JP2008171790A - フィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法とスペーサー用の基材 - Google Patents

フィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法とスペーサー用の基材 Download PDF

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Abstract

【課題】フィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法とスペーサー用の基材の提供。
【解決手段】本発明は一種のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法に関わるものである。その手順は、まず、基板を提供する。該基板の表面に膠質体を形成する。引き続き、該膠質体の表面にパターン化のフォトレジスト層を形成する。該パターン化のフォトレジスト層より、パターン化の該膠質体を形成する。該パターン化のフォトレジスト層を除去し、該膠質体を硬化させる。最後に、該基板を除去する。本発明はさらに、一種のスペーサー基材を含まれる。本発明はコスト軽減できるほか、量産の経済効果を有する。
【選択図】図2

Description

本発明は一種のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法及びスペーサーの基材、特に一種の電界放出表示装置スペーサーの製造方法及びスペーサーの基材に適用する。
表示装置は今日の生活における重要性はますます高まっている。コンピュータ又はインターネットのほか、テレビ、携帯電話、携帯端末(PDA)、道路情報交通システムなどは、すべて表示装置により情報伝送が行われている。重量、体積、及び健康上の理由から、フラットパネルの使用率はますます高まっている。多くの開発された表示装置技術のうち、電界放出表示装置(field emission display, FED)はブラウン管の高画質の長所を有するため、従来の液晶表示パネルの視野が狭く、稼働温度範囲が小さく、反応速度が遅いのに対して、高い良品率、高速反応、良好な協調表示性能、及び100ftLの高輝度、軽薄構造、色温度範囲が大きい、高度な携帯効率、良い斜め方向の認識性などの長所を有する。FEDは自ら発光するフラットパネルのため、高効率の蛍光膜技術を採用することにより、室外の太陽光においても優れた輝度を有し、液晶表示に匹敵できるのみならず、これを取り替わる新技術として、脚光を浴びている。
FEDの発光原理は、10-6 トールの高度な真空環境において、電場により陰極先端の電子を引き出して、陽極板の正電圧により加速させ、陽極の蛍光粉に衝突して、発光(luminescence)する。このため、電場の大小は陰極より放出する電子の数に影響する。すなわち、電場が大きいほど、陰極より放出する電子の数が多くなる。電界放出表示装置のゲート極は輪状のため、陰極が受ける電場強度が異なることから、陰極より放出する電子は輪状に放出され、分布不均衡問題を引き起こす。このような現象は、電界放出表示装置の画面輝度の不均衡を発生し、画像品質に影響を与える。
このほか、FEDは陽極と陰極のほか、スペーサーを設け、陰極と陽極の間の空間を維持する。従来のFEDスペーサーは、非常に大きな高さ広さ比でもって、表示画面の占める面積を減少する。しかしながら、高さ広さ比が大きいため、製造が困難のほか、スペーサーの傾けが起きる。このほか、公知技術のスペーサーは金型加工又はレーザー加工より製造するが、前記の方法で仕上げたスペーサー製品が高価なため、経済効果が悪い。さらに、一種のスペーサーは、炭化ケイ素のブラストにより生成する。しかしながら、当該設備と製品が高価のほか、製品の量産率も引き上げにくい現状である。
これを鑑みて、本発明のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法について、その手順は、まず、基板を提供する。該基板の表面に膠質体を形成する。引き続き、該膠質体の表面にパターン化のフォトレジスト層を形成し、該パターン化のフォトレジスト層より、パターン化の該膠質体を形成する。該パターン化のフォトレジスト層を除去し、該膠質体を硬化させる。最後に、該基板を除去する。これらの手順により、電界放出表示装置に使用するスペーサーを仕上げる。
本発明のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法において、基板の部材は制限しない。その部材はガラス、金属及びセラミックグループから、素地が固く、表面の平坦度を有するものすべて使用できる。このほか、基板表面に離型剤(金型剥離剤)を塗布して、膠質体を該離型剤の表面に設ける。基板を除去する手順は、離型剤を用いることができる。また、使用する離型剤の材料は、石墨、セラミック粉、乳化剤、水性溶剤及びその混合物より構成するものを使用する。
本発明において、基板表面に膠質体を形成する方法は、スクリーン印刷、及びスプレーを使用する。基板に設ける膠質体は任意のパルプ部材を使用できる。ただし、ガラスセメントを使用することが好ましい。該ガラスセメントは酸化鉛、酸化硼素、酸化亜鉛、酸化ケイ素、酸化ナトリウム、酸化アルミニウム、酸化カルシウム及びその混合物より選択使用できる。
