JPH1031450A

JPH1031450A - 画像表示方法及び装置及び前記装置における表示補正データの作成方法

Info

Publication number: JPH1031450A
Application number: JP18378396A
Authority: JP
Inventors: Kunihiro Sakai; 邦裕酒井; Hidetoshi Suzuki; 英俊鱸
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1996-07-12
Filing date: 1996-07-12
Publication date: 1998-02-03

Abstract

(57)【要約】【課題】電子ビーム源と蛍光面の間に中間電極を設
け、この中間電極を用いて表面伝導型放出素子からの放
出電流を求めることにより電子ビーム源の駆動電圧を補
正する画像表示方法及び装置及び前記装置における表示
補正データの作成方法を提供する。【解決手段】表示パネル１０１の各表面伝導型放出素
子の放出特性を測定する際は、中間電極に印加する電源
１２２の電圧を通常の画像表示の場合に比べて低下させ
るとともに、所定の電圧で駆動された各表面伝導型放出
素子から放出される電子量をこの中間電極を使用してＩ
e検出回路１１１で測定する。この印加された電圧値と
Ｉe検出回路１１１で測定された電流値とに基づいて、
予め定められている電圧−電流特性より、所定の放出電
流値が得られるようにＬＵＴデータを作成する。こうし
て作成されたＬＵＴ１０９により電圧ドライバ１０８の
出力電圧を補正して、表示パネル１０１の各素子を駆動
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビーム源とし
て冷陰極、特に表面伝導型放出素子を用い、これらをマ
トリクス状に複数個配列した画像表示方法及び装置及び
前記装置における表示補正データの作成方法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】従来から、電子放出素子として熱陰極素
子と冷陰極素子の２種類が知られている。このうち冷陰
極素子では、例えば表面伝導型放出素子や、電界放出型
素子（以下ＦＥ型と記す）や、金属／絶縁層／金属型放
出素子（以下ＭＩＭ型と記す）などが知られている。

【０００３】ＦＥ型の例は、例えば、W. P. Dyke & W.
W. Dolan，“Field emission”, Advance in Electron
Physics, 8, 89 (1956)や、或は、C. A. Spindt，“Phy
sical properties of thin-film field emission catho
des with molybdenium cones”, J. Appl. Phys., 47,
5248 (1976)などが知られている。

【０００４】またＭＩＭ型の例としては、例えば、C.
A. Mead，“Operation of tunnel-emission Devices,
J. Appl. Phys., 32,646 (1961)などが知られている。

【０００５】この表面伝導型放出素子は、基板上に形成
された小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことに
より電子放出が生ずる現象を利用するものである。この
表面伝導型放出素子としては、前記エリンソン(Elinso
n)等によるＳｎＯ2薄膜を用いたものの他に、Ａｕ薄膜
によるもの［G. Dittmer：“Thin Solid Films” 9,317
(1972)］や、Ｉｎ2Ｏ3／ＳｎＯ2薄膜によるもの［M. Ha
rtwell and C. G. Fonstad：”IEEE Trans. ED Con
f.”，519 (1975)］や、カーボン薄膜によるもの［荒木
久他：真空、第２６巻、第１号、２２（１９８３）］
等が報告されている。

【０００６】これらの表面伝導型放出素子の素子構成の
典型的な例として、図１６に前述のM. Hartwellらによ
る素子の平面図を示す。同図において、３００１は基板
で、３００４はスパッタで形成された金属酸化物よりな
る導電性薄膜である。導電性薄膜３００４は図示のよう
にＨ字形の平面形状に形成されている。この導電性薄膜
３００４に後述の通電フォーミングと呼ばれる通電処理
を施すことにより、電子放出部３００５が形成される。
図中の間隔Ｌは、０．５〜１［ｍｍ］，幅Ｗは、０．１
［ｍｍ］に設定されている。尚、図示の便宜から、電子
放出部３００５は導電性薄膜３００４の中央に矩形の形
状で示したが、これは模式的なものであり、実際の電子
放出部の位置や形状を忠実に表現しているわけではな
い。

【０００７】M. Hartwellらによる素子をはじめとして
上述の表面伝導型放出素子においては、電子放出を行う
前に導電性薄膜３００４に通電フォーミングと呼ばれる
通電処理を施すことにより電子放出部３００５を形成す
るのが一般的であった。即ち、通電フォーミングとは、
前記導電性薄膜３００４の両端に一定の直流電圧、もし
くは、例えば１Ｖ／分程度の非常にゆっくりとしたレー
トで昇圧する直流電圧を印加して通電し、導電性薄膜３
００４を局所的に破壊もしくは変形もしくは変質せし
め、電気的に高抵抗な状態の電子放出部３００５を形成
することである。尚、局所的に破壊もしくは変形もしく
は変質した導電性薄膜３００４の一部には亀裂が発生す
る。この通電フォーミング後に導電性薄膜３００４に適
宜の電圧を印加した場合には、前記亀裂付近において電
子放出が行われる。

【０００８】上述の表面伝導型放出素子は、構造が単純
で製造も容易であることから、大面積に亙り多数の素子
を形成できる利点がある。そこで例えば本願出願人によ
る特開昭６４−３１３３２号公報において開示されるよ
うに、多数の素子を配列して駆動するための方法が研究
されている。

【０００９】また、表面伝導型放出素子の応用について
は、例えば、画像表示装置、画像記録装置などの画像形
成装置や、荷電ビーム源、等が研究されている。

【００１０】特に画像表示装置への応用としては、例え
ば本願出願人によるＵＳＰ５，０６６，８８３や特開平
２−２５７５５１号公報において開示されているよう
に、表面伝導型放出素子と電子ビームの照射により発光
する蛍光体とを組み合わせて用いた画像表示装置が研究
されている。表面伝導型放出素子と蛍光体とを組み合わ
せて用いた画像表示装置は、従来の他の方式の画像表示
装置よりも優れた特性が期待されている。例えば、近年
普及してきた液晶表示装置と比較しても、自発光型であ
るためバックライトを必要としない点や、視野角が広い
点が優れていると言える。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本願発明者らは、上記
従来技術に記載したものを初めとして、種々の材料、製
法、構造の表面伝導型放出素子を試みてきた。更に、多
数の表面伝導型放出素子を配列したマルチ電子ビーム
源、並びにこのマルチ電子ビーム源を応用した画像表示
装置について研究を行ってきた。

【００１２】本願発明者らは、例えば図１７に示す電気
的な配線方法によるマルチ電子ビーム源を試みてきた。
即ち、表面伝導型放出素子４００１を２次元的に多数個
配列し、これらの素子を図示のようにマトリクス状に配
線したマルチ電子ビーム源である。

【００１３】図中、４００１は表面伝導型放出素子を模
式的に示したもの、４００２は行方向配線、４００３は
列方向配線を示している。行方向配線４００２及び列方
向配線４００３は、実際には有限の電気抵抗を有するも
のであるが、図において、この抵抗成分は配線抵抗４０
０４及び４００５で示されている。上述のような配線方
法を単純マトリクス配線と呼ぶことにする。尚、図示の
便宜上、６×６のマトリクスで示しているが、マトリク
スの規模はむろんこれに限ったわけではなく、例えば画
像表示装置用のマルチ電子ビーム源の場合には、所望の
画像表示を行うのに足りるだけの素子を配列し配線する
ものである。

【００１４】これら表面伝導型放出素子を単純マトリク
ス配線したマルチ電子ビーム源においては、所望の電子
ビームを出力させるため、行方向配線４００２及び列方
向配線４００３に適宜の電気信号を印加する。例えば、
マトリクスの中の任意の１行の表面伝導型放出素子を駆
動するには、選択する行の行方向配線４００２には選択
電圧Ｖsを印加し、これと同時に非選択の行の行方向配
線４００２には非選択電圧Ｖnsを印加する。これと同期
して列方向配線４００３に電子ビームを出力するための
駆動電圧Ｖeを印加する。この方法によれば、配線抵抗
４００４及び４００５による電圧降下を無視すれば、選
択する行の表面伝導型放出素子には（Ｖe−Ｖs）の電圧
が印加され、また非選択行の表面伝導型放出素子には
（Ｖe−Ｖns）の電圧が印加される。これら電圧値Ｖe，
Ｖs，Ｖnsを適宜の大きさの電圧に設定すれば、選択さ
れた行の表面伝導型放出素子だけから電子ビームが出力
されるはずであり、また列方向配線の各々に異なる駆動
電圧Ｖeを印加すれば、選択された行の素子の各々から
異なる強度の電子ビームが出力される。

【００１５】このようなマルチ電子ビーム源を応用した
画像表示装置において、各画素での輝度の階調表示を行
うためには、列方向配線に印加される駆動電圧Ｖeを制
御すれば良い。こうして駆動される電圧値に応じて、選
択された行の素子の各々から所望の強度の電子ビームが
出力されることにより所望の輝度の画素が表示される。
勿論、この駆動制御のパラメータは電圧値でなく、電流
値であっても良い。一方、このような表面伝導型放出素
子の応答速度は高速であるため、駆動電圧或は駆動電流
の印加時間は電子ビームが放出される時間に比例する。
即ち、駆動電圧或は駆動電流を一定として、印加時間、
即ち駆動する信号のパルス幅を変調することにより、容
易に階調表示を行うことができる。勿論、この振幅変調
とパルス幅変調を併用しても良い。

【００１６】従って、これら表面伝導型放出素子を単純
マトリクス配線したマルチ電子ビーム源はいろいろな応
用の可能性があり、例えば画像情報に応じた電気信号を
適宜印加すれば、画像表示装置用の電子源として好適に
用いることができる。

【００１７】しかしながら、このような表面伝導型放出
素子を単純マトリクス配線したマルチ電子ビーム源に
は、実際には以下に述べるような問題が発生していた。

【００１８】例えば、テレビジョンやコンピュータ端末
の表示器に応用する場合を初めとして、画像表示装置に
は、高精細、大画面、大画素数、長寿命などの特性が望
まれる。この様な特性を実現するためにマルチ電子ビー
ム源としては、行、列の数の各々が数百〜数千にも及ぶ
非常に大規模な単純マトリックスを構成する必要があ
り、かつこれら表面伝導型放出素子のそれぞれの電子放
出特性が均一であり、しかも長期に亙り、この特性の均
一性が維持されることが要求される。

【００１９】しかしながら、上述のような大規模なマル
チ電子ビーム源においては、各表面伝導型放出素子特性
に製造上のばらつきが発生する問題があった。この製造
上のばらつきは、例えば、各表面伝導型放出素子の電極
や導電膜を達成するための成膜行程やパターニング工程
において、寸法、形状、材料組成などに関して何等かの
原因で誤差が生じた場合に発生していた。

【００２０】また、単純マトリックス配線したマルチ電
子ビーム源を長期に亙って使用した際には、表面伝導型
放出素子の電子放出特性に変化が生じるが、変化の度合
が各表面伝導型放出素子毎に異なるという問題も生じ
た。このようなマルチ電子ビーム源を画像表示装置に応
用した場合には、表示する画像に応じて各表面伝導型放
出素子が駆動されるために、各画素（表面伝導型放出素
子）毎に合計の駆動時間が異なってしまう。このため、
各表面伝導型放出素子の経時変化の度合が各素子毎に異
なることが考えられる。

【００２１】このように、表面伝導型放出素子特性に製
造上のばらつきや、非一様な経時変化が生じると、マル
チ電子ビーム源から放出される電子ビームの強度に各画
素毎にばらつきが生じ、その結果として表示画像に輝度
ムラや色バランスの乱れが発生し、表示画像の品位が低
下してしまう。このため、マルチ電子ビーム源の出力の
ばらつきを補正し、表示画像の品位低下を防止すること
が望まれている。具体的には、特定電圧を印加、或は特
定電流を流した際の表面伝導型放出素子からの電子放出
による放出電流を測定し、その測定値から求められる補
正値を素子駆動回路に設けられた補正テーブル（ルック
アップテーブル；以下ＬＵＴと略す）に記憶させてお
き、マルチ電子源の素子を駆動する時は、その補正値に
基づいて駆動条件（電圧振幅、電流振幅、或いは電流パ
ルス幅のいずれか）を変化させる電気的手段を設け、素
子特性のばらつきを補正した駆動を行えば良い。

【００２２】但し、実際の画像表示の際には、各電子放
出素子からの電子放出が電子マルチ電子ビーム源と蛍光
面の間にアノード電圧（Ｖａで表す）と呼ばれる高電圧
（例えば５ｋＶから３０ｋＶ程度）が印加された状態で
行われるために、以下に述べる幾つかの問題が発生す
る。

