JPH10301300A - 厚膜パターン形成方法及び膜剥離装置 - Google Patents
厚膜パターン形成方法及び膜剥離装置Info
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- JPH10301300A JPH10301300A JP12779597A JP12779597A JPH10301300A JP H10301300 A JPH10301300 A JP H10301300A JP 12779597 A JP12779597 A JP 12779597A JP 12779597 A JP12779597 A JP 12779597A JP H10301300 A JPH10301300 A JP H10301300A
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- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/061—Etching masks
- H05K3/064—Photoresists
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い生産性で、高精度、高アスペクト比の厚
膜パターンを与える方法及び装置を提供すること。 【解決手段】 基板上に樹脂と無機粉体を含む厚膜を形
成する工程、該厚膜表面にレジストパターンを形成する
工程、レジスト膜の存在しない領域に前記厚膜の樹脂を
溶解若しくは膨潤させる剥離液を付与して厚膜をパター
ン状に剥離除去する工程、及び形成された厚膜パターン
を焼成する工程を含むことを特徴とする厚膜パターンの
形成方法、及び該方法に使用する膜剥離装置。
膜パターンを与える方法及び装置を提供すること。 【解決手段】 基板上に樹脂と無機粉体を含む厚膜を形
成する工程、該厚膜表面にレジストパターンを形成する
工程、レジスト膜の存在しない領域に前記厚膜の樹脂を
溶解若しくは膨潤させる剥離液を付与して厚膜をパター
ン状に剥離除去する工程、及び形成された厚膜パターン
を焼成する工程を含むことを特徴とする厚膜パターンの
形成方法、及び該方法に使用する膜剥離装置。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル（ＰＤＰ）、フィールドエミッションディス
プレイ（ＦＥＤ）、液晶表示装置（ＬＣＤ）、蛍光表示
装置、混成集積回路等の製造過程において、基板上に導
電性若しくは絶縁性の厚膜パターンを形成する方法及び
膜剥離装置に関する。
レイパネル（ＰＤＰ）、フィールドエミッションディス
プレイ（ＦＥＤ）、液晶表示装置（ＬＣＤ）、蛍光表示
装置、混成集積回路等の製造過程において、基板上に導
電性若しくは絶縁性の厚膜パターンを形成する方法及び
膜剥離装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、上記の如き厚膜パターンの形成方
法としては、ガラスやセラミック等の基板上に導体や絶
縁体用のペーストをスクリーン印刷によりパターン状に
塗布した後、焼成工程を経て基板に密着した厚膜パター
ンを形成する方法が知られている。
法としては、ガラスやセラミック等の基板上に導体や絶
縁体用のペーストをスクリーン印刷によりパターン状に
塗布した後、焼成工程を経て基板に密着した厚膜パター
ンを形成する方法が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとしている課題】上記従来の方法に
おいて、パターンを厚く形成する場合、例えば、線幅１
００μｍ、高さ１００μｍ程度のパターンを形成する場
合には、スクリーン印刷による複数回の塗布が必要であ
り、生産性に問題があった。又、繰り返し印刷により、
スクリーン版の伸び等の理由により重ね刷するごとに印
刷位置が微妙にずれ、その結果パターンの形状が悪くな
るという問題があった。更には使用するペーストが流動
性を有するために、印刷パターンの裾が拡がってしま
い、高アスペクト比の厚膜パターンを形成することが困
難であった。又、単層の印刷の場合であっても大面積の
パターンを形成する場合には、スクリーン版の伸びによ
りトータルピッチのずれや周辺部の歪み等が生じ、他の
パターンとの位置合わせが困難になるという問題があっ
た。従って、本発明の目的は、大面積パターンにおいて
も、高い生産性で、高精度、高アスペクト比の厚膜パタ
ーンを与える方法及び装置を提供することである。
おいて、パターンを厚く形成する場合、例えば、線幅１
００μｍ、高さ１００μｍ程度のパターンを形成する場
合には、スクリーン印刷による複数回の塗布が必要であ
り、生産性に問題があった。又、繰り返し印刷により、
スクリーン版の伸び等の理由により重ね刷するごとに印
刷位置が微妙にずれ、その結果パターンの形状が悪くな
るという問題があった。更には使用するペーストが流動
性を有するために、印刷パターンの裾が拡がってしま
い、高アスペクト比の厚膜パターンを形成することが困
難であった。又、単層の印刷の場合であっても大面積の
パターンを形成する場合には、スクリーン版の伸びによ
りトータルピッチのずれや周辺部の歪み等が生じ、他の
パターンとの位置合わせが困難になるという問題があっ
た。従って、本発明の目的は、大面積パターンにおいて
も、高い生産性で、高精度、高アスペクト比の厚膜パタ
ーンを与える方法及び装置を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的は以下の本発明
によって達成される。即ち、本発明は、基板上に樹脂と
無機粉体を含む厚膜を形成する工程、該厚膜表面にレジ
ストパターンを形成する工程、レジスト膜の存在しない
領域に前記厚膜の樹脂を溶解若しくは膨潤させる剥離液
を付与して厚膜をパターン状に剥離除去する工程、及び
形成された厚膜パターンを焼成する工程を含むことを特
徴とする厚膜パターンの形成方法、及び該方法に使用す
る膜剥離装置である。
によって達成される。即ち、本発明は、基板上に樹脂と
無機粉体を含む厚膜を形成する工程、該厚膜表面にレジ
ストパターンを形成する工程、レジスト膜の存在しない
領域に前記厚膜の樹脂を溶解若しくは膨潤させる剥離液
を付与して厚膜をパターン状に剥離除去する工程、及び
形成された厚膜パターンを焼成する工程を含むことを特