本発明において、膠質体表面に設けるパターン化フォトレジストの部材は制限しない。いずれの感光材料を使用できる。ただし、ドライフィルムを使用することが好ましい。
本発明は、基板表面に膠質体を形成した後、該膠質体の熱処理を施して、該膠質体の表面にパターン化のフォトレジスト層を形成する。該熱処理の温度は膠質体の部材による。ただし、熱処理の温度は、約80〜150℃が好ましい。該膠質体の熱処理の目的は、後工程でその表面に形成するフォトレジスト層を支える硬度で良い。完全硬化の必要はない。
本発明は、パターン化のフォトレジスト層を形成した後、ブラスト又はエッチング方法により、パターン化膠質体を形成する。そのうち、パターン化膠質体はブラスト方式によるものが好ましい。
本発明において、膠質体の硬化工程は、熱処理により該膠質体を硬化する。熱処理の温度は、約35〜600 ℃条件にて該膠質体の硬化を行う。
前記したフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法のほか、本発明はさらに、スペーサー用の基材を提供する。主に、基板、及び膠質体を有する。基板の表面に離型剤を塗布する。膠質体は基板の表面に塗布された離型剤の表面に設ける。
本発明のスペーサー用基材において、基板の部材は制限しない。その部材はガラス、金属及びセラミックグループから、素地が固く、表面の平坦度を有するものすべて使用できる。膠質体は、いずれのパルプ材を使用できる。ただし、ガラスセメントを使用することが好ましい。該ガラスセメントは酸化鉛、酸化硼素、酸化亜鉛、酸化ケイ素、酸化ナトリウム、酸化アルミニウム、酸化カルシウム及びその混合物より選択使用できる。また、基板の表面に使用する離型剤の材料は、石墨、セラミック粉、乳化剤、水性用材及びその混合物より構成するものを使用する。
請求項1の発明は、以下の手順を含まれたフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法において、
基板を提供し、
該基板の表面に膠質体を形成し、
該膠質体の表面にパターン化のフォトレジスト層を形成し、
該パターン化のフォトレジスト層より、パターン化の該膠質体を形成し、
該パターン化のフォトレジスト層を除去し、該膠質体を硬化させる、
該基板を除去することを特徴とするフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法としている。
請求項2の発明は、該基板の部材はガラス、金属及びセラミックなどの物質を使用することを特徴とする請求項1記載のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法としている。
請求項3の発明は、該基板の表面に離型剤を設け、該膠質体を該離型剤の表面に形成することを特徴とする請求項1記載のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法としている。
請求項4の発明は、該基板を除去する手順は、該離型剤を利用することを特徴とする請求項3記載のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法としている。
請求項5の発明は、該離型剤は石墨、セラミック粉、乳化剤、水性溶剤及びその混合物より選択によるものであることを特徴とする請求項3記載のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法としている。
請求項6の発明は、該基板の表面に該膠質体を形成する方法は、スクリーン印刷、へら印刷、及びスプレー方法を使用することを特徴とする請求項1記載のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法としている。
請求項7の発明は、該膠質体はガラスセメントであることを特徴とする請求項1記載のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法としている。
請求項8の発明は、該ガラスセメントは酸化鉛、酸化硼素、酸化亜鉛、酸化ケイ素、酸化ナトリウム、酸化アルミニウム、酸化カルシウム及びその混合物より構成することを特徴とする請求項7記載のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法としている。
請求項9の発明は、該パターン化のフォトレジスト層はドライフィルムであることを特徴とする請求項1記載のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法としている。
請求項10の発明は、該膠質体を形成した後、該膠質体の熱処理を行い、該膠質体の表面に該パターン化のフォトレジスト層を形成することを特徴とする請求項1記載のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法としている。
請求項11の発明は、該膠質体の熱処理工程の温度は80〜150℃であることを特徴とする請求項10記載のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法としている。
請求項12の発明は、該パターン化のフォトレジスト層を形成した後、ブラスト又はエッチング方法により、パターン化の該膠質体を形成することを特徴とする請求項1記載のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法としている。