【００２３】第１に、高電圧が印加された回路に流れる
微小電流（例えばμＡ程度）を精度良く計るのは容易で
はない。更に、近年の表面画像の高画質化に伴って画像
信号が広帯域化し、その結果、放出電流も高速化し、そ
の周波数は数ＭＨｚから数十ＭＨｚに至っている。その
上、アノード電圧源の周辺には、放電などの高電圧源に
特有の問題に対処するためにガード電極などが形成され
ており、それによるストレー容量も発生しやすくなって
いる。このような状況下で高速の微小電流を精度良く測
定するためには、駆動回路の構成が複雑になり、画像表
示装置全体のコストアップを招いてしまう。

【００２４】第２の問題として、放出電流の測定時に、
放出素子から放出された電子が蛍光体面に衝突して蛍光
面で発光が生じることが挙げられる。放出電流の測定に
伴う評価が出荷前に行われる場合にはあまり問題にはな
らないが、出荷後、即ち画像表示装置のユーザ環境で放
出電流の測定が実施される場合は、本来の画像信号によ
るものでない電子放出が行われるため、その放出電子に
より蛍光体が発光し、画面上にノイズのように表示され
てしまい、これは好ましくないと考える。

【００２５】本発明は上記従来例に鑑みてなされたもの
で、電子ビーム源と蛍光面の間に中間電極を設け、この
中間電極を用いて表面伝導型放出素子からの放出電流を
求めることにより電子ビーム源の駆動電圧を補正する画
像表示方法及び装置及び前記装置における表示補正デー
タの作成方法を提供することを目的とする。

【００２６】本発明の目的は、中間電極への印加電圧を
制御することにより、放出電流の計測時における不要な
発光を抑えて、各表面伝導型放出素子の特性を補正する
ための補正データを作成して補正できる画像表示方法及
び装置及び前記装置における表示補正データの作成方法
を提供することにある。

【００２７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の画像表示装置は以下のような構成を備える。
即ち、基板上に設置された複数の表面伝導型放出素子を
マトリクス状に配線した電子ビーム源と、前記電子ビー
ム源に対向して設置された蛍光体を有する発光面とを備
える画像表示装置であって、前記電子ビーム源と前記発
光面との間に設けられ、前記電子ビーム源から放出され
る電子を通過させるための複数の開口が設けられた中間
電極と、入力された画像信号に応じた輝度信号を発生す
る輝度信号発生手段と、前記電子ビーム源の各表面伝導
型放出素子の特性に応じて前記輝度信号を補正するため
の補正データを記憶する記憶手段と、前記記憶手段に記
憶された補正データに応じて前記輝度信号を補正し、前
記マトリクス状に配線された電子ビーム源の列方向配線
或は行方向配線のいずれかに供給する供給手段とを有す
る。

【００２８】また上記目的を達成するために本発明の画
像表示方法は以下のような工程を備える。即ち、基板上
に設置された複数の表面伝導型放出素子をマトリクス状
に配線した電子ビーム源と、前記電子ビーム源に対向し
て設置された蛍光体を有する発光面とを備える画像表示
装置における画像表示方法であって、入力された画像信
号に応じた輝度信号を発生する工程と、前記電子ビーム
源の各表面伝導型放出素子の特性に応じた補正データを
使用して前記輝度信号を補正する工程と、補正された前
記輝度信号を前記マトリクス状に配線された電子ビーム
源の列方向配線或は行方向配線のいずれかに供給して画
像を表示する工程とを有する。

【００２９】また上記目的を達成するために本発明の表
示補正データの作成方法は以下のような工程を備える。
即ち、基板上に設置された複数の表面伝導型放出素子を
マトリクス状に配線した電子ビーム源と、前記電子ビー
ム源に対向して設置された蛍光体を有する発光面とを備
える画像表示装置における表示補正データの作成方法で
あって、(a)所定電圧を印加して前記電子ビーム源の各
表面伝導型放出素子を順次駆動して電子を放出させる第
１電子放出工程と、(b)前記第１電子放出工程により放
出された電子量を前記電子ビーム源と前記蛍光体との間
に設けられた中間電極を用いて計測する計測工程と、
(c)前記所定電圧に応じた電流値と前記計測工程により
計測された電流値との差分値を求め、その差分値が所定
値以上の時に前記差分値に基づいて次に前記表面伝導型
放出素子を駆動する電圧値を決定する電圧決定工程と、
(d)前記電圧決定工程で決定された電圧値により前記表
面伝導型放出素子を駆動して電子を放出させる第２電子
放出工程と、(e)前記差分値が所定値以下の時に前記所
定電圧の値に基づいて前記表面伝導型放出素子を駆動す
る電圧の補正値を決定する工程とを有し、(f)前記差分
値が所定値以下になるまで、前記工程(b)〜(d)を繰り返
し実行することを特徴とする。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の好適な実施の形態を詳細に説明する。尚、本実施の形
態に好適な表面伝導型放出素子の構造、製法、特性、お
よび画像表示装置の表示パネルの構造、製法などについ
ては後で詳しく述べる。

【００３１】まず、本発明の実施の形態による画像表示
装置の構成を図１乃至図４を参照して説明する。

【００３２】図１は、本実施の形態の画像表示装置の構
成を示したブロック図である。

【００３３】図中、１０１は本実施の形態のマルチ電子
源を有する画像表示パネルで、行方向の端子Ｄx1乃至Ｄ
xM、及び列方向の端子Ｄy1乃至ＤyNを介して外部の電気
回路に接続されている。このうち行方向端子Ｄx1〜ＤxM
には、表示パネル１０１に設けられているマルチ電子ビ
ーム源、即ち、Ｍ行Ｎ列の行列状にマトリックス配線さ
れた表面伝導型放出素子群を１行ずつ順次駆動するため
の走査信号が印加される。一方、列方向端子Ｄy1〜ＤyN
には、走査信号により選択された一行の表面伝導型放出
素子の各素子の出力電子ビームを制御するための、画像
信号を変調した変調信号が印加される。

【００３４】一方、画像表示パネル１０１の高圧端子Ｈ
ｖは、外部のアノード電源１２１（出力電圧Ｖａ）に接
続され、マルチ電子ビーム源から放出された電子を蛍光
体方向に加速している。また、この表示パネル１０１に
組み込まれた電子通過孔を有する中間電極（図４の１０
２０）から取り出された端子Ｓｖは中間電極制御電源１
２２に接続されている。この中間電極制御電源１２２
は、画像表示を行う期間には予め設定した電圧Ｖs1を出
力し、補正データの作成期間（即ち、放出電流の測定期
間）には電圧Ｖs2を発生する（Ｖs1＞Ｖs2）。

【００３５】１００は本実施の形態の画像表示装置にお
けるＬＵＴ１０９の補正用データを作成するための制御
を実行する制御部で、マイクロプロセッサなどのＣＰＵ
１４１、ＣＰＵ１４１により実行されるプログラムを記
憶するプログラムメモリ１４２、ＣＰＵ１４１による処
理の実行時にワークエリアとして使用されるＲＡＭ１４
３などを備えている。１５０は、例えばマウスやキーボ
ード等の入力部で、ユーザにより操作されて、制御部１
００に対してＬＵＴ１０９のデータの作成等の指示を行
っている。入力部１５０より補正用データの作成が指示
されると、制御部１００はＬＵＴデータの作成指示信号
１３３，１３４のそれぞれを、タイミング発生回路１０
４と補正パラメータ演算回路１１０のそれぞれに出力す
る。また、この制御部１００は、信号線１３５を介して
補正パラメータ演算回路１１０から、測定した放出電流
値Ｉe及び補正電圧値ΔＶf等を入力して、後述する図２
のフローチャートで示す処理を実行している。

【００３６】次に、走査回路１０２の構成及び動作につ
いて説明する。

【００３７】この走査回路１０２は、内部にＭ個のスイ
ッチング素子を備え、各スイッチング素子は、図示しな
い直流電圧源の出力電圧Ｖxもしくは０［ｖ］（グラン
ドレベル）のいずれか一方を選択し、表示パネル１０１
の端子Ｄx1〜ＤxMと電気的に接続するものである。この
電圧Ｖxの値は、後述する図１２で例示した表面伝導型
放出素子の特性（電子放出閾値電圧８［ｖ］）に基づ
き、走査選択されていない行の素子に印加される電圧
が、この電子放出閾値電圧以下となるように選ばれる。

【００３８】本実施の形態では、電子放出素子が電子放
出するための閾値電圧が８［Ｖ］であったので、この電
圧値Ｖxとして７［ｖ］の一定電圧を出力するように上
記直流電圧源の出力電圧値が設定されている。尚、走査
回路１０２の各スイッチング素子は、後述するタイミン
グ信号発生回路１０４が出力する制御信号Ｔscanに基づ
いて切り換えられるが、実際には例えばＦＥＴのような
スイッチング素子を組み合わせることにより構成されて
いる。

【００３９】次に、入力された画像信号の流れについて
説明する。

【００４０】入力されたコンポジット画像信号は、デコ
ーダ１０３で３原色（ＲＧＢ）の輝度信号および水平、
垂直同期信号（ＨＳＹＮＣ，ＶＳＹＮＣ）に分離され
る。タイミング信号発生回路１０４では、これらＨＳＹ
ＮＣ，ＶＳＹＮＣ信号を入力し、これら同期信号に同期
した各種タイミング信号を発生している。一方、デコー
ダ１０３によりデコードされたＲＧＢ輝度信号はＳ／Ｈ
（サンプル＆ホールド）回路１０５において、適当なタ
イミングでサンプリングされて保持される。このＳ／Ｈ
回路１０５に保持された信号は、シリアルパラレル（Ｓ
／Ｐ）変換回路１０６に入力され、表示パネル１０１の
各蛍光体の並びに対応した順番に配列されたパラレル信
号に変換される。

【００４１】こうしてＳ／Ｐ変換回路１０６でパラレル
信号に変換されて出力される画像信号は、パルス幅変調
回路１０７で画像信号の強度に対応したパルス幅を持つ
パルス信号に変換される。更に、このパルス信号は、電
圧ドライバ１０８により所定の電圧値に増幅されて、表
示パネル１０１の列方向端子Ｄy1〜ＤyNを通じて表示パ
ネル１０１の表面伝導型放出素子に印加される。ここで
ＬＵＴ１０９には、各素子毎にばらつきを補正するため
のパルス信号の電圧値（補正用データ）がストアされて
おり、電圧ドライバ１０８はこの補正用データを入力
し、その補正用データに応じた電圧の駆動信号を表示パ
ネル１０１に出力する。これにより表示パネル１０１の
全素子は、略一定の放出電流を出力することになる。
尚、このＬＵＴ１０９は、タイミング信号発生回路１０
４からのアクセス信号１３１によりアクセスされ、この
ＬＵＴ１０９から出力されるデータに従って、電圧ドラ
イバ１０８は、駆動される表示パネル１０１の素子の番
号に対応する補正された電圧値のパルス信号を発生す
る。

【００４２】これら補正された電圧値のパルス信号が供
給された表示パネル１０１では、走査回路１０２により
選択した行に接続された表面伝導型素子のみが、その列
方向配線から供給されたパルス幅に応じた期間だけ電子
を放出し、この放出された電子により表示パネル１０１
の蛍光体が発光される。即ち、１水平走査期間中、その
選択された行の全素子が画像輝度信号に合わせて発光す
ることになる。このようにして、走査回路１０２により
選択される行が順次走査されることにより、表示パネル
１０１全体に亙って２次元画像が形成（表示）される。

【００４３】以上が本実施の形態の画像表示装置におけ
る画像表示時の動作の概要であるが、次にＬＵＴ１０９
に記憶する補正データを作成する時の動作について簡単
に説明する。

【００４４】図１において、制御部１００が補正用のデ
ータを作成し、補正パラメータ演算回路１１０を介して
ＬＵＴ１０９に格納して更新する。表示パネル１０１の
製造直後、または一定期間駆動した後、入力部１５０か
らの入力により制御部１００から出力されるＬＵＴ作成
指示信号１３３，１３４に基づいてＬＵＴ１０９の補正
データの作成が開始される。この時、放出電流（Ｉe）
検出回路１１１は、表示パネル１０１の各素子が独立し
て駆動されたときの放出電流値（Ｉeと略す）を検出
し、補正パラメータ演算回路１１０を介してＩeデータ
メモリ１１２に記憶する。そして制御部１００は、表示
パネル１０１の各素子毎の放出電流値Ｉeと、予め設定
されている放出電流値との差、即ち誤差（ΔＩeと略
す）及び駆動電圧値（Ｖfと略す）とＩeとの関係式を用
いて、誤差ΔＩeをゼロにする補正電圧値ΔＶfを予測す
る。こうして、この予測電圧値に基づいて駆動電圧値Ｖ
fを（Ｖf＋ΔＶf）に更新するような補正用データを補
正パラメータ演算回路１１０を介してＬＵＴ１０９に書
き込む。

