JPH09320012A - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH09320012A JPH09320012A JP13885596A JP13885596A JPH09320012A JP H09320012 A JPH09320012 A JP H09320012A JP 13885596 A JP13885596 A JP 13885596A JP 13885596 A JP13885596 A JP 13885596A JP H09320012 A JPH09320012 A JP H09320012A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気ヘッドのトラック幅を高精度に製造する
ことができる磁気ヘッドの製造方法を提供する。 【解決手段】 磁気ギャップ近傍に金属磁性膜が形成さ
れ、金属磁性膜の膜厚によってトラック幅が規定されて
なる磁気ヘッドを製造する際に、所定の精度に設定され
た測定器を用いてダミー基板の重量を測定し、ダミー基
板の所定面積上に金属磁性膜を成膜した後のダミー基板
の重量を前記測定器を用いて測定し、ダミー基板の重量
と金属磁性膜が成膜されたダミー基板の重量から金属磁
性膜の重量を求め、この金属磁性膜の重量から成膜装置
の単位成膜時間当たりの成膜厚さを求め、成膜時間を設
定して所望の膜厚の金属磁性膜を形成して磁気ヘッドを
製造する。
ことができる磁気ヘッドの製造方法を提供する。 【解決手段】 磁気ギャップ近傍に金属磁性膜が形成さ
れ、金属磁性膜の膜厚によってトラック幅が規定されて
なる磁気ヘッドを製造する際に、所定の精度に設定され
た測定器を用いてダミー基板の重量を測定し、ダミー基
板の所定面積上に金属磁性膜を成膜した後のダミー基板
の重量を前記測定器を用いて測定し、ダミー基板の重量
と金属磁性膜が成膜されたダミー基板の重量から金属磁
性膜の重量を求め、この金属磁性膜の重量から成膜装置
の単位成膜時間当たりの成膜厚さを求め、成膜時間を設
定して所望の膜厚の金属磁性膜を形成して磁気ヘッドを
製造する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばビデオテー
プレコーダー(VTR)やデジタルデータレコーダー等
の高密度記録可能な磁気記録再生装置に搭載して有用な
磁気ヘッドの製造方法に係わる。
プレコーダー(VTR)やデジタルデータレコーダー等
の高密度記録可能な磁気記録再生装置に搭載して有用な
磁気ヘッドの製造方法に係わる。
【0002】
【従来の技術】例えばVTR等の磁気記録再生装置にお
いては、記録信号の高密度化や高周波数化等が進められ
ており、この高密度記録化に対応して磁気記録媒体とし
て磁性分にFe,Co,Ni等の強磁性金属の粉末を用
いたいわゆるメタルテープや強磁性金属材料を蒸着によ
りベースフィルム上に被着したいわゆる蒸着テープ等が
使用されるようになっている。そして、この種の磁気記
録媒体は高い残留磁束密度Brと高い保磁力Hcを有す
るために、記録再生に用いる磁気ヘッドのヘッド材料に
も高い飽和磁束密度Bsと高い透磁率を有することが要
求されている。
いては、記録信号の高密度化や高周波数化等が進められ
ており、この高密度記録化に対応して磁気記録媒体とし
て磁性分にFe,Co,Ni等の強磁性金属の粉末を用
いたいわゆるメタルテープや強磁性金属材料を蒸着によ
りベースフィルム上に被着したいわゆる蒸着テープ等が
使用されるようになっている。そして、この種の磁気記
録媒体は高い残留磁束密度Brと高い保磁力Hcを有す
るために、記録再生に用いる磁気ヘッドのヘッド材料に
も高い飽和磁束密度Bsと高い透磁率を有することが要
求されている。
【0003】そこで、従来セラミックス等の非磁性基板
上に磁気コアとなる強磁性金属膜を被着形成し、これを
トラック部分としたいわゆるラミネート型の磁気ヘッド
やいわゆるMIG(メタル・イン・ギャップ)ヘッドが
開発されている。
上に磁気コアとなる強磁性金属膜を被着形成し、これを
トラック部分としたいわゆるラミネート型の磁気ヘッド
やいわゆるMIG(メタル・イン・ギャップ)ヘッドが
開発されている。
【0004】これらのヘッドでは、堆積される磁性の金
属薄膜の膜厚は、磁気記録媒体の記録トラックに対応す
るトラック幅に関係し、特にラミネート型の磁気ヘッド
では、この膜厚の精度がトラック幅の精度そのものとな
る。トラック幅として要求される制度は、20μm程度
のトラック幅に対しプラスマイナス1μm程度で、膜厚
に対しプラスマイナス5%程度の精度が要求される。
属薄膜の膜厚は、磁気記録媒体の記録トラックに対応す
るトラック幅に関係し、特にラミネート型の磁気ヘッド
では、この膜厚の精度がトラック幅の精度そのものとな
る。トラック幅として要求される制度は、20μm程度
のトラック幅に対しプラスマイナス1μm程度で、膜厚