請求項13の発明は、ブラスト方式により、パターン化の該膠質体を形成することを特徴とする請求項12記載のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法としている。
請求項14の発明は、該膠質体の硬化工程は、熱処理により、該膠質体を硬化することを特徴とする請求項1記載のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法としている。
請求項15の発明は、350〜600℃の温度条件の熱処理により、該膠質体を硬化することを特徴とする請求項14記載のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法としている。
請求項16の発明は、基板及び膠質体を含み、
該基板の表面に離型剤を設け、
膠質体、該基板に備える該離型剤の表面に設けることを特徴とするスペーサー用の基材としている。
請求項17の発明は、該基板の部材はガラス、金属及びセラミックなどの物質を使用することを特徴とする請求項16記載のスペーサー用の基材としている。
請求項18の発明は、該離型剤は石墨、セラミック粉、乳化剤、水性溶剤及びその混合物より構成することを特徴とする請求項16記載のスペーサー用の基材としている。
請求項19の発明は、該膠質体はガラスセメントより構成することを特徴とする請求項16記載のスペーサー用の基材としている。
請求項20の発明は、該ガラスセメントは酸化鉛、酸化硼素、酸化亜鉛、酸化ケイ素、酸化ナトリウム、酸化アルミニウム、酸化カルシウム及びその混合物より構成することを特徴とする請求項19記載のスペーサー用の基材としている。
これらの手順により、本発明のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法及びスペーサー用の基材は、スペーサー製造コストを軽減し、製品の良品率を向上できるため、電界放出表示装置又は背光モジュールなど、様々な分野に応用できる。
本発明の実施例に示す図式は、すべて略図である。当該図式は本発明の関係素子のみを表示するが、表示された素子は実施するときの態様とは限らない。また、実施するときの素子の数、形状などの比例は、選択によるものであり、実施するときの素子のレイアウト形態はさらに複雑する可能性はある。
図1(A)から1(F)は、本発明のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造フローの断面図である。
まず、図1(A)に示す通り、基板11を提供する。該基板11は素地が固く、表面の平坦度が良い部材を使用する。本実施例において、ガラスを基板11に使用する。該基板11の表面に離型剤12を被膜する。該離型剤12の成分は、石墨、セラミック粉、乳化剤及び水性溶剤より構成する。引き続き、図1(B)に示す通り、該離型剤12を設けた基板11の表面は、スクリーン印刷により、ガラスセメント13を設ける。該ガラスセメント13の主な成分は、酸化ケイ素である。ガラスセメント13の厚みは約0.7mm前後とする。ガラスセメント13はパルプ状の態様である。このガラスセメント13を設けた基板の熱処理を行い、熱処理の温度は約80〜150℃とする。その目的は、ガラスセメント13を硬化する程度にとどまり、完全硬化の必要はない。ガラスセメント13を設けた基板11は、基材20用とする。該基材20は後工程の処理により、該ガラスセメント13をスペーサー用に使用できる。ただし、本実施例において、電界放出表示装置のスペーサーに応用する。
図1(C)に示す通り、やや硬化したガラスセメント13の表面にフォトレジスト層14を形成し、フォトレジスト層14の材料はドライフィルムを使用する。このフォトレジスト層14は露光工程(露光と現像方式)によりパターン化し、必要なパターンを形成する。
図1(D)に示す通り、このフォトレジスト層14のパターン化完了後、ブラスト工程により、フォトレジスト層14を被せていないガラスセメント13を除去し、フォトレジスト層14を被せたガラスセメント13を残しておき、パターン化ガラスセメント13を仕上げる。
さらに、図1(E)に示す通り、このパターン化のフォトレジスト層14を除去し、熱処理方法により、ガラスセメント13の硬化を行う。この熱処理工程の温度は、約350〜600℃とする。この手順により、ガラスセメント13を完全に硬化させる。
最後は、図1(F)に示す通り、この離型剤12によりガラスセメント13を基板11から除去する。このスペーサーのガラスセメント13の厚みは、約0.5mmとする。前記の手順を完了後、図2に示す、本発明のフィールド・エミッション素子スペーサーの上視図を参照する。完全に硬化されたガラスセメント13はフィールド・エミッション素子スペーサー30に使用した平板式のスペーサー30とする。図1(F)はこの平板式のスペーサー30のうち、一区域の断面図である。
図3は、本発明の一実施例の電界放出表示装置の分解図である。本発明の電界放出表示装置は、主に陰極板40、陽極板50及び両者の間にはさまれたスペーサー30より構成する。本発明は前記した手順により、スペーサー30を完成した後、陰極板40及び陽極板50をパッケージにより、組み合わせる。