【００４５】次に、電圧ドライバ１０８は、ＬＵＴ１０
９から入力される補正用データに応じて、出力する駆動
電圧を（Ｖf＋ΔＶf）に変更し、その電圧で表示パネル
１０１を駆動する。この際の放出電流値ＩeがＩe検出回
路１１１でモニタされ、前述と同様にして誤差ΔＩeを
算出する。そして再び、この誤差に基づいて補正電圧値
ΔＶfを予測し、この補正電圧値に従ってＬＵＴ１０９
の内容を更新する。この様な処理を繰り返すことによ
り、表示パネル１０１の各放出素子の特性のばらつきを
なくすような補正データを記憶したＬＵＴ１０９を作成
することができる。

【００４６】このような補正データの作成期間（即ち、
放出電流Ｉeの検出期間）では、タイミング信号発生回
路１０４から出力される制御信号１３２によって、中間
電極１０２０に印加される電源電圧が、電圧値Ｖs1から
電圧値Ｖs2に切り換えられる。

【００４７】ここで、電圧値Ｖs1、Ｖs2の選び方につい
て記す。この画像表示期間中の電圧値Ｖs1では、放出素
子から放出された電子が中間電極１０２０に設けられた
孔（図４の１０２１）を通過して蛍光体面に到達する確
率が高いことが望まれる。

【００４８】本実施の形態では、マルチ電子ビーム源の
面と蛍光面とが形成する平行電界を乱さないような中間
電極１０２０をＶs1として選んだ。即ち、マルチ電子ビ
ーム源と蛍光面間の距離をｈ１、マルチ電子ビーム源と
中間電極間の距離をｈ２とした時に、Ｖs1＝Ｖａ
×ｈ２／ｈ１とした。例えば、ｈ１＝４ｍｍ、ｈ２＝２００μｍ、Ｖ
ａ＝１０ｋＶの場合、Ｖs1＝５００Ｖとした。また、こ
のような条件の下で電子透過率が最大になるように、ｘ
ｙ平面内での上記通過孔１０２１の位置を設定してい
る。この時、電圧値Ｖs2をＶs1より大きくしても、或は
小さくしても、放出電子の蛍光面への到達率が小さくな
ることを本願発明者らは確認している。

【００４９】尚、中間電極制御電源１２２の最大出力電
圧がより低い方が電圧切替が容易であり、しかも電源容
積や価格の点からも好ましい。よって、本実施の形態で
は、Ｖs2＜Ｖs1とした（勿論、Ｖs2＞Ｖs1でも本発明の
目的を達成することができる）。具体的には、ＬＵＴ１
０９に記憶する補正データの作成期間（即ち、放出電流
の測定期間）の電圧としてＶs2＝２００Ｖを選んだ。こ
の場合、電子源部からの電子放出効率の低下が観察され
た。また、この蛍光体への電子放出効率は通過孔１０２
１のサイズにも大きく依存するが、極一部の放出電流は
中間電極１０２０に吸収されることなく蛍光体面に到達
する。しかし、これらの放出効率の変化率Ｋ１、中間電
極の吸収率Ｋ２の値は、マルチ電子源でばらつくことな
く一定の値をとる。更に、またこの値は別の実験系で予
め求めておくことが可能で、本実施の形態の構成では、
Ｋ１×Ｋ２＝０．６２であった。

【００５０】次に、補正用ＬＵＴ１０９のデータを作成
する手順の例を図１及び図２を参照して、より詳細に説
明する。

【００５１】タイミング発生回路１０４は、制御部１０
０からＬＵＴデータの作成指示を受けると、テーブルデ
ータの作成手順に合わせた各種タイミング信号を発生す
る。これらタイミング信号に従い、中間電極１０２０に
接続される中間電極制御電源１２２の出力電圧がＶs1か
らＶs2に切り替えられ、続いて表示パネル１０１のマル
チ電子源の特定の表面伝導型放出素子に対して所定の振
幅、所定パルス幅のパルス信号が列方向配線に印加され
る。これら列方向配線に印加されるパルス信号と、走査
回路１０２出力によって選択された行の表面伝導型放出
素子が駆動され、このとき、その行の放出素子から放出
され、中間電極１０２０に吸収される電流値ＩeがＩe検
出回路１１１によって測定される。

【００５２】図２は、ＬＵＴ１０９のデータ作成処理を
示すフローチャートで、この処理はこの補正データの作
成処理を概念的に示したもので、この処理を実行する制
御プログラムは例えばプログラムメモリ１４２に記憶さ
れている。

【００５３】入力部１５０からＬＵＴデータの作成指示
が入力されると、ＬＵＴ作成指示信号１３３，１３４を
出力する。これにより、表示パネル１０１の表面伝導型
放出素子の内の１つが初期駆動電圧値（ＬＵＴ１０９の
初期値）で駆動される。補正パラメータ演算回路１１０
は、この駆動された放出素子からの放出電流Ｉeを検出
して制御部１００に通知するとともに（ステップＳ
１）、Ｉeデータメモリ１１２の、その選択された放出
素子の番号に対応したアドレスに格納する。尚、このＩ
eデータメモリ１１２の初期値は全て“０”とする。以
下、このフローチャートに沿って説明する。（条件１）Ｉeデータメモリ１１２に格納する際、ステ
ップＳ２で、補正パラメータ演算回路１１０は、対応す
るＩeデータメモリ１１２のメモリアドレスに格納され
ていたデータ（前回ストアしたＩeデータ）と、今回測
定されたＩeデータとを比較する。この比較の目的は、
表示パネル１０１のマルチ電子源のどの表面伝導型放出
素子に欠陥があるかを特定するためである。即ち、素子
の駆動電圧Ｖfを変化させた時に、放出電流値Ｉeに変化
がない場合は、その表面伝導型放出素子が欠陥であると
判定される。この欠陥素子の判定は、検出した放出電流
値Ｉeがゼロかどうかで判定しても良いが、初期電圧で
駆動する時に放出電流値Ｉeがほとんどゼロの場合は区
別できないので、この方法が望ましい。こうして欠陥で
あると判定された場合はステップＳ３に進み、その欠陥
の放出素子の位置をエラー情報として制御部１００に通
知し、制御部１００のＲＡＭ１４３にエラー情報として
記憶し、ステップＳ９以降の処理で、次の放出素子の補
正データを求めるための駆動を行う。

【００５４】検出した放出電流値Ｉeが前回の電流値と
変化している場合は、その測定した電流値をＩeデータ
メモリ１１２に格納し、次の条件２に進む。（条件２）次にステップＳ４に進み、測定された電流値
に基づくＩeデータを設定Ｉe値（予め定められた所望の
電流値）と比較し、その設定Ｉe値との誤差ΔＩeを算出
する。この誤差ΔＩeがほぼ“０”（正確には、補正後
の許容電流値Ｉeのばらつき量）の場合、選択駆動され
た表面伝導型放出素子の駆動電圧値は、現状のＬＵＴ１
０９の値で良い（予測通りの電流値が得られた）のでス
テップＳ９（条件４）に進む。一方、この誤差ΔＩe≠
０の場合、更にその駆動電圧値を補正する必要があるの
で、その誤差ΔＩeから、その駆動電圧を補正するため
の補正電圧値ΔＶfを求める。この時、（Ｉe−Ｖf）の
関係式を用いて、誤差ΔＩeから補正電圧値ΔＶfを予測
する（ステップＳ５）。このステップＳ５の処理の詳細
については後述する。（条件３）次に、ステップＳ５で予測された補正電圧値
ΔＶfと、現状のＬＵＴ１０９に格納された駆動電圧値
Ｖfとを加算した（Ｖf＋ΔＶf）値が、駆動電圧の上限
Ｖf（max）を越えていないかどうかを判定する（ステッ
プＳ６）。この最大値Ｖf（max）は素子に印加しても良
い最大定格電圧からノイズマージン分を差し引いた値に
設定しておくのが望ましい。この目的は、電子放出素子
に過大な電圧を印加することを防止するためである。条
件３で、（Ｖf＋ΔＶf）＞Ｖf（max）であると判定され
た場合は、その選択された表面伝導型放出素子は、駆動
電圧の上限電圧以上を印加しても電子放出電流が設定値
に達せず、補正不可能な不良素子であると判断される。
即ち、条件３によって表面伝導型放出素子の良否を判定
し、不良素子である場合は、その素子の位置をエラー情
報として制御部１００に通知し、前述の制御部１００の
ＲＡＭ１４３にエラー情報として記憶し（ステップＳ
７）、次の放出素子の補正のための駆動を行う。

【００５５】一方、条件３において、上限電圧値以下、
即ち、（Ｖf＋ΔＶf）＜Ｖf（max）と判定された場合は
ステップＳ８に進み、その放出素子の駆動電圧値をＶf
から（Ｖf＋ΔＶf）に変更するような補正データに更新
してＬＵＴ１０９に格納する。そして再び（条件１）に
戻って、その更新されたＬＵＴ１０９のデータを使用し
て、同じ放出素子を、その補正された電圧値により駆動
して、再度放出電流の計測を行い（Ｓ２）、ステップＳ
４で、設定されている設定Ｉe値との誤差ΔＩeが略ゼロ
になるまで、前述のフローチャートに従ってＬＵＴ１０
９の補正データを作成する。こうして誤差ΔＩeが略
“０”となって条件１〜３のループを抜けると、その選
択された表面伝導型放出素子に関して、ＲＡＭ１４３に
以下のようなＬＵＴデータ或はエラー情報がストアされ
る。

【００５６】（終了状態）（補正結果）・Ｉe補正完了ＬＵＴ１０９に補正電圧Ｖf値が記憶されている（正常終了）。

【００５７】・欠陥と判断（補正不可）エラー情報を
ストア、ＬＵＴデータはＶfに相当・不良と判断（補正不可）エラー情報をストア、ＬＵ
Ｔデータ〜Ｖf（max）（条件４）ステップＳ９では、表示パネル１０１のマル
チ電子源の全ての放出素子に関して、ＬＵＴ１０９のデ
ータの作成を行ったかどうかを判定する。こうして全て
の放出素子に関してＬＵＴデータの作成が完了すると、
この処理を終了する。

【００５８】次に、こうして測定された電流値Ｉeと設
定Ｉe値との誤差ΔＩeから、駆動電圧の補正電圧値ΔＶ
fを予測する方法について説明する。

【００５９】本発明の実施の形態においては、測定電流
値Ｉesと制御パラメータＶfとの関係式を用いて補正量
の予測を行った。この表面伝導型放出素子の電子放出素
子特性は例えば図１２に示すようになる。この時、（Ｉ
e−Ｖf）の関係は、Ｉe＝ａ×（Ｖfの2乗）×exp（ｂ／Ｖf）で近似することができる。ここで電圧値Ｖs1とＶs2の違
いによる電子放出効率の変化の割合をＫ１、中間電極１
０２０での吸収率をＫ２で表すと、ここで測定される電
流値Ｉesは、

【００６０】

【数１】

【００６１】Ｉes＝Ｋ１×Ｋ２×ａ×（Ｖfの2乗）×exp（ｂ／Ｖf） …（１）で記述される。そこで、補正電圧値ΔＶfを予測するた
めに数式（１）を電圧値Ｖfで微分して以下の関係式を
得る。

【００６２】

【数２】

【００６３】 ΔＶf＝（ΔＩe／Ｉes）／｛（２／Ｖf）−（ｂ／（Ｖfの2乗）｝…（２）この数式（２）は（Ｉes−Ｖf）の関係式が前述の数式
（１）で記述された時に、ΔＩe（設定値との誤差：計
測値）から、ΔＶf（駆動電圧補正値：制御値）を近似
して算出する式である。この数式（２）において、計測
された電流値Ｉes及び駆動電圧Ｖfは前述のようにＲＡ
Ｍ１４３に記憶されているので、数式（１）のパラメー
タ（ｂ）が判れば、電圧補正値ΔＶfを予測できる。い
ま、各電子放出素子の特性がばらついている場合、パラ
メータ（ｂ）もばらつくと考えられるが、このパラメー
タ（ｂ）を各放出素子毎に検出するのは、ＬＵＴ１０９
のデータを高速に取得する点で好ましくない。また、パ
ラメータ（ｂ）のばらつきは予測値の誤差をもたらす
が、前述した予測と実測とを何回か行うことにより、そ
の誤差を収束させることが可能である。そこで、パラメ
ータ（ｂ）が全ての放出素子で同じであると仮定して、
数式（２）により各放出素子の補正値を予測した。この
予測値は、表示パネル１０１におけるパラメータ（ｂ）
の最小値を予測パラメータとして予測フィードバックに
よる制御パラメータの発振を防ぐことができる。