徴とする厚膜パターンの形成方法、及び該方法に使用す
る膜剥離装置である。
【０００５】本発明によれば、印刷方法において生じる
多くの欠点が容易に解決され、高い生産性で、高精度且
つ高アスペクト比の厚膜パターンを形成することができ
る。
多くの欠点が容易に解決され、高い生産性で、高精度且
つ高アスペクト比の厚膜パターンを形成することができ
る。
【０００６】
【発明の実施の形態】次に好ましい実施の形態であるプ
ラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の背面板の形成に
本発明の方法を適用する例を挙げて本発明を更に詳細に
説明する。一般にＰＤＰは、２枚の対向するガラス基板
にそれぞれ規則的に配列した一対の電極を設け、その間
にＮｅ等を主体とするガスを封入した構造になってい
る。そして、これらの電極間に電圧を印加し、電極周辺
の微小なセル内で放電を発生させることにより、各セル
を発光させて表示を行なうようにしている。情報表示す
るためには、規則的に並んだセルを選択的に放電発光さ
せる。このＰＤＰには、電極が放電空間に露出している
直流型（ＤＣ型）と絶縁層で覆われている交流型（ＡＣ
型）の２タイプがあり、双方とも表示機能や駆動方法の
違いによって、更にリフレッシュ駆動方式とメモリー駆
動方式に分類される。
ラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の背面板の形成に
本発明の方法を適用する例を挙げて本発明を更に詳細に
説明する。一般にＰＤＰは、２枚の対向するガラス基板
にそれぞれ規則的に配列した一対の電極を設け、その間
にＮｅ等を主体とするガスを封入した構造になってい
る。そして、これらの電極間に電圧を印加し、電極周辺
の微小なセル内で放電を発生させることにより、各セル
を発光させて表示を行なうようにしている。情報表示す
るためには、規則的に並んだセルを選択的に放電発光さ
せる。このＰＤＰには、電極が放電空間に露出している
直流型（ＤＣ型）と絶縁層で覆われている交流型（ＡＣ
型）の２タイプがあり、双方とも表示機能や駆動方法の
違いによって、更にリフレッシュ駆動方式とメモリー駆
動方式に分類される。
【０００７】図３は、ＡＣ型ＰＤＰの一構成例を示した
ものである。この図は前面板３１と背面板３２を離した
状態で示したもので、図示のようにガラスからなる前面
板３１と背面板３２とが互いに平行に且つ対向して配設
されており、背面板３２の前面側には、これに立設する
バリヤーリブ３３が固着され、このバリヤーリブ３３に
より前面板３１と背面板３２とが一定間隔で保持されて
いる。そして、前面板３１の背面側には透明電極である
維持電極３４と金属電極であるバス電極３５とからなる
複合電極が互いに平行に形成され、これを覆って誘電体
層３６が形成されており、更にその上に保護層３７（Ｍ
ｇＯ層）が形成されている。
ものである。この図は前面板３１と背面板３２を離した
状態で示したもので、図示のようにガラスからなる前面
板３１と背面板３２とが互いに平行に且つ対向して配設
されており、背面板３２の前面側には、これに立設する
バリヤーリブ３３が固着され、このバリヤーリブ３３に
より前面板３１と背面板３２とが一定間隔で保持されて
いる。そして、前面板３１の背面側には透明電極である
維持電極３４と金属電極であるバス電極３５とからなる
複合電極が互いに平行に形成され、これを覆って誘電体
層３６が形成されており、更にその上に保護層３７（Ｍ
ｇＯ層）が形成されている。
【０００８】又、背面板３２の前面側には前記複合電極
と直交するようにバリヤーリブ３３の間に位置してアド
レス電極３８が互いに平行に形成されており、更にバリ
ヤーリブ３３の壁面とセル底面を覆うようにして蛍光体
層３９が設けられている。このＡＣ型ＰＤＰでは、前面
板３１上の複合電極間に交流電源から所定の電圧を印加
して電場を形成することにより、前面板３１と背面板３
２とバリヤーリブ３３とで区画される表示要素として各
セル内で放電が行なわれる。そしてこの放電により生じ
る紫外線により蛍光体層３９を発光させ、前面板３１を
透過してくる光を観察者が視認するようになっている。
と直交するようにバリヤーリブ３３の間に位置してアド
レス電極３８が互いに平行に形成されており、更にバリ
ヤーリブ３３の壁面とセル底面を覆うようにして蛍光体
層３９が設けられている。このＡＣ型ＰＤＰでは、前面
板３１上の複合電極間に交流電源から所定の電圧を印加
して電場を形成することにより、前面板３１と背面板３
２とバリヤーリブ３３とで区画される表示要素として各
セル内で放電が行なわれる。そしてこの放電により生じ
る紫外線により蛍光体層３９を発光させ、前面板３１を
透過してくる光を観察者が視認するようになっている。
【０００９】本発明の方法を、上記ＰＤＰにおけるバリ
ヤーリブの形成に適用する例により説明する。図１Ａ
は、ＰＤＰの背面基板１を説明する図であり、該基板に
はアドレス電極等の他の機能部材（不図示）が既に形成
されていてもよいし、形成されてなくてもよい。
ヤーリブの形成に適用する例により説明する。図１Ａ
は、ＰＤＰの背面基板１を説明する図であり、該基板に
はアドレス電極等の他の機能部材（不図示）が既に形成
されていてもよいし、形成されてなくてもよい。
【００１０】本発明方法では、先ず上記基板１に、最終
的にはバリヤーリブを構成する厚膜層２（図１Ｂ）を形
成する。この厚膜層２は、例えば、バリヤーリブを構成
する材料を樹脂バインダー溶液に分散させてなるペース
トを基板表面に塗布及び乾燥して形成する。塗布方法は
厚塗りが可能な方法であればいずれの方法でもよい。厚
膜層２の形成は、上記塗布方法に限定されず、上記の如
きペーストを他の基材フイルム面に塗布及び乾燥させて
厚膜層を形成し、該厚膜層を上記基板表面にラミネート
して形成してもよい。厚膜層の厚みは、最終的に形成さ
れるバリヤーリブの高さ（厚さ）が約１００〜１８０μ
ｍ程度になる膜厚とする。
的にはバリヤーリブを構成する厚膜層２（図１Ｂ）を形
成する。この厚膜層２は、例えば、バリヤーリブを構成
する材料を樹脂バインダー溶液に分散させてなるペース
トを基板表面に塗布及び乾燥して形成する。塗布方法は
厚塗りが可能な方法であればいずれの方法でもよい。厚
膜層２の形成は、上記塗布方法に限定されず、上記の如
きペーストを他の基材フイルム面に塗布及び乾燥させて
