JPH10320713A

JPH10320713A - 磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH10320713A
Application number: JP12858397A
Authority: JP
Inventors: Fusashige Tokutake; 房重徳竹; Junichi Honda; 順一本多
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1997-05-19
Filing date: 1997-05-19
Publication date: 1998-12-04

Abstract

(57)【要約】【課題】融着ガラスにより、一対の磁気コア半体を接
合しても、磁性薄膜成分と融着ガラスとが反応して融着
ガラスの可視性を低下させるようなことがない磁気ヘッ
ドを提供する。【解決手段】基板上に磁性層６を形成した一対の磁気
コア半体２，３が磁気ギャップｇを介して接合一体化さ
れた磁気ヘッドにおいて、この磁性層６は、組成がＦｅ
_aＭ_bＮ_c（但し、ＭはＴａ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔｉ，
Ｃｒのうちの少なくとも一種であり、ａ，ｂ，ｃは原子
パーセントを示す。）で表され、組成が７１≦ａ≦８
５，６≦ｂ≦１５，９≦ｃ≦１６で表される範囲内にあ
る金属磁性膜を有し、磁気ギャップの少なくとも一部に
は、ＣｒとＳｉＯ₂とからなる積層膜が形成されてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、軟磁性薄膜が磁気
コアとして使用された磁気ヘッドに関し、詳しくは、一
対の磁気コア半体が融着ガラスにより接合され、この融
着ガラスの可視性を測定することにより磁気ギャップの
デプス方向の深さが検査される磁気ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気記録の分野においては、磁気
記録媒体される信号の高密度化の著しい進展に伴い、非
磁性支持体上に金属磁性膜を形成してなるメタルテープ
のような高抗磁力を有する磁気記録媒体に対して良好に
記録再生することが要求されている。一方、このような
高抗磁力の磁気記録媒体に対して記録再生を行う磁気ヘ
ッドにおいては、十分に大きな記録磁界を発生させるた
めに、より高い飽和磁束密度を有し、かつ優れた軟磁気
特性を有する金属磁性材料を磁気コアとして使用するこ
とが要求されている。

【０００３】そのため、磁気ヘッドは、磁気コアを補助
する補助コア材としてフェライトを用い、そのフェライ
ト上に高飽和磁束密度を有する金属磁性薄膜を磁気コア
の材料として形成し、磁気ギャップが上記金属磁性薄膜
から形成されてなる、いわゆるメタル・イン・ギャップ
（ＭＩＧ）型の磁気ヘッドが使用されている。また、こ
のＭＩＧ型の磁気ヘッドにおいて、Ｆｅを主成分とする
微結晶金属磁性薄膜は、高い飽和磁束密度を有し、優れ
た軟磁気特性を有することから、従来の磁気ヘッド用の
金属磁性材料に代えて実用化され始めている。

【０００４】このＭＩＧ型の磁気ヘッドにおいては、通
常、磁気コア半体上に形成された金属磁性膜上のＳｉＯ
₂等の酸化物非磁性材料がスパッタリング法等により被
着形成されている。そして、この磁気ヘッドは、製造工
程において、融着ガラスにより、一対の磁気コア半体上
に形成されているＳｉＯ₂が形成されている面を突き合
わせて一体化されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例えば
ＦｅＴａＮ等の微結晶金属磁性薄膜とＳｉＯ₂からなる
磁気ギャップを有するＭＩＧ型の磁気ヘッドでは、一対
の磁気コア半体を融着して接合する際に、図９に示すよ
うに、磁性膜２０及びＳｉＯ₂膜２１が形成された一対
の磁気コア半体２２，２３を突き合わせた状態で融着ガ
ラス２４により接合を行う。そして、図１０に示すよう
に、融着ガラス２４を充填することによって一対の磁気
コア半体２２，２３を接合させる。このとき、一対の磁
気コア半体２２，２３にそれぞれ形成されているＳｉＯ
₂膜２１は、一対の磁気コア半体２２，２３が接合され
る際に磁気ギャップｇ以外の部分が融着ガラス２４の熱
により溶けてしまう。このように、ＳｉＯ₂膜２１が溶
けてしまうと、融着ガラス２４と磁性薄膜２０との接触
が生じ、磁性薄膜２０に侵食が生じてしまう。このこと
は、ＳｉＯ₂膜２１が融着ガラス２４の成分として含ま
れることによる。また、ＳｉＯ₂膜２１は、酸化物であ
るために、分子構造が大きいために構造が粗く、格子欠
陥等の構造的な欠陥を通しても融着ガラス２４と磁性薄
膜２０との接触が生じてしまう。

