒｒＩＬ化！Ｉｎ船粉末は一般に
焼結性が悪く、ホットプレスによってのみ充分な強度の
セラミックが作ｉ１Ｊできると共に、カーボン型でホッ
トプレスを行うことは、カーボンの高＋７ｎ’＋におけ
る還元雰囲気効果とカーボンの６゛４械加工性の谷易さ
から、第１図に示すような構造に型を精密加工すること
により、後に寸法調整することなく、正確に所定寸法を
有する円板状のスパッターターゲットにホットプレス型
のみにより一気に成形できるという利点もある。
以上の手法で１種々の温度、圧力（プレス型内での保持
時間は１時間で一定）で複数のセラミック化されたスパ
ッターターゲットを作製し、紫外線、電子線で励起して
みたところ、５８５ｎｍにピークを有する黄色発光を示
し、他に何ら観測されなかったので、すべてＺｎＳ：Ｍ
ｎ蛍光体からなるセラミックになっていることが確認さ
れた。第１表には、これらスパッターターゲット（Ｚｎ
Ｓ：Ｍｎセラミック）の相対密度と抗折強度を示しであ
る。また、これら２０ｃｍ直径の円板状ＺｎＳ：Ｍｎセ
ラミックを高周波マグネトロン式スパッター装置のター
ゲットとして、陰極にインジウム系低山ハンダを介して
はりつけ、 ８Ｘ１０−’ＴｏｒｒのＡｒガス圧でスパ
ツターシた時に、スパッターパワーを徐々に増していっ
て何Ｗで熱ショックにより破壊したかも同表に示した。
時間は１時間で一定）で複数のセラミック化されたスパ
ッターターゲットを作製し、紫外線、電子線で励起して
みたところ、５８５ｎｍにピークを有する黄色発光を示
し、他に何ら観測されなかったので、すべてＺｎＳ：Ｍ
ｎ蛍光体からなるセラミックになっていることが確認さ
れた。第１表には、これらスパッターターゲット（Ｚｎ
Ｓ：Ｍｎセラミック）の相対密度と抗折強度を示しであ
る。また、これら２０ｃｍ直径の円板状ＺｎＳ：Ｍｎセ
ラミックを高周波マグネトロン式スパッター装置のター
ゲットとして、陰極にインジウム系低山ハンダを介して
はりつけ、 ８Ｘ１０−’ＴｏｒｒのＡｒガス圧でスパ
ツターシた時に、スパッターパワーを徐々に増していっ
て何Ｗで熱ショックにより破壊したかも同表に示した。
尚、実際にスパッターする時のパワーは２５０Ｗ前後が
多く、事実そのパワーで充分温度二８００〜１２００℃ 圧力ニ １０〜１００ｋｇ／ｃｍ” の条件でカーボン製のホットプレス型を用いてホットプ
レスした時に得られ、その時に得られるＺｎＳ ： Ｍ
ｎセラミック製のスパッターターゲットは。
多く、事実そのパワーで充分温度二８００〜１２００℃ 圧力ニ １０〜１００ｋｇ／ｃｍ” の条件でカーボン製のホットプレス型を用いてホットプ
レスした時に得られ、その時に得られるＺｎＳ ： Ｍ
ｎセラミック製のスパッターターゲットは。
相対密度＝７０〜９０％
抗折強度： ５０ｋｇ／ｃｍ２以上
の特性を有する。
次に、第１表における１ｆ１５およびＡ８のターゲット
を用いてスパッター法により実際に、第２図に示したよ
うな構成のＥＬパネルを作製し、その特性を示した。第
２図において、ガラス基板ＱＯの上に透明電極ａυをコ
ートし、さらにその上に、Ｙ２Ｏ３膜０１ （５０人厚
、活性ＥＢ蒸着法）、ＺｎＳ ： Ｍｎ ＠（１１（４
７００人厚、高周波マグネトロンスパッター法）。
を用いてスパッター法により実際に、第２図に示したよ
うな構成のＥＬパネルを作製し、その特性を示した。第
２図において、ガラス基板ＱＯの上に透明電極ａυをコ
ートし、さらにその上に、Ｙ２Ｏ３膜０１ （５０人厚
、活性ＥＢ蒸着法）、ＺｎＳ ： Ｍｎ ＠（１１（４
７００人厚、高周波マグネトロンスパッター法）。
Ｙ２Ｏ３膜Ｑ４１ （４０００Ａ厚、活性ＥＢ蒸着法）
、 Ａｅ２０ｓ 膜０１ （ｌ０００人？、活性ＥＢ
蒸着法）、Ａｅ主電極ＩＴ９（１０００人厚、抵抗加熱
蒸着法）の順に積層することによ１）ＥＬパネルが構成
されている。そして、その特性は、透明電極ａυとＡｅ
−電極ＱＱとの間に交流電源Ｑηにより５ＫＨｚの正弦
波を印加して発光せしめることにより測定した。尚、Ａ
５およびＡ８のターゲットを用いてＺｎＳ ： Ｍｎ膜
四を高周波マグネトロンスパッター法により形成した際
のスパッター条件は下記のとおりである。