【００６４】実際の放出素子のパラメータを用いて、数
式（２）を用いた予測例を以下に示す。なお、本実施の
形態とは別の手段で、これに適用した放出素子の（Ｉe
−Ｖf）特性を測定した。参考までに、その結果を数式
（３）で示す（尚、この数式（３）は本実施の形態の補
正用ＬＵＴ１０９のデータの作成には用いていない）。

【数３】Ｉe＝２．７７×（１０の-4乗）×（Ｖfの2乗）×exp（１５２．１／Ｖf） …（３）（予測のためのパラメータ）いま、表示の際の放出素子
の駆動時における蛍光体への到達電流（放出電流）の目
標値を１μＡとする。ここでＫ１×Ｋ２＝０．６２とす
ると、Ｖs2＝２００Ｖでの設定電流値Ｉeは０．６２μ
Ａとなる。またパラメータ（ｂ）の値は“２００”と仮
定した。

【００６５】（１回目の測定データ）測定データ：Ｖf＝１３．５Ｖ，Ｖａ＝１０ｋＶ，Ｖs2
＝２００Ｖのとき、Ｉes＝０．４０μＡ …（４）（１回目の予測）（４）で得られたデータを数式（２）
に代入して、ΔＶf＝０．５８Ｖ（設定電流値Ｉeにする
ために必要な補正電圧量）を得る。従って、更新された
ＬＵＴデータは、（Ｖf＋ΔＶf）＝１４．０８Ｖ …（５）に対応した補正用データとなる。

【００６６】（２回目の測定データ）測定データ：Ｖf＝１４．０８Ｖのとき、Ｉes＝０．６９μＡ …（６）（２回目の予測値）（６）で得られたパラメータを数式
（２）に代入して、ΔＶf＝−０．１２Ｖを得る。

【００６７】従って、ＬＵＴデータは、（Ｖf＋ΔＶf）＝１３．９６Ｖ …（７）に対応した補正用データとなる。

【００６８】（３回目の測定データ）測定データ：Ｖf＝１３．９６Ｖのとき、Ｉes＝０．６２μＡ …（８）この例では、２回の予測を行うことで、Ｉes＝０．６２
μＡとするためのＶf値（１３．９６Ｖ）が得られた。
これに対応する補正用データをＬＵＴ１０９に格納し、
このＬＵＴ１０９に格納された補正データに従って電圧
ドライバ１０８により放出素子の駆動を行う。尚、実際
にＬＵＴ１０９に記憶される補正用データは、電圧値Ｖ
fから選択電位として与える電圧（７Ｖ）を差し引いた
電圧値に対応したデータである。更に、図２に示すフロ
ーチャートに従って、表示パネル１０１の全ての表面伝
導型放出素子に亙って放出電流値Ｉeを略一定の値にで
きるような駆動電圧の補正用テーブル（ＬＵＴ）を作成
することができる。

【００６９】このようにして作成したＬＵＴ１０９を用
いて、実際に表示パネル１０１の放出素子のばらつきに
基づく駆動電圧の補正及び駆動を行った様子を図３に示
す。図３の例では、表示パネル１０１の１つの列方向配
線に注目し、この列方向配線に関する素子駆動の時間変
化を表している。

【００７０】図３（ａ）は水平同期信号（ＨＳＹＮＣ）
を示し、図３（ｂ）は選択される、表示パネル１０１の
表面伝導型放出素子の番号（この番号はＬＵＴ１０９の
アクセスされるアドレスにも対応する）の出力タイミン
グを示し、図３（ｃ）は選択した画素に表示する映像輝
度信号（画像データ）を示している。また図３（ｄ）
は、ＬＵＴ１０９から読み出されるばらつきの補正用デ
ータに基づく電圧値を示し、図３（ｅ）は、電圧ドライ
バ１０８から出力される駆動電圧のパルス波形を示して
いる。図３（ｆ）は、表示パネル１０１の各放出素子か
ら得られる放出電流の波形を示している。

【００７１】図３から明らかなように、ＬＵＴ１０９か
ら放出素子のばらつきを補正するような補正用データが
読み出されると、電圧ドライバ１０８はその補正用デー
タに対応する電圧振幅をもつパルス信号を発生する。こ
の結果、表示パネル１０１の各放出素子から図３（ｆ）
に示すような電流波形を有する放出電流が出力される。
この電流の波形は、表示パネル１０１のどの放出素子か
らも一定の振幅を持った形で出力され、画像データ（映
像輝度信号）に対応した電流波形となっている。

【００７２】尚、本実施の形態では、ＬＵＴテーブル１
０９は、ある一定の放出電流に対応して１つだけ設けら
れていたが、本発明はこれに限定されるものでなく、い
くつかの設定された放出電流値に対応する複数のＬＵＴ
を用意し、これらＬＵＴの内使用するＬＵＴを切り換え
ることにより表示される画像の輝度調整等を実行しても
良い。また、画像信号の変調方式としては、本実施の形
態のパルス幅変調に限らず、例えば振幅変調を用いても
良い。更にまた、ＬＵＴのデータの作成方法も上述の手
順以外であっても良い。また本実施の形態は、中間電極
１０２０に流れる電流に基づいて放出電流値Ｉeを検出
するものであって、その検出した電流値Ｉeに基づいて
補正データを作成する方法に制限されるものではない。

【００７３】なお、本発明の実施の形態で示したように
放出電流の検出を、数〜数１０ｋＶの高電圧が印加され
た回路に流れる電流でなく、数１００Ｖ程度の比較的低
い電圧が印加された中間電極を含む回路に流れる電流値
Ｉesを測定することによって達成している。その結果、
その放出電流の検出に使用するの回路部品の耐圧を低減
できる。更に、比較的低い電圧を使用して計測できるた
め、ストレー容量やリーク電流も改善され、特別な工夫
を必要とすることなく、高精度でかつ高速に放出電流を
検出するための回路が容易に実現されている。

【００７４】また一方で、放出電流の測定期間には、放
出電流のほとんど（本実施の形態では９８％以上）が中
間電極１０２０に吸収され、放出された電子により蛍光
体を発光させることなく補正用データの作成が行えた。
この結果、画像表示装置の電源投入や、切断直後や画像
信号のブランキング期間中に駆動条件の修正動作（補正
データ作成）を行う場合にも、表示パネル１０１の表示
面が発光されないため、ユーザに対して不必要な画像を
表示しなくて済むようになった。

【００７５】（表示パネル１０１の構成と製造法）次
に、本発明を適用した画像表示装置の表示パネル１０１
の構成と製造法について、具体的な例を示して説明す
る。

【００７６】図４は、本実施の形態に用いた表示パネル
１０１の斜視図であり、内部構造を示すために表示パネ
ル１０１の１部を切り欠いて示している。

【００７７】図中、１００５はリアプレート、１００６
は側壁、１００７はフェースプレートであり、１００５
〜１００７により表示パネルの内部を真空に維持するた
めの気密容器を形成している。この気密容器を組み立て
るにあたっては、各部材の接合部に十分な強度と気密性
を保持させるため封着する必要があるが、例えばフリッ
トガラスを接合部に塗布し、大気中或は窒素雰囲気中
で、摂氏４００〜５００度で１０分以上焼成することに
より封着を達成した。気密容器内部を真空に排気する方
法については後述する。

【００７８】リアプレート１００５には、基板１００１
が固定されているが、この基板１００１上には表面伝導
型放出素子１００２がＮ×Ｍ個形成されている（ここで
Ｎ，Ｍは２以上の正の整数であり、目的とする表示画素
数に応じて適宜設定される。例えば、高品位テレビジョ
ンの表示を目的とした表示装置においては、Ｎ＝３００
０，Ｍ＝１０００以上の数を設定することが望ましい。
本実施の形態においては、Ｎ＝３０７２，Ｍ＝１０２４
とした）。これらＮ×Ｍ個の表面伝導型放出素子１００
２は、Ｍ本の行方向配線１００３とＮ本の列方向配線１
００４により単純マトリクス配線されている。これら基
板１００１、表面伝導型放出素子１００２、行方向配線
１００３及び列方向配線１００４によって構成される部
分をマルチ電子ビーム源と呼ぶ。なお、このマルチ電子
ビーム源の製造方法や構造については、後で詳しく述べ
る。

【００７９】尚、本実施の形態の表示パネル１０１で
は、列方向配線１００４上に絶縁層（不図示）を介し
て、導電性を有する薄板（アルミニウム等）からなる中
間電極１０２０が設置されている。この中間電極１０２
０には、各電子放出素子１００２の電子放出部から放出
される電子の軌道を遮らないように複数の電子通過孔１
０２１が設けられている。

【００８０】本実施の形態においては、気密容器のリア
プレート１００５にマルチ電子ビーム源の基板１００１
を固定する構成としたが、マルチ電子ビーム源の基板１
００１が十分な強度を有するものである場合には、この
気密容器のリアプレートとしてマルチ電子ビーム源の基
板１００１自体を用いても良い。

【００８１】また、フェースプレート１００７の下面に
は蛍光膜１００８が形成されている。本実施の形態の表
示パネル１０１はカラー表示装置に使用されるため、蛍
光膜１００８の部分にはＣＲＴの分野で用いられている
赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体が塗り
分けられている。各色の蛍光体は、例えば図５（Ａ）に
示すようにストライプ状に塗り分けられ、各色の蛍光体
のストライプの間には黒色の導電体１０１０が設けられ
ている。この黒色の導電体１０１０を設ける目的は、電
子ビームの照射位置に多少のずれがあっても表示色にず
れが生じないようにするためや、外光の反射を防止して
表示コントラストの低下を防ぐため、更には電子ビーム
による蛍光膜のチャージアップを防止するため等であ
る。尚、この黒色の導電体１０１０には黒鉛を主成分と
して用いたが、上記の目的に適するものであればこれ以
外の材料を用いても良い。

【００８２】また、３原色（ＲＧＢ）の蛍光体の塗り分
け方は、図５（Ａ）に示したストライプ状の配列に限ら
れるものではなく、例えば図５（Ｂ）に示すようなデル
タ状配列や、それ以外の配列であっても良い。

【００８３】なお、モノクロームの表示パネルを作成す
る場合には、単色の蛍光体材料を蛍光膜１００８に用い
ればよく、また黒色導電材料は必ずしも用いなくとも良
い。また、蛍光膜１００８の電子放出素子１００２側の
面には、ＣＲＴの分野では公知のメタルバック１００９
を設けてある。このメタルバック１００９を設けた目的
は、蛍光膜１００８が発する光の一部を鏡面反射して光
の利用率を向上させるためや、負イオンの衝突から蛍光
膜１００８を保護するため、電子ビームの加速電圧を印
加するための電極として作用させるため、更には蛍光膜
１００８を励起した電子の導電路として作用させるため
などである。このメタルバック１００９は、蛍光膜１０
０８をフェースプレート基板１００７上に形成した後、
蛍光膜１００８の表面を平滑化処理し、その上にＡｌ
（アルミニウム）を真空蒸着する方法により形成した。
尚、蛍光膜１００８に低電圧用の蛍光体材料を用いた場
合にはメタルバック１００９は用いない。

【００８４】また、本実施の形態では用いなかったが、
加速電圧を印加するため、或は蛍光膜１００８の導電性
の向上を目的として、フェースプレート基板１００７と
蛍光膜１００８との間に、例えばＩＴＯを材料とする透
明電極を設けても良い。

【００８５】一方、行方向端子Ｄx1〜ＤxM、列方向端子
Ｄy1〜ＤyN、ＨｖおよびＳｖは、この表示パネル１０１
と、前述した電気ドライバ１０８や走査回路１０２等と
を電気的に接続するために設けた気密構造の電気的接続
用端子である。

【００８６】これら行方向端子Ｄx1〜ＤxMはマルチ電子
ビーム源の行方向配線１００３と、そして列方向端子Ｄ
y1〜ＤyNはマルチ電子ビーム源の列方向配線１００４
と、端子Ｈｖはフェースプレート１００７のメタルバッ
ク１００９と、端子Ｓｖは中間電極１０２０と、それぞ
れ電気的に接続されている。