に対しプラスマイナス5%程度の精度が要求される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、現在行
っている触針法による薄膜の膜厚測定では、段差部分の
膜のダレや基板の反りによって10%程度の誤差が生じ
ることがある。
っている触針法による薄膜の膜厚測定では、段差部分の
膜のダレや基板の反りによって10%程度の誤差が生じ
ることがある。
【0006】成膜時間Tと、顕微鏡により磁気ヘッド完
成後に直接測定したトラック幅Twについて、これら
T,Twの関係式を一度求めれば、その関係式を用いて
次回以降の磁気ヘッド作製において所望の膜厚を成膜で
きると考えられる。ところが、スパッタ法により成膜を
行う場合には、成膜レート(単位時間当たり成膜される
厚さ)がターゲットの消費量の影響を受け、成膜レート
が初回と同じであるとは限らない。即ち、上述の関係式
もターゲットの消費量により変化するものである。
成後に直接測定したトラック幅Twについて、これら
T,Twの関係式を一度求めれば、その関係式を用いて
次回以降の磁気ヘッド作製において所望の膜厚を成膜で
きると考えられる。ところが、スパッタ法により成膜を
行う場合には、成膜レート(単位時間当たり成膜される
厚さ)がターゲットの消費量の影響を受け、成膜レート
が初回と同じであるとは限らない。即ち、上述の関係式
もターゲットの消費量により変化するものである。
【0007】このようなターゲットの消費量による成膜
レートの変化に対応するために、磁気ヘッドの作製の直
前に、ダミー基板に金属磁性膜を成膜して、ダミー基板
上の金属磁性膜の膜厚を測定して成膜レートを求め、こ
の成膜レートを適用して磁気ヘッドを作製する方法が採
られる。このとき、膜厚は前述の触針法により測定する
ため10%程度の精度であり、結局トラック幅の精度は
10%程度となってしまい、トラック幅の精度を向上す
ることができない。
レートの変化に対応するために、磁気ヘッドの作製の直
前に、ダミー基板に金属磁性膜を成膜して、ダミー基板
上の金属磁性膜の膜厚を測定して成膜レートを求め、こ
の成膜レートを適用して磁気ヘッドを作製する方法が採
られる。このとき、膜厚は前述の触針法により測定する
ため10%程度の精度であり、結局トラック幅の精度は
10%程度となってしまい、トラック幅の精度を向上す
ることができない。
【0008】上述した問題に鑑み、本発明においては、
磁気ヘッドのトラック幅を高精度に製造することができ
る磁気ヘッドの製造方法を提供するものである。
磁気ヘッドのトラック幅を高精度に製造することができ
る磁気ヘッドの製造方法を提供するものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気ヘッドの製
造方法は、磁気ギャップ近傍に金属磁性膜が形成され、
この金属磁性膜の膜厚によってトラック幅が規定されて
なる磁気ヘッドを製造する際に、所定の精度に設定され
た測定器を用いてダミー基板の重量を測定し、ダミー基
板の所定面積上に金属磁性膜を成膜した後のダミー基板
の重量を前記測定器を用いて測定し、ダミー基板の重量
と金属磁性膜が成膜されたダミー基板の重量から金属磁
性膜の重量を求め、この金属磁性膜の重量から成膜装置
の単位成膜時間当たりの成膜厚さを求め、成膜時間を設
定して所望の膜厚の金属磁性膜を形成するものである。
造方法は、磁気ギャップ近傍に金属磁性膜が形成され、
この金属磁性膜の膜厚によってトラック幅が規定されて
なる磁気ヘッドを製造する際に、所定の精度に設定され
た測定器を用いてダミー基板の重量を測定し、ダミー基
板の所定面積上に金属磁性膜を成膜した後のダミー基板
の重量を前記測定器を用いて測定し、ダミー基板の重量
と金属磁性膜が成膜されたダミー基板の重量から金属磁
性膜の重量を求め、この金属磁性膜の重量から成膜装置
の単位成膜時間当たりの成膜厚さを求め、成膜時間を設
定して所望の膜厚の金属磁性膜を形成するものである。
【0010】上述の本発明製法によれば、金属磁性膜の
成膜前後のダミー基板の重量を測定して重量増加を求
め、この重量増加を基に金属磁性膜の膜厚を求め、これ
により成膜装置の成膜レート、即ち単位成膜時間当たり
の成膜厚さを正確に知ることができ、次に磁気ヘッドを
製造する際に、磁気ヘッドのトラック幅と成膜装置の成
膜レートから成膜時間を設定することにより、金属磁性
膜の膜厚を精度良く形成して、従って金属磁性膜の膜厚
に相当する磁気ヘッドのトラック幅の精度を向上させる
ことができる。
成膜前後のダミー基板の重量を測定して重量増加を求
め、この重量増加を基に金属磁性膜の膜厚を求め、これ
により成膜装置の成膜レート、即ち単位成膜時間当たり
の成膜厚さを正確に知ることができ、次に磁気ヘッドを
製造する際に、磁気ヘッドのトラック幅と成膜装置の成
膜レートから成膜時間を設定することにより、金属磁性
膜の膜厚を精度良く形成して、従って金属磁性膜の膜厚
に相当する磁気ヘッドのトラック幅の精度を向上させる
ことができる。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明製法は、例えばいわゆるラ