、 Ａｅ２０ｓ 膜０１ （ｌ０００人？、活性ＥＢ
蒸着法）、Ａｅ主電極ＩＴ９（１０００人厚、抵抗加熱
蒸着法）の順に積層することによ１）ＥＬパネルが構成
されている。そして、その特性は、透明電極ａυとＡｅ
−電極ＱＱとの間に交流電源Ｑηにより５ＫＨｚの正弦
波を印加して発光せしめることにより測定した。尚、Ａ
５およびＡ８のターゲットを用いてＺｎＳ ： Ｍｎ膜
四を高周波マグネトロンスパッター法により形成した際
のスパッター条件は下記のとおりである。
ガス圧： ８ｘｌＯ−２Ｔｏｒｒ Ａｒパワー： ２５
０Ｗ（０，２７Ａｘｔ、６ＫＶ）基板温度＝２５０℃ ターゲット−基板距離； ５５ｍｍ スパッター後熱処理二６００℃、１時間、真空中 Ａ５およびＡ８のターゲットをそれぞれ用いて作製した
第２図のような構成の２種類のＥＬパネルについての輝
度−電圧特性を第８図に示しである。
０Ｗ（０，２７Ａｘｔ、６ＫＶ）基板温度＝２５０℃ ターゲット−基板距離； ５５ｍｍ スパッター後熱処理二６００℃、１時間、真空中 Ａ５およびＡ８のターゲットをそれぞれ用いて作製した
第２図のような構成の２種類のＥＬパネルについての輝
度−電圧特性を第８図に示しである。
同図から明らかなように、いずれの場合も、 ＥＢ法で
作製したＺｎＳ ： Ｍｎ ｇを備えたＥＬパネルと同
等の最高レベルの特性が得られる。スパッターパワーを
２５０Ｗと一定にして、スパッタ７、レート（膜形成速
度）の時間的変化を調べた結果、２４時間スパッターを
続けると、粉末ターゲットではレートが初期の１／３程
度に低下するが１本実施例のセラミック製ターゲットに
おいては、２４時間後も低下率が５％Ｈａｉ１度で安定
であった。ＺｎＳ ：Δｉｎ膜におけるＭｎの含量も０
．８％とターゲット中における含量と同じで、かつ経時
的にも一定であり、これらのことは大量生１ｂを考えた
場合非常に有利な条件である。
作製したＺｎＳ ： Ｍｎ ｇを備えたＥＬパネルと同
等の最高レベルの特性が得られる。スパッターパワーを
２５０Ｗと一定にして、スパッタ７、レート（膜形成速
度）の時間的変化を調べた結果、２４時間スパッターを
続けると、粉末ターゲットではレートが初期の１／３程
度に低下するが１本実施例のセラミック製ターゲットに
おいては、２４時間後も低下率が５％Ｈａｉ１度で安定
であった。ＺｎＳ ：Δｉｎ膜におけるＭｎの含量も０
．８％とターゲット中における含量と同じで、かつ経時
的にも一定であり、これらのことは大量生１ｂを考えた
場合非常に有利な条件である。
さらに、ターゲット表面も粉末の場合のように局部的に
褐色に変化することもなく、セラミック製ターゲットの
表面組成はほぼ一定と考えられた。
褐色に変化することもなく、セラミック製ターゲットの
表面組成はほぼ一定と考えられた。
この結果は、セラミック製ターゲットの表面の緻密均質
性と、熱伝導性の良さに起因するものと考察される。
性と、熱伝導性の良さに起因するものと考察される。
実施例２
実施例１におけるＭｎＳの代りに、 ＴｂＦ＋を２モル
％添加し、同様にホットプレスしてＺｎＳ ： ＴｂＦ
３蛍光体セラミックから成るスパッターターゲットを複
数個作製した。硫化亜鉛粉末の焼結性は、蛍光活性不純
物として添加するλ（ｎＳやＴｂＦ３により多少影響を
受けるが、はとんどホットプレスの温度および圧力によ
って決る。ただ、 ＴｂＦ３添加の場合は。
％添加し、同様にホットプレスしてＺｎＳ ： ＴｂＦ
３蛍光体セラミックから成るスパッターターゲットを複
数個作製した。硫化亜鉛粉末の焼結性は、蛍光活性不純
物として添加するλ（ｎＳやＴｂＦ３により多少影響を
受けるが、はとんどホットプレスの温度および圧力によ
って決る。ただ、 ＴｂＦ３添加の場合は。
それ自体１０００℃付近に融点を持つので、液相焼結的
な効果が加わり、高温側での焼結力Ｓ ＭｎＳ添加の場
合に比較し、一層容易になる。従って、このＺｎＳ ：
ＴｂＦｓ系の場合もＭｎＳ添加の場合と同様「こ、温
度８００〜１２００℃で圧力１０〜１００ｋｇ／ｃｍ’
の条件で、相対密度７０〜９０％で抗折強度５０ｋｇ／
ｃｍ” 以上のセラミック製置板状スパッターターゲッ
トを作製できた。そして、このような特性を有するセラ