【００８７】また、この気密容器の内部を真空に排気す
るには、この気密容器を組み立てた後、不図示の排気管
と真空ポンプとを接続し、気密容器内を１０のマイナス
７乗［torr］程度の真空度まで排気する。その後、その
排気管を封止するが、この気密容器内の真空度を維持す
るために、封止の直前或は封止後に、その気密容器内の
所定の位置にゲッター膜（不図示）を形成する。このゲ
ッター膜とは、例えばＢａを主成分とするゲッター材料
をヒータもしくは高周波加熱により加熱し蒸着して形成
した膜であり、このゲッター膜の吸着作用により、この
気密容器内は１×１０マイナス５乗〜１×１０マイナス
７乗［torr］の真空度に維持される。

【００８８】以上、本発明の実施の形態の表示パネル１
０１の基本構成と、その製法を説明した。

【００８９】次に、前記実施の形態の表示パネル１０１
に用いたマルチ電子ビーム源の製造方法について説明す
る。本実施の形態の画像表示装置に用いるマルチ電子ビ
ーム源は、表面伝導型放出素子を単純マトリクス配線し
た電子源であれば、表面伝導型放出素子の材料や形状或
は製法に制限はない。しかしながら、本願発明者らは、
表面伝導型放出素子の中では、電子放出部もしくはその
周辺部を微粒子膜から形成したものが電子放出特性に優
れ、しかも製造が容易に行えることを見出している。従
って、高輝度で大画面の画像表示装置のマルチ電子ビー
ム源に用いるには最も好適であると言える。そこで、上
記実施の形態の表示パネル１０１においては、電子放出
部もしくはその周辺部を微粒子膜から形成した表面伝導
型放出素子を用いた。そこで、まず好適な表面伝導型放
出素子について基本的な構成と製法および特性を説明
し、その後で多数の素子を単純マトリクス配線したマル
チ電子ビーム源の構造について述べる。（表面伝導型放出素子の好適な素子構成とその製法）電
子放出部もしくはその周辺部を微粒子膜から形成する表
面伝導型放出素子の代表的な構成には平面型と垂直型の
２種類があげられる。（平面型の表面伝導型放出素子）まず最初に、平面型の
表面伝導型放出素子の素子構成と製法について説明す
る。図６に示すのは、平面型の表面伝導型放出素子の構
成を説明するための平面図（Ａ）と、その断面図（Ｂ）
である。

【００９０】図中、１１０１は基板、１１０２と１１０
３は素子電極、１１０４は導電性薄膜、１１０５は通電
フォーミング処理により形成した電子放出部、１１１３
は通電活性化処理により形成した薄膜である。基板１
１０１としては、例えば、石英ガラスや青板ガラスをは
じめとする各種ガラス基板や、アルミナをはじめとする
各種セラミクス基板、或は上述の各種基板上に例えばＳ
ｉＯ2を材料とする絶縁層を積層した基板などを用いる
ことができる。

【００９１】また、基板１１０１上に基板面と平行に対
向して設けられた素子電極１１０２及び１１０３は、導
電性を有する材料によって形成されている。例えば、Ｎ
ｉ，Ｃｒ，Ａｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｐｄ，
Ａｇ等をはじめとする金属、或はこれらの金属の合金、
或はＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2をはじめとする金属酸化物、ポ
リシリコンなどの半導体などの中から適宜材料を選択し
て用いれば良い。これら電極１１０２，１１０３を形成
するには、例えば真空蒸着などの製膜技術とフォトリソ
グラフィ、エッチングなどのパターニング技術を組み合
わせて用いれば容易に形成できるが、それ以外の方法
（例えば印刷技術）を用いて形成しても差し支えない。

【００９２】これら素子電極１１０２と１１０３の形状
は、この電子放出素子の応用目的に合わせて適宜設計さ
れる。一般的には、電極間隔Ｌは通常は数百Åから数百
μｍまでの範囲から適当な数値を選んで設計されるが、
中でも表示装置に応用するために好ましいのは数μｍよ
り数十μｍまでの範囲である。また、これら素子電極１
１０２，１１０３の厚さｄについては、通常は数百Åか
ら数μｍまでの範囲から適当な数値が選ばれる。

【００９３】また、導電性薄膜１１０４の部分には微粒
子膜を用いる。ここで述べた微粒子膜とは、構成要素と
して多数の微粒子を含んだ膜（島状の集合体も含む）の
ことを指す。この微粒子膜を微視的に調べれば、通常
は、個々の微粒子が離間して配置された構造か、或は微
粒子が互いに隣接した構造か、或は微粒子が互いに重な
り合った構造が観測される。この微粒子膜に用いた微粒
子の粒径は、数Åから数千Åまでの範囲に含まれるもの
であるが、中でも好ましいのは１０Åから２００Åまで
の範囲のものである。また、微粒子膜の膜厚は、以下に
述べるような諸条件を考慮して適宜設定される。即ち、
素子電極１１０２或は１１０３と電気的に良好に接続す
るのに必要な条件、後述する通電フォーミングを良好に
行うのに必要な条件、微粒子膜自身の電気抵抗を後述す
る適宜の値にするために必要な条件などである。具体的
には、数Åから数千Åまでの範囲の中で設定するが、中
でも好ましいのは、１０Åから５００Åまでの間であ
る。

【００９４】また、この微粒子膜を形成するのに用いら
れうる材料としては、例えば、Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ａ
ｇ，Ａｕ，Ｔｉ，Ｉｎ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｓ
ｎ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｂなどをはじめとする金属や、Ｐｄ
Ｏ，ＳｎＯ2，Ｉｎ2Ｏ3，ＰｂＯ，Ｓｂ2Ｏ3などをはじ
めとする酸化物や、ＨｆＢ2，ＺｒＢ2，ＬａＢ6，Ｃｅ
Ｂ6，ＹＢ4，ＧｄＢ4などをはじめとする硼化物や、Ｔ
ｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＴａＣ，ＳｉＣ，ＷＣなどをは
じめとする炭化物や、ＴｉＮ，ＺｒＮ，ＨｆＮなどをは
じめとする窒化物や、Ｓｉ，Ｇｅ，などをはじめとする
半導体や、カーボンなどが挙げられ、これらの中から適
宜選択される。

【００９５】以上述べたように、導電性薄膜１１０４を
微粒子膜で形成したが、そのシート抵抗値については、
１０の３乗から１０の７乗［オーム／□］の範囲に含ま
れるよう設定した。

【００９６】なお、導電性薄膜１１０４と素子電極１１
０２及び１１０３とは、電気的に良好に接続されるのが
望ましいため、互いの一部が重なり合うような構造をと
っている。その重なり方は、図６の例においては、下か
ら、基板１１０１、素子電極１１０２，１１０３、導電
性薄膜１１０４の順序で積層したが、場合によっては下
から基板１１０１、導電性薄膜１１０４、素子電極１１
０２，１１０３の順序で積層してもさしつかえない。

【００９７】また、電子放出部１１０５は、導電性薄膜
１１０４の一部に形成された亀裂状の部分であり、電気
的には周囲の導電性薄膜１１０４よりも高抵抗な性質を
有している。この亀裂は、導電性薄膜１１０４に対し
て、後述する通電フォーミングの処理を行うことにより
形成される。この亀裂内には、数Åから数百Åの粒径の
微粒子を配置する場合がある。尚、実際の電子放出部１
１０５の位置や形状を精密かつ正確に図示するのは困難
なため、図６においては模式的に示した。

【００９８】また、図６に示す薄膜１１１３は、炭素も
しくは炭素化合物よりなる薄膜で、電子放出部１１０５
およびその近傍を被覆している。この薄膜１１１３は、
通電フォーミング処理後に、後述する通電活性化の処理
を行うことにより形成される。この薄膜１１１３は、単
結晶グラファイト、多結晶グラファイト、非晶質カーボ
ン、のいずれかか、もしくはその混合物であり、その膜
厚は５００Å以下とするが、３００Å以下とするのが更
に好ましい。

【００９９】なお、実際の薄膜１１１３の位置や形状を
精密に図示するのは困難なため、図６においては模式的
に示した。また、平面図（Ａ）においては、薄膜１１１
３の一部を除去した素子を図示した。

【０１００】以上、好ましい電子放出素子の基本構成を
述べたが、本実施の形態においては以下のような素子を
用いた。

【０１０１】即ち、基板１１０１には青板ガラスを用
い、素子電極１１０２と１１０３にはＮｉ薄膜を用い
た。素子電極の厚さｄは１０００Å、電極間隔Ｌは２μ
ｍとした。導電性薄膜の微粒子膜の主要材料としてＰｄ
もしくはＰｄＯを用い、その微粒子膜の厚さは約１００
Å、幅Ｗは１００μｍとした。

【０１０２】次に、好適な平面型の表面伝導型放出素子
の製造方法について説明する。図７（ａ）〜（ｄ）は、
本実施の形態の表面伝導型放出素子の製造工程を説明す
るための断面図で、各部材の表記は前記図６と同一であ
る。

【０１０３】（１）まず、図７（ａ）に示すように、基
板１１０１上に素子電極１１０２及び１１０３を形成す
る。これら素子電極１１０２，１１０３を形成するにあ
たっては、予め基板１１０１を洗剤、純水、有機溶剤を
用いて十分に洗浄した後、素子電極１１０２，１１０３
の材料を堆積させる。この堆積方法としては、例えば、
蒸着法やスパッタ法などの真空成膜技術を用れば良い。
その後、その堆積した電極材料をフォトリソグラフィや
エッチング技術等を用いてパターニングし、図７（ａ）
に示した一対の素子電極１１０２，１１０３を形成す
る。

【０１０４】（２）次に、同図（ｂ）に示すように、導
電性薄膜１１０４を形成する。

【０１０５】この導電性薄膜１１０４を形成するにあた
っては、まず前記図７（ａ）の基板１１０１上に有機金
属溶液を塗布して乾燥させ、加熱焼成処理して微粒子膜
を成膜した後、フォトリソグラフィやエッチングによ
り、その微粒子膜を所定の形状にパターニングする。こ
こで、有機金属溶液とは、導電性薄膜１１０４に用いる
微粒子の材料を主要元素とする有機金属化合物の溶液で
ある。具体的には、本実施の形態では主要元素としてＰ
ｄを用いた。また、本実施の形態では塗布方法として、
ディッピング法を用いたが、それ以外の例えばスピンナ
ー法やスプレー法を用いても良い。

【０１０６】また、微粒子膜で作られる導電性薄膜の成
膜方法としては、本実施の形態で用いた有機金属溶液の
塗布による方法以外の、例えば真空蒸着法やスパッタ
法、或は化学的気相堆積法などを用いる場合もある。

【０１０７】（３）次に、同図（ｃ）に示すように、フ
ォーミング用電源１１１０から素子電極１１０２と１１
０３の間に適宜の電圧を印加し、通電フォーミング処理
を行って電子放出部１１０５を形成する。

【０１０８】この通電フォーミング処理とは、微粒子膜
で作られた導電性薄膜１１０４に通電を行って、その一
部を適宜に破壊、変形、もしくは変質せしめ、電子放出
を行うのに好適な構造に変化させる処理のことである。
この微粒子膜で作られた導電性薄膜のうち、電子放出を
行うのに好適な構造に変化した部分（即ち電子放出部１
１０５）においては、薄膜１１０４に適当な亀裂が形成
されている。尚、この電子放出部１１０５が形成される
前と比較すると、形成された後は素子電極１１０２と１
１０３の間で計測される電気抵抗は大幅に増加する。

【０１０９】この通電フォーミングにおける通電方法を
より詳しく説明するために、図８にフォーミング用電源
１１１０から印加する適宜の電圧波形の一例を示す。

【０１１０】微粒子膜で作られた導電性薄膜１１０４を
フォーミングする場合には、パルス状の電圧が好まし
く、本実施の形態の場合には同図に示したようにパルス
幅Ｔ１の三角波パルスをパルス間隔Ｔ２で連続的に印加
した。その際には、三角波パルスの波高値Ｖpfを順次昇
圧した。また、電子放出部１１０５の形成状況をモニタ
するためのモニタパルスＰmを適宜の間隔で三角波パル
スの間に挿入し、その際に流れる電流を電流計１１１１
で計測した。