【０００６】このように融着ガラス２４と磁性薄膜２０
とが接触することにより、この融着ガラス２４と磁性薄
膜２０との界面では、原子の移動が起こり、磁性薄膜２
０の成分が融着ガラス２４中に溶け出し、融着ガラス２
４と磁性薄膜２０との界面において軟磁気特性が劣化す
るという問題が生じている。さらに、この磁気ヘッドで
は、融着ガラス２４中に溶け出した磁性薄膜２０成分と
融着ガラス２４とが反応して融着ガラス２４の可視性が
著しく劣化してしまう。

【０００７】ところで、磁気ヘッドの製造工程において
は、磁気ヘッドを製造した後、融着ガラスの深さを検出
することにより、磁気ヘッドのギャップ深さを高精度に
測定している。これは、磁気ヘッドのギャップ深さは、
磁気ヘッドの電磁変換特性やヘッド寿命に大きく影響を
及ぼすためである。

【０００８】しかしながら、上述のように、融着ガラス
中に溶け出した磁性薄膜成分と融着ガラスとが反応して
融着ガラスの可視性が著しく劣化してしまうと、磁気ギ
ャップの深さを測定することができなくなってしまい、
結果的に磁気ヘッドの不良率が増加してしまうという問
題がある。

【０００９】特に、磁気ギャップの幅方向における端部
では、ＳｉＯ₂の構造が粗くなり易く、表面の化学的な
ポテンシャルが高くなる結果、ＳｉＯ₂の侵食が起こり
易いため、融着ガラスと磁性薄膜成分との反応が集中
し、融着ガラスの可視性が低下しているという問題点が
ある。

【００１０】そこで、本発明は、上述したような問題点
に鑑みて提案されたものであり、融着ガラスにより、一
対の磁気コア半体を接合しても、磁性薄膜成分と融着ガ
ラスとが反応して融着ガラスの可視性を低下させるよう
なことがない磁気ヘッドを提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決する本
発明にかかる磁気ヘッドは、基板上に磁性層を形成した
一対の磁気コア半体が磁気ギャップを介して接合一体化
された磁気ヘッドにおいて、この磁性層は、組成がＦｅ
_aＭ_bＮ_c（但し、ＭはＴａ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔｉ，
Ｃｒのうちの少なくとも一種であり、ａ，ｂ，ｃは原子
パーセントを示す。）で表され、組成が７１≦ａ≦８
５，６≦ｂ≦１５，９≦ｃ≦１６で表される範囲内にあ
る金属磁性膜を有し、磁気ギャップの少なくとも一部に
は、ＣｒとＳｉＯ₂とからなる積層膜が形成されている
ことを特徴とするものである。

【００１２】このように構成された磁気ヘッドは、磁性
層上にＣｒが形成されているので、一対の磁気コア半体
を融着して接合する際においても、融着ガラスと磁性層
とが接触してしまうようなことがない。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる磁気ヘッド
について図面を参照しながら詳細に説明する。

【００１４】本発明を適用した磁気ヘッド１は、図１に
示すように、第１の磁気コア半体２と第２の磁気コア半
体３とが突き合わされて一体化されており、これら第１
の磁気コア半体２と第２の磁気コア半体３とが構成する
突き合わせ面において、磁気ギャップｇを形成するよう
になっている。

【００１５】これら第１の磁気コア半体２及び第２の磁
気コア半体３は、一対の基板５ａ，５ｂ上に磁性膜６
ａ，６ｂが形成されて、一体化されてなる。そして、こ
れら第１の磁気コア半体２と第２の磁気コア半体３と
は、磁性膜６ａ，６ｂの端面同士を対向させて突き合わ
され、融着ガラス４により接合一体化されて、内部に磁
束が流れるように閉ループを構成している。また、第１
の磁気コア半体２及び第２の磁気コア半体３は、媒体摺
動面１ａに磁気ギャップｇを構成して、一体化されてい
る。