ミック製ターゲットは、スパッタ一時の熱ショックに対
し充分抵抗力を有することが判った。
な効果が加わり、高温側での焼結力Ｓ ＭｎＳ添加の場
合に比較し、一層容易になる。従って、このＺｎＳ ：
ＴｂＦｓ系の場合もＭｎＳ添加の場合と同様「こ、温
度８００〜１２００℃で圧力１０〜１００ｋｇ／ｃｍ’
の条件で、相対密度７０〜９０％で抗折強度５０ｋｇ／
ｃｍ” 以上のセラミック製置板状スパッターターゲッ
トを作製できた。そして、このような特性を有するセラ
ミック製ターゲットは、スパッタ一時の熱ショックに対
し充分抵抗力を有することが判った。
このようにして得られたターゲットの中で、相対密度７
５％で抗折強度５５ｋｇ／ｃｍ２のターゲット中このＥ
Ｌパネルを作製するにあたりｂ ＺｎＳ ： ＴｂＦ３
膜は、以下のスパッター条件で形成しｔこ。
５％で抗折強度５５ｋｇ／ｃｍ２のターゲット中このＥ
Ｌパネルを作製するにあたりｂ ＺｎＳ ： ＴｂＦ３
膜は、以下のスパッター条件で形成しｔこ。
ガス圧： ６Ｘ１０−３Ｔｏｒｒ Ａｒパワー ： ２
．５０Ｗ （０，２７ＡＸ １．６ＫＶ ）基板温度＝
２５０℃ ターゲット−基板距離： ５５ｍｍ スパッター後熱処理＝８５０℃、１時間、真空中以上の
ようにして作製したＥＬパネルは１ｂイオンの糸、：）
色発光を示し、その輝度−市、正特性を第８図に一点に
肩線で示す。この特性曲線から明らかなように、本ＥＬ
パネルは従来１１ノられるＸ１ｌｌ ）５４の最晶レベ
ルに達している。
．５０Ｗ （０，２７ＡＸ １．６ＫＶ ）基板温度＝
２５０℃ ターゲット−基板距離： ５５ｍｍ スパッター後熱処理＝８５０℃、１時間、真空中以上の
ようにして作製したＥＬパネルは１ｂイオンの糸、：）
色発光を示し、その輝度−市、正特性を第８図に一点に
肩線で示す。この特性曲線から明らかなように、本ＥＬ
パネルは従来１１ノられるＸ１ｌｌ ）５４の最晶レベ
ルに達している。
一万、本実施例におけるターゲットは、実施例１におけ
るＺｎＳ：Ｍセラミック貌ターゲットと同様に、２４時
間スパッターを続けてもスパッターレート（膜形成速度
）は変らず、Ｔｂの膜中の濃度も時間に関係なく一定で
あった。
るＺｎＳ：Ｍセラミック貌ターゲットと同様に、２４時
間スパッターを続けてもスパッターレート（膜形成速度
）は変らず、Ｔｂの膜中の濃度も時間に関係なく一定で
あった。
発明の効果
以上述べたように１本発明の硫化亜鉛系スパッターター
ゲットは、硫化！ＩＩ！鉛粉末または蛍光活性不純物を
含んだ硫化亜鉛粉末を焼結して、相対密度が７０〜９０
％で抗折強度が５０ｋｇ／ｃｍ２以上になるようにセラ
ミック化してｔＭ ｎＱしであるので、 ＥＬパネルな
・に応用する硫化亜鉛系蛍光薄膜の星産用として優れた
。特にインラン方式のスーパツタ−装ｊ”Ｉ争に適した
以下の特性および利点を有する。
ゲットは、硫化！ＩＩ！鉛粉末または蛍光活性不純物を
含んだ硫化亜鉛粉末を焼結して、相対密度が７０〜９０
％で抗折強度が５０ｋｇ／ｃｍ２以上になるようにセラ
ミック化してｔＭ ｎＱしであるので、 ＥＬパネルな
・に応用する硫化亜鉛系蛍光薄膜の星産用として優れた
。特にインラン方式のスーパツタ−装ｊ”Ｉ争に適した
以下の特性および利点を有する。
（１）熱ショックに強い。
（２）ターゲット組成およびスパッター膜組成とも作製
経時変化がない。
経時変化がない。
（３Ｊスパツターレート（膜形成速度）が一定である。
（４ＪＥＬパネルに応用した場合、最高レベルの輝度が
得られる。
得られる。
一万１本発明の既化亜鉛系スパッターターゲットの製造
方法では、カーボン製のホットプレス型の中に、硫化亜
鉛粉末または蛍光活性不純物を含んだ硫化亜鉛粉末を入
れ、このホットプレス型を空気雰囲気の加燃炉の中で１
０〜１００ｋｇ／ｃｍ” の圧力かつ８００〜１２００
℃の温度でホットプレスすることにより型内の材料を焼
結してセラミック化するようにしであるので１次の利点
がある。
方法では、カーボン製のホットプレス型の中に、硫化亜
鉛粉末または蛍光活性不純物を含んだ硫化亜鉛粉末を入
れ、このホットプレス型を空気雰囲気の加燃炉の中で１
０〜１００ｋｇ／ｃｍ” の圧力かつ８００〜１２００