陰極板40と陽極板50の構成をさらに説明する。陰極板40は主に、基板41、陰極42、陰極電子放射部43、第1絶縁層44及びゲート極45を有する。該陰極42は基板41上に被せる。陰極42上の適切位置に、複数の陰極電子放射部43を設ける。該陰極電子放射部43は、カーボンナノチューブなどの陰極電子放射部材を使用し、電界放出表示装置の発光機能の電子を提供する。陰極42とゲート極45管に印加する電圧を変化させ、それぞれの陰極電子放射部43を指定時間に電子を出射させることができる。陽極板50は、発光層51、遮光層54、陽極52及び透光パネル53を有する。陽極52は酸化インジウム錫(indium tin oxide,ITO)などの透明導電部材より構成する電極である。該陽極52の下表面発光層51と遮光層54を設ける。該発光層51は蛍光又はその他発光部材より構成する。陽極52の上部に、ガラス又はその他透明部材より構成する透光パネル53を設ける。
本発明の平板式スペーサー30は陰極板40と陽極板50との間の距離を維持し、陰極板40の出射電子の照準ミスを防止する。
本実施例は実施例1の方法とほぼ同じである。ただし、本実施例において、基板11の部材は実施例1のガラス製の代わりに、金属製を使用する(図1(A))。
本実施例は実施例1の方法とほぼ同じである。ただし、本実施例において、基板11の部材は実施例1のガラス製の代わりに、セラミック粉を使用する(図1(A))。
本実施例は実施例1の方法とほぼ同じである。ただし、本実施例において、離型剤12を設けた基板11の表面は、実施例1のスクリーン印刷の代わりに、へら印刷により該ガラスセメント13(図1(B))を形成する。
本実施例は実施例1の方法とほぼ同じである。ただし、本実施例において、離型剤12を設けた基板11の表面は、実施例1のスクリーン印刷の代わりに、スプレーにより該ガラスセメント13(図1(B))を形成する。
実施例6〜11と実施例1の方法はほぼ同じである。ただし、実施例1の酸化ケイ素の代わりに、実施例6〜11のガラスセメント13の主な成分は下表1に示す(図1(B))。
Figure 2008171790
本実施例は実施例1の方法とほぼ同じである。ただし、本実施例において、パターン化のフォトレジスト層を形成した後、実施例1のブラスト方式により、フォトレジスト層14を被せていないガラスセメント13の除去は、エッチング方法に代わって、パターン化ガラスセメント13(図1(D))を形成する。
前記した説明の通り、本発明のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法は、従来の金型加工又はレーザー加工、あるいは単純な炭化ケイ素のブラスト方式に対して、本発明はスクリーン印刷により、ガラス基板上にガラスセメントを設け、フォトレジスト層はブラスト又はエッチング方法により、ガラスセメントを必要なパターンを形成する。その上、離型剤の使用により、コストを大幅に軽減できるほか、量産の経済効果を有する
本発明の一実施例におけるフィールド・エミッション素子スペーサーの製造フローの断面図である。 本発明の一実施例におけるフィールド・エミッション素子スペーサーの平面図である。 本発明の一実施例におけるフィールド・エミッション素子スペーサーの断面図である。
符号の説明
11 基板
12 離型剤
13 ガラスセメント
14 フォトレジスト層
20 基材
30 スペーサー
40 陰極板
41 基板
42 陰極
43 陰極電子放射部
44 絶縁層
45 ゲート極
50 陽極板
51 発光層
52 陽極
53 透光パネル
54 遮光層

Claims (20)

  1. 以下の手順を含まれたフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法において、 基板を提供し、
    該基板の表面に膠質体を形成し、
    該膠質体の表面にパターン化のフォトレジスト層を形成し、
    該パターン化のフォトレジスト層より、パターン化の該膠質体を形成し、
    該パターン化のフォトレジスト層を除去し、該膠質体を硬化させる、
    該基板を除去することを特徴とするフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法。
  2. 該基板の部材はガラス、金属及びセラミックなどの物質を使用することを特徴とする請求項1記載のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法。
  3. 該基板の表面に離型剤を設け、該膠質体を該離型剤の表面に形成することを特徴とする請求項1記載のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法。
  4. 該基板を除去する手順は、該離型剤を利用することを特徴とする請求項3記載のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法。
  5. 該離型剤は石墨、セラミック粉、乳化剤、水性溶剤及びその混合物より選択によるものであることを特徴とする請求項3記載のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法。
  6. 該基板の表面に該膠質体を形成する方法は、スクリーン印刷、へら印刷、及びスプレー方法を使用することを特徴とする請求項1記載のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法。