ミネート型磁気ヘッドのように、非磁性基板に金属磁性
膜を形成して、この金属磁性膜により磁路を構成する磁
気ヘッドの製造に適用するもので、この金属磁性膜をそ
の膜厚を高精度に形成するものである。
ミネート型磁気ヘッドのように、非磁性基板に金属磁性
膜を形成して、この金属磁性膜により磁路を構成する磁
気ヘッドの製造に適用するもので、この金属磁性膜をそ
の膜厚を高精度に形成するものである。
【0012】図面を参照して、本発明製法の実施例を説
明する。まず、ダミー基板1を用意し、予めダミー基板
1の重量W1 を天秤等により測定する。次に、図1Aに
示すように、ダミー基板1上に開口2aを有するマスク
2を形成する。
明する。まず、ダミー基板1を用意し、予めダミー基板
1の重量W1 を天秤等により測定する。次に、図1Aに
示すように、ダミー基板1上に開口2aを有するマスク
2を形成する。
【0013】次に、このマスク2を形成したダミー基板
1を、成膜装置(図示せず)中に載置して、図1Bに示
すように、ダミー基板1上に金属磁性膜3を成膜する。
このとき、金属磁性膜3がマスク2の開口2aを通じて
ダミー基板1上に成膜される。また、金属磁性膜3はマ
スク2上にも同様に形成される。尚、このとき金属磁性
膜3の成膜を行っていた時間を測定しておくか、あるい
は所定時間の経過後に成膜を終了させる。
1を、成膜装置(図示せず)中に載置して、図1Bに示
すように、ダミー基板1上に金属磁性膜3を成膜する。
このとき、金属磁性膜3がマスク2の開口2aを通じて
ダミー基板1上に成膜される。また、金属磁性膜3はマ
スク2上にも同様に形成される。尚、このとき金属磁性
膜3の成膜を行っていた時間を測定しておくか、あるい
は所定時間の経過後に成膜を終了させる。
【0014】金属磁性膜3の成膜が終了した後、マスク
2上の金属磁性膜3ごとマスク2を除去して、図1Cに
示すような金属磁性膜3が形成されたダミー基板1を得
る。次に、天秤等により金属磁性膜3が形成されたダミ
ー基板1の重量W2 を測定する。成膜前後の重量の差
(W2 −W1 )から重量増加ΔW、すなわちダミー基板
1上の金属磁性膜3の重量Wが求められる。
2上の金属磁性膜3ごとマスク2を除去して、図1Cに
示すような金属磁性膜3が形成されたダミー基板1を得
る。次に、天秤等により金属磁性膜3が形成されたダミ
ー基板1の重量W2 を測定する。成膜前後の重量の差
(W2 −W1 )から重量増加ΔW、すなわちダミー基板
1上の金属磁性膜3の重量Wが求められる。
【0015】金属磁性膜3の重量Wと金属磁性膜3の密
度ρとによって、金属磁性膜3の体積Vがわかり、体積
Vとマスク2の開口部分の面積Sから膜厚dがわかる。
即ち、金属磁性膜3の膜厚dについて、数1が成り立
つ。
度ρとによって、金属磁性膜3の体積Vがわかり、体積
Vとマスク2の開口部分の面積Sから膜厚dがわかる。
即ち、金属磁性膜3の膜厚dについて、数1が成り立
つ。
【0016】
【数1】d=V/S=(W/ρ)/S=W/(ρS)=
ΔW/(ρS) (ΔW=W,W=ρV,V=Sdより)
ΔW/(ρS) (ΔW=W,W=ρV,V=Sdより)
【0017】従って、成膜の度に金属磁性膜の密度ρが
変化しないと仮定すると、重量Wは膜厚dに比例し、一
度重量Wと膜厚dの関係がわかれば、重量Wを測定する
ことが膜厚dを測定することと同値となる。この仮定
は、同一条件下の成膜では妥当な仮定であると考えられ
る。
変化しないと仮定すると、重量Wは膜厚dに比例し、一
度重量Wと膜厚dの関係がわかれば、重量Wを測定する
ことが膜厚dを測定することと同値となる。この仮定
は、同一条件下の成膜では妥当な仮定であると考えられ
る。
【0018】また数1の関係から、膜厚dの精度は、マ
スク2の開口部の面積Sの精度と、重量Wの測定機の精
度とによって決定される。従って、重量Wを精度良く測
定することにより、膜厚dを精度よく求めることができ
る。即ち、成膜された金属磁性膜の重量Wを管理するこ
とが、膜厚dを管理することになる。
スク2の開口部の面積Sの精度と、重量Wの測定機の精
度とによって決定される。従って、重量Wを精度良く測
定することにより、膜厚dを精度よく求めることができ
る。即ち、成膜された金属磁性膜の重量Wを管理するこ
とが、膜厚dを管理することになる。
【0019】このときの膜厚dの誤差は、正確には誤差
の伝搬式で議論すべきことだが、近似的に以下のように
考えることができる。マスク2の開口部の面積Sの精度
を±Em(%)、重量Wの測定に用いる天秤の感度をE
w(mg)とするとき、これらEm,Ewと金属磁性膜
の膜厚dの精度±Et(%)との間には、測定誤差が最
も悪くなる時を考えると、下記数2が成立する。
の伝搬式で議論すべきことだが、近似的に以下のように
考えることができる。マスク2の開口部の面積Sの精度
を±Em(%)、重量Wの測定に用いる天秤の感度をE
w(mg)とするとき、これらEm,Ewと金属磁性膜