℃の温度でホットプレスすることにより型内の材料を焼
結してセラミック化するようにしであるので１次の利点
がある。
（１）ホットプレスを容易にかつ低コストで行うことが
できる。
できる。
（２）炉内の蓑囲気を中性や還元性にコントロールする
必要がないため、炉を大がかりにすることがない。
必要がないため、炉を大がかりにすることがない。
（３）ホットプレス型の加工が容易にかつ高精度に行な
えるため、成形製品の寸法調整をする必要がない。
えるため、成形製品の寸法調整をする必要がない。
（４）得られたスパッターターゲットが、前記の特性や
利点を有する。
利点を有する。
第１図は本発明のスパッターターゲットを作製するため
に使用するカーボン製ホットプレス型を示す断面図、第
２図は本発明のスパッターターゲットを用いてスパッタ
ー法により作製したＥＬパネルを示す正面図、第８因は
本発明にかかる種々なスパッターターゲットを用いて作
製したＥＬパネルの輝度−電圧特性を示すグラフである
。 （１） （２＋ ＋３）・・・ホットプレス型、（４）
・・・硫化亜鉛系粉末、０１ ・・・ガラス基板、Ｏｖ
・・・透明電極、０りＯ噌・・・Ｙ２Ｏ３膜、Ｑ３−
ＺｎＳ ： Ｍｎｆｉ！、！、 Ｏｔｊ −Ａｅ２０３
ｖ４、曽・Ａｔ？ 電極、０η・・・交流Ｗｌ源 代即人 森木義弘 第１図 第３図 ｔｈＳ 電圧（Ｖ； −ｓ ） 第１頁の続き ０発 明 者 阿部惇 門真市大字門真１００６番地松下電 器産業株式会社内 ＠発 明 者 新田恒治 門真市大字門真１００６番地松下電 器産業株式会社内
に使用するカーボン製ホットプレス型を示す断面図、第
２図は本発明のスパッターターゲットを用いてスパッタ
ー法により作製したＥＬパネルを示す正面図、第８因は
本発明にかかる種々なスパッターターゲットを用いて作
製したＥＬパネルの輝度−電圧特性を示すグラフである
。 （１） （２＋ ＋３）・・・ホットプレス型、（４）
・・・硫化亜鉛系粉末、０１ ・・・ガラス基板、Ｏｖ
・・・透明電極、０りＯ噌・・・Ｙ２Ｏ３膜、Ｑ３−
ＺｎＳ ： Ｍｎｆｉ！、！、 Ｏｔｊ −Ａｅ２０３
ｖ４、曽・Ａｔ？ 電極、０η・・・交流Ｗｌ源 代即人 森木義弘 第１図 第３図 ｔｈＳ 電圧（Ｖ； −ｓ ） 第１頁の続き ０発 明 者 阿部惇 門真市大字門真１００６番地松下電 器産業株式会社内 ＠発 明 者 新田恒治 門真市大字門真１００６番地松下電 器産業株式会社内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、硫化亜鉛粉末または蛍光活性不純物を含んだ硫化亜
鉛粉末を焼結して、相対紺度が７０〜９０％で抗折強度
が５０ｋｇ／ｃｍ” 以上になるようにセラミック化し
て成る硫化亜鉛系スパッターターゲット。 ２ カーボン製のホットプレス型の中に、硫化亜鉛粉末
または蛍光活性不純物を含んだ硫化亜鉛粉末を入れ、こ
のホットプレス型を空気雰囲気の加熱炉の中で１０〜１
００ｋｇ／ｃｍ２の圧力かつ８００〜１２００℃の温度
でホットプレスすることにより型内の材料を焼結してセ
ラミック化するようにした硫化亜鉛系スパッターターゲ
ットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58129179A JPS6021372A (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | 硫化亜鉛系スパツタ−タ−ゲツトとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58129179A JPS6021372A (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | 硫化亜鉛系スパツタ−タ−ゲツトとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6021372A true JPS6021372A (ja) | 1985-02-02 |
Family