【０１１１】本実施の形態においては、例えば１０のマ
イナス５乗［torr］程度の真空雰囲気下において、例え
ばパルス幅Ｔ１を１［ミリ秒］、パルス間隔Ｔ２を１０
［ミリ秒］とし、波高値Ｖpfを１パルス毎に０．１
［Ｖ］ずつ昇圧した。そして、三角波を５パルス印加す
る度に１回の割りで、モニタパルスＰmを挿入した。
尚、フォーミング処理に悪影響を及ぼすことがないよう
に、モニタパルスの電圧Ｖpmは０．１［Ｖ］に設定し
た。そして素子電極１１０２と１１０３の間の電気抵抗
が１×１０の６乗［Ω］になった段階、即ちモニタパル
スＰｍの印加時に電流計１１１１で計測される電流値が
１×１０のマイナス７乗［Ａ］以下になった段階で、こ
のフォーミング処理にかかわる通電を終了した。

【０１１２】なお、上記の方法は、本実施の形態の表面
伝導型放出素子に関する好ましい方法であり、例えば微
粒子膜の材料や膜厚、或は素子電極間隔Ｌなど表面伝導
型放出素子の設計を変更した場合には、それに応じて通
電の条件を適宜変更するのが望ましい。

【０１１３】（４）次に、図７（ｄ）に示すように、活
性化用電源１１１２から素子電極１１０２と１１０３の
間に適宜の電圧を印加し、通電活性化処理を行って電子
放出部１１０５の電子放出特性の改善を行う。

【０１１４】この通電活性化処理とは、前記通電フォー
ミング処理により形成された電子放出部１１０５に適宜
の条件で通電を行って、その近傍に炭素もしくは炭素化
合物を堆積せしめる処理のことである（図６及び図７に
おいては、炭素もしくは炭素化合物よりなる堆積物を部
材１１１３として模式的に示した）。尚、通電活性化処
理を行うことにより、行う前と比較して、同じ印加電圧
における放出電流を典型的には約１００倍以上に増加さ
せることができる。

【０１１５】具体的には、１０のマイナス４乗〜１０の
マイナス５乗［torr］の範囲内の真空雰囲気中で、活性
化用電源１１１２から素子電極１１０２，１１０３間に
電圧パルスを定期的に印加することにより、真空雰囲気
中に存在する有機化合物を起源とする炭素もしくは炭素
化合物を堆積させる。この堆積物１１１３は、単結晶グ
ラファイト、多結晶グラファイト、非晶質カーボン、の
いずれかか、もしくはその混合物であり、その膜厚は５
００Å以下、より好ましくは３００Å以下である。

【０１１６】この活性化処理における通電方法をより詳
しく説明するために、図９（Ａ）に活性化用電源１１１
２から印加する適宜の電圧波形の一例を示す。本実施の
形態においては、一定電圧の矩形波を定期的に印加して
通電活性化処理を行ったが、具体的には，矩形波の電圧
Ｖａｃは１４［Ｖ］，パルス幅Ｔ３は１［ミリ秒］，パ
ルス間隔Ｔ４は１０［ミリ秒］とした。尚、上述の通電
条件は、本実施の形態の表面伝導型放出素子に関する好
ましい条件であり、表面伝導型放出素子の設計を変更し
た場合には、それに応じて条件を適宜変更するのが望ま
しい。

【０１１７】図７（ｄ）に示す１１１４は、この表面伝
導型放出素子から放出される電子を捕捉するためのアノ
ード電極で、直流高電圧電源１１１５および電流計１１
１６が接続されている。尚、基板１１０１を、表示パネ
ル１０１の中に組み込んでから活性化処理を行う場合に
は、表示パネル１０１の蛍光面をアノード電極１１１４
として用いる。この活性化用電源１１１２から素子電極
１１０２，１１０３間に電圧を印加する間、電流計１１
１６で電子放出素子から放出された電流値Ｉeを計測し
て通電活性化処理の進行状況をモニタし、活性化用電源
１１１２の動作を制御する。この電流計１１１６で計測
された放出電流値Ｉeの一例を図９（Ｂ）に示す。この
図から明らかなように、活性化電源１１１２からパルス
電圧を印加しはじめると、時間の経過とともに放出電流
Ｉeは増加するが、やがて飽和してほとんど増加しなく
なる。このように、放出電流Ｉeがほぼ飽和した時点で
活性化用電源１１１２からの素子電極１１０２，１１０
３間への電圧印加を停止し、通電活性化処理を終了す
る。

【０１１８】なお、上述の通電条件は、本実施の形態の
表面伝導型放出素子に関する好ましい条件であり、表面
伝導型放出素子の設計を変更した場合には、それに応じ
て条件を適宜変更するのが望ましい。

【０１１９】以上のようにして、図７（ｅ）に示す平面
型の表面伝導型放出素子を製造した。（垂直型の表面伝導型放出素子）次に、電子放出部もし
くはその周辺を微粒子膜から形成した表面伝導型放出素
子のもう１つの代表的な構成、即ち垂直型の表面伝導型
放出素子の構成について説明する。

【０１２０】図１０は、垂直型の基本構成を説明するた
めの模式的な断面図であり、図中の１２０１は基板、１
２０２と１２０３は素子電極、１２０６は段差形成部
材、１２０４は微粒子膜を用いた導電性薄膜、１２０５
は通電フォーミング処理により形成した電子放出部、１
２１３は通電活性化処理により形成した薄膜である。

【０１２１】この垂直型の表面伝導型放出素子が先に説
明した平面型と異なる点は、素子電極のうちの片方（図
１０では１２０２）が段差形成部材１２０６上に設けら
れており、導電性薄膜１２０４が段差形成部材１２０６
の側面を被覆している点にある。従って、前述した平面
型の表面伝導型放出素子における素子電極間隔Ｌ（図６
（Ａ））は、垂直型においては段差形成部材１２０６の
段差高Ｌｓとして設定される。なお、基板１２０１、素
子電極１２０２および１２０３、微粒子膜を用いた導電
性薄膜１２０４については、前記平面型の説明中に列挙
した材料を同様に用いることが可能である。また、段差
形成部材１２０６には、例えばＳｉＯ2のような電気的
に絶縁性の材料を用いる。

【０１２２】次に、本実施の形態の垂直型の表面伝導型
放出素子の製法について説明する。図１１（ａ）〜
（ｆ）は、この製造工程を説明するための断面図で、各
部材の表記は図１０と同一である。

【０１２３】（１）まず、図１１（ａ）に示すように、
基板１２０１上に素子電極１２０３を形成する。

【０１２４】（２）次に、同図（ｂ）に示すように、段
差形成部材１２０６を形成するための絶縁層を積層す
る。この絶縁層は、例えばＳｉＯ2をスパッタ法で積層
すれば良いが、例えば真空蒸着法や印刷法などの他の成
膜方法を用いても良い。

【０１２５】（３）次に、同図（ｃ）に示すように、絶
縁層１２０６の上に素子電極１２０２を形成する。

【０１２６】（４）次に、同図（ｄ）に示すように、絶
縁層１２０６の一部を、例えばエッチング法を用いて除
去し、基板１２０１上に形成された素子電極１２０３を
露出させる。

【０１２７】（５）次に、同図（ｅ）に示すように、微
粒子膜を用いた導電性薄膜１２０４を形成する。この薄
膜１２０４を形成するには、前記平面型の場合と同じ
く、例えば塗布法などの成膜技術を用いれば良い。

【０１２８】（６）次に、前記平面型の場合と同じく、
通電フォーミング処理を行って電子放出部１２０５を形
成する（これは図７（ｃ）を用いて説明した平面型の通
電フォーミング処理と同様の処理を行えば良い）。

【０１２９】（７）次に、前記平面型の場合と同じく、
通電活性化処理を行い、電子放出部１２０５の近傍に炭
素もしくは炭素化合物１２１３を堆積させる（図７
（ｄ）を用いて説明した平面型の通電活性化処理と同様
の処理を行えば良い）。

【０１３０】以上のようにして、図１１（ｆ）に示す垂
直型の表面伝導型放出素子を製造した。（表示装置に用いた表面伝導型放出素子の特性）以上、
平面型と垂直型の表面伝導型放出素子について素子構成
と製法を説明したが、次に表示装置に用いた素子の特性
について述べる。

【０１３１】図１２は、本実施の形態の画像表示装置に
用いた表面伝導型放出素子の、（放出電流Ｉe）対（素
子印加電圧Ｖf）特性、および（素子電流Ｉf）対（素子
印加電圧Ｖf）特性の典型的な例を示す図である。尚、
放出電流Ｉeは素子電流Ｉfに比べて著しく小さく、同一
尺度で図示するのが困難である上、これらの特性は素子
の大きさや形状等の設計パラメータを変更することによ
り変化するものであるため２本のグラフは各々任意単位
で図示した。

【０１３２】本実施の形態の表示装置に用いた表面伝導
型放出素子は、放出電流Ｉeに関して以下に述べる３つ
の特性を有している。

【０１３３】第１に、ある電圧（これを閾値電圧Ｖthと
呼ぶ）以上の大きさの電圧が素子に印加されると急激に
放出電流Ｉeが増加するが、閾値電圧Ｖth未満の印加電
圧では放出電流Ｉeはほとんど検出されない。即ち、放
出電流Ｉeに関して、明確な閾値電圧Ｖthを持った非線
形素子である。

【０１３４】第２に、放出電流Ｉeは素子に印加される
電圧Ｖfに依存して変化するため、印加電圧Ｖfを用いて
放出電流Ｉeの大きさを制御できる。

【０１３５】第３に、表面伝導型放出素子に印加する電
圧Ｖfに対して素子から放出される電流Ｉeの応答速度が
速いため、電圧Ｖfを印加する時間の長さにより、表面
伝導型放出素子から放出される電子の電荷量を制御でき
る。

【０１３６】以上のような特性を有するため、この実施
の形態の表面伝導型放出素子を画像表示装置に好適に用
いることができる。例えば多数の素子を表示画面の画素
に対応して設けた表示装置において、前述の第１の特性
を利用すれば、表示画面を順次走査して表示を行うこと
が可能である。即ち、駆動中の素子には所望の発光輝度
に応じて閾値電圧Ｖth以上の電圧を適宜印加し、駆動さ
れない非選択状態の素子には閾値電圧Ｖth未満の電圧を
印加する。こうして駆動する素子を順次切り替えてゆく
ことにより、表示画面を順次走査して表示を行うことが
可能である。

【０１３７】また、前述の第２又は第３の特性を利用す
ることにより、表示パネル１０１における発光輝度を制
御することができるため、諧調表示を行うことが可能で
ある。（多数素子を単純マトリクス配線したマルチ電子ビーム
源の構造）次に、上述の表面伝導型放出素子を基板上に
配列して単純マトリクス配線したマルチ電子ビーム源の
構造について述べる。

【０１３８】図１３に示すのは、前述の図４の表示パネ
ル１０１に用いたマルチ電子ビーム源の平面図である。

【０１３９】基板１００１上には、前記図６で示したも
のと同様な表面伝導型放出素子がマトリクス状に配列さ
れ、これらの素子は行方向配線１００３と列方向配線１
００４により単純マトリクス状に配線されている。行方
向配線１００３と列方向配線１００４の交差する部分に
は、配線間に絶縁層（不図示）が形成されており、電気
的な絶縁が保たれている。

【０１４０】図１３のＡ−Ａ’に沿った断面を図１４に
示す。

【０１４１】なお、このような構造のマルチ電子源は、
予め基板１００１上に行方向配線１００３、列方向配線
１００４、電極間絶縁層（不図示）及び表面伝導型放出
素子の素子電極１１０２，１１０３と導電性薄膜１１０
４を形成した後、行方向配線１００３及び列方向配線１
００４を介して各素子に給電して通電フォーミング処理
と通電活性化処理を行うことにより製造した。

【０１４２】図１５は、本実施の形態の表面伝導型放出
素子をマトリクス状に配列した表示パネル１０１に、例
えばテレビジョン放送をはじめとする種々の画像情報源
より提供される画像情報を表示できるように構成した多
機能表示装置の一例を示すブロック図である。