の膜厚dの精度±Et(%)との間には、測定誤差が最
も悪くなる時を考えると、下記数2が成立する。
【0020】
【数2】{(W+Ew)/(W−Ew)×(100+E
m)/(100−Em)−1}×100=2Et
m)/(100−Em)−1}×100=2Et
【0021】このうち、マスク2の開口部の面積Sの精
度Emについては、実際に作製したマスク2の開口部の
面積Sを抜き取りで実際に測定したところ、面積Sの平
均値に対して、小さいもので−0.13%、大きいもの
で+0.17%であった。従って、マスク2の開口部の
面積Sのバラツキは、大きく見積もっても±0.2%程
度であると考えてよいと思われる。また重量Wの精度E
wについては、感度0.1mgの天秤を用いれば、金属
磁性膜3の重量Wの誤差としては感度の2倍の0.2m
gとなる。
度Emについては、実際に作製したマスク2の開口部の
面積Sを抜き取りで実際に測定したところ、面積Sの平
均値に対して、小さいもので−0.13%、大きいもの
で+0.17%であった。従って、マスク2の開口部の
面積Sのバラツキは、大きく見積もっても±0.2%程
度であると考えてよいと思われる。また重量Wの精度E
wについては、感度0.1mgの天秤を用いれば、金属
磁性膜3の重量Wの誤差としては感度の2倍の0.2m
gとなる。
【0022】例えばマスク2の開口部の面積Sが7cm
2 で、膜厚dが数μm程度の金属磁性膜3を形成した場
合、金属磁性膜3の重量Wは数十mg程度であり、膜厚
dの精度Etは上記数2から1%程度となる。
2 で、膜厚dが数μm程度の金属磁性膜3を形成した場
合、金属磁性膜3の重量Wは数十mg程度であり、膜厚
dの精度Etは上記数2から1%程度となる。
【0023】このように、ダミー基板1に成膜した金属
磁性膜3の重量Wと膜厚dとは1%程度の精度で関係づ
けられる。
磁性膜3の重量Wと膜厚dとは1%程度の精度で関係づ
けられる。
【0024】一方、成膜レート(単位時間当たりの成膜
厚さ)の安定性を見るために、連続した数回のダミー基
板1への成膜を行ったところ、金属磁性膜3の重量Wの
バラツキは0.5%以下であることがわかった。このと
き、ダミー基板1に成膜する時間の精度は、重量Wのバ
ラツキに対して充分小さくすることができるため、成膜
レートの精度は、膜厚dの精度すなわち重量W及びマス
クの面積Sの精度により規制される。
厚さ)の安定性を見るために、連続した数回のダミー基
板1への成膜を行ったところ、金属磁性膜3の重量Wの
バラツキは0.5%以下であることがわかった。このと
き、ダミー基板1に成膜する時間の精度は、重量Wのバ
ラツキに対して充分小さくすることができるため、成膜
レートの精度は、膜厚dの精度すなわち重量W及びマス
クの面積Sの精度により規制される。
【0025】従って、磁気ヘッド作製時の成膜工程の前
に、同一の成膜装置中でダミー基板1へ金属磁性膜3を
成膜し、成膜前後の重量増加を測定して金属磁性膜の重
量Wを求めて、この金属磁性膜3の重量Wと作製する磁
気ヘッドのトラック幅Twとの関係式を求めれば、前述
のようにターゲット消費量の変化によって成膜レートが
変化した後でも、この関係式から磁気ヘッドの製造工程
における成膜時間を決定して1%以下の精度でトラック
幅Twを形成することができる。上述の金属磁性膜3の
重量Wと作製する磁気ヘッドのトラック幅Twとの関係
式は、次の数3で表される。
に、同一の成膜装置中でダミー基板1へ金属磁性膜3を
成膜し、成膜前後の重量増加を測定して金属磁性膜の重
量Wを求めて、この金属磁性膜3の重量Wと作製する磁
気ヘッドのトラック幅Twとの関係式を求めれば、前述
のようにターゲット消費量の変化によって成膜レートが
変化した後でも、この関係式から磁気ヘッドの製造工程
における成膜時間を決定して1%以下の精度でトラック
幅Twを形成することができる。上述の金属磁性膜3の
重量Wと作製する磁気ヘッドのトラック幅Twとの関係
式は、次の数3で表される。
【0026】
【数3】Tw=RT=(d/T0 )T=d(T/T0 )
=(W/(ρS))・(T/T 0 ) R:成膜装置の成膜レート T:磁気ヘッドへの金属磁
性膜の成膜時間 T0 :ダミー基板への成膜時間
=(W/(ρS))・(T/T 0 ) R:成膜装置の成膜レート T:磁気ヘッドへの金属磁
性膜の成膜時間 T0 :ダミー基板への成膜時間
【0027】次に、図面を参照して、本発明製法を適用
する磁気ヘッドの製造について説明する。まず、本発明
製法を適用する磁気ヘッドの例の概略構成図を図2に示
す。図2Aに示す磁気ヘッド10は、いわゆるラミネー
ト型の磁気ヘッドであり、この磁気ヘッドを構成する磁
気コアは閉磁路を構成する一対の磁気コア半体11およ
び12が突き合わされて接合一体化され、磁気記録媒体
との摺動面13に臨んでコア半体11および12の前方
の突き合わせ面間に磁気ギャップgを構成している。
する磁気ヘッドの製造について説明する。まず、本発明
製法を適用する磁気ヘッドの例の概略構成図を図2に示
す。図2Aに示す磁気ヘッド10は、いわゆるラミネー