【００１６】また、第１の磁気コア半体２と第２の磁気
コア半体３の突き合わせ面には、磁気ギャップｇのデプ
ス方向の長さ寸法Ｄ_pを規制するとともに、コイルを巻
くための巻線窓７が形成されている。このコイルは、磁
気記録媒体への記録時において、電流が供給されること
によって、磁気ギャップｇから漏れ磁束を発生させて信
号を記録し、再生時において、磁気記録媒体に記録され
ている信号に対応した信号を検出する機能を有する。

【００１７】なお、この磁性膜６ａ，６ｂとしては、例
えば膜厚が約４μｍ程度に形成されたＦｅ−Ｔａ−Ｎ合
金膜が使用可能である。具体的には、この磁性膜６ａ，
６ｂは、組成がＦｅ_aＭ_bＮ_cで表されるものである。こ
こで、Ｍは、Ｔａ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｃｒのう
ちの少なくとも一種の原子が選択されるが、複数の原子
を選択しても良い。また、この磁性膜６ａ，６ｂは、軟
磁気特性の観点から、それぞれの含有量ａ，ｂ，ｃを原
子％としたとき、Ｆｅが約７１≦ａ≦約８５、Ｍが約６
≦ｂ≦約１５、窒素Ｎが約９≦ｃ≦約１６の範囲内とす
ることが望ましい。

【００１８】この磁性膜６ａ，６ｂを成膜する方法とし
ては、ガス中蒸着法、クラスターイオンビーム法やスパ
ッタ法等の真空薄膜形成法が用いられるが、例えば強磁
性酸化物からなる基板５ａ，５ｂとの密着性の観点か
ら、スパッタ法により形成することが望ましい。このス
パッタ法としては、例えば直流二極式スパッタ法、高周
波スパッタ法、バイアス式スパッタ法、対向ターゲット
式スパッタ法等が挙げられるが、いづれのスパッタ法で
も良い。

【００１９】また、この磁性膜６ａ，６ｂとしては、上
述した組成がＦｅ−Ｍ−Ｎからなるものの他に渦電流損
の低減を図り、非磁性膜や絶縁膜等を積層した多層膜構
造としても良い。

【００２０】また、上記磁気ギャップｇを構成する磁性
膜６ａ，６ｂ上には、図２に示すように、Ｃｒ膜８とＳ
ｉＯ₂膜９とが形成されている。このＣｒ膜８は、磁性
膜６ａ，６ｂ上に約１ｎｍ〜１０ｎｍ程度の厚さ寸法で
形成されている。また、このＳｉＯ₂膜９は、Ｃｒ膜８
上に例えば９０ｎｍ程度の厚さ寸法に形成されている。
そして、このＳｉＯ₂膜９は、図３に示すように、第１
の磁気コア半体２と第２の磁気コア半体３とが接合され
る際において、融着ガラス４により磁気ギャップｇ以外
の部分が融解されている。

【００２１】以下、上述した磁気ヘッド３の構造を、製
造方法を通じて詳細に説明する。

【００２２】この磁気ヘッド１を製造する際には、先
ず、図４に示すように、磁気コア半体を例えば１４本程
度を得られるような大きさを有し、例えば縦方向の長さ
寸法ｔ₁が約４５ｍｍ、横方向の長さ寸法ｔ₂が約４５ｍ
ｍ、厚さ方向の長さ寸法ｔ₃が約１ｍｍ程度の大きさを
有する基板１０を用意する。なお、この基板１０は、例
えばＭｎ−ＺｎもしくはＮｉ−Ｚｎ等または強磁性酸化
物からなるものも使用可能である。

【００２３】次に、上述した工程で用意された基板１０
に、図５に示すように、上記一方面１０ａに対して断面
略Ｕ字状のトラック幅規制溝１１を形成する。なお、以
下に説明する図２〜図８は、磁気コア半体が１本得られ
る程度の大きさを拡大して示した図である。このトラッ
ク幅規制溝１１は、上記一方面１０ａの一部を平坦部と
することにより、この平坦部の幅ｔ₄が、製造された磁
気ヘッド１の磁気ギャップｇのトラック幅方向における
幅となるように形成している。なお、トラック幅規制溝
１１は、上記一方面１０ａに対する角度を約６０゜程度
として形成されており、また、開口部の幅ｔ₅を約１９
０μｍ程度とし、深さｔ₆を約９５μｍ程度とし、トラ
ック幅ｔ₄を約１６μｍ程度となるように形成されてい
る。また、このトラック幅規制溝１１は、Ｕ字状に形成
する場合のみならず、方形状に形成しても良く、さらに
はＶ字状に形成しても良い。