【０１４３】図中、１０１は本実施の形態の表示（ディ
スプレイ）パネル、２１０１は表示パネル１０１の駆動
回路で、図１に示すＳ／Ｐ変換回路１０６、パルス幅変
調回路１０７、電圧ドライバ１０８及び走査回路１０２
などの回路を備えている。２１０２はディスプレイパネ
ル・コントローラ、２１０３はマルチプレクサ、２１０
４はデコーダ、２１０５は入出力インターフェース回
路、２１０６はＣＰＵ、２１０７は画像生成回路、２１
０８および２１０９および２１１０は画像メモリインタ
ーフェース回路、２１１１は画像入力インターフェース
回路、２１１２および２１１３はＴＶ信号受信回路、２
１１４はキーボードやマウス等の入力部である。尚、本
実施の形態の表示装置は、例えばテレビジョン信号のよ
うに映像情報と音声情報の両方を含む信号を受信する場
合には、当然映像の表示と同時に音声を再生するもので
あるが、本実施の形態の表示パネル１０１の特徴と直接
関係しない音声情報の受信、分離、再生、処理、記憶な
どに関する回路やスピーカなどについては説明を省略す
る。以下、画像信号の流れに沿って各部の機能を説明す
る。

【０１４４】まず、ＴＶ信号受信回路２１１３は、例え
ば電波や空間光通信などのような無線伝送系を用いて伝
送されるＴＶ画像信号を受信するための回路である。受
信するＴＶ信号の方式は特に限られるものではなく、例
えば、ＮＴＳＣ方式、ＰＡＬ方式、ＳＥＣＡＭ方式など
の諸方式でもよい。また、これらより更に多数の走査線
よりなるＴＶ信号（例えばＭＵＳＥ方式をはじめとする
いわゆる高品位ＴＶ）は、大面積化や大画素数化に適し
た前記表示パネル１０１の利点を生かすのに好適な信号
源である。ＴＶ信号受信回路２１１３で受信されたＴＶ
信号は、デコーダ２１０４に出力される。ＴＶ信号受信
回路２１１２は、例えば同軸ケーブルや光ファイバなど
のような有線伝送系を用いて伝送されるＴＶ画像信号を
受信するための回路である。またＴＶ信号受信回路２１
１３と同様に、受信するＴＶ信号の方式は特に限られる
ものではなく、また本回路で受信されたＴＶ信号もデコ
ーダ２１０４に出力される。

【０１４５】画像入力インターフェース回路２１１１
は、例えばＴＶカメラや画像読み取りスキャナなどの画
像入力装置から供給される画像信号を取り込むための回
路で、取り込まれた画像信号はデコーダ２１０４に出力
される。画像メモリインターフェース回路２１１０は、
ビデオテープレコーダ（以下ＶＴＲと略す）に記憶され
ている画像信号を取り込むための回路で、取り込まれた
画像信号はデコーダ２１０４に出力される。画像メモリ
インターフェース回路２１０９は、ビデオディスクに記
憶されている画像信号を取り込むための回路で、取り込
まれた画像信号はデコーダ２１０４に出力される。画像
メモリインターフェース回路２１０８は、いわゆる静止
画ディスクのように、静止画像データを記憶している装
置から画像信号を取り込むための回路で、取り込まれた
静止画像データはデコーダ２１０４に出力される。入出
力インターフェース回路２１０５は、本表示装置と、外
部のコンピュータもしくはコンピュータネットワークも
しくはプリンタなどの出力装置とを接続するための回路
である。画像データや文字データ・図形情報の入出力を
行うのはもちろんのこと、場合によっては本表示装置の
備えるＣＰＵ２１０６と外部との間で制御信号や数値デ
ータの入出力などを行うことも可能である。

【０１４６】また、画像生成回路２１０７は、前記入出
力インターフェース回路２１０５を介して外部から入力
される画像データや文字・図形情報や、或はＣＰＵ２１
０６より出力される画像データや文字・図形情報に基づ
き表示用画像データを生成するための回路である。本回
路の内部には、例えば画像データや文字・図形情報を蓄
積するための書き換え可能メモリや、文字コードに対応
する画像パターンが記憶されている読み出し専用メモリ
や、画像処理を行うためのプロセッサなどをはじめとし
て画像の生成に必要な回路が組み込まれている。本回路
により生成された表示用画像データは、デコーダ２１０
４に出力されるが、場合によっては前記入出力インター
フェース回路２１０５を介して外部のコンピュータネッ
トワークやプリンタ入出力することも可能である。

【０１４７】ＣＰＵ２１０６は、主として本表示装置の
動作制御や、表示画像の生成や選択や編集に関わる作業
を行う。例えば、マルチプレクサ２１０３に制御信号を
出力し、表示パネル１０１に表示する画像信号を適宜選
択したり組み合わせたりする。また、その際には表示す
る画像信号に応じてディスプレイパネル・コントローラ
２１０２に対して制御信号を発生し、画面表示周波数や
走査方法（例えばインターレースか、ノンインターレー
スか）や一画面の走査線の数など表示装置の動作を適宜
制御する。そして画像生成回路２１０７に対して画像デ
ータや文字・図形情報を直接出力したり、あるいは前記
入出力インターフェース回路２１０５を介して外部のコ
ンピュータやメモリをアクセスして画像データや文字・
図形情報を入力する。なお、ＣＰＵ２１０６は、むろん
これ以外の目的の作業にも関わるものであっても良い。
例えば、パーソナルコンピュータやワードプロセッサな
どのように、情報を生成したり処理する機能に直接関わ
っても良い。あるいは、前述したように入出力インター
フェース回路２１０５を介して外部のコンピュータネッ
トワークと接続し、例えば数値計算などの作業を外部機
器と協動して行っても良い。

【０１４８】入力部２１１４は、ＣＰＵ２１０６に使用
者が命令やプログラム、あるいはデータなどを入力する
ためのものであり、例えばキーボードやマウスのほか、
ジョイスティック、バーコードリーダ、音声認識装置な
ど多様な入力機器を用いる事が可能である。また、デコ
ーダ２１０４は、前記２１０７ないし２１１３より入力
される種々の画像信号を３原色信号、または輝度信号と
Ｉ信号、Ｑ信号に逆変換するための回路である。なお、
同図中に点線で示すように、デコーダ２１０４は内部に
画像メモリを備えるのが望ましい。これは、例えばＭＵ
ＳＥ方式をはじめとして、逆変換するに際して画像メモ
リを必要とするようなテレビ信号を扱うためである。ま
た、画像メモリを備えることにより、静止画の表示が容
易になる、あるいは前記画像生成回路２１０７およびＣ
ＰＵ２１０６と協同して画像の間引き、補間、拡大、縮
小、合成をはじめとする画像処理や編集が容易に行える
ようになるという利点が生まれるからである。

【０１４９】マルチプレクサ２１０３は、ＣＰＵ２１０
６より入力される制御信号に基づき表示画像を適宜選択
するものである。即ち、マルチプレクサ２１０３はデコ
ーダ２１０４から入力される逆変換された画像信号のう
ちから所望の画像信号を選択して駆動回路２１０１に出
力する。その場合には、一画面表示時間内で画像信号を
切り替えて選択することにより、いわゆる多画面テレビ
のように、一画面を複数の領域に分けて領域によって異
なる画像を表示することも可能である。ディスプレイパ
ネル・コントローラ２１０２は、ＣＰＵ２１０６より入
力される制御信号に基づき駆動回路２１０１の動作を制
御するための回路である。

【０１５０】まず、表示パネル１０１の基本的な動作に
かかわるものとして、例えば表示パネル１０１の駆動用
電源（図示せず）の動作シーケンスを制御するための信
号を駆動回路２１０１に対して出力する。また、表示パ
ネル１０１の駆動方法に関わるものとして、例えば画面
表示周波数や走査方法（例えばインターレースかノンイ
ンターレースか）を制御するための信号を駆動回路２１
０１に対して出力する。また場合によっては表示画像の
輝度やコントラストや色調やシャープネスといった画質
の調整に関わる制御信号を駆動回路２１０１に対して出
力する場合もある。駆動回路２１０１は、表示パネル１
０１に印加する駆動信号を発生するための回路であり、
マルチプレクサ２１０３から入力される画像信号と、前
記ディスプレイパネル・コントローラ２１０２より入力
される制御信号に基づいて動作するものである。

【０１５１】以上、各部の機能を説明したが、図１５に
例示した構成により、本実施の形態の表示装置において
は、多様な画像情報源より入力される画像情報を表示パ
ネル１０１に表示することが可能である。即ち、テレビ
ジョン放送をはじめとする各種の画像信号はデコーダ２
１０４において逆変換された後、マルチプレクサ２１０
３において適宜選択され、駆動回路２１０１に入力され
る。一方、ディスプレイコントローラ２１０２は、表示
する画像信号に応じて駆動回路２１０１の動作を制御す
るための制御信号を発生する。駆動回路２１０１は、上
記画像信号と制御信号に基づいて表示パネル１０１に駆
動信号を印加する。これにより、表示パネル１０１にお
いて画像が表示される。これらの一連の動作は、ＣＰＵ
２１０６により統括的に制御される。

【０１５２】また、本実施の形態の表示装置において
は、前記デコーダ２１０４に内蔵する画像メモリや、画
像生成回路２１０７およびＣＰＵ２１０６が関与するこ
とにより、単に複数の画像情報の中から選択したものを
表示するだけでなく、表示する画像情報に対して、例え
ば拡大、縮小、回転、移動、エッジ強調、間引き、補
間、色変換、画像の縦横比変換などをはじめとする画像
処理や、合成、消去、接続、入れ換え、はめ込みなどを
はじめとする画像編集を行う事も可能である。また、本
実施の形態の説明では特に触れなかったが、上記画像処
理や画像編集と同様に、音声情報に関しても処理や編集
を行うための専用回路を設けても良い。

【０１５３】従って、本実施の形態の表示装置は、テレ
ビジョン放送の表示機器、テレビ会議の端末機器、静止
画像および動画像を扱う画像編集機器、コンピュータの
端末機器、ワードプロセッサをはじめとする事務用端末
機器、ゲーム機などの機能を一台で兼ね備える事が可能
で、産業用あるいは民生用として極めて応用範囲が広
い。尚、この図１５は、表面伝導型電子放出素子を電子
ビーム源とする表示パネル１０１を用いた表示装置の構
成の一例を示したにすぎず、これのみに限定されるもの
ではない。例えば、図１５の構成要素のうち使用目的上
必要のない機能に関わる回路は省いても差し支えない。
またこれとは逆に、使用目的によってはさらに構成要素
を追加しても良い。例えば、この表示装置をテレビ電話
機として応用する場合には、テレビカメラ、音声マイ
ク、照明機、モデムを含む送受信回路などを構成要素に
追加するのが好適である。

【０１５４】この表示装置においては、とりわけ表面伝
導型電子放出素子を電子ビーム源とする表示パネル１０
１が容易に薄形化できるため、表示装置全体の奥行きを
小さくすることが可能である。それに加えて、表面伝導
型電子放出素子を電子ビーム源とする表示パネル１０１
は大画面化が容易で輝度が高く視野角特性にも優れるた
め、本表示装置は臨場感あふれ迫力に富んだ画像を視認
性良く表示することが可能である。

【０１５５】尚、本発明は、複数の機器（例えばホスト
コンピュータ，インターフェース機器，リーダ，プリン
タなど）から構成されるシステムに適用しても、一つの
機器からなる装置（例えば、複写機，ファクシミリ装置
など）に適用しても良い。

【０１５６】また、本発明の目的は、前述した実施形態
の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記
録した記憶媒体を、システム或は装置に供給し、そのシ
ステム或は装置のコンピュータ（またはＣＰＵやＭＰ
Ｕ）が記憶媒体に格納されたプログラムコードを読出し
実行することによっても達成される。

【０１５７】この場合、記憶媒体から読出されたプログ
ラムコード自体が前述した実施形態の機能を実現するこ
とになり、そのプログラムコードを記憶した記憶媒体は
本発明を構成することになる。このようなプログラムコ
ードを供給するための記憶媒体としては、例えば、フロ
ッピディスク，ハードディスク，光ディスク，光磁気デ
ィスク，ＣＤ−ＲＯＭ，ＣＤ−Ｒ，磁気テープ，不揮発
性のメモリカード，ＲＯＭなどを用いることができる。

【０１５８】また、コンピュータが読出したプログラム
コードを実行することにより、前述した実施形態の機能
が実現されるだけでなく、そのプログラムコードの指示
に基づき、コンピュータ上で稼働しているＯＳ（オペレ
ーティングシステム）などが実際の処理の一部または全
部を行い、その処理によって前述した実施形態の機能が
実現される場合も含まれる。

【０１５９】更に、記憶媒体から読出されたプログラム
コードが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードや
コンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメ
モリに書込まれた後、そのプログラムコードの指示に基
づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わる
ＣＰＵなどが実際の処理の一部または全部を行い、その
処理によって前述した実施形態の機能が実現される場合
も含まれる。