ト型の磁気ヘッドであり、この磁気ヘッドを構成する磁
気コアは閉磁路を構成する一対の磁気コア半体11およ
び12が突き合わされて接合一体化され、磁気記録媒体
との摺動面13に臨んでコア半体11および12の前方
の突き合わせ面間に磁気ギャップgを構成している。
【0028】磁気コア半体11および12は、金属磁性
膜14が一対の非磁性ガード材15によってそれぞれ挟
み込まれてなる。
膜14が一対の非磁性ガード材15によってそれぞれ挟
み込まれてなる。
【0029】そして、磁気コア半体11および12同士
の突き合わせ端面においては、その金属磁性膜14の端
部が突き合わされることによりその突き合わせ端面間に
磁気ギャップgが構成されている。従って、この磁気ギ
ャップgのトラック幅Twは、金属磁性膜14の膜厚に
よって設定される。
の突き合わせ端面においては、その金属磁性膜14の端
部が突き合わされることによりその突き合わせ端面間に
磁気ギャップgが構成されている。従って、この磁気ギ
ャップgのトラック幅Twは、金属磁性膜14の膜厚に
よって設定される。
【0030】また、磁気コア半体11および12の突き
合わせ面には、磁気ギャップgのデプスDpを規制する
とともにコイルを巻装するための巻線溝16が形成さ
れ、巻線溝16の摺動面13側には補強ガラス17が充
填されている。
合わせ面には、磁気ギャップgのデプスDpを規制する
とともにコイルを巻装するための巻線溝16が形成さ
れ、巻線溝16の摺動面13側には補強ガラス17が充
填されている。
【0031】この磁気ヘッドにおいては、金属磁性膜1
4の膜厚が磁気ギャップgのトラック幅となるものであ
るため、金属磁性膜14の膜厚を制御することで簡単に
狭トラック化が図れること、また構造的に疑似ギャップ
が発生しないことの利点がある。
4の膜厚が磁気ギャップgのトラック幅となるものであ
るため、金属磁性膜14の膜厚を制御することで簡単に
狭トラック化が図れること、また構造的に疑似ギャップ
が発生しないことの利点がある。
【0032】このようなラミネート型の磁気ヘッド10
において、さらに磁気記録媒体との摺動面13の平面図
を図2Bに示すように、この金属磁性膜14を複数の金
属磁性薄膜をSiO2 、Al2 O3 、Si3 N4 等の酸
化物や窒化物のような電気絶縁膜14´と交互に積層し
た積層膜構造とすることもできる。この積層膜構造とす
ることにより渦電流損失を回避でき高周波帯域での高出
力化が図れる。この場合には、電気絶縁膜14′の全膜
厚が金属磁性膜14の全膜厚に比して充分小さく、かつ
電気絶縁膜14′の膜厚のバラツキが金属磁性膜14の
膜厚のバラツキに比して充分小さいため、トラック幅T
wの精度は金属磁性膜14の膜厚の精度により規定され
る。
において、さらに磁気記録媒体との摺動面13の平面図
を図2Bに示すように、この金属磁性膜14を複数の金
属磁性薄膜をSiO2 、Al2 O3 、Si3 N4 等の酸
化物や窒化物のような電気絶縁膜14´と交互に積層し
た積層膜構造とすることもできる。この積層膜構造とす
ることにより渦電流損失を回避でき高周波帯域での高出
力化が図れる。この場合には、電気絶縁膜14′の全膜
厚が金属磁性膜14の全膜厚に比して充分小さく、かつ
電気絶縁膜14′の膜厚のバラツキが金属磁性膜14の
膜厚のバラツキに比して充分小さいため、トラック幅T
wの精度は金属磁性膜14の膜厚の精度により規定され
る。
【0033】また金属磁性膜14は、例えば次のような
材料により構成する。 (1)Fe−Al−Si,Fe−Ni−Al−Si,F
e−Ga−Si,Fe−Al−Ge等、およびそれらに
8原子%以下のCo,Ti,Cr,Nb,Mo,Ta,
Ru,Au,Pd,N,C,O等を1種または数種添加
した結晶質材料。 (2)Coに主としてZr,Ta,Ti,Hf,Mo,
Nb,Au,Pd,Ru等を1種または数種添加して構
成したアモルファス材料。 (3)Co,Feに主としてNi,Zr,Ta,Ti,
Hf,Mo,Nb,Si,Al,B,Ga,Ge,C
u,Sn,Ru,B等の1種または数種と、N,C,O
の1種または数種を添加して構成した微結晶材料。
材料により構成する。 (1)Fe−Al−Si,Fe−Ni−Al−Si,F
e−Ga−Si,Fe−Al−Ge等、およびそれらに
8原子%以下のCo,Ti,Cr,Nb,Mo,Ta,
Ru,Au,Pd,N,C,O等を1種または数種添加
した結晶質材料。 (2)Coに主としてZr,Ta,Ti,Hf,Mo,
Nb,Au,Pd,Ru等を1種または数種添加して構
成したアモルファス材料。 (3)Co,Feに主としてNi,Zr,Ta,Ti,
Hf,Mo,Nb,Si,Al,B,Ga,Ge,C
u,Sn,Ru,B等の1種または数種と、N,C,O
の1種または数種を添加して構成した微結晶材料。
【0034】上述の磁気ヘッド10は、例えば次のよう
な方法により製造する。図3に示すような両主面が鏡面
加工された、短冊状の非磁性基板21を用意する。