  7. 該膠質体はガラスセメントであることを特徴とする請求項1記載のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法。
  8. 該ガラスセメントは酸化鉛、酸化硼素、酸化亜鉛、酸化ケイ素、酸化ナトリウム、酸化アルミニウム、酸化カルシウム及びその混合物より構成することを特徴とする請求項7記載のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法。
  9. 該パターン化のフォトレジスト層はドライフィルムであることを特徴とする請求項1記載のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法。
  10. 該膠質体を形成した後、該膠質体の熱処理を行い、該膠質体の表面に該パターン化のフォトレジスト層を形成することを特徴とする請求項1記載のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法。
  11. 該膠質体の熱処理工程の温度は80〜150℃であることを特徴とする請求項10記載のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法。
  12. 該パターン化のフォトレジスト層を形成した後、ブラスト又はエッチング方法により、パターン化の該膠質体を形成することを特徴とする請求項1記載のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法。
  13. ブラスト方式により、パターン化の該膠質体を形成することを特徴とする請求項12記載のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法。
  14. 該膠質体の硬化工程は、熱処理により、該膠質体を硬化することを特徴とする請求項1記載のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法。
  15. 350〜600℃の温度条件の熱処理により、該膠質体を硬化することを特徴とする請求項14記載のフィールド・エミッション素子スペーサーの製造方法。
  16. 基板及び膠質体を含み、
    該基板の表面に離型剤を設け、
    膠質体、該基板に備える該離型剤の表面に設けることを特徴とするスペーサー用の基材。
  17. 該基板の部材はガラス、金属及びセラミックなどの物質を使用することを特徴とする請求項16記載のスペーサー用の基材。
  18. 該離型剤は石墨、セラミック粉、乳化剤、水性溶剤及びその混合物より構成することを特徴とする請求項16記載のスペーサー用の基材。
  19. 該膠質体はガラスセメントより構成することを特徴とする請求項16記載のスペーサー用の基材。
  20. 該ガラスセメントは酸化鉛、酸化硼素、酸化亜鉛、酸化ケイ素、酸化ナトリウム、酸化アルミニウム、酸化カルシウム及びその混合物より構成することを特徴とする請求項19記載のスペーサー用の基材。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI385701B (zh) * 2008-11-11 2013-02-11 Tatung Co 場發射元件用之間隔層之製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5638476A (en) * 1979-09-07 1981-04-13 Fujitsu Ltd Etching method of thick film
JPH10301300A (ja) * 1997-05-02 1998-11-13 Dainippon Printing Co Ltd 厚膜パターン形成方法及び膜剥離装置
JP2000215796A (ja) * 1999-01-22 2000-08-04 Nec Corp ディスプレイパネルの製造方法およびディスプレイ装置
JP2003192454A (ja) * 2001-09-10 2003-07-09 Noritake Co Ltd シート部材の製造方法
JP2004247211A (ja) * 2003-02-14 2004-09-02 Noritake Co Ltd 厚膜シート電極の製造方法
JP2004243243A (ja) * 2003-02-14 2004-09-02 Noritake Co Ltd 厚膜シートの製造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63182237A (ja) * 1987-01-23 1988-07-27 Denki Kagaku Kogyo Kk 離型材組成物
US5658832A (en) * 1994-10-17 1997-08-19 Regents Of The University Of California Method of forming a spacer for field emission flat panel displays
US5503582A (en) * 1994-11-18 1996-04-02 Micron Display Technology, Inc. Method for forming spacers for display devices employing reduced pressures