厚膜層を形成し、該厚膜層を上記基板表面にラミネート
して形成してもよい。厚膜層の厚みは、最終的に形成さ
れるバリヤーリブの高さ（厚さ）が約１００〜１８０μ
ｍ程度になる膜厚とする。
【００１１】次に上記厚膜層２の表面にフォトレジスト
層３（図１Ｃ）を形成する。フォトレジスト層３は光硬
化型でも光分解型でもよく、その形成方法はドライフイ
ルム型のフォトレジストフイルムの転写によってもよい
し、感光性樹脂液の塗布及び乾燥によってもよい。図示
の例は光硬化型のフォトレジストをドライフイルムの転
写方式で形成した例である。フォトレジスト層を形成
後、所望のバリヤーリブのパターンと同一形状の透光パ
ターンを有するフォトマスク４をフォトレジスト３面に
配置して密着露光する（図１Ｄ）。
層３（図１Ｃ）を形成する。フォトレジスト層３は光硬
化型でも光分解型でもよく、その形成方法はドライフイ
ルム型のフォトレジストフイルムの転写によってもよい
し、感光性樹脂液の塗布及び乾燥によってもよい。図示
の例は光硬化型のフォトレジストをドライフイルムの転
写方式で形成した例である。フォトレジスト層を形成
後、所望のバリヤーリブのパターンと同一形状の透光パ
ターンを有するフォトマスク４をフォトレジスト３面に
配置して密着露光する（図１Ｄ）。
【００１２】露光によって露光部は光架橋硬化して現像
液に不溶性となり、現像処理することにより非露光部が
除去され、バリヤーリブと同一パターンのレジストパタ
ーンが形成される（図２Ａ）。次にレジストパターンに
対して活性が低く、厚膜層の樹脂バインダーを溶解或い
は膨潤させる剥離液を全面に適用してレジストで被覆さ
れていない領域の厚膜層の樹脂を溶解又は膨潤させる。
この樹脂の溶解若しくは膨潤によって厚膜層はその強度
を失い、剥離液のスプレー等の如き適当な手段によって
除去され、図２Ｂに示す状態となる。その後残っている
レジスト３を剥離し、焼成することによって図２Ｃに示
す如きバイリヤーリブ２が形成される。尚、レジストが
焼成時に焼失し易いものであればパターン化されたレジ
スト３の剥離は必須ではない。
液に不溶性となり、現像処理することにより非露光部が
除去され、バリヤーリブと同一パターンのレジストパタ
ーンが形成される（図２Ａ）。次にレジストパターンに
対して活性が低く、厚膜層の樹脂バインダーを溶解或い
は膨潤させる剥離液を全面に適用してレジストで被覆さ
れていない領域の厚膜層の樹脂を溶解又は膨潤させる。
この樹脂の溶解若しくは膨潤によって厚膜層はその強度
を失い、剥離液のスプレー等の如き適当な手段によって
除去され、図２Ｂに示す状態となる。その後残っている
レジスト３を剥離し、焼成することによって図２Ｃに示
す如きバイリヤーリブ２が形成される。尚、レジストが
焼成時に焼失し易いものであればパターン化されたレジ
スト３の剥離は必須ではない。
【００１３】以上の説明は、本発明方法の原理を説明し
たものであるが、更にＰＤＰを代表例として、それらの
使用材料や厚膜の剥離液や剥離装置等について説明す
る。本発明で使用するＰＤＰの背面基板は、従来のＰＤ
Ｐに使用されていると同様のガラス基板であり、又、該
基板に形成するバリヤーリブの形状も従来技術と同様で
あり、特別な点はなく、本発明は上記バリヤーリブの形
成方法に特徴を有する。
たものであるが、更にＰＤＰを代表例として、それらの
使用材料や厚膜の剥離液や剥離装置等について説明す
る。本発明で使用するＰＤＰの背面基板は、従来のＰＤ
Ｐに使用されていると同様のガラス基板であり、又、該
基板に形成するバリヤーリブの形状も従来技術と同様で
あり、特別な点はなく、本発明は上記バリヤーリブの形
成方法に特徴を有する。
【００１４】基板上に形成するバリヤーリブの構成材料
である厚膜層の無機材料としては、最終的に焼成したと
きに、ガラス基板とバリヤーリブとの結着性を良好にす
る低融点ガラスフリットを含有するとともに、焼成時に
形状を安定させるための耐火物フィラーを含有すること
が好ましい。低融点ガラスフリットとしては、主成分と
して酸化鉛を５０重量％以上含有し、ガラスの分相防
止、軟化点の調節、熱膨張係数の調節等の目的で、更に
アルミナ、硼砂、シリカ、酸化マグネシウム、酸化カル
シウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム等を含有す
るガラスフリットが好ましい。
である厚膜層の無機材料としては、最終的に焼成したと
きに、ガラス基板とバリヤーリブとの結着性を良好にす
る低融点ガラスフリットを含有するとともに、焼成時に
形状を安定させるための耐火物フィラーを含有すること
が好ましい。低融点ガラスフリットとしては、主成分と
して酸化鉛を５０重量％以上含有し、ガラスの分相防
止、軟化点の調節、熱膨張係数の調節等の目的で、更に
アルミナ、硼砂、シリカ、酸化マグネシウム、酸化カル
シウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム等を含有す
るガラスフリットが好ましい。
【００１５】又、耐火物フィラーとしては、５００〜６
５０℃の焼成温度で軟化しないアルミナ、マグネシア、
カルシア、コージライト、シリカ、ムライト、ジルコ
ン、ジルコニア等のセラミック粉体が好適に用いられ
る。これらの耐火物フィラーは厚膜層の全無機成分のう
５０〜１０重量％を占める範囲で使用することが好まし
い。
５０℃の焼成温度で軟化しないアルミナ、マグネシア、
カルシア、コージライト、シリカ、ムライト、ジルコ
ン、ジルコニア等のセラミック粉体が好適に用いられ
る。これらの耐火物フィラーは厚膜層の全無機成分のう
５０〜１０重量％を占める範囲で使用することが好まし
い。
【００１６】又、形成されるバリヤーリブに遮光性を持
たせるためには、無機材料には暗色の無機顔料、例え
ば、コバルト−クロム−鉄、コバルト−マンガン−鉄、
コバルト−鉄−マンガン、コバルト−ニッケル−クロム
−鉄、コバルト−ニッケル−マンガン−クロム−鉄、コ
バルト−ニッケル−アルミニウム−クロム−鉄、コバル
ト−マンガン−アルミニウム−クロム−鉄−珪素等の複
合金属酸化物顔料を添加することができる。一方、バリ
ヤーリブに光反射性を持たせる必要がある場合には、酸
化チタン等の白色無機顔料等が用いられる。これらの顔
料は本発明において必須の成分ではない。
たせるためには、無機材料には暗色の無機顔料、例え
ば、コバルト−クロム−鉄、コバルト−マンガン−鉄、