な方法により製造する。図3に示すような両主面が鏡面
加工された、短冊状の非磁性基板21を用意する。
【0035】図4に示すように、この非磁性基板21の
一方の主面上にスパッタ法などの真空薄膜形成法によ
り、金属磁性膜14を形成してコア基板22を形成す
る。このとき、本発明製法によって求めた成膜レートか
ら、必要なトラック幅Twを得るように成膜時間Tを設
定して金属磁性膜を成膜する。
一方の主面上にスパッタ法などの真空薄膜形成法によ
り、金属磁性膜14を形成してコア基板22を形成す
る。このとき、本発明製法によって求めた成膜レートか
ら、必要なトラック幅Twを得るように成膜時間Tを設
定して金属磁性膜を成膜する。
【0036】その後、図5に示すように、複数のコア基
板22を重ね合わせて、これらを加圧固定し熱処理を施
し接合一体化してコア体ブロック23を構成する。
板22を重ね合わせて、これらを加圧固定し熱処理を施
し接合一体化してコア体ブロック23を構成する。
【0037】このコア体ブロック23を、図5中のA−
A´,B−B´,C−C´で示す面に沿って切断し、図
6に示すように互いに略対称な一対の磁気コア半体ブロ
ック24および25を作製する。
A´,B−B´,C−C´で示す面に沿って切断し、図
6に示すように互いに略対称な一対の磁気コア半体ブロ
ック24および25を作製する。
【0038】次に図7に示すように、この磁気コア半体
ブロック24および25に対し、その長手方向に沿って
伸びる巻線溝16を略コ字状の断面形状となるように形
成する。
ブロック24および25に対し、その長手方向に沿って
伸びる巻線溝16を略コ字状の断面形状となるように形
成する。
【0039】この後、金属磁性膜14の巻線溝16が形
成された側の面を鏡面加工する。この鏡面加工をした研
磨面に、図示しないがギャップ材兼接合材として融着ガ
ラス膜、あるいは金,白金,パラジウム等の貴金属膜を
スパッタ法等の真空薄膜形成法により被着形成する。
成された側の面を鏡面加工する。この鏡面加工をした研
磨面に、図示しないがギャップ材兼接合材として融着ガ
ラス膜、あるいは金,白金,パラジウム等の貴金属膜を
スパッタ法等の真空薄膜形成法により被着形成する。
【0040】そして、図8に示すように、磁気コア半体
ブロック24および25を、それぞれの金属磁性膜14
同士が相対向するように突き合わせ、ガラス融着法ある
いは低温金属接合法により接合一体化させる。
ブロック24および25を、それぞれの金属磁性膜14
同士が相対向するように突き合わせ、ガラス融着法ある
いは低温金属接合法により接合一体化させる。
【0041】尚、このときの熱処理工程において、図9
に示すように巻線溝16内にガラス棒を挿入配置し、こ
のガラス棒を溶融させて、巻線溝16内の上部に充填さ
せ補強ガラス17とする。この結果、各磁気コア半体ブ
ロック24および25にそれぞれ形成された金属磁性膜
14の突き合わせ端面間に、記録再生ギャップとして動
作する磁気ギャップgが形成された磁気コアブロック2
6が形成される。
に示すように巻線溝16内にガラス棒を挿入配置し、こ
のガラス棒を溶融させて、巻線溝16内の上部に充填さ
せ補強ガラス17とする。この結果、各磁気コア半体ブ
ロック24および25にそれぞれ形成された金属磁性膜
14の突き合わせ端面間に、記録再生ギャップとして動
作する磁気ギャップgが形成された磁気コアブロック2
6が形成される。
【0042】そして、図10に示すように、磁気コアブ
ロック26の外面にそれぞれ所要曲率をもった磁気記録
媒体との摺動面13を円筒研磨等により形成し、さらに
磁気コアブロック22の外面の巻線を回装する部分に巻
線ガイド溝18を形成する。
ロック26の外面にそれぞれ所要曲率をもった磁気記録
媒体との摺動面13を円筒研磨等により形成し、さらに
磁気コアブロック22の外面の巻線を回装する部分に巻
線ガイド溝18を形成する。
【0043】次に、図11に示すように、摺動面13
に、磁気記録媒体への当たり幅規制溝19を形成する。
その後、図12に示すように点線で示すD−D´,E−
D´,F−F´,G−G´,H−H´の各線に沿う面に
おいて磁気コアブロック26を切断して、図2に示すよ
うな非磁性基板15で金属磁性膜14を挟み込んだ磁気
コア半体11および12が突き合わされ、突き合わせ端
面間に磁気ギャップgが形成された構造の磁気ヘッド1
0が形成される。
に、磁気記録媒体への当たり幅規制溝19を形成する。
その後、図12に示すように点線で示すD−D´,E−
D´,F−F´,G−G´,H−H´の各線に沿う面に
おいて磁気コアブロック26を切断して、図2に示すよ
うな非磁性基板15で金属磁性膜14を挟み込んだ磁気
コア半体11および12が突き合わされ、突き合わせ端
面間に磁気ギャップgが形成された構造の磁気ヘッド1
0が形成される。
【0044】上述の例では、ラミネート型の磁気ヘッド
の例であったが、例えば図13に示すように、磁気ギャ
ップg形成面に対して斜めに金属磁性膜34を形成し磁
路をより小さくした磁気ヘッド30、いわゆるTSSヘ