ID=15003090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58129179A Pending JPS6021372A (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | 硫化亜鉛系スパツタ−タ−ゲツトとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6021372A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0253390A2 (en) | 1986-07-17 | 1988-01-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Photographic support and color photosensitive material |
| JPH0339468A (ja) * | 1989-07-06 | 1991-02-20 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | ハイドロキシアパタイト質ターゲット |
| EP0872571A1 (de) * | 1997-04-16 | 1998-10-21 | LEYBOLD MATERIALS GmbH | Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargets auf der Basis von Zinksulfid sowie das Sputtertarget selbst |
| WO2009028641A1 (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Kuraray Luminas Co., Ltd. | 硫化亜鉛成型体及びその製造方法 |
| CN107805788A (zh) * | 2017-11-08 | 2018-03-16 | 清远先导材料有限公司 | 碲化锌靶材的制备方法 |
-
1983
- 1983-07-14 JP JP58129179A patent/JPS6021372A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0253390A2 (en) | 1986-07-17 | 1988-01-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Photographic support and color photosensitive material |
| JPH0339468A (ja) * | 1989-07-06 | 1991-02-20 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | ハイドロキシアパタイト質ターゲット |
| EP0872571A1 (de) * | 1997-04-16 | 1998-10-21 | LEYBOLD MATERIALS GmbH | Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargets auf der Basis von Zinksulfid sowie das Sputtertarget selbst |
| WO2009028641A1 (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Kuraray Luminas Co., Ltd. | 硫化亜鉛成型体及びその製造方法 |
| JP5451393B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2014-03-26 | 株式会社クラレ | 硫化亜鉛成型体及びその製造方法 |
| CN107805788A (zh) * | 2017-11-08 | 2018-03-16 | 清远先导材料有限公司 | 碲化锌靶材的制备方法 |
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