コバルト−鉄−マンガン、コバルト−ニッケル−クロム
−鉄、コバルト−ニッケル−マンガン−クロム−鉄、コ
バルト−ニッケル−アルミニウム−クロム−鉄、コバル
ト−マンガン−アルミニウム−クロム−鉄−珪素等の複
合金属酸化物顔料を添加することができる。一方、バリ
ヤーリブに光反射性を持たせる必要がある場合には、酸
化チタン等の白色無機顔料等が用いられる。これらの顔
料は本発明において必須の成分ではない。
【００１７】厚膜層形成に使用する樹脂バインダーとし
ては、従来使用されている各種の樹脂バインダーが使用
されるが、厚膜層のパターン除去には水系の剥離液を使
用することが好ましいので、例えば、中性の水には不溶
性〜難溶性であるが、酸又はアルカリによって溶解或い
は膨潤する樹脂を使用するか、水不溶性樹脂に酸又はア
ルカリによって溶解或いは膨潤する樹脂を混合して使用
することが好ましい。又、厚膜層のパターン化後におい
て容易に焼失し、焼成残渣の残らない樹脂が好ましい。
ては、従来使用されている各種の樹脂バインダーが使用
されるが、厚膜層のパターン除去には水系の剥離液を使
用することが好ましいので、例えば、中性の水には不溶
性〜難溶性であるが、酸又はアルカリによって溶解或い
は膨潤する樹脂を使用するか、水不溶性樹脂に酸又はア
ルカリによって溶解或いは膨潤する樹脂を混合して使用
することが好ましい。又、厚膜層のパターン化後におい
て容易に焼失し、焼成残渣の残らない樹脂が好ましい。
【００１８】このような好ましい樹脂としては、例え
ば、ヒドロキシエチルセルロース、エチルヒドロキシセ
ルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシ
プロピルメチルセルロースアセテートサクシネート、カ
ルボキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロ
ース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース等のセルロ
ース誘導体、澱粉誘導体、アクリル酸系樹脂、マレイン
酸系樹脂、ロジンエステル等のアルカリ可溶性樹脂が挙
げられる。
ば、ヒドロキシエチルセルロース、エチルヒドロキシセ
ルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシ
プロピルメチルセルロースアセテートサクシネート、カ
ルボキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロ
ース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース等のセルロ
ース誘導体、澱粉誘導体、アクリル酸系樹脂、マレイン
酸系樹脂、ロジンエステル等のアルカリ可溶性樹脂が挙
げられる。
【００１９】又、水不溶性の好ましい樹脂としては、エ
チルセルロース、メチルセルロース、酢酸セルロース、
酢酪酸セルロース等のセルロース系樹脂、ポリ酢酸ビニ
ル、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール等の
ビニル系樹脂、ポリ（メタ）アクリレート、ポリウレタ
ン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂等が
挙げられ、又、酸可溶性樹脂としては、上記の如き樹脂
のカチオン変性樹脂が挙げられる。
チルセルロース、メチルセルロース、酢酸セルロース、
酢酪酸セルロース等のセルロース系樹脂、ポリ酢酸ビニ
ル、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール等の
ビニル系樹脂、ポリ（メタ）アクリレート、ポリウレタ
ン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂等が
挙げられ、又、酸可溶性樹脂としては、上記の如き樹脂
のカチオン変性樹脂が挙げられる。
【００２０】上記無機材料及びバインダーを分散及び溶
解してペースト状にするために使用する溶剤としては、
例えば、テルピオネール、ブチルカルビトールアセテー
ト等が用いられるが、これらの溶剤に限定されることは
なく、特に使用される樹脂バインダーに応じて適当な有
機溶剤を選択して使用するべきである。これらの溶剤の
使用量は得られるペーストが少なくとも流動性を有し、
好適な塗布適性を与える範囲である。一般的には得られ
るペースト全量中において約１０〜３０重量％を占める
範囲である。
解してペースト状にするために使用する溶剤としては、
例えば、テルピオネール、ブチルカルビトールアセテー
ト等が用いられるが、これらの溶剤に限定されることは
なく、特に使用される樹脂バインダーに応じて適当な有
機溶剤を選択して使用するべきである。これらの溶剤の
使用量は得られるペーストが少なくとも流動性を有し、
好適な塗布適性を与える範囲である。一般的には得られ
るペースト全量中において約１０〜３０重量％を占める
範囲である。
【００２１】本発明で使用する厚膜層形成用ペースト
は、その他必要に応じて可塑剤、界面活性剤、消泡剤、
酸化防止剤等を使用することができる。特に厚膜層を適
当な基材フイルム上に形成し、次いで基板上に転写する
場合には、厚膜層に可撓性が要求されるので、フタル酸
エステル、セバチン酸エステル、燐酸エステル、アジピ
ン酸エステル、グリコール酸エステル等の可塑剤をペー
スト全量中において約５〜１０重量％の範囲で添加する
ことが好ましい。
は、その他必要に応じて可塑剤、界面活性剤、消泡剤、
酸化防止剤等を使用することができる。特に厚膜層を適
当な基材フイルム上に形成し、次いで基板上に転写する
場合には、厚膜層に可撓性が要求されるので、フタル酸
エステル、セバチン酸エステル、燐酸エステル、アジピ
ン酸エステル、グリコール酸エステル等の可塑剤をペー
スト全量中において約５〜１０重量％の範囲で添加する
ことが好ましい。
【００２２】上記厚膜層形成用ペーストを基板上或いは
基材フイルム上に塗布する方法としては、スロットダイ
コーター法、カーテンコーター法、スライドコーター法
等の通常の塗布方法を使用することができる。形成すべ
きバリヤーリブの高さは通常約１００〜１８０μｍであ
るので、この高さを考慮してペーストの塗布量を決定す
ればよい。ペーストの塗布及び乾燥によって、或いは転
写によって基板に厚膜層が形成される。