ッドにおいても、同様に本発明製法を適用して、金属磁
性膜34の膜厚を高精度で形成することができる。
の例であったが、例えば図13に示すように、磁気ギャ
ップg形成面に対して斜めに金属磁性膜34を形成し磁
路をより小さくした磁気ヘッド30、いわゆるTSSヘ
ッドにおいても、同様に本発明製法を適用して、金属磁
性膜34の膜厚を高精度で形成することができる。
【0045】この磁気ヘッド30は、非磁性材料または
フェライト材料からなる基板35に金属磁性膜34が形
成された対の磁気コア半体31,32が突き合わされて
成り、その磁気コア半体31,32の突き合わせ面にお
いて金属磁性膜34が対向してその間に磁気ギャップg
が形成されて成る。そして、金属磁性膜34の磁気ギャ
ップgを構成する部分以外の磁気コア半体の突き合わせ
面近傍には補強ガラス37が充填されて成る。また、先
の実施例の磁気ヘッド10と同様に、曲面形状の磁気記
録媒体との摺動面33を有し、コイルを巻回する巻線溝
36及び巻線ガイド溝38を有して成る。
フェライト材料からなる基板35に金属磁性膜34が形
成された対の磁気コア半体31,32が突き合わされて
成り、その磁気コア半体31,32の突き合わせ面にお
いて金属磁性膜34が対向してその間に磁気ギャップg
が形成されて成る。そして、金属磁性膜34の磁気ギャ
ップgを構成する部分以外の磁気コア半体の突き合わせ
面近傍には補強ガラス37が充填されて成る。また、先
の実施例の磁気ヘッド10と同様に、曲面形状の磁気記
録媒体との摺動面33を有し、コイルを巻回する巻線溝
36及び巻線ガイド溝38を有して成る。
【0046】さらに、この磁気ヘッド30では、磁気ギ
ャップg形成面に対して金属磁性膜34が斜めに形成さ
れており、金属磁性膜34がこの磁気ギャップg形成面
に臨む長さがトラック幅Twとなる。すなわち、金属磁
性膜34の膜面と磁気ギャップg形成面とのなす角度を
θとすると、トラック幅Twは金属磁性膜34の膜厚d
から、次の数4により求められる。
ャップg形成面に対して金属磁性膜34が斜めに形成さ
れており、金属磁性膜34がこの磁気ギャップg形成面
に臨む長さがトラック幅Twとなる。すなわち、金属磁
性膜34の膜面と磁気ギャップg形成面とのなす角度を
θとすると、トラック幅Twは金属磁性膜34の膜厚d
から、次の数4により求められる。
【0047】
【数4】Tw=d/sinθ
【0048】従って、この場合も本発明製法を適用し
て、ダミー基板1上に金属磁性膜3を成膜して成膜レー
トを求めることにより、金属磁性膜の成膜時間Tを決定
して金属磁性膜34の膜厚dを高精度に形成し、さらに
磁気ヘッド30のトラック幅Twを高精度に形成するこ
とができる。
て、ダミー基板1上に金属磁性膜3を成膜して成膜レー
トを求めることにより、金属磁性膜の成膜時間Tを決定
して金属磁性膜34の膜厚dを高精度に形成し、さらに
磁気ヘッド30のトラック幅Twを高精度に形成するこ
とができる。
【0049】また本発明製法は、この他の金属磁性膜を
形成して磁路を構成する磁気ヘッドにも同様に適用する
ことができる。
形成して磁路を構成する磁気ヘッドにも同様に適用する
ことができる。
【0050】本発明の磁気ヘッドの製造方法は、上述の
例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲でその他様々な構成が取り得る。
例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲でその他様々な構成が取り得る。
【0051】
【発明の効果】上述の本発明製法によれば、ダミー基板
上に金属磁性膜を成膜し、金属磁性膜の重量を精度良く
測定することにより、金属磁性膜の膜厚を高精度に形成
することができ、これにより磁気ヘッドの磁気記録媒体
に対する記録トラック幅の精度を向上することができ
る。
上に金属磁性膜を成膜し、金属磁性膜の重量を精度良く
測定することにより、金属磁性膜の膜厚を高精度に形成
することができ、これにより磁気ヘッドの磁気記録媒体
に対する記録トラック幅の精度を向上することができ
る。
【0052】従って、本発明により、磁気ヘッドの記録
トラック幅のバラツキを少なくし、所望の記録トラック
幅を有する磁気ヘッドを製造することができ、不良品の
発生を著しく低減することができる。
トラック幅のバラツキを少なくし、所望の記録トラック
幅を有する磁気ヘッドを製造することができ、不良品の
発生を著しく低減することができる。
【図1】A、B、C 本発明製法のダミー基板への成膜
工程を示す図である。
工程を示す図である。
【図2】A 本発明製法を適用する磁気ヘッドの一例の
概略構成図(斜視図)である。 B 図2Aの磁気ヘッドにおいて、金属磁性膜を積層膜
とする場合の摺動面の平面図である。
概略構成図(斜視図)である。 B 図2Aの磁気ヘッドにおいて、金属磁性膜を積層膜
とする場合の摺動面の平面図である。
【図3】図2Aの磁気ヘッドの一製造工程の工程図であ
る。
る。