【００２４】次に、トラック幅規制溝１１が形成された
基板１０上には、図６に示すように、図１で示した磁気
ヘッド１の巻線窓７となる巻線溝１２を形成する。この
巻線溝１２は、例えば開口部の幅ｔ₇を約６５０μｍ程
度に形成し、深さｔ₈を約２００μｍ程度となるように
形成している。また、巻線溝１２は、フロントギャップ
側における側面が上記一方面１０ａに対する角度を約４
０゜程度、バックギャップ側における側面が上記一方面
１０ａに対する角度を約９０゜程度となるように形成し
ている。そして、トラック幅規制溝１１，巻線溝１２を
形成した状態で、フロントギャップとなる部分に対して
表面粗度が約５０ｎｍ程度となるように研磨を施す。

【００２５】次に、このトラック幅規制溝１１，巻線溝
１２を形成した一方面１０ａに対して上述したように組
成がＦｅＭＮで表されるの磁性膜６を約４μｍ程度の厚
さとなるように成膜する。なお、この磁性膜６は、例え
ばＤＣマグネトロンスパッタ装置等の薄膜形成装置を用
いて行う。例えば上記ＤＣマグネトロンスパッタ装置を
使用した場合における成膜条件としては、例えばＦｅＴ
ａＮの磁性膜６を成膜する場合ターゲットの組成をＦｅ
₈₇Ｔａ₁₃［ａｔ％］とし、導入ガスをＡｒ＋Ｎ₂とし、
電力密度を５．０Ｗ／ｃｍ²とし、Ａｒ＋Ｎ₂を導入する
ことによってスパッタガス圧を約０．５Ｐａ（Ｎ₂分圧
約２０％）とし、電極間距離を約６０ｍｍ程度として成
膜を行う。

【００２６】次に、この磁性膜６上にＣｒ膜８を約１〜
１０ｎｍ程度の厚さで形成する。そして、このＣｒ膜８
上にＳｉＯ₂膜９を約８５〜９４ｎｍ程度の厚さで形成
する。なお、このＣｒ膜８及びＳｉＯ₂膜９は、例えば
高周波ＲＦスパッタ装置等の薄膜形成装置を用いて行
う。例えば上記高周波ＲＦスパッタ装置を使用してＣｒ
膜８やＳｉＯ₂膜９を成膜する場合における成膜条件と
しては、導入ガスをＡｒとし、電力密度を１．０Ｗ／ｃ
ｍ²とし、Ａｒ導入することによってスパッタガス圧を
約０．４Ｐａとし、電極間距離を約６０ｍｍ程度として
成膜を行う。

【００２７】次に、上述のように磁性膜６、Ｃｒ膜８及
びＳｉＯ₂膜９を形成した一対の基板１０の一方面１０
ａを、図２に示すように磁気ギャップｇを形成するよう
に突き合わせる。このとき、磁気ギャップｇ及びトラッ
ク幅規制溝１１により形成された部分においては、Ｓｉ
Ｏ₂膜９が均一に形成されていることがわかる。

【００２８】そして、図７に示すように、トラック幅規
制溝１１に対して融着ガラス４を流し込むことにより一
対の基板１０を接合する。このとき、ＳｉＯ₂膜９は、
図３に示すように、融解された高温の融着ガラス４によ
り一体化されることにより、トラック幅規制溝１１上に
形成されていたＳｉＯ₂膜９が融解ガラス４中に溶け出
していることがわかる。また、磁気ギャップｇ間のＳｉ
Ｏ₂膜９は、トラック幅方向における端部が僅かに融着
ガラス４中に溶け出しているだけである。そして、この
磁気ヘッドの製造方法においては、図２及び図３に示す
ように、磁性膜６上にＣｒ膜８が形成されているため、
この融着ガラス４中にＳｉＯ₂膜９が溶け出しても、Ｃ
ｒ膜８がほとんど融着ガラス４が溶け出さず、融着ガラ
ス４と磁性膜６とが接触していないことがわかる。