基材フイルム上に塗布する方法としては、スロットダイ
コーター法、カーテンコーター法、スライドコーター法
等の通常の塗布方法を使用することができる。形成すべ
きバリヤーリブの高さは通常約１００〜１８０μｍであ
るので、この高さを考慮してペーストの塗布量を決定す
ればよい。ペーストの塗布及び乾燥によって、或いは転
写によって基板に厚膜層が形成される。
【００２３】次に基板上に形成若しくは転写された厚膜
層の表面にフォトレジスト層を形成する。このフォトレ
ジスト層は感光性樹脂液の塗布及び乾燥によって形成し
てもよいし、ドライフイルムレジストの転写によって形
成してもよい。これらのフォトレジスト材料は光硬化型
及び光分解型のいずれもが公知であり、種々のものが市
場から入手して本発明において使用することができる。
例えば、商品名として、東京応化工業（株）製のＯＦＰ
Ｒシリーズ、オーディルシリーズ、シブレーファーイー
スト（株）製のＡＺシリーズ、日本合成化学工業（株）
製のアルフォシリーズ、旭化成（株）製のサンフォート
シリーズ等が挙げられる。
層の表面にフォトレジスト層を形成する。このフォトレ
ジスト層は感光性樹脂液の塗布及び乾燥によって形成し
てもよいし、ドライフイルムレジストの転写によって形
成してもよい。これらのフォトレジスト材料は光硬化型
及び光分解型のいずれもが公知であり、種々のものが市
場から入手して本発明において使用することができる。
例えば、商品名として、東京応化工業（株）製のＯＦＰ
Ｒシリーズ、オーディルシリーズ、シブレーファーイー
スト（株）製のＡＺシリーズ、日本合成化学工業（株）
製のアルフォシリーズ、旭化成（株）製のサンフォート
シリーズ等が挙げられる。
【００２４】次に形成すべきバリヤーリブのパターンと
同一のパターンを有するフォトマスクを介して露光及び
現像することにより、非パターン部のフォトレジストが
現像除去され、バリヤーリブと同一パターンのレジスト
パターンが形成される。レジストの現像に使用する現像
液は、使用したレジストの種類によって決まっており、
専用の現像液を使用すればよい。水系、即ち酸又はアル
カリ水溶液によって現像されるレジストを使用すること
が工程上好ましい。
同一のパターンを有するフォトマスクを介して露光及び
現像することにより、非パターン部のフォトレジストが
現像除去され、バリヤーリブと同一パターンのレジスト
パターンが形成される。レジストの現像に使用する現像
液は、使用したレジストの種類によって決まっており、
専用の現像液を使用すればよい。水系、即ち酸又はアル
カリ水溶液によって現像されるレジストを使用すること
が工程上好ましい。
【００２５】次にパターン化されたレジストが存在しな
い領域の厚膜を除去する。この厚膜の除去に使用する剥
離液は、厚膜の形成に使用した樹脂バインダーによって
決定され、例えば、上記樹脂バインダーがアルカリ溶解
若しくは膨潤性樹脂であれば、無機又は有機のアルカリ
を含む剥離液を使用すればよく、上記樹脂バインダーが
酸溶解若しくは膨潤性樹脂であれば、無機又は有機の酸
を含む剥離液を使用すればよい。このような剥離液を、
例えば、スプレー法によって全面に塗布することによっ
て、レジストが存在しない厚膜層の樹脂バインダーは溶
解若しくは膨潤し、その部分の厚膜層の膜強度が低下
し、基板面から剥離若しくは溶解除去される。
い領域の厚膜を除去する。この厚膜の除去に使用する剥
離液は、厚膜の形成に使用した樹脂バインダーによって
決定され、例えば、上記樹脂バインダーがアルカリ溶解
若しくは膨潤性樹脂であれば、無機又は有機のアルカリ
を含む剥離液を使用すればよく、上記樹脂バインダーが
酸溶解若しくは膨潤性樹脂であれば、無機又は有機の酸
を含む剥離液を使用すればよい。このような剥離液を、
例えば、スプレー法によって全面に塗布することによっ
て、レジストが存在しない厚膜層の樹脂バインダーは溶
解若しくは膨潤し、その部分の厚膜層の膜強度が低下
し、基板面から剥離若しくは溶解除去される。
【００２６】この際、剥離液として強アルカリ又は強酸
を使用すると、剥離液によって除去されるべきではない
領域、即ち、形成されるべきバリヤーリブの壁面まで除
去され、形成されるバリヤーリブの線細りが生じるの
で、低濃度の鉱酸水溶液、有機酸（酢酸、ギ酸等）の水
溶液、低濃度の無機アルカリ水溶液、若しくは有機塩基
（低級アミンやアミノアルコール等）の水溶液を用いる
ことが好ましい。
を使用すると、剥離液によって除去されるべきではない
領域、即ち、形成されるべきバリヤーリブの壁面まで除
去され、形成されるバリヤーリブの線細りが生じるの
で、低濃度の鉱酸水溶液、有機酸（酢酸、ギ酸等）の水
溶液、低濃度の無機アルカリ水溶液、若しくは有機塩基
（低級アミンやアミノアルコール等）の水溶液を用いる
ことが好ましい。
【００２７】上記の厚膜層の除去方法の１例を図４を参
照して説明する。図４Ａは、膜剥離装置１００の平面図
であり、図４Ｂは、図４Ａの矢印Ｘ方向からみた側面図
である。厚膜層２及びパターン化されたレジスト３を下
面に有する基板１は、厚膜層２の剥離液５が上方に噴出
されている面を、軸６によって回転自在に設けられた多
数のローラ７に乗って、適当な手段で矢印Ｙに沿って膜
剥離装置の面上を移動進行する。
照して説明する。図４Ａは、膜剥離装置１００の平面図
であり、図４Ｂは、図４Ａの矢印Ｘ方向からみた側面図
である。厚膜層２及びパターン化されたレジスト３を下
面に有する基板１は、厚膜層２の剥離液５が上方に噴出
されている面を、軸６によって回転自在に設けられた多
数のローラ７に乗って、適当な手段で矢印Ｙに沿って膜
剥離装置の面上を移動進行する。
【００２８】基板１は、その進行中に剥離液５の噴射に
晒されて、レジスト３が存在していない厚膜層の樹脂バ
インダーが溶解若しくは膨潤して、厚膜層の主たる構成
成分である無機材料が剥落して厚膜層が除去され、図２
Ｂに示す状態になる。このとき、レジストが形成されて
いる厚膜層にも幾分かの剥離液が横方向から浸透し、そ
の浸透部分の膜強度は幾分低下するが、後に剥離液の乾
燥除去によって、その厚膜パターン２は形状を保持して
いる。このようにレジストが存在していない領域の厚膜
が除去された基板１は、必要に応じて乾燥された後、レ
ジストが剥離除去されて、図２Ｃに示す状態になり、次
いで焼成されて所望のバリヤーリブ２が形成される。
晒されて、レジスト３が存在していない厚膜層の樹脂バ