JP3340011B2 (ja) * 1995-09-06 2002-10-28 京セラ株式会社 プラズマ表示装置用基板の製造方法
KR970030120A (ko) * 1995-11-30 1997-06-26 엄길용 샌드 블래스트법을 이용한 fed용 스페이서 제조방법
JP3624992B2 (ja) * 1996-04-22 2005-03-02 富士通株式会社 表示パネルの隔壁形成方法
US5864205A (en) * 1996-12-02 1999-01-26 Motorola Inc. Gridded spacer assembly for a field emission display
JP3427699B2 (ja) * 1997-10-17 2003-07-22 富士通株式会社 プラズマディスプレイパネルの隔壁形成方法
US6262528B1 (en) * 1997-11-28 2001-07-17 Samsung Display Devices Co., Ltd. Field emission display (FED) and method for assembling spacer of the same
US6878333B1 (en) * 1999-09-13 2005-04-12 3M Innovative Properties Company Barrier rib formation on substrate for plasma display panels and mold therefor
US6708193B1 (en) * 2000-02-21 2004-03-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Linear summation multiplier array implementation for both signed and unsigned multiplication
KR100749168B1 (ko) * 2000-06-09 2007-08-14 그랜드디스플레이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽형성방법
WO2002084689A1 (fr) * 2001-04-09 2002-10-24 Fujitsu Limited Procede de fabrication d'un mur de cloison pour les panneaux d'affichage sur ecrans plasma au moyen du jet de sable
WO2003032334A1 (fr) * 2001-09-10 2003-04-17 Noritake Co., Limited Element en pellicule epaisse, son dispositif d'application et ses procedes de fabrication
KR100450832B1 (ko) * 2002-07-15 2004-10-12 엘지전자 주식회사 모세관 몰딩법에 의한 플라즈마 디스플레이 소자의 격벽제조방법 및 그것의 페이스트 조성물
KR100874453B1 (ko) * 2002-11-26 2008-12-17 삼성에스디아이 주식회사 전계 방출 표시장치의 전자 방출원 형성 방법
US7081703B2 (en) * 2004-04-20 2006-07-25 Teco Nanotech Co., Ltd. Tetraode field-emission display and method of fabricating the same
KR20050113825A (ko) * 2004-05-31 2005-12-05 삼성에스디아이 주식회사 스페이서 제조 방법
WO2006102796A1 (fr) * 2005-04-01 2006-10-05 Zhongshan University Ecran a emission de champ possedant une structure a plusieurs couches

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5638476A (en) * 1979-09-07 1981-04-13 Fujitsu Ltd Etching method of thick film
JPH10301300A (ja) * 1997-05-02 1998-11-13 Dainippon Printing Co Ltd 厚膜パターン形成方法及び膜剥離装置
JP2000215796A (ja) * 1999-01-22 2000-08-04 Nec Corp ディスプレイパネルの製造方法およびディスプレイ装置
JP2003192454A (ja) * 2001-09-10 2003-07-09 Noritake Co Ltd シート部材の製造方法
JP2004247211A (ja) * 2003-02-14 2004-09-02 Noritake Co Ltd 厚膜シート電極の製造方法
JP2004243243A (ja) * 2003-02-14 2004-09-02 Noritake Co Ltd 厚膜シートの製造方法

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