【００２９】したがって、この磁気ヘッドの製造方法に
よれば、従来の磁気ヘッドの製造方法ように、融着ガラ
スと磁性膜とが接触して、融着ガラスと磁性層とが反応
して融着ガラスの可視性が劣化してしまうようなことが
ない。

【００３０】次に、接合された一対の基板１０の側面に
対して、図８に示すように、コイルを巻回するための巻
線ガイド溝１３を形成する。そして、媒体摺動面１ａと
なる部分に対して円筒研磨を施すことにより曲面状の媒
体摺動面１ａを形成した後、磁気ギャップｇのアジマス
角が約２０゜程度となるように図８中の点線ａ，ｂ，
ｃ，ｄ，ｅで示すように切断することによって磁気ヘッ
ド１を完成させる。

【００３１】そして、このように製造された磁気ヘッド
１は、デプス方向における磁気ギャップｇの長さ寸法が
検査される。ここで、上述の磁気ヘッドの製造工程にお
いて、Ｃｒ膜８とＳｉＯ₂膜９とが成膜された状態で、
厚さが約１００ｎｍとなるようにそれぞれ膜厚比を変化
させて成膜してデプス方向における融着ガラスの可視性
及び実効ギャップを測定した結果を表１示す。

【００３２】

【表１】

【００３３】この表１によれば、融着ガラスの可視性
は、Ｃｒ膜８の膜厚を０ｎｍ〜０．５ｎｍ程度の膜厚に
形成し、ＳｉＯ₂膜９の膜厚を９５ｎｍ〜９４．５ｎｍ
程度の膜厚に形成した場合において良好とはならず、正
確に磁気ギャップｇのデプス方向の長さを図ることがで
きないと考えられる。

【００３４】また、この融着ガラスの可視性は、Ｃｒ膜
８の膜厚を約１．０ｎｍ以上の膜厚に形成し、ＳｉＯ₂
膜９の膜厚を約９４ｎｍ以下の膜厚に形成した場合にお
いて良好となることがわかる。

【００３５】このように、融着ガラスの可視性は、磁性
膜６上に形成するＣｒ膜８の膜厚が約０．５ｎｍ以下の
場合において、融着ガラス４により一対の基板１０を接
合する際、融着ガラス４の熱等により磁性膜６成分が融
着ガラス中に溶け出してしまい融着ガラスの可視性を悪
化させてしまう。

【００３６】一方、磁性膜６上に形成するＣｒ膜８の膜
厚が約１．０ｎｍ以上となるように成膜した場合におい
ては、一対の基板１０を融着ガラス４により接合しても
Ｃｒ膜８が融着ガラス４の熱等によりほとんど溶け出し
てしまうようなことがなくそのまま残る。したがって、
Ｃｒ膜８の膜厚を約１．０ｎｍ以上とすることによっ
て、融着ガラス４と磁性膜６とが接触することがなく、
融着ガラス４の可視性が良好な磁気ヘッド１とすること
ができる。

【００３７】また、表１によれば、実効ギャップは、Ｃ
ｒ膜８の膜厚を０ｎｍ〜約１．０ｎｍの膜厚に形成した
場合で約０．２２程度であり、Ｃｒ膜８の膜厚を約５．
０ｎｍ〜約１０ｎｍの膜厚に形成した場合で約０．２２
５程度であり、そしてＣｒ膜８の膜厚を約２０ｎｍ以上
の膜厚に形成すると、徐々に大きくなっていくことがわ
かる。

【００３８】ここで、実効ギャップは、一般的に、磁気
ギャップｇを構成する磁性膜６の膜厚よりも約１０％〜
２０％程度大きくなることが知られているが、表１によ
れば、Ｃｒ膜８が厚くなると磁性膜６を形成した場合以
上に大きくなることがわかる。これは、磁性膜６上にＣ
ｒ膜を形成することにより、Ｃｒ膜８と磁性膜６とが反
応し、Ｃｒ膜８と磁性膜６との界面が非磁性化している
ためである。このため、実効ギャップは、Ｃｒ膜８と磁
性膜６との界面に生ずる非磁性化された領域が大きくな
ると制御が困難となるだけでなく、電磁変換特性も劣化
し、結果として、製造不良率が増加するという問題が発
生する。したがって、Ｃｒ膜８の膜厚は、磁気ギャップ
ｇにＣｒ膜８を形成しないときの実効ギャップの値と大
きな差がない約１０ｎｍ程度以下の実効ギャップの値程
度であることが望ましい。