インダーが溶解若しくは膨潤して、厚膜層の主たる構成
成分である無機材料が剥落して厚膜層が除去され、図２
Ｂに示す状態になる。このとき、レジストが形成されて
いる厚膜層にも幾分かの剥離液が横方向から浸透し、そ
の浸透部分の膜強度は幾分低下するが、後に剥離液の乾
燥除去によって、その厚膜パターン２は形状を保持して
いる。このようにレジストが存在していない領域の厚膜
が除去された基板１は、必要に応じて乾燥された後、レ
ジストが剥離除去されて、図２Ｃに示す状態になり、次
いで焼成されて所望のバリヤーリブ２が形成される。
【００２９】図５は、本発明の方法をより効率的に実施
するために考案された膜剥離装置１００を説明する図で
ある。図示のように本発明の膜剥離装置１００は、被パ
ターン化基板１の搬送装置（不図示）と、該基板１に形
成された厚膜層２をパターン状に剥離するための剥離液
５を有する液槽と、該剥離液５を噴射する噴射ノズル８
と噴射ノズル８の上方に設けられた基板支持体６’とか
らなり、該基板支持体６’が少なくともその頂部がフレ
キシブルな材料から構成されていることを特徴としてい
る。図示の例における基板支持体６’は先端がフレキシ
ブルなドクターブレードの形状を有しているが、基板１
に形成された厚膜層に密着して、基板が移動し得る構成
であれば如何なる構成でもよく、例えば、厚膜層に密着
して回転する棒状のゴムロール等であってもよい。
するために考案された膜剥離装置１００を説明する図で
ある。図示のように本発明の膜剥離装置１００は、被パ
ターン化基板１の搬送装置（不図示）と、該基板１に形
成された厚膜層２をパターン状に剥離するための剥離液
５を有する液槽と、該剥離液５を噴射する噴射ノズル８
と噴射ノズル８の上方に設けられた基板支持体６’とか
らなり、該基板支持体６’が少なくともその頂部がフレ
キシブルな材料から構成されていることを特徴としてい
る。図示の例における基板支持体６’は先端がフレキシ
ブルなドクターブレードの形状を有しているが、基板１
に形成された厚膜層に密着して、基板が移動し得る構成
であれば如何なる構成でもよく、例えば、厚膜層に密着
して回転する棒状のゴムロール等であってもよい。
【００３０】上記本発明の膜剥離装置を用いて本発明を
実施する例を説明する。図５Ａは、本発明において使用
する改良された膜剥離装置１００の平面図を示してお
り、図５Ｂは図５Ａの矢印Ｚ方向からみた側面図であ
る。この装置でも厚膜層２とパターン化レジスト３を有
する基板１は矢印Ｙの方向に移動し、膜剥離装置１００
の面上を通過し、その進行中に多数のノズル８から噴出
する剥離液５に晒されて、パターン化されたレジストが
存在しない領域の厚膜層が、図４の場合と同様に剥落す
る。しかしながら、図５に示す装置では、図４における
多数のローラ７に代えてフレキシブルなブレード６’が
基板１の進行方法に直交するように設けられており、基
板１の下面（即ち厚膜層２の表面、尚パターン化された
レジスト３は非常に薄いので、その膜厚は無視し得る）
に接触しながら進行する。
実施する例を説明する。図５Ａは、本発明において使用
する改良された膜剥離装置１００の平面図を示してお
り、図５Ｂは図５Ａの矢印Ｚ方向からみた側面図であ
る。この装置でも厚膜層２とパターン化レジスト３を有
する基板１は矢印Ｙの方向に移動し、膜剥離装置１００
の面上を通過し、その進行中に多数のノズル８から噴出
する剥離液５に晒されて、パターン化されたレジストが
存在しない領域の厚膜層が、図４の場合と同様に剥落す
る。しかしながら、図５に示す装置では、図４における
多数のローラ７に代えてフレキシブルなブレード６’が
基板１の進行方法に直交するように設けられており、基
板１の下面（即ち厚膜層２の表面、尚パターン化された
レジスト３は非常に薄いので、その膜厚は無視し得る）
に接触しながら進行する。
【００３１】従って厚膜層２の表面には第一のブレード
６’の前で付着された剥離液は、その基板１の進行時間
中は厚膜層２に作用するが、その後は接触しているブレ
ード６’によって十分にしごかれて除去される。従って
第一のブレード６’の手前において付与された剥離液５
は、基板１の進行によっても第二のブレード６”の前ま
で持ち越されることはなく、第一のブレード６’を通過
した厚膜層２は、各ブレードを過ぎるごとに新鮮な剥離
液５に晒されることになる。このようにして、厚膜層２
の表面に付与される剥離液５は、以前に付着された剥離
液５と混合することなく、新鮮な剥離液５が常に厚膜層
２の表面に付与されるので、厚膜の除去速度が大であ
り、且つ変化がない。従って図５に示す装置を用いて厚
膜を除去することによって、厚膜の除去速度が向上する
とともに一定にコントロールされるので、一層シャープ
な形状を有するパターン化されたバリヤーリブを形成す
ることができる。
６’の前で付着された剥離液は、その基板１の進行時間
中は厚膜層２に作用するが、その後は接触しているブレ
ード６’によって十分にしごかれて除去される。従って
第一のブレード６’の手前において付与された剥離液５
は、基板１の進行によっても第二のブレード６”の前ま
で持ち越されることはなく、第一のブレード６’を通過
した厚膜層２は、各ブレードを過ぎるごとに新鮮な剥離
液５に晒されることになる。このようにして、厚膜層２
の表面に付与される剥離液５は、以前に付着された剥離
液５と混合することなく、新鮮な剥離液５が常に厚膜層
２の表面に付与されるので、厚膜の除去速度が大であ
り、且つ変化がない。従って図５に示す装置を用いて厚
膜を除去することによって、厚膜の除去速度が向上する
とともに一定にコントロールされるので、一層シャープ
な形状を有するパターン化されたバリヤーリブを形成す
ることができる。
【００３２】厚膜がパターン状に除去された状態の基板
（図２Ｂ）は、次いでその表面に残されたパターン状レ
ジストが除去される。この除去には最初の現像に用いた
現像液よりも現像力の強い現像液によって行うことがで
きるが、このパターン化されたレジストはその膜厚が非
常に薄いので、特に問題がない限り、このレジストを剥
離することなく次の焼成工程に送ってもよい。焼成工程
において適当な温度、例えば、５００〜６５０程度の温
度において焼成することによってパターン化された厚膜
層中の有機物が焼失するとともに、耐熱性フィラーが低
融点ガラスフリットによって固定され、基板に密着した
バリヤーリブが形成される。