【０１６０】以上説明したように本実施の形態によれ
ば、電子ビーム源の各表面伝導型放出素子からの放出電
流値と、予め設定されている所定電圧に対する放出電流
値との差分値から、各放出素子よりの放出電流を略一定
とするような駆動パラメータ（駆動電流値或いは駆動電
圧値）を予測し、その予測した値で各放出素子を駆動し
てその特性を求めることにより、各素子からの放出電流
値を略一定とする補正テーブルを精度良く容易に求める
ことができる。

【０１６１】これによりマルチ電子源作成時の初期状態
における放出素子の個々の特性のばらつきを補正するた
めの補正用テーブルデータの作成を短時間で行い、この
補正用データに従ってばらつき補正を行ってマルチ電子
源の各素子からの放出電流値を略均一にして駆動するこ
とができる。

【０１６２】更に、このような補正データの作成は、マ
ルチ電子ビーム源を一定期間駆動後に、各素子の経時特
性変化に伴う放出電流値のばらつきを補正する場合にも
有効である。即ち、補正テーブルの更新を行うことで、
長期に亙って表示品位が高い画像表示を行うことができ
る。

【０１６３】更に、本実施の形態の画像表示装置では、
上記放出電流の計測時において、蛍光面での不必要な発
光が抑止される。このような放出電流の計測を画像表示
装置の電源投入時や切断時、或は画像信号のブランキン
グ期間中に行うことにより、計測中であっても表示画面
に輝点や輝線が現れることなく、その様な計測を実施す
ることが可能となる。

【０１６４】また本実施の形態によれば、多数の表面伝
導型放出素子を備えた画像表示装置において、製造後初
期の各表面伝導型素子の電子放出特性のばらつき補正を
簡単な回路構成で実現することができる。

【０１６５】また本実施の形態によれば、経時変化を検
知した場合には、駆動条件の補正値を修正することによ
って、どの表面伝導型放出素子からも長期に渡り適正な
電子ビームを出力させることが可能となった。これによ
り、画像表示装置の性能を長期に渡り安定させることが
できるようになった。

【０１６６】更に本実施の形態によれば、補正駆動用デ
ータの取得時に表示面での発光を伴わないため、画像装
置の電源投入や切断直後や画像信号のブランキング期間
中に駆動条件の修正動作を行うことが可能となった。

【０１６７】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、電
子ビーム源と蛍光面の間に中間電極を設け、この中間電
極を用いて表面伝導型放出素子からの放出電流を求める
ことにより電子ビーム源の駆動電圧を補正することがで
きる。

【０１６８】また本発明によれば、中間電極への印加電
圧を制御することにより、放出電流の計測時における不
要な発光を抑えて、各表面伝導型放出素子の特性を補正
するための補正データを作成して補正できるという効果
がある。

【０１６９】また本発明によれば、経時変化などによる
表面伝導型放出素子の個々の電子放出特性のバラツキを
補正して、表示パネルの表示画面全体に亙って略均一な
輝度及び色の画像を表示することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態で用いた画像表示装置の構
成を示すブロック図である。

【図２】本実施の形態におけるＬＵＴデータの作成処理
を示すフローチャートである。

【図３】本実施の形態における表示パネルの１つの列方
向配線における駆動信号例を示す波形図である。

【図４】本実施の形態の画像表示装置の表示パネルの一
部を切り欠いて示した斜視図である。

【図５】本実施の形態の表示パネルに使用される蛍光体
の配列状態を説明する図で、（Ａ）はストライプ状の場
合を示し、（Ｂ）はデルタ配列の場合を示している。

【図６】本実施の形態で用いた平面型の表面伝導型放出
素子の平面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。

【図７】平面型の表面伝導型放出素子の製造工程を示す
断面図である。

【図８】通電フォーミング処理の際の印加電圧の波形例
を示す図である。

【図９】通電活性化処理の際の印加電圧波形（Ａ）、放
出電流Ｉeの変化（Ｂ）例を示す図である。

【図１０】本実施の形態で用いた垂直型の表面伝導型放
出素子の断面図である。

【図１１】垂直型の表面伝導型放出素子の製造工程を示
す断面図である。

【図１２】本実施の形態で用いた表面伝導型放出素子の
典型的な特性を示すグラフ図である。

【図１３】本実施の形態で用いたマルチ電子ビーム源の
基板の平面図である。

【図１４】図１３のＡ−Ａ’断面図である。

【図１５】本発明の実施の形態である多機能画像表示装
置の構成を示すブロック図である。

【図１６】従来の表面伝導型放出素子の構成を示す図で
ある。

【図１７】マルチ電子源のマトリクス配線を説明する等
価回路図である。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に設置された複数の表面伝導型放
出素子をマトリクス状に配線した電子ビーム源と、前記
電子ビーム源に対向して設置された蛍光体を有する発光
面とを備える画像表示装置であって、前記電子ビーム源と前記発光面との間に設けられ、前記
電子ビーム源から放出される電子を通過させるための複
数の開口が設けられた中間電極と、入力された画像信号に応じた輝度信号を発生する輝度信
号発生手段と、前記電子ビーム源の各表面伝導型放出素子の特性に応じ
て前記輝度信号を補正するための補正データを記憶する
記憶手段と、前記記憶手段に記憶された補正データに応じて前記輝度
信号を補正し、前記マトリクス状に配線された電子ビー
ム源の列方向配線或は行方向配線のいずれかに供給する
供給手段と、を有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】前記中間電極により捕捉された電子に基
づいて前記表面伝導型放出素子から放出される電子に基
づく電流値を計測する計測手段と、前記計測手段により
計測された電流値に応じて前記表面伝導型放出素子への
印加電圧を決定する電圧決定手段と、前記電圧決定手段
により決定された電圧値を前記表面伝導型放出素子に印
加して前記計測手段により前記電流値を計測し、前記電
流値と前記印加された電圧値に対応して予測される電流
値との差異に応じて前記補正データを算出する算出手段
とを更に有することを特徴とする請求項１に記載の画像
表示装置。
【請求項３】前記算出手段は、前記計測手段により計
測された電流値と前記予測された電流値の差異が略ゼロ
の時の印加電圧値に対応する補正データを作成すること
を特徴とする請求項２に記載の画像表示装置。
【請求項４】前記記憶手段は、前記電子ビーム源にお
ける前記表面伝導型放出素子の位置と前記補正データと
を対応付けて記憶していることを特徴とする請求項１に
記載の画像表示装置。
【請求項５】前記中間電極には、画像の表示期間と前
記電流値の計測期間とで異なる電圧を発生する中間電極
用電源が接続されていることを特徴とする請求項１乃至
３のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項６】前記供給手段は、前記マトリクス状に配
線された電子ビーム源の列方向配線に前記輝度信号を供
給することを特徴とする請求項１に記載の画像表示装
置。
【請求項７】前記電子ビーム源の行方向配線を順次選
択して走査信号を印加する走査信号印加手段を更に有す
ることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項８】前記中間電極用電源による画像表示期間
中の出力電圧Ｖs1と、前記蛍光体と電子ビーム源との間
のアノード電圧Ｖaと、前記電子ビーム源と前記蛍光体
との距離ｈ１と、前記電子ビーム源と前記中間電極との
間の距離ｈ２との間に、Ｖs1＝（ｈ２／ｈ１）×Ｖa の関係が成立することを特徴とする請求項５に記載の画
像表示装置。
【請求項９】前記中間電極用電源の画像表示期間中の
出力電圧Ｖs1と、前記計測手段による計測期間中の前記
中間電極用電源の出力電圧Ｖs2との間に、Ｖs1＞Ｖs2 の関係が成立することを特徴とする請求項５又は８に記
載の画像表示装置。
【請求項１０】基板上に設置された複数の表面伝導型
放出素子をマトリクス状に配線した電子ビーム源と、前
記電子ビーム源に対向して設置された蛍光体を有する発
光面とを備える画像表示装置における画像表示方法であ
って、入力された画像信号に応じた輝度信号を発生する工程
と、前記電子ビーム源の各表面伝導型放出素子の特性に応じ
た補正データを使用して前記輝度信号を補正する工程
と、補正された前記輝度信号を前記マトリクス状に配線され
た電子ビーム源の列方向配線或は行方向配線のいずれか
に供給して画像を表示する工程と、を有することを特徴
とする画像表示方法。
【請求項１１】前記電子ビーム源と前記発光面との間
に設けられ、前記電子ビーム源から放出される電子を通
過させるための複数の開口が設けられた中間電極により
捕捉された電子に基づいて前記表面伝導型放出素子から
放出される電子に基づく電流値を計測する計測工程と、前記計測工程により計測された電流値に応じて前記表面
伝導型放出素子への印加電圧を決定する電圧決定工程
と、前記電圧決定工程により決定された電圧値を前記表面伝
導型放出素子に印加して前記計測工程により前記電流値
を計測し、前記電流値と前記印加された電圧値に対応し
て予測される電流値との差分に応じて前記補正データを
算出する算出工程と、を更に有することを特徴とする請
求項１０に記載の画像表示方法。
【請求項１２】前記算出工程では、前記計測工程で計
測された電流値と前記予測された電流値の差異が略ゼロ
の時の印加電圧値に対応する補正データを作成すること
を特徴とする請求項１１に記載の画像表示方法。
【請求項１３】前記補正データは、前記電子ビーム源
における前記表面伝導型放出素子の位置とを対応付けて
記憶されていることを特徴とする請求項１０に記載の画
像表示方法。
【請求項１４】前記中間電極には、画像の表示期間と
前記電流値の計測期間とで異なる電圧を発生する中間電
極用電源が接続されていることを特徴とする請求項１０
乃至１２のいずれか１項に記載の画像表示方法。
【請求項１５】前記電子ビーム源の行方向配線を順次
選択して走査信号を印加する走査信号印加工程を更に有
することを特徴とする請求項１０に記載の画像表示方
法。
【請求項１６】前記中間電極用電源による画像表示期
間中の出力電圧Ｖs1と、前記蛍光体と電子ビーム源との
間のアノード電圧Ｖaと、前記電子ビーム源と前記蛍光
体との距離ｈ１と、前記電子ビーム源と前記中間電極と
の間の距離ｈ２との間に、Ｖs1＝（ｈ２／ｈ１）×Ｖa の関係が成立することを特徴とする請求項１４に記載の
画像表示方法。
【請求項１７】前記中間電極用電源の画像表示期間中
の出力電圧Ｖs1と、前記計測工程による計測期間中の前
記中間電極用電源の出力電圧Ｖs2との間に、Ｖs1＞Ｖs2 の関係が成立することを特徴とする請求項１４又は１６
に記載の画像表示方法。
【請求項１８】基板上に設置された複数の表面伝導型
放出素子をマトリクス状に配線した電子ビーム源と、前
記電子ビーム源に対向して設置された蛍光体を有する発
光面とを備える画像表示装置における表示補正データの
作成方法であって、(a)所定電圧を印加して前記電子ビ
ーム源の各表面伝導型放出素子を順次駆動して電子を放
出させる第１電子放出工程と、(b)前記第１電子放出工
程により放出された電子量を前記電子ビーム源と前記蛍
光体との間に設けられた中間電極を用いて計測する計測
工程と、(c)前記所定電圧に応じた電流値と前記計測工
程により計測された電流値との差分値を求め、その差分
値が所定値以上の時に前記差分値に基づいて次に前記表
面伝導型放出素子を駆動する電圧値を決定する電圧決定
工程と、(d)前記電圧決定工程で決定された電圧値によ
り前記表面伝導型放出素子を駆動して電子を放出させる
第２電子放出工程と、(e)前記差分値が所定値以下の時
に前記所定電圧の値に基づいて前記表面伝導型放出素子
を駆動する電圧の補正値を決定する工程とを有し、(f)
前記差分値が所定値以下になるまで、前記工程(b)〜(d)
を繰り返し実行することを特徴とする表示補正データの
作成方法。
【請求項１９】画像表示期間中、前記中間電極には電
圧Ｖs1が印加され、前記計測工程では電圧Ｖs2が印加さ
れ、Ｖs1＞Ｖs2の関係があることを特徴とする請求項１
８に記載の表示補正データの作成方法。
【請求項２０】前記中間電極への画像表示期間中の印
加電圧Ｖs1と、前記蛍光体と電子ビーム源との間のアノ
ード電圧Ｖaと、前記電子ビーム源と前記蛍光体との距
離ｈ１と、前記電子ビーム源と前記中間電極との間の距
離ｈ２との間に、Ｖs1＝（ｈ２／ｈ１）×Ｖa の関係が成立することを特徴とする請求項１８に記載の
表示補正データの作成方法。