【図4】図2Aの磁気ヘッドの一製造工程の工程図であ
る。
る。
【図5】図2Aの磁気ヘッドの一製造工程の工程図であ
る。
る。
【図6】図2Aの磁気ヘッドの一製造工程の工程図であ
る。
る。
【図7】図2Aの磁気ヘッドの一製造工程の工程図であ
る。
る。
【図8】図2Aの磁気ヘッドの一製造工程の工程図であ
る。
る。
【図9】図2Aの磁気ヘッドの一製造工程の工程図であ
る。
る。
【図10】図2Aの磁気ヘッドの一製造工程の工程図で
ある。
ある。
【図11】図2Aの磁気ヘッドの一製造工程の工程図で
ある。
ある。
【図12】図2Aの磁気ヘッドの一製造工程の工程図で
ある。
ある。
【図13】本発明製法を適用する磁気ヘッドの他の例の
概略構成図(斜視図)である。
概略構成図(斜視図)である。
1 ダミー基板、2 マスク、3,14,34 金属磁
性膜、10,30 磁気ヘッド、11,12,31,3
2 磁気コア半体、13,33 摺動面、14′電気絶
縁膜、15 非磁性材、16,36 巻線溝、17,3
7 補強ガラス、18,38 巻線ガイド溝、19 ト
ラック幅規制溝、21 非磁性基板、22コア基板、2
3 コア体ブロック、24,25 磁気コア半体ブロッ
ク、26磁気コアブロック、35 基板、g 磁気ギャ
ップ、Dp デプス、Tw トラック幅
性膜、10,30 磁気ヘッド、11,12,31,3
2 磁気コア半体、13,33 摺動面、14′電気絶
縁膜、15 非磁性材、16,36 巻線溝、17,3
7 補強ガラス、18,38 巻線ガイド溝、19 ト
ラック幅規制溝、21 非磁性基板、22コア基板、2
3 コア体ブロック、24,25 磁気コア半体ブロッ
ク、26磁気コアブロック、35 基板、g 磁気ギャ
ップ、Dp デプス、Tw トラック幅
Claims (1)
- 【請求項1】 磁気ギャップ近傍に金属磁性膜が形成さ
れ、該金属磁性膜の膜厚によってトラック幅が規定され
てなる磁気ヘッドを製造する際に、 所定の精度に設定された測定器を用いてダミー基板の重
量を測定し、 上記ダミー基板の所定面積上に金属磁性膜を成膜した後
の上記ダミー基板の重量を前記測定器を用いて測定し、 上記ダミー基板の重量と上記金属磁性膜が成膜された上
記ダミー基板の重量から金属磁性膜の重量を求め、 該金属磁性膜の重量から成膜装置の単位成膜時間当たり
の成膜厚さを求め、 成膜時間を設定して所望の膜厚の金属磁性膜を形成する
ことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13885596A JPH09320012A (ja) | 1996-05-31 | 1996-05-31 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13885596A JPH09320012A (ja) | 1996-05-31 | 1996-05-31 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09320012A true JPH09320012A (ja) | 1997-12-12 |
Family
ID=15231734
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13885596A Pending JPH09320012A (ja) | 1996-05-31 | 1996-05-31 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09320012A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008261776A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Ulvac Japan Ltd | 膜厚測定方法、及び磁気デバイスの製造方法 |
JP2011137793A (ja) * | 2009-12-31 | 2011-07-14 | Korea Inst Of Science & Technology | フレキシブル基板上の金属層厚さ測定方法 |
-
1996
- 1996-05-31 JP JP13885596A patent/JPH09320012A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008261776A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Ulvac Japan Ltd | 膜厚測定方法、及び磁気デバイスの製造方法 |
JP2011137793A (ja) * | 2009-12-31 | 2011-07-14 | Korea Inst Of Science & Technology | フレキシブル基板上の金属層厚さ測定方法 |
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