（図２Ｂ）は、次いでその表面に残されたパターン状レ
ジストが除去される。この除去には最初の現像に用いた
現像液よりも現像力の強い現像液によって行うことがで
きるが、このパターン化されたレジストはその膜厚が非
常に薄いので、特に問題がない限り、このレジストを剥
離することなく次の焼成工程に送ってもよい。焼成工程
において適当な温度、例えば、５００〜６５０程度の温
度において焼成することによってパターン化された厚膜
層中の有機物が焼失するとともに、耐熱性フィラーが低
融点ガラスフリットによって固定され、基板に密着した
バリヤーリブが形成される。
【００３３】以上本発明の厚膜パターンの形成方法及び
膜剥離装置を、ＰＤＰのバリヤーリブの形成に応用する
例を挙げて説明したが、本発明の方法及び装置はＰＤＰ
のバリヤーリブの形成に限定されるものではなく、例え
ば、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）、
液晶表示装置（ＬＣＤ）、蛍光表示装置、混成集積回路
等の製造過程において、形成される電極や誘電体等の各
種の厚膜パターンの形成にも同様に有効である。
膜剥離装置を、ＰＤＰのバリヤーリブの形成に応用する
例を挙げて説明したが、本発明の方法及び装置はＰＤＰ
のバリヤーリブの形成に限定されるものではなく、例え
ば、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）、
液晶表示装置（ＬＣＤ）、蛍光表示装置、混成集積回路
等の製造過程において、形成される電極や誘電体等の各
種の厚膜パターンの形成にも同様に有効である。
【００３４】
【実施例】次に実施例を挙げて本発明を更に具体的に説
明する。尚、実施例中「％」又は「部」とあるのは、特
に断りのない限り重量基準である。 実施例１ ガラスフリット５０部、黒色無機顔料２０部、充填剤
（アルミナ）１０重量部、ヒドロキシプロピルメチルセ
ルロースアセテートサクシネート５部、エチレングリコ
ール１５部及びエタノール１５部を混合し、十分に分散
処理してペーストとした。このペーストを、下地、電極
及び誘電体層等が既に形成されているＰＤＰ用ガラス基
板上に乾燥時の厚みが２００μｍになるようにロールコ
ートで塗布し、１５０℃で３０分間乾燥してバリヤーリ
ブ用の厚膜を形成した。
明する。尚、実施例中「％」又は「部」とあるのは、特
に断りのない限り重量基準である。 実施例１ ガラスフリット５０部、黒色無機顔料２０部、充填剤
（アルミナ）１０重量部、ヒドロキシプロピルメチルセ
ルロースアセテートサクシネート５部、エチレングリコ
ール１５部及びエタノール１５部を混合し、十分に分散
処理してペーストとした。このペーストを、下地、電極
及び誘電体層等が既に形成されているＰＤＰ用ガラス基
板上に乾燥時の厚みが２００μｍになるようにロールコ
ートで塗布し、１５０℃で３０分間乾燥してバリヤーリ
ブ用の厚膜を形成した。
【００３５】次に上記厚膜表面を５０℃に予熱してお
き、その表面にレジストドライフイルム（商品名ＮＣＰ
−２２５、日本合成化学工業製）を１２０℃、２．５ｋ
ｇｆ／ｃｍ及び１．５ｍ／ｍｉｎ．の条件でラミネート
した。この状態で所望のバリヤーリブと同一パターンの
透光パターンを有するフォトマスクを介して露光量８０
ｍＪ／ｃｍ（３６５ｎｍ）で紫外線露光した。その後３
０℃の１重量％炭酸ソーダ水溶液で、スプレー圧１．５
ｋｇｆ／ｃｍ2で４０秒間スプレー現像して非露光部の
レジストを除去した。
き、その表面にレジストドライフイルム（商品名ＮＣＰ
−２２５、日本合成化学工業製）を１２０℃、２．５ｋ
ｇｆ／ｃｍ及び１．５ｍ／ｍｉｎ．の条件でラミネート
した。この状態で所望のバリヤーリブと同一パターンの
透光パターンを有するフォトマスクを介して露光量８０
ｍＪ／ｃｍ（３６５ｎｍ）で紫外線露光した。その後３
０℃の１重量％炭酸ソーダ水溶液で、スプレー圧１．５
ｋｇｆ／ｃｍ2で４０秒間スプレー現像して非露光部の
レジストを除去した。
【００３６】次いで図５に示す膜剥離装置を用い、剥離
液として２０％酢酸水溶液を室温で１．５ｋｇｆ／ｃｍ
2のスプレー圧で１５０秒間厚膜層全面に噴射して、非
露光部の厚膜層を除去し、更に基板を３０℃の１％苛性
ソーダ水溶液中に４０秒間浸漬してパターン状のレジス
トを剥離した。乾燥後にピーク温度５９５℃で３時間焼
成して、所望の形状のバリヤーリブを形成した。形成さ
れたバリヤーリブの線幅は一定であり、リブの頂部、中
間部及び底部の幅において変化は認められず、非常にシ
ャープな形状を有していた。
液として２０％酢酸水溶液を室温で１．５ｋｇｆ／ｃｍ
2のスプレー圧で１５０秒間厚膜層全面に噴射して、非
露光部の厚膜層を除去し、更に基板を３０℃の１％苛性
ソーダ水溶液中に４０秒間浸漬してパターン状のレジス
トを剥離した。乾燥後にピーク温度５９５℃で３時間焼
成して、所望の形状のバリヤーリブを形成した。形成さ
れたバリヤーリブの線幅は一定であり、リブの頂部、中
間部及び底部の幅において変化は認められず、非常にシ
ャープな形状を有していた。
【００３７】実施例２ 銀粉体７０部、ガラスフリット１０部、ヒドロキシプロ
ピルメチルセルロース５部、エチレングリコール１５部
及びエタノール１５部を混合し、十分に分散処理してペ
ーストとした。このペーストをＰＤＰ用ガラス基板上に
乾燥時の厚みが２０μｍになるようにロールコートで塗
布し、１５０℃で３０分間乾燥して銀電極用の厚膜を形
成した。
ピルメチルセルロース５部、エチレングリコール１５部
及びエタノール１５部を混合し、十分に分散処理してペ
ーストとした。このペーストをＰＤＰ用ガラス基板上に
乾燥時の厚みが２０μｍになるようにロールコートで塗
布し、１５０℃で３０分間乾燥して銀電極用の厚膜を形
成した。
【００３８】次に上記厚膜表面を５０℃に予熱してお
き、その表面にレジストドライフイルム（商品名ＮＣＰ
−２２５、日本合成化学工業製）を１２０℃、２．５ｋ
ｇｆ／ｃｍ及び１．５ｍ／ｍｉｎ．の条件でラミネート
した。この状態で所望の銀電極と同一パターンの透光パ
ターンを有するフォトマスクを介して露光量８０ｍＪ／
ｃｍ（３６５ｎｍ）で紫外線露光した。その後３０℃の
１重量％炭酸ソーダ水溶液で、スプレー圧１．５ｋｇｆ
／ｃｍ2で４０秒間スプレー現像して非露光部のレジス
トを除去した。
き、その表面にレジストドライフイルム（商品名ＮＣＰ
−２２５、日本合成化学工業製）を１２０℃、２．５ｋ