【００３９】したがって、この表１によれば、Ｃｒ膜８
の膜厚は、融着ガラス４の可視性と、実効ギャップの測
定から、約１．０ｎｍ〜約１０ｎｍ程度であることが望
ましい。このように、Ｃｒ膜８の膜厚を約１．０ｎｍ〜
約１０ｎｍ程度とすることによって、融着ガラス４の可
視性を向上させて磁気ギャップｇのデプス方向の深さの
測定を容易に行い、製造歩留まりを向上させることがで
きるとともに、一対の磁気コア半体２，３を接合する際
に融着ガラス４が磁性膜６に侵食することを防ぎ、磁性
膜６の軟磁気特性の劣化を防止することができる。

【００４０】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明にか
かる磁気ヘッドは、磁気ギャップの少なくとも一部に、
ＣｒとＳｉＯ₂とからなる積層膜が形成されているの
で、一対の磁気コア半体を接合する際に、磁性層が融着
ガラス中に溶け出してしまうことを防ぎ、融着ガラスの
可視性を向上させることができ、磁気ギャップのデプス
方向における長さ寸法の測定が容易となる。

【００４１】また、本発明にかかる磁気ヘッドは、磁気
ギャップの少なくとも一部に、ＣｒとＳｉＯ₂とからな
る積層膜が形成されているので、一対の磁気コア半体を
接合する際に、融着ガラスが磁性層に侵食してしまうこ
とを防ぎ、軟磁気特性の劣化を防止することができ、電
磁変換特性が良好とされている。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した磁気ヘッドの一例を示す斜視
図である。

【図２】一対の磁気コア半体を突き合わせた状態の一例
を示す平面図である。

【図３】一対の磁気コア半体を融着ガラスにより接合し
た状態の一例を示す平面図である。

【図４】磁気ヘッドの製造工程における基板の一例を示
す斜視図である。

【図５】基板の一方面に対してトラック幅規制溝を形成
した状態の一例を示す斜視図である。

【図６】トラック幅規制溝が形成された基板に対して巻
線溝を形成した状態の一例を示す斜視図である。

【図７】磁性膜，Ｃｒ膜，ＳｉＯ₂膜を形成した一対の
基板を融着ガラスにより接合した状態の一例を示す斜視
図である。

【図８】融着ガラスにより接合された基板に対して巻線
ガイド溝を形成した状態の一例を示す斜視図である。

【図９】従来の磁気ヘッドを製造する際において、一対
の磁気コア半体を突き合わせた状態の一例を示す平面図
である。

【図１０】従来の磁気ヘッドを製造する際において、一
対の磁気コア半体を融着ガラスにより接合した状態の一
例を示す平面図である。

【符号の説明】

１磁気ヘッド、２第１の磁気コア半体、３第２の
磁気コア半体、４融着ガラス、５基板、６磁性
膜、８Ｃｒ膜、９ＳｉＯ₂膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に磁性層を形成した一対の磁気コ
ア半体が磁気ギャップを介して接合一体化された磁気ヘ
ッドにおいて、上記磁性層は、Ｆｅ_aＭ_bＮ_c（但し、ＭはＴａ，Ｚｒ，
Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｃｒのうちの少なくとも一種であ
り、ａ，ｂ，ｃは原子パーセントを示す。）で表され、
組成が７１≦ａ≦８５６≦ｂ≦１５９≦ｃ≦１６である金属磁性膜を有し、上記磁気ギャップの少なくとも一部には、ＣｒとＳｉＯ
₂とからなる積層膜が形成されていることを特徴とする
磁気ヘッド。
【請求項２】上記Ｃｒの厚さが、１ｎｍ〜１０ｎｍの
範囲内であることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッ
ド。
【請求項３】上記基板上には、上記磁性層，Ｃｒ，Ｓ
ｉＯ₂の順に成膜されることを特徴とする請求項１記載
の磁気ヘッド。