ｇｆ／ｃｍ及び１．５ｍ／ｍｉｎ．の条件でラミネート
した。この状態で所望の銀電極と同一パターンの透光パ
ターンを有するフォトマスクを介して露光量８０ｍＪ／
ｃｍ（３６５ｎｍ）で紫外線露光した。その後３０℃の
１重量％炭酸ソーダ水溶液で、スプレー圧１．５ｋｇｆ
／ｃｍ2で４０秒間スプレー現像して非露光部のレジス
トを除去した。
【００３９】次いで図５に示す膜剥離装置を用い、剥離
液として１％トリエタノールアミン水溶液を室温で１．
５ｋｇｆ／ｃｍ2のスプレー圧で９０秒間厚膜層全面に
噴射して、非露光部の厚膜を除去し、更に基板を３０℃
の１％苛性ソーダ水溶液中に４０秒間浸漬してパターン
状のレジストを剥離した。乾燥後にピーク温度５９５℃
で３時間焼成して、所望の形状の銀電極を形成した。形
成された銀電極の線幅は一定であり、電極の頂部、中間
部及び底部の幅において変化は認められず、非常にシャ
ープな形状を有していた。
液として１％トリエタノールアミン水溶液を室温で１．
５ｋｇｆ／ｃｍ2のスプレー圧で９０秒間厚膜層全面に
噴射して、非露光部の厚膜を除去し、更に基板を３０℃
の１％苛性ソーダ水溶液中に４０秒間浸漬してパターン
状のレジストを剥離した。乾燥後にピーク温度５９５℃
で３時間焼成して、所望の形状の銀電極を形成した。形
成された銀電極の線幅は一定であり、電極の頂部、中間
部及び底部の幅において変化は認められず、非常にシャ
ープな形状を有していた。
【００４０】
【発明の効果】本発明によれば、印刷方法において生じ
る多くの欠点が容易に解決され、、高い生産性で、高精
度、高アスペクト比の厚膜パターンを形成することがで
きる。
る多くの欠点が容易に解決され、、高い生産性で、高精
度、高アスペクト比の厚膜パターンを形成することがで
きる。
【図１】 本発明の方法を説明する図
【図２】 本発明の方法を説明する図
【図３】 ＰＤＰの構成説明図
【図４】 膜剥離装置を説明する図
【図５】 本発明の膜剥離装置を説明する図
１：基板 ２：厚膜層 ３：レジスト ４：フォトマスク ５：剥離液 ６：軸 ６’，６”：ブレード ７：ローラ ８：ノズル ３１：前面板 ３２：背面板 ３３：バリヤーリブ ３４：維持電極 ３５：バス電極 ３６：誘電体層 ３７：保護層 ３８：アドレス電極 ３９：蛍光体層 １００：膜剥離装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３２４ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３２４ Ｈ０１Ｊ 9/02 Ｈ０１Ｊ 9/02 Ｆ
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に樹脂と無機粉体を含む厚膜を形
成する工程、該厚膜表面にレジストパターンを形成する
工程、レジスト膜の存在しない領域に前記厚膜の樹脂を
溶解若しくは膨潤させる剥離液を付与して厚膜をパター
ン状に剥離除去する工程、及び形成された厚膜パターン
を焼成する工程を含むことを特徴とする厚膜パターンの
形成方法。 - 【請求項２】 厚膜を構成する樹脂が、酸又はアルカリ
によって溶解若しくは膨潤する樹脂である請求項１に記
載の厚膜パターンの形成方法。 - 【請求項３】 厚膜を構成する無機粉体が、少なくとも
ガラス粉末を含む請求項１に記載の厚膜パターンの形成
方法。 - 【請求項４】 形成される厚膜パターンが、プラズマデ
ィスプレイパネルのバイリヤーリブである請求項１に記
載の厚膜パターンの形成方法。 - 【請求項５】 被パターン化基板の搬送装置と、該基板
に形成された機能層をパターン状に剥離するための剥離
液を有する液槽と、該剥離液を噴射する噴射装置と噴射
装置の上方に設けられた基板支持体とからなる膜剥離装
置において、上記基板支持体が少なくともその頂部がフ
レキシブルな材料から構成されていることを特徴とする
膜剥離装置。 - 【請求項６】 基板支持体が、ドクターブレード形状で
ある請求項５に記載の膜剥離装置。 - 【請求項７】 基板支持体が、ゴムローラ形状である請
求項５に記載の膜剥離装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12779597A JP3993272B2 (ja) | 1997-05-02 | 1997-05-02 | 厚膜パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12779597A JP3993272B2 (ja) | 1997-05-02 | 1997-05-02 | 厚膜パターン形成方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007029732A Division JP4146879B2 (ja) | 2007-02-08 | 2007-02-08 | 厚膜パターン膜剥離装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10301300A true JPH10301300A (ja) | 1998-11-13 |
| JP3993272B2 JP3993272B2 (ja) | 2007-10-17 |
Family
ID=14968873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (1)
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|---|---|
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7001710B2 (en) | 2002-07-19 | 2006-02-21 | Sang-Tae Choi | Method for forming ultra fine contact holes in semiconductor devices |
| JP2008171790A (ja) * | 2007-01-08 | 2008-07-24 | Tatung Co | フィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法とスペーサー用の基